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JUNTURA JUNTURA METAL METAL SEMICONDUCTOR SEMICONDUCTOR Dra. Dra. María María Rebollo Rebollo Dr. Dr. Andres

JUNTURAJUNTURA METALMETAL SEMICONDUCTORSEMICONDUCTOR

JUNTURA JUNTURA METAL METAL SEMICONDUCTOR SEMICONDUCTOR Dra. Dra. María María Rebollo Rebollo Dr. Dr. Andres

Dra.Dra. MaríaMaría RebolloRebollo Dr.Dr. AndresAndres OzolsOzols

FIUBA

2006

Drs. Rebollo- Ozols

1

CARACTERISTICASCARACTERISTICAS CUALITATIVASCUALITATIVAS JunturaJuntura MetalMetal -- SemiconductorSemiconductor

Los Diagramas de bandas de Energía

ε

ε F

g(ε) dn/dε Metal
g(ε)
dn/dε
Metal

ε

ε

ε F

c

ε v

g c (ε) dn/dε g v (ε) dp/dε Semiconductor
g c (ε)
dn/dε
g v (ε)
dp/dε
Semiconductor

CARACTERISTICASCARACTERISTICAS CUALITATIVASCUALITATIVAS JunturaJuntura MetalMetal -- SemiconductorSemiconductor

Barrera Schottky

φ >φ m S
φ >φ
m
S

E F en Semiconductor por encima de la E F

m S E F en Semiconductor por encima de la E F Diagrama de bandas de

Diagrama de bandas de Energía

(antes del contacto) Metal
(antes del contacto)
Metal

Semiconductor tipo N

Flujo de electrones para E F cte

JunturaJuntura MetalMetal SemiconductorSemiconductor tipotipo NN

A-

φ >φ

m

S

El potencial de contacto Potencial de Schottky φ φ =φ −χ ( ) φ 0
El potencial de contacto
Potencial de Schottky
φ
φ =φ −χ
(
)
φ
0
B
m
0
(Potencial visto por los
electrones de la banda de
conducción)
Metal
φ=−φ E − E
(
)
0
B
C
F
Semiconductor
tipo N

Zona de vaciamiento

(carga positiva)

Drs. Rebollo- Ozols

4

JunturaJuntura MetalMetal SemiconductorSemiconductor tipotipo NN

b-

φ <φ m S ε o eφ 0 eχ eφ S eφ M ε c
φ <φ
m
S
ε
o
eφ 0
eφ S
eφ M
ε
c
ε
F
+ --
+ --
+ --
ε
v

FuncionesFunciones dede trabajotrabajo φφ

Elemento

Función de trabajo

Ag

4.26

Al

4.28

Au

5.1

Cr

4.5

Mo

4.6

Ni

5.15

Pd

5.12

Pt

5.65

Ti

4.33

W

4.55

AfinidadAfinidad ElectrónicaElectrónica χχ

Elemento

Afinidad

Electrónica

Ge

4.13

Si

4.01

GaAs

4.07

AlAs

3.5

CampoCampo EléctricoEléctrico

La ley de Poisson:

La distribución de carga en la juntura metal SC tipo N

dE

dx

=

ρ

()

x

ε

S

ρ ρN D Q + = eN D x n A x n x Q
ρ
ρN D
Q + = eN D x n A
x n
x
Q - = -eN D x n A

CampoCampo EléctricoEléctrico

E =

eN

d

=+ eN

d

x

dx

ε

S

ε

S

C

1

La condición de contorno

E

(

)

x = 0

n

x dx ε S ε S C 1 La condición de contorno E ( ) x

C

1

ε S ε S C 1 La condición de contorno E ( ) x = 0
eN d = E max ε S
eN
d
=
E max
ε
S

=−

x

n

C 1 = cte.

eN

d

ε

S

d = E max ε S =− x n C 1 = cte. eN d ε
d x n
d
x
n

eN

ε

S

E

=−

eN

d

ε

S

(

xx

n

)

PotencialPotencial EléctricoEléctrico

El potencial se obtiene integrando el campo:

φ()x =− E()x dx + C '

1

φ

()

x

=−

φ

()

x

eN

D

ε

S

(

x

2

x

eN

D

(

ε

S

2

x

n

)

dx

+

C

'

1

−+

xx

n

)'

C

La diferencia de potencial en la zona de vaciamiento:

C La diferencia de potencial en la zona de vaciamiento: C´ 1 = cte. 1 ∆=

1 = cte.

1

∆=

φφ

(

x

n

)

φ

(0)

=

φ

0

=

2

eN x

D

n

2

ε

S

PotencialPotencial EléctricoEléctrico

Eligiendo

φ x =

()0

n

Potencial Eléctrico Eléctrico Eligiendo φ x = ()0 n C ' = − 2 eN x

C '

= −

2

eN x

D

n

1 2

ε

S

φ ( x )
φ
(
x
)

= −

eN

D

2

ε

y

φ(0) = −φ

0

(x -x)

n

2

φ 0 (x)

-φ 0

1 2 ε S φ ( x ) = − eN D 2 ε y φ
x x n
x
x n

PotencialPotencial EléctricoEléctrico

La energía potencial de los electrones es

e φ

(x)

=

e

2

N

D

2 ε

eφ 0

(x

n

- x)

2

y

- e

φ

(0)

= e φ

0

electrones es − e φ (x) = e 2 N D 2 ε e φ 0
electrones es − e φ (x) = e 2 N D 2 ε e φ 0
electrones es − e φ (x) = e 2 N D 2 ε e φ 0

x n

x

AnchoAncho dede lala zonazona dede vaciamientovaciamiento

Es obtenido a partir de la expresión de la juntura pn,

W = x

n

W

=

x

n

=

N =

a

la expresión de la juntura pn, W = x n W = x n = N

eN

d

2

ε φ

S

O

2 ε φ − S O V
2 ε φ − S O V

V

0

JunturaJuntura MetalMetal SemiconductorSemiconductor fuerafuera dede EquilibrioEquilibrio

eφ 0 eφ M ε o eχ eφ B eφ S - + + ε
eφ 0
eφ M
ε o
eφ B
eφ S
- +
+
ε c
- +
+
ε F
- +
+
ε v

JunturaJuntura MetalMetal SemiconductorSemiconductor fuerafuera dede EquilibrioEquilibrio

Polarización directa (aplicado potencial +V)

+ - semiconductor metal
+
-
semiconductor
metal

Polarización directa V 0 >0

φ−V 0
φ−V
0

Drs. Rebollo- Ozols

14

JunturaJuntura MetalMetal SemiconductorSemiconductor fuerafuera dede EquilibrioEquilibrio

Polarización Inversa (aplicado potencial –V)

φ+V 0
φ+V
0
- + semiconductor metal
-
+
semiconductor
metal

Polarización inversa V 0 <0

CapacidadCapacidad dede JunturaJuntura

La carga espacial cambia con la polarización

Q = AeN

D

x

n

= A

2eε(φ

0

V )N

0

D

Q = AeN D x n = A 2e ε ( φ 0 − V )N

A= área de juntura

La capacidad es obtenida a partir de la expresión de la juntura pn, (bajo condiciones de señal pequeña)

C

=

AeN

dx n

=

d dV

(bajo condiciones de señal pequeña) C = AeN dx n = d dV A e ε

A

e ε N Sd 2 ( φ − V ) O 1 2 = 2
e
ε
N
Sd
2
(
φ
V
)
O
1
2
=
2
2
C
A
e
ε
N
D

(

1/C 2 φ 0 V 0 φ − V ) 0 0
1/C 2
φ 0
V 0
φ −
V
)
0
0

CaracterísticaCaracterística corrientecorriente--voltajevoltaje

Sin polarización:

La corriente de electrones compuesta por

Jn S-M : la corriente de electrones de la banda de conducción que fluye desde SC al metal. Estos electrones tienen suficiente energía como para saltar el potencial de contacto φ 0 .

Jn M-S : la corriente de electrones desde el metal al semiconductor. En este caso los electrones deben superar el potencial φ B .

En equilibrio Jn S-M = Jn M-S .

CaracterísticaCaracterística corrientecorriente--voltajevoltaje

La corriente de huecos está compuesta de:

Jp M-S : la corriente de huecos desde el metal al semiconductor. Se compone de huecos que se generan en la superficie del semiconductor cuando electrones de la banda de valencia pasan a ocupar estados accesibles dentro del metal.

Jp S-M : la corriente de huecos desde el semiconductor al metal. Se compone de huecos que llegan desde el interior del semiconductor y desaparecen en la superficie cuando atrapan un electrón del metal.

En equilibrio Jp S-M = Jp M-S .

CaracterísticaCaracterística corrientecorriente--voltajevoltaje

Con polarización directa:

La corriente de electrones desde el semiconductor al metal, debe ser proporcional al número de electrones cuya energía supere φ 0 -V.

El electrón que llega a la superficie desde la banda de conducción:

1

2

mv

2

x mín

e(

φ

0

V

0

)

La corriente de estos electrones:

I

n

S-M

=

(-e)

v

x

mín

-v

x

dn

=

e

v

x

mín

v

x

dn

CaracterísticaCaracterística corrientecorriente--voltajevoltaje

El número de electrones con velocidades (vx y vx+dvx; vy y vy+dvy; vz y vz+dvz):

dn

=

g(v

x

g(v

,v

y

x

, v

,v

z

)f

, v

FD

3

y

z

2m

) =

h

3

(v

x

, v

y

La aproximación de Boltzmann:

dn =

2m

3

h

3

e

(

ε−ε

F

) / kT

dv

x

dv

y

dv

z

, v

z

)dv

x

dv

y

dv

z

CaracterísticaCaracterística corrientecorriente--voltajevoltaje

con:

I

n

S

M

∞∞∞

∫∫∫

Iv

n

S-M

=

e

v

x

ε=ε +

c

mín

1

2

00

m(v

2

x

x

dn

+

v

=

2

y

2

3 ∞∞∞

∫∫∫

v

x

mín

00

em

h

3

+

v

2

z

)

v

x

e

(

ε ε

F

)/ kT

dv dv dv

x

y

z

=

em h 3 + v 2 z ) v x e ( ε ε − F

2

em

3

h

3

e

(

ε ε

c

F

)/ kT

v

x

mín

2

x

2

mv

2

z

mv

∞∞

y

mv

−−− ∫∫

222

dv

e

dv

y

e

kT

kT

kT

v e

xx

0

0

dv

z

CaracterísticaCaracterística corrientecorriente--voltajevoltaje

Pero:

0

e

mv

2

y

mv

2

z

2kT

dv

y

=

0

e

2kT

v

x

v x mín

e

mv

2

x

2kT

dv

x

=

kT

m

dv z

=

2

π kT

m

e

mv

2

x mín

2kT

I

n

S

M

=

e

4

π

m

h

3

(

kT

)

2

e

mv

2

x

mín

2 kT

e

(

ε ε

c

F

)/ kT

CaracterísticaCaracterística corrientecorriente--voltajevoltaje

La región de contacto es muy delgada

- - voltaje voltaje La región de contacto es muy delgada los electrones pasan al metal

los electrones pasan al metal por efecto túnel cuando su energía cumpla la condición

1 2 x ≥ φ −
2

mv

e(

0

La energía mínima

I

nS

M

=

e4

π

m

h

3

1 2 mv 2 x mín =
1 2
mv
2 x mín =

e(

φ

0

V

0

)

2

(kT) e

− φ−

e(

0

V ) / kT

0

e

(

−ε−ε

c

F

) / kT

V

0

)

CaracterísticaCaracterística corrientecorriente--voltajevoltaje

Si V = 0

e4 π m 2 − φ+ε−ε [e ( )]/ kT I = I = (kT)
e4
π
m
2
− φ+ε−ε
[e
(
)]/ kT
I
=
I
=
(kT) e
0
c
F
nS
M
nM
S
3
h
Según el gráfico de bandas en equilibrio
eφ 0
eφ B
+ (ε −ε ) = eφ
- + +
0
c
F
B
- + +
- + +
e4
π
m
2
−φ
e
/ kT
I
=
I
=
(kT) e
B
nS
M
nM
S
3
h

ε o

ε c

ε F

ε v

CaracterísticaCaracterística corrientecorriente--voltajevoltaje

Si V > 0

La corriente desde el semiconductor al metal se modifica pues la barrera será e(φ 0 -V). La corriente desde el metal al semiconductor no se modifica pues la barrera que deben saltar los electrones sigue siendo φ 0 .

La corriente neta en la juntura fuera del equilibrio será:

I

n

=−= I I

nM

S

nS

M

I

e

4

π

m

=

n h

3

()

kT

2

e

e

φ

B

/

em

4

π

2

e

e

φ

(

B

V

0

em

4

π

()

kT

)/

kT

h

3

h

3

kT

(

e

eV

0

/

kT

1

)

kT

()

2

e

e

φ

B

/

kT

EcuaciónEcuación deldel diododiodo idealideal

I

n

(

= Ie

S

eV

0

I / kT − 1 ) I V 0 S
I
/
kT
− 1
)
I
V
0
S

CONTACTOSCONTACTOS NONO RECTIFICANTESRECTIFICANTES (ÓHMICOS)(ÓHMICOS)

Cuando el contacto ofrece una resistencia despreciable al flujo de corriente el contacto es óhmico.

CONTACTO TÚNEL Un contacto M-SC se hace óhmico si el efecto de la barrera se
CONTACTO TÚNEL
Un contacto M-SC se hace óhmico si el
efecto de la barrera se hace despreciable.
e(φ 0 - V 0 )
eφ B
eφ B
ε
c
e(φ 0 + V 0 )
ε
FS
ε
FM
ε
FM
ε C
ε FS
ε
v
ε
V
Por ejemplo dopando fuertemente al semiconductor se puede reducir el ancho de
la carga espacial. Se produce efecto túnel para ambos tipos de polarización.

CONTACTOSCONTACTOS NONO RECTIFICANTESRECTIFICANTES (ÓHMICOS)(ÓHMICOS)

ContactosContactos óhmicosóhmicos dede SchottkySchottky

Juntura metal- semiconductor tipo-P

φ m > φ S

eφ 0 ε o eχ eφ M ε c eφ B - + + eφ
eφ 0
ε
o
eφ M
ε
c
eφ B
- + +
eφ S
- + +
- + +
ε
F
ε
v

Juntura metal- semiconductor tipo-N

φ m < φ S ε o eφ 0 eχ eφ S eφ M ε
φ
m < φ S
ε
o
eφ 0
eφ S
eφ M
ε
c
ε
F
+ --
+ --
+ --
ε
v

EjemploEjemplo 11

Datos

Calcule

SC: Si tipo n, dopado Metal: W

T = 300K

N

eφ =

= 10

16

cm

3

eV

d

m

4.55

El potencial de contacto

El ancho de la zona de vaciamiento El Campo eléctrico máximo

La capacitancia de juntura

φ

0

W

E max

C´

n

i

= 10

10

cm

3

eχ = 4.01eV

EjemploEjemplo 11 El potencial de contacto

SC fuertemente extrínseco

φ=−φ E E

0

B

C

(

F

)

La Barrera de Schoctky

φφχ= −=

B

m

(4.55 4.01)

eV =

0.54

eV

La distancia ente la banda de conducción y E F

n

=

Ne

C

(

E

C

E

F

)

KT

N

d

conducción y E F n = Ne C − ( E C − E F )

E

C

E

F

=

KT ln

N

C

N

d

EjemploEjemplo 11 El potencial de contacto

E

C

φ 0

E

F

−=

1

2.810

19

ln

40

10

16

eV =

0.206

eV

=−φ

B

(

)

E E =

CF

(

0.54

0.206

)

eV =

El ancho de la zona de vaciamiento

x

n

=

eN

d

2

ε φ

S

O

2 ε φ − S O V
2 ε φ − S O V

V

=

W

0.33

eV

El ancho de la zona de vaciamiento

W =

− 14 2(11.7)(8.8510 ) 0.33 ( ) − 19 16 (1.610 )10
14
2(11.7)(8.8510
) 0.33
(
)
− 19
16
(1.610
)10

4

== 0.207 10

x

cm

0.207

µm

El Campo eléctrico máximo

== eN x d n E max ε S
== eN x
d
n
E max
ε
S

(

1.610

19

)(

10

16

)(

0.20710

4

)

(

11.7 8.8510

14 )

= 3.210

4

Vcm

1