UNIVERSIDAD NACIONAL MAYOR DE SAN

MARCOS
Universidad del Per, DECANA, de Amrica
Facultad de Ingeniera Elctrica, Electrnica y Telecomunicaciones

Apellidos y Nombres:

Cdigo:

CHUQUISPUMA MAGALLANES, Jheyson Daniel

Profesor:

Ing. Medina Caldern Alfredo

Curso:

Circuitos Electrnicos I

Tema:

JFET y MOSFET

2014-I

13190068

JFET:
El JFET es un dispositivo electrnico, esto es, un circuito que, segn unos valores
elctricos de entrada, reacciona dando unos valores de salida. En el caso de los JFET,
al ser transistores de efecto de campo elctrico, estos valores de entrada son las
tensiones elctricas, en concreto la tensin entre los terminales S (fuente) y G
(puerta), VGS. Segn este valor, la salida del transistor presentar una curva
caracterstica que se simplifica definiendo en ella tres zonas con ecuaciones definidas:
corte, hmica y saturacin.
Fsicamente, un JFET de los denominados "canal P" est formado por una pastilla de
semiconductor tipo P en cuyos extremos se sitan dos patillas de salida (drenador y
fuente) flanqueada por dos regiones con dopaje de tipo N en las que se conectan dos
terminales conectados entre s (puerta). Al aplicar una tensin positiva V GS entre puerta
y fuente, las zonas N crean a su alrededor sendas zonas en las que el paso de
electrones (corriente ID) queda cortado, llamadas zonas de exclusin. Cuando esta VGS
sobrepasa un valor determinado, las zonas de exclusin se extienden hasta tal punto
que el paso de electrones ID entre fuente y drenador queda completamente cortado. A
ese valor de VGS se le denomina Vp. Para un JFET "canal N" las zonas p y n se
invierten, y las VGS y Vp son negativas, cortndose la corriente para tensiones menores
que Vp.
As, segn el valor de VGS se definen dos primeras zonas; una activa para tensiones
negativas mayores que Vp (puesto que Vp es tambin negativa) y una zona de corte
para tensiones menores que Vp. Los distintos valores de la ID en funcin de la VGS
vienen dados por una grfica o ecuacin denominada ecuacin de entrada.
En la zona activa, al permitirse el paso de corriente, el transistor dar una salida en el
circuito que viene definida por la propia I D y la tensin entre el drenador y la fuente V DS.
A la grfica o ecuacin que relaciona ests dos variables se le denomina ecuacin de
salida, y en ella es donde se distinguen las dos zonas de funcionamiento de activa:
hmica y saturacin.

Smbolos:

(a) Canal n
(b) Canal p
Caractersticas de transferencia:
En los JFET no existir la relacin lineal entre las cantidades de salida y de entrada de
un JFET, la relacin entre

ID

V GS

se encuentra definida por la ecuacin de

Shockley:

V GS 2
I D =I DSS (1
)
VP
El termino cuadrtico de la ecuacin dar por resultado una relacin no lineal entre

ID

V GS , con lo que se genera una curva que crece exponencialmente con

magnitudes decrecientes de

V GS .

Las caractersticas de transferencias definidas por al ecuacin de Shockley no resultan

afectadas por la red en al cual se emplea el dispositivo.
La curva de transferencia se puede obtener utilizando la ecuacin de Shockley o a
partir de las caractersticas de salida de la figura dada:

Observamos que una de las grficas est en funcin de

I D y V DS

y la otra es de

I D en funcin de V GS .
Cuando:
Cuando:

V GS=0 V entonces
V GS=V P=4 V

I D =I DSS

, la corriente de drenaje es de cero miliamperes, con lo

que se define otro punto sobre la curva de transferencia, esto es:

Cuando:

V GS=V P ,

I D =0 mA

Polarizacin de un JFET:
Este tipo de transistor se polariza de manera diferente al transistor bipolar. La terminal
de drenaje se polariza positivamente con respecto al terminal de fuente
compuerta se polariza negativamente con respecto a la fuente
A mayor voltaje

V DD

y la

V .

V , ms angosto es el canal y ms difcil para la corriente pasar

del terminal drenador (drain) al terminal fuente o source. La tensin

para la

que el canal queda cerrado se llama punch-off y es diferente para cada JFET.
El transistor de juntura bipolar es un dispositivo operado por corriente y requieren que
haya cambios en la corriente de base para producir cambios en la corriente de
colector. El JFET es controlado por tensin y los cambios en tensin de la compuerta a
fuente modifican la regin de rarefaccin y causan que vare el ancho del canal.
El transistor JFET, al igual que los BJT, se pueden polarizar de diversas maneras (ms
adelante se ver) para dar lugar a configuraciones de amplificadores de seal, sin
embargo no son las nicas aplicaciones, por ejemplificar algunas otras se tienen la
configuracin para formar osciladores, interruptores controlados, resistores
controlados, etc.

Polarizacin de un transistor JFET

MOSFET:
Es un transistor utilizado para amplificar o conmutar seales electrnicas. Es el
transistor ms utilizado en la industria microelectrnica, ya sea en circuitos analgicos
o digitales, aunque el transistor de unin bipolar fue mucho ms popular en otro
tiempo. Prcticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales estn
basados en transistores MOSFET.
El MOSFET es un dispositivo de cuatro terminales llamados surtidor (S), drenador (D),
compuerta (G) y sustrato (B). Sin embargo, el sustrato generalmente est conectado
internamente al terminal del surtidor, y por este motivo se pueden encontrar
dispositivos MOSFET de tres terminales.
Existen dos tipos de MOS: MOSFET de canal N o NMOS y MOSFET de canal P o
PMOS. A su vez estos transistores pueden ser de enriquecimiento y de
empobrecimiento

MOSFET DE EMPOBRECIMIENTO O DE TIPO DECREMENTAL:

Esta figura muestra la construccin bsica de un MOSFET de tipo decremental de
canal-n. El sustrato es la base sobre la que se construye el dispositivo y es de material
de silicio tipo p, las terminales D y S estn unidas al canal n por medio de regiones
dopadas-n; sin embargo la terminal G se encuentra aislada del canal-n por medio de
una capa delgada de dixido de silicio el cual acta como dielctrico, algunos
MOSFET ofrecen un cuarta terminal conectada al sustrato (etiquetada como SS en la
figura) lo que resulta en un transistor de 4 terminales, en algunos otros esta terminal
se
conecta
internamente
a
la
fuente.
El trmino decremental en el NMOS tipo decremental se debe al hecho de que al

aplicar un voltaje negativo (Vgs < 0) entre la compuerta (G) y la fuente (S), se obtiene
un respectivo decremento de los electrones de conduccin en el canal-n como
resultado de la repulsin de estos por la compuerta (polarizada negativa) y la atraccin
de huecos (+) desde el sustrato hasta el canal-n, hasta el punto en el que el voltaje
Vgs = -Vp (nivel de estrechamiento) momento en el cual la corriente de drenaje es
igual a cero (Id=0).

EL MOSFET DE ENRIQUECIMIENTO O DE TIPO INCREMENTAL:

Para el MOSFET de tipo incremental, la curva de transferencia no est definida por la
ecuacin de Shockley, y la corriente de drenaje permanece en corte (Id=0) hasta que
el voltaje compuerta-fuente positivo alcanza una magnitud especifica (Vt).La
construccin bsica del MOSFET de tipo incremental de canal-n se muestra en la
figura 7.15, obsrvese la ausencia del canal-n, que en el caso del MOSFET
decremental una las regiones dopadas-n de la fuente (S) y el drenaje (D), esta es la
principal diferencia en la construccin de ambos tipos de MOSFET.
El MOSFET incremental de canal-n en estado desenergizado, no cuenta propiamente
con un canal-n; sin embargo cuando este se polariza de tal manera que Vgs >0, los
huecos (+) del sustrato (S) sern repelidos hacia el extremo opuesto, formndose un
canal-n que unir las regiones dopadas-n del drenaje (D) y la fuente (S).

La grfica de caractersticas de transferencia del MOSFET tipo incremental de canal-n

se muestra en la figura, all se observa como la corriente de drenaje permanece igual a
cero (Id=0) hasta el momento en que el voltaje de compuerta fuente positivo alcanza
un nivel conocido como voltaje de umbral Vt, despus de este punto se sigue un
rpido incremento en la corriente de drenaje (Id) con el correspondiente avance de
Vgs hacia valores cada vez ms positivos, obsrvese tambin de la grfica que este
MOSFET opera nicamente en la regin incremental.

Para niveles de Vgs > Vt, la corriente del drenaje est relacionada con el voltaje
compuerta-fuente aplicado mediante la siguiente relacin no lineal:

I D =k (V GS V T )2
Donde: k es una constante que a su vez est en funcin de la fabricacin del
dispositivo, donde k se puede obtener de la derivada de la ecuacin anterior donde

ID
y

V GS

son los valores cualesquiera que definen en un punto de transferencia

V T es el voltaje thevenin.
k=

I D (incremento)
(V GS ( encendido )V T )2

La figura siguiente muestra los smbolos utilizados para representar MOSFET de tipo
incremental: