Electrnica I

Dpto de Electrotecnia
F. I - UNCo
2009

Diodos
Introduccin

Diodos de Unin: Circuitos y aplicaciones

Dispositivos Electrnicos: El diodo como elemento de circuitos

Introduccin a la fsica de estado slido: semiconductores
La unin P-N.
Distintos tipos de diodos. Diodos especiales
Dispositivos no lineales. Curvas caractersticas. Recta de carga. Efecto de
superposicin
Caractersticas elctricas de un diodo semiconductor
Caracterstica real. Modelos de aproximacin.
Linealizacin de la caracterstica de un diodo.
Modelo para pequeas seales.
Modelo para RF.
Interpretacin de las caractersticas de un catlogo.
El diodo como elemento de un circuito: ejemplos de aplicacin

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Representacin del componentes elctricos en diagrama V-I

I

V
V

V
V

V
V

Resistencia
(R)

Corto
(R = 0)

Abierto
(R = )

Fuente
Corriente

Fuente de
Tensin

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Elementos no Lineales: Introduccin

El estudio de la electrnica esta centrado en circuitos que contienen
dispositivos no lineales.
Los circuitos no pueden ser resuelto mediante clculos matemticos
directos. Esto hace que en electrnica se obtengan soluciones
aproximadas, utilizando estimaciones y modelos no exactos.
Los elementos no lineales tienen una
caracterstica v-i que no puede ser
expresada en forma simple. Adems estos
dispositivos no obedecen al principio de
superposicin. Por consiguiente no es posible
obtener el equivalente Thevenin sencillo de
un circuito que contengan varios elementos no
lineales
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Elementos no Lineales: Introduccin

Si se supone un dispositivo hipottico de dos terminales con la
siguiente caracterstica (ley cuadrtica):

i =

K(v VTr)

para v VTr

para v < VTr

i y v: son las variables en los

terminales del dispositivo.
K y VTr: son constantes
caractersticas del dispositivo

Estas condiciones nos dan la siguiente curva caracterstica:

i

K(v vTr)2

VTr

(v vTr)
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Elementos no Lineales: Introduccin

i(mA)

El resultado es:

Superposicin

i= K(v VTr)2

V1

Por v2 9mA
Vtr = 0

Por v1 1mA

V1+ v2 = 4V

V2 = 3V

K= 1mA/V2

V1 = 1V

V2

Por v1+v2 16mA

1+9 (mA)= 10(mA)

Se verifica el efecto de superposicin para el dispositivo anterior

suponiendo que K= 1mA/V2 y Vtr = 0, aplicamos sobre al circuito dos
fuentes v1=1V y v2=3V.

v(V)

Los dispositivos no lineales tienen una caractersticas v-i que varia con el
punto de operacin
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Elementos no Lineales: Anlisis Grfico

Si bien se pueden aplicar las LVK y la LCK, las soluciones matemticas
pueden ser difcil o imposible. El mtodo grfico facilita el trabajo para
circuitos que contengan un elemento no lineal.
Se determina aqu el punto de operacin para un dispositivo (X) no lineal
conectado a un circuito resistivo, utilizando el mtodo grfico
Punto de operacin
ix

Rth

i(mA)
VTh/RTh

Vx
IQ

Pendiente =-1/RTh

VQ

VTh

VTh

Lnea de Carga

v(V)

La recta de carga que representa un circuito de Thevenin, puede ser dibujada

sobre la caracterstica v-i de cualquier dispositivo conectado al circuito
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Elementos no Lineales: Caractersticas v-i

Los diodos pertenecen a la familia de dispositivos conocidos con el nombre
de resistores no lineales de dos terminales. Estos dispositivos estn
concebidos para establecer una relacin entre la tensin y intensidad,
consideradas stas como variables reales (f=(v;i).
Se muestran caractersticas
para varios resistores de inters
prctico a los que prestaremos
atencin en este Tema;
respectivamente: a) el diodo de
unin, b) el diodo Zener, c) el
diodo tnel y d) el diodo de
cuatro capas. Dada su
importancia prctica, cada uno
tiene su smbolo propio, que se
muestra anexo a su curva
caracterstica.
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Elementos no Lineales: Caractersticas v-i.

Hay dispositivos como el diodo de unin, que la relacin v-i se
puede obtener mediante el anlisis, formulando las ecuaciones que
rigen el movimiento de las cargas en el interior del dispositivo.
Pero, en otros esto no es posible. Hay que recurrir a un
procedimientos experimentales para obtener las curvas
caractersticas. Luego se usan tcnicas matemticas de
aproximacin para obtener una frmula cuya representacin sea lo
ms cercana posible a la curva experimentales.

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Elementos no Lineales: Caractersticas v-i.

Se distinguen tres tipos de resistores en funcin al tipo de relacin v-i:
Controlados por tensin. En stos cada valor de tensin define
unvocamente uno de intensidad, aunque lo contrario no tiene por qu
ser cierto, esto ltimo es lo que sucede en el caso del diodo tnel

i1

ia
i2
va1

v1

va2

v2

va3

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Elementos no Lineales: Caractersticas v-i.

Se distinguen tres tipos de resistores en funcin al tipo
de relacin v-i:
Controlados por intensidad. En stos cada valor de intensidad define
unvocamente uno de tensin, aunque lo contrario no tiene por qu
ser cierto. Un ejemplo de esto corresponde a la caracterstica del
diodo de cuatro capas (fig. d).

i2

i1
v2

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v1

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Elementos no Lineales: Caractersticas v-i.

Se distinguen tres tipos de resistores en funcin al tipo de relacin v-i:
Resistores invertibles. Son tanto controlados por tensin como por
intensidad, como sucede con el diodo de unin y el zener. Desde el punto de
vista matemtico, la curva caracterstica de un resistor invertible debe ser
monotnica en su regin de definicin; esto es, la pendiente no puede tomar
valores positivos y negativos dentro de dicha regin.

i2
ia

i1

va
V1-2

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El diodo: Repaso unidad anterior

La unin P-N en equilibrio

+
+

Semiconductor tipo P

Semiconductor tipo N

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El diodo: Repaso
La unin P-N polarizada inversamente

+
+

+
+

La zona de transicin se hace ms grande. Con polarizacin inversa no

hay circulacin de corriente.

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Diodos de Unin: Circuitos y aplicaciones

El diodo: Repaso
La unin P-N polarizada en directa

+
+

+
+

La zona de transicin se hace ms pequea. La corriente comienza a

circular a partir de un cierto umbral de tensin directa.

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El diodo: Caractersticas v-i

La estructura interna de los diodos semiconductores de unin ya fue
tratada y se especifico que se forma en la frontera fsica de
materiales semiconductores tipos N y P. Es decir, creando dentro de
un semiconductor, como el Silicio, una zona donde predominan los huecos
(P) anexa a otra donde predominan los electrones (N).
Se recuerda adems que cuando se aplica una
tensin externa al diodo, las concentraciones de
portadores de la frontera de la unin varan
exponencialmente con la tensin, haciendo que la
corriente del diodo obedezca a la ecuacin:

iD=

IS(evD/VT

1)

A: nodo
A

K: Ctodo

Smbolo

iD: Corriente del diodo

VD: Tensin aplicada

IS: Corriente de saturacin

: Coef. De emisin

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El diodo: Caractersticas v-i

IS: Su valor depende de la estructura, la composicin y la geometra del
dispositivo y puede variar dentro de un rango comprendido entre 10-8 y
10-16A. Tambin fuertemente dependiente de la temperatura; a mayor
temperatura mayor intensidad de saturacin (se duplica cada 10C aprx).
(coeficiente de emisin): Tambin dependiente de la estructura y la
composicin, y vara entre 1 y 2. Cambia con la intensidad (I).
VT (tensin trmica) : Dada por VT = kT/q
Donde k = 1.38x10-23 es la constante de Boltzmann; T es la temperatura
absoluta en K, y q es la carga del electrn. A temperatura ambiente de
la tensin trmica tiene un valor cercano a 25mV
En zona directa, para v>0 y si v> 4VT , la caracterstica del diodo puede
ser aproximadamente a: iD= IS(evD/VT)
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Diodos de Unin: Circuitos y aplicaciones

El diodo: Caractersticas v-i

La grfica de la ecuacin iD= IS(e

vD/VT

1) (*) para un dispositivo tpico es:

En la curva caracterstica tpica de un

diodo de unin pn, se distinguen tres
zonas:
Zona Directa,
Zona Inversa,
Zona de Ruptura
Las zonas directa e inversa quedan
descriptas de manera unificada por la
expresin matemtica(*).
En la zona inversa, al aumentar mucho la cada de tensin, se observa que a
partir de cierto valor, llamado tensin de ruptura VR, la intensidad inversa
aumenta muy rpidamente con la tensin. En estas condiciones, el diodo
puede llegar a destruirse sino se limita la intensidad que circula por l y
por tanto su consumo de potencia.
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Diodos de Unin: Circuitos y aplicaciones

El diodo: Caractersticas v-i. Efecto de la temperatura

i [mA]

Is se incrementa +7,2%/C, es

Ge
Si

decir cada 10C Is se duplica

V [Volt.]
0

0.25

Vt=KT/q varia con la temperatura.

0.5

Comportamiento con la temperatura

T3<T2<T1

i [mA]

(Kt : Coeficiente de temperatura

es:

-2,5mV/ C (Ge);
-2mV/C (Si);

-1,5mV/C (Schottky)).
V [Volt.]

VD(Ta)-VD(T1)=Kt(T1-Ta)

0.5

VD3<VD2<VD
3

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Diodos de Unin: Circuitos y aplicaciones

El diodo: Caractersticas v-i . Resistencia del diodo.

Como se ve en la curva, la resistencia del
diodo cambia en cada punto diferente de la
misma, esto es, mientras mas vertical sea la
curva la resistencia ser menor y tender a
aproximarse al valor ideal de 0
Para analizar este cambio de la resistencia
veamos la siguiente figura

En la grafica se representa la pendiente de

la curva que da la resistencia en un cierto
punto de la misma. Es decir:
Resistencia= VD / ID

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El diodo: Caractersticas v-i . Recta de carga

D1

i [mA]

iD

Recta de carga
Vii
Caract.
Dinmica

Caract.
Esttica

viMax /RL

RL

Vi /RL
iiMax
vimin /RL

Alimentacin CC
Q

IQ
iimin

D1

vvii
0

VDQ

vimin

Vi

viMax

iD
RL

V [V]

Alimentacin CA

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El diodo: Modelos del diodo de unin.

Primera aproximacin: Se representa el

I
Diodo
Ideal

comportamiento de un diodo real mediante un

elemento de circuito el diodo rectificador
ideal con la caractersticas de la Fig.a. Estas
caractersticas forman una aproximacin de
orden cero al comportamiento real de un diodo.
V

El elemento de circuito diodo ideal equivale a un

circuito abierto en la zona inversa. Polarizado

Figura a)

Para este anlisis no se

tiene en cuenta la zona
de ruptura

directamente la corriente se vuelva positiva, el

comportamiento equivale a un cortocircuito.
Existe un elemento que acta como este diodo y
es un interruptor como se ve en la figura a)
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Diodos de Unin: Circuitos y aplicaciones

El diodo: Modelos del diodo de unin.

I

Modelo de Diodo Ideal con Tensin de Corte.

Se puede aproximar el comportamiento real del

Vt

diodo de manera ms fidedigna utilizando un

modelo de primer orden. Si retomamos la

Vt

caracterstica real del diodo de la Fig b. Se

puede observar cmo la intensidad es pequea

Vt

(0) para valores de tensiones pequeos,

Vt

VD

aunque positivos, y slo crece de forma muy

RL

rpida cuando se alcanza un rango determinado

de tensiones positivas (0,7V Si y 0,3V

Tensin en el diodo
VD =

Vt para V Vt
V

para V < Vt

Ge). A esta tensin el diodo se activa.

El diodo se asemeja a un interruptor en serie
con una fuente de 0,7V (Si).

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Diodos de Unin: Circuitos y aplicaciones

El diodo: Modelos del diodo de unin.

El modelo de diodo con tensin de corte y

pendiente finita se aproxima a la

Vt

RD

positivas aumentan linealmente con la

1/RD

tensin, de forma que el diodo real se

Vt

representa mediante un elemento de circuito

Fig. c)

RD

Vt

caracterstica reales. Las intensidades

cuya caracterstica es la mostrada en la

Fig.c).

Ideal

Vt

RD

Con este modelo, el diodo equivale a un

RL

circuito abierto en la zona inversa, donde la

cada de tensin es V< Vt.

Corriente en el diodo
ID =

Por el contrario, el elemento entra en zona

(V-Vt)/(RD+RL) para V Vt

directa, equivale a una fuente real de

tensin de valor Vt y resistencia interna RD.

para V < Vt

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El diodo: Modelos del diodo de unin.

Pend.= 1/rd

Modelo en
ca en baja
frecuencia

iD

iD

VD
vD

D1

iD

ID

vd(t)=Vm sen t

id

t
VD

id

+
vd

vD
VD-Vm

vd

vD

VD+Vm

rd

vd(t)
t

rd: Resistencia dinmica o resistencia de ca

*

1/rd= gd= iD/vD|pto

rd=nVT/ID

Cerca del pto. Q rd = RD

gd: Transconductancia de pequea seal

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El diodo: Modelos del diodo de unin.

Modelo en alterna en Alta Frecuencia
El diodo presenta dos
efectos capacitivos que
afectan las aplicaciones
en alta frecuencia

Zona de escasez de portadores mayoritarios (iones)

Agotamiento o transicin CT
Inyeccin de portadores minoritarios con polarizacin (+)
difusin

Capacidad de agotamiento (0.1 a 100pF*):

Capacidad de difusin (106 > CT)*:

CT= CT0/(1-VD/Vj)m

Cd=dqm/dvD|pto Q

m: Coeficiente de gradiente de la unin (0.33

a 0.5)

Cd= KdID

VD: Tensin de polarizacin del diodo (+ o -)

Vj: Potencial interno. Depende del material;
grado de impurezas y temperatura (0,5 a

Kd: Constante
ID: Corriente de polarizacin
Cd = 0 polarizacin inversa

0,9V)
CT0: Capacidad de agotamiento para tensin 0
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El diodo: Modelos del diodo de unin.

Modelo en alterna en Alta Frecuencia
A

+
vd

+qND

rd

Cd

Cj

rr

vd

Cj

+
K

Diodo

-qNA

P. Directa

xp

P. Inversa

rd: Resistencia directa del diodo rd = en polarizacin inversa

rr: Resistencia de polarizacin inversa.
Cd: Capacidad de difusin. Cd = 0 en polarizacin inversa
Cj: Capacidad de agotamiento VD 0
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xn

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El diodo: Comportamiento en conmutacin

Vs
t
Carga

Vi
t

IDEAL

Vs

tri ~ ns

Is

t
tri

REAL

Concentracin
en Inversa

Concentracin
en Directa

pn
np
np0

pn0
x

np0

np

pn

pn0
x

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Corriente de Recuperacin inversa

Esta corriente puede producir la
destruccin del diodo

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Caracterstica de Conmutacin del Diodo

Irr = (2Qrr di/dt)1/2 : Corriente de recuperacin inversa (trr ta)
ta: Almacenamiento de cargas en zona de agotamiento
tb: Almacenamiento de cargas en el cuerpo del semiconductor
tb/ta: factor de suavidad
Qrr: Carga de recuperacin inversa (rea en curva) =1/2Irrta+1/2Irrtb =
Qrr = 1/2Irrtrr

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Caracterstica de Conmutacin del Diodo

Respuesta a distintas frecuencias con un diodo con un tiempo de recuperacin
inverso de 5 ns
I

t (ms)
0

1 MHz

t ( ms)
0

T = 200 tri

0.1

0.2

10 MHz

0.3

0.4

T = 20 tri

t (ns)

t ( ms)
0

0.04

0.08

25 MHz

0.12

0.16

0.2

T = 8 tri

10

20

100 MHz
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30

40

T = 2 tri
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50

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Caractersticas
Algunas de las caractersticas
encontradas en las hojas de datos
VR =
IOMAX (AV)=
VF =
IR =

1000V
1A
0.7V
50 nA

Tensin inversa mxima

Corriente directa mxima
Cada de Tensin directa
Corriente inversa

VR =
IOMAX (AV)=
VF =
IR =

100V
150mA
0.7V
25 nA

Tensin inversa mxima

Corriente directa mxima
Cada de Tensin directa
Corriente inversa

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