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1.1.
1.2.
1.3.
1.4. Descripcin y caracterstica de funcionamiento de la familia de Tiristores: SCR, TRIAC, DIAC, GTO,
SITH, RCT...............................................................................................................................................................5
Tiristor ............................................................................................................................................................6
Formas mediante las cuales se puede activar un Tiristor ..............................................................................8
Tiristores de control de fase (SCR). ................................................................................................................9
Tiristores de conmutacin rpida (SCR) ...................................................................................................... 11
Tiristores de apagado por compuerta (GTO). ............................................................................................. 12
Tiristores de triodo bidireccional (TRIAC) ................................................................................................... 13
Tiristores de conduccin inversa (RCT). ...................................................................................................... 14
Tiristores de induccin esttica (SITH) ........................................................................................................ 14
Rectificadores controlados de silicio activados por luz (LASCR) ................................................................. 15
Tiristores controlados por FET (FET-CTH).................................................................................................... 15
Tiristores controlados por MOS (MCT) ....................................................................................................... 15
1.5.
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Rectificadores de diodos.
Convertidores ca-cd (rectificadores controlados).
Convertidores cd-cd (pulsadores de cd).
Convertidores cd-ca (inversores).
Convertidores ca-ca (cicloconventidores).
Introduccin
Rectificacin
CA
CD
Fuentes Conmutadas
CA
Control de CA
CD
Inversin
Cicloconvertidores
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Ventajas:
Una respuesta dinmica ms rpida debido a uso de dispositivos estticos.
Una eficiencia mejorada en la conversin de la energa debido a las bajas prdidas en los dispositivos
electrnicos.
Tamao compacto y peso ligero de los convertidores debido a los dispositivos electrnicos.
Larga vida y reduccin del mantenimiento debido a que no contienen partes mviles.
Cuando los controladores electrnicos de potencia usan control digital basado en microprocesadores su
operacin se hace verstil y flexible.
El ruido acstico y la interferencia electromagntica se reduce ya que no se utilizan contactores y
relevadores electromagnticos.
Desventajas:
Los controladores electrnicos de potencia generan armnicos debido a que deforman la seal
sinusoidal de entrada. Esos armnicos afectan el funcionamiento de otras cargas y equipos.
El factor de potencia de algunos convertidores de potencia puede ser muy bajo.
Se deben utilizar circuitos especiales de proteccin para proteger a los tiristores.
Se deben seleccionar los tiristores para condiciones de carga mxima.
Para una conversin de energa simple los convertidores electrnicos pueden resultar costosos.
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Off State
On State
SCR
TRIAC
GTO
GATT
MCT
IT(AV)
Significado
Definicin
IGT
IH
Holding current
Latching current
IL
VDRM
Peak Repetitive
State Forward
VGT
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Dispositivo
o parmetro
Significado
Definicin
On-state Voltage
tq
Turn-off Time
tgt
VT
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Tiristor
Un tiristor es un dispositivo semiconductor de cuatro capas de estructura pnpn con tres uniones pn tiene tres
terminales: nodo ctodo y compuerta. La figura 1.2 muestra el smbolo del tiristor y una seccin recta de tres
uniones pn.
Cuando el voltaje del nodo se hace positivo con respecto al ctodo, las uniones J1 y J3 tienen polarizacin
directa o positiva. La unin J2 tiene polarizacin inversa, y solo fluir una pequea corriente de fuga del nodo
al ctodo. Se dice entonces que el tiristor est en estado de bloqueo directo o en estado desactivado
llamndose a la corriente de fuga corriente de estado inactivo ID.
Si el voltaje nodo a ctodo VAK se incrementa a un valor lo suficientemente grande la unin J2 polarizada
inversamente entrar en ruptura. Esto se conoce como ruptura por avalancha y el voltaje correspondiente se
llama voltaje de ruptura directa VBO. Dado que las uniones J1 y J3 ya tienen polarizacin directa, habr un
movimiento libre de portadores a travs de las tres uniones que provocar una gran corriente directa del
nodo. Se dice entonces que el dispositivo est en estado de conduccin o activado.
A
A
P
N
P
G
G
J1
J2
J3
K
K
a)
b)
La cada de voltaje se deber a la cada hmica de las cuatro capas y ser pequea, por lo comn 1V. En el
estado activo, la corriente del nodo est limitada por una impedancia o una resistencia externa, R L, tal y como
se muestra en la figura 1.3.
La corriente del nodo debe ser mayor que un valor conocido como corriente de enganche IL, a fin de
mantener la cantidad requerida de flujo de portadores a travs de la unin; de lo contrario, al reducirse el
voltaje del nodo al ctodo, el dispositivo regresar a la condicin de bloqueo. La corriente de enganche, I L, es
la corriente del nodo mnima requerida para mantener el tiristor en estado de conduccin inmediatamente
despus de que ha sido activado y se ha retirado la seal de la compuerta. En la figura 1.3 aparece una grfica
caracterstica v-i comn de un tiristor.
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RL
Una vez que el tiristor es activado, se comporta como un diodo en conduccin y ya no hay control sobre el
dispositivo. El tiristor seguir conduciendo, porque en la unin J 2 no existe una capa de agotamiento de vida
a movimientos libres de portadores. Sin embargo si se reduce la corriente directa del nodo por debajo de un
nivel conocido como corriente de mantenimiento IH , se genera una regin de agotamiento alrededor de la
unin J 2 debida al nmero reducido de portadores; el tiristor estar entonces en estado de bloqueo. La
corriente de mantenimiento es del orden de los miliamperios y es menor que la corriente de enganche, I L I H
. La corriente de mantenimiento I H es la corriente del nodo mnima para mantener el tiristor en estado de
rgimen permanente. La corriente de mantenimiento es menor que la corriente de enganche.
Cuando el voltaje del ctodo es positivo con respecto al del nodo, la unin J 2 tiene polarizacin directa,
pero las uniones J1 y J 3 tienen polarizacin inversa. Esto es similar a dos diodos conectados en serie con un
voltaje inverso a travs de ellos. El tiristor estar en estado de bloqueo inverso y una corriente de fuga inversa,
conocida como corriente de fuga inversa I R fluir a travs del dispositivo.
Dependiendo de la construccin fsica y del comportamiento de activacin y desactivacin, en general los
tiristores pueden clasificarse en nueve categoras:
1.
2.
3.
4.
5.
6.
7.
8.
9.
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El apagado de este dispositivo se realiza aplicando un voltaje inverso a travs del nodo y el ctodo. La figura
1.5 muestra el smbolo del SCR y sus caractersticas de corriente y voltaje.
Este tipo de Tiristor por lo general opera a la frecuencia de lnea, y se desactiva por conmutacin natural. El
tiempo de desactivacin, tq, es del orden de 50 a 100 s. Esto es muy adecuado en especial para las
aplicaciones de conmutaciones a baja velocidad. Tambin se les conoce como tiristores convertidores. Dado
que un tiristor es bsicamente un dispositivo controlado y fabricado de silicio, tambin se conoce como un
rectificador controlado de silicio (SCR).
El voltaje en estado activo Vr , por lo comn vara desde aproximadamente 1.15 V para 600 V, hasta 2.5 V para
dispositivos de 4000 V; y para un tiristor de 5500 A a 1200 V es tpicamente 1.25 V.
nodo
Compuerta
Ctodo
a)
b)
Los tiristores modernos utilizan una compuerta amplificadora, en la que se dispara un tiristor auxiliar TA
mediante una seal de compuerta, y de all la salida amplificada de TA se aplica como seal de compuerta al
tiristor principal TM .
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Un SCR (Rectificador Controlado de Silicio), es un dispositivo de tres terminales nodo (A), Ctodo (K) y
Compuerta (G), en el cual la corriente circula en forma unidireccional desde el nodo al ctodo, esta
circulacin de corriente es iniciada o producida por una pequea corriente de seal desde la compuerta al
ctodo.
a)
b)
Fig. 1.6. a) Smbolo del SCR, b) Diferentes tipos de de SCRs
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Dispositivo capaz de soportar las potencias ms elevadas. nico dispositivo capaz de soportar
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MT1
G
MT2
a)
b)
c)
Dado que el TRIAC es un dispositivo bidireccional, no es posible identificar sus terminales como nodo y
ctodo. Si la terminal MT2 es positiva con respecto a la terminal MT1, el TRIAC se puede activar aplicando una
seal de compuerta positiva entre la compuerta G y la terminal MT1 .Si la terminal MT2 es negativa con
respecto a la terminal MT1, se activar al aplicar una seal negativa a la compuerta, entre la compuerta G y la
terminal MT1. No es necesario que estn presentes ambas polaridades en las seales de la compuerta y un
TRIAC puede ser activado con una sola seal positiva o negativa de compuerta. En la prctica, la sensibilidad
vara de un cuadrante a otro, el TRIAC normalmente se opera en el cuadrante I+ (voltaje y corriente de
compuerta positivos) o en el cuadrante III- (voltaje y corriente de compuerta negativos).
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M1
T1
G
R
Ctodo
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La estructura NPNP se puede representar por un transistor npn Q1 y un transistor pnp Q2. La estructura de
compuerta MOS se puede representar por un MOSFET de canal p M1 y un MOSFET de canal n M2. Debido a
que se trata de una estructura npnp, en vez de la estructura pnpn de un SCR normal, el nodo sirve como la
terminal de referencia con respecto a la cual se aplican todas las seales de compuerta.
El MCT se puede operar como dispositivo controlado por compuerta, si su corriente es menor que la corriente
controlable pico. Intentar desactivar el MCT a corrientes mayores que su corriente controlable pico de
especificacin, puede provocar la destruccin del dispositivo. Para valores ms altos de corriente, el MCT debe
ser conmutado como un SCR estndar. Los anchos de pulso de la compuerta no son crticos para dispositivos de
corrientes pequeas. Para corrientes mayores, el ancho del pulso de desactivacin debe ser mayor. Adems,
durante la desactivacin, la compuerta utiliza una corriente pico. En muchas aplicaciones, incluyendo
inversores y pulsadores, se requiere, de un pulso continuo de compuerta sobre la totalidad del perodo de
encendido/apagado a fin de evitar ambigedad en el estado. Las caractersticas ms sobresalientes de un MCT
son:
a) Tiene una baja cada de voltaje directo durante la conduccin.
b) Un tiempo de activado rpido, tpicamente 0.4 s , y un tiempo de desactivado rpido, tpicamente 1.25
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Transistores MOSFET
Qu es un transistor MOSFET?
Un transistor MOSFET es una barra de silicio con un sector oxidado (el xido de silicio se conoce vulgarmente
como vidrio) sobre el que se produce un metalizado. Este metalizado est por lo tanto aislado de la barra de
silicio pero suficientemente cercano como para cambiar la magnitud de la corriente circulante por la barra. Ver
figura 2.13.
El transistor MOSFET (del ingls Metal-oxide-semiconductor field effect transistor) cuenta con un canal de
semiconductor tipo n, una regin tipo p y una puerta aislada. Los electrones libres pueden fluir desde la fuente
al drenaje a travs del material tipo n.
La regin p recibe el nombre de sustrato y reduce fsicamente la trayectoria de conduccin a un canal muy
estrecho. Los electrones fluyen en la forma indicada y deben pasar este angosto canal cuya anchura efectiva se
controla mediante el potencial aplicado a la compuerta. Como la compuerta est aislada del canal, la corriente
de entrada a la puerta es despreciable.
Los transistores MOSFET o tambin conocidos como Transistores de Efecto de Campo de Metal Oxido
Semiconductor (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Efect Transistor), es un dispositivo similar al transistor BJT,
M.C. Hugo Abraham Pacheco Reyes
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en el hecho que se compone bsicamente de 3 capas de semiconductor n y p, pero con ciertas modificaciones
tal como se muestra a continuacin:
MOSFET
canal N
MOSFET
canal P
a)
b)
Fig. 1.15. a).- Transistor MOSFET de canal n, b).- Transistor MOSFET de canal p
Observe que se pueden tener dos tipos de MOSFET, de canal n y canal p. El nombre de sus terminales son
respectivamente: S = Source (Fuente), D = Drain (Drenador) y G = Gate (Compuerta). Se puede apreciar
tambin que se ha utilizado una representacin con diodos, dicha representacin terica ser til ms
adelante para explicar el funcionamiento de este dispositivo. A continuacin se muestra la distribucin interna
de cargas para un MOSFET de canal n:
Se observa que el semiconductor p tiene cierta cantidad de electrones libres, a los cuales se les llama
impurezas (en un MOSFET p las impurezas son huecos), aun as son la clave para la operacin del MOSFET,
adems no existe conexin elctrica entre la compuerta y el material p, esta est aislada por una capa de
xido aislante.
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Principio de funcionamiento
La explicacin que sigue se basar en el transistor MOSFET de canal n, pero es igualmente vlida para el
MOSFET de canal p solo que se cambian polaridades de las fuentes y electrones por huecos.
Para empezar, el MOSFET funcionar solo si se cumplen las siguientes condiciones:
Debe existir un voltaje positivo entre Compuerta y Fuente (G = +, S = -), y un voltaje positivo entre Drenador y
Fuente (D = +, S = -).
Si solo se aplica un voltaje VDS, el diodo cercano al drenador tendr polarizacin inversa, por lo que el MOSFET
no conducir. Por otra parte si se aplica un voltaje positivo VGS por encima de cierto valor conocido como
Voltaje de Umbral (VT), se provocar la separacin de los huecos y de las impurezas del material p (ley de las
cargas elctricas), estas ltimas se juntarn al lado del xido aislante sin poder cruzar (como en las placas de
un condensador), por lo que IG = 0.
El resultado de este proceso es la formacin de un canal n artificial, de aqu el nombre de MOSFET de canal n.
Gracias a la existencia de este canal artificial, se puede establecer una corriente entre drenador D y fuente S,
cuyo valor depender de la cantidad de impurezas reunidas cerca de la compuerta, las cuales finalmente
dependen del voltaje VGS.
Existen diferentes versiones de MOSFETs en funcin del tipo de barra de silicio (canal tipo P y canal tipo N) y
del funcionamiento del dispositivo. Hay MOSFET de ensanchamiento de canal y otros de estrechamiento del
canal (los primeros tiene una resistencia intrnseca alta, que se reduce al aplicar tensin a la compuerta y los
segundos tienen una resistencia intrnseca baja, que aumenta al aplicar tensin a la compuerta). Los cuatro
tipos se individualizan por el smbolo, la flecha hacia el canal significa tipo N y la flecha hacia el lado contrario al
canal significa tipo P; los de ensanchamiento se individualizan porque el smbolo del canal est cortado en
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contraposicin con los de estrechamiento en donde el canal se dibuj completo. Tambin existen MOSFET de 4
patas en donde el substrato est desconectado del terminal de fuente y tiene su pata individual.
Nomenclatura: D=Drenador (Drain)
S=Fuente (Source)
G=Compuerta (Gate)
G
B
Canal P
Canal N
S
Canal N
S
Canal P
G
B
Canal
estrechamiento
Agotamiento
Canal
ensanchamiento
Enriquecimiento
B=Sustrato (Bulk)
S
Canal N
Canal P
MOSFET de 3 patas
Conexin del sustrato interna
Canal N
Canal P
MOSFET de 4 patas
Conexin del sustrato externa
El dispositivo MOSFET es perfectamente capaz de amplificar seal elctrica y de hecho existen amplificadores
de potencia basados en ellos; sin embargo en aplicaciones de electrnica de potencia se utilizan como
interruptores.
Un MOSFET de potencia es un dispositivo controlado por voltaje, que requiere solo de una pequea corriente
de entrada. La velocidad de conmutacin es muy alta siendo los tiempos de conmutacin del orden de los
nanosegundos. Los MOSFET no tienen los problemas de los fenmenos de ruptura secundaria que tienen los
BJT, pero tienen problemas de descargas electrostticas, por lo que su manejo requiere de cuidados especiales.
Adems es muy difcil protegerlos bajo condiciones de falla por corto circuito.
Su altsima impedancia de entrada a frecuencias audibles. No necesitan drivers ni corriente para funcionar
en zona lineal. Son dispositivos controlados por tensin, no por corriente, y no necesitan drivers como los
BJT en las etapas de salida
Bajo nivel de ruido trmico, ya que los portadores que intervienen en la conduccin no son creados
trmicamente como en los BJT.
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Coeficiente trmico negativo. Permite poner en paralelo varios de ellos, sin tener que recurrir a un
transistor de mayor potencia y encapsulados ms caros como el TO-3 o TO-247.
No existe ruptura secundaria como en los BJT, por lo que pueden proporcionar ms corriente a alto
voltaje.
Pueden soportar sobrecargas importantes en un breve espacio de tiempo, lo cual es positivo a la hora de
alimentar cargas reactivas como los altavoces.
Mayor velocidad que los bipolares.
Inconvenientes:
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Sustrato p+
Capa intermedia n+
p-
n+
Compuerta
Compuerta
Emisor
El smbolo el circuito de un IGBT se muestran en la figura 1.19. Las tres terminales son compuerta, colector
y emisor, en vez de compuerta, drenaje y fuente de un MOSFET . Las especificaciones de corriente de un
IGBT pueden llegar a 400 A a 1200 V y la frecuencia de conmutacin hasta 20 KHz.
C
RMOD
C
RMOD
PNP
NPN
PNP
G
RBE
RBE
a)
b)
C
RS
VG
IC
RD
RGE
VCC
RBE
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Fig. 1.22. Modulo de IGBT Powerex Expands 1700V IGBT Offering to 2400A
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