CELULAS PELTIER.

En 1834 cuando el fsico francs Jean Charles Peltier descubri un efecto termoelctrico, el
efecto Peltier, en el curso de sus investigaciones sobre la electricidad. Este interesante
fenmeno se mantuvo reducido a algunas pequeas aplicaciones, esto debido a que el
avance de los semiconductores no era tan avanzado como en la actualidad.
1. Introduccin
El efecto Peltier se caracteriza por la aparicin de una diferencia de temperaturas entre las
caras de un semiconductor cuando se alimenta el mismo con una corriente elctrica.
Como ya se haba citado el uso de las clulas Peltier en los ltimos aos ha tomado mayor
importancia en su aplicacin en distintas reas sobre las cuales destacan la generacin de
energa elctrica y los sistemas de refrigeracin, esto debido al avance en los
semiconductores
2. Celulas Peltier
En la Figura 1 se muestra el diagrama de una clula Peltier en el cual muestran la cara por
la cual se rechaza calor y la cara que absorbe calor, adems se aprecia que la conexin entre
las caras con la diferencia de temperatura se encuentran dos tipos de semiconductores P y el
otro N, en estos semiconductores ocurre el efecto termoelctrico Peltier.

Figura1: Diagrama que muestra la estructura interna de una celda Peltier.

Los semiconductores P y N se encuentran conectaos elctricamente en serie mediante

conductores de cobre como lo muestra la Figura 2, las placas de cermica de la figura
sirven como aislantes entre las caras de la celda y los conductores de cobre. Trmicamente
los semiconductores P y N presentan una conexin en paralelo.

Figura 2: Corte transversal de la clula Peltier donde se muestra la distribucin de los elementos dentro de la
celda Peltier.

Cuando se polariza los conductores de cobre, es decir se lo alimenta con una corriente
elctrica, se produce la polariza con mostrada en la Figura 3 en la cual cada uno de los
semiconductores presenta un extremo positivo y el otro negativo. En los semiconductores
del tipo N los electrones con dbil enlace de N se van hacia el extremo positivo y en los
semiconductores del tipo P los huecos o cargas positivas del semiconductor P se van al
extremo negativo. Refirindonos a la Figura 3 la parte superior de los semiconductores a
quedado sin cargas esto provoca la absorcin de calor de la cara superior y por lo contrario
en el extremo inferior se encuentran acumuladas las cargas lo que provoca un aumento de
temperatura en la cara inferior de la celda siempre refirindonos a la Figura 3 ya que si se
cambia la polaridad de la corriente el efecto termoelctrico se invierte es decir la cara
superior tendra el aumento de temperatura y la cara inferior tendra la disminucin de la
temperatura.