Facultad de Ingeniera

Captulo 1
Los Semiconductores
1. El factor humano de la electrnica
Como suele suceder, los avances de la ciencia no necesariamente conllevan un avance
tecnolgico significativo. Muchas veces la teora cientfica marca caminos de solucin de
un problema, pero la tecnologa no est en condiciones de integrar esa ciencia, y no es
sino hasta pasados muchos aos en que la tecnologa puede acoger esos principios
cientficos y solucionar el problema.
La ingeniera es la sistematizacin de un conjunto de conocimientos cientficos y tcnicos
que permiten controlar la materia y las fuentes de energa para desarrollar formas
eficientes de utilizacin en beneficio de la persona humana. Una de esas fuerzas naturales
es la corriente o intensidad elctrica, que consiste en el flujo de carga por unidad de
tiempo que recorre un material, y se debe al movimiento de electrones dentro de un
determinado material.
Es frecuente que con el paso de los aos, y la fragilidad de la memoria y la ingratitud
humanas, nos olvidemos de las personas que con su trabajo cientfico esforzado aportaron
luces sobre algunas propiedades de la materia y la energa, proponiendo modelos fsicos
para emplearlos en el control de esa materia y energas en beneficio de la humanidad.
Los descubrimientos cientficos se alcanzan por la esperanza - del investigador de que
existe un orden que gobierna la naturaleza, y que la razn humana est en condiciones de
conocer parte de ese orden aparentemente cubierto a los ojos humanos. La misma
palabra descubrir hace referencia a sacar de la sombra aquello que antes se encontraba
cubierto. La herramienta que apoya las formulaciones de la materia y la energa es la
matemtica, una creacin de la razn humana y como tal imperfecta, que ayuda a
demostrar mediante modelos matemticos las leyes de la naturaleza. En esa lnea, las
bases cientficas que gestaron la electrnica actual se debe al trabajo esforzado de
muchos cientficos, siendo los precursores: Maxwell, Braun, Edison, Tesla, Thompson y
Marconi. Los resultados de sus trabajos cientficos fueron presentados dentro de un lapso

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muy breve en nuestra historia: apenas veinticinco aos (1871-1896), antecediendo al

extraordinario trabajo presentado por Fleming, veamos1:
1871 Ecuaciones de Maxwell - MAXWELL
James Clerk Maxwell (1831-1879), estableci las ecuaciones
que describen el comportamiento de la electricidad y el
magnetismo. Descubri las ecuaciones ecuaciones de
Maxwell, que se definen como las relaciones fundamentales
entre las perturbaciones elctricas y magnticas, y permiten
describir la propagacin de las ondas electromagnticas de
comportamiento similar a las ondas luminosas.
1874 Cristales semiconductores - BRAUN
Carl Ferdinand Braun (1850 - 1918), en 1874, observ que
ciertos
cristales
semiconductores
actuaban
como
rectificadores, convirtiendo la corriente alterna en continua,
permitiendo el paso de la corriente en una sola direccin.
Desde 1898 tambin trabaj en la telegrafa sin hilos,
inventando el rectificador de cristal.
Marconi admiti haber "tomado prestada" la patente de
Braun. En 1909 recibi el Premio Nobel de Fsica, junto con
Marconi, por sus contribuciones al desarrollo de la telegrafa
sin hilos y los circuitos resonantes magnticamente acoplados.
1883 Efecto Edison - EDISON
Thomas Alva Edison (1847-1931), quien en 1883, mientras
estudiaba sus bombillas e insert una placa de metal cerca de
un filamento descubriendo empricamente que haba un flujo
de electricidad en la placa cuando sta estaba enganchada al
terminal positivo de la bombilla, pero no suceda lo mismo
con el terminal negativo.
Como este efecto no era
significativo para su experimento de la bombilla, lo anot, y se
desentendi de l. Edison registr como suyos algunos
trabajos que le pertenecan a Nikola Tesla.

Las Fotografas histricas de este apartado se han obtenido a travs de Google Imgenes en Wikipedia y se han
reutilizado segn: http://commons.wikimedia.org/wiki/Commons:Reusing_content_outside_Wikimedia

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1894 - La Radio, TESLA

Nikola Tesla (18561943), fue ingeniero mecnico e
ingeniero elctrico. Las patentes de Tesla y su trabajo terico
formaron las bases de los sistemas modernos de potencia
elctrica por corriente alterna (CA), incluyendo el sistema
polifsico de distribucin elctrica y el motor de corriente
alterna. Tras su demostracin de comunicacin inalmbrica
por medio de ondas de radio en 1894 fue reconocido como
uno de los ms grandes ingenieros elctricos. Despus de
trabajar varios meses mejorando los diseos de los
generadores de corriente continua, y mientras le terminaba varias patentes,
descubri que Edison las estaba registrando como propias. Durante mucho tiempo
tuvo que someterse a procesos judiciales con Marconi para ejercer su derecho
como inventor de la radio. En la dcada de los sesenta el Tribunal Supremo de los
Estados Unidos dictamin que la patente relativa a la radio era legtimamente
propiedad de Tesla, reconocindolo de forma legal como inventor de sta, aunque
mucha gente sigua considerando a Marconi como su inventor.
1896 Descubrimiento del electrn THOMSON
Joseph John Thomson (1856-1940). Encontr que esa
relacin carga/masa era ms de mil veces superior a la del
in Hidrgeno, por lo que dedujo que las partculas en
movimiento eran muy livianas o muy cargadas, a las que
llam corpsculos, concluyendo que los rayos catdicos
estaban hechos de partculas que procedan de dentro de los
tomos de los electrodos, afirmando que los tomos son
divisibles. Fue descubridor del electrn, de los istopos. En
1906 fue galardonado con el Premio Nobel de Fsica.
1896 Propagacin de Ondas, MARCONI
Guglielmo Marconi (1874-1937). Realiza algunos de los
primeros experimentos acerca del empleo de ondas
electromagnticas para la comunicacin telegrfica sin hilos
utilizando los trabajos de Nikola Tesla. En 1896 los resultados
de estos experimentos fueron aplicados para comunicar
Penarth y Weston en Gran Bretaa. Con el descubrimiento
del electrn, a Marconi le qued claro que la placa de metal
de un tubo de vaco tena la capacidad para absorber
electrones calientes.
3

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1904 Vlvula termoinica o diodo FLEMING

John Ambrose Fleming (1848 - 1945). Los primeros intentos
por controlar la corriente elctrica se dieron en 1904.
Fleming, basndose en observaciones realizadas por Thomas
Alva Edison en 1883, e impulsado por Marconi, invent el
diodo o vlvula termoinica. Fue la persona que trabaj como
hilo conductor entre los aportes cientficos anteriores. ste
momento es considerado el inicio de la electrnica, por cuyo
mrito Fleming recibi de la corona britnica el ttulo de sir
en 1929. Fleming rode con una pieza cilndrica metlica,
llamada placa, el filamento dentro de la ampolla de una vlvula de vaco. Esa placa
poda actuar en dos formas:
Si estaba cargada positivamente, atraa
hacia s a los electrones despedidos por el
filamento incandescente creando as un
circuito elctrico cerrado.
Pero si su carga es negativa, repele a los
electrones impidiendo la corriente.
Cuando se conecta esa placa con una fuente de corriente alterna, durante el
semiperiodo positivo en direccin directa, la placa adquiere carga positiva y deja
pasar la corriente hasta el tubo; cuando la corriente alterna cambia de direccin, la
placa se carga negativamente, y entonces no fluye ninguna corriente hacia el tubo.

Ilustracin 1 Tubos de vaco termoinicos diodos y trodos

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De este modo, la placa deja pasar la corriente slo en una sola direccin
transformando la corriente alterna en continua. Por actuar dicho tubo como una
vlvula respecto a la corriente, se le denomin vlvula. Por aquellos aos en
Estados Unidos sigue denominndose, simplemente tubo, aunque la comunidad
cientfica mundial lo denomina DIODO, porque tiene dos electrodos: el filamento y
la placa. Despus del descubrimiento de Fleming, se despert el inters militar
impulsado esencialmente por la tecnologa de radares y de las comunicaciones. Se
construye as el precursor del transistor, denominado trodo, interponiendo una
rejilla entre el nodo y el ctodo del tubo termoinico de Fleming. Pasaron
cuarenta y dos aos de trabajo cientfico desde el descubrimiento de Fleming, y en
1946 el Laboratorio de Investigacin Balstica del Ejrcito de los Estados Unidos
present el primer computador denominado Electronic Numerical Integrator And
Computer ( ENIAC ), el que por las dimensiones de sus tubos de vaco y la
necesidad de dispar su calor, ocupaba una gran habitacin.
1947 - El Transistor BARDEEN, BRATTAIN y SHOCKLEY
El transistor bipolar fue inventado en los Laboratorios Bell de EE. UU. en diciembre
de 1947 por John Bardeen, Walter Houser Brattain y William Bradford Shockley,
quienes recogiendo los trabajos de Fleming y sus contemporneos, inventaron el
primer transistor de estado slido, obteniendo el Premio Nobel de Fsica en 1956.
Fue el sustituto de la vlvula termoinica de tres electrodos, o triodo.

John Bardeen

Walter Houser Brattain

William Bradford Shockley

Ilustracin 2 Inventores del Transistor de estado slido

Desde el 23 de diciembre de 1947, que se desarroll el primer transistor, hasta el

da de hoy, el crecimiento y evolucin de la electrnica ha sido cada vez ms
rpido, tanto as que en la actualidad, la sola idea de tubos de vaco, o
computadoras de dimensiones de varios metros cuadrados, suena tan lejano, que
hasta llega a ser increble para un estudiante de ingeniera de primeros aos. La
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rpida evolucin del tubo de vaco al estado slido, justamente es la responsable

de esa idea.

Ilustracin 3 Primer transistor de estado slido, Bardeen, Brattain y Shockly

1951 Transistor de unin bipolar - SPARKS

Morgan Sparks (1916 - 2008) fue un cientfico e ingeniero estadounidense que
ayud a desarrollar el transistor de unin bipolar en 1951, lo que fue un paso
crtico en la fabricacin de transistores usables para la electrnica diaria.

Ilustracin 4 Primer transistor bipolar de unin - BJT

Sparks trabaj en los Laboratorios Bell donde John Bardeen, Walter Brattain y
William Shockley estaban desarrollando el primer transistor. Permaneci en los
Laboratorios Bell para desarrollar el transistor de unin bipolar microvatio que
ayud a hacer los transistores lo suficientemente prcticos para la ingeniera de
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uso comn. Sin su invencin sera muy difcil que hoy estuviramos donde
estamos en el mundo de la tecnologa, ya que el transistor fue el sustituto
inmediato de las hasta entonces usadas vlvulas termoinicas, ms conocidas
como vlvulas de vaco.

Ilustracin 5 Reduccin del tamao de los circuitos con el paso de los aos

Transcurrieron casi treinta y tres aos entre la presentacin del trabajo de Maxwell
(1871) hasta el de Fleming (1904), y cuarenta y tres aos desde el de Fleming hasta
el de John Bardeen, Brattain y Shockley (1947), y cuatro aos ms para el aporte de
Sparks (1951), casi ochenta aos de trabajo en total.
A partir de los trabajos descritos, la
comunidad cientfica internacional trabaja en
encontrar nuevos materiales que faciliten el
control de la corriente elctrica a frecuencias
cada vez mayores. Por lo tanto, es de justicia
reconocer y agradecer el trabajo bien hecho
de estos ocho ingenieros y fsicos de diversas
naciones que dedicaron gran parte de su
vida a desarrollar el fundamento que ha
permitido el que hoy disfrutemos de la
tecnologa en casi todos los mbitos de la
vida humana.

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2. Conceptos bsicos
2.1

Conductividad y Resistividad:

Se le llama resistividad al grado de dificultad que encuentran los electrones en sus

desplazamientos a travs de un material. La resistividad se designa con la letra griega
rho (), y est directamente relacionado con el material y la temperatura a la que se
encuentra. Por ejemplo el cobre a temperatura ambiente (20C a 25C) tiene una
resistividad de
y aumenta con la temperatura. Este valor nos brinda
informacin sobre la oposicin que ofrece un material al paso de la corriente.
Por el contrario, la conductividad elctrica es la capacidad de un cuerpo para permitir
el paso de los electrones, los cules al moverse conforman una corriente elctrica;
siendo su magnitud igual a la inversa de la resistividad.

2.2

Resistencia:

Es la forma como un objeto cuantifica su oposicin al paso de corriente, estando

fuertemente relacionado con la resistividad y la geometra del objeto, de la siguiente
forma:

Donde es la longitud en la direccin paralela a la corriente que atraviesa el objeto y

A es el rea transversal del mismo.

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2.3

Conductor y Aislante

El sentido comn nos dice que al haber distintos tipos de materiales, sus propiedades
elctricas pueden variar entre unos y otros. Desde el punto de vista elctrico podemos
denomina como aislantes a los materiales que presentan gran resistencia al paso de
las cargas elctricas, y denominar conductores a los que tienen cargas libres para
moverse con facilidad a travs del material. El ncleo de un tomo de material
conductor atrae los electrones orbitales, y estos no caen hacia el ncleo debido a la
fuerza centrfuga creada por su movimiento orbital.

Ilustracin 6 Modelos del tomo a lo largo de la historia

Cuando un electrn se halla en su rbita estable, la fuerza centrfuga esta en equilibrio

con la atraccin elctrica ejercida por el ncleo. En las rbitas ms alejadas, es
necesaria una menor fuerza centrfuga para contrarrestar la atraccin ejercida por el
ncleo. La menor fuerza de atraccin se dar en la rbita exterior, y como sta es tan
dbil, este electrn recibe el nombre de electrn libre, el cual puede ser arrancado
fcilmente por una fuerza externa. An la tensin ms pequea puede hacer que los
electrones libres de un conductor de cobre se muevan de un tomo al siguiente,
siendo ste el principio de la conductividad. Los mejores conductores (plata, cobre y
oro) tienen un nico electrn de valencia.

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2.4

Enlace Covalente:

El enlace covalente es aquel que une dos tomos haciendo que stos compartan pares
de electrones dando lugar a diversas molculas. Se realiza cuando existe
electronegatividad polar entre los tomos, pero la diferencia de sta no es lo
suficientemente grande como para que haya transferencia de electrones, se produce
el enlace covalente.

Ilustracin 7 Enlace covalente

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3. Materiales Semiconductores
3.1

Definiciones

Un semiconductor es un elemento con valencia 4, esto quiere decir que un tomo

aislado de semiconductor tiene 4 electrones en su orbita de valencia. El numero de
electrones en la orbita de valencia es clave para la conductiva elctrica.
Un Semiconductor es un material que posee un nivel de conductividad que se localiza
entre los extremos de un aislante (8 electrones de valencia) y los conductores (1
electrn de valencia).

Silicio (Si):
El tomo de silicio posee 14 protones y 14 electrones, de tal forma que en la primera
orbita contiene 2 electrones, la segunda contiene 8 y dejando en la ltima orbita 4
electrones (caracterstica del semiconductor). El silicio es el material semiconductor
mas ampliamente utilizado.

Ilustracin 8 tomo de Silicio

En un cristal de silicio2, cada tomo de Si se enlaza covalentemente con cuatro tomos

de Si vecinos. Al hacer esto cada dos tomos vecinos comparten un electrn, con un
2 El silicio es un elemento qumico metaloide, nmero atmico 14 y situado en el grupo 4 de la tabla peridica de los elementos
formando parte de la familia de los carbonoideos de smbolo Si. Medido en peso el silicio representa ms de la cuarta parte de la
corteza terrestre y es el segundo elemento ms abundante por detrs del oxgeno. El silicio no se encuentra en estado nativo; arena,
cuarzo, amatista, gata, pedernal, palo y jaspe son algunas de los minerales en los que aparece el xido, mientras que formando
silicatos se encuentra, entre otros, en el granito, feldespato, arcilla, hornblenda y mica.

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total de 8 electrones en la rbita ms alejada del ncleo, donde se encuentran los

electrones de valencia, y por ello denominada rbita de valencia. Este hecho genera
fuerzas iguales y opuestas, constituyendo un enlace estable.

Germanio (Ge):
El tomo de silicio posee 32 protones y 32 electrones, de tal forma que en la primera
orbita contiene 2 electrones, la segunda contiene 8, en la tercera contiene 18 y
dejando en la ltima rbita 4 electrones (caracterstica del semiconductor).

Ilustracin 9 tomo de Germanio

Algunas de las caractersticas nicas del Ge y Si, son el resultado de su estructura

atmica. Los tomos de ambos materiales organizan un patrn bien definido que por
naturaleza es peridico.
Un patrn completo se denomina Cristal y el arreglo peridico de los tomos se
denomina red. Para el caso del Ge y Si, el cristal presenta la estructura tridimensional
del diamante. Cualquier material compuesto nicamente de estructuras cristalinas
repetidas del mismo tipo se denomina estructura de monocristal.

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Cristales Semiconductores:
Cuando los tomos un semiconductor como el silicio o el germanio se combinan para
formar un slido, organizan un patrn bien definido que por naturaleza es peridico,
es decir se repite peridicamente. Un patrn completo se denomina cristal y el arreglo
peridico de los tomos se denomina red. Para el caso del Si y Ge, el cristal presenta la
estructura tridimensional del diamante de la figura 1. Cada tomo comparte sus
electrones de valencia con los tomos vecinos, de tal forma que tiene 8 electrones en
la rbita de valencia. Cuando un tomo posee 8 electrones en su rbita de valencia, se
vuelve qumicamente estable. Aunque el tomo central tena originalmente 4
electrones en su rbita de valencia, ahora tiene 8 electrones en esa rbita. Esto es
apreciable en la figura 2.

Ilustracin 10 El tomo de silicio

Cualquier material compuesto nicamente de estructuras cristalinas repetidas del

mismo tipo se denomina estructura monocristal, siendo esta una caracterstica de los
materiales semiconductores de aplicacin prctica en el campo de la electrnica.
Adems se observa que la periodicidad de su estructura no se altera mucho con la
adicin de impurezas en el proceso de dopado.
Las vibraciones de los tomos de silicio pueden, ocasionalmente hacer que se desligue
un electrn de la rbita de valencia. Al suceder esto, el electrn que es liberado gana
la engera suficiente para situarse en una rbita mayor. En dicha rbita el electrn es
un electrn libre, y adems su salida deja un vaci, el cual se denomina hueco.

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Bandas de Engera:
Algunos de los fenmenos ms importantes de los semiconductores se pueden explicar
empleando el modelo de bandas de energa. Este modelo se basa en que los electrones de
un mismo nivel de energa se encuentran en estados energticos ligeramente diferentes.
Es por ello que no es correcto hablar de capas de energa sino que ms bien de bandas de
energa. Estas bandas se siguen los siguientes principios:
Los electrones poseen niveles de energa de valor discreto pues se mueven en
distintas trayectorias respecto del ncleo.
Los electrones tienden siempre a ocupar los niveles de energa ms bajos.
En cada nivel de energa el nmero de electrones no puede ser mayor al nmero
de estados cunticos.
Principio de Exclusin de Pauli: solo un electrn puede ocupar un estado cuntico.
Para el estudio de los fenmenos presentes en la electrnica nos ocuparemos de las dos
ltimas bandas de energa. Estas son la banda de valencia y banda de conduccin las
cuales a su vez estn separadas por la banda prohibida como se aprecia en la ilustracin 3

Ilustracin 11

Es interesante comparar las bandas de energa de los materiales vistos (conductores,

semiconductores y aislantes) ya que permite entender el comportamiento de estos
materiales y la importancia de la banda prohibida. Como se observa en la ilustracin 4 en
los aislantes las bandas de conduccin y de valencia estn separadas por una banda
prohibida muy grande; esto significa que ser necesaria mucha energa para hace pasar un
electrn de la banda de valencia a la banda de conduccin. Por el contrario en los
conductores las bandas de conduccin y de valencia estn superpuestas y no existe banda
prohibida por lo que ser muy fcil que se de la conduccin elctrica. El tercer material es
el semiconductor que presenta una banda prohibida relativamente pequea y que por lo
tanto necesitar mucha energa para conducir la electricidad.

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Ilustracin 12

Semiconductores Intrnsecos:
Es un material semiconductor de un cristal sin ningn otro tipo de tomos dentro del
cristal, es decir puro. A temperatura ambiente se comporta como un aislante porque
solo tiene unos pocos electrones libres y huecos debidos a la energa trmica, mientras
que a cero grados Kelvin no existen electrones libres.
En un semiconductor intrnseco tambin hay flujos de electrones y huecos, aunque la
corriente total resultante sea cero, debido a que por accin de la energa trmica se
producen los electrones libres y los huecos por pares, es decir hay tantos electrones
libres como huecos. Definiremos como la concentracin de portadores intrnsecos,
y se halla mediante la siguiente ecuacin:

Ecuacin 1

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Donde B es una constante relacionada con el material, T es la temperatura (Kelvin),

es el nivel de energa entre bandas (eV) y k es la constante de Boltzman
(
. Algunos valores de B y
se muestran en la siguiente tabla:
Material
Silicio (Si)
Arseniuro de Galio (GaAs)
Germanio (Ge)

(eV)
1.1
1.4
0.66

5.23*
2.10*
1.66*
Tabla 1

Desde el punto de vista de bandas de energa un semiconductor intrnseco tendra la

estructura mostrada en la ilustracin 4. La energa trmica hace saltar algunos
electrones de la banda de valencia a la banda de conduccin generando unos pocos
huecos y electrones libres en pares. Por ello se puede observar que el semiconductor
intrnseco posee la misma cantidad de huecos que de electrones libres. Adems los
huecos se localizan en la banda de valencia y los electrones libres en la banda de
conduccin.

Ilustracin 13

Dopado de un Semiconductor:
El dopado es una forma de aumentar la conductividad elctrica de un conductor, y
consiste en aadir deliberadamente tomos de impurezas a un cristal intrnseco.
El proceso consiste en fundir un cristal puro de silicio para romper los enlaces
covalentes y cambiar el estado del silicio del slido. En el caso de querer aumentar
el nmero de electrones libres se aaden tomos pentavalentes al silicio fundido.
Como estos materiales donarn un electrn extra un electrn extra al cristal de
silicio se les conoce como impurezas donadoras.
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Semiconductores Extrnsecos:
Debido a que las concentraciones de electrones y huecos en un semiconductor
intrnseco son relativamente pequeas, slo son posibles corrientes muy
pequeas. Sin embargo estas concentraciones pueden aumentarse de manera
considerable al aadir cantidades controladas de ciertas impurezas. Una impureza
deseable es aquella que entra a la estructura cristalina y reemplaza (sustituye) uno
de los tomos del semiconductor, an cuando el tomo de la impureza no tiene la
misma estructura d electrones de valencia.
Un semiconductor extrnseco, es aquel que posee impureza con la finalidad de
aumentar la conductividad elctrica. Si el material posee impurezas, se dice que
esta dopado y el tipo de impurezas pueden ser elementos trivalentes o
pentavalentes, con lo cual se puede diferencia dos tipos:

Semiconductores extrnsecos tipo n:

Son los que estn dopados, con elementos pentavalentes, como por
ejemplo (As, P, Sb). Que sean elementos pentavalentes, quiere decir que
tienen cinco electrones en la ltima capa, lo que hace que al formarse la
estructura cristalina, un electrn quede fuera de ningn enlace covalente,
quedndose en un nivel superior al de los otros cuatro. Como consecuencia
de la temperatura, adems de la formacin de los pares electrn-hueco, se
liberan los electrones que no se han unido.
Como ahora en el semiconductor existe un mayor nmero de electrones
que de huecos, se dice que los electrones son los portadores mayoritarios, y
a las impurezas se las llama donadoras.
En cuanto a la conductividad del material, esta aumenta de una forma muy
elevada, por ejemplo; introduciendo slo un tomo donador por cada 1000
tomos de silicio, la conductividad es 24100 veces mayor que la del silicio
puro.

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Ilustracin 5. Representacin de dos dimensiones de una estructura de silicio dopada con

elemento de 5 electrones de valencia.

Esto se puede visualizar en el esquema de bandas de energa de la

ilustracin 6. Como es de esperarse este tiene mayor nmero de electrones
libres en la banda de conduccin que huecos en la banda de valencia
debido a que los primeros son los portadores mayoritarios y los segundos
los minoritarios.

Ilustracin 6.

Semiconductores extrnsecos tipo p:

En este caso son los que estn dopados con elementos trivalentes, (Al, B,
Ga, In). El hecho de ser trivalentes, hace que a la hora de formar la
estructura cristalina, exista un nmero insuficiente de electrones para
completar los enlaces covalentes de la red recin formada dejando una
vacante con un nivel energtico ligeramente superior al de la banda de
valencia, pues no existe el cuarto electrn que lo rellenara.
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Esto hace que los electrones salten a las vacantes con facilidad, dejando
huecos en la banda de valencia, y siendo los huecos portadores
mayoritarios.

Ilustracin 7. Representacin en dos dimensiones de una estructura de silicio dopada con un

tomo de 3 electrones de valencia.

Si observamos este tipo de semiconductor desde el modelo de bandas de

energa se puede apreciar que hay ms huecos en la banda de valencia que
electrones libres en la banda de conduccin como se aprecia en la
ilustracin 6. Esto se debe a que adems de los pares hueco- electrn libre
creados por efectos trmicos hay huecos adicionales generados por la
presencia de impurezas aceptadoras.

Ilustracin 8

La unin PN
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Un semiconductor, sea de tipo n o de tipo p, no tiene ms importancia que una

resistencia. Sin embargo, si al cristal se le agregan impurezas de tal manera que la mitad
sea de tipo n y la otra mitad de tipo p, aparece el efecto diodo. La separacin o frontera
fsica entre un semiconductor tipo n y uno tipo p se llama unin pn, tambin denominada
como zona de deplexin.

Ilustracin 9

Bajo condiciones sin polarizacin (sin un voltaje aplicado), cualquier portador

minoritario (hueco) en el material tipo n que se encuentre dentro de la frontera pn
fluir directamente hacia el material tipo p.

Zona de Deplexin
La repulsin mutua entre los electrones libres en el lado n, tiende a
dispersarlos en cualquier direccin, ocasionando que algunos de estos se
difundan atravesando la unin. Cuando un electrn libre entra en la regin
p se convierte en un portador minoritario, que estar rodeado de huecos,
por lo que este electrn libre tendr un tiempo de vida corto, ya que poco
despus de de entrar en la regin p se recombinar, convirtindose en un
electrn de valencia. Cada vez que el electrn abandona el lado n deja un
tomo pentavalente al que le falta una carga negativa, convirtindose en un
ion positivo. Algo anlogo sucede cuando un electrn cae en un hueco en el
lado p, el tomo trivalente que lo ha capturado se convierte en un ion
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negativo. Por lo tanto cada vez que un electrn se difunde crea un par d
iones, lo cual es apreciable en la ilustracin 9.
Cada par de iones positivo y negativo se llama dipolo. Al aumentar el
nmero de dipolos, la regin cercana se va quedando sin portadores,
siendo esta, la zona de deplexin.

Barrera de Potencial
Existe un campo elctrico entre los iones positivo y negativo de cada dipolo
formado. Por lo tanto este campo elctrico tratar de devolver los
electrones libre adicionales que intenten entrar en la zona de deplexin a la
zona n. Este campo elctrico ser proporcional al nmero de electrones que
atraviesen la zona de deplexin, por lo tanto luego de cierto tiempo
terminar por detener la difusin de electrones a travs de la unin. Este
campo elctrico entre los iones es equivalente a una diferencia de potencial
llamada barrera de potencial, la cual es aproximadamente 0.3 V para el
Germanio y 0.7 V para el Silicio.

Polarizacin Directa:
Se explicara mediante el uso de una fuente de corriente continua conectada a un
diodo (este trmino quedo definido anteriormente como la unin de las zonas p y
n en un solo elemento) ; el terminal negativo de la fuente est conectado al
material tipo n, mientras que el terminal positivo se conecta al material tipo p; a
esta forma de conexin se denomina Polarizacin Directa.

Ilustracin 9

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Flujo de Electrones Libres

Debido a esta configuracin, la batera empuja a los huecos y a los electrones libres
hacia la zona de unin. Adems, hay que prestar atencin en la medida de tensin;
ya que si esta no es mayor que la barrera de potencial, los electrones libre no
poseern la suficiente energa para atravesar la zona de deplexin. Por lo tanto si
no se supera la barrera de potencial, no circular corriente por el diodo, ya que
cuando los electrones entre en la zona de deplexin, no la atravesaran sino que los
iones se ven empujados de regreso a la Zona n.
Cuando el voltaje es mayor a la barrera de potencial, los electrones libres y los
huecos son empujados a la zona de deplexin, pero esta vez los electrones libres si
cuenta con la suficiente energa para pasar dicha zona y recombinarse con los
huecos; ahora como los electrones libres entran continuamente por el extremo
derecho del diodo, y continuamente se crean hueco en el extremo izquierdo,
existir una corriente que circula por el diodo.

Flujo del Electrn:

Observemos ms detenidamente lo que le sucede al electrn: Tras abandonar el
terminal negativo de la fuente, entra por el extremo derecho del cristal y se
desplaza a travs de la zona n como electrn libre. En la unin se recombina con un
hueco y se convierte en electrn de valencia. Luego se desplaza a travs de la zona
p como electrn de valencia, saltando a travs de los huecos y tras abandonar el
extremo izquierdo del cristal fluye al terminal positivo de la fuente.

Ilustracin 10

Si ahora aplicamos a dicha unin una tensin de signo contrario a la barrera

de potencial interna, sta ir disminuyendo en anchura. A mayor tensin
aplicada externamente corresponder una barrera interna menor y
podremos llegar a conseguir que dicha barrera desaparezca totalmente.
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Polarizacin Inversa:
Si se invierte la polaridad de la fuente continua, el diodo se polariza en inversa.
Esto se logra conectando el terminal negativo de la batera al lado p y el terminal
negativo ala lado n. A esta conexin se le denomina Polarizacin Inversa.

Ensanchamiento de la Zona de Deplexin:

El terminal negativo de la fuente atrae los huecos, y el terminal positivo atrae los
electrones libres, por ellos los huecos y los electrones libres se alejan de la unin;
como consecuencia la zona de deplexin se ensancha y los iones recin creados
hacen que aumente la diferencia de potencial hasta que iguale a la tensin inversa
aplicada.

Ilustracin 11

Al ir aumentando esta tensin inversa llega un momento en que el diodo pierde su

capacidad de bloqueo y fluye entonces una gran corriente inversa. Esta tensin
recibe el nombre de "tensin de ruptura". Normalmente en esta situacin el diodo
se destruye.

Corrientes en Polarizacin Inversa:

En esta situacin tenemos que tener en cuenta la generacin trmica de pares
electrn-hueco. Los pocos electrones generados trmicamente pierden energa y
bajan de p a n, es la "Corriente Inversa de Saturacin" (IS) que es muy pequea.
Adems de esta corriente tenemos otra corriente debida a las fugas, que se
denomina "Corriente de Fugas" (If).
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Entonces la corriente resultante en polarizacin inversa, ser la suma de Corriente

Inversa de Saturacin y la Corriente de Fugas.

Ruptura:
Cuando se polariza en inversa, se tiene que tener en cuenta una tensin inversa de
ruptura, que es la mxima tensin en sentido inverso que puede soportar un
diodo sin entrar en conduccin; esta tensin para un diodo es destructiva, ya que
cuando alcanza dicha tensin una gran cantidad de portadores minoritarios
aparecen repentinamente en la zona de deplexin y el diodo conduce
descontroladamente. Esta gran cantidad de portadores minoritarios, son
producidos por el efecto avalancha que se da en presencia de elevadas tensiones
inversas.
Cuando la tensin inversa disminuye, provoca que los portadores minoritarios se
muevan ms rpido, chocando de esta forma con los tomos de cristal. Si dichos
portadores tienen la energa suficiente pueden golpear a los electrones de valencia
y liberarlos, y aumentar el nmero de electrones libres que a su vez provocaran la
liberacin de otros electrones de valencia, de ah viene el nombre de Efecto
Avalancha.

Ilustracin 12

Efecto Zener:
El efecto zener se basa en la aplicacin de tensiones inversas que debido a la
caracterstica constitucin de los mismos originan fuertes campos elctricos que
causan la ruptura de los enlaces entre los tomos dejando as electrones libres
capaces de establecer la conduccin. Su caracterstica es tal que una vez alcanzado
el valor de su tensin inversa nominal y superando la corriente a su travs un
determinado valor mnimo, la tensin en los bornes del diodo se mantiene
constante e independiente de la corriente que circula por l.

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4. Materiales Superconductores
Sin duda algn da habr trenes levitados en diversas partes del mundo, es decir, que
flotarn sobre sus rieles sin rozarlos al avanzar y por lo tanto podrn alcanzar
velocidades similares a las de un avin. Los que hoy son jvenes, muy probablemente
lo vern.
Esto ser posible gracias a la superconductividad, la cual ya tiene aplicaciones prcticas
en algunos pases con tecnologa ms avanzada que la nuestra.
Qu es la superconductividad? Esta pregunta se la formula Luis Fernando Magaa
Sols en el Libro Los Superconductores, aparecido con el nmero 64 de la coleccin
La ciencia desde Mxico del Fondo de Cultura Econmica y se contesta: Es un
estado de la materia, como lo es el estado lquido o el estado slido, en el cual no
existe resistencia elctrica. Esto significa que no hay prdida de energa al pasar la
corriente elctrica por un material superconductor. Pero no es slo eso, sino que,
adems, no permite que el campo de fuerza de un imn penetre en su interior (esto
ltimo se conoce como efecto Meissner). Esta combinacin de efectos elctricos y
magnticos recibe el nombre de estado Superconductor.
Cmo se lleg a descubrir la superconductividad? Bueno, como nos lo explica Magaa
Sols, fue un proceso muy largo de estar investigando y experimentando. Comenz con
la licuefaccin de los gases, la cual se inici all por 1845. Aquel proceso se fue
desarrollando poco a poco, y ya en s, la superconductividad es descubierta en 1911 por
el doctor H. K. Onnes, de la Universidad de Leyden, Holanda, lo cual le vali el premio
Nobel de Fsica en 1913. Continuaron los avances, pero no es sino hasta fechas
recientes que se enuncia la teora de la superconductividad, que, nos dice Magaa Sols
se basa en la existencia de los llamados pares de Cooper, que son parejas de
electrones ligados entre s y que se forman por la interaccin atractiva del tipo paso
adelante con el descubrimiento de los materiales superconductores cermicos en los
cuales se simplifica mucho el alcanzar la temperatura de transicin al estado
superconductor. Por los avances en la superconductividad, sus sustentadores
merecieron el premio Nobel de Fsica de 1972 y de 1987 respectivamente.
Toda esa historia es la que nos cuenta Magaa Sols hasta llegar a la poca actual en la
cual la superconductividad ya tiene una aplicacin prctica, aunque limitada,
pudindose decir que cuando se aplique en forma extensiva, sin duda cambiar la
forma de vida de la humanidad.
Entre las posibles aplicaciones de la superconductividad se encuentra la produccin de
grandes campos magnticos y dentro de las aplicaciones de los electroimanes
superconductores esta la levitacin, es decir, utilizar una fuerza magntica para hacer
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flotar vehculos de transporte masivo. Nos dice Magaa Sols que: Hay,
esencialmente, dos mtodos posibles para conseguir la levitacin. Uno corresponde a
la utilizacin de un sistema atractivo y el otro a un sistema repulsivo. Y enseguida nos
aclara que, en su opinin, el sistema de levitacin por repulsin, es el que presenta
mejores perspectivas.
Aunque mucho menos espectacular que ver flotar un tren, otra de las aplicaciones de
la superconductividad es la fabricacin de cables transportadores tanto de energa
elctrica como de informacin sin que haya prdidas de energa en el trayecto como
sucede actualmente. As mismo, tendr aplicacin en la biologa, la medicina y la
qumica y en la construccin de circuitos de computadoras.
Tan importante es la superconductividad, dice por ltimo Magaa Sols, que incluso
pases del llamado Tercer Mundo, la India y China, cuentan con un programa muy
ambicioso en este campo. Coleccin La ciencia desde Mxico No.64

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5. Cuestionario
1. Qu es un semiconductor?
2. Cul es la diferencia entre un semiconductor intrnseco y uno extrnseco?
3. Dibuje la estructura atmica del cobre y discuta porque se trata de un buen
conductor y de qu forma su estructura es diferente a la del germanio y silicio.
4. Describa las diferencias entre los materiales semiconductores tipo n y tipo p.
5. Qu es la banda prohibida en un semiconductor?
6. Qu son las bandas de energa?
7. Describa las diferencias entre impurezas donadoras y aceptadoras.
8. Describa las diferencias entre portadores mayoritarios y minoritarios.
9. Qu es la barrera de potencial un una unin PN?
10. Cuntos y cules son los tipos de polarizacin? Qu diferencia presentan?
11. Explica cmo se genera un electrn libre en un semiconductor, a partir del dopado
con una impureza donadora.
12. Si a un semiconductor puro (intrnseco) le introducimos dos impurezas donadoras,
seguir siendo elctricamente neutro? Fundamente.
13. La conductividad de un material varia con respecto a la temperatura? Si es as,
Explique.
14. Calcule la concentracin de portadores intrnsecos en el Silicio a T= 350 K.
15. Hallar la temperatura de GaAs si la concentracin de portadores intrnsecos es
.
16. Si se usa la polarizacin inversa, existe algn riesgo para el material?

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