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DEPENDENCIA DE LA CORRIENTE DE SATURACION INVERSA DE UN DIODO

CON LA TEMPERATURA

Nombres:
Lina Isabel Enciso

2420122008

Alejandro Rubio Reinoso

2420121010

Julian Alberto Avila

2420121020

Jeisson Andrey Lopez

2420121002

PROGRAMA DE INGENIERIA ELECTRONICA


UNIVERSIDAD DE IBAGUE
ASIGNATURA MATERIALES PARA ELECTRONICA 1
IBAGUE-TOLIMA

2015 A
Marco Terico
POLARIZACIN INVERSA DEL DIODO

Cuando el semiconductor diodo se polariza de forma


inversa, el lado positivo P de la unin p-n se vuelve
negativo (debido a estar conectado al polo negativo de la
batera).
En
esas
condiciones
el nivel
de
fermicorrespondiente a esa parte positiva crece en altura,
impidiendo as que los electrones se puedan mover a
travs del cristal semiconductor. En la ilustracin se
pueden observar unas flechas indicando la direccin
correspondiente al flujo electrnico tratando de acceder
al diodo por su parte positiva sin lograrlo, pues al estar
polarizado de forma inversa la zona de deplexin se
ampla. Adems, como se puede ver tambin, la diferencia
de altura del nivel de fermi en la parte positiva P del
diodo
aumenta,
mientras
que
en
la
parte
negativa N disminuye.
Por
tanto,
bajo
esas
circunstancias los electrones presentes en la parte
negativa carecern de la suficiente energa para poder
atravesar la unin p-n.

CARACTERSTICAS DE LOS DIODOS


La forma de funcionamiento de un diodo comn de silicio se puede apreciar observando la curva
caracterstica que se crea cuando se polariza, bien de forma directa, o bien de forma inversa. En ambos
casos la curva grfica (representada en color verde en el siguiente grfico) muestra la relacin existente
entre la corriente y la tensin o voltaje que se aplicada a los terminales del diodo.

En este grfico correspondiente a la curva


caracterstica de un diodo de silicio, se puede
observar un eje horizontal x y otro vertical y que
se interceptan en el centro. En ese punto el valor
del voltaje y de la intensidad de la corriente es
igual a 0 volt. El eje vertical y muestra hacia
arriba su parte positiva (+y) correspondiente al
valor que puede alcanzar la intensidad de la
corriente (Id) que atraviesa al diodo cuando se
polariza directamente, mientras que hacia abajo su
parte
negativa (-y) muestra
cul
ser
su
comportamiento cuando se polariza de forma
inversa (Ii). El eje horizontal x muestra hacia la
derecha, en su parte positiva (+x), el incremento
del valor de la tensin o voltaje que se aplicada al
diodo en polarizacin directa (Vd). Hacia la
izquierda del propio eje se encuentra la parte
negativa (x), correspondiente al incremento
tambin del valor de la tensin o voltaje, pero en
polarizacin inversa (Vi).

En la siguiente tabla aparecen bandas prohibidas de diversos semiconductores

Montaje realizado

Figura1.montaje realizado para proceder con el experimento.


Se someti al diodo en polarizacin inversa a un bao trmico, para lograr su conduccin
en esta polarizacin y observar los cambios de la corriente respecto a la temperatura, de lo
cual se obtuvieron los siguientes datos.

Temperatura C

Corriente (mA)

43.6
43.5
43.4
43.3
43.2
43.1
43.0
42.9
42.8
42.7
42.6
42.5
42.4
42.3
42.2
42.1
42.0
41.9
41.8
41.7
41.6
41.5
41.4
41.3
41.2
41.1
41.0
40.9
40.8
40.7
40.6
40.5
40.4
40.3
40.2
40.1
40.0
39.9
39.8
39.7
39.6
39.5
39.4
39.3
39.2
39.1

5,662
5,648
5,636
5,634
5,624
5,621
5,605
5,599
5,591
5,601
5,609
5,609
5,605
5,582
5,568
5,569
5,551
5,566
5,533
5,537
5,534
5,524
5,514
5,499
5,489
5,489
5,484
5,475
5,480
5,474
5,461
5,450
5,446
5,433
5,429
5,421
5,405
5,399
5,391
5,301
5,309
5,309
5,305
5,282
5,268
5,269

39.0
38.9
Tabla1. Datos recogidos de temperatura vs corriente al realizar el experimento

5,251
5,266

Graficas:
Ln(I) Vs 1/(2KT)

-5.16

-5.17

data1
linear

y = - 7.2e-22*x - 4.6

-5.18

-5.19

-5.2

-5.21

-5.22

-5.23

-5.24

-5.25
8.2

8.4

8.6

8.8

9.2

9.4
20

x 10

Figura2. Relacin entre Ln(i) vs

1
2 KT

Pendiente: -3.7471
Ln(I) Vs 1/(KT)

-5.16

-5.17

data1
linear

y = - 3.6e-22*x - 4.6

-5.18

-5.19

-5.2

-5.21

-5.22

-5.23

-5.24

-5.25
1.65

1.7

1.75

1.8

1.85

1.9
21

x 10

Figura3. Relacin entre Ln(i) vs

1
KT

Pendiente: -3.6236
Al obtener el eg, se puede inferir que el material semiconductor usado es sulfuro de zinc.
Como se puede observar el las figuras 2 y 3, a medida que aumenta Ln(i), disminuye

1
2 KT

La tabla1 muestra gran cantidad de datos ya que esto hace que al realizar la relacin entre
Ln(i) vs

1
KT , haya un error mnimo al unir los puntos con los valores obtenidos.

Conclusiones.
1. Podemos ver que los valores de las pendientes de la grfica en la que relaciona

ln( Io )

vs

1
2 Kt

son exageradas y que no corresponden con gran claridad a la

tabla donde muestran los valores de la banda prohibida de los semiconductores.


2. Para lograr un valor exacto del Eg, ancho de banda prohibida podemos hallar la
resistividad del semiconductor con respecto a la temperatura en la que vara el
material, luego grafica Ln () vs (1/2KT) donde K constante de boltzmann, T la
temperatura.
3. Con la intencin de conseguir mediciones correspondientes a equilibrio trmico de la
es posible la mejora en la adquisicin de datos utilizar un termostato para mantener
la temperatura fija.
4. El aporte de las impurezas a la conductividad disminuye para altas temperaturas.
5. La corriente es directamente proporcional al valor de la temperatura, es decir entre
ms aumente la temperatura ms aumenta la corriente y viceversa.
6. Aunque se tenga una diferencia de potencial que es una variable elctrica en un
valor fijo a la hora de polarizar nuestro circuito, podemos decir que ahora nuestra
variable fsica afecta las condiciones del circuito ya que si variamos la temperatura
del semiconductor variamos la corriente que pasa por el diodo que a su vez se
adiciona a la de la fuente, adems de la diferencia de potencial de la fuente le
adicionamos la diferencia de potencial que genera la corriente en relacin con la
temperatura.