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INNOVATION

Diodes lectroluminescentes
pour lclairage
par

Georges ZISSIS

Des diodes lectroluminescentes de plus en plus puissantes sont commercialises. Elles peuvent ainsi thoriquement remplacer les lampes incandescence pour lclairage. Mais il convient au pralable de dterminer la place
des LED dans le contexte conomique et nergtique de lclairage.

Georges ZISSIS est matre de confrences. Il


est chercheur au centre de physique des plasmas
et de leurs applications (CPAT, UMR CNRS 5002)
de luniversit Paul-Sabatier (Toulouse-III).
georges.zissis@cpat.ups-tlse.fr

1. Contexte conomique et
nergtique de lclairage
De plus en plus prsent dans nos activits, lclairage
reprsente
un
march
considrable.
Aujourdhui, on estime 30 milliards le nombre de
lampes lectriques, tous types confondus, qui fonctionnent sur Terre. Ces lampes consomment plus de
2 000 TWh dnergie lectrique par an. Cette quantit reprsente approximativement un peu plus dun
dixime de la production globale dlectricit de notre
plante. Si dans un pays industrialis comme la
France, on utilise en moyenne 10 15 % de la production lectrique annuelle pour lclairage (plus de
20 % aux tats-Unis), dans un pays en voie de dveloppement cette proportion augmente rapidement
(37 % pour la Tunisie, 89 % pour la Tanzanie). Cet
important cart est essentiellement li au fait que,
dans un pays en voie de dveloppement, lclairage
est une ncessit premire. Mais il est galement li
lutilisation des lampes bon march (lampes
incandescence) ayant une moindre efficacit.
La production de lnergie lectrique pour satisfaire
les besoins en clairage de lhomme entrane, invitablement une pollution de lenvironnement. Ainsi,
on estime que chaque anne quelque mille millions
de tonnes de CO2 accompagnent cette production
dnergie, contribuant ainsi leffet de serre. Notons
que, selon lOCDE, les besoins de lhumanit en
lumire se verront multiplis par 2 ou 3 dici 2020.
Un premier dfi consiste donc augmenter lefficacit lumineuse des sources de lumire. Cette
augmentation, ne fut-ce que de quelques pour-cent,
constituerait un progrs important. Ainsi, 2 %
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defficacit nergtique supplmentaire correspondrait une diminution des rejets de CO2 de 6


7 millions de tonnes par an, ce qui reprsenterait
1 % de la diminution prvue par le protocole de
Kyoto sur lenvironnement (1997). Des estimations
diverses indiquent que, compte tenu de laugmentation de la demande de lhumanit pour lclairage,
en utilisant simplement de faon plus raisonne les
sources existantes, nous pourrions conomiser entre
10 et 15 % de lnergie consomme pour lclairage
dans les 10 annes venir. Mais cette solution est
alatoire puisquelle ne tient pas compte des
comportements humains.

Aperu historique

Messieurs : Pendant linvestigation du passage asymtrique du courant au travers dun


contact de carborundum ou dautres substances,
un phnomne bizarre a t observ. En appliquant une diffrence de potentiel de 10 V entre
deux points du cristal de carborundum, ce dernier a mis une lumire jauntre... .
Cest en ces termes que H.J. Round rapporta,
en 1907, la premire mission de lumire par un
semi-conducteur [1]. Sans explication vidente,
cette dcouverte fut rapidement oublie. Il fallut
attendre 1962 pour que N. Holonyak et
S.F. Bevacqua de General Electric signent lacte
officiel de naissance de la diode lectroluminescente rouge [2].
Depuis, les vnements se sont enchans rapidement. En 1968, la premire diode lectroluminescente (ou LED) commercialise produisit une
lumire rouge d peine 0,001 lm.
Aujourdhui, une LED blanche de 5 W, produisant plus dune centaine de lumens (120 lm),
vient de faire son entre sur le march de lclairage tandis quun semi-conducteur mettant 500
600 lm (20 W) aurait t annonc en septembre 2003. Cette volution semble bel et bien
rvolutionnaire !
Techniques de lIngnieur

Le carborundum est
un cristal de carbure de
silicium (SiC).

OCDE : Organisation de
coopration et de dveloppement conomiques
LED : light-emitting
diode

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Efficacit lumineuse (lm/W)

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(correspondant une rduction de capacit de production de 120 GW).

200

Quoi quil en soit, les LED reprsentent aujourdhui


5 % du march (on estimait que 100 milliards de LED
fonctionnaient en 2000) et la croissance du secteur
est estime au taux record de 58 % par an ! Si cette
croissance devait se confirmer, les LED seront avant
2010 un des secteurs prdominants du march de la
microlectronique [4].

150

100
Fluorescent

50

LED : rvolutionnaire
LED : volutionnaire
Halogne

0
1970

Classique

1980

1990

2000

2010
2020
Annes

Les scnarios pour l'volution de l'efficacit


lumineuse des LED blanches ont t proposs
dans un rapport command par le Snat des
tats-Unis [3].
Figure 1 volution de lefficacit lumineuse
de quelques sources

Concevoir et produire en srie de nouvelles sources de lumire plus efficaces semble tre une solution durable. Cependant, malgr tous les progrs de
la science et de la technologie dans le domaine des
sources de lumire classiques (ampoules incandescence et lampes dcharge lectrique), lefficacit
maximale de ces systmes stagne, depuis les annes
1970, autour de 100 110 lm/W (figure 1).
La technologie LED peut srement faire avancer les
choses dans la bonne direction. La question est
comment.

Un champ de charge
espace est un champ
lectrique cr lintrieur dune accumulation
de
charges
lectriques,
souvent
dcrit
comme
un
nuage , lectriquement neutre dun point
de vue macroscopique.

Pour y rpondre, R. Haitz et coll., dans le cadre


dun papier blanc command par le Snat des
tats-Unis [3], ont labor deux scnarios : le premier, simplement volutionaire , prvoit pour
2010 une diode blanche de 50 lm/W, tandis que le
second, dit rvolutionnaire , vise un dispositif de
200 lm/W dici 2025.
Selon le premier scnario, les 50 lm/W semblent
tre un objectif raliste que lon peut atteindre sans
effort considrable. Dans ce contexte, les LED peuvent trs bien remplacer dici 2025, 20 30 % des
lampes incandescence et halognes. Cela entranerait une conomie dnergie de lordre de
400 TWh/an (correspondant une rduction de
capacit de production de 50 GW).
Dans le deuxime scnario, atteindre une efficacit
de 200 lm/W ncessite clairement un effort considrable.
Nota : le Snat des tats-Unis a vot en juin 2001 lacte S.1166 qui
octroie 470 millions de dollars pour le dveloppement, dici 2011,
dune diode blanche destine lclairage gnral et ayant une efficacit de 160 lm/W et une dure de vie de 10 ans. Ce mme texte prcise que lobjectif est que cette nouvelle diode prenne 25 % de parts du
march de lclairage dici 2012.

Dans ce cas, les LED seraient susceptibles de remplacer les lampes fluorescentes et pourraient reprsenter plus de 50 % de parts du march des sources
de lumire dici 2025 2030. Lconomie dnergie
escompte serait de lordre de 1 000 TWh/an

IN 18 - 2

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Ds lors, le dveloppement des diodes lectroluminescentes devient vital, non seulement, pour conomiser de lnergie, mais aussi pour revigorer la
croissance de lindustrie du semi-conducteur, freine
ces dernires annes par le secteur des tlcommunications.
Mais quel est le principe de fonctionnement des
diodes lectroluminescentes ? La rponse cette
question est essentielle pour la comprhension des
avantages et des dfauts des LED actuelles.

2. Principe de fonctionnement
et efficacit
Llment de base de toute diode lectroluminescente est un semi-conducteur ayant deux rgions
de conductivit diffrente (de type p et n) et une
rgion de recombinaison radiative des porteurs n
(lectrons) et p (trous). Dans son expression la plus
simple, le design dune LED se rduit la jonction
dun semi-conducteur dop de type p avec le mme
semi-conducteur dop n. Il sagit dune diode lectroluminescente dite homojonction. Les LED classiques
utilisent encore aujourdhui cette structure mais,
comme nous le verrons plus loin ( 2.2), les nouvelles diodes de forte intensit utilisent des jonctions
bien plus complexes.

2.1 Diodes lectroluminescentes


classiques
La figure 2 illustre le principe de fonctionnement
dune homojonction. ltat dquilibre, les porteurs
majoritaires de chaque zone diffusent vers lautre
zone : les lectrons de la zone n ont tendance diffuser vers la zone p, les trous suivent le chemin
inverse. Ces mouvements spontans perturbent la
neutralit lectrique locale du systme et sont lorigine de lapparition dun champ de charge espace
qui soppose, son tour, ces mouvements et le systme squilibre. Par consquent, le nombre de porteurs minoritaires dans chaque zone (lectrons dans
la zone p et trous dans la zone n) reste extrmement
faible et la probabilit de recombinaison radiative est
quasi nulle. Dans le cas dune jonction idale avec de
longues zones neutres, les densits des courants
inverses lies la diffusion, jn0 et jp0, de chaque type
de porteur dpendent, entre autres, du carr de la
densit des porteurs.
En appliquant maintenant la jonction une tension
de polarisation directe V, la barrire de potentiel
sabaisse dune valeur gale eV. Par consquent, le
courant de diffusion des porteurs majoritaires de
chaque ct de la barrire vers la zone oppose augmente dun facteur proportionnel exp(eV/kBT ), o
T est la temprature de la jonction en kelvins et kB la
constante de Boltzmann (1,380 1023 J/K).
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eVD eV
Type p

eVD
WD

EC EF

EF EV

EC
EF

EC
EFn

eV
EFp

Type n
EV

EV

Type p

Ln

EC

WD

EC
h

EF
Lp

Type n

EF
h
EV

EV

b sous une tension de polarisation directe V

a l'quilibre

EC , EV!
:! nergies de la bande de conduction et de valence
EF , EFn , EFp! :! nergie de Fermi l'quilibre et pendant la polarisation dans les zones n et p
!!
du semi-conducteur
Lp , Ln!
!!

:! longueur de pntration des porteurs dans les zones opposes sous l'effet de
la polarisation directe

p , n!

:! dures de vie de porteurs dans les zones opposes

h!

:! correspond l'nergie des photons produits par recombinaison radiative

Figure 2 tat de la jonction et distribution des porteurs dune diode lectroluminescente homojonction

Cette augmentation du courant de diffusion


dsquilibre le systme et aboutit une croissance
de la population des porteurs minoritaires dans chaque zone. Si la tension de polarisation directe est suffisante, la probabilit de recombinaison radiative
nest plus ngligeable et des photons sont produits
par la jonction.
Cependant, la recombinaison radiative dans la
jonction est concurrence par la recombinaison non
radiative, ce qui implique que le courant total I qui
circule dans la diode est suprieur la somme des In
et Ip. Lefficacit dinjection, inj, de la LED dpend de
ces deux phnomnes concurrents, elle est dfinie
par la relation :

In + Ip
inj = ---------------I

(1)

Pour des raisons technologiques, le centre luminescent est limit une seule zone (typiquement la
zone p), ainsi linjection dans lautre zone est limite
(Ip << In). Cela se ralise en imposant un profil de
dopage. Dans cette configuration, lefficacit dinjection, inj In/I, prend des valeurs entre 0,3 et 0,8.
Pour faire mieux, il faut augmenter le niveau de
dopage (ND) du semi-conducteur.
Cependant, la technologie dhomojonction atteint
vite ses limites, car en augmentant le niveau de
dopage pour amliorer lefficacit dinjection, on
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augmente simultanment les impurets qui constituent leur tour des centres additionnels de recombinaison non radiative. Par ailleurs, nous verrons plus
loin ( 3) que, dans une diode, les photons gnrs
par le centre luminescent peuvent tre rabsorbs
dans la zone de conduction. Ce pigeage du rayonnement augmente rapidement avec le niveau du
dopage. Obtenir des diodes produisant plusieurs centaines de lumens ncessite la mise en place dune
autre technologie, celle dhtrojonction.

2.2 Technologie des htrostructures


Lide principale de la technologie dhtrojonction
repose sur la variation spatiale de la composition du
semi-conducteur.
Ces
structures,
appeles
htrostructures, sont des assemblages de semiconducteurs de diffrentes compositions chimiques
ayant galement diffrents gaps nergtiques.
Aujourdhui, comme le montre la figure 3, nous utilisons des htrostructures simples (SH) ou doubles
(DH).
Dans le cas dune htrostructure simple, la zone p
correspondant la rgion de conduction est constitue dun semi-conducteur ayant un gap nergtique
Eg2 dune valeur infrieure celle du gap de la zone
n, Eg1. La discontinuit entre les deux structures
nergtiques amplifie la barrire de potentiel visible
par les porteurs p (trous) dsirant diffuser vers la
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Dme en poxy

EC
p

Eg2

c
EV

Eg1

a simple

EC

Substrat absorbant

EC
p
p

Eg1

Eg1

Eg2

EV

EV

Semi-conducteur

Figure 4 Trajectoire des rayons optiques par


rapport au cne dchappement dune diode
lectroluminescente

cit nergtique dune diode lectroluminescente ne


se rsume pas ce terme. En ralit, lefficacit
nergtique e est la rsultante de plusieurs
facteurs :
e = ext f

b double
Figure 3 Schma nergtique dhtrostructures

rgion n. Ce dcalage est gal EV. De leur ct,


les lectrons (porteurs n) voient une diminution de la
barrire de potentiel gale EC. Si la valeur de EV
est fixe par les caractristiques du systme, EC
peut varier de zro jusqu une valeur maximale en
fonction de la soudainet de la jonction. Dans cette
configuration, le rapport entre les courants In /Ip augmente dun facteur proportionnel exp( E/kBT), o
EV < E < EV + EC. Il est donc possible dagir sur
lefficacit dinjection sans tre oblig daugmenter
indfiniment le niveau de dopage. Lutilisation
dhtrostructures (DH dans la majorit des cas
aujourdhui) combines avec des rgions missives
trs fines (de lordre de la longueur donde de De
Broglie pour les lectrons dans le cristal) induit des
phnomnes quantiques qui modifient le spectre de
lnergie des porteurs (confinement quantique) et
favorisent laugmentation de lefficacit de la diode.
Nous parlons donc de LED puits quantiques simples (QW) ou multiples (MQW).

2.3 Efficacit nergtique totale


Nous avons parl dans les paragraphes prcdents
de lefficacit dinjection de la diode lectroluminescente et nous avons expos diffrents scnarios qui
conduisent son augmentation. Cependant, leffica-

IN 18 - 4

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Zone active

avec

(2)

le rapport de lnergie moyenne du


photon produit ( h ) sur lnergie
totale que la paire lectron-trou
acquiert de la source dnergie
externe (eV),

ext

lefficacit quantique externe, qui


est le rapport du nombre de
photons mis sur le nombre
dlectrons qui transitent par la
diode.

Lefficacit quantique externe peut par ailleurs se


dcomposer en trois termes : lefficacit dinjection
(inj) dont nous avons dj parl ( 2.1), lefficacit
quantique interne ou radiative (rad) et enfin
lefficacit dextraction optique (opt) qui prend en
compte le pigeage du rayonnement dans le semiconducteur.
Nous avons vu au paragraphe 2.2 les moyens disponibles pour accrotre lefficacit dinjection.
Concernant lefficacit quantique interne, nous
navons que peu de moyens daction, si ce nest le
choix des matriaux de dopage. Il reste le terme
dextraction optique (opt). Ce terme est loin dtre
ngligeable et mrite une discussion plus dtaille.
Pour mieux comprendre le procd dextraction de
lumire par une diode lectroluminescente, nous utilisons la figure 4 qui montre une vue clate dune
LED classique. Dans une premire approximation,
nous considrons une jonction transparente dpose
par pitaxie sur un substrat absorbant ; lensemble
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a LED conventionnelle substrat absorbant (AS), 1991


substrat transparent (TS), 1994, efficacit de AS multiplie par 3

Centre d'mission Centre d'mission


e
f

b
c

jonction large (LJ), 1998, efficacit de TS multiplie par 3

jonction sous forme de pyramide tronque, 2000, efficacit de LJ multiplie par 1,5

e et f : quelques ides pour obtenir une efficacit d'extraction proche de l'unit

Efficacit de conversion (%)

Figure 5 volution de lefficacit dextraction de diodes lectroluminescentes

50

T = 298 K

40
Meilleure LED
du laboratoire
30
Meilleure LED
produite en srie
20

10

0
450

470

490

510

530

550

570

590

610
630
650
Longueur d'onde (nm)

Aujourd'hui, les LED peuvent produire presque toutes les couleurs. Cependant, l'efficacit n'est pas la mme
pour chacune de ces diodes. Par ailleurs, une relle disparit existe entre les performances des LED du
laboratoire et celles des composants produits en srie.
Figure 6 Efficacit de conversion en fonction de la longueur donde dmission

est ensuite plac dans une bote (dme) transparente en poxy. Si lindice de rfraction moyen du
semi-conducteur est ns et celui du dme en poxy ne,
la loi de Snell donne directement langle critique
dchappement de la lumire par la structure :

c ( n e ,n s ) = arcsin n
-----e-
ns

(3)

Seuls les photons mis dans le cne douverture


2c pourront schapper de la diode, les autres seront
absorbs quelque part dans le dispositif. De plus, les
photons qui se trouvent dans le cne dchappement
peuvent tre rflchis vers lintrieur, linterface
entre le dme et lair qui entoure le dispositif. Dans le
cas des LED conventionnelles, seulement 4 % du
rayonnement produit pourrait ainsi schapper de la
diode. Cette valeur est calcule pour une jonction
AlGaAs avec ns 3,5. Pour la premire diode rouge
en GaAs, cette efficacit tait infrieure 1,5 % !
Une autre consquence directe du faible cne
dchappement est que la plupart des diodes conventionnelles produisent un faisceau trs directionnel. Il
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fallait tout prix augmenter cette efficacit dextraction. Une solution consiste augmenter le nombre de
cnes dchappement ou optimiser la gomtrie de
la diode.
La figure 5 montre quelques tapes dans la qute
de la diode avec une efficacit dextraction parfaite.

3. Couleur des LED


La premire diode lectroluminescente commercialise tait rouge. Aujourdhui, les LED peuvent
produire toutes les couleurs, ou presque. Certaines
mettent mme dans linfrarouge ou lultraviolet.
Nanmoins, toute diode luminescente est par nature
monochromatique et son efficacit de conversion
dpend de la longueur donde dmission (figure 6).
La figure 7 montre la structure nergtique dun
semi-conducteur dans lespace des phases et permet
dexpliquer pourquoi les diodes lectroluminescentes
produisent une lumire monochromatique. Lors de la
recombinaison radiative dun lectron qui se trouve
au minimum de la bande de conduction avec un trou
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h2k 2
E = EC +
2m*
e

nergie

EC

Eg
EV

situ au maximum de la bande de valence (k = 0), un


photon est mis une frquence 1. Pour k 0, le
photon issu de la recombinaison a une frquence 2
lgrement diffrente de 1. Par consquent, la diode
lectroluminescente produit une raie avec une
frquence centrale 1 et une certaine largeur mihauteur FWMH. Nous pouvons estimer cette largeur
mi-hauteur car elle dpend, dune part, de la
densit dlectrons disponibles dans un intervalle
dnergie E E, et dautre part, de la densit des
tats nergtiques du semi-conducteur dans ce
mme intervalle. Pour une jonction fonctionnant
une temprature T et ayant une nergie de gap Eg, la
densit lectronique est donne par la loi de Boltzmann et elle est proportionnelle exp( E/kBT). Dans
les mmes conditions, la densit de niveaux nergtiques est proportionnelle (E Eg)1/2. En traant
ces deux fonctions (figure 8), nous pouvons dduire
immdiatement que la largeur mi-hauteur thorique est donne par la relation :

h2
h1

E = EV +

h2k 2
(2m*
t)

Vecteur d'onde k
FWMH : full width at
middle height, largeur
mi-hauteur

Figure 7 Structure nergtique dun semiconducteur gap direct dans lespace des phases

EFWMH = hFWMH = 1,8kBT

(4)

Intensit lumineuse

tandis que lintensit maximale est obtenue une


frquence max 1 :
Densit
lectronique
exp (E/kBT)

E
kB T
c
max = ------g + ---------- = ------------h
2h
max

Densit de niveaux
(E Eg)1/2

Exemple : pour une jonction avec Eg = 2,5 eV


fonctionnant une temprature de 25 C, on
trouve max 490 nm et FWMH 9 nm, donc la
lumire est bien monochromatique.

EFWMH = 1,8 kgT


kBT Spectre thorique

Eg

Eg + kBT/2

Mais lefficacit lumineuse varie sensiblement


dune couleur lautre dans la mme famille de semiconducteurs (figure 9). Notons galement que les
valeurs donnes par les relations (4) et (5)
dpendent de la temprature de fonctionnement. Par
consquent, la couleur de la LED peut svrement
driver dans le temps, si la temprature de la jonction volue.

nergie

Figure 8 Formation du spectre dune diode


lectroluminescente

Efficacit lumineuse (lm/W)

(5)

40
T = 300 K

GalnN

20

AlGalnP/GaAs
10
8
6

GalnN
AlGaAs/AlGaAs

AlGaAs/GaAs
GaPiN/GaP

2
1
0,8
0,6

GaAsPiN/GaP
GaP/GaP

0,4
0,2
460

480

500

520

540

560

580

600
620
640
660
680
Longueur d'onde d'mission (nm)

Figure 9 Efficacit lumineuse de quelques familles de diodes lectroluminescentes en fonction de la longueur


donde dmission

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Techniques de lIngnieur

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Toutes les longueurs donde allant de linfrarouge


lultraviolet proche sont ralisables. Cependant, pour
des raisons technologiques, seuls les semi-conducteurs gap direct conviennent pour la ralisation
des LED de forte intensit. Lutilisation des semiconducteurs gap indirect est trs limite
aujourdhui.
Si une diode lectroluminescente est monochromatique, il est cependant possible dlaborer des dispositifs mettant de la lumire blanche. Pour cela, il
existe trois mthodes (figure 10) :
combiner une diode mettant une longueur
donde courte 1 avec un luminophore mettant une
longueur donde complmentaire longue 2 ;
utiliser une diode mettant dans lultraviolet
proche couple un ou plusieurs luminophores ;
utiliser trois diodes (au moins) mettant des
longueurs donde visibles qui se combinent pour donner une lumire blanche.
Chacune de ces trois mthodes prsente des avantages et des inconvnients.
La premire mthode (figure 10a) est base sur le
fait que deux photons de longueurs donde complmentaires (1 courte et 2 longue ) arrivant
simultanment sur lil humain provoquent une sensation de lumire blanche. Lide principale est donc
dutiliser une diode produisant la longueur donde
courte, recouverte par un luminophore qui absorbe
quelques photons courts pour les convertir en
une autre longueur donde plus longue. En principe,
une infinit de combinaisons est possible. En pratique, plusieurs constructeurs (Nichia, CREE, Lumileds...) produisent en srie des diodes blanches de
forte puissance (allant jusqu 5 W aujourdhui) en
utilisant une diode bleue (InGaN) combine avec un
luminophore jaune (YAG:Ce). court terme, cette
technologie dominera probablement le march de la
diode blanche. Elle prsente nanmoins deux
inconvnients :
la diode produit un effet de halo qui peut tre
gnant pour certaines applications. Cela est d la
production de lumire directionnelle par la diode
blanche ( 2.3) tandis que le luminophore a un comportement lambertien (mission diffuse) ;
le luminophore jaune nabsorbe pas facilement
les photons bleus. Ce problme est li lutilisation
de terres rares comme lments dopants. La solution
du problme semble tre complexe et ncessite
encore une recherche fondamentale.

Cette mme technique est utilise aujourdhui par


les lampes fluorescentes. Elle prsente lavantage de
pouvoir crer de la lumire blanche de trs bonne
qualit (bon indice de rendu des couleurs). Appliquer
cette technologie pour obtenir 200 lm/W ncessite
une diode UV ayant une efficacit totale de 70 %.
Des diodes produisant des photons 400 nm (violet)
existent mais lefficacit atteint peine 21 %. Laugmenter jusqu 60 % ou 70 % est un dfi magnifique
mais probablement irraliste dans ltat actuel de
lart.
Enfin, la troisime mthode (figure 10c) consiste
utiliser trois diodes lectroluminescentes de couleurs diffrentes (rouge, vert et bleu). La synthse
des trois couleurs mne la production de lumire
blanche dont la teinte et la temprature de couleur
dpendent de la proportion de chacune des trois
composantes. tant donn que les dimensions dune
diode luminescente sont faibles, nous pouvons envisager la cration de sources de lumire blanche
composites (figure 11) auxquelles ladjonction
dun diffuseur permettrait damliorer considrablement lhomognit de la source.

a le rayonnement bleu mis par la diode est


combin au rayonnement jaune
du luminophore
b le rayonnement ultraviolet de la diode est
converti en rayonnement blanc par le
luminophore

YAG:Ce : yttrium aluminium garnet dop au


crium

c trois photons (un rouge, un bleu et un vert)


mis par trois diodes se combinent pour
donner de la lumire blanche
Figure 10 Trois mthodes pour produire
de la lumire blanche

Arriver une efficacit de 200 lm/W pour la production de la lumire blanche avec cette technologie
couple des luminophores existants ncessiterait
une diode avec une efficacit totale de conversion de
60 %. Aujourdhui, la meilleure efficacit rapporte
est de 45 % une longueur donde de 610 nm.
La deuxime mthode (figure 10b) consiste utiliser une diode produisant une longueur donde
courte (dans lultraviolet proche ou dans le violet)
couple un ou plusieurs luminophores qui transforment la lumire UV en visible.
Nota : les photons ultraviolets sont absorbs et rmis dans le visible. De tels luminophores prsentent une efficacit quantique proche
de 1.

5 - 2004

Figure 11 Source blanche composite


Techniques de lIngnieur

IN 18 - 7

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Signaltique

10 000

clairage

Applications
flux fort

1 000
Applications
flux moyen
(2002)

Signalisation routire (1990)


100

clairage
gnral

clairage
spcialis

Automobile (1990)
10
crans TV extrieurs (1990)
1
crans extrieurs (1980)
0,1
Indicateurs (1970)
0,01

Rouge

Jaune

Vert

Bleu

Blanc

Couleur
Figure 12 Domaines dapplication des diodes lectroluminescentes en fonction de leur flux lumineux
et de leur couleur

Cette mthode prsente plusieurs avantages : viter lutilisation des luminophores, avoir un bon
contrle de la qualit de la lumire (indice de rendu
de couleur, temprature de couleur de la source).
Cependant, cette technologie a un dfaut majeur :
il faut contrler individuellement chaque diode
lmentaire parmi plusieurs dizaines, voire dans certains cas des centaines, de LED qui constituent la
source composite. Il faut aussi prendre en compte le
fait que les diodes de chaque couleur lmentaire
ncessitent une tension dalimentation diffrente.
Une consquence directe de ces dfauts est laugmentation du prix de la source de lumire. Enfin,
compare une lampe classique de mme flux lumineux, la surface de la source composite est
considrable.
Appliquer cette solution pour atteindre lobjectif de
200 lm/W implique lutilisation de diodes lectroluminescentes avec une efficacit de 50 % pour toutes
les couleurs... Dans ces conditions, il nous semble
bien difficile de prvoir si des sources blanches
composites seront un jour comptitives.

4. Applications actuelles
et futures
Aujourdhui, les diodes lectroluminescentes peinent dmontrer leur efficacit dans le domaine de
lclairage gnral. Toutefois, elles ont fait leurs
preuves dans la signaltique et commencent pntrer le march de lclairage spcialis. La figure 12
rsume les domaines dapplication des LED en fonc-

IN 18 - 8

Techniques de lIngnieur

tion de leur couleur et de leur flux. Les applications


de signaltique ncessitent souvent de faibles flux
lumineux et une lumire monochrome. Pour lclairage, nous avons besoin dune lumire blanche et de
flux lumineux importants. Par ailleurs, si dans les
annes 1970 une seule LED assurait la fonction
dindicateur (marche/arrt, panne, niveaux...) sur la
faade des appareils lectriques, des systmes de
signalisation plus complexes (par exemple, les feux
tricolores de trafic) utilisent plusieurs dizaines de LED
pour assurer une seule fonction. La cration de diodes de forte intensit conduira sans doute des systmes destins lclairage, qui assureront leur
fonction avec un nombre limit de diodes.
Une des premires applications des LED fut la
ralisation des crans de communication, dabord
fixes, ensuite dots deffets danimation, pour arriver
aujourdhui des crans multicolores comme celui de
Nasdaq New York (figure 13), qui couvre une surface de 1 000 m2 (36,6 m 27,4 m) sur huit tages,
avec plus de 18,5 millions de LED pour 2,1 millions
de pixels.
Une autre application, trs rpandue en France,
consiste utiliser des LED pour les feux tricolores
de circulation. Lutilisation de LED dans cette application prsente plusieurs avantages comme llimination des pannes soudaines dues une dfaillance
de la lampe, la forte brillance qui rend le feu visible
une bonne distance, llimination des filtres colors
et des erreurs dues la rflexion de la lumire du
Soleil sur ces derniers... Il faut ajouter que les feux
utilisant des LED ont une longue dure de vie
(estime entre 10 et 15 ans). Par ailleurs, en
5 - 2004

INNOVATION

cente de 38 W, il faut une vingtaine de LED blanches


de 5 W, ou bien dans une configuration plus
classique , presque 2 500 diodes blanches de
5 mm2 produisant 1 lm chacune. Encore ne tient-on
pas compte de loptique associe pour rsoudre le
problme de la forte directivit de la lumire produite. Dans ltat actuel du dveloppement des LED,
nous ne pouvons pas envisager une pntration
srieuse du march de lclairage gnral avant les
annes 2020.
Cependant, si lclairage intrieur est une cible
lointaine pour la technologie LED qui est handicape
par les faibles puissances, la forte directivit et le
cot important, lutilisation de ces sources de lumire
pour la ralisation de lclairage dcoratif est une
ralit. Ainsi, les LED semblent convenir lillumination des monuments et des ponts (figure 14). Enfin,
cest dans le domaine de lclairage routier et
urbain que les LED semblent prsenter dindniables
avantages. La figure 15 montre quelques essais
russis, quoique la comptitivit et la fiabilit long
terme de ces systmes restent dmontrer.

5. Perspectives
Figure 13 cran de tlvision extrieur de Nasdaq
Times Square (New York)

remplaant tous les feux tricolores par des systmes


LED, nous effectuerions une considrable conomie
dnergie : rien quaux tats-Unis, on estime le gain
annuel en puissance consomme 0,4 GW.
Lautomobile semble tre aujourdhui une cible
prfrentielle pour les constructeurs de LED. Le remplacement des lampes incandescence, de faible
puissance, courte dure de vie, derrire le tableau
de bord des voitures, par des LED ayant une longue
dure de vie se traduirait par une diminution considrable dinterventions coteuses compares au prix
de la lampe changer. Par ailleurs, aujourdhui, les
premiers modles quips avec des feux de stop et
clignotants en LED sont dj sur le march. Demain,
on verra peut-tre des LED blanches qui remplaceront
les
feux
de
croisement.
On
estime
quaujourdhui, sept LED blanches de 5 W couples
avec un guide optique en plastique peuvent remplacer les lampes habituelles (il nen faudra plus que
quatre dici 2005). Les principaux avantages des LED
par rapport aux lampes classiques pour lautomobile
sont leur longvit, leur faible masse et la faible
consommation dnergie.
Une application mergente consiste en lutilisation
de sources de lumire ralises intgralement en
LED en photothrapie. On les utilise ainsi pour le
traitement de la jaunisse nonatale ou bien contre la
dpression saisonnire chez les adultes.
Comme nous lavons dit au dbut de ce paragraphe, lclairage gnral ncessite de la lumire
blanche en grande quantit. Bien quil existe quelques installations tests pour clairage intrieur utilisant uniquement des LED, le cot reste prohibitif.
Par ailleurs, pour remplacer une seule lampe fluores5 - 2004

Lobjectif annonc clairement par les chercheurs est


de concevoir dici 2020, des diodes lectroluminescentes blanches avec une efficacit de 200 lm/W, une
dure de vie de plus de 40 000 heures et un cot
infrieur 1 /diode. Il sagit dun pari ambitieux.
Est-il raliste ?
Rpondre cette question par laffirmative ou la
ngative reviendrait spculer sur la forme dun
puzzle auquel manquent des pices matresses. Mais
certains lments permettront chacun den juger.
Un argument cl, souvent utilis par les promoteurs des LED, est la rapide volution de la quantit
de lumire (flux) produite par chaque diode. En effet,
le flux par diode est multipli par 20 tous les dix ans.
En parallle, le prix diminue dun facteur 10 au cours
de la mme priode. Ces arguments sont trs encourageants. Mais il ne faut pas oublier que cela ne
concerne pas seulement les LED blanches, mais
toutes les diodes de toutes les couleurs. Par ailleurs,
personne ne peut garantir que lvolution restera
telle jusqu 2020 ou 2030. Ces tendances peuvent
se maintenir, sestomper ou mme samplifier.
De faon similaire, lefficacit des diodes lectroluminescentes augmente constamment depuis leur
apparition sur le march. La figure 16 montre cette
volution spectaculaire. Aujourdhui, les chercheurs
appellent cette croissance galopante la loi de
Craford (du nom de linventeur des diodes jaunes)
en esprant quelle continuera se vrifier jusquen
2020. Malheureusement, malgr loptimisme affich
par les chercheurs et les industriels, aujourdhui nous
ne disposons pas de preuves suffisamment solides
pour pouvoir confirmer la prennit de cette loi.
Selon le rapport de lOIDA (Optoelectronics Industry Development Association), les directions suivre
par les chercheurs pour obtenir des diodes lectroluminescentes plus efficaces sont nombreuses et plusieurs domaines scientifiques sont concerns.
Techniques de lIngnieur

OIDA
http://www.oida.org

IN 18 - 9

INNOVATION

a installation d'essai pour clairage routier


ralise par Lumileds

a pont Ben Franklin Philadelphie, tats-Unis


(photo Color Kinetics Inc.)

b luminaire autonome avec une matrice


de 196 LED blanches de 5 mm2
pour clairage urbain (photo Lighting
Research Center, tats-Unis)
b pont pitonnier de 70 m de long Duisburg,
Allemagne : les LED consomment peine
200 W pour l'clairage (photo universit de
Erlangen)
Figure 14 clairage dcoratif de monuments

Sur la famille GaN :


Matriaux semi-conducteurs grand gap III-V
base de GaN
[E 1 995] de J.-Y. Duboz

IN 18 - 10

Recherche fondamentale sur les matriaux et


la gnration de la lumire : il faut tout dabord
mieux comprendre les mcanismes de gnration de
lumire par les semi-conducteurs. Pour cela, il faut
dvelopper de nouvelles techniques de diagnostic
adaptes aux LED et des modles mathmatiques
plus sophistiqus que ceux dont nous disposons
aujourdhui. Dans limmdiat, la comprhension des
problmes lis aux dfauts de dopage de type p et
lincorporation de fortes concentrations dindium et
daluminium dans les diodes vertes InGaN et
AlGaInN, nous conduit la cration de diodes vertes
plus efficaces. Ltude du confinement des porteurs
dans les LED base de phosphures semble, quant
elle, tre la cl pour la ralisation de diodes rouges
beaucoup plus efficaces.
Techniques de lIngnieur

Figure 15 clairage routier et urbain

Matriaux pour les substrats : aujourdhui,


pour la cration des diodes de la famille GaN, qui
semblent tre parmi les plus prometteuses, il faut
utiliser des substrats en saphir, SiC ou bien GaN.
Chacun de ces trois matriaux prsente des avantages et des inconvnients. Toutefois, nous ne savons
pas produire des grandes surfaces sans dfaut avec
ces matriaux. La solution de ce problme doit tre
considre comme une priorit dans ce domaine. Par
ailleurs, il serait souhaitable de pouvoir rduire le
cot de production du substrat moins de 70 /cm2
(pour les diodes UV, vertes et bleues).
Technologie des racteurs pour la cration
des diodes par pitaxie : les racteurs utiliss
pour la production en srie des diodes lectroluminescentes de la famille GaN ne sont que des machines cres pour la production des diodes en GaAs. Si
leur fiabilit est bonne pour la production des diodes
en GaAs, elle est dplorable pour la ralisation des
diodes modernes en GaN. Ainsi, les diodes produites
en srie par ces machines prsentent quasi systma5 - 2004

Efficacit lumineuse (lm/W)

INNOVATION

100
Jaune
AllnGaP/GaP
(rouge, jaune)

20
10

Lampe incandescence non filtre


Lampe incandescence filtre jaune

AlGaAs/AlGaAs
(rouge)

AllnGaP/GaAs
(rouge, jaune)

lnGaN
(vert)

Lampe incandescence filtre rouge


Lampe incandescence filtre bleue

2
1

Premire ampoule de
Thomas Edison
Lampe incandescence
filtre verte

GaAsP:N

AlGaAs/GaAs
(rouge)

lnGaN
(bleu)

GaP:N (rouge, vert)

GaP:Zn, O (rouge)

0,2
1960

SiC
(bleu)

GaAs0,6P0,4 (rouge)

1970

1975

1980

1985

1990

1995

2000
Annes

Figure 16 Croissance quasi exponentielle de lefficacit lumineuse des diodes lectroluminescentes :


loi de Craford (daprs Lumileds Inc.)

tiquement des efficacits 1,5 2 fois infrieures


celles constates sur les prototypes (voir figure 6).
Par ailleurs, dans une mme srie produite par une
machine, on peut constater une importante dispersion des caractristiques. Lexemple caricatural est le
tri manuel en fonction de la couleur effectu la
fin de la ligne de production des diodes blanches de
forte intensit... Pour avancer dans ce domaine, il
faut mieux comprendre la chimie du process et les
mcanismes de croissance des nitrures afin doptimiser les racteurs.
Luminophores : les problmes lis la faible
absorption de la lumire bleue par les luminophores
jaunes ont dj t voqus ( 3). Dans un premier
temps, il convient de dvelopper des luminophores
capables dabsorber et de convertir efficacement des
photons de longueurs donde comprises entre 370 et
470 nm ; dans un deuxime temps, il est ncessaire
dtudier dautres combinaisons possibles de
couleurs complmentaires et de dvelopper des
luminophores adquats. Par ailleurs, comme pour les
lampes fluorescentes, le dveloppement des quantum-splitting phosphors marquera une tape
dcisive pour les LED.
Extraction de la lumire et packaging : lamlioration des caractristiques optiques des substrats
et
contacts
transparents,
des
couches
rflchissantes, etc., constitue un axe de recherche
important dans un futur proche. Amliorer la gomtrie des jonctions afin daugmenter lefficacit de
lextraction de la lumire, ou mme faire appel des
structures complexes comme les cristaux photoniques, sont des dfis plus long terme. Enfin, il ne
faut pas oublier que la jonction nest quune petite
partie de la diode, ainsi le packaging joue un rle primordial pour son efficacit et sa fiabilit. Des challenges dordre technologique sont prvoir dans ce
domaine.
5 - 2004

Exemple : pour une diode de forte intensit, il


faudrait un matriau transparent et facilement usinable ayant un indice de rfraction suprieur 1,6
et une transmittance de 80 % de 440 650 nm
susceptible de bloquer compltement des photons
courts ( < 440 nm). Ce matriau doit conserver
ces
caractristiques
pendant
au
moins
50 000 heures tout en tant soumis une temprature de 150 C. Enfin, il faut que la concentration
deau dans ce matriau reste de lordre de quelques
ppm et que ses caractristiques mcaniques soient
compatibles avec lapplication envisage...
Luminaires et lectronique : pour que les LED
puissent pntrer le march de lclairage, il faut
dvelopper des luminaires spcifiques qui prennent
en compte la forte directivit de la lumire, les faibles
dimensions de la source de lumire et surtout sa sensibilit la temprature, lhumidit et tout autre
facteur corrosif rencontr dans son environnement.
Enfin, compte tenu du fait que la production dune
quantit de lumire suffisante pour lclairage gnral implique un nombre important de LED, une lectronique de commande sophistique est ncessaire.
Notons ici que la couleur dune LED est trs sensible
la fois la tension et au courant de lalimentation.
Une faible variation sur lune ou lautre de ces grandeurs provoque une importante drive de la couleur.
Par ailleurs, le comportement de chaque diode se
modifie avec le temps (le flux baisse, la couleur
drive) plus ou moins lentement ; mais cause des
lacunes au niveau de la production (voir ci-avant),
cette variation est diffrente dune diode lautre. Il
faut donc les contrler une une...
Enfin, si lobjectif annonc est dobtenir une diode
dune dure de vie de 100 000 heures dici 2025, si
aujourdhui nous pouvons tre certains que cette
dure de vie dpassera confortablement les
50 000 heures, il ne faut pas oublier que pour une
application dclairage gnral, la dure de vie nest
Techniques de lIngnieur

Les
quantum-splitting phosphors sont
des luminophores capables de produire deux,
voire trois, photons
visibles pour un photon
ultraviolet absorb.

IN 18 - 11

INNOVATION

Variation du flux (%)

Ouvrage
120

ZUKAUSKAS (A.), SHUR (M.S.) et GASKA (R.). Introduction to Solid State Lighting. John Wiley & Sons (2002).

100
80

Articles

60

RUPPRECHT (H.), WOODALL (J.M.) et PETIT (G.D.). Efficient visible electroluminescence at 300 K from GaAlAs pn junctions grown by liquid-phase epitaxy. Appl. Phys.
Lett., 11, pp. 81-83 (1967).

40
20
0
0

2 000

4 000

6 000
8 000
Temps (h)

Diode de 5 mm2 fonctionnant 25 C sous 25 mA


Sa dure de vie est estime 10 000 heures.

KUO (C.P.), FLETCHER (R.M.), OSENTOWSKI (T.D.), LARDIZABAL (M.C.), CRAFORD (M.G.) et ROBBINS (V.M.).
High performance AlInGaP visible light-emitting diodes.
Appl. Phys. Lett., 57, pp. 2937-2939 (1990).

Figure 17 volution temporelle dune diode


lectroluminescente blanche classique (daprs LRC,
1999)

KRAMES (M.R.) et coll. High-power truncated-invertedpyramid (AlGa)InP/GaP light-emitting diodes exhibiting


> 50 % external quantum efficiency. Appl. Phys. Lett., 75,
pp. 2365-2367 (1999).

quune contrainte. La maintenance du flux lumineux


en fonction du temps de fonctionnement de linstallation doit tre imprativement prise en compte.
Aujourdhui, les lampes classiques (incandescence et
dcharge lectrique) produisent un flux quasi stable
(20 % de dprciation en moyenne) pour la quasitotalit de la dure de vie de la lampe tandis que le
flux produit par les LED blanches diminue presque
linairement ds la premire heure de fonctionnement (figure 17). Des progrs dans ce domaine sont
absolument ncessaires pour que les diodes lectroluminescentes puissent un jour dominer le march de
lclairage. En attendant, les LED ont trouv leur
place dans des applications niche et deviennent
un concurrent indiscutable de la bonne vieille lampe
incandescence de faible puissance.

Bibliographie
Rfrences

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Techniques de lIngnieur

Dans les Techniques de lIngnieur


DUBOZ (J.-Y.). Matriaux semi-conducteurs grand gap
III-V base de GaN. [E 1 995], trait lectronique
(1999).

5 - 2004