CONTADORES TIPO ANILLO Y TIPO JOHNSON

Diego Gabriel Chano Tomarima

diegoga_1001@hotmail.com.

Cristian David Chimbo Tamami

cdchimbo@espe.edu.ec

Ingeniera Mecatrnica. 6 nivel, Universidad de las Fuerzas Armadas ESPE-Extensin

Latacunga, Mrquez de Maenza S/N Latacunga. Ecuador
Jueves, 28 de enero del 2015
RESUMEN: En el siguiente escrito se presenta
sobre la utilizacin del mapa de Karnaugh ya que
esto que permitir simplificar una expresin
booleana, tambin nos enfocaremos a cmo generar
y simplificar un mapa de Karnaugh de 5 y 6 variables
para ello se realizara ejemplos para una mejor
comprensin del mismo.
PALABRAS CLAVE:
Mapa de Karnaugh: similar a una tabla de
verdad su propsito es simplificar una expresin
booleana.
Simplificar: reducir una expresin o cantidad a
su forma menos compleja o ms breve.
Expresin booleana: sucesin que incluye el 0,
1, algunas variables y operaciones booleanas.

1. INTRODUCCIN.
Actualmente el almacenamiento de datos es un
proceso fundamental de toda mquina como la
computadora o dispositivos inteligentes siempre
hay la necesidad de guardar datos debido a
otros procesos del dispositivo requieren de
datos almacenados para su
comenzar a
ejecutar ya sea que los datos estn
almacenados temporal o permanentemente.
Para el almacenamiento de datos se requiere de
un medio de almacenamiento que pueda
guardar temporalmente o permanentemente los
datos deseados, estos dispositivos son
conocidos como memorias las cuales tiene la
capacidad de albergar datos por un tiempo
determinado segn sea su fabricacin y
configuracin.
En trminos informticos la palabra memoria
hace referencia a las memorias RAM y ROM y
el termino almacenamiento hace referencia al
disco duro, a los discos flexibles y al CD-ROM.
(Floyd, 2006)

2. MAPA DE
VARIABLES.

KARNAUGH

DE

El mapa de Karnaugh de 5 variables se

obtiene de dos mapas con 4 variables lo que

permite a este mapa tener 32 celdas con 5

entradas, cabe recalcar que se cuenta con una
entrada A para uno de los mapas y su
complemento A, para realizar el otro mapa.

2.1 OBTENCIN Y SIMPLIFICACIN.

Un mapa de Karnaugh de cinco variables
(ABCDE) se puede crear utilizando dos mapas
de 4 variables para lo cual ya estamos
familiarizados. Cada uno de estos mapas
contienen 16 celdas con todas las posibles
combinaciones de la variables B, C, D y E. Un
mapa es de A=0 y el otro es para A=1.
Cabe recalcar que ahora una casilla adems de
ser adyacente en forma vertical u horizontal es
adyacente a la casilla que ocupa la misma
posicin en el cuadrado cercano

Figura 1: Mapa de Karnaugh de 5 variables

Para su respectiva simplificacin y agrupacin

de una funcin de cinco variables de entrada
mostrada en la Figura 2 podemos notar que en
la agrupacin de grupo II los trminos escogido
de cada tabla son adyacentes ya que ocupan
las mismas posiciones en la respectiva tabla.

Figura 2: Simplificacin de un mapa de Karnaugh de

5 variables.

Para realizar la simplificacin del mapa de

Karnaugh de 5 variables se bebe realizar de la
misma manera que se la resuelve con un mapa
de Karnaugh de 2, 3 y 4 variables.
Y as obtenemos la simplificacin del mapa de
Karnaugh de 5 variables de la Figura 2 la cual
queda expresada de la siguiente manera:

C
D
E+BDE

C D E+
AC D(1)

f =A
+B

2.2 EJEMPLO DE MAPA DE KARNAUGH

DE
5
VARIABLES
APLICANDO
CONDICIONES NO IMPORTA.
El sistema nervioso humano, incluyendo al
cerebro, est hecho de billones de clulas
especializadas llamadas neuronas. Cada
neurona posee sinapsis (nodos, puntos de
conexin con otras neuronas) que pueden ser
de dos tipos: (1) excitatorias e (2) inhibitorias.
Cada neurona tiene una sola terminal de salida,
(la cual se denomina axn), y transmite por ella
una seal [1] cuando el nmero de sinapsis
excitatorias con entradas [1], excede al nmero
de sinapsis inhibitorias con entrada [1] por al
menos el nmero N (umbral de la neurona).
Determine la funcin de la salida F(A, B, C, D,
E) en el axn de la neurona, dadas las
siguientes condiciones:

N=1.
No se presenta nunca el caso en el cual
el nmero de unos en las sinapsis de
excitacin es igual al nmero de unos
en la sinapsis de inhibicin.

Minimizar F mediante mapas de Karnaugh

haciendo uso de las condiciones irrelevantes o
No Importa.

Figura 3: Detalle de la neurona con las variables

A, B, C Sinapsis de excitacin.
A, D, E Sinapsis de inhibicin.

Resolucin:

Lo primero que vamos hacer es realizar una

tabla de verdad en donde se considera todas las
condiciones mencionadas.

Tabla 1: Tabla de verdad con las 5 variables

Ahora la Tabla 1 pasamos a un mapa de

Karnaugh de 5 variables.

Figura 4: Mapa de Karnaugh de 5 variables

Como podemos observar el mapa anterior de la

Figura 4 difiere usando hasta ahora, esto es con
el fin de mostrar que existen muchas formas de
expresar el mapa de Karnaugh, para la que solo
podemos recomendar se use la que ms nos
facilite.
La funcin reducida obtenida del mapa de
Karnaugh de la Figura 4 queda expresada de la
siguiente manera:

F REDUCIDA =A E +BC + B D+C

D(2)

alrededor de cada puerta flotante puesto a que

es ms delgada y no fotosensible.
En cuanto a la programacin de estas memorias
se realiza de una forma similar a las EPROM,
aplicando una tensin de 21 Voltios a la
compuerta aislada MOSFET de cada transistor,
dejando de esta manera una carga elctrica,
que es suficiente para encender los transistores
y poder almacenar la informacin.
De forma contraa el borrado de esta memoria
se efecta aplicando tensiones negativas sobre
las compuertas de tal manera que se libere la
carga elctrica almacenada entre ellas.

3.1 Ventajas de la EEPROM.

Se puede borrar de forma individual las

palabras almacenadas en la memoria.
No se requiere de luz ultravioleta para
borrar la informacin.
No requieren programador.
Para reescribir no es necesario un
borrado previo.
Se pueden escribir aproximadamente
unas 1000 veces sin que se observen
problemas.
El tiempo de almacenamiento es similar
a las EPROM, aproximadamente de 10
aos.

3. MEMORIAS EEPROM
Las EEPROM cuyas siglas en ingles son
Electrical Erasable Programmable Read Only
Memory son memorias programables y
borrable elctricamente mediante impulsos
elctricos. Son conocidas tambin como nonvolatile memory o memoria no voltil y es
debido a que cuando se desconecta la energa,
los datos almacenados en la EEPROM no sern
eliminados quedando intactos
Existas memorias EEPROM pueden construir
con transistores de tecnologa MOS (Metal
Oxide Silice) de puerta flotante y MNOS (Metal
Nitride-Oxide Silicon). La aplicacin de una
tensin en la puerta de control de la estructura
de puerta flotante permite la eliminacin y el
almacenamiento de la carga en la puerta
flotante. (Floyd, 2006)
Las EEPROM tiene celdas de memoria
similares a las celdas EPROM, la nica
diferencia se encuentra en la capa aislante

3.2 Integrado EEPROM 28C64A.

3.2.1. Distribucin de pines.

Figure 1: Distribucin de pines Memoria

EEPROM 28C64A

3.2.2. Caractersticas tcnicas.

Tabla 1: Caractersticas Tecnicas del integrado
28C64A

Caracterstica
Referencia
Tipo

Descripcin
28C64A
EEPROM CMOS

Capacidad (bits)

8192 X 8

Tipo de salida

5V

Tiempos de Acceso

120/150/200 ns

Encapsulado

DIL-28 y PLCC-32

write_eeprom (address, value): Esta

funcin escribe un dato (entero de 8 bit)
en la direccin especificada en address
en la memoria interna del PIC. Al igual
que read_eeprom address puede ser un
entero de 8 16 bit. (Beto, 2011)

5. CONCLUSIONES

La memoria 28c64a puede conectarse

fcilmente con microprocesadores o
micro controladores, puesto a que
posee pines para realizar esta accin.

La transferencia de datos en la memoria

28c641 es de manera serial, lo que
permite ahorro del micro para dedicarlo
a otras funciones.

6. RECOMENDACIONES
3.2.3. Interfaz Serial.
(1 2 pines), habilitacin.
(1 pin), reloj de sincronismo.
(1 pin), direccionamiento de dispositivo.
(3 pines) que no existen en la interfaz
paralela.
(2 pines) los pines de alimentacin del
circuito.
Los datos y la direccin de las
posiciones de memoria utilizarn
nicamente
uno
o
dos
pines,
dependiendo del tipo de comunicacin
utilizada (dos o tres hilos).
La velocidad de transferencia de datos
puede variar desde los 100 KHz hasta
los 600 MHz, dependiendo del tipo de
memoria y del sistema de comunicacin
utilizada. (Beto, 2011)
3.2.3. Funciones Basicas.
value = read_eeprom (address):
Funcin bsica para leer el valor de la
EEPROM interna . Devuelve un valor
entero (int8) de un byte. "address"
puede ser un entero de 8 16 bit. (Beto,
2011)

Se recomienda revisar el datasheet de

las memorias con la finalidad de
conocer
los
parmetros
de
funcionamiento de los mismos.
Se
recomienda
utilizar
fuentes
bibliogrficas
confiables,
con
el
propsito de obtener informacin
verdica de los temas que se trate.

7. REFERENCIAS
[1] Beto. (15 de Noviembre de 2011).

slideshare. Obtenido de
es.slideshare:
http://es.slideshare.net/be77oca
s/eeprom-10170780
[2] Floyd, T. L. (2006). Memorias y
Almacenamiento. Madrid:
Impreso en Espaa.