Practica No.

2 Transistores de potencia
Objetivo.
El alumno diseara e implementara circuitos de interrupcin utilizando
transistores de potencia, considerando criterios de diseo y seleccin de
componentes adecuados para rango de voltaje, corriente y disipacin de
temperatura.
Marco terico.
TRANSISTORES DE POTENCIA
CARACTERSTICAS

Ic corriente mxima de colector (o drenador)

Uceo tensin de ruptura colector emisor (o drenador - surtidor) con la

base (o puerta) abierta

Ucesat tensin de saturacin colector- emisor (o drenador - surtidor)

Pmax potencia mxima disipable en rgimen continuo.

Bsicamente, las caractersticas de los transistores de potencia dependen del

tipo de transistor, del semiconductor y de la fabricacin. Se emplean en germanio
(bipolares de baja tensin), principalmente de silicio y, solo para transistores FET
especiales para amplificadores de comunicacin. Lo ms comn en fabricacin es
la difusin. La velocidad de conmutacin es grande y se emplean en
convertidores cd-cd y cd-ca con diodos conectados en paralelo inverso para
proporcionar flujo bidireccional de corriente se emplean en aplicaciones de baja a
mediana potencia.
Los transistores de potencia se clasifican en 3 categoras que son las siguientes:

Transistores bipolares de unin (BJT)

Transistores Efecto de campo (FET)

Transistores bipolares de compuerta aislada (IGBT).

Transistores bipolares de unin (BJT) se forman agregando una segunda

regin p o n a un diodo de union pn. Con dos regiones n y una p, se forman dos
uniones, tenindose asi un transistor NPN, y con dos regiones p y una n, se forma
un transistor PNP, como se ve en la figura posee tres terminales (colector, emisor

y base).

El transistor bipolar tiene dos uniones: la unin colector base

(CBJ) y la unin base emisor (BEJ).Hay dos regiones n+ para el emisor
del transistor NPN, dos regiones p+ para el emisor de transistor PNP
[Secciones transversales de un BJT]
Hay tres configuraciones: colector comn, base comn y emisor comn.
La de emisor comn de NPN es la que se usa mayormente en
conmutaciones. Para un transistor PNP se invierten las polaridades de
todas las corrientes y voltajes.

Un transistor opera en tres regiones:

Regin de corte: el transistor est abierto o apagado, la corriente

de base no es suficiente para saturarlo, y las dos uniones estn
polarizadas inversamente.

Regin activa: el transistor acta como un amplificador, en el que

la corriente de base se amplifica una ganancia determinada, y el

voltaje colector emisor disminuye al aumentar la corriente de

base. La unin colector base (CBJ) esta polarizada inversamente
y la unin colector emisor (BEJ) esta polarizada directamente.

Regin de saturacin: la corriente de base es suficientemente alta

como para que el voltaje colector emisor sea bajo, y el transistor
acta como un interruptor. Las dos uniones (CBJ y BEJ) tienen
polarizacin directa.
Desarrollo.
Material utilizado:

4 transistores 2N3904
4 diodos 1N4007
4 resistencias 2 k
Un motor 5 VCD

Nosotros hicimos un puente H donde la funcin de este circuito ser

que el motor gire en ambas direcciones, como se muestra en la
siguiente figura:

Nuestro circuito armado:

Conclusin.
El circuito Puente H slo permite un funcionamiento S-NO del motor, a
plena potencia en un sentido o en el otro (adems del estado de
detencin, por supuesto), pero no ofrece un modo de controlar la
velocidad.
Referencia.

https://sites.google.com/site/transistoresfototransistores/classroom
-news
http://robots-argentina.com.ar/MotorCC_PuenteH.htm