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En vue de lobtention du

Doctorat de luniversit de Toulouse


Dlivr par lInstitut National des Sciences Appliques - Toulouse
Ecole Doctorale : Gnie Electrique, Electronique, Tlcommunications
Discipline : Gnie Electrique

Prsente par

Dariga MEEKHUN

Ralisation d'un systme de conversion et de gestion de l'nergie


dun systme photovoltaque pour lalimentation des rseaux de
capteurs sans fil autonomes pour lapplication aronautique
Composition du jury
Prsident :

S. ASTIER

Rapporteurs :

F. COSTA
L. MARTINEZ - SALAMERO

Examinateur :

Y. LEMBEYE

Invits :

R. PLANA
G. BALANDRAU

Directeur de thse :

J. M. DILHAC

Co-directeur de thse :

V. BOITIER

A MES PARENTS, SOMMANA ET KRIANGSAK


A MES GRANDS PARENTS, JIN ET FOO
A MON EPOUX, GATAN
A MES BEAUX PARENTS, FRANOISE ET MICHEL
A MA SUR ET MON FRERE, BENJARAK ET KATAYUTH

SANS EXPRESSION POUR VOUS, VOTRE AMOUR EST FONDE DANS MON CUR

MERCI POUR TOUT

AVANT PROPOS

Le travail ralis dans ce manuscrit de thse sest droul dans lcole Doctorale
GEET. Il a t effectu dans le Laboratoire dAnalyse et dArchitecture des Systmes (LAAS)
du Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), dans le groupe Intgration de
Systmes de Gestion de lnergie (ISGE).
Je tiens, tout bord remercier M. Raja Chatila, directeur du LAAS, pour mavoir
permis deffectuer cette thse dans ce grand laboratoire. Je remercie galement Mme. Marise
Bafleur, responsable du group ISGE, de mavoir accueilli dans son quipe.
Je remercie M. Stphan Astier, professeur dINP de Toulouse et LEEI, pour mavoir
fait lhonneur de prsider le jury de thse. Je tiens adresser mes remerciements M.
Franois Costa, professeur de Paris XII et SATIE-ENS Cachan, et M. Luis MartinezSalamero, professeur de lUniversit Rovira i Virgili, pour avoir accept la tche de
rapporteurs, ainsi quun autre membre du jury : M. Yves Lembeye, professeur de lIUT1 et
G2ELab, pour ses commentaires sur la qualit de mes travaux. Je teins galement remercier
M. Robert Plana, professeur de UPS et LAAS ainsi que M. Gerald Balandrau, PDG de Datus
Sud-Ouest, pour avoir aimablement accept de prendre part au jury en tant quinvits.
Je tiens particulirement remercier M. Jean-Marie Dilhac, mon directeur de thse
pour mavoir propos un sujet de recherche passionnant et pour avoir su me guider pendant
mes annes passes au LAAS-CNRS. Ma plus grande reconnaissance va vers mon coencadrant, M. Vincent Boitier, pour son extrme gentillesse et amiti. La confiance quil ma
accorde et ses nombreux conseils tout au long de ce travail mont permis de travailler dans
les meilleures conditions possibles.
Je voudrais aussi remercier laide et la collaboration de Mme. Corinne Alonso, M.
Bruno Estibals et M. Stphane Petibon pour leurs conseils qui mont permis davancer
rapidement sur mes travaux. Je remercie aussi mes trois stagiaires : Grgory Blin, Hugo
Janin et Mathieu Tharreau pour le partage et lchange de nombreuses ides durant leur stage.

Je tiens galement saluer M. Danial Medale, M. Patrick Marcoul, M. Cyril Lahore,


M. Lionel Sguier, et M. Franck Lacourrge pour mavoir aid lors de la fabrication des
cartes lectroniques et davoir t disponibles quand javais besoin daide en urgence.
Mes remerciements vont aussi lensemble de mes camarades : David, Laurent,
Romaric, Emmanuel, Jean-Franois, Olivier, Youssef, Carlos, Cdric, Romain, Elias, Aloa,
Adan, Nicolas, Hussein, Hakim, Adnan, Emelie, Aude, Houda et Ayad, mais aussi les
anciens : Yann, Loc, Batrice, Mai, Yuan et tous ceux que je nai pas cit.
Je noublie pas bien sr mes amis Thalandais : PNet, PCha, PMai, PAe, PTan,
PAey, PPey, PMint, PPear, PJane, PDen, PChin, A, Jar, Boy, Pum, Tee, Ake, View,
Meaw, Sing, Prea, Vee, Chol, Kra, Phom, Nann, Sun, Aod, Chad, Nueng, Fon et tous les
autres.
Merci toutes les personnes que je nai pas cites et qui ont de prs ou de loin
particip la ralisation de ce travail. Merci pour leur sympathie et simplement pour le plaisir
que jai eu les ctoyer quotidiennement.

Table des matires

SOMMAIRE
I Introduction Gnrale ....................................................................................................... 11
I.1

I.2

I.3

I.4

Contexte de ltude .................................................................................................... 13


I.1.1

Organisation du projet SACER........................................................................... 13

I.1.2

Objectifs techniques gnraux ............................................................................ 13

I.1.3

Cahier des charges nergie ............................................................................ 15

Les rseaux de capteurs sans fil ................................................................................. 15


I.2.1

Gnralits .......................................................................................................... 16

I.2.2

Verrous technologiques....................................................................................... 17

I.2.2.1

Lnergie.................................................................................................... 17

I.2.2.2

La mesure .................................................................................................. 17

I.2.2.3

Les communications .................................................................................. 18

I.2.2.4

Le routage .................................................................................................. 18

I.2.2.5

Les protocoles............................................................................................ 19

I.2.2.6

Gestion des donnes .................................................................................. 19

I.2.3

Retour sur la question de lnergie ..................................................................... 19

I.2.4

Applications aronautiques des rseaux de capteurs .......................................... 21

nergie solaire et contexte aronautique : ................................................................. 22


I.3.1

Pourquoi le solaire ?............................................................................................ 22

I.3.2

Installation de cellules solaires sur avion :.......................................................... 23

Perspectives ouvertes pour la suite de notre tude..................................................... 27

II Rcupration dnergie..................................................................................................... 29
II.1 Introduction : Quelle alimentation pour le rseau de capteur sans fils? .................... 31
II.2 tat de lart sur le photovoltaque .............................................................................. 33
II.2.1 Principe de la conversion photovoltaque ........................................................... 33
II.2.1.1

Effet photolectrique et jonction PN ......................................................... 33

Table des matires

II.2.1.2

Modlisation simple d'une cellule photovoltaque .................................... 34

II.2.1.3

Proprits du panneau photovoltaque en gnrateur ................................ 36

II.2.1.4

Influence de lclairement et de la temprature......................................... 39

II.2.1.5

Rendement de conversion des cellules photovoltaque ............................. 42

II.2.1.6

Facteurs affectant le rendement ................................................................. 43

II.2.2 Gisement solaire.................................................................................................. 46


II.3 Etude des cellules photovoltaque diffrents tempratures et irradiations .............. 49
II.3.1 Les diffrents technologies de panneaux solaires tests ..................................... 50
II.3.2 Conception de lenvironnement de test des cellules ........................................... 51
II.3.2.1

Systme de caractrisation des panneaux .................................................. 52

II.3.2.2

Ralisation dun systme dclairage artificiel.......................................... 55

II.3.3 Etude diffrentes tempratures sous clairage artificiel................................... 59


II.3.4 Etude diffrentes irradiation sous clairage artificiel....................................... 61
II.3.5 Etude diffrents irradiation sous lclairage naturel ........................................ 62
II.3.6 Dimensionnement de la surface ncessaire......................................................... 66
II.3.7 Choix dune technologie ..................................................................................... 68
II.4 Modlisation des gnrateurs photovoltaques .......................................................... 68
II.4.1 Modlisation du gnrateurs photovoltaques..................................................... 69
II.5 Conclusion du chapitre............................................................................................... 73
III - Stockage dnergie ............................................................................................................ 75
III.1 tat de lart sur le stockage dnergie ........................................................................ 77
III.1.1 Contexte et problmatique .................................................................................. 77
III.1.2 Type de technologie de stockage dnergie ........................................................ 77
III.2 Etude des systmes de stockage dnergie diffrents tempratures ........................ 79
III.2.1 Etude de linfluence de la temprature sur laccumulateur Ni-MH.................... 80
III.2.2 Etude de linfluence de la temprature sur les supercondensateurs.................... 87

Table des matires

III.2.2.1 Supercondensateur fin de chez OptiXtal ................................................... 88


III.2.2.2 Supercondensateur BCAP00050 de chez Maxwell ................................... 90
III.2.2.3 Supercondensateur PC10 de chez Maxwell............................................... 92
III.2.3 Choix du systme de stockage dnergie ............................................................ 94
III.3 Modlisation des supercondensateurs ........................................................................ 95
III.3.1 Modle une branche ......................................................................................... 96
III.3.1.1 Identification des paramtres du modle ................................................... 98
III.3.2 Rsultats .............................................................................................................. 99
III.3.3 Validation exprimentale .................................................................................. 102
III.3.4 Dimensionnement des supercondensateurs....................................................... 103
III.4 Conclusion du chapitre............................................................................................. 104
IV - Gestion de lnergie ........................................................................................................ 107
IV.1 Architecture des systmes existants ......................................................................... 109
IV.1.1 Contexte et problmatique ................................................................................ 109
IV.1.2 Architecture classique de diffrentes chanes de conversion photovoltaque... 110
IV.1.2.1 Connexion directe entre le panneau photovoltaque et la charge ............ 110
IV.1.2.2 Connexion entre le panneau photovoltaque et la charge vie un tage
dadaptation.............................................................................................................. 111
IV.1.3 Etat de lart des systmes de gestion de lnergie pour lalimentation des rseaux
de capteurs sans fils autonomes .................................................................................... 116
IV.1.4 Association entre la source, le stockage dnergie et la charge pour notre
application..................................................................................................................... 125
IV.2 Architecture propose .............................................................................................. 126
IV.2.1 Etude dun convertisseur utilis comme tage dadaptation............................. 126
IV.2.2 Mis en place des commandes MPPT ................................................................ 131
IV.2.2.1 Commande MPPT base sur la fraction de VCO ...................................... 132
IV.2.2.2 Structure du programme de la commande Hill climbling ................. 141

Table des matires

IV.2.3 Etage de sortie rgul en tension....................................................................... 146


IV.2.4 Validation exprimentale .................................................................................. 151
IV.2.5 Etude de linfluence de la temprature sur larchitecture ................................. 156
IV.3 Modlisation de larchitecture.................................................................................. 159
IV.3.1 Modle de larchitecture ................................................................................... 159
IV.3.2 Rsultats et validation exprimentale ............................................................... 162
IV.4 Conclusion du chapitre............................................................................................. 163
V Conclusion et perspectives ............................................................................................. 165
VI - Bibliographie................................................................................................................... 171
VII - Annexes ...................................................................................................................... 179

10

INTRODUCTION GENERALE

Chapitre I Introduction gnrale

I.1
I.1.1

Contexte de ltude
Organisation du projet SACER
Le travail prsent ici a t ralis dans le cadre du projet de recherche SACER

(Systme Autonome Communicant Embarqu en Rseau). Il sagit dun projet du Ple de


Comptitivit Mondial Aerospace Valley financ par le Fonds Unique Interministriel et
OSEO. Le porteur du projet est la socit Datus Sud-Ouest. Les partenaires sont Airbus, Cril
Technology, Delta Technologies Sud-Ouest, Epsilon Ingenierie, Intespace et le LAAS-CNRS.
Lobjectif est de dvelopper un systme autonome multicapteur par rseau sans fil
pour acqurir des donnes physiques (ex. temprature, pression, vibration), faire (sic) des
traitements locaux, les mmoriser et les transmettre de faon scurise au systme matre .
Il est prvu de dvelopper un prototype oprationnel pour valider les concepts du
systme SACER et tester les technologies proposes. Le projet a dmarr en 2007 pour une
dure de quatre ans. Le domaine dapplication est double : il sagit dinstrumenter dune part
(Intespace) des satellites dans le cadre de tests dans des simulateurs despace , et dautre
part (Airbus) des avions lors dessais en vol. Notre travail se place dans ce dernier cadre.
I.1.2

Objectifs techniques gnraux


Dans le volet aronautique du projet SACER, le cahier des charges porte sur

linstrumentation de surfaces arodynamiques pour relever en temps rel les pressions dair.
De nombreux capteurs de pression seraient ainsi rassembls dans une structure appele
pressure belt fixe lextrieur de lavion. Seraient associs ces capteurs des lments de
communication radio, ainsi que des sources locales dnergie. Les mesures de pression,
synchronises et dates, seraient insres dans des trames radio et transmises vers un point de
collecte situ dans la cabine de lavion (voir figure).

13

Chapitre I Introduction gnrale

Figure I- 1 : Architecture physique de principe.

De tels systmes de mesure sont dj employs par la socit Airbus. La justification


de ltude mene dans SACER rside dans les gains attendus par lutilisation dune
instrumentation sans fil : facilit et rapidit dinstallation, absence douvertures amnager
dans la structure (percement de trous, enlvement de rivets), absence de fils coller en
surface pour atteindre les ouvertures ci-dessus, gain en termes de complexit. On notera dans
ce contexte que si un Airbus A380 embarque dj 500 km de cblages divers, 300 km
supplmentaires sont rajouts, dans des conditions parfois difficiles, pour les avions de cette
famille destins aux essais en vol.
La photographie de la figure I- 2 prsente un Airbus A400M (avion de transport
militaire, premier vol effectu en dcembre 2009) en configuration essais en vol. On
remarquera sur la drive verticale fixe, ainsi que sur le gouvernail mobile de lempennage en
T de cet avion, des bandes claires. Il sagit de pressure belts traditionnelles . En effet on
remarquera de fines lignes claires reliant ces bandes des ouvertures permettant au cblage de
pntrer lintrieur de la structure de lavion. Ces lignes peuvent tre relativement longues
dans le cas du gouvernail puisquil sagit l datteindre la partie verticale fixe de
lempennage.

14

Chapitre I Introduction gnrale

Figure I- 2 : A400M dessais en vol. A noter linstrumentation provisoire de la drive, Airbus


Military 2009_A400M first flight, photo by A. Doumenjou / Exm Company.

I.1.3

Cahier des charges nergie


Linstrumentation devant tre sans fil, les systmes dploys doivent tre autonomes

nergtiquement parlant. Deux solutions sont possibles : soit le systme incorpore des sources
dnergie internes (de type batteries), soit il capture de lnergie dans lenvironnement de
lavion.
Quelle que soit la solution retenue les deux contraintes essentielles de notre cahier des
charges sont les suivantes :
- contraintes mcaniques : paisseur maximale du systme nergie de 3,2
mm (pour ne pas perturber les coulements arodynamiques et fausser la mesure des
capteurs), le systme devant tre fix lextrieur de lavion, de plus le systme doit
pouvoir sadapter des profils mcaniques non plans,
-

contraintes lectriques : fournir 3 W avec, dans le cas o loption

rcupration dnergie serait retenue, 30 s dautonomie en cas dintermittence de


la source nergtique primaire.
I.2

Les rseaux de capteurs sans fil


Notre projet se situe clairement dans le contexte des rseaux de capteurs sans fil. Il

nous a donc sembl judicieux, avant de dvelopper plus avant nos travaux, de nous placer
dans une perspective plus gnrale dun triple point de vue : architectural, nergtique, et
aronautique. Les spcificits et les limites demploi de notre dmarche apparatront ainsi
plus clairement.

15

Chapitre I Introduction gnrale

I.2.1

Gnralits
Les rseaux de capteurs sans fil (Wireless Sensor Networks WSN) constituent une

technologie dj ancienne (opration Igloo White de 1968 1973 pendant la guerre du Viet
Nam) et ce sont les progrs de la microlectronique (densit dintgration, consommation
nergtique, notion de MEMS - Micro Electro Mechanical Systems) qui ont fait depuis un
peu plus dune dizaine dannes (projets Smart Matter ou Smart Dust du laboratoire CITRIS
de lUniversit de Berkeley) des rseaux de capteurs sans fil un thme de recherche et
dveloppement largement partag.
Il est en effet devenu envisageable dintgrer dans un unique objet de taille
centimtrique ou millimtrique des fonctions de mesure, de traitement du signal,
communication, de gestion de lnergie, et ventuellement de go-localisation. Un ou des
actionneurs sont galement prsents dans le cas de robots. Le champ des applications sen est
ainsi potentiellement trouv tendu des domaines trs divers comme, par exemple, la
domotique, le mdical, les transports, linvestigation de sites de catastrophes naturelles ou
industrielles, les tudes de migrations animales, lcologie sans compter les applications
militaires dinstrumentation de terrain entre autres. Comme dj dit, cest lintgration
pousse des nuds des rseaux sans fil qui a permis denvisager ces applications car elle
rduit les cots de fabrication, permet la mise en place de rseaux incorporant un grand
nombre de nuds, tolre ainsi les dfaillances individuelles (redondance globale), et autorise
la notion de capteurs abandonns.
Les enjeux sont ainsi vidents et doubles : pour les laboratoires, il sagit de travailler
sur les verrous (voir plus bas), et pour les entreprises didentifier temps les champs
dapplication les concernant, et corrlativement de fournir des spcifications fonctionnelles
appropries aux laboratoires de recherche.
Les verrous sont bien sr dordre technologique, mais autant le rappeler, galement
dordre applicatif. Pour une entreprise, il nous semble quil est encore souvent difficile
aujourdhui didentifier, dans le cadre dun modle conomique viable, une application
pouvant rellement tirer bnfice du dploiement dun rseau de capteurs sans fil fortement
intgrs. Il est toutefois certain que ces domaines applicatifs vont merger, et leur
identification est mener dans le cadre dune veille technologique attentive.

16

Chapitre I Introduction gnrale

Les verrous technologiques sont dcliner en regard des diffrents niveaux


fonctionnels des nuds ; nous tentons de nous livrer cet exercice ci-dessous, tant entendu
que nous ignorerons les couches logicielles applicatives. Les verrous tiennent pour lessentiel
la faible taille du nud et impliquent autonomie nergtique, capacits de mesure, de
traitement du signal, et de mmorisation limites, ainsi que des portes et des dbits de
communication rduits.
I.2.2

Verrous technologiques

I.2.2.1

Lnergie

Lnergie constitue sans doute le paramtre pivot autour duquel sera men le
dimensionnement des autres fonctions, au moins dans le cas o une prennit fonctionnelle
minimale est recherche. Dun point de vue pratique, des sources nergtiques chimiques
(batteries, ventuellement rechargeables par capture de lnergie ambiante voir plus loin)
peuvent dans bien des cas constituer une solution. Toutefois, des considrations lies la
scurit (feu, explosion), la temprature dutilisation (hautes ou basses), la pollution
chimique (capteurs abandonns) ou enfin des dures de vie trs longues (et donc la
contrainte du remplacement), peuvent liminer celles-ci du champ des possibles. Il faut alors
avoir recours la rcupration de lnergie ambiante par capture de flux dnergie : optique
(solaire), mcanique (vibrations, bruit, variations de pressions), lectromagntique (bruit de
fonds ou rayonnement dirig, induction), thermique (gradients) Le dfi rside ici tout
dabord dans la conception dun transducteur dnergie efficace (rendement, robustesse,
isotropie vis--vis du flux intercepter) avec sous-jacente la contrainte intrinsque suivante :
plus le nud sera petit, plus faible sera la quantit dnergie capturable. Lutilisation
immdiate de cette nergie tant par ailleurs peu probable, un stockage transitoire est
obligatoire, par lintermdiaire de batteries rechargeables lorsque cela sera possible, sinon par
le biais en gnral de supercondensateurs. Pour des motifs dvelopps plus loin, la quantit
dnergie stocke devra parfois tre connue en temps rel, et son utilisation contrle par le
biais dun gestionnaire sans doute logiciel.
I.2.2.2

La mesure

La mesure implique la conception de capteurs spcifiques adapts lusage particulier


qui est envisag ici : au-del dune vidente faible consommation nergtique en mode actif,
le capteur tant susceptible dtre rveill priodiquement, devra prsenter de courts

17

Chapitre I Introduction gnrale

transitoires de mise en fonctionnement et dextinction. Dans la mesure du possible il devra


permettre la mesure de multiples paramtres (pour un acclromtre par exemple : vitesses de
rotation, vibrations anormales, chocs) pour viter la multiplication des chanes de mesure.
Enfin, dans lidal, il devrait trouver dans la grandeur mesurer lnergie ncessaire son
propre fonctionnement, voire participer au rechargement des units de stockage.
I.2.2.3

Les communications

Les communications sans fil constituent potentiellement un poste nergtique


essentiel. Certaines applications peuvent toutefois se contenter de transmettre linformation en
diffr, en rponse une sollicitation externe, ventuellement courte distance. La
technologie RFID est alors toute indique. Dans le cas o la transmission est faire en temps
rel et longue distance, la petite taille des nuds impliquera une antenne de petite
dimension, et donc une porteuse trs haute frquence, soit une onde dont la propagation sera
grandement affecte par les obstacles. Du point de vue de lnergie, il sera donc tentant de
considrer la mise en place dantennes anisotropes, reconfigurables et balayage numrique,
dun contrle de puissance lmission, ainsi que lutilisation des nuds comme relais
intermdiaires, cette solution sauvegardant lnergie tant au point de vue des nuds
individuels concerns que du rseau dans sa totalit. La taille des trames devra tre limite au
strict ncessaire, les dbits transmettre devront rester limits, et une procdure MAC
(Medium Access Control) efficace (du point de vue de lnergie) implmente. A priori, le
niveau des rserves en nergie devra tre compatible, en dbut de transmission, avec la
conduite son terme dune squence du protocole, pour ne pas dissiper inutilement lnergie.
I.2.2.4

Le routage

Le routage enfin, dans le cas o le point de collecte de linformation nest pas


directement accessible par lensemble des nuds, ne peut pas tre conu sans tenir compte
des spcificits dun rseau de capteurs sans fil. Il devra, par exemple, prendre en compte la
ncessaire agrgation des donnes pour viter la remonte dinformations trop redondantes,
les rserves nergtiques des nuds relais sollicits, lvolution de la topologie du rseau (soit
parce que les nuds sont mobiles, soit du fait de dfaillances transitoires ou dfinitives). Il
devra viter de trop solliciter les nuds voisins du point de collecte, par dfinition portes
dentres de celui-ci. Plus globalement, ce processus de routage sera installer dans un rseau
qui aura parfois sauto-organiser (cas dun dploiement physique alatoire des nuds) et

18

Chapitre I Introduction gnrale

devra sans doute intgrer une fonction de scurit dans le cas o les nuds possdent la
fonction de relais radio, et constituent donc autant de points dentre dans le rseau rendu
ainsi vulnrable.
I.2.2.5

Les protocoles

Les protocoles permettront la gestion efficace des nuds. Ces rseaux de capteurs
reposeront sur des entits aux capacits htrognes. Cette gestion multi-systmes (capteurs,
bornes fixes, ...) devra reposer sur des protocoles capables de communiquer entre lments de
manire efficace nergtiquement, mais aussi capables de tenir compte de systmes fixes
(bornes, points d'accs,...) de manire transparente. Ces protocoles devront aussi permettre
une adaptation ractive en fonction de l'environnement, permettant de faire transiter les
desiderata des consommateurs d'informations vers les capteurs, ou de configurer l'agrgation
des donnes en fonction des besoins.
I.2.2.6

Gestion des donnes

La gestion des donnes permettra une utilisation efficace et prenne des donnes. La
gestion des donnes doit tre efficace pour n'utiliser que les donnes importantes (une
temprature en dessous d'un certain seuil n'a pas forcment tre diffuse et donc
consommer de l'nergie) ou choisir les donnes prtraiter (choisir la prcision en nombre
de bits des donnes communiquer, par exemple) ou fusionner (on peut utiliser les nuds
de transfert pour fusionner des donnes qu'on moyennera par la suite). De plus, la gestion des
donnes doit tre prenne tout en tenant compte de la problmatique de la gestion d'nergie.
Cette gestion de donnes doit donc particulirement tenir compte de l'htrognit et
dterminer la capacit de gestion de donnes des nuds en fonction de leurs capacits
nergtique et de calcul.
I.2.3

Retour sur la question de lnergie


La contrainte du sans fil sappliquant aussi bien la transmission des donnes qu

celle de lnergie, les nuds dun rseau de capteurs sans fil doivent galement tre
autonomes nergtiquement, une partie des bnfices du sans fil tant perdue dans le cas
dune connexion filaire, mme courte porte, une source dnergie. On peut considrer
que cette contrainte a, dans une certaine mesure, limit le dveloppement de ces rseaux.

19

Chapitre I Introduction gnrale

La solution cette contrainte peut tout fait passer par lutilisation dune source
interne dont les plus classiques sont les batteries, rechargeables ou non. Elles offrent une forte
densit nergtique (seulement dpasse par les piles combustible si lon reste dans le
domaine des sources chimiques). Malheureusement, les progrs en termes de densit
nergtique ont t bien plus lents que dans dautres domaines de llectronique (telles les
performances des circuits intgrs). Ainsi, la part relative en taille et poids de la batterie dans
un systme miniaturis autonome na cess daugmenter. Paradoxalement (malgr ces lents
progrs), la densit dnergie atteinte se situe dans la dcade des explosifs : 0,7 kJ/g pour une
batterie lithium ion, 4,6 kJ/g pour le TNT. Ainsi est souleve la question de la scurit lors de
courts-circuits internes ou externes. Dautres points ne peuvent pas tre ignors, telles les
atteintes lenvironnement dans le cas de rseaux de capteurs abandonns (lost sensors), le
cot du remplacement des batteries non rechargeables pour les rseaux prennes, ou a
contrario limpossibilit physique daccder aux nuds du rseau (et donc de changer les
batteries) dans certains cas.
Heureusement, les batteries non rechargeables peuvent tre limines grce au concept
de capture de lnergie ambiante qui au moins dans son principe permet denvisager une
autonomie illimite. Lnergie environnementale peut tre capture au fil de leau (energy
harvesting) si elle est plus ou moins constamment prsente, ou de manire opportuniste
(energy scavenging) si elle est intermittente. Dans tous les cas la ressource est souvent limite
et lnergie est un paramtre dimensionnant du rseau de capteurs, domaine actuellement
source de nombreuses innovations. A noter que si le terme nergie est employ ici, la notion
de densit de puissance disponible est souvent plus approprie pour dimensionner un systme.
Lnergie est donc alors capture par un transducteur dont le concept doit maximiser
le transfert dnergie, puis est ensuite souvent stocke pour tre finalement utilise grce des
convertisseurs qui vont alimenter les circuits chargs des diffrentes fonctions assures par le
nud du rseau de capteurs. Dans cette deuxime tape, cest le rendement de conversion qui
doit tre privilgi. Le stockage mentionn plus haut est ncessaire dans le cas de sources
dnergie primaire intermittentes, ou lorsque des appels de puissance importants sont gnrs
lors de lactivation de certaines fonctions. Le stockage peut tre assur par des batteries
rechargeables ou des supercondensateurs. Les batteries rechargeables souffrent de certains des
dfauts dj prsents plus haut propos des batteries, avec la contrainte supplmentaire de
ncessiter

des

circuits

spcifiques

pour

20

grer

efficacement

leur

charge.

Les

Chapitre I Introduction gnrale

supercondensateurs pour leur part, sont plus robustes vis vis de la temprature, possdent
une dure de vie plus longue, ne soulvent pas de problmes lourds vis vis de
lenvironnement ou de la scurit, et prsentent des courants dauto dcharge faibles.
Toutefois la tension leurs bornes dpend de leur tat de charge et implique donc en aval la
prsence dun rgulateur de tension.
I.2.4

Applications aronautiques des rseaux de capteurs


Les rseaux de capteurs sans fil sont candidats des applications trs diverses bord

des avions de transport commerciaux :


-

essais en vol,

services au passager (in-flight Entertainment, accs Internet),

logistique (recensement automatique dquipements de bord tels que les gilets de


sauvetage, les galleys),

contrle actif de flux par incorporation de micro capteurs et micro actionneurs sur
certaines surfaces arodynamiques,

suivi en continu de vieillissement (Structural Health monitoring SHM).


Toutefois, quelle que soit lapplication, la conception de ces rseaux embarqus sur

avion doit prendre en compte un substrat dexigences commun :


-

le remplacement ventuel de centaines ou milliers de piles semble pratiquement et


conomiquement inenvisageable, ce seul aspect impliquant lautonomie nergtique des
nuds du rseau,

pour des raisons similaires, la dure de vie de ces systmes doit tre de lordre de celle
des avions (au-del de dix ans),

certains rseaux seront dploys en environnement svre (tempratures de 500C


prs des racteurs, -60 C en zone non pressurise chocs, changements de pression,
radiations, humidit, gel),

est requise la compatibilit avec la rgulation des transmissions radio, ainsi que le
respect des normes portant sur la compatibilit lectromagntique (EMC, EMI) le
foudroiement et les dcharges lectrostatiques (ESD),

21

Chapitre I Introduction gnrale

de mme est ncessaire le respect de diverses normes de certification, telles D0254 and
D0178B, et de protection de lenvironnement, telles RoHS and REACH,

la gestion de lobsolescence, et laptitude ventuelle au recyclage en fin de vie ne


peuvent pas tre ignores,

et enfin sont indispensables tolrance aux fautes, et garanties vis vis de la scurit et
de la sret.
Il est remarquer que parmi les applications envisages plus haut, celle concernant le

SHM est parmi les plus attendues. En effet, si pendant les dernires dcennies, laronautique
a t un des moteurs de lconomie, le SHM est un des passages obligs pour dcrotre les
cots de maintenance dans un contexte o le prix des carburants met une hypothque lourde
sur le futur de lvolution du trafic arien.

nergie solaire et contexte aronautique :

I.3
I.3.1

Pourquoi le solaire ?
Dans les chapitres suivants, il sera dmontr que lutilisation de batteries (mme

limite des batteries rechargeables) la temprature typiquement rencontre haute altitude


par un avion de la gamme Airbus, est inenvisageable. Il est alors ncessaire davoir recours
la capture de lnergie ambiante comme expliqu ci-dessus. Parmi les sources possibles, dans
la mesure o notre cahier des charges nous permet de nenvisager que les vols de jour, nous
avons choisi dutiliser lnergie photovoltaque. En effet, et pour des environnements
habituels , cest elle qui offre la plus forte densit surfacique (figure I- 3): jusqu 5 30
mW lectriques par cm2, en fonction du rendement de la cellule solaire.
Dans le paragraphe qui suit, nous allons donc faire un rapide point de lutilisation de
panneaux solaires sur avions. Pour cela, nous utiliserons largement les donnes collationnes
dans la thse de doctorat dAndr Noth [1], Design of Solar Powered Planes for Continuous
Flight .

22

Chapitre I Introduction gnrale

Figure I- 3 : Evaluation de quelques puissances capturables sur avion Boeing.

I.3.2

Installation de cellules solaires sur avion :


Lutilisation de lnergie solaire pour propulser un avion est actuellement un sujet

dactualit avec le projet Solar Impulse, qui a comme objectif de faire effectuer un tour du
monde sans escale un avion solaire pilot. Solar Impulse a effectu son premier vol le 7
avril 2010.

Figure I- 4 : Solar Impulse (image de synthse) SolarImpulse.

Andr Noth a lui conu, fabriqu et fait voler un avion sans pilote, le Sky-Sailor (3,3
m denverugure), destin des vols de plus de 24 heures, et ne tirant son nergie que de
lnergie solaire. Une partie du surplus dnergie capture de jour est stocke pour le vol de
nuit, la fois sous forme lectrochimique, par lintermdiaire de batteries, et sous forme
dnergie mcanique potentielle, en faisant prendre de jour de laltitude lavion.
Contrairement notre tude, les altitudes envisages nimposent pas de trop basses
tempratures, incompatibles avec un rendement acceptable des batteries rechargeables.

23

Chapitre I Introduction gnrale

Figure I- 5 : Sky-Sailor en vol [1]

Lnergie solaire est-elle toutefois dun usage si simple ? Rappelons tout dabord
quune cellule solaire convertit un flux de photons en charges lectriques et ventuellement en
courant, par lintermdiaire de la cration de paires lectrons-trous dans la zone de transition
dune jonction PN semi-conductrice. Une description plus dtaille de ce principe est donne
plus loin dans ce document. Cest une source dnergie longue dure de vie ne ncessitant
pas de maintenance autre quun nettoyage ventuel.
Hors de latmosphre (rfrence spectrale dite AM0 Air Mass Zero), le flux de
puissance du rayonnement solaire direct est de 1 353W/m2. Au niveau de la mer (AM1.5) il
nest plus que de 1 000 W/m2. Une partie du rayonnement solaire est par ailleurs rflchie par
la surface de la terre et dpend de lalbedo local (rapport de lnergie rflchie lnergie
incidente) : celui-ci varie de 80% pour la neige, 5-30 % pour lherbe.
Malheureusement, toute cette nergie optique nest pas convertible en nergie
lectrique : en laboratoire, les meilleurs rendements de conversion atteints par des cellules
solaires (multicouches en loccurrence) ne dpassent pas 40%.
Lirradiation dpend de plus dans notre cas - de la situation gographique de lavion,
de lheure, de la date, des conditions mtorologiques, de lassiette de lavion et de la
localisation du panneau de cellules sur lavion. A titre dillustration, on trouvera figure I-6 le
modle dirradiance utilis dans [1]: on constate la trs grande dpendance vis vis de
lheure. La figure I- 7 complte la prcdente en prcisant, pour la ville de Lausanne,
lvolution annuelle de lirradiance max Imax et de la dure du jour Tday. La ncessit de
croiser prcisment ces donnes avec un cahier des charges prcisant la puissance requise par
la charge simpose clairement.

24

Chapitre I Introduction gnrale

Figure I- 6 : Deux modles [1] de lirradiance en fonction de lheure. Le modle de Duffie et Beckman
correspond la rfrence [2].

Figure I- 7 : Evolution de Imax et de la dure du jour Tday pour la ville de Lausanne [1].

Le profil de llment mcanique sur lequel est plac le dispositif est galement
susceptible dinfluence grandement la puissance disponible, notamment en dbut et fin de
journe (faible lvation du soleil) et pour des positionnement prs du bord dattaque de laile
par exemple (figure I- 8) ; au-del de lirradiance rduite, celle-ci sera de plus non-uniforme
la surface du panneau, soulevant la question de lefficacit de la poursuite du point de
puissance maximum (voir chapitre suivant). Une question identique se pose dans le cas dune
ombre porte permanente sur une partie du panneau (voir sur la figure I- 2, lombre du plan
horizontal de la drive sur les lments de test fixs sur le plan vertical).

25

Chapitre I Introduction gnrale

Figure I- 8 : Effet sur lirradiance du profil mcanique du support, dans une configuration du type de
celle rencontre dans notre tude.

Une contrainte spcifique notre tude concerne laltitude laquelle les essais en vol
sont susceptibles davoir lieu. Les altitudes maximum atteintes par les avions de la gamme
Airbus correspondent tout dabord des niveaux de pression statique faibles par rapport au
niveau de la mer, impliquant un montage mcanique permettant lquilibrage des pressions.
Ce sont ensuite des tempratures trs basses qui sont rencontres, imposant elles aussi
quelques prcautions dordre mcanique, mais surtout impactant considrablement tous les
processus physico-chimiques, en particulier ceux mis en jeu dans les batteries et les
supercondensateurs. Ce dernier point explique donc la ncessit dune bonne part des travaux
de caractrisation prsents dans les prochains chapitres.

26

Chapitre I Introduction gnrale

Altitude (km)

Pression (hPa)

Temprature (C)

1013

15

0,5

955

12

900

8,5

1,5

845

5,5

794

2,5

746

-1

700

-4,5

3,5

658

-7,5

617

-11

541

-17,5

471

-24

411

-30,5

357

-37

307

-43,5

10

265

-50

11

227

-56,5*

12

194

-56,5*

Figure I- 9 : Atmosphre normalise de lOACI (Organisation de lAviation Civile Internationale).


*

I.4

franchissement de la tropopause et inversion du gradient.

Perspectives ouvertes pour la suite de notre tude


De ce qui prcde, il ressort que les contraintes de mise en uvre qui sont les ntres

imposent une caractrisation pralable fine, en particulier vis vis de la temprature, des
composants prsents dans la chane de gestion de lnergie. Celle-ci doit tre conue et
dimensionne spcifiquement pour lapplication essais en vol qui est la ntre. Cette
dmarche va tre dveloppe dans les chapitres suivants.

27

II

RECUPERATION DENERGIE

Chapitre II Rcupration dnergie

Introduction : Quelle alimentation pour le rseau de capteur sans

II.1

fils?
Pour des mesures de pressions arodynamiques (voir chapitre I), la socit Airbus
utilise des systmes complexes, notamment cause de leur nature filaire. Pour rduire les
temps dinstallation notamment, une solution sans fil est recherche. Lexpression Sans
fils implique pour un rseau de capteurs une transmission de linformation sans fils mais
aussi une alimentation lectrique du systme sans fils. Cest la finalit de ce travail de thse.
Diffrentes solutions sont envisageables pour alimenter un systme complet de
mesure: une alimentation filaire, une alimentation par pile ou batterie, ou enfin avec un
systme de rcupration de lnergie ambiante. La solution filaire est actuellement utilise
lors des campagnes dessais mene par Airbus. Des rivets sont enlevs pour permettre le
passage des fils travers laile de lavion. Ces fils (ou des tubes pour les mesures de pression)
permettent la collecte des mesures et apportent lnergie fournie par le rseau de bord de
lavion.
Dans notre cas, le systme devant tre autonome, la solution filaire a t carte
demble.
La solution avec une pile ou un accumulateur de capacit suffisante dispos le long
dun longeron lintrieur de laile a t aussi envisag mais elle ncessite denlever un rivet
pour faire passer les fils dalimentation reliant la batterie au systme de mesure. Le systme
perd alors beaucoup de son intrt en termes de facilit dimplmentation. De plus, cette
solution avec batterie pose de srieux problmes (positionnement un endroit autoris, risque
dincendie, pose, dpose de la batterie).
Il est donc ncessaire dutiliser un systme de rcupration de lnergie ambiante.
Plusieurs technologies sont disponibles partir des diverses sources dnergie disponibles. On
pourra chercher utiliser les gradients thermiques, les vibrations ou enfin le rayonnement
lumineux [3-5].
Une de ces sources dnergie convient-elle notre application compte tenu du cahier
des charges exigeant (3,2 mm dpaisseur).

31

Chapitre II Rcupration dnergie

Gradients thermiques
Comme le montrent les rsultats prsentes dans [6], on peut imaginer un systme
utilisant les forts gradients thermiques (de 40 70C) induits par les montes et les descentes
entre lair extrieur et leau contenue dans une enceinte intrieure dont la temprature varie
moins vite que lair extrieur (notamment grce aux changements de phases de leau). Un tel
systme permettrait de rcuprer une certaine quantit dnergie. Les auteurs montrent
quavec un volume deau de 12 ml (8 cm x 8 cm x 2 mm) et sur un vol dune heure, on peut
rcuprer 34 joules avec un module Peltier fonctionnant en thermo gnrateur de 0,5 mm
dpaisseur (2,7 mm x 2,7 mm pour ces autres dimensions). Il est ncessaire dobliger le flux
thermique passer travers le module Peltier, ce qui oblige placer des isolants thermiques
autour du volume deau lexception de lendroit o est le module de microPelt.
Mme si cette solution technique peut convenir pour un systme de mesure enfoui
dans une aile, peu consommateur en nergie et disposant dun volume notable, elle nest pas
convenable pour notre application : la puissance fournir en continu (3W) est beaucoup trop
importante, il faudrait par heure 3Wh soit 11kJ et non 34 J !
Vibrations
Il est envisageable de rcuprer les vibrations provoques par les moteurs ou par les
effets arodynamiques. Les donnes fournies par Airbus (acclrations entre 0,001 ms-2 et 0,5
ms-2 des frquences entre 10 et 50 Hz pour le fondamental [7]) montrent que les niveaux de
vibrations au niveau des ailes sont trop faibles pour convenir notre application ; ainsi dans la
publication cite prcdemment, les auteurs montrent que pour une masse sismique de 2g, les
puissances lectriques rcupres restent au maximum de lordre du dixime de mW.
Une autre solution plus long terme est envisage : crer localement une perturbation
arodynamique en rajoutant par exemple une petite excroissance la surface du glove pour
perturber les filets dair et gnrer ainsi une vibration acoustique suffisante pour fournir grce
un ou plusieurs capteurs acoustiques la puissance requise. Cette approche na pas t
poursuivie dans le cadre de notre travail ; en effet une des finalits de ce projet reste de
mesurer des pressions. Aussi le dpartement test et mesures dAirbus est particulirement
vigilant pour que larodynamisme ne soit pas perturb par le systme de mesure.

32

Chapitre II Rcupration dnergie

Rayonnement.
Lnergie du soleil convient-elle alors notre application ? La suite de ce chapitre va
nous permettre de rpondre positivement cette question et de prciser les choix techniques
retenus. Mais trs simplement, avec par beau temps une densit lumineuse de puissance de
1000 W/m, un rendement photovoltaque de 10%, on constate quune surface de 10 cm x 30
cm convient pour fournir 3W. Toutefois, le gisement solaire est extrmement variable et les
performances des cellules solaires dpendent beaucoup de la temprature et du type de
rayonnement, ce qui complique un dimensionnement plus prcis.
Centr sur le photovoltaque, ce chapitre prsente donc dans une premire partie le
principe de la conversion photovoltaque, les grandeurs caractristiques, les diffrentes
technologies de cellules ainsi que des applications en aronautique. Les tests des cellules
choisies sont ensuite prsents dans une deuxime partie. Un modle de simulation est mis en
place dans la dernire partie de ce chapitre.

tat de lart sur le photovoltaque

II.2
II.2.1

Principe de la conversion photovoltaque

II.2.1.1

Effet photolectrique et jonction PN

La conversion de lnergie solaire en nergie lectrique repose sur leffet


photolectrique, cest--dire sur la capacit des photons crer des porteurs de charge
(lectrons et trous) dans un matriau. Lorsquun semi-conducteur est illumin avec un
rayonnement de longueur donde approprie (lnergie des photons doit tre au moins gale
celle du gap nergtique du matriau), lnergie des photons absorbs permet des transitions
lectroniques depuis la bande de valence vers la bande de conduction du semi-conducteur,
gnrant ainsi des paires lectron-trou, qui peuvent contribuer au

transport du courant

(photoconductivit) par le matriau lorsquon le polarise[8].


Si on illumine maintenant une jonction PN, les paires lectron-trou qui sont cres
dans la zone de charge despace de la jonction sont immdiatement spares par le champ
lectrique qui rgne dans cette rgion, et entranes dans les zones neutres de chaque ct de
la jonction. Si le dispositif est isol, il apparat une diffrence de potentiel aux bornes de la
jonction (photo tension); sil est connect une charge lectrique extrieure, on observe le

33

Chapitre II Rcupration dnergie

passage dun courant alors quon napplique aucune tension au dispositif. Cest le principe de
base dune cellule photovoltaque [8].

Figure II- 1 : Jonction P-N dans une cellule photovoltaque [8, 9]

II.2.1.2

Modlisation simple d'une cellule photovoltaque

Une cellule solaire Photovoltaque est une diode lectronique PN de grande surface
qui, expose la lumire (photons), gnre une tension lectrique (volts).
Les caractristiques lectriques en convention rcepteur de la cellule pour diffrents
clairements sont donnes sur la figure ci-dessous.

Figure II- 2 : Caractristiques dune jonction PN sous clairement [10]

En convention rcepteur, le quadrant IV correspond un fonctionnement rel en


gnrateur. Classiquement, on utilise pour une cellule photovoltaque plutt une convention
gnrateur (on inverse la convention sur le signe du courant de la figure II-2), on obtient alors
la caractristique suivante : cf. figure ci-dessous :

34

Chapitre II Rcupration dnergie

Figure II- 3 : Caractristique de la convention diode gnrateur

Le schma quivalent le plus simple de la cellule photovoltaque jonction PN idale


comprend une source de courant ILight, qui modlise le courant photolectrique, associe une
diode en parallle qui modlise la jonction P-N dont la polarisation dtermine la tension
(figure ci-dessous).

Figure II- 4 : Schma quivalent le plus simple de la cellule photovoltaque jonction PN

Un schma quivalent plus complet dune cellule solaire photovoltaque (modle une
diode) est illustr sur la figure ci-aprs. Il complte le schma prcdent en introduisant deux
rsistances Rsh et Rs qui modlisent les dfauts de la cellule.

Figure II- 5: Circuit quivalent dune cellule solaire photovoltaque et schma conventionnel dune cellule ou
dun module photovoltaque [11]

En notant :
ID = Courant inverse de diode

35

Chapitre II Rcupration dnergie

Io = Courant de saturation de diode, dpendant de la temprature


ILight = Photocourant, dpendant de lintensit de lirradiation
RSH = Rsistance en parallle, reprsentant ladmittance parallle du gnrateur de
courant
RS = Rsistance en srie, modlisant les pertes ohmiques du matriau et des contacts
VPV = Tension aux bornes de la cellule
IPV = Courant fourni par la cellule
Le fonctionnement du circuit en gnrateur peut ainsi tre formalis par un systme
d'quations rsultant des lois de Kirchhoff.
V + (I PV Rs ) V PV + (I PV RS )
1
I PV = I Light I O exp PV
V
R SH
r

Vr =

Avec

m k T
q

Eq. II- 1

Eq. II- 2

O
m = Indice du matriau (compris entre 1 et 2 selon de la technologie)
k = Constante de Boltzmann
T = Temprature en Kelvin
q = Charge de l'lectron
Une cellule photovoltaque (PV) va ainsi produire de lnergie de manire
proportionnelle lintensit lumineuse quelle reoit. La temprature est galement un facteur
influant sur les caractristiques I-V dune cellule photovoltaque.
II.2.1.3

Proprits du panneau photovoltaque en gnrateur

Pour un clairement homogne et une mme temprature, en associant des cellules PV


identiques en srie on augmente la tension (la tension rsultante est la somme des tensions de
chaque cellule). Si on les associe en parallle, on augmente le courant rsultant (lintensit
rsultante est la somme des intensits de chaque ligne de cellules), on peut ainsi constituer un
gnrateur PV adapt aux applications vises.

36

Chapitre II Rcupration dnergie

Comme pour la cellule simple, les caractristiques lectriques dun panneau


photovoltaque dpendent de la temprature et de lclairement et de faon gnrale, de son
environnement (orientation et inclinaison, tat de surface, ombres partielles).
Selon lassociation en srie et/ou parallle de ces cellules, les valeurs du courant de
court-circuit ICC et de la tension vide VC0 sont plus ou moins importantes. A titre dexemple,
la figure II. 7 prsente la caractristique dune cellule et dun ensemble de cellules compos
dune association de 3 branches en parallle ayant chacune 2 cellules en srie (cf. figure II6).

Figure II- 6 : Ensemble de cellules compos dune association de 3 branches en parallle ayant chacune 2
cellules en srie

Figure II- 7 : Caractristiques I(V) dune cellule et du groupement de cellules de la figure II-6 [12]

La caractristique dun gnrateur PV constitu de plusieurs cellules a une allure


gnrale assimilable celle d'une cellule lmentaire, sous rserve quil ny ait pas de
dsquilibre entre les caractristiques de chaque cellule et que lirradiation et la temprature
soient uniformes.

37

Chapitre II Rcupration dnergie

Nous pouvons dcomposer la caractristique I(V) dun gnrateur photovoltaque en 3


zones (figure II- 7) :
- Une zone assimilable un gnrateur de courant ICC proportionnel lirradiation,
dadmittance interne pouvant tre modlise par

1
(Zone 1),
RSH

- Une zone assimilable un gnrateur de tension VC0 dimpdance interne quivalente


RS (Zone 2),
- Une zone o limpdance interne du gnrateur varie trs fortement de RS RSH
(Zone 3).
Cest dans la Zone 3 quest situ le point de fonctionnement pour lequel la puissance
fournie par le gnrateur est maximale. Ce point est appel point de puissance maximale,
caractris par le couple (IMP, VMP), et seule une charge dont la caractristique passe par ce
point, permet dextraire la puissance maximale (PMAX) disponible dans les conditions
considres (figure II.8) [12].

Figure II- 8 : Caractristiques I(V) et P(V) dune cellule

Le Watt crte (Wc) caractrise la puissance d'un panneau photovoltaque. La puissance


crte reprsente la puissance dlivre par le panneau au point de puissance maximum [13].
Cette unit est utilise gnralement pour la comparaison du rendement et du prix des
produits photovoltaques. Elle est gnralement donne dans les documents constructeurs
dans le STC (1000w/m, 25C et AM1.5)

38

Chapitre II Rcupration dnergie

II.2.1.4

Influence de lclairement et de la temprature

Les caractristiques dun panneau dpendent de l'clairement et de la temprature.


Selon la technologie du gnrateur photovoltaque (cristallin, amorphe, CdTe, Cis, Triple
jonction, etc.), les variations des paramtres courants (Voc, Isc et Pmax) seront diffrentes.
Influence de lirradiation.
Daprs la figure II-9, la caractristique courant - tension dune cellule photovoltaque
change avec lirradiation pour une temprature donne : quand lirradiation augmente, la
courbe se translate vers le haut et vers la droite.

Figure II- 9 : Evolution de la caractristique I(V) du module PW500-50 Wc en fonction de l'irradiation [14]

Le courant de court-circuit ISC (ou ICC ) varie proportionnellement lirradiation. Dans


un mme temps, la tension de circuit ouvert VOC ne varie que trs peu, comme le montre la
figure II- 10.

39

Chapitre II Rcupration dnergie

Figure II- 10 : Extrait de la caractristique du panneau NT-R5E3H [12]

Influence de la temprature
Quand la temprature diminue, la tension vide augmente, mais le courant de courtcircuit diminue dans des proportions moindres (figure II- 11) [12, 15]. La diminution du
courant de saturation (IO) est la principale cause de la chute de courant basse temprature
[15].

Figure II- 11 : Evolution de la caractristique I(V) du module PW500-50 Wc en fonction de la temprature [14]

Comme la tension Voc diminue plus que le courant naugmente avec la temprature
figure II- 12, il en rsulte que la puissance maximale diminue quand la temprature augmente.

40

Chapitre II Rcupration dnergie

Figure II- 12 : Extrait de caractristiques du panneau NT-R5E3H [12]

De faon simple : un gnrateur photovoltaque fonctionne mieux lorsque la


temprature est basse et le flux lumineux important, ce qui convient bien une application
aronautique (voir chapitre I pour ce qui est des contraintes en temprature, ainsi que la figure
II- 19 de ce chapitre).
Des mesures ont t effectues en laboratoire sur des cellules photovoltaques
diffrentes tempratures par rapport 25C [15-17]. La plupart des cellules testes sont des
prototypes de laboratoires de recherche. Le tableau II- 1 rsume les rsultats de ces mesures.
Dans les gammes prsentes dans ce tableau, la dpendance de VOC vis--vis de la
temprature est linaire. Cest la pente de cette variation qui apparat donc dans la dernire
colonne.
Conditions standard
Type de cellule
GaAs

Plage de temprature

VOC/C

-125,25

-0,00193

InP

-75,25

-0,00248

Si

-75,25

-0,00425

Thin film Si

-0,002429

GaInP/GaAs

-100,25

-0,00206

25,85

0,0075

GaInP/InGaAs/Ge

Tableau II- 1 : La drive en V/C de la tension vide par rapport la temprature

Le coefficient de temprature VOC du silicium (Si) augmente plus basses


tempratures par rapport aux autres panneaux solaires. La drive de la tension VOC par
rapport la temprature des cellules GaInP/InGaAs/Ge est plus importante quand les mesures
sont faites lorsque la temprature augmente. Toutefois, la plupart des cellules mentionnes

41

Chapitre II Rcupration dnergie

plus haut tant fabriques par des laboratoires, nous nous sommes plus particulirement
intresss des cellules disponibles sur le march.
Le coefficient de temprature VOC des cellules photovoltaques commerciales est
donn par le constructeur. La plupart des mesures sont faites pour les tempratures comprises
entre 0 et 60C. Les coefficients de temprature de chaque technologie de panneaux solaires
souples sont donns dans le tableau suivant.
Coefficient de
temprature de Isc (
)
[A/C]
Silicium amorphe
(Entreprise Flexell)
Cellule CIGS
(Entreprise Globla solar)
Cellle multijounction
(Entreprise Spectrolab)

Coefficient de
Coefficient de temprature
temprature de Voc ()
de Pmax ()
[V/C]
[%/C]

+0,086

-0,237

-0,15

-0,5

-0,5

+0,115

-0,0059

Tableau II- 2 : Coefficient de temprature des Isc, Voc et Pmax [18-20]

Daprs le tableau II-2, le coefficient de temprature de Voc de la technologie CIGS est


plus important par rapport aux autres.
Toutefois la plupart des donnes constructeur ne sont pas releves dans la gamme de
temprature de notre application (-50C 100 C) et sont incompltes ; nous avons donc en
besoin de faire des mesures complmentaires des caractristiques lectriques des panneaux
solaires nous intressant diffrentes tempratures.
II.2.1.5

Rendement de conversion des cellules photovoltaque

Le rendement correspond au rapport entre la puissance lectrique effectivement


dlivre par les cellules PV et la quantit dnergie solaire reue. Le rendement caractrisant
le taux de conversion photons-lectrons dun panneau solaire photovoltaque, not PV , est
alors dfini selon lquation suivante [12]

PV =

PPV
G Aeff

Eq. II- 3

O
PPV = Puissance lectrique dlivre par le panneau PV (W)
Aeff = Surface effective du panneau PV (m)
G = Irradiation, autrement nomme puissance lumineuse reue par unit de surface
(W/m).

42

Chapitre II Rcupration dnergie

Le rendement maximum de la conversion photons-lectrons du panneau solaire not


PV max est dfini selon lquation suivante [21]

PV max =

PMAX
G Aeff

Eq. II- 4

O PMAX est le maximum de puissance potentiellement disponible la sortie du


panneau.
Pour choisir les cellules, il est important de dterminer les avantages et inconvnients
lis chaque produit. Pour cela, le paragraphe suivant prsente les principales technologies
photovoltaques existantes.
II.2.1.6

Facteurs affectant le rendement

Si chaque photon incident permettait dinjecter un lectron dans le circuit lectrique,


les dispositifs photovoltaques seraient trs efficaces. En pratique, plusieurs facteurs limitent
le rendement de cette photo-conversion.
L'nergie d'un photon (E), en Joules, dpend de la frquence de la lumire () et de la
longueur donde du rayonnement () par la relation :
E = h =

hC

Eq. II- 5

o
h = 6.624x10-34 joule-sec est la constante de Planck".
C = la vitesse de la lumire, prs de 300 000 000 mtres par seconde

= la longueur donde
1 Joule = 6.24150636309 1018 eV (lectronvolts)
Pour un matriau semi-conducteur, on appelle Eg lnergie de gap ncessaire, Eg =
Ec-Ev 1.1 eV (pour le Si), pour faire passer un lectron de la bande de valence la bande de
conduction, cest--dire pour lui faire passer la bande interdite .

43

Chapitre II Rcupration dnergie

Figure II- 13 : Niveaux dnergie dans un semi-conducteur

La premire limitation vient de la longueur donde du rayonnement incident, qui doit


tre assez faible pour que lnergie des photons soit suprieure celle du gap et puisse tre
absorbe [8].
Lquation II- 5 indique que plus la longueur d'onde est courte, plus le photon est
nergtique. Un photon UV possde plus d'nergie qu'un photon de lumire visible, et les
photons des rayons gamma sont encore plus nergtiques.
Ainsi, avec un gap de 1.14 eV, le silicium monocristallin nabsorbe que les photons de
longueur donde infrieure 1100 nm, labsorption optimale se trouvant aux alentours de
lnergie du gap.
Si le photon est trop nergtique, llectron arrach perdra son nergie excdentaire
pour revenir au niveau Ec.
On peut rsumer cela de la faon suivante :
Si E=hC/ < Eg, pas de conversion PV
Si E=hC/ > Eg, conversion PV, lnergie excdentaire qui est suprieur Eg est
perdue sous forme de chaleur.
Etant donn que le spectre dmission solaire stend de 250 2000 nm avec un pic
dmission dans le visible entre 500 et 700 nm, seule une partie du rayonnement contribue
la cration de porteurs de charge (voir figure II-14).

44

Chapitre II Rcupration dnergie

Figure II- 14 : Fraction du spectre solaire convertie par une cellule en silicium cristallin [22]

Une deuxime limitation vient du fait quon ne rcupre pas tous les porteurs photo
gnrs. Aprs sparation dans la zone de charge despace, les lectrons et les trous doivent
diffuser dans les zones neutres du semi-conducteur. On ne peut pas viter quune certaine
proportion de ces porteurs se recombine avant datteindre les contacts du dispositif, affectant
ainsi le rendement de conversion nergtique. Le taux de recombinaison est plus important si
le matriau prsente des dfauts de structure ou des impurets. Au-del de ces limitations
fondamentales, il faut aussi tenir compte de nombreux autres facteurs de perte que les
diffrentes technologies doivent minimiser : photons rflchis, pertes rsistives, contacts
mtalliques, etc [8].
La figure ci-aprs rsume la nature des diffrentes pertes qui limite le rendement
photovoltaque.

Figure II- 15 : Diffrents pertes lors de la conversion photovoltaque du rayonnement solaire en nergie
lectrique [23]

45

Chapitre II Rcupration dnergie

II.2.2

Gisement solaire
Comme pour toutes les applications de l'nergie solaire, une bonne connaissance du

gisement solaire est ncessaire l'tude des systmes photovoltaques. Par gisement solaire,
on entend ici les diffrentes caractristiques du rayonnement solaire, susceptibles d'influencer
les performances d'un systme en un lieu donn [24]. Dans un premier temps, on rappellera
quelques donnes de base concernant le spectre du rayonnement solaire (figure II-16),
donnes indispensables tant au chercheur qu' l'ingnieur.

Figure II- 16 : Rayonnement solaire mesur au sommet de l'atmosphre et au niveau de la mer [25]

Daprs la figure II-16, nous constatons que le rayonnement solaire peut tre rflchi,
diffus ou absorb. Par ailleurs, les spectres des rayonnements rflchi, diffus, et absorb
sont diffrents.
Gisement solaire au sol
Le gisement solaire au sol est trs variable comme prsent sur la figure II-17. La
mesure a t faite luniversit Paul Sabatier Toulouse (remerciement Pierre Durand et
Jean-Luc Attie du laboratoire dArologie de Toulouse).
Nous constatons une variabilit importante les jours nuageux (1) par rapport aux jours
avec claircies (2) et les jours de soleil (3). Lirradiation du soleil les jours nuageux est
environ 200W/m alors quelle est de 1000W/m pour les jours ensoleills. La prsence de

46

Chapitre II Rcupration dnergie

nuages modifie sensiblement limportance des rayonnements du soleil, les nuages jouant un
rle de milieu diffusant.

Figure II- 17 : Irradiation globale (W/m) au sol Toulouse du 11 juin au 14 juin 2009 (date proche du solstice
dt)

Par ailleurs, lorientation et linclinaison sont essentielles. Daprs lexemple de la


figure II-18, lidal est une orientation plein sud. Nanmoins on voit que avec une orientation
Est et une pente de 20 le rendement est denviron 87% (donc 13% de pertes par rapport au
plein sud).
Sur le disque solaire de la figure II- 18, on constate que dans toutes les orientations et
inclinaison, les pertes par rapport un positionnement optimal restent infrieures 50%, ce
qui montre que lon peut gnralement utiliser lnergie solaire quelle que soit le
positionnement.

Figure II- 18 : Disque Solaire pour Lyon [26]

47

Chapitre II Rcupration dnergie

Gisement solaire en vol


Comme cela a t expliqu prcdemment, notre application concerne les applications
aronautiques. Cest donc le gisement solaire en vol et non au sol qui est le facteur
considrer. Une estimation du rayonnement solaire en altitude (plus prcise que celle de la
figure II-16) est donne sur les figures II- 19 II- 21. Sur la figure II- 19, fournie par le
service des essais en vol dAirbus dans le cadre de mesures dtalonnage de thermographie,
nous pouvons constater que lirradiation pour des altitudes comprises entre 9000 et 12000 m
est denviron 1000-1350 W/m, soit des niveaux sensiblement suprieur ceux au niveau du
sol, correspondant la courbe global horizontal , ce qui est favorable notre application. A
noter quentre les quinoxes de printemps et dautomne, lirradiation sera suprieure (figure
II- 20).

Figure II- 19 : Irradiation directe latitude 45N en valuation horaire quinoxe de printemps (source :
AIRBUS) [25]

Figure II- 20 : Variation du pic de Gh sur lanne [25],Gh : irradiation dune cellule horizontale et Bn :
irradiation dune cellule horizontale perpendiculaire aux rayons du soleil

48

Chapitre II Rcupration dnergie

Figure II- 21 : Influence de la latitude [25]

Les trois sries de relevs exprimentaux qui prcdent il ressort :


-que lirradiation globale en altitude est suprieure celle au sol (comparaison de
figure II- 17 et II- 20)
-quau-dessus de 9000 m le facteur dattnuation atmosphrique est faible et que lon
ne gagne plus rien en volant plus haut (figure II- 19)
-qu ces altitudes, corrlativement, la sensibilit aux conditions mtorologiques est
rduite.
-que linfluence de la latitude est certes forte mais que pour les sites dessaie en vol
habituels dAirbus (Toulouse, Seville, Istres) la situation est favorable (figure II- 21).
II.3

Etude des cellules photovoltaque diffrents tempratures et


irradiations
Notre travail consiste rechercher la meilleure solution possible pour le choix du type

de panneaux solaires, de fournisseurs, etc. pour obtenir le meilleur rapport puissance/surface


un prix raisonnable.
Les panneaux solaires devant tre intgrs laile grce un support au profil
variable, seuls les panneaux solaires souples seront considrs. Par ailleurs, lpaisseur des
panneaux solaires doit tre infrieure 3,2 millimtres pour ne pas perturber lcoulement
arodynamique.

49

Chapitre II Rcupration dnergie

Pour avoir le meilleur rapport puissance/surface, il faut tout dabord rechercher la


meilleure technologie, celle qui sera adapte notre besoin (en fonction du type de pose, de la
localisation, de lorientation, de la temprature). La mthode de choix des technologies de
panneaux solaires tests est prsente dans la suite.
II.3.1

Les diffrents technologies de panneaux solaires tests


Le

tableau

suivant

compare

le

rendement

des

diffrentes

technologies

commercialises.
Gnration

Premire

Rendement
Module
Commercial

Type de cellule

Module
prototype
maximum

Record en
Laboratoire

Silicium mono cristallin

12 20%

22,70%

24,70%

Silicium polycristallin

11 15%

16,20%

20,30%

Silicium cristallin (couche mince)

7%

9,40%

Silicium amorphe (couche mince)

5 9%

10,40%

13,40%

6 9%

16,70%

9 11%

13,50%

19,30%

26 29,5%
-

25 30%
-

41%
5%

Deuxime CdTe (Tellurure de Cadmium)


CIS (Cuivre-Indium-Slnium), CIGS
Cellle multijounction (technologie spatiale)
Troisime Cellules organics

Tableau II- 3 : Rendement des diffrentes technologies [18]

La cellule multi jonction est la plus intressante pour notre application car son
rendement est le plus lev.
En conditions optimales, soleil tropical au midi perpendiculaire au panneau et vent fort
faisant rduire la temprature, le rendement est bon, lnergie est maximale, proche de celle
donne par le constructeur.
Cependant pour obtenir la meilleure solution, il faut tester les diffrentes technologies
de panneaux solaires souples existantes dans diffrentes situations (irradiation, temprature).
Nous avons donc valu les diffrentes technologies commercialises sur le march. Leurs
caractristiques sont donnes dans le tableau ci-dessous.
surfacique
Marque/
Distributeur
Flexcell
Global Solar
Spectrolab

Technologie

puis.
(W/m2)

poids
(kg/m2)

cot
(/W)

temp.(C)

Rendement

p.
(mm)

Dpt couche Si amorphe


sur substrats plastiques

40-45

0,85

24

-50 / 85

4,5

1,2

Cellules flexibles CIGS

95

2,9

19,85

-40 / 80

9,5

0,762

142,5
(15 x 9,5)
157,5
(9x17,5)

GaInP2/GaAs/Ge sur
substrats Germanium

268

0,84

178

-175 / 130

26,8

0,14

26.62

Tableau II- 4 : Les diffrentes technologies PV tests

50

Taille
(cm2)

Chapitre II Rcupration dnergie

(a) Si Amorphe

(b) Cellule CIGS

(c) Triple Junction

Figure II- 22 : Les cellules solaires tests

Aujourdhui, la majorit des modules photovoltaques sont fabriqus partir de


cellules photovoltaques en silicium cristallin (monocristallin ou polycristallin) ou en silicium
amorphe. Actuellement, on distingue 2 filires pour la fabrication de cellules photovoltaques
en silicium cristallin et silicium en couche mince. Malheureusement, les cellules
photovoltaques en silicium cristallin sont rigides. Elles ne correspondent donc pas nos
exigences.
Pour le silicium en couche mince (Si amorche), le produit de lentreprise Flexcell qui
est spcialise dans la production de cellules Si amorphe sur substrat de plastiques flexible a
t choisi [18].
Nous choisirons le produit de lentreprise Global Solar (spcialise dans la production
de cellules CIGS sur substrat de polymre flexible), dont le fournisseur commercial est
lentreprise Sunlinq [19].
galement, lUltra triple jonction de lentreprise Spectrolab, cellule solaire haut
rendement utilis en priorit par les applications spatiales, est particulirement intressante
pour notre projet [20].
II.3.2

Conception de lenvironnement de test des cellules


La puissance donne par le fabricant est la puissance maximale qui se rfre aux

Conditions Standards de Test (STC), une approximation de fonctionnement plein


clairement (STC: irradiation de 1000 W/m2, temprature de cellule de 25 C et masse dair
AM 1.5). AM1.5 correspond au spectre solaire aprs une traverse quivalente 1,5 fois
lpaisseur de latmosphre, situation correspondant une hauteur du soleil de 40.
Mais la plupart des temps pendant une journe, lillumination solaire est infrieure
lillumination standard. Globalement, la production lectrique est proportionnelle

51

Chapitre II Rcupration dnergie

lensoleillement. Par ailleurs, la temprature nest pas fige 25 C. La puissance solaire


extraite du panneau photovoltaque est donc rarement gale la puissance maximale donne
par le constructeur.
Pour dterminer linfluence des paramtres sur les caractristiques des panneaux
solaires (caractristique I-V, rendement, puissance maximale), nous avons ralis les mesures
prsentes ci-aprs.
II.3.2.1

Systme de caractrisation des panneaux

Lobjectif de cette partie est de mettre en place un systme conomique et complet de


mesure des caractristiques courant/tension et puissance/tension des panneaux solaires en
conditions ambiantes et diffrentes tempratures dans une chambre climatique.
Le systme de mesure de caractristiques doit pouvoir tre contrlable par ordinateur
et les rsultats visibles en temps rel. Cest pour ces raisons que LabView a t choisi pour
piloter les phases de tests via une carte dacquisition NI6009 [27].

Figure II- 23 : Schma du systme de caractrisation des panneaux : parties numriques et analogiques

52

Chapitre II Rcupration dnergie

Figure II- 24 : Circuit analogique de mesure et contrle

Le systme de mesure et de contrle est constitu dun amplificateur de puissance


pilot via un programme LabView suivi dune mise en forme de signal qui permet de
balayer des plages de tensions suffisantes pour le trac correct des caractristiques. Le
systme est prsent dans la figure II-24. Lamplificateur de puissance a t utilis comme
une rsistance rglable pour faire varier la charge comme le montre la figure prcdente. La
tension du panneau solaire est fixe par la tension de lamplificateur oprationnel LM12 [28].
Le relev de la caractristique des panneaux photovoltaques (PV) seffectue via une
carte dacquisition ne pouvant dlivrer que des signaux positifs compris entre 0 et 5V. Afin de
pouvoir balayer toute la caractristique des panneaux et donc tre sr denregistrer la valeur
du courant en court-circuit, il est prfrable de commander les panneaux solaires de -30V
+30V. Cest pour cette raison que lon introduit un circuit de mise en forme de signal bti
autour dun TL081 entre la commande issue du DAC et la commande de puissance [29].
Dans le mme temps, nous allons galement mesurer le courant, la tension et
lirradiation pendant que la tension varie. Enfin, les donnes obtenues sont envoyes vers une
carte d'acquisition de donnes et stockes dans lordinateur pour tracer le graphe.
La carte NI6009 permet lacquisition directe des tensions aux bornes des panneaux
solaires ainsi que des courants par lintermdiaire dun shunt de 1 . Une fois la tension et le
courant acquis par le NI6009, linterface de mesure LabView nous permet dans cette
application de piloter la mesure de caractristiques, denregistrer les donnes de courant, de
tension et de puissance, de lire lillumination, et dans un second temps dafficher les rsultats
sous forme de courbes comme la figure suivante. Le diagramme LabView est prsent
figures II- 26.

53

Chapitre II Rcupration dnergie

Figure II- 25 : Interface utilisateur de LabView (Front Panel)

Figure II- 26 : Diagramme du programme LabView

Voici un exemple de rsultat obtenu pour une cellule Spectrolab qui tait mesure sous
une irradiation de 580W/m dans la chambre climatique diffrentes tempratures.

54

Chapitre II Rcupration dnergie

(a) Graphe Courant (mA) - Tension (V)

(b) Graphe Puissance (mW) Tension(V)

Figure II- 27 : Rsultat de mesure pour une cellule Spectrolab lirradiation 580W/m2, diffrentes
tempratures

La mesure dirradiation seffectue elle par lintermdiaire dun pyranomtre. Cet


instrument de mesure dlivre une tension proportionnelle lirradiation, en W/m. Il
permettra donc dans notre application de quantifier lclairement en surface du panneau
solaire. Nous avons dcid dutiliser le pyranomtre SP Lite de chez Kipp & Zonen. Il permet
de mesurer des irradiations de 0 2000W/m. La sensibilit de ce capteur est de
80V/(W/m).
II.3.2.2

Ralisation dun systme dclairage artificiel

Dans un premier temps, nous avons cherch un simulateur solaire sur le march. Le
simulateur doit mettre un spectre identique dans la direction verticale (en face de la vitre de
la chambre climatique). Malheureusement, les simulateurs solaires disponibles sur le march
sont chers par rapport notre application. Par exemple, le tarif dun simulateur solaire
LS1000 dont la surface d'clairement est de 5 25 cm se situe entre 25.000 et 40.000 HT.
Par ailleurs, il tait possible dans le cadre du projet SACER de tester ponctuellement les
cellules photovoltaques chez Intespace (prix rel dune journe dessais : 20000 euros) mais
pour des raisons de disponibilit et de cot, nous avons finalement dcid de raliser un
simulateur.
Afin de pouvoir simuler le rayonnement du soleil lors des phases de tests dans la
chambre climatique il a fallu fabriquer une source de lumire artificielle. Cette source sera
ralise par des lampes. Pour le choix des lampes, nous allons comparer les gammes de

55

Chapitre II Rcupration dnergie

longueur donde absorbes par les diffrentes technologies photovoltaques avec celles mises
par les lampes.
Dans un premier temps nous allons calculer les plages de longueurs donde absorbes
par les panneaux solaires choisis partir de lquation II-5.

Produit

Technologie

Absorbe les
photons
de longueur donde

Flexcell

GAIA18

Dpt couche Si amorphe


sur substrats plastiques

<730 nm

Global Solar

Foldable 650 - 6,5 Watt

Cellules flexibles CIGS

<1200 nm

Ultra Triple Junction (UTJ)

GaInP2/GaAs/Ge sur
substrats Gelmanium

<1850 nm

Marque/
Generation Distributeur

Deuxime

Spectrolab

Tableau II- 5 : Comparaison des gammes spectrales absorbes par chaque panneau solaire

Le graphe suivant compare la gamme spectrale de diffrentes lampes. Les spectres de


radiation des ampoules (axe de gauche) au xnon (vert), halognes (bleu) et au mercure
(rouge) sont compars la radiation spectrale du soleil (violet, axe de droite) [29].

Figure II- 28 : Comparaison des gammes spectrales de diffrentes lampes avec celle du soleil

Daprs la figure II-28, nous constatons que toutes les lampes ont une longueur donde
infrieure celle du soleil. Par consquent les trois technologies conviendraient. Pour notre
travail, nous allons donc utiliser les lampes quartz-halogne au Tungstne 50W/12V de chez
Philips car elles sont plus facilement disponibles.
Linconvnient des manipulations avec les lampes vient de leurs gammes spectrales
diffrentes de celles du soleil. Les panneaux solaires seront donc aussi tests au soleil (mais

56

Chapitre II Rcupration dnergie

bien sr uniquement temprature ambiante) afin de comparer les rsultats des deux sources
de lumires. Les rsultats seront prsents dans le paragraphe II.3.
Dans la suite, la source de lumire artificielle est constitue de 20 lampes espaces
comme indiqu sur la figure suivante et fixes sur un support blanc.

Figure II- 29 : Disposition des 20 lampes constituant la source de lumire artificielle

Lnergie est fournie aux lampes par deux alimentations stabilises en courant
distinctes, car la mise en parallle de 5 branches de 4 ampoules aurait ncessit un courant de
20.84 A qui est suprieur au courant qui peut tre dlivr par les alimentions dont nous
disposons. Nous utilisons donc 2 alimentations, lune dlivrant 8.34 A / 48 V sur 2 branches
de 4 ampoules chacune et lautre dlivrant 12.5 A / 48 V sur 3 branches de 4 ampoules.
Lensemble des lampes est plac contre la vitre de la chambre climatique, dans
laquelle seront placs les panneaux solaire comme le montre la figure II-30. Le systme
dclairement permet dobtenir les irradiations diffrentes en fonction de la distance entre le
plan des lampes et les panneaux solaires (axe Z de la figure II- 29).

Figure II- 30 : Photos de l'environnement des mesures : gauche hublot de porte clair, au milieu cellules
dans la chambre, droite vue gnrale avec lectronique de mesure sur la chambre climatique

57

Chapitre II Rcupration dnergie

La figure suivante prsente la rpartition de lirradiation lintrieur de la chambre


climatique au niveau de la vitre (en fonction des positions X et Y exprimes en centimtres)
pour plusieurs distances Z.

Figure II- 31 : Mesures par pyranomtre des irradiations lintrieur de la chambre climatique en fonction des
positions X, Y et Z exprimes en centimtres

Au vu des courbes, on constate que lirradiation nest pas homogne lintrieur de la


chambre climatique. L'irradiation reste toutefois quasiment constante sur une surface de
18,75x15 centimtre autour du centre du plan des lampes (valeurs donnes dans le tableau II6). La surface des cellules solaires ne doit donc pas dpasser la surface au centre du plan o
lirradiation est constante. Cependant, lirradiation mesure tend shomogniser quand la
distance Z augmente, cest--dire quand les lampes sont loignes de la vitre de la chambre
climatique.
Distance
(cm.)

Irradiation Moyenne
(W/m2)

Irradiation Max
(W/m2)

Irradiation Min
(W/m2)

Ecart par rappot


la moyenne
(%)

12,5

770

800

703

13

15

580

593

513

14

23

330

349

319

36

160

178

158

13

Tableau II- 6 : Valeurs de l'irradiation sur une surface de 18,75x15 cm2

Nous navons obtenu quune valeur maximale dirradiation autour de 710 800 w/m2
cause des nombreuses vitres de la chambre climatique, qui sont cependant ncessaires

58

Chapitre II Rcupration dnergie

lisolation thermique lintrieur de la chambre. Par ailleurs, la distance minimale de Z est


limite 12,5 cm. a cause de lpaisseur des vitres de la chambre climatique.
II.3.3

Etude diffrentes tempratures sous clairage artificiel


Les panneaux solaires choisis seront soumis des tempratures et des irradiations

variables : -40, -10, 25, 80 et 120 C, pour une irradiation au niveau des panneaux de 770
W/m2 avec la source dclairage artificiel. Les mesures ont t ralises dans la chambre
climatique (srie MK de chez BINDER) de lINSA de Toulouse.
Les courbes suivantes prsentent la puissance surfacique maximale et le rendement de
chaque technologie de cellules photovoltaques souples 770 W/m2 dirradiation pour
diffrentes tempratures.
Si Amorphe - Flexell

Puisance surfacique (W / m 2)

120,000

CIGS - Sunlinq
Triple Junction - Spectrolab

100,000
80,000
60,000
40,000
20,000
0,000
-50

50

100

150

Temp. (c)

Figure II- 32 : Densit de puissance lectrique sous clairage artificiel 770W/m2 en fonction de la temprature

59

Chapitre II Rcupration dnergie

Si Amorphe - Flexcell
16,00

CIGS - Sunlinq
Triple Junction - Spectrolab

14,00

Rendement (%)

12,00
10,00
8,00
6,00
4,00
2,00
0,00
-50

50

100

150

Temp. (c)

Figure II- 33 : Rendement des cellules sous clairage artificiel 770W/m2

Il apparat que la temprature a plus dinfluence sur le rendement des cellules CIGS
que sur celui des cellules Triple Junction et Si Amorphe. Le rendement basse temprature
est meilleur, ce qui correspond au principe de la conversion photovoltaque de lnergie
solaire, comme expliqu dans le paragraphe II.1.2.4. La cellule Triple Jonction dlivre une
puissance surfacique suprieure aux autres technologies. Cependant, les performances de la
cellule CIGS restent intressantes car cette technologie est beaucoup moine cher.
Le rendement mesur des cellules Triple Junction nest quun tiers de celui de la fiche
technique du constructeur. Cela vient du fait que le spectre dmission des lampes modifi
aussi par le vitrage diffre de celui du soleil. Pour dautres niveaux dirradiation, la tendance
est la mme. Le coefficient de temprature de la puissance maximale est donn dans le
tableau suivant pour les diffrentes tempratures tudies.
Amorphous
Silicon

CIGS Thin
Film

Triple
Junction

Coefficient de temprature de la puissance maximale (%/ C)


@ Tests sous l'clairage artificiel, 770 W/m2, -40C to 120C

-0,11

-0,55

-0,28

Coefficient de temprature de la puissance maximale (%/ C)


@ Tests sous l'clairage artificiel, 580 W/m2, -40C to 120C

-0,12

-0,54

-0,25

Coefficient de temprature de la puissance maximale (%/ C)


@ Tests sous l'clairage artificiel, 330 W/m2, -40C to 120C

-0,13

-0,45

-0,21

Coefficient de temprature de la puissance maximale (%/ C)


@ Tests sous l'clairage artificiel, 160 W/m2, -40C to 120C

-0,21

-0,44

-0,23

Technologies du Photovoltaque

Tableau II- 7 : Coefficient de temprature diffrentes irradiations

60

Chapitre II Rcupration dnergie

II.3.4

Etude diffrentes irradiation sous clairage artificiel


Les panneaux solaires doivent galement fonctionner sous diffrentes irradiations :

langle du soleil, la prsence des nuages, la latitude ainsi que la pollution atmosphrique sont
des facteurs affectant lirradiation reue au niveau du panneau.
Dans un deuxime temps nous avons donc caractris les panneaux solaires
diffrentes irradiations (160, 330, 580 et 770 W/m2) dans la chambre climatique une
temprature de -40C.
Les figures suivantes montrent ainsi la puissance maximale dlivre par unit de
surface de chaque technologie de cellule et leur rendement -40C pour diffrentes
irradiations.
Si Amorphe - Flexell

Puisance surfacique (W / m 2)

140

CIGS - Sunlinq
Triple Junction - Spectrolab

120
100
80
60
40
20
0
0

200

400
600
Irradiation (W/m2)

800

1000

Figure II- 34 : Puissance maximale des cellules -40C en fonction de lirradiation

61

Chapitre II Rcupration dnergie

Si Amorphe - Flexell
20,00

CIGS - Sunlinq

18,00

Triple Junction - Spectrolab

Rendement (%)

16,00
14,00
12,00
10,00
8,00
6,00
4,00
2,00
0,00
0

200

400
600
Irradiation (W/m 2)

800

1000

Figure II- 35 : Rendement des cellules -40C en fonction de lirradiation

Le rendement des cellules CIGS dpend beaucoup du niveau dclairement alors quil
reste pratiquement constant pour les deux autres technologies.
La caractrisation ralise sous clairage artificiel peut-elle tre transpose sous
clairage naturel ? Pour rpondre cette question, il est ncessaire de refaire des mesures
similaires sous clairage naturel. Ces mesures sont prsentes dans le paragraphe suivant.
II.3.5

Etude diffrents irradiation sous lclairage naturel


Les mesures en conditions relles nous permettent destimer la puissance maximale

relle des cellules solaires. Le rsultat obtenu sera compar avec celui des lampes. Les tests
sont raliss entre 15H00 et 18H00 dans la mme journe afin dviter que la temprature ne
diffre entre des mesures. Par contre les panneaux solaires ne sont pas tests 160W/m2 car le
soleil est alors trs bas sur lhorizon avec un mouvement apparent trop rapide. Le niveau
dirradiation, prsent sur les figures II- 34 et 35 ne se retrouve donc pas ici.
Pour tenir compte de la position relative du Soleil qui modifie lpaisseur
datmosphre traverse, on introduit un coefficient m appel masse atmosphrique ou nombre
dair masse (AM). Dans les conditions normales et au niveau de la mer, lexpression
simplifie suivante est utilise :
m=

1
sin A

Eq. II- 6

62

Chapitre II Rcupration dnergie

avec A() : lvation du Soleil sur lhorizon (90 au znith) [10].

Figure II- 36 : Modles de spectres solaires pour une atmosphre peu pollue de type mditerranen [10]

Daprs la figure II-36, nous constatons que le spectre du soleil change en fonction du
nombre dair masse. Nous allons vrifier le nombre dair masse correspondant lirradiation
de nos mesures partir de lquation II-6.
Heure de test, le 30 juillet 2008

15H42

17H25

19H10

Irradiation

770W/m

580W/m

330W/m

Angle horaire

78

98

115

Nombre dair masse

1.02

1.01

1.10

Tableau II- 8 : Nombre dair masse correspondant lirradiation de notre mesure

Nous observons que la valeur du nombre dair masse 330W/m diffre des valeurs
obtenues aux autres irradiations.
La figure suivante montre la puissance maximale par unit de surface et le rendement
de chaque technologie de cellule pour les tests sous clairage naturel pour diffrentes
irradiations la temprature ambiante (25 C).

63

Chapitre II Rcupration dnergie

Si Amorphe - Flexell
CIGS - Sunlinq

Puisance surfacique (W / m 2)

250,00

Triple Junction - Spectrolab

200,00
150,00
100,00
50,00
0,00
200

300

400

500

600

700

800

900

Irradiation (W/m2)

Figure II- 37 : Puissance maximale des cellules des mesures au soleil en fonction de lirradiation
Si Amorphe - Flexell
CIGS - Sunlinq

30,00

Triple Junction - Spectrolab

Rendement (%)

25,00
20,00
15,00
10,00
5,00
0,00
200

300

400

500
600
Irradiation (W/m2)

700

800

900

Figure II- 38 : Rendement des cellules des mesures au soleil en fonction de lirradiation

Il faut se rappeler que le rendement pour Si-amorphe et Triple Jonction devrait le


mme quelle que soit lirradiation pour un spectre donn, comme pour le test sous clairage
artificiel (figure II-35). Pour le test sous clairage naturel, nous constatons que le rendement
330W/m des cellules photovoltaques est diffrent compar aux valeurs obtenues aux autres
irradiations. Ceci peut sexpliquer par le nombre dair masse diffrent trouv dans le tableau
II-8. Par ailleurs, la cellule triple jonction peut absorber les photons sur une plage de longueur
donde plus grande grce aux multi-couches. Ses performances sont donc meilleures par
rapport aux autres cellules solaires testes en ensoleillement rel.

64

Chapitre II Rcupration dnergie

Le tableau suivant compare les rsultats de chaque technologie de cellule


photovoltaque sous diffrentes sources dclairage. Nous navons pas considr le rsultat de
lirradiation 160 W/m2 pour les raisons cites prcdemment.
Amorphous Silicon

CIGS Thin Film

Triple Junction

Tests au
soleil

Tests au
soleilartificiel

Tests au
soleil

Tests au
soleilartificiel

Tests au
soleil

Tests au
soleilartificiel

Rendement @ 770 W/m , 25 C

3,33%

1,64%

7,38%

7,26%

25,22%

11,77%

Rendement @ 580 W/m2, 25 C

3,36%

1,50%

7,42%

6,79%

24,62%

12,08%

2,13%

1,37%

4,81%

6,73%

20,19%

12,92%

Technologies Photovoltaques

Rendement @ 330 W/m , 25 C

Tableau II- 9 : Rendement des cellules du test naturelles et artificielles pour diffrentes irradiations

Daprs le tableau II-8, nous constatons que le rendement 330W/m est diffrent par
rapport aux autres irradiations pour les tests au soleil. Cela vient du changement de spectre de
soleil qui est illustr dans le tableau II-8 et la figure II-36.
Le rendement mesur au soleil est environ le double de celui mesur avec les lampes
sauf pour la cellule CIGS. Le rendement mesur au soleil de cette cellule est proche de celui
mesur avec les lampes.
Le tableau suivant compare lerreur en pourcentage entre les puissances maximales
mesures avec les lampes et celle avec le soleil pour les diffrentes irradiations tudies
(%Erreursoleil - lampes).
Technologies
Si Amorphe
CIGS
Triple Jonction

% Erreur entre soleil et lampes


770W/m
580W/m
330W/m
50,7
55,4
35,5
1,0
8,6
-40,0
53,3
50,9
36,0

Tableau II- 10 : Calcul du pourcentage derreur de la puissance maximale entre les lampes et le soleil

Daprs le tableau, la puissance mesure au soleil des cellules Si Amorphe et Triple


Jonction est environ 1,5 fois suprieure celle mesur avec les lampes sauf lirradiation de
330W/m. Le changement du spectre du soleil 330W/m a perturb les rsultats des essais.
Pour la cellule CIGS, dans le pire des cas, la puissance mesure au soleil est environ 1,017
fois suprieure celle mesure avec les lampes.

65

Chapitre II Rcupration dnergie

II.3.6

Dimensionnement de la surface ncessaire


Pour estimer la surface de cellule ncessaire par nud de notre application, il est

ncessaire que le panneau dlivre suffisamment de puissance la charge dans les plus
mauvaises conditions de temprature, dirradiation ou les deux. Nous prenons le rsultat de
mesure avec le soleil artificiel et en prenant en compte lerreursoleil-lampe (%Err.) qui est donne
dans le tableau II- 10. Voici un exemple de calcul de surface.
La puissance des cellules CIGS (sunlinq) est de 25,40W/m2 120C

pour une

irradiation de 770W/m . En ajoutant le pourcentage derreur entre le soleil et les lampes, la


puissance de cellule est gale 25,40x1,017 =25,83 W/m2.
Si nous supposons que la cellule solaire doit fournir une puissance de 3W, la surface
ncessaire est donc gale

3
= 1161 cm2. Cette puissance de 3W est un ordre de
25,83

grandeur fourni par les quipes de SACER travaillant sur les modules de mesure et de
tlcoms.
Le tableau suivant prsente la surface ncessaire et le prix pour diffrentes conditions.
Ces conditions correspondent aux cas les plus dfavorables quil est possible de rencontrer.
Lavion est au sol :
1) La temprature est de 120C et lirradiation gale 770W/m2
2) La temprature est de 25C et lirradiation gale 160W/m2
La surface et le prix estims sont prsents dans le tableau suivant.
Temp./
Irra.
120C,
770W/m2
25C,
2
160W/m
Temp./
Irra.
120C,
770W/m2
25C,
2
160W/m

Voc
(V)

Isc
(mA)

Si-Amorphe(Flexcell)
Pmp
Vmp Imp
%Err.
2
(V)
(mA)
(W/m )

5,15

60,50

3,50

46,90

50,70

5,15

9,80

3,50

7,71

50,70

Voc
(V)

Isc
(mA)

Vmp
(V)

Imp
(mA)

%Err.

3,40

340,0

1,75

228,57

3,85

76,0

2,25

43,11

Surface
2
(cm )

Prix
()

11,51

1730

121

1,89

10507

737

Pmp
2
(W/m )

Surface
2
(cm )

Prix
()

1,70

25,40

1162

238

1,70

6,16

4790

981

CIGS(Sunlinq)

66

Chapitre II Rcupration dnergie

Temp./
Irra.
120C,
770W/m2
25C,
2
160W/m

Triple Junction(Spectrolab)
Pmp
Vmp
Imp
%Err.
2
(W/m )
(V)
(mA)

Voc
(V)

Isc
(mA)

2,05

171,00

1,25

137,60

50,90

2,37

28,00

2,00

26,50

50,90

Surface
2
(cm )

Prix
()

65,50

304

2070

20,18

985

6716

Tableau II- 11 : Comparaison de la surface ncessaire et du prix lorsque le systme est au sol

Lavion est en vol:


1) La temprature est de -40C et lirradiation gale 770W/m2
2) La temprature est de -40C et lirradiation gale 160W/m2 ( lombre)
La surface et le prix estims sont prsents dans le tableau suivant.
Temp./
Irra.
-40C,
770W/m2
-40C,
2
160W/m

Temp./
Irra.
-40C,
770W/m2
-40C,
2
160W/m

Temp./
Irra.
-40C,
770W/m2
-40C,
2
160W/m

Si-Amorphe(Flexcell)
Voc
(V)

Isc
(mA)

Vmp
(V)

Imp
(mA)

%Err.

Pmp
2
(W/m )

Surface
2
(cm )

Prix
()

7,40

53,00

5,10

38,40

50,70

13,75

1447

102

5,65

9,50

3,90

7,95

50,70

2,18

9151

642

CIGS(Sunlinq)
Voc
(V)

Isc
(mA)

Vmp
(V)

Imp
(mA)

%Err.

Pmp
2
(W/m )

Surface
2
(cm )

Prix
()

6,00

346,5

4,50

261,33

1,70

74,67

395

81

4,80

77,0

2,75

47,64

1,70

8,32

3547

726

Triple Junction(Spectrolab)
Voc
(V)

Isc
(mA)

Vmp
(V)

Imp
(mA)

%Err.

Pmp
2
(W/m )

Surface
2
(cm )

Prix
()

2,83

150,00

1,95

142,56

50,90

105,86

188

1280

2,65

26,70

2,30

25,22

50,90

22,09

900

6137

Tableau II- 12 : Comparaison de la surface ncessaire et du prix quand l'avion est en vol

Les cellules CIGS et Si-Amorphe sont plus intressantes que la cellule Triple Junction
car moins onreuses. Cependant les cellules de chez Spectrolab et Sunlinq sont plus
avantageuses que le produit de chez Flexcell au niveau de la puissance fournie pour une
surface donne.

67

Chapitre II Rcupration dnergie

II.3.7

Choix dune technologie


A la suite de ces mesures, nous avons compar le rendement des diffrentes

technologies irradiation et temprature donnes. Cette tude a permis galement de


dterminer le coefficient de temprature de la puissance maximale pour les diffrentes
technologies de cellule solaire ainsi que la surface ncessaire pour fournir 3 watts la charge.
Si Amorphe

CIGS Thin
Film

Triple
Junction

Rendement @ 770 W/m2, 25 C au soleil

3.33%

7.38%

25.22%

Coefficient de temprature de la puissance maximale (%/ C) @


770 W/m2, -40C 120C sous clairage artificiel,

-0,11

-0,55

-0,28

Surface necessaire pour 3W (cm2) @ 160 W/m2, -40 C

9150

3546

900

Technologies de photovoltaque

Tableau II- 13 : Comparaison de diffrentes technologies

Daprs le tableau II-13, la puissance maximale des cellules CIGS varie plus avec la
temprature que les autres technologies. Dun autre ct, une surface moindre de panneau
Triple Junction est ncessaire pour alimenter 3 watts compar aux les autres technologies.
Toutefois au vu de notre application, aprs dimensionnement, nous avons choisi la
cellule CIGS de chez Sunlinq pour lapplication SACER-AIRBUS car moins coteuse et qui
possde entre autre lavantage dtre plus souple, donc moins fragile.
Pour finaliser cette tude nous allons modliser et simuler la cellule photovoltaque
choisie (CIGS de chez Sunlinq). Cela nous permettra de caractriser les comportements du
GPV dans les conditions souhaites.
II.4

Modlisation des gnrateurs photovoltaques


Dans le but de disposer dun modle permettant de simuler le fonctionnement de nos

cellules associes, nous avons dvelopp un modle dans lenvironnement Matlab associ
loutil Simulink.
Les quations mathmatiques utilises pour la modlisation du gnrateur PV sont
bases sur la caractristique courant tension des modules. Le modle de simulation a t
valid partir des donnes exprimentales des cellules solaires obtenues prcdemment.

68

Chapitre II Rcupration dnergie

II.4.1

Modlisation du gnrateurs photovoltaques


Nous sommes partis dun modle simple une diode, partir de lquation II- 1 pour

prvoir les performances dun gnrateur PV dans les mmes conditions climatiques que nos
mesures exprimentales. Les modules PV sont habituellement branchs en srie-parallle
pour augmenter la tension et lintensit du courant la sortie du gnrateur. Nous reformulons
lquation II- 1 de la manire suivante :

V + ( I PV RS )
1 V

= I O exp ( PV + I PV RS )
I PV I light I O + PV
Rsh

Vr n s

I PV I light I O +

VPV
I R
V
I R
+ PV S = I O exp( PV ) exp( PV S )
n s Rsh
Rsh
n s Vr
Vr

Eq. II- 7

Eq. II- 8

o ns est la nombre de cellules lmentaires en srie sur un panneau et Io est le


courant de saturation de diode, dpendant de la temprature.
A partir lquation II-8, nous pouvons crer un programme Simulink sous un
environnement Matlab pour simuler la caractristique dun panneau solaire comme prsent
sur la figure suivante.

Figure II- 39 : Matlab Fentres de Simulink pour simuler les panneaux photovoltaques

Ce programme nous permet de simuler les caractristiques des diffrents panneaux


solaires en ne modifiant que certaines valeurs partir des donnes de manipulation.

69

Chapitre II Rcupration dnergie

Cependant, la valeur du photocourant (ILight) dpend directement de lirradiation (G) et


la valeur de courant de saturation de diode (IO) de la temprature (T) [30]. Pour simuler le
panneau solaire CIGS sous diffrentes conditions mtorologiques, dans un premier temps,
nous devons trouver les relations ILight(G) et IO(T) ainsi que les valeurs importantes qui
permettent de reprsenter le mieux possible le comportement de cellule photovoltaque. Pour
cela, nous avons utilis la fentre de Simulink dans la figure II- 39 en changeant les valeurs
des paramtres tels que lindice du matriau (m), la rsistance en parallle (Rsh), et la
rsistance en srie (Rs). Cependant les valeurs du photocourant et le courant de saturation de
diode sont diffrents suivant les conditions mtorologiques. La figure suivante montre un
exemple un rsultat de manipulation compare celui dune simulation.

Figure II- 40 : Comparaison entre les rsultats de manipulation et de simulation

Dans le tableau suivant sont donnes les valeurs utilises pour la simulation. Ces
valeurs sont obtenues par une mthode heuristique.
Panneaux

Rsh

Rs

IO(T)

ILight(G)

CIGS@ 770W/m2 sous soleil

110

3.35

1.58

1.5e-6

25

0.355

CIGS@ 580W/m2 sous soleil

110

3.35

1.58

1.5e-6

25

0.263

CIGS@ 770W/m2 et -40C

110

3.35

1.58

22e-10

-40

0.355

CIGS@ 580W/m2 et -40C

110

3.35

1.58

22e-10

-40

0.263

CIGS@ 770W/m2 et 120C

110

3.35

1.58

7e-4

120

0.355

CIGS@ 580W/m2 et 120C

110

3.35

1.58

7e-4

120

0.263

Tableau II- 14 : Paramtres importants utiliss pour la simulation

70

Chapitre II Rcupration dnergie

A partir du tableau II- 8, nous pouvons dterminer les relations ILight(G) et IO(T)
suivantes :
Log10 I O = (0,03404 T ) 7,093

Eq. II- 9

I Light = (0,000465 G ) 0,004509

Eq. II- 10

A partir des quations obtenues ci-dessus et la fentre de Simulink de la figure II-39,


nous pouvons donc crer un nouveau modle de simulation du panneau solaire dont
lirradiation et la temprature sont des paramtres dentre, comme le montre la figure
suivante.

Figure II- 41 : Matlab Fentres de Simulink pour simuler les panneaux photovoltaques sous diffrentes
conditions d'clairements et de tempratures

La figure II- 42 obtenue avec 330W/m -40C prsente dans un des cas o la
concordance entre les courbes obtenue en manipulation et en simulation est la moins bonne.

71

Chapitre II Rcupration dnergie

Figure II- 42 : Rsultat de la simulation compar au rsultat exprimental

Daprs la figure II- 42, nous constatons que le rsultat des simulations correspond au
rsultat de manipulation. Cependant le calcul de lerreur entre la simulation et lexprimental
est indispensable. Le tableau suivant donne les erreurs en pourcent des paramtres importants
tels que la tension MPP, le courant MPP et la puissance MPP, calculs partir des rsultats de
la figure II- 42. Ces paramtres seront utiliss avec le circuit MPPT.
Exprimental

Simulation

Pourcentage derreur

Tension MPP (V)

3,92

4,06

3.57%

Courant MPP (A)

0,103

0,105

1.94%

Puissance MPP (W)

0,403

0,426

5,70%

Tableau II- 15 : Pourcentages derreur entre la simulation et lexprimental

Nous constatons que les rsultats de simulation et de manipulation sont en accord car
le pourcentage derreur est acceptable.

72

Chapitre II Rcupration dnergie

II.5

Conclusion du chapitre
Dans une premire partie de ce chapitre, nous avons prsent ltat de lart des

technologies photovoltaques. Le contexte nous a permis de prsenter le principe de la


conversion photovoltaque, la modlisation dune cellule photovoltaque, les proprits du
gnrateur photovoltaque, le rendement de conversion des cellules photovoltaque, les
limitations et les comportements en temprature et en fonction de divers clairements.
Il existe de nombreux types de cellules photovoltaques. Dans ce chapitre, nous avons
galement prsent les diffrentes technologies de panneaux solaires tests. Ensuite, la
conception de lenvironnement de test des cellules a t dcrite : il consiste en un circuit de
caractrisation des panneaux ralis par un circuit lectronique et en un programme
informatique pour lacquisition des donnes ainsi quun systme dclairage artificiel ralis
par des lampes. Cet environnement nous a permis dtudier les caractristiques des cellules
solaires diffrentes tempratures et irradiations sous clairage artificiel. Ces caractristiques
ont enfin t compares aux mesures de ces mmes cellules photovoltaques sous clairage
naturel. Dans ce qui prcde, la cellule CIGS de chez Sunlinq est finalement choisie pour
notre application.
Pour la dernire partie de ce chapitre, nous avons prsent la modlisation du
gnrateur photovoltaque. Cela nous a permis de simuler le fonctionnement de lensemble
des cellules photovoltaques. Par la suite, nous lassocierons au stockage dnergie et la
gestion de lnergie pour lalimentation des diffrentes charges lectriques.

73

III - STOCKAGE DENERGIE

Chapitre III Stockage dnergie

III.1
III.1.1

tat de lart sur le stockage dnergie


Contexte et problmatique
La charge, dans notre application, ncessite une alimentation lectrique permanente de

3 watts sous 3,3 volts. Cependant l'nergie fournie par la cellule photovoltaque est tributaire
des conditions mtorologiques (ensoleillement, temprature), par consquent, un systme de
stockage est indispensable afin d'assurer la continuit lectrique de lalimentation. Dans le
cadre de SACER, le cahier des charges spcifie une autonomie de 30 secondes en cas
dabsence totale dclairement. Aujourd'hui, de nombreuses technologies de stockage
d'nergie sont disponibles. Les points cls du choix de la technologie sont la capacit, la
fiabilit et les performances. Quelle que soit la solution choisie, le systme de stockage devra
fonctionner correctement sur la plage de temprature -50C, 100 C. Afin de stocker et
fournir lnergie au systme pendant plusieurs cycles, la technologie permettant la recharge
des lments de stockage est donc envisage.
III.1.2

Type de technologie de stockage dnergie


Les diffrentes technologies rechargeables de stockage d'nergie existantes sont

prsentes sur la figure III- 1. Les technologies sont compares en termes de densits
d'nergie et de puissance. Cette figure est bien videmment volutive en fonction des progrs
de la recherche, et certains systmes peuvent devenir concurrents.

Figure III- 1 Diagramme de Ragone des systmes lectrochimiques rechargeables [31, 32]

77

Chapitre III Stockage dnergie

Dans le domaine lectrique, un accumulateur dsigne un systme physicochimique


capable de convertir de faon rversible lnergie lectrique en nergie chimique. Lnergie
lectrique est donc accumule, puis restitue en majeure partie. Laccumulateur nest
gnralement pas utilis seul, mais plusieurs sont associs en batterie [33]. Comme indiqu
sur la figure III-1, il existe cinq technologies daccumulateurs rechargeables d'usage courant :
accumulateur au plomb (Pb), accumulateur Nickel cadmium (Ni-Cd), accumulateur NickelMetal Hydride (Ni-MH), accumulateur Lithium-ion (Li-ion) et accumulateur Lithium-ion
polymre (Li-Polymer). L'avantage des accumulateurs est quils peuvent stocker une grande
densit d'nergie. Ils sont trs performants pour dlivrer cette nergie rgime constant. Par
contre lorsqu'il y a un besoin de charge ou recharge rapide, les accumulateurs ne conviennent
pas. C'est l quintervient la technologie des condensateurs et supercondensateurs. Charge et
dcharge peuvent se faire trs grande vitesse. Malheureusement leur densit d'nergie reste
faible par rapport celle daccumulateurs.
Quels lments devons-nous utiliser en fonction de notre besoin ? La comparaison des
caractristiques principales pour les diffrentes technologies est prsente dans le tableau cidessous. Il donne quelques donnes techniques approximatives sur les technologies existantes
[26, 33-39]. Les donnes prcises se trouvent sur les fiches techniques des constructeurs.

78

Chapitre III Stockage dnergie

Batteries
Plomb

NiCd

NiMH

Li-ion

Li-Po

Super
condensateur

15-40

45-80

60-120

110-160

80-130

0,5-10

200 300

500 1500

300 500

500 1000

200 300

>105

80%

80%

80%

80%

80%

100%

5C
0,2C

20C
1C

5C
0,5C

Plus de 2C
1C ou moin

Plus de 2C
1C ou moin

Variable
Variable

Oui

Moyenne

Trs faible

Nulle

Trs faible

Rsistance

5%

20%

30%

10%

10%

50%

Densit nergtique
(Wh/kg)
Nombre de cycle de
charge/dcharge (a)
Profondeur de
dcharge
Courant (b)
(en pic)
(utilisation normale)
Tolrance la
surcharge
Autodcharge par
mois
Voltage nominal
dune cellule
Plage de
tempratures de
fonctionnement
(en charge)
(en dcharge)

2V

1.2V

1.2V

3.6V

3,7 V

0,7 2,7 V

10 40 C
-20 60C

0 45 C
-40 60C

0 45 C
-20 60 C

0 45 C
-20 60C

0 45 C
-20 60C

-40 65C

Commercialis depuis

1970

1950

1990

1991

1999

2004

(a) Il sagit ici de dcharges profondes. On considre que la batterie est morte lorsquelle nest plus capable de stocker 80% de sa
capacit initiale.
(b) La puissance dune batterie sexprime gnralement en coefficient multiplicateur C de la capacit nominale du stockage de la batterie.
Une batterie de 2Ah permettant 5C pourra dbiter 5x2=10A

Tableau III- 1 Tableau comparatif des caractristiques principales pour les diffrentes technologies

Le premier critre important de notre application est la scurit. Les accumulateurs LiIon et Li-Po sont donc carts. Malheureusement la taille importante de laccumulateur au
plomb est incompatible avec notre application (la taille standard minimum est 100x25x55
mm.). Les batteries Ni-Cd ont tendance disparatre en raison des problmes du recyclage :
elles sont toxiques pour l'environnement. Par ailleurs, depuis 1er juillet 2006, une directive
Europenne interdit la commercialisation dans le grand public d'lments d'accus contenant
du Cadmium. Nous ne les retiendrons donc pas pour notre application. Les derniers choix
possibles sont donc laccumulateur Ni-MH et le supercondensateur. Cependant leur plage de
temprature de fonctionnement est limite, des essais sont donc ncessaires afin de vrifier
leur fonctionnement sous les conditions en temprature de notre besoin.
III.2

Etude des systmes de stockage dnergie diffrents tempratures


Il y a deux technologies de stockage dnergie considrer pour notre application. La

premire est laccumulateur Ni-MH et le supercondensateur est la deuxime.

79

Chapitre III Stockage dnergie

Le problme de lutilisation des accumulateurs et supercondensateurs est la plage de


temprature. Il est stipul dans la fiche technique des accumulateurs quils peuvent se charger
entre 0 et 45 C et se dcharger entre -20 et 60C. La fiche technique des supercondensateurs
stipule une plage de fonctionnement 40 65 C [40].
Cependant, plusieurs travaux ont t faits sur la charge et dcharge de diffrents types
de batteries [41-43]. Dans [41], la dcharge dun accumulateur Ni-Cd est caractrise. Dans
un autre cas [42], la dcharge daccumulateurs non rechargeables par une rsistance constante
temprature ambiante est aussi caractrise. La charge et dcharge dun accumulateur NiMH, qui ont t ralises sur une plage comprise entre 1C 60C, sont prsentes dans [43].
Toutefois, jamais un supercondensateur ou un accumulateur industriel na t test au-del
des plages nominales de temprature, ou du moins les rsultats publis.
La bibliographie tant insuffisante, nous allons donc avoir besoin de tester les
accumulateurs et les supercondensateurs dans des conditions allant au-del des plages
nominales de temprature afin de vrifier la compatibilit avec notre application. Rappelons
que pour celle-ci la plage de temprature considrer est -50 100 C.
III.2.1

Etude de linfluence de la temprature sur laccumulateur Ni-MH


Laccumulateur Ni-MH de chez Varta a t choisi car sa plage de temprature (donne

par le constructeur) est large. De plus, sa tension nominale est de 3,6 volts car 3 cellules NiMH sont conditionnes en srie.
Le tableau suivant prsente laccumulateur choisi ainsi que les conditions dutilisation
donnes par le fabricant.
Technologie
Ni-MH
Rechargeable

Nominal
Plage de Temprature
capacit
Charge : 0 45C
Varta
1,2 Volts x 3
70 mAh
(V 80 H)
Cells
Dcharge : -20 65C
Marque

Nominal
voltage

Dimension
15,5xH6 mm
par Cell

Figure III- 2 : Laccumulateur test avec les conditions dutilisation du fabricant

80

Chapitre III Stockage dnergie

Figure III- 3 : Les accumulateurs NI-MH tests

Comment doit-on charger et dcharger les accumulateurs Ni-MH?


Le principe de la charge : Un gnrateur courant constant rgl sur la valeur de
courant de charge voulu est utilis. La fin de charge, est caractrise par la tension de
laccumulateur : le moment o la tension de la batterie a atteint son maximum et o cette
tension commence baisser reprsente la fin de la charge. Une autre mthode consiste
surveiller l'volution de la temprature pour dtecter la fin de la charge.

Figure III- 4 : Courbe de charge@1C de tension-temps et temprature-temps

Pour notre application, nous utilisons un potentiostat/galvanostat Autolab PGSTAT


30. Il travaille courant constant la valeur de charge voulue. Nous chargeons
laccumulateur Varta sous un courant de 70 mA qui est la valeur du courant de charge 1C de
laccumulateur. LAutolab mesure galement la tension aux bornes de laccumulateur. Cela
nous permet darrter la charge quand la tension daccumulateur arrive 4,5 volts 25C afin
dviter la surcharge de laccumulateur. Les donnes (tension et courant de charge) sont
ensuite stockes dans un ordinateur.
Le principe de la dcharge : Pour notre application, le cahier des charges fixe que la
charge doit tre alimente sous une tension suprieure 3,3 volts et quelle consomme une

81

Chapitre III Stockage dnergie

puissance de 150 mW. Pour dcharger les accumulateurs, nous utilisons galement lAutolab.
Nous avons fix le courant de dcharge de laccumulateur la valeur de 45 mA, ce qui donne
une puissance de 150 mW. L'accumulateur est dcharg jusqu' atteindre 2,4 volts qui est la
tension limite avant dtrioration.

Figure III- 5 : La chambre climatique de chez Thermostream

Les accumulateurs ont t tests (chargs et dchargs) dans une chambre climatique
de marque Thermostream de chez Temptronic sous diffrentes tempratures comme le montre
lorganigramme suivant.

Figure III- 6 : Organigramme de test des accumulateurs

Nous allons dabord charger et dcharger les accumulateurs temprature ambiante


afin de comparer leurs performances avec celles sous diffrentes tempratures dans la
chambre climatique. Ce test permet aussi de vrifier le bon fonctionnement des

82

Chapitre III Stockage dnergie

accumulateurs. Par ailleurs, tous les accumulateurs viennent du mme lot. Daprs la fiche
technique, les accumulateurs doivent tre chargs une temprature comprise entre 0 et 45C
et dchargs entre -20 et 60C. Nous allons dabord tester le premier accumulateur sous les
tempratures de fonctionnement garanties par le constructeur (25C et 0C). Dans ce cas, les
accumulateurs devraient fonctionner correctement. Ensuite, nous allons tester les
accumulateurs au-del de la temprature limite de fonctionnement (-20C). Aprs ce test, un
nouvel accumulateur est ncessaire pour le test suivant. Cela supprime l'effet de la
dgradation de lutilisation prcdente temprature extrme. Chaque nouvel accumulateur
devra tre charg et/ou dcharg la temprature ambiante avant tout autre manipulation la
temprature teste afin de garantir les mmes conditions de test. Les schmas blocs de
l'organigramme en pointill reprsentent respectivement la charge et dcharge en dehors de la
temprature limite de fonctionnement.
Les figures III-7 et 8 prsentent la tension lors de la charge en fonction du temps pour
diffrentes tempratures. Le courant de charge est fix 70 mA dans tous les cas.
Charge curve at low temperature
25C
0C
-20C
-40C

Voltage (V)

700

1400

Time (sec)

Figure III- 7 : Evolution de la tension lors de la charge aux basses tempratures@Icharge=70mA

La tension -40C augmente rapidement jusqu' 8 volts. Dans ce cas, la fin de la


charge est difficile dtecter. Quand la temprature diminue, la tension ds le dbut de la
charge augmente plus rapidement.

83

Chapitre III Stockage dnergie

Ensuite, les caractristiques aux hautes tempratures sont analyses. Un nouvel


accumulateur a t utilis pour ces mesures La figure suivante prsente la tension de charge
en fonction du temps pour les hautes tempratures.
Charge curve at hot temperature
25C
45C
80C

4,6

Voltage (V)

4,4

4,2

4,0

3,8

3,6
0

500

1000

1500

2000

2500

3000

3500

Time (sec)

Figure III- 8 : Tension de charge aux tempratures hautes du Ni-MH @Icharge=70mA

Au vu des courbes, les accumulateurs acceptent de se charger toutes les tempratures


testes. Les rsultats montrent que la tension daccumulateur ne va pas au-del de 4,4V la
temprature 80C car une partie de laccumulateur est dtruite.
Pour tudier les caractristiques de dcharge aux tempratures extrmes, un quatrime
et un cinquime accumulateur ont t utiliss. Le quatrime accumulateur la t pour tudier
les caractristiques aux basses tempratures et le cinquime pour celles aux hautes
tempratures. La figure suivante prsente la tension de dcharge en fonction du temps pour
plusieurs tempratures ngatives.

84

Chapitre III Stockage dnergie

Discharge curve at low temperature


4,4

25C
0C
-20C
-40C

4,2
4,0
3,8
3,6

Voltage (V)

3,4
3,2
3,0
2,8
2,6
2,4
2,2
2,0
1,8
1,6
0

700

1400

2100

2800

3500

Time (sec)

Figure III- 9 : La tension de dcharge du Ni-MH aux basses tempratures@ Idcharge=45mA

Au vu des courbes, les accumulateurs peuvent se dcharger toutes les tempratures


testes. Par contre la tension daccumulateur chute plus rapidement aux tempratures plus
basses. La tension chute brusquement ds le dbut de la dcharge -40C. La capacit
disponible est dautant plus faible que la temprature diminue.
La figure suivante prsente lvolution de la tension de dcharge du Ni-MH avec le
temps pour les tempratures positives.
Discharge curve at hot temperature
4,4
4,2

25C
45C
65C
80C

4,0
3,8

Voltage (V)

3,6
3,4
3,2
3,0
2,8
2,6
2,4
2,2
-500

500

1000

1500

2000

2500

3000

3500

4000

Time (sec)

Figure III- 10 : La tension de dcharge du Ni-MH aux tempratures hautes@ Idcharge=45mA

85

Chapitre III Stockage dnergie

Daprs la courbe de la dcharge, les accumulateurs peuvent dlivrer la puissance sous


toutes les tempratures, mais sa performance est dgrade aprs lutilisation haute
temprature au-del de 45C. La capacit 65C diminue aprs l'utilisation 45C de mme
que la capacit 80C chute aprs l'utilisation 65C.
Les accumulateurs tests aux tempratures extrmes sont nouveau chargs ou
dchargs 25C afin de voir la dgradation subie par les prcdents tests. Les courbes de la
figure III- 11 comparent les caractristiques des accumulateurs 25C aprs un cycle de
charge et dcharge aux tempratures extrmes.

Charge@25C (start C&D @-40C)


Charge@25C (start C&D @0C)
Charge@25C
Charge@25C (start C&D @45C)
Charge@25C (start C&D @80C)

5,0

Discharge@25C (start C&D @-40C)


Discharge@25C (start C&D @0C)
Discharge@25C
Discharge@25C (start C&D @45C)
Discharge@25C (start C&D @80C)

4,4
4,2
4,0
3,8

Voltage (V)

Voltage (V)

4,5

4,0

3,6
3,4
3,2
3,0
2,8
2,6
2,4
2,2

3,5
0

500

1000

1500

2000

500

1000

1500

2000

2500

3000

Time (sec)

Time (sec)

Figure III- 11 : Comparaison des performances des accumulateurs 25C aprs une utilisation aux
tempratures extrmes

Laccumulateur est dgrad de faon significative aprs avoir t utilis aux


tempratures extrmes, principalement aprs l'utilisation -40 et 80C. Une partie de
l'lment chimique a t dgrad lors des prcdents tests et n'accepte plus ni de se charger, ni
de se dcharger. Laccumulateur Ni-MH ne convient donc pas notre application car sa dure
de vie diminue significativement aprs lusage aux tempratures extrmes.

86

Chapitre III Stockage dnergie

III.2.2

Etude de linfluence de la temprature sur les supercondensateurs


Des essais en temprature ont t raliss sur les supercondensateurs afin de vrifier

leurs performances. Ces manipulations avaient pour but de comparer deux packagings trs
diffrents. Le tableau ci-aprs prsente les deux supercondensateurs tudis.
Conditionnnement

Marque

Flexible Pouch

OptiXtal
Maxwell

Super condensateurs (BCAP0050P


270)

Nominal
voltage
2,7 Volts

Nominal
capacit
3F

Plage de
Temprature
-40 50C

L225xW160xT0,6 mm

2,7 Volts

50F

-40 65C

18xH41 mm

Dimension

Tableau III- 2 : Rcapitulatif des supercondensateurs choisis avec leurs conditions dutilisation

Deux supercondensateurs diffrents ont t choisis car chacun deux a ses propres
avantages. Le premier est un supercondensateur de chez OptiXtal. Il a une paisseur trs
infrieure 3,2 mm, ce qui est compatible avec notre application. Le deuxime est fabriqu
par Maxwell. Sa plage de temprature de fonctionnement est plus intressante par rapport de
celui de chez OptiXtal. Cependant, son encombrement est beaucoup trop important parce que
cest un cylindre issu dun enroulement de plusieurs feuilles. Cela rend son paisseur trs
suprieure 3,2 mm.
Comment doit-on charger et dcharger les supercondensateurs ?
Le principe de la charge : Habituellement, les supercondensateurs sont chargs
courant constant bien que cela ne soit en rien obligatoire. Cela fait crotre la tension aux
bornes de faon linaire si la capacit C est constante.
I =C

dV
dt

V (t ) =

Eq. III- 1

I
t + V ( 0)
C

Eq. III- 2

Les supercondensateurs sont chargs par lAutolab, modle PGSTAT 30, courant
constant 300 mA. Le courant de charge est approximativement gal au courant de courtcircuit du panneau solaire choisi pour alimenter la charge de 150 mW. La fin de la charge est
atteinte lorsque la tension passe au-dessus de sa tension nominale (donne par le fabricant).

87

Chapitre III Stockage dnergie

Le principe de la dcharge : Les deux supercondensateurs sont dchargs courant


constant -55 mA. Le courant de dcharge doit tre plus grand que celui des accumulateurs
cause du convertisseur qui sera ncessaire en sortie du supercondensateur pour maintenir la
tension constante aux bornes de la charge, ce qui signifie qu'une partie de l'nergie sera
dissipe par ce convertisseur. Le test des supercondensateurs aux diffrentes tempratures est
plus simple que celui des accumulateurs car ils sont moins sensibles la temprature que ces
derniers. Lorganigramme de test des supercondensateurs est reprsent figure III- 12.

Figure III- 12 : Lorganigramme de test des supercondensateurs

Un supercondensateur est dabord test aux basses tempratures puis aux hautes
tempratures. Aprs avoir test le supercondensateur aux tempratures extrmes (-50, 80 et
100 C), il est nouveau test temprature ambiante afin de comparer son fonctionnement.
III.2.2.1 Supercondensateur fin de chez OptiXtal
Sur la figure III- 13 est reprsente la photo du thin supercondensateur de chez
OptiXtal.

Figure III- 13 : Le thin supercondensateur chez OptiXtal

Les courbes de la figure suivante reprsentent la tension de charge et dcharge aux


bornes du supercondensateur pour diffrentes tempratures.

88

Chapitre III Stockage dnergie

Charge and Discharge at High temperature

Charge and Discharge at Low temperature


25C
0C
-20C
-40C
-50C

2,5

2,0

Voltage (V)

Voltage (V)

2,0

1,5

1,0

1,5

1,0

0,5

0,5

0,0

0,0

10

12

14

16

18

25C
40C
60C
80C
100C

2,5

20

10

12

14

16

18

20

22

Time (s)

Time (s)

Figure III- 14 : Caractristiques du supercondensateur de chez OptiXtal en tempe


@ Icharge=300mA et Idcharge=55mA

Quelle que soit la temprature, les volutions ne sont pas linaires, impliquant une
valeur de la capacit C variable avec lamplitude de la tension. Par ailleurs, le comportement
du supercondensateur de chez OptiXtal dpend fortement de la temprature, notamment aux
tempratures ngatives. A -40C, la charge du condensateur est quasi nulle. Comme la tension
crot trs rapidement cette temprature, daprs lquation III-13 la capacit est presque
nulle. Par ailleurs, il y a une vaporation du dilectrique partir de 80C, car 100C, les
performances se sont dgrades.
Les figures suivantes comparent les caractristiques des supercondensateurs de chez
OptiXtal 25C aprs un cycle de charge et de dcharge aux tempratures extrmes.

89

Chapitre III Stockage dnergie

Test@25C
Test@25C(start C&D @-50C)
Test@25C(start C&D @80C)
Test@25C(start C&D @100C)

2,5

Voltage (V)

2,0

1,5

1,0

0,5

0,0
6

10

12

14

16

18

20

22

Time (s)

Figure III- 15 : Comparaison des caractristiques des supercondensateurs de chez OptiXtal 25C aprs un
cyclage aux tempratures extrmes

Il y a une vaporation dune partie des constituants du supercondensateur de chez


OptiXtal du lutilisation haute temprature.
III.2.2.2 Supercondensateur BCAP00050 de chez Maxwell
Le supercondensateur BCAP0050 de chez Maxwell est reprsent sur la figure
suivante.

Figure III- 16 : Le supercondensateur BCAP0050 de chez Maxwell

Les figures suivantes prsentent la tension de charge et dcharge pour diffrentes


tempratures.

90

Chapitre III Stockage dnergie

Charge and Discharge at Low temperature

Charge and Discharge at High temperature

3,0

3,0

25C
-20C
-40C
-50C

2,5

2,0

Voltage (V)

2,0

Voltage (V)

25C
40C
60C
80C
100C

2,5

1,5

1,5

1,0

1,0

0,5
0,5

0,0
0

500

1000

1500

2000

2500

500

1000

Time (s)

1500

2000

2500

Time (s)

Figure III- 17 : Les caractristiques du supercondensateur de chez Maxwell


@ Icharge=300mA et Idcharge=55mA

Au vu des courbes, nous constatons que les performances des supercondensateurs de


chez Maxwell sont indpendantes de la temprature, la valeur de la capacit apparat
constante, indpendante de la tension et de la temprature.
Les figures suivantes comparent les caractristiques du supercondensateur BCAP0050
25C aprs un cycle de charge et de dcharge aux tempratures extrmes.
Test@25C
Test@25C(start C&D @-50C)
Test@25C(start C&D @80C)
Test@25C(start C&D @100C)

3,0

2,5

Voltage (V)

2,0

1,5

1,0

0,5

500

1000

1500

2000

2500

Time (s)

Figure III- 18 : Comparaison de la performance des supercondensateurs BCAP0050 25C aprs un cyclage
aux tempratures extrmes

91

Chapitre III Stockage dnergie

Le supercondensateur de chez Maxwell nest pas dgrad par les tempratures


extrmes. Ceci est vraiment avantageux pour notre application.
Daprs les tests des supercondensateurs BCAP0050 de chez Maxwell, nous
constatons donc quils peuvent fonctionner aux tempratures extrmes entre -50 et 100C
mais un conditionnement mcanique adapt notre application est ncessaire car du fait de
leur taille, ils ne conviennent pas notre application. Lentreprise Maxwell nous a ainsi
propos dutiliser le modle PC10 au lieu du BCAP0050. Lavantage de PC10 est son
paisseur qui nest plus que de 4,8 mm. Malgr cette valeur qui est suprieur celle dfinie
par le cahier des charges (3,2 mm.), AIRBUS tolre ce dpassement.
III.2.2.3 Supercondensateur PC10 de chez Maxwell
Le supercondensateur PC10 a t test temprature extrme (charges et dcharges)
dans une chambre climatique (Thermostream) sous diffrentes tempratures comme le montre
lorganigramme dans la figure III- 12. Le supercondensateur est pralablement stabilis 1 h
la temprature de consigne avant deffectuer la mesure, afin de stabiliser et uniformiser sa
temprature.

Figure III- 19 : Le supercondensateur PC10 de chez Maxwell

Un changement de cahier de charge du projet a impos une puissance pour la charge


de 3 W au lieu de 150 mW initialement prvu. Par consquent, pour nos mesures, le courant
de charge sera de 500 milliampres et celui de dcharge de 900 milliampres. Nous
mesurerons, comme prcdemment lvolution de la tension aux bornes du condensateur
pendant la charge et la dcharge.

92

Chapitre III Stockage dnergie

Charge and Discharge curve at Low temperature


@25C
@0C
@-20C
@-40C
@-45C
@-50C

2,5

25C
40C
60C
80C
100C

2,5

2,0

Voltage (V)

2,0

Voltage (V)

Charge and Discharge curve at High temperature

1,5

1,5

1,0

1,0
0,5

0,5

0,0

10

20

30

40

50

60

10

20

30

40

50

60

70

Time (S)

Time (S)

Figure III- 20 : Les charge et dcharge du supercondensateur PC10


@ Icharge=500mA et Idcharge=900mA

Comme le montrent les courbes, le supercondensateur PC10 prsente un


comportement qui dpend de la temprature, notamment pour les tempratures ngatives. La
capacit -50C diminue par exemple de faon significative par rapport 25C.
Ce modle de supercondensateur prsente le meilleur compromis entre lpaisseur, la
dure de vie et les performances aux tempratures extrmes. Le supercondensateur PC10 de
chez Maxwell est donc compatible avec les exigences du cahier des charges.
Afin de vrifier le bon fonctionnement du supercondensateur aprs lusage aux
tempratures extrmes, nous avons expos un composant aux tempratures extrmes pendant
5 heures et lavons ensuite charg et dcharg 25C.

93

Chapitre III Stockage dnergie

@25C
@25C after C&D @-45C
@25C after C&D @-50, -55C
@25C after C&D @120C

2,6
2,4
2,2

Voltage (V)

2,0
1,8
1,6
1,4
1,2
1,0
0,8
0,6
0,4
0

10

20

30

40

50

60

Time (S)

Figure III- 21 - Comparaison des performances des supercondensateurs PC10 25C aprs un cyclage aux
tempratures extrmes

Au vu des rsultats de la figure III- 21, le supercondensateur PC10 de chez Maxwell


nest pas dgrad par les tempratures extrmes. Nous retiendrons donc ce modle pour
fournir et stocker lnergie ncessaire notre application.
III.2.3

Choix du systme de stockage dnergie


Dans cette partie, nous synthtisons les rsultats des diffrentes sources de stockage

dnergie. Le tableau III- 3 rsume les avantages et inconvnients des diffrents lments
tests.
Technologies
Ni-MH
Varta
Super condensateur
OptiXtal

Avantage

Inconvnient
- Dgradation haute temprature

- Pas besoin dun convertisseur


- Epaisseur > 3,2mm
- Dgradation haute temprature
( >80C)
- La performance dpend de la
temprature et du pass.

- Epaisseur<3,2mm.

- Pas de dgradation apparente aux


Super condensateur tempratures extrmes
Maxwell BCAP0050 - Performance indpendante de la
temprature
- Pas de dgradation apparentes aux
Super condensateur
tempratures extrmes
Maxwell PC10
- Epaisseur<5mm.

- Epaisseur > 3,2mm


- la performance dpend un peu de
la temprature
- Epaisseur > 3,2mm

Tableau III- 3 : Les avantages et inconvnients des diffrentes technologies testes

94

Chapitre III Stockage dnergie

En conclusion, nous constatons que les accumulateurs et le supercondensateur de chez


OptiXtal tests ne conviennent pas pour notre application cause de leur dgradation trop
importante. Lutilisation de plusieurs supercondensateurs PC10 de chez Maxwell est donc une
solution envisage pour fournir et stocker lnergie mme si son paisseur est encore
suprieure 3,2 mm (cest--dire 4,8 mm).

Modlisation des supercondensateurs

III.3

La modlisation des supercondensateurs doit nous permettre de dterminer le nombre


de supercondensateurs ncessaires pour notre application. Un supercondensateur se compose,
schmatiquement, de deux lectrodes poreuses imprgnes d'lectrolyte, connectes chacune
un collecteur mtallique, et spares l'une de l'autre par une membrane isolante poreuse
(pour assurer la conduction ionique) (figure III- 22).

Figure III- 22 : Vue schmatique d'un supercondensateur [36]

La double couche lectrique peut tre modlise, non pas par une unique capacit nonlinaire ventuellement rsistive, mais par un rseau complexe de capacits non-linaires,
interconnectes entre elles par des rsistances d'accs aux pores, comme schmatis figure III23 [36].

95

Chapitre III Stockage dnergie

Figure III- 23 : Modle thorique du supercondensateur [36]

Les diffrentes rsistances reprsentes ci-dessus dpendent de nombreux paramtres,


tels que :
- la rsistivit des matriaux d'lectrode,
- la rsistivit de l'lectrolyte, fonction de la concentration en porteurs de charges
libres
- la taille des pores, qui influe notamment sur la qualit du contact lectrique entre
particules de matire active, et sur la concentration ionique locale de l'lectrolyte, dans le cas
de pores aux dimensions voisines de celles de la couche diffuse,
- la technologie d'assemblage[36].
Cependant, le nombre ncessairement lev de branches rend impossible la
dtermination des diffrents paramtres. Cest pour cela quun modle du premier ordre est
considr [44, 45].
III.3.1

Modle une branche


Pour simplifier le modle prcdent, un modle du premier ordre (simple circuit RC

srie) est propos sur la figure III- 24. Un supercondensateur est alors compos de deux
composantes : une composante capacitive et une composante rsistive. La composante

96

Chapitre III Stockage dnergie

rsistive reprsente la chute de tension cause par la rsistance srie quivalente (ESR) du
supercondensateur.

Figure III- 24 : Modle du premier ordre de supercondensateur

Les paramtres R et C sont dtermins au moyen d'un unique essai, savoir une
charge et dcharge complte courant constant du supercondensateur test. La procdure
d'identification est base sur l'analyse des variations de tension aux bornes du
supercondensateur, durant la dcharge. La figure III.25 montre les deux composantes lors
dune dcharge dun supercondensateur courant constant.

Figure III- 25 : Profil de charge et dcharge dun supercondensateur

Au dbut de la dcharge, la tension chute quasi instantanment cause de la rsistance


interne du supercondensateur. Ensuite, le courant dcrot cause de la dcharge de la
capacit.
Identification de R :
Considrons le profil exprimental typique de charge / dcharge de la figure III- 25 :
au passage de ltat de charge courant constant Icharge, ltat galement courant constant
Idcharge, linversion du sens du courant se traduit par une diminution rapide et transitoire de la
tension U aux bornes du supercondensateur. U passe alors de la valeur Umax la valeur UR

97

Chapitre III Stockage dnergie

sous linfluence de la variation brusque de courant aux bornes de la rsistance srie R. La


valeur de R peut donc tre dduite des paramtres prcdents grce la formule :
R=

U max U R
I ch arg e + I dch arg e

Eq. III- 3

I ch arg e et I dech arg e tant les amplitudes respectivement de l'chelon de courant de

charge et de dcharge, Umax et UR tant dfinies figure III-25.


Identification de C :
La loi d'volution temporelle de la tension aux bornes de la capacit, est rgie, par
lquation suivante :
I dch arg e = C

dU
dt

Eq. III- 4

On dduit l'expression de C en fonction de la pente initiale de U,


C=

I dch arg e Tdech

Eq. III- 5

U R U min

III.3.1.1 Identification des paramtres du modle


La procdure didentification des paramtres du modle du supercondensateur PC10
repose sur lanalyse de mesures prsentes dans la section III.2.2.3. Nous pouvons ainsi
dterminer les paramtres R et C pour diffrentes tempratures.
Temperature(C)
Chute Ohmique(Ohms)
Capacitance(Farads)

-50
-40
-20
0
0,353 0,349 0,196 0,176
8,152 8,809 8,913 9,250

25
0,156
9,251

40
60
80
100
0,146 0,138 0,140 0,135
9,175 9,191 9,145 9,140

Tableau III- 4 : Les paramtres de R et C du supercondensateur PC10

Les rsultats obtenus dans le tableau III- 4 permettent de reprsenter lvolution des
caractristiques du supercondensateur avec la temprature.

98

Chapitre III Stockage dnergie

2,4

100

2,2

RT/R25C

1,8

92

RT/R25C
CT/C25C (%)

1,6

88

1,4
1,2

(%) CT/C25C

96

2,0

84

1,0

80

0,8
-60

-40

-20

20

40

60

80

100

Temprature (C)
Figure III- 26 : Les caractristiques du supercondensateur PC10

Les figure III- 26 et Tableau III- 4 dmontrent que, quand la temprature baisse, la
capacit du supercondensateur chute et que la rsistance augmente.
III.3.2

Rsultats
Nous

utilisons

une

plate-forme

Matlab/Simulink

afin

de

modliser

le

supercondensateur. Ceci nous permet de visualiser les rsultats sous forme graphique.
Lutilisation du logiciel consiste excuter un programme sous forme de lignes de
commandes, pouvant sapparenter de la programmation en C. Associ Simulink
(commande lance sous Matlab), il devient un outil graphique trs simple dutilisation pour la
simulation de processus [46, 47].
Dans un premier temps, quelques lignes de commande sous Matlab sont excutes afin
de dfinir les valeurs de la rsistance, de la capacit et la tension initiale aux bornes du
supercondensateur. Les valeurs varient en fonction de la temprature daprs les rsultats du
tableau III- 4.
Dans un deuxime temps, en utilisant le modle du premier ordre de la figure III-24,
nous dterminons les quations de ce modle :
U = IR + U C

Eq. III- 6

I
U = IR + dt
C

Eq. III- 7

99

Chapitre III Stockage dnergie

Ci-dessous, figure III- 27, la fentre de Simulink qui est utilise pour simuler les
charge ou dcharge dun supercondensateur en fonction du temps.

Figure III- 27 Matlab Fentres de Simulink pour la charge et dcharge du supercondensateur

Le rsultat obtenu pour la charge et la dcharge dun supercondensateur est prsent


figure III- 28.

Figure III- 28 : Rsultat de la simulation de Simulink

Par ailleurs, nous avons dvelopp un deuxime modle avec Simulink qui est donn
sur la figure ci-aprs. Ce modle permet de dterminer le temps pendant lequel un

100

Chapitre III Stockage dnergie

supercondensateur PC10 fournit une puissance constante de 3W. La simulation sarrte quand
la tension du supercondensateur descend en dessous de 1,8 volt. Cette valeur est la tension
minimum appliquer au rgulateur qui sera branch en sortie du supercondensateur. En de
de cette valeur, le rgulateur ne pourra plus fournir la tension rgule pour laquelle il est
conu. Ce modle permettra de dimensionner les supercondensateurs.

Figure III- 29 : Matlab Fentres de Simulink pour dbiter la puissance constante

Le rsultat de la simulation pour un supercondensateur de valeurs R et C gales


0 ,156 et 9,251 F ( la temprature de 25C) est donn figure III- 30 : le condensateur se
maintient au-dessus de 1,8 volt pendant 2,78 secondes.

101

Chapitre III Stockage dnergie

Figure III- 30 : Rsultat de la simulation de Simulink puissance constante

III.3.3

Validation exprimentale
Cependant, ce rsultat de simulation doit tre valid exprimentalement.
La figure III- 31 compare les courbes de charge et de dcharge des supercondensateurs

PC10 courant constant obtenues en simulation et les mesures correspondantes tempratures.


Manipulation 25C
Simulation 25C
Manipulation -50C
Simulation -50C
Manipulation 100C
Simulation 100C

2,5

Tension (V)

2,0
1,5
1,0
0,5
0,0
0

10

20

30

40

50

60

Temps (s)
Figure III- 31 : Comparaisons simulations/ expriences

102

Chapitre III Stockage dnergie

Daprs la figure III- 31, nous constatons que le rsultat des simulations correspond au
rsultat des manipulations. Cependant le calcul de lerreur entre la simulation et
lexprimental est indispensable. Le tableau suivant donne les erreurs en pourcentage
diffrentes tempratures partir des rsultats de la figure II- 31.

Manipulation
Simulation
%Error

-50 C
Chute
Capacitance
Ohmique(
(Farads)
Ohms)
0,353
8,152
0,348
8,162
1,284
0,119

25 C
Chute
Capacitance
Ohmique
(Farads)
(Ohms)
0,156
9,251
0,152
9,261
2,591
0,117

100 C
Chute
Capacitance
Ohmique
(Farads)
(Ohms)
0,135
9,140
0,131
9,156
2,920
0,177

Tableau III- 5 : Erreur (%) entre simulation et exprience

A partir du tableau III-5, on peut constater que les rsultats de simulation obtenus
correspondent trs fidlement la rponse exprimentale. Cela nous permet de dimensionner
les supercondensateurs partir du deuxime modle de simulation Simulink.
III.3.4

Dimensionnement des supercondensateurs


Pour dimensionnement les supercondensateurs, nous utilisons le modle de simulation

Simulink prsent figure III- 29. Ce modle nous permet de simuler la dcharge du
supercondensateur dlivrant une puissance de sortie constante gale 3 W.
Lutilisation dun module constitu de plusieurs supercondensateurs permettrait de
dlivrer une tension et un courant de sortie plus levs, mais aussi dalimenter la charge plus
longtemps. Sachant que le modle dun supercondensateur est constitu dune rsistance et
dune capacit en srie, il est possible de calculer les valeurs de la rsistance, de la capacit et
de la tension ses bornes en fonction de lassociation (srie ou parallle) des
supercondensateurs.
Daprs la figure III- 26, nous savons que la plus faible valeur de capacit des
supercondensateurs est -50C. Nous avons donc considr cette valeur pour le
dimensionnement des supercondensateurs. Le tableau suivant donne les valeurs de R, C et la
tension la temprature -50C pour plusieurs associations de supercondensateurs.

103

Chapitre III Stockage dnergie

Nombre de super condensateurs


- lments en serie
- Branches en parallle
Chute Ohmique(Ohms)
Capacit (Farads)
Tension (V)

1
2
1
2
1
1
0,353 0,706
8,152 4,076
2,5
5,0

4
6
8
10
2
2
2
2
2
3
4
5
0,353 0,235 0,176 0,141
8,152 12,228 16,304 20,380
5,0
5,0
5,0
5,0

Tableau III- 6 : Valeurs de R, C et de la tension en fonction du montage des supercondensateurs

Les valeurs obtenues dans le tableau III-6 sont utilises dans le modle Simulink de la
figure III- 29 pour dterminer le temps de dcharge des diffrentes associations de
supercondensateurs. Les rsultats de simulation sont donns dans le tableau suivant.
1
1
1
1

Nombre de super condensateurs


- lments en serie
- branches en parallele
Temps de dcharge de 3 watts (seconds)

2
2
1
9

4
2
2
24

6
2
3
38

8
2
4
53

10
2
5
67

Tableau III- 7 : Temps de dcharge 3 watts en fonction du montage des supercondensateurs

De ces rsultats de simulation, nous pouvons dterminer larchitecture des


supercondensateurs pour alimenter un nud pendant la dure dfinie dans le cahier des
charges.
III.4

Conclusion du chapitre
Un tat de l'art sur le stockage dnergie petite chelle a permis de rpertorier la trs

grande varit des technologies utilisables pour le stockage lectrostatique et lectrochimique


de l'nergie. Par ailleurs, cette description analytique a permis de mettre en exergue les
proprits considrer dans la conception de notre systme.
Nous avons ensuite tudi plusieurs technologies de stockage dnergie diffrentes
tempratures. Le meilleur choix nous est apparu tre celui des supercondensateurs stockage
lectrostatique. Des teste en temprature nous ont en effet permis de vrifier leur comptabilit
avec lusage que nous envisageons.
Enfin, nous avons prsent les principes de la modlisation des supercondensateurs.
Le modle une branche, dont les paramtres ont t au pralable identifis et calculs a t
simul. Les rsultats de simulation ont t compars aux mesures afin de valider le modle.
Les rsultats de simulation sont en accord avec la mesure, ce qui valide le modle. La
modlisation lmentaire nous a permis de dterminer une topologie dassociation srie-

104

Chapitre III Stockage dnergie

parallle rpondant limpratif dautonomie (absence transitoire dclairement) de notre


cahier des charges.

105

IV - GESTION DE LENERGIE

Chapitre IV Gestion de lnergie

IV.1
IV.1.1

Architecture des systmes existants


Contexte et problmatique
Depuis quelques dcennies, le besoin dobserver et de contrler des phnomnes

physiques tels que la temprature, la pression ou encore la luminosit est essentiel pour de
nombreuses applications industrielles et scientifiques. Il ny a pas si longtemps, la seule
solution pour acheminer les donnes du capteur jusquau contrleur central tait le cblage
qui avait comme principaux dfauts dtre coteux et encombrant. Aujourdhui, grce aux
rcents progrs des technologies sans fil, de nouveaux produits exploitant des rseaux de
capteurs sans fil (Wireless Sensor Networks) sont employs pour rcuprer des donnes
environnementales [48]. De plus en plus de systmes tendent ainsi devenir autonomes. Le
point bloquant reste la dpendance nergtique [49].
Pour donner une autonomie nergique aux nuds du rseau de capteurs pour le projet
SACER, nous nous intressons lnergie photovoltaque. Comme nous lavons prsent
prcdemment, lnergie extraite du panneau solaire est strictement conditionne par les
contraintes physiques (ensoleillement, temprature, etc...), il se pose donc la question de
ladaptation du panneau solaire la charge [50]. Les systmes autonomes ont aussi besoin
dun systme de stockage dnergie afin dassurer la continuit lectrique quasi permanente
quelles que soient les squences densoleillement [51]. Dans ce cas il est galement ncessaire
de concevoir et de raliser un circuit qui permette de rguler la puissance fournie la charge.
La gestion de lnergie consiste donc dterminer les caractristiques des sousensembles suivants : le panneau solaire appropri, le supercondensateur appropri, les
systmes dadaptation de lnergie placer entre les tages de production, de stockage et de
consommation ainsi que trouver le systme permettant lquilibre entre la puissance fournie et
la puissance consomme. Pour cela, dans un premier temps, nous devons donc tudier les
diffrentes architectures de conversion photovoltaque existantes pour ensuite proposer la
ntre et la valider en association avec le panneau solaire et le systme de stockage choisis
dans les chapitres prcdents.

109

Chapitre IV Gestion de lnergie

IV.1.2

Architecture classique de diffrentes chanes de conversion photovoltaque

IV.1.2.1 Connexion directe entre le panneau photovoltaque et la charge


Le systme le plus simple que lon puisse concevoir se compose dun gnrateur
photovoltaque (GPV) et dune charge de type continu (DC) qui utilise directement la
puissance fournie par le GPV. Cette puissance dpend fortement de lclairement, de la
temprature et de la nature de la charge. La connexion directe entre le panneau photovoltaque
et la charge est trs rpandue en raison de sa simplicit de mise en uvre, ainsi que de son
cot minimal d fondamentalement labsence dlectronique lexception dune diode antiretour ncessaire parfois pour viter un ventuel retour du courant (figure IV-1).

Figure IV- 1 : Connexion directe entre le panneau photovoltaque et la charge via une diode anti-retour

Malheureusement cette configuration noffre aucun paramtre de rglage. La


puissance fournie par le module photovoltaque est fixe par lintersection entre la
caractristique courant-tension (I-V) du GPV et celle de la charge. Le transfert de puissance
ne pourra donc pas rester optimis lorsque les caractristiques fluctuent. Ainsi sur la figure
IV-2, pour une charge de type batterie idale (source de tension), le transfert est optimise dans
le cas (1) mais pas dans le cas (2) - batterie trop charge et (3) batterie dcharge.

110

Chapitre IV Gestion de lnergie

Figure IV- 2 : Charge de batterie en connexion directe

Pour augmenter la production dun GPV, un tage dadaptation entre le panneau


photovoltaque et la charge est ajout. Cette adaptation a pour rle de chercher de faon
automatique le PPM du gnrateur, comme prsent par la suite.
IV.1.2.2 Connexion entre le panneau photovoltaque et la charge vie un tage
dadaptation
a)

Introduction dun tage dadaptation

Comme illustr dans la figure IV- 2, le point de fonctionnement peut se trouver plus
ou moins loign du PPM. Lutilisation dun tage dadaptation permet doptimiser la
production dnergie. Cet tage dadaptation peut tre un convertisseur DC-DC de type
survolteur ou dvolteur selon les applications. Le principe de la rechercher du PPM est dcrit
dans la suite de ce manuscrit.
b)

Principe de la recherche du point de puissance maximal

Le schma de principe dun systme comprenant un module photovoltaque, une


charge en sortie et un tage dadaptation DC-DC intercal entre les deux est prsent sur la
figure suivante.

111

Chapitre IV Gestion de lnergie

Figure IV- 3 : Schma de conversion photovoltaque avec convertisseur DC/DC contrl par une commande
MPPT sur charge DC

Ltage adaptation de la figure IV- 3 comporte une commande appele MPPT (de
langlais Maximum Power Point Tracking) qui recherche automatiquement le point de
puissance maximum (PPM) du gnrateur. Que ce soit une commande analogique ou digitale,
le principe du convertisseur est bas sur la variation automatique du rapport cyclique ( ou D)
du convertisseur pour sapprocher de la valeur optimum de manire maximiser la puissance
la sortie du panneau PV [52]. Lalgorithme de recherche MPPT peut tre plus ou moins
complexe en fonction du type dimplantation choisi et des performances recherches mais
dans tout les cas la variation du rapport cyclique du convertisseur de puissance associ fournie
le degr de libert ncessaire pour fixer le point de fonctionnement [53].Dans la partie
suivante, nous expliquons les diffrentes commandes MPPT rencontrs dans la littrature.
c)

Synthse des diffrentes commandes MPPT rencontres dans la littrature

Lalgorithme mis en uvre dans les premires commandes MPPT date de 1968.
Depuis, diffrents types dalgorithmes effectuant la recherche du PPM ont t publis [54].
Parmi les nombreuses publications, nous avons fait une classification des diffrents
algorithmes MPPT existants en les regroupant selon leur principe. Les plus couramment
rencontres sont :

Commandes Hill Climbing

Commandes Perturb & Observ (P&O)

Commandes dincrment de conductance (IncCond)

112

Chapitre IV Gestion de lnergie

Commandes MPPT bases sur des relations de proportionnalit (Fraction de VOC et Icc)

Commandes bases sur la logique floue (dans la littrature anglo-saxonne Fuzzy Logic
Control).
Pour une meilleure comprhension des caractristiques des diffrentes techniques de

MPPT, nous prsentons brivement leurs diffrents principes dans le tableau suivant. De ce
tableau, il est possible de dterminer le type de commande approprie pour lapplication
vise.
Fraction Fraction Logique
de Voc
de Icc
floue

MPPT Technique

Hill Climbing

P&O

IncCond

MPPT
(%)

Variable
95.5%
99.1%

Variable
81.5%
96.5%

Variable
89.9%
98.2%

88.1%

N.S.

N.S.

Non
Oui

Non
Oui

Non
Non

Oui
Non

Oui
Oui

Oui
Oui

Non

Non

Non

Oui

Oui

Oui

Connaissance
technologique du
GPV ncessaire?
Vrai MPPT?
Mise jour
priodique manuelle
ncessaire?
Mode dimplantation
analogique ou
numrique?
Vitesse de
recouvrement
Complexit
dimplmentation
Type de
capteurs

Les deux

Les deux Numrique Les deux

Les deux Numrique

Variable

Variable

Variable

Moyenne

Moyenne

Rapide

Basse
Tension,
Courant

Basse
Tension,
Courant

Moyenne
Tension,
Courant

Basse

Moyenne

Haute

Tension

Courant

Variable

Tableau IV- 1 : Caractristiques majeurs des commande MPPT [54, 55]

La plupart des commandes MPPT couramment utilises sont bass sur les commandes
Hill Climbing et Perturb & Observ (P&O) . Les principales commandes sont ralises
de manire numrique, par microcontrleur ventuellement. Nous pouvons cependant
souligner larchitecture prsente dans [56] qui fonctionne uniquement avec des composants
lectroniques analogiques. Daprs le tableau ci-dessus, la commande Hill Climbing
prsente le meilleur rendement nergtique. Cependant, la ralisation de cette commande,
ncessite deux capteurs (courent et tension), contrairement aux commandes MPPT bases sur
des relations de proportionnalit, qui elles, ne ncessitent quun seul capteur. De plus, la
commande base sur la fraction de Voc est plus simple implmenter. Nous nous sommes

113

Chapitre IV Gestion de lnergie

intresss, pour le projet SACER, la commande Hill Climbing et celle base sur la
fraction de Voc pour les raisons cites ci-dessus. Pour une meilleure comprhension des
performances et fonctionnements de ces commandes, nous prsentons brivement les
mthodes envisages dans les paragraphes suivants.

Principe des commandes Hill Climbing


Le principe de la commande Hill Climbing consiste perturber le rapport cyclique

faire dplacer le point de fonctionnement le long de la caractristique du gnrateur


prsentant un maximum. La recherche sarrte thoriquement quand le point de puissance
maximal est atteint.
Comme montr sur la figure IV- 4, nous pouvons dduire que si une incrmentation
positive du rapport cyclique de VPV cre un accroissement de la puissance PV, cela signifie
que le point de fonctionnement se trouve gauche du PPM. Si au contraire, la puissance
dcrot, cela signifie que le systme a dpass le PPM. Nous pouvons donc situer le point de
puissance maximale partir de ces diverses analyses. En rsum, si suite une perturbation
du rapport cyclique, la puissance PV augmente, la direction de perturbation est maintenue.
Dans le cas contraire, elle est inverse pour reprendre la convergence vers le nouveau PPM
[55]. Nous pouvons faire la conclusion des algorithmes Hill Climbing dans le tableau
suivant [54].
Perturbation

Variation de la puissance

Prochaine perturbation

Positive

Positive

Positive

Positive

Ngative

Ngative

Ngative

Positive

Ngative

Ngative

Ngative

Positive

Tableau IV- 2 : Conclusion des algorithms de Hill Climbing

Le processus de recherche continue priodiquement jusqu atteindre le point de


puissance maximale. Puis le systme va osciller en permanence autour du PPM. Ces
oscillations peuvent tre minimises en rduisant la valeur de la variable de perturbation.
Cependant, une faible valeur dincrment ralentit la recherche du PPM, il faut donc trouver un
compromis entre prcision et rapidit [55].

114

Chapitre IV Gestion de lnergie

Figure IV- 4 : Divergence de commande Hill Climbing lors de variations dirradiation

Cependant, lalgorithme Hill Climbing peut avoir des erreurs dinterprtation au


niveau de la direction suivre pour atteindre le PPM lorsque des variations brusques au
niveau des conditions climatiques ou/et de charge apparaissent, comme montr dans la figure
IV-4.
Au dpart le point A est le point de fonctionnement une condition climatique
donne. Suite une perturbation du rapport cyclique de valeur D, le point de fonctionnement
bascule en B toujours dans les mmes conditions dclairement. Daprs le tableau IV-2, une
inversion du signe de la perturbation est donc effectue due la dtection dune drive de la
puissance ngative. Cependant, lors dun changement dirradiation (caractristiques P(V) du
module de P1 P2), le point de fonctionnement se dplace alors de A vers C. Dans ce cas,
lalgorithme est induit en erreur cause du changement de caractristique.

Les commandes MPPT bases sur la fraction de Voc


Le principe de fonctionnement de ces commandes est bas sur des relations de

proportionnalit entre (V0C et VMP) ou (ICC et IMP). Elles nous permettent de caractriser le
point de puissance maximal.
Mesure de Voc (Fraction de Voc)
La tension de rfrence est obtenue partir de la connaissance de la relation linaire
existante entre VMP et VOC dun module PV :
VMP k1 VOC

Eq. IV- 1

115

Chapitre IV Gestion de lnergie

O k1 est un facteur de tension dont la valeur dpend du GPV utilis. La valeur k1


peut tre dtermine en effectuant des mesures de caractrisation de GPV utilis sous
diffrentes tempratures et irradiations. Les valeurs de VMP et VOC sont releves chaque
mesure afin de dterminer le facteur de tension.
Une fois la valeur k1 trouve, nous mesurons la valeur de VOC condition de
dconnecter la charge du GPV. Ensuite, nous pouvons dduire la tension de rfrence partir
de lquation IV-1 et lappliquer au GPV.
Linconvnient de cette commande est quelle gnre des pertes quand la charge est
dconnecte du GPV pour la mesure de VOC. De plus, comme indiqu dans le [57], le facteur
k1 nest plus valable dans des conditions d'ombre partielle sur le GPV.
Ce type de commande est facile mettre en uvre et peu coteuse. Malheureusement,
l'originalit de ce mthode repose sur le procd d'estimation des paramtres caractristiques
du module, la prcision de cette commande est donc faible.
Au paragraphe IV.2.2 nous prsenterons le test exprimental de ces 2 mthodes.
Cependant notre systme de gestion dnergie ne doit pas seulement grer la fonction
de MPPT du gnrateur photovoltaque. Il doit bien sr si possible alimenter correctement la
charge en permanence, mais aussi recharger llment de stockage. Diffrentes conceptions
de systmes de gestion d'nergie permettant de rendre compltement autonome les rseaux de
capteurs sans fil ont t dvelopps. Nous allons donc prsenter quelques architectures de
systmes qui ont ont fait lobjet de publications.
IV.1.3

Etat de lart des systmes de gestion de lnergie pour lalimentation des


rseaux de capteurs sans fils autonomes
Heliomote : Le systme Heliomote qui a t dvelopp par le laboratoire Networked

and Embedded Systems Laboratory se compose principalement dun panneau solaire et de


deux accumulateurs Ni-MH. La tension puissance maximum du panneau solaire est gale
3 volts. La tension des accumulateurs varie entre 2,2 et 2,8 volts. Le panneau solaire est
connect deux accumulateurs au moyen dune diode en srie qui empche la dcharge
ventuelle des accumulateurs dans le panneau (cf. figure IV-1). La diode prsente une chute
de tension de 0,7 volts, ce qui fixe la tension aux bornes du panneau solaire au voisinage du
point de fonctionnement puissance maximum.

116

Chapitre IV Gestion de lnergie

Si la tension des panneaux reste infrieure la tension des accumulateurs additionne


la tension de la diode polarise en directe, les accumulateurs ne peuvent pas se charger ; les
rseaux de capteurs sans fil ne sont alors aliments que par les accumulateurs. Les
accumulateurs ont un nombre limit de cycles de charge et dcharge. La dure de vie des
rseaux de capteurs sans fil est donc affecte par celle des accumulateurs [58].
Prometheus : Le systme Prometheus qui a t propos par University of
California se

compose

dun

accumulateur

Li-Polymre

rechargeable,

de

deux

supercondensateurs de 2,5 volts, 22 farads et dun panneau solaire. L'ensemble alimente un


rseau de capteurs sans fil qui s'appelle Telos. Les supercondensateurs sont utiliss comme un
premier tampon pour stocker lnergie. La figure IV- 5 prsente la vue densemble du
systme Prometheus [59].

Figure IV- 5 : Le schma bloc du systme Prometheus : les lignes doubles reprsentent le flux de puissance et
les lignes simples correspondent aux signaux de commande [59]

Le rseau de capteur sans fil Telos est dabord aliment par les supercondensateurs.
Cependant, les supercondensateurs ont une capacit faible et leur tension chute quand ils se
dchargent pour alimenter le circuit. Ils ne permettent donc pas d'assurer l'alimentation du
rseau de capteur sans fil dans la dure. Par consquent, laccumulateur est ajout car il a une
densit d'nergie plus leve et une tension moins variable.

117

Chapitre IV Gestion de lnergie

La figure IV-6 prsente lalgorithme de commande des ordres dalimentation et le


circuit de commande de la charge de laccumulateur. La chute de tension aux bornes de
laccumulateur d la temprature est compense (lignes 1-2). Lalimentation de la charge
par les supercondensateurs suit un cycle dhystrsis (lignes 3-6) : elle est coupe si la tension
leurs bornes descend en dessous du seuil spcifique de 2,2 volts et est reconnecte si cette
tension est suprieure 3,5 volts. Laccumulateur peut galement se charger en mme temps
que les supercondensateurs en passant par un convertisseur si le panneau solaire a
suffisamment de puissance disponible (lignes 7-8). La charge de laccumulateur est coupe si
la tension des supercondensateurs est infrieure 3,8 volts (lignes 9-10).

Figure IV- 6 : Algorithme et Circuit de commande de charge [59]

Cette architecture permet galement de prolonger la dure de vie du systme et plus


particulirement de laccumulateur car elle rduit le nombre de cycles de charge et dcharge
de laccumulateur. Malheureusement, la commande de la gestion de lnergie ncessite
dutiliser un microprocesseur alors quune solution analogique tait possible. De plus, les
systmes Heliomote et Prometheus nutilisent pas de commande MPPT.
Everlast : Une autre architecture propose qui a t dvelopp par University of
California sappelle Everlast [60, 61]. Le systme se compose dun panneau solaire et de

118

Chapitre IV Gestion de lnergie

deux supercondensateurs de 2,5 volts, 50 farads en srie. Le diagramme du systme est


prsent sur la figure IV- 7. Les supercondensateurs se chargent en utilisant un rgulateur
modulation d'impulsions en frquence (PFM regulator) comprenant une commande MPPT
base sur la fraction de Vco. Comme prsent dans [62], lefficacit du systme Everlast est
meilleure que celle des systmes Heliomote et Prometheus. De plus, la dure de vie du
systme ne se dgrade pas car la partie stockage dnergie ne comporte pas daccumulateur.
Le systme a besoin dutiliser un microcontrleur pour piloter la commande MPPT.
Larchitecture du systme se rvle tre complexe. Avec uniquement les supercondensateurs
pleins, le rseau de capteurs sans fil peut tre aliment 52,4 milliwatt pendant 2,2 heures.

Figure IV- 7: Le diagramme du systme Everlast [60, 61]

PUMA : Le systme PUMA [63] qui a t propose par University of California


maximise lutilit de lnergie rcupre ( Power Utility Maximization dans le texte). La
puissance est distribue plusieurs sous systmes. La puissance ncessaire pour alimenter les
sous systmes est en concordance avec la puissance rcupre. La figure IV- 8 prsente le
schma bloc du systme PUMA.

119

Chapitre IV Gestion de lnergie

Figure IV- 8 : Le schma bloc du systme PUMA [63]

Le systme se compose dun capteur de luminosit (Sunlight Sensor), densembles


dinterrupteurs (Switch Array) et dun microcontrleur. La luminosit mesure par le capteur
est envoye au microcontrleur afin de calculer la puissance disponible rcuprable par le
panneau solaire. Le microcontrleur contrle alors les interrupteurs afin de grer la puissance
en fonction de la demande des sous-systmes nomms M, S, W et B comme le montre le
tableau IV-3. Dans le cas o la puissance fournie par la source ambiante nest pas suffisante
pour alimenter les sous systmes, laccumulateur est utilis comme une source
complmentaire. Laccumulateur peut galement se charger par le panneau solaire quand la
luminosit est maximale.

Tableau IV- 3 : Les diffrents Modes dalimentation des sous-systmes [63]

120

Chapitre IV Gestion de lnergie

Ambimax : Le systme Ambimax qui a t dvelopp par University of


California utilise une MPPT autonome permettant de charger des supercondensateurs avec
une efficacit maximale. Il peut galement rcuprer lnergie par plusieurs sources telles que
l'nergie solaire, vibratoire, thermique et olienne. Le systme Ambimax, contrl par un
circuit analogique, fonctionne sans microcontrleur ou microprocesseur. La figure IV- 9
prsente le sous ensemble du systme Ambimax [62].

Figure IV- 9 : Schma bloc du systme AmbiMax [62]

Un rgulateur Boost modulation de largeur d'impulsions est plac entre la source


dnergie ambiante et le supercondensateur. Cela permet de grer lnergie avec une
commande MPPT, amliorant son efficacit par rapport aux systmes prcdents. Le
rgulateur Boost permet de maximiser lefficacit de la source de rcupration dnergie
ambiante durant la charge des supercondensateurs. Il empche galement le retour du courant
des supercondensateurs dans le systme de rcupration dnergie. Afin daccomplir la
fonction MPPT, un capteur dirradiation solaire est associ un comparateur prsent dans la
figure IV-10.

Figure IV- 10 : Schma lectrique du comparateur utilis pour la fonction MPPT [62]

121

Chapitre IV Gestion de lnergie

Le capteur dirradiation solaire fournit la tension Vsensor qui est une image de VOC. On
retrouve donc la tension VMP en sortie du pont diviseur de tension form par R3 et R4. La
tension VMP est compare la tension relle du systme de rcupration dnergie (Vambi).

Figure IV- 11 : Cycle dhystrsis avec ltat du rgulateur [62]

Le comparateur hystrsis fait osciller la tension autour du point de puissance


maximale de la cellule PV (figure IV- 11). Le rsultat de la comparaison permet de
commander de faon binaire le rgulateur Boost afin daccomplir la fonction MPPT.
Lnergie rcupre est premirement stocke dans les supercondensateurs jusqu' ce que leur
tension atteigne 3,7 Volts, laccumulateur Li-polymre se charge ensuite si sa tension est
infrieure 4,1 volts. Pour cela, un comparateur fentre (Window comparator) est utilis.
Pour alimenter le rseau de capteurs sans fil, le supercondensateur est dabord utilis. Si la
tension ses bornes descend en dessous de 2,7 volts, laccumulateur prend le relais. Le
systme AmbiMax permet avantageusement de rcuprer dnergie partir de plusieurs
sources ambiantes. De plus, il peut excuter la fonction MPPT avec un circuit entirement
analogique sans lutilisation dun microcontrleur.
Solar Inexhaustible Power Source : Un autre systme analogique est galement
propos par University of Valencia . Son systme de stockage dnergie se compose dun
accumulateur Li-Ion et deux supercondensateurs de 2.3 volts, 50 farads en srie.
Laccumulateur est charg directement par le panneau solaire sans tenir compte de ltat des
supercondensateurs. Cela permet aux supercondensateurs de maintenir leur niveau dnergie
leur maximum quand le soleil se couche. Larchitecture du systme est prsente dans la
figure IV- 12 [64].

122

Chapitre IV Gestion de lnergie

Figure IV- 12 : Larchitecture du systme analogique [64]

Premirement, le panneau solaire charge les supercondensateurs et laccumulateur.


Les supercondensateurs fonctionnent comme un tampon primaire. Ils alimentent le nud du
rseau de capteurs sans fil en passant par un rgulateur Buck-Boost haute performance.
Quand la tension aux bornes des supercondensateurs descend en dessous de 1,53 V, un
multiplexeur change la voie qui permet dalimenter le rseau des capteurs sans fil par
laccumulateur. Un convertisseur Boost est utilis pour lever la tension du panneau solaire
afin de continuer charger les supercondensateurs lorsque lclairement diminue. Cela permet
de charger les supercondensateurs et les accumulateurs leur maximum sans tenir compte de
lintensit lumineuse du soleil. Pour ce systme, les composants lectroniques utiliss sont
autoaliments soit par le panneau photovoltaque, soit par la batterie ou les
supercondensateurs ce qui signifie quils ne ncessitent aucune alimentation externe.
Le tableau IV- 4 rsume les avantages et inconvnients de chaque systme. Les
caractristiques importantes de chacun d'eux sont prsentes.

123

Chapitre IV Gestion de lnergie

Avantage

Heliomote

Simplicit

Inconvnient

Pas de MPPT

Dure de vie du
Prometheus systme
Flexibilit

Pas de MPPT
Utilisation un
microprocesseur

Everlast

Dure de vie du
systme
MPPT

Complexit
Utilisation un
microprocesseur

Puma

Dure de vie du
Maximise lutilit de systme
lnergie rcupre
Utilisation un
microprocesseur
Pas de MPPT

Amibimax

Dure de vie du
systme
Simplicit
Flexibilit
MPPT

Solar
Dure de vie du
Inexhaustibl systme
e Power
Simplicit
Source

Fonctionnement
de MPPT dpend
des capteurs
d'environnement

Pas de MPPT

Caracteristique important
Systme de
Systme de stockage
recupration
Gestion d'nergie
d'nergie
d'nergie
Circuit analogique
Panneau
Deux accumulateurs
contrle la charge de deux
solaire
Ni-MH rechargeables
Ni-MH

Panneau
solaire

Un accumulateur LiPolymre rechargeable


Deux super
condensateurs de 2,5
volts, 22 farads

Microprocesseur contrle
les interrupteurs afin de
charger deux super
condensateurs et
l'accumulateur

Panneau
solaire

Deux super
condensateurs de 2,5
volts, 100 farads

Microcontrolleur contrle
un rgulateur PFM afin de
charger de deux super
condensateurs
Microcontrleur fonction
MPPT

Panneau
solaire

Microcontrleur contrle
Un accumulateur Liles interrupteurs afin de
Polymre rechargeable
charger l'accumulateur

Panneau
solaire
Eolienne

Deux super
condensateurs de 2,3
volts, 22 farads
connects au panneau
solaire
Deux super
condensateurs de 2,3
volts, 10 farads
connects l'olienne
Un accumulateur LiPolymre rechargeable

Circuit analogique
contrle la charge de super
condensateurs et
d'accumulateurs
Circuit analogique
contrle la fonction MPPT

Panneau
solaire

Un accumulateur LiIon
Deux super
condensateurs de 2.3
volts, 50 farads

Circuit analogique
contrle la charge de super
condensateurs et
d'accumulateurs

Tableau IV- 4 : Avantages et les inconvnients des systmes existants

Dans la plupart des systmes prsents, le rseau de capteurs sans fil est aliment par
le systme de stockage de lnergie qui est lui mme charg par la source ambiante.
Linconvnient de ce type de fonctionnement est une perte dnergie lors de la phase de
charge et dcharge de la source de stockage d'nergie. Seul le systme Puma utilise la source
ambiante pour alimenter directement le rseau de capteurs sans fil.
Malheureusement la plupart des systmes publis utilise des accumulateurs comme
source de stockage dnergie ce qui leur permet dtre aliments en permanence
contrairement notre cas. De plus, aucune information nest donne sur le redmarrage des
systmes.
Dans notre application, nous avons besoin d'un systme de rcupration et de gestion
de lnergie susceptible de sauto-alimenter et de fonctionne mme en cas de dcharge

124

Chapitre IV Gestion de lnergie

complte des lments de stockage, et ceci en absence de batterie bien sr ! Nous allons
maintenant proposer une architecture pour un tel systme.
IV.1.4

Association entre la source, le stockage dnergie et la charge pour notre


application
Pour le projet SACER, comme prsent prcdemment, la source de rcupration

dnergie choisie est un gnrateur photovoltaque. Pour le systme de stockage dnergie,


seuls des supercondensateurs sont utiliss car les accumulateurs ne satisfont pas la
contrainte de temprature exprime dans le cahier des charges.
Larchitecture ci-dessus qui utilise seulement des circuits analogiques possde un
nombre important de composants, chacun d'eux absorbe de l'nergie qui n'est donc pas fournie
la charge. Pour cela, nous proposons une architecture dont la majeure partie des composants
de l'architecture prcdente est remplace par un microcontrleur.
La structure du systme propose est prsente figure IV-13. La partie de gestion de
lnergie est compose de trois parties : un circuit MPPT, des supercondensateurs, et un
rgulateur DC/DC. Le rgulateur est indispensable puisque la tension aux bornes des
supercondensateurs est fonction de leur tat de charge. La charge comprend les circuits de
traitement du signal du rseau (mesure, traitement de linformation, communication sans fil).

Figure IV- 13 : Structure du systme

Une partie de lnergie rcupre doit tre stocke dans les supercondensateurs pour
donner au systme une autonomie en cas de perte dclairement (passage dans un nuage,
virage serr de lavion). Lautre partie est utilise pour alimenter la charge en passant par le
rgulateur. Lavantage de cette architecture est quelle ne ncessite pas une rserve dnergie
initiale pour que la charge puisse dmarrer, en effet le microcontrleur et le driver du
convertisseur sont aliments par un CI qui puise directement son nergie aux bornes du

125

Chapitre IV Gestion de lnergie

panneau photovoltaque. En contrepartie, le microcontrleur sarrte ds que le panneau ne


donne plus assez dnergie.
Nous dtaillons larchitecture propose de la figure IV- 13 sur la figure IV-14.

Figure IV- 14: Architecture propose pour le systme SACER

Un convertisseur command par le microcontrleur ralise les fonctions MPPT ou


rgulation de la tension des supercondensateurs. Malheureusement, la tension des
supercondensateurs dpend du niveau d'nergie stocke. Un rgulateur Buck-Boost avec un
rendement lev doit donc tre utilis afin d'alimenter le rseau de capteurs sans fil la
tension fixe de 3,3 volts. Pour respecter la contrainte dencombrement, le systme de stockage
dnergie se compose de plusieurs supercondensateurs de 2,5 volts associs par deux en srie
pour doubler la tension puis mis en parallle. Ils sont chargs par la source ambiante
(gnrateur photovoltaque). Quand il y a un nuage, l'nergie emmagasine dans les
supercondensateurs est dlivre au rseau de capteurs sans fil. Dans le paragraphe IV.2 nous
allons dtailler ces lments.
IV.2
IV.2.1

Architecture propose
Etude dun convertisseur utilis comme tage dadaptation
Comme prsent prcdemment, le point de fonctionnement peut se trouver plus ou

moins loign du PPM. Un des intrts utiliser un convertisseur comme tage dadaptation
comme prsent sur la figure IV-14, est de sassurer que le transfert dnergie est toujours

126

Chapitre IV Gestion de lnergie

possible et quil peut seffectuer dans des conditions de fonctionnement optimales pour la
source PV et la charge.
Le LAAS-CNRS travaille dans cet axe depuis plusieurs annes [53, 55, 65, 66]. Ces
travaux nous ont fait comprendre des lments essentiels qui devraient permettre de dfinir
une architecture de gestion de lnergie. Pour le projet SACER, nous nous sommes inspirs
des travaux prsents dans la thse de doctorat de Stphane PETITBON [53]. Dans cette
tude, un tage dadaptation optimis comprenant sa propre commande MPPT est associ
chaque module photovoltaque. La structure utilis par Stphane PETITBON a t reprise et
largement modifie pour tre adapte notre application. Toutefois, nous rappelons le
principe de fonctionnement de cette structure.
Dans notre application, un convertisseur BUCK (reprsent par le bloc convertisseur
dans la figure IV-14) est choisi pour les deux raisons suivantes. Premirement, la tension de
sortie (ici les supercondensateurs) est comprise entre 0 et 5 volts alors que la tension dentre
(le gnrateur photovoltaque) se situe entre 0 et 24 volts. Le convertisseur BUCK permet
donc de convertir la tension continue du GPV en une autre tension continue de plus faible
valeur pour charger les supercondensateurs. Deuximement, le rgulateur BUCK
autoaliment (dans la figure IV-14) ncessite une tension dentre suprieure 5 volts pour
fonctionner et donc alimenter des composants lectroniques.
La figure IV-15 prsente un panneau photovoltaque associ un convertisseur
abaisseur de tension (Buck) utilis comme un tage dadaptation. Ce montage permet
dadapter le point de fonctionnement du panneau la charge, si la tension de sortie du
convertisseur est infrieure au point nominal de fonctionnement du gnrateur PV. Dans le
cas dun convertisseur statique de type abaisseur de tension (Buck), on peut exprimer la
relation entre la tension dentre et celle de sortie comme suit :
VC = D VGPV

Eq. IV- 2

O VGPV est la tension dentre, VC la tension de sortie (tension du supercondensateur)


et D le rapport cyclique du convertisseur.

127

Chapitre IV Gestion de lnergie

Figure IV- 15 : tage dadaptation abaisseur de tension dun GPV (avec fonction MPPT) reli aux
supercondensateurs

Dans les structures classiques de convertisseurs de tension, la diode de roue libre (D2)
est ncessaire. Pour notre application, dans la figure IV-15, nous avons utilis un
convertisseur Buck synchrone qui est une version modifie du convertisseur Buck classique
dans laquelle on a ajout un deuxime interrupteur (Q2) en parallle de la diode de roue libre.
Cette modification permet d'augmenter le rendement du convertisseur car la chute de tension
aux bornes d'un interrupteur est plus faible que celle aux bornes d'une diode. La diode permet
alors d'assurer le transfert d'nergie lors de la courte priode ou les interrupteurs sont ouverts.
Du point de vue technologique, nous utilisons deux interrupteurs MOSFET de type N
qui ont la particularit dtre logique positive. Une diode Zener est insre entre la source et
la grille des transistors (D3, D4). Comme la diode est connecte en inverse entre la source et
la grille de transistor, elle devient conductrice lorsque la tension atteint la tension d'avalanche
de la diode (VZ). Elle permet de maintenir la tension cette valeur. Nous devons donc choisir
la tension d'avalanche de la diode lgrement infrieure la tension maximale pouvant tre
supporte entre source et grille du transistor (VZ < VGSS). Cela permet la tension source-grille
de ne pas dpasser sa tension maximale acceptable, fournissent une protection en surtension
sur les transistors NMOS.

128

Chapitre IV Gestion de lnergie

Comment choisir les interrupteurs (Q2 et Q1) ? Les pertes lies aux commutations des
interrupteurs de puissance ont un rle important jouer dans le calcul du rendement final du
convertisseur statique.
La charge de grille, Qg, est la quantit dlectricit que le circuit de commande doit
fournir la grille de linterrupteur MOSFET afin dlever sa tension de zro une tension
spcifie (elle est exprime en Coulomb- 1C=1s.A). Donc plus Qg est importante, plus les
pertes par commutations des interrupteurs de puissances seront grandes.
La rsistance l'tat passant, Rds(on), est dfinie comme tant le rapport entre la
tension et le courant de drain lorsque cette tension drain-source VDS tend vers zro. Rds(on)
faible signifie une rduction de la puissance dissipe.
Il existe un compromis entre la rsistance Rds(on) et la charge de grille Qg. Comme
prsent dans [53] sur la rpartition des pertes dans le convertisseur BUCK, une grande partie
des pertes dans le High MOS sont dues aux pertes par commutations et par opposition, celles
dans le Low MOS sont dues principalement aux pertes par conduction. En thorie, il faut
donc choisir un MOSFET disposant dun faible Qg pour linterrupteur du haut (Q1) et un
MOSFET avec un faible Rds(on) (Q2) pour linterrupteur du bas, pour optimiser notre
systme.
Pour piloter les 2 MOSFET 400 kHz, compte-tenu de la position de Q1, il est
ncessaire dintercaler un driver (Si9913), entre la sortie du PIC et les interrupteurs. De plus,
cela permet de minimiser les temps de commutation et donc les pertes associs [67]. Nous
prsentons larchitecture de ltage dadaptation abaisseur associ au driver de MOSFET
figure IV-16.

129

Chapitre IV Gestion de lnergie

Figure IV- 16 : tage dadaptation abaisseur de tension dun GPV (avec fonction MPPT) associ un driver de
MOSFET

Par ailleurs, une diode (D5) est ajoute en sortie afin dassurer la fonction anti-retour
du courant de la charge vers le GPV.
Cependant, larchitecture propose sur la figure IV-16 nest actuellement pas
autonome, c'est--dire qu'elle ncessite une alimentation permanente pour le microcontrleur
et les composants lectroniques tels que le driver de MOSFET et le capteur de courant du
GPV. Pour donner une autonomie nergique, il suffirait juste dajouter un rgulateur de
tension linaire (Low-Dropout Linear Regulator) reli au GPV. Il se comporte comme une
source de tension, savoir quil doit fournir une tension constante pour nimporte quel
courant de sortie. Le TPS71550 de chez Texas instrument est choisi car sa plage de tension
dentre est large. Elle est de 4,5 24 volts tandis que la tension de sortie est fixe 5 volts.
Larchitecture complte est reprsente sur la figure suivante.

130

Chapitre IV Gestion de lnergie

Figure IV- 17 : Architecture complte de ltage dadaptation abaisseur de tension

Contrairement aux applications trouves dans la littrature, quand le soleil est absent,
notre circuit est compltement teint (absence daccumulateur) et redmarre automatiquement
quand la lumire revient. Daprs la figure IV- 17, la phase de redmarrage est la suivante :
Q1 est ouvert, le panneau est donc pratiquement en circuit ouvert, ds que la lumire est
suffisante, la tension dentre aux bornes du rgulateur LDO atteint la valeur minimum
ncessaire pour dlivrer 5V en sortie. Les circuits de commande sont alors aliments ; Q1 et
Q2 sont alors commands et la conversion vers le supercondensateur a lieu.
Cette architecture permet deffectuer les trois mesures importantes (la tension du
GPV, celle des supercondensateurs et le courant du GPV). Les mesures de tension sont
ralises par un pont diviseur qui doit fournir une tension de mesure de 5 volts pour une
tension dentre maximale de 20 volts pour la tension du GPV et de 10 volts pour la tension
des supercondensateurs. La mesure du courant du GPV est ralise par lassociation dun
shunt et du circuit intgr INA198 qui permet dadapter le signal fourni par le shunt.
Le dimensionnement des composants ainsi que les pertes de convertisseurs BUCK
sont prsents en dtail dans les Annexes 1 et 2. Le schma du circuit complet ainsi que les
composants choisis sont prsents dans lAnnexe 3.
IV.2.2

Mis en place des commandes MPPT


Comme prsent dans la partie IV.1.2.2, nous envisagions deux algorithmes entre la

commande MPPT bases sur la fraction de VOC et la commande Hill climbing . Bien sr

131

Chapitre IV Gestion de lnergie

pour effectuer ces commandes, un microcontrleur est indispensable. Pour choisir un


microcontrleur, nous avons dfini un certain nombre de critres tels que : un fonctionnement
aux tempratures extrmes, la taille du composant, une faible consommation, la facilit de
mise en uvre, la prsence dun module de conversion analogique-numrique avec une bonne
rsolution pour raliser les mesures ncessaires et la gnration directe dun signal PWM.
Nous avons compar les diffrents types de microcontrleur PIC propos par
Microchip cause de leur simplicit utiliser, leur flexibilit et leur efficacit. Nous avons
choisi le PIC18F1220 pour notre application car il prsentait tous les critres ci-dessus [68]. Il
possde 7 entres de conversion A/N avec une rsolution sur 10 bits. Pour gnrer des
signaux PWM, il lui est possible de fournir un signal 416,6 kHz dont le rapport cyclique est
dfini sur 5 bits en utilisant un oscillateur externe de 20MHz. Par ailleurs, les 4ko de la
mmoire programme du PIC18F1220 ont t suffisants pour raliser nos programmes.
Les outils de dveloppement ont t aussi un critre essentiel. Le langage de base de
programmation des microcontrleurs est l'assembleur. Cependant, pour dvelopper un
programme complexe comme dans notre cas, il tait prfrable de le raliser en langage C.
Pour cela, nous utilisons le logiciel MikroC PRO de chez Mikroelectronika [69]. Il dispose de
nombreux avantages tels que : interface IDE, plusieurs PIC supports, environnement de
dveloppement ergonomique, plusieurs exemples d'applications, etc...
Pour tous nos tests dans les parties suivantes, nous devions tre dans des conditions
ralistes dclairement. Pour faciliter les tests, nous avons dcid de poursuivre nos tests
laide dun simulateur de panneau solaire E4360A dAgilent Technologies [70].
IV.2.2.1 Commande MPPT base sur la fraction de VCO
Pour faciliter la comprhension de lalgorithme utilis, on peut distinguer trois
phases :

(1) Calcul de la valeur de VMP toutes les 10 secondes partir de la mesure de VOC du
panneau solaire.

(2) Une boucle infinie dans laquelle le rapport cyclique D est calcul en fonction de la
tension des supercondensateurs Vout pour arriver la tension VMP dtermine dans
(1).

132

Chapitre IV Gestion de lnergie

(3) Une boucle infinie o la commande du convertisseur est rafrachie rgulirement


pour assurer un mode rgulation de la tension des supercondensateurs quand celleci atteint 4,8 volts.
Ces trois phases sont encadres dans lorganigramme de la figure IV- 18. Nous allons

maintenant dtailler chaque phase.

Figure IV- 18 : Structure gnrale du programme de la commande MPPT base sur la fraction de VOC

Pour la premire phase, le point optimum de puissance du panneau photovoltaque est


calcul en fonction de la tension du circuit ouvert. Il est donc ncessaire de savoir sil existe
une relation de linarit entre la tension VOC et la tension VMP et ceci sous diffrentes
conditions dirradiation et de temprature. Afin de dterminer VOC en fonction de VMP, nous
avons balay toutes les valeurs de tension en sortie dune cellule photovoltaque laide du
systme de mesure cit dans le paragraphe II.3.2.1.

133

Chapitre IV Gestion de lnergie

S
R-Sq
R-Sq(adj)

0,113996
97,5%
97,4%

Vmp

1
2

4
Voc

IV- 19 : Relation de linarit entre VOC et VMP

Aprs avoir caractris la cellule photovoltaque dans plus de 70 conditions, nous


trouvons la corrlation entre VMP et VOC suprieure 97%. Dans le cas de la relation linaire
visualis sur la figure IV- 19 : ces rsultats montrent ainsi une bonne rgression linaire.
Cependant la figure IV-19 prsente seulement la caractristique dun seul panneau solaire
alors que nous utilisons dans notre application plusieurs panneaux photovoltaques associs.
A partir de la modlisation et des simulations du GPV dvelopps sous Simulink/Matlab dans
le chapitre II, il nous a t possible de simuler la caractristique de plusieurs panneaux
solaires sous diffrents environnements. Nous pouvons finalement trouver une fonction
linaire correspondant aux diffrentes conditions environnementales de plusieurs panneaux
photovoltaques partir de lensemble des simulations et des mesures :
VMP = 0,684 VOC

Eq. IV- 3

Dans cet algorithme, la valeur de VMP est calcule en fonction de VOC mesure tous les
10s. Pour cela, nous utilisons linterruption de type Timer0 qui va permettre dimposer une
priode de 10s pour la mesure de VOC. Linterruption place le panneau photovoltaque en
circuit ouvert (D=0) pendant un certain temps et mesure VOC. Cependant, pour trouver la
bonne valeur de VOC, il faut dterminer le temps dattente (nomm T_attente) indiqu figure
ci-aprs.

134

Chapitre IV Gestion de lnergie

Figure IV- 20 : Temps de ralisation de la mesure de VOC

Le temps dattente est la dure pour stabiliser la tension VOC aprs le changement de
rapport cyclique, et le temps de mesure permet deffectuer la mesure de VOC. Ce temps de
mesure dpend de la vitesse du PIC.
La valeur du temps dattente doit tre suffisamment grande pour que la tension du
GPV se stabilise VOC, mais elle doit tre aussi courte pour ne pas laisser le circuit sans
alimentation, ce qui signifie une perte dnergie. La figure IV-21 prsente le temps dattente
pour la mesure de VOC.

Figure IV- 21 : Temps dattente pour stabiliser de VOC

Daprs la figure IV- 21, nous ajoutons donc dans le programme un temps dattente de
3 millisecondes avant deffectuer la mesure de Voc (par la commande : Delay_ms(3)).

135

Chapitre IV Gestion de lnergie

Aprs avoir mesur VOC, pour raliser la fonction MPPT dans la phase 2, nous devons
donc maintenant mesurer la tension du supercondensateur (Vout ou VC) et dterminer VMP
partir de la mesure de VOC. Nous pouvons ainsi calculer la valeur du rapport cyclique D
partir de lquation suivante :

D=

VOUT
V
VC
= C =
VIN
VMP 0,684 VOC

Eq. IV- 4

Malheureusement, en utilisant la valeur de D (ou Dmppt_calcul dans le programme)


dans lquation IV- 4, nous avons constat que les panneaux solaires ne fonctionnent jamais
au point optimal. Dmppt_vrai, qui est la valeur du rapport cyclique correspondant au point de
puissance maximale, peut par contre tre obtenu en changeant manuellement la valeur D dans
le programme jusqu atteindre le point optimal. La relation entre Dmmpt_calcul et
Dmppt_vrai est reprsent sur la figure IV- 22 :

0,45

0,40

Dmppt_vrai

0,35

0,30

0,25

0,20

0,15
0,10

0,15

0,20

0,25

0,30

0,35

Dmppt_calcul

Figure IV- 22 : Diffrence entre Dmppt_calcul et Dmppt_vrai

Daprs la figure IV-22, nous obtenons la relation :


DMPPT _ VRAI = 1,018 DMPPT _ CALCUL + 0,0705

Eq. IV- 5

En thorie, le rapport cyclique est compris entre 0 et 100%, cependant la valeur


maximale ne peut pas tre utilise. En effet, pour les valeurs leves du rapport cyclique D,
les capacits associes au driver nont pas le temps de se charger et dcharger correctement,

136

Chapitre IV Gestion de lnergie

ce qui entrave le bon fonctionnement des transistors. Par consquent, nous limiterons le
rapport cyclique Dmax, soit 78%.
Les perturbations gnres par les commutations du convertisseur peuvent perturber
les mesures. Afin dvaluer cet effet, nous devons donc raliser plusieurs mesures successives
de VOC et Vout pour connatre limportance du bruit sur la mesure. Nous avons donc lanc le
programme en fonctionnement normal et avons sauvegard les valeurs des tensions mesures
dans lEeprom. La ligne de commande correspondante est :
Eeprom_write(x, y);
La variable x correspond ladresse de la case mmoire de lEeprom et la variable y
correspond la variable sauvegarde. A la fin du programme nous relevons lEeprom grce
la fonction Read du logiciel de programmation (PIC FLASH).
Le rsultat (en hexadcimal) des mesures successives sur VOC et Vout est prsent ciaprs (1 valeur est exprim sur deux cases). Le convertisseur analogique-numrique du
PIC18F1220 travaille sur 10 bits, soit 1024 en dcimal. La valeur de la tension en volts
(VMESURE) est obtenue partir de :
VMESURE = VMESURE _ DECIMAL

VENTREE _ MAXIMALE
1024

Eq. IV- 6

O VMESURE_DECIMAL est la valeur convertie en dcimal de la tension mesure par le


convertisseur analogique-numrique du microcontrleur et VENTREE_MAXIMALE la tension
maximale qui peut tre mesure, soit 20 volts pour Voc et 10 volts pour Vout.

137

Chapitre IV Gestion de lnergie

Figure IV- 23 : Rsultat des mesures successives de VOC

Plusieurs relevs dEeprom ont t effectus une irradiation donne, dmontrant


ainsi que nous navons pas besoin de relever plus dune fois la valeur de VOC afin davoir une
valeur utilisable par le programme.

Figure IV- 24 : Rsultat des mesures successives de Vout

Daprs la figure IV-24, on peut voir que la valeur de la tension des


supercondensateurs

nest

pas

bruite.

Lors

138

de

acquisitions

successives,

les

Chapitre IV Gestion de lnergie

supercondensateurs se chargent (voir tableau) ce qui explique lvolution constate. On


constate quune seule acquisition est suffisante.
Aprs avoir charg les supercondensateurs 4,8 volts, nous devons rguler la tension
des supercondensateurs son maximum, c'est--dire 5,0 Volts. La mthode retenue a t de
faire fonctionner normalement le systme de recherche MPPT de 0 Volt 4,8 Volts, puis de
rguler la tension des supercondensateurs de 4,8 Volts 5,0 volts en ne dpassant jamais cette
valeur pour ne pas endommager le composant.

Figure IV- 25 : Mthode de charge des supercondensateurs

Le procd est simple : quand nous somme en rgulation, la valeur de Vout est
comprise entre 4,8 Volts et 5,0 Volts, soit de 984 1024 en dcimal. Nous dcidons de diviser
lcart de Vout en 20 valeurs dans la phase de rgulation (correspondant la variable
val_portion), c'est--dire des portions de 10 millivolts (figure IV- 23). Le calcul est :
Val_portion = (1024 Vout) / 2

Eq. IV- 7

Ensuite nous divisons aussi lcart entre VOC et VMP (c'est--dire DMPPT_VRAI) en 20
portions et nous crons un rapport proportionnel entre lcart de DMPPT_VRAI et celui de Vout
comme illustr figure suivante.

139

Chapitre IV Gestion de lnergie

Figure IV- 26 : Principe de la rgulation : reprsentation de la variable Val_portion et son effet sur la
caractristique du GPV

Le calcul de DREGULE est donc


DREGULE = (DMPPT_VRAI Val_portion) /20

Eq. IV- 8

Comme nous avons le rapport cyclique DMPPT_VRAI en fonction de la charge des


supercondensateurs, la rgulation de D se ralise parfaitement.
En cas daugmentation brusque dirradiation, la puissance fournie par les panneaux
solaires est suffisante pour charger davantage les supercondensateurs. Pour viter quils
soient dgrads par une surcharge, dans le programme, une commande de protection a t
ajoute : Si la tension aux bornes des supercondensateurs (Vout) est suprieure 5,0 volts, le
rapport cyclique sera gal 10%. Dans cette condition, la charge est alimente principalement
par les supercondensateurs qui se dchargent rapidement. Quand leur tension descend en
dessous de 4,8 volts, la commande repasse en mode MPPT et reprend la rgulation de tension
des supercondensateurs.
La figure suivante prsente le rsultat de lalgorithme MPPT bas sur la fraction de
VOC : nous avons connect ensemble le simulateur de GPV, le circuit de convertisseur avec
lalgorithme MPPT bas sur la fraction de VOC et les supercondensateurs PC10.

140

Chapitre IV Gestion de lnergie

Figure IV- 27 : Rsultat de lalgorithme MPPT bas sur la fraction de VCO

Daprs la figure IV-27, les supercondensateurs se chargent de 0 4,8 volts la


puissance maximale ( VMP) de la cellule photovoltaque dont la tension VOC est mesure
toutes les 10 secondes (1). Quand la tension de supercondensateurs atteint 4,8V, lalgorithme
rgule la tension afin de ne pas dpasser la tension de 5 volts aux bornes des
supercondensateurs (2). Nous avons ensuit dcharg les supercondensateurs par une
rsistance shunt de 1 ohm (3). Ds que la rsistance est retire, lalgorithme reprend la charge
des supercondensateurs en mode MPPT (4).
IV.2.2.2 Structure du programme de la commande Hill climbling
Pour la commande base sur la fraction de VOC, il tait ncessaire de connatre la
caractristique relle du GPV utilis. Pour la commande Hill climbing , ceci nest plus
ncessaire. Nous avons travaill avec un algorithme simple de recherche du maximum de
puissance qui est prsent ci-aprs :

141

Chapitre IV Gestion de lnergie

Figure IV- 28 : Structure gnrale du programme de la commande Hill climbling

Dans la structure de la figure IV- 28, nous pouvons sparer lalgorithme en deux
phases :

(1) Une boucle infinie o la commande du convertisseur est rafrachie rgulirement


en mode MPPT optimis.

(2) Une boucle infinie o la commande du convertisseur est rafrachie rgulirement


en mode rgulation de tension des supercondensateurs

142

Chapitre IV Gestion de lnergie

Dans cette partie, nous prsentons seulement la premire phase (1) car le mode rgul
(2) de la tension de supercondensateurs suit le mme principe de la commande MPPT base
sur la fraction de VOC.
Dans un premier temps, le courant et la tension du GPV sont mesurs. Cela nous
permet de dterminer sa puissance instantane. Cependant, les commutations du convertisseur
pourront galement gnrer du bruit sur les mesures. Nous devons donc raliser des mesures
successives de VIN et IIN en fonctionnant en mode MPPT :

Figure IV- 29 : Rsultat des mesures successives de Vin et Iin

Daprs le rsultat dans la figure IV-29, nous constatons que nous avons besoin de
relever une seule fois la valeur de Vin, ainsi que celle de Iin. La puissance s'obtient en
multipliant la tension avec le courant. Le processus de recherche continue priodiquement
jusqu atteindre le point de puissance maximale. Cet algorithme permet au systme de
converger vers le maximum de puissance.
Cependant le temps de recherche de PPM de la commande (Tr) et la prcision de la
convergence (PMP) sont dpendants du pas dvolution du rapport cyclique : DeltaD comme
reprsent sur la figure ci-aprs.

143

Chapitre IV Gestion de lnergie

Figure IV- 30 : Temps de recherche et prcision de VMP

Pour choisir ces paramtres, nous avons ralis plusieurs mesures pour dterminer le
Tr, VMP, IMP et PMP en fonction des diffrentes valeurs de DeltaD. Le dmarrage se
situant en circuit ouvert du GPV.
Tr (s)
VMP (V)
IMP (A)
PMP (W)

DeltaD=5
1,69
0,82
0,035
0,029

DeltaD=10
0,92
2,17
0,103
0,224

DeltaD=15
0,624
2,8
0,142
0,398

Tableau IV- 5 : Tr, VMP, IMP et PMP en fonction des diffrentes valeurs de DeltaD

Daprs le tableau IV- 5, plus le pas dvolution du rapport cyclique est grand, plus la
convergence est ralise rapidement. Cependant, cela napporte pas que des avantages. En
effet, le fait davoir un pas grand fait que le systme oscille beaucoup autour de la valeur
maximale de la puissance. Pour notre systme, nous choisissons finalement DeltaD gal 5.
Nous avons dans ce cas Tr gal 1,69 secondes et PMP 0,029 watts.
Aprs avoir charg les supercondensateurs jusqu 4,8V, notre systme travaille en
mode rgulation de tension des supercondensateurs, comme prsent prcdemment.
La figure suivante prsente le rsultat de lalgorithme Hill climbling : le mode
opratoire du test est le mme que pour lalgorithme bas sur la fraction de VOC.

144

Chapitre IV Gestion de lnergie

Figure IV- 31 : Rsultat de lalgorithme Hill Climbling

Daprs la figure IV-31, nous trouvons que lalgorithme Hill Climbling fonctionne
parfaitement autant que la celui bas sur la fraction de VCO.
Aprs avoir ralis deux commandes diffrentes, nous devons maintenant choisir celle
qui est la mieux approprie pour notre systme. Pour cela, nous tudions le rendement qui
peut tre dcompos de la manire suivante [55] :
- Rendement du point de fonctionnement MPPT (MPPT), il permet de mesurer
lefficacit de la commande en charge de contrler le convertisseur de puissance. En rsum
cela donne le % de pertes de puissance dun module PV (PIN) par rapport la fourniture de la
puissance maximale quil pourrait produire (PMAX).

MPPT =

PIN
PMAX

Eq. IV- 9

- Rendement dun convertisseur de puissance, il peut tre dfini comme la capacit de


ce dernier restituer sur son port de sortie, le maximum de la puissance prsente sur son port
dentre.

CONV =

POUT
PIN

Eq. IV- 10

avec PIN reprsentant la puissance en entre du convertisseur et POUT la puissance en


sortie du convertisseur (la puissance en entre des supercondensateurs).

145

Chapitre IV Gestion de lnergie

Par la suite, pour valider nos tudes, le rendement de la chane de conversion nomm
CHAINE_PV est dfini. Il correspond au produit des deux rendements et est un critre que nous
utilisons rgulirement pour valuer les tages dadaptation :

CHAIN _ PV =

PIN
P
P
OUT = OUT
PMAX
PIN
PMAX

Eq. IV- 11

Nous comparons donc maintenant le rendement de chaque commande. Pour cela, nous
avons charg les supercondensateurs (2,0 5 volts) par un simulateur de GPV diffrentes
conditions par lintermdiaire de diffrentes commandes MPPT. Cela nous permet de calculer
le rendement de la chane de conversion dont les rsultats sont prsents dans le tableau IV- 6.
Porportion de VCO
Condition

Au sol 500 W/m, 20C et P IN=1,32W


Au sol 900 W/m, 100C et P IN=1,76W
En vol 1200 W/m, -30C et P IN=4,7W
En vol 1300 W/m, -50C et P IN=5,27W
Toutes les conditions

% MPPT % CONV % TOTAL


92,80
93,64
97,02
97,12
95,14

65,75
74,66
74,93
75,16
72,63

62,83
69,93
72,70
72,99
69,61

Hill Climbing
% MPPT % CONV % TOTAL
95,23
94,14
96,72
96,85
95,74

67,55
75,14
74,46
73,77
72,73

64,33
70,74
72,03
71,46
69,64

Tableau IV- 6 : Comparaison entre deux algorithmes

Daprs le tableau IV-6, le rendement des deux commandes est comparable. Nous
choisissions finalement la commande MPPT bas sur la fraction de VOC pour notre
application, car cela nous permet dutiliser moins de composants pour notre circuit.
IV.2.3

Etage de sortie rgul en tension


Notre application ncessite un rgulateur de tension car la charge du systme oblige

travailler tension constante. Il existe de nombreux rgulateurs sur le march. Le rgulateur


choisi sera aliment par les supercondensateurs. Diffrents types de rgulateurs dcoupage
haut rendement (suprieur 95%) ont t tests. Le rgulateur abaisseur TPS62203, le
rgulateur lvateur TPS61025 et le rgulateur abaisseur-lvateur TPS63001 de chez Texas
instrument sont tests afin de comparer leur fonctionnement sous diffrentes charges. Les
donnes constructeurs sont prsentes dans le tableau suivant.
Model du rgulateur Type de regulateur Rendement
TPS62203
abaisseur
95%
TPS61025
lvateur
96%
TPS63001
abaisseur-lvateur
96%

Vin
2,5-6
0,9-6,5
1,8-5,5

Tableau IV- 7 : Donnes constructeurs des rgulateurs tests

146

Chapitre IV Gestion de lnergie

Les figures suivantes sont prsentes avec des puissances de sortie comprises entre
150 et 450 mW, correspondant aux valeurs donnes initialement dans le cahier des charges.
La figure IV- 32 prsente les caractristiques de transfert entre / sortie du rgulateur
abaisseur TPS62203. Au vu des courbes, si la tension dentre du rgulateur est de 3,4 5
volts, la tension de sortie est gale 3,3 volts. Le calcul du rendement nest valable que pour
des valeurs de Vin suprieures 1,5 volts parce quen dessous, les puissances dentre et de
sortie sont toutes les deux nulles. Le rendement est compris entre 85 et 95% quand la tension
de sortie est gale 3,3 V (figure IV- 33).
150mW
250mW
350mW
400mW
450mW

Le rgulateur abaisseur TPS62203


3,5
3,0
2,5

Vout

2,0
1,5
1,0
0,5
0,0
-0,5
0

Vin

Figure IV- 32 : Caractristiques de transfert entre / sortie du TPS62203


% Rendement du rgulateur abaisseur TPS62203
100

Rendement

80

150mW
250mW
350mW
400mW
450mW

60

40

20

0
0

Vin

Figure IV- 33 : Rendement en fonction de la tension dentre du TPS62203

147

Chapitre IV Gestion de lnergie

Les caractristiques de transfert entre / sortie et le rendement du rgulateur lvateur


TPS61025 sont reprsentes respectivement sur les figures IV- 34 et 35. Pour fournir la
puissance de 450 milliwatts la charge, la tension dentre du rgulateur doit tre comprise
entre 4 6,5 volts. La caractristique de transfert dans ce cas sapparente au comportement
dun rgulateur abaisseur. Le rendement est compris entre 43 et 64% quand la tension de
sortie du rgulateur est gale 3,3 volts.
Le rgulateur lvateur TPS61025

150mW
250mW
350mW
400mW
450mW

3,5
3,0
2,5

Vout

2,0
1,5
1,0
0,5
0,0
-0,5
-1

Vin

Figure IV- 34 : Caractristiques de transfert entre / sortie du TPS61025

150mW
200mW
350mW
400mW
450mW

% Rendement du rgulateur lvateur TPS61025


100

Rendement

80

60

40

20

0
-1

Vin

Figure IV- 35 : Rendement fonction de la tension dentre du TPS61025

148

Chapitre IV Gestion de lnergie

Les mmes caractristiques que prcdemment sont reprsentes figures IV- 36 et IV37 pour le rgulateur abaisseur-lvateur TPS63001. Au vu des rsultats obtenus, le
rgulateur dlivre une tension de 3,3 V si la tension dentre est comprise entre 1,9 5,5
volts. Le rendement, quand le rgulateur fournit 3,3 volts, est compris entre 88 et 95% pour la
puissance de sortie gale 450 milliwatts et entre 74 et 92% pour la puissance de sortie de
150 milliwatts. Quand le rendement gale 0, cela signifie que les puissances dentre et de
sortie sont toutes les deux nulles.
150mW
250mW
350mW
400mW
450mW

Le rgulateur abaisseur-lvateur TPS63001


3,5
3,0
2,5

Vout

2,0
1,5
1,0
0,5
0,0
-0,5
0

Vin

Figure IV- 36 : Caractristiques de transfert entre / sortie du TPS63001

150mW
250mW
350mW
400mW
450mW

% Rendement du rgulateur abaisseur-lvateur TPS63001


100

Rendement

80

60

40

20

0
0

Vin

Figure IV- 37 : Rendement fonction de la tension dentre du TPS63001

149

Chapitre IV Gestion de lnergie

Le tableau IV- 8 compare les caractristiques des diffrents rgulateurs. Au vu des


rsultats donns dans le tableau, la plage de tension dentre du rgulateur TPS63001 est plus
tendue quelle que soit la puissance dlivre. De plus, son rendement est meilleur que les
autres rgulateurs tests. Nous choisirons donc le rgulateur TPS63001 pour notre
application.
Model du rgulateur

Puissance de sortie(mW)

Tension entre(V)

% Rendement

150
250
350
400
450
150
250
350
400
450
150
250
350
400
450

3,3 6
3,35 6
3,4 6
3,4 6
3,45 6
1,7 6,5
1,7 6,5
3,4 6,5
3,5 6,5
4 6,5
1,8 5,5
1,8 5,5
1,9 5,5
1,9 5,5
1,9 5,5

86 97
86 97
85 95
82 95
81 95
44 95
44 95
43 73
43 70
42 64
88 95
82 92
86 95
87 95
88 95

TPS62203

TPS61025

TPS63001

Tableau IV- 8 : Comparaison des caractristiques entre les diffrents rgulateurs

Nanmoins, nous devons alimenter la charge sous 3,3 volts et 3 watts. Le rgulateur
TPS63001 a donc t re-test dans les conditions relles de la charge. La figure IV- 38 montre
les caractristiques de transfert entre sortie du rgulateur abaisseur-lvateur TPS63001 pour
diffrentes puissances allant de 1 3 watts.
1W
2W
3W

Le rgulateur abaisseur-lvateur TPS63001


3,5
3,0
2,5

Vout

2,0
1,5
1,0
0,5
0,0
-0,5
0

Vin

Figure IV- 38 : Caractristiques de transfert du TPS63001 sur une plage de 1 3W

150

Chapitre IV Gestion de lnergie

Daprs la figure IV- 38, nous constatons que la plage de tension entre du rgulateur
est plus rduite pour les puissances plus leves. Le rendement du rgulateur est galement
prsent dans la figure suivante.
1W
2W
3W

% Rendement du rgulateur abaisseur-lvateur TPS63001


100

Rendement

80

60

40

20

0
0

Vin

Figure IV- 39 : Rendement du TPS63001

Les rsultats des figures IV- 38 et 39, sont compars dans le tableau suivant.
Model du rgulateur
TPS63001

Puissance de sortie(W)
1
2
3

Tension entre(V)
1,8 5,5
2 5,5
2,3 5,5

% Rendement
80 92
67 92
65 89

Tableau IV- 9 : Comparaison des caractristiques du rgulateur TPS63001 aux diffrentes puissances de sortie

Daprs le tableau IV-9 ce composant prsente de bonnes performances. Cependant


nous utiliserons deux circuits TPS63001 en parallle pour diviser la puissance demande
chaque rgulateur ce qui autorise le fonctionnement sur une plage de tension dentre plus
tendue et apporte un meilleur rendement.
Tous les composants ncessaires pour notre systme, tels que le convertisseur,
lalgorithme MPPT et le rgulateur ont dj t prsents. Cependant la validation
exprimentale de l'ensemble du systme lui-mme est indispensable. Nous prsentons le
rsultat de validation dans la partie suivante.
IV.2.4

Validation exprimentale
Dans cette partie, le prototype dun convertisseur a t dvelopp pour notre

application. Nous rappelons que le but de notre travail est de concevoir un prototype

151

Chapitre IV Gestion de lnergie

performant capable dalimenter le rseau de capteurs sans fils SACER quand le soleil est l
avec une plage de temprature - 50 +100C et dassurer une autonomie de 30 secondes en
labsence densoleillement.

Figure IV- 40 : Prototype du systme le circuit de convertisseur MPPT, un rgulateur TPS63001 et un


supercondensateur PC10

Notre systme est compos dun simulateur de panneau solaire, dun convertisseur
MPPT, dune association de 5 branches en parallle ayant chacune 2 cellules en srie de
supercondensateurs PC10, de deux rgulateurs TPS61300 en parallle et de la charge de 3W.
Des chronogrammes typiques sont donns ci-dessous :

Figure IV- 41 : Fonctionnement de notre systme dans diffrentes situations

152

Chapitre IV Gestion de lnergie

Nous pouvons dcomposer les oscillogrammes de la figure IV- 41 en sept parties :


(1) nous avons connect le simulateur de panneaux solaires (dans la condition de 1300
w/m et -50C pour 5,175 watts), le circuit MPPT, les supercondensateurs ainsi que les
circuits TPS61300, mais sans la charge de 3W. Les supercondensateurs sont chargs par le
simulateur de GPV avec la puissance maximum jusqu ce que leur tension atteigne 4,8 V.
(2) La tension de supercondensateurs se stabilise 5 volts, nous sommes dans le mode
de rgulation de tension des supercondensateurs.
(3) La charge de 3W a t connecte.
(4) Le simulateur de GPV a t dbranch. A ce moment l, les supercondensateurs
prennent le relais pour alimenter la charge de 3 watt, et ce pendant 50 secondes.
(5) Nous avons ensuite rebranch le simulateur du GPV, les supercondensateurs se
rechargent tout en alimentant la charge.
(6) Aprs avoir charg les supercondensateurs jusqu 3,75 volts, le simulateur du
GPV est retir. Nous avons cette fois-ci laiss les supercondensateurs alimenter la charge
jusqu ce que la tension de la charge ait chut. Si la tension des supercondensateurs chute en
dessous de 2 volts, les rgulateurs ne peuvent plus fournir la tension de 3,3 volts la charge.
Ceci arrive rapidement ici car les supercondensateurs nont pas t complment recharges.
(7) Le simulateur de GPV est reconnect. Malheureusement, comme la tension des
supercondensateurs est toujours infrieure 2 volts, le rgulateur ne fonctionne pas
correctement, c'est--dire quil ne dlivre pas 3,3 volts, mme si le simulateur de GPV fournit
suffisamment de puissance. Toute la puissance disponible est consomme par les rgulateurs
parce que leur rendement est faible ce niveau de tension comme le montre la figure IV- 39.
Le circuit narrive pas redmarrer, ce qui nest pas acceptable pour notre application,
dautant plus que le circuit complet avec la charge nest ici pas capable de dmarrer si les
supercondensateurs sont dchargs.
Pour rsoudre ce problme (raliss en alimentant le rgulateur avec une source de
tension), nous avons mis en place un interrupteur PMOS enrichissement entre les
rgulateurs Buck-Boost et la charge comme le montre la figure ci-aprs :

153

Chapitre IV Gestion de lnergie

Figure IV- 42 : Architecture final du systme SACER

Quand le microcontrleur nest pas aliment, la commande de linterrupteur PMOS est


0 (le potentiel de grille est donc 0 volt). La source est connecte la sortie des rgulateurs,
ce qui signifie que son potentiel est 3,3 volts. La tension VGS est donc gale -3,3 volts, ce
qui est infrieur sa tension de seuil, le transistor PMOS est ferm. La charge est alors
alimente par les supercondensateurs.
Quand le soleil revient, le microcontrleur est aliment. Si la tension aux bornes des
supercondensateurs est infrieure 3 volts, tension mesure par le PIC, celui-ci commande
linterrupteur de PMOS 1 (le potentiel de grille est 5 volts). Comme le potentiel de la
source est approximativement le mme (3,3 volts), la tension VGS est donc gale 1,7 volts, ce
qui signifie que le transistor est ouvert. Lnergie fournie par le panneau solaire est utilise
pour recharger les supercondensateurs.
Tant que la tension des supercondensateurs reste infrieure 3 volts, linterrupteur
reste ouvert. Ds que cette tension dpasse 3 volts (valeur choisie pour optimiser le
rendement), les rgulateurs sont en mesure de dlivrer la tension de 3,3 volts. Linterrupteur
sera alors command 0 V pour quil soit ferm, permettant ainsi au simulateur de GPV la
fois de recharger les supercondensateurs et dalimenter la charge. Les rsultats sont prsents
sur loscillogramme ci-aprs.

154

Chapitre IV Gestion de lnergie

Figure IV- 43 : Fonctionnement de notre systme final pour diffrentes conditions

La charge est branche en permanence dans ce test. Loscillogramme se dcompose en


plusieurs phases :
(1) Linterrupteur PMOS est ouvert pour que les supercondensateurs puissent se
charger.
(2) Quand leur tension atteint 3 volts, le microcontrleur la dtecte et donne lordre de
fermer linterrupteur PMOS. La charge est alors alimente en mme temps que les
supercondensateurs.
(3) Quand la tension des supercondensateurs atteint 4,8 volts, lalgorithme passe en
mode rgulation de tension. Cela permet de stabiliser leur tension 5 volts.
(4) Le simulateur de GPV est dbranch. Les supercondensateurs alimentent la charge
de 3 watts.
(5) Aprs avoir aliment la charge pendant 50 secondes, la tension des
supercondensateurs descend en dessous de 2 volts. Le rgulateur narrive plus dlivrer 3,3
volts.

155

Chapitre IV Gestion de lnergie

(6) Nous avons ici reconnect le simulateur de GPV, par consquent, les
supercondensateurs se rechargent rapidement puisque toute la puissance du gnrateur lui est
ddie.
(7) Ds que leur tension dpasse 3 volts, la charge de 3 watts est ralimente
automatiquement. Notre systme redmarre de lui mme.

Figure IV- 44 : Circuit final du systme SACER

IV.2.5

Etude de linfluence de la temprature sur larchitecture


Pour ltude de linfluence de la temprature, nous avons donc test nos circuits aux

tempratures extrmes.

Figure IV- 45 : Test du systme complet aux tempratures extrmes ; de gauche droite : (1) carte lectronique
et supercondensateurs dans lenceinte climatique (2) panneau de contrle de lenceinte (3) appareil de mesure
(multimtres NORMA et oscilloscope mmoire)

Les tests aux tempratures extrmes ont montr que le circuit se comporte
parfaitement aux tempratures minimum de -50C et maximum de 100 C.
Les supercondensateurs se chargent et dchargent pour alimenter la charge de 3 watts.

156

Chapitre IV Gestion de lnergie

Le rendement du systme complet est compar pour diffrentes tempratures pendant


les phases de 2 4 de la figure IV- 43 (la charge de 3 watt est alimente). Pour cela, le
courant et la tension sont mesurs sont aux trois points importants nots de 1 3 sur la figure
IV- 46.

Figure IV- 46 : Point de mesure du courant et de la tension

Nous dfinissons le rendement du systme lors de la phase 2, correspondant la


priode pendant laquelle les supercondensateurs se chargent en mme temps que la charge est
alimente par :

SYSTEME =

POUT
P + PCHARGE
= C
PMAX
PMAX

Eq. IV- 12

Pour la phase 3, soit quand les supercondensateurs sont chargs (mode rgulation de
tension) et que la charge est alimente par le panneau, le rendement est dfini par :

SYSTEME =

POUT
PPV

Eq. IV- 13

Cette phase nous permet de savoir quelle puissance minimale est ncessaire pour
alimenter la charge de 3 watts, ce qui donne une ide du rendement maximal de la chane dans
cette configuration.

157

Chapitre IV Gestion de lnergie

Le rendement du systme pour la phase 4, correspondant la priode pendant laquelle


les supercondensateurs alimentent seuls la charge est dfini par :

SYSTEME =

PCHARGE
PC

Eq. IV- 14

O Pc est la puissance de charge ou de dcharge des supercondensateurs et PCHARGE la


puissance fournie la charge.
Par ailleurs, la dure pendant laquelle les supercondensateurs alimentent le systme est
galement prsente pour diffrentes tempratures dans le tableau IV- 10.
Temprature
-50C
25C
100C

Phase 2
70,1
68,9
69,7

% Rendement
Phase 3
Phase 4
71,18
88,3
72,09
87,1
71,92
85,5

Dure de dcharge (s)


52
56
53

Tableau IV- 10 : Rendement du systme complte le temps de dcharge des supercondensateurs diffrentes
tempratures

Daprs le tableau IV-10, nous constatons que le rendement du systme est


comparable quel que soit la temprature. La dure de dcharge des supercondensateurs est
lgrement plus leve 25 C.
Notre systme est compar avec larchitecture Everlast [60, 61]. Ils utilisent
uniquement les supercondenateurs comme le systme de stockage de lnergie.
Caracteristiques importantes
Avantages

Inconvnients

Systme de
recupration
d'nergie

Dure de vie Complexit


Panneau
du systme
Utilisation d'un solaire
MPPT
microprocesseur
Everlast

Dure de vie Utilisation d'un Panneau


du systme
microprocesseur solaire
MPPT
Simplicit
SACER Large plage
de
tempratures
Epaisseur fin

Systme de
stockage
d'nergie

Efficacit

Gestion d'nergie

Vc (V)

Rendement du
convertisseur
(% )

Deux supercondensateurs
de 2,5 volts,
100 farads

Rgulateur PFM
control par un
microcontrolleur afin
de charger deux
supercondensateurs
Microcontrleur
fonction MPPT

1 2.5

40 50

Dix supercondensateurs
de 2,5 volts,
10 farads

Fonction MPPT par


Microcontrleur pour
charger des super
condensateurs et
alimenter la charge

1.7 2.5

60 69

2.5 5

69 78

Tableau IV- 11 Comparaison entre notre systme et le systme de Everlast

158

Chapitre IV Gestion de lnergie

Nous constatons que notre systme prsente un meilleur rendement pour une mme
tension des supercondensateurs. De plus, notre systme peut tre utilis pour diffrentes
puissances (faible ou leve) en ajustant les lments du circuit et lautonomie peut tre
adapte suivant le nombre de supercondensateurs. Par ailleurs, notre circuit reste fonctionnel
sur une large plage de tempratures.
IV.3

Modlisation de larchitecture
Dans cette partie, nous prsentons la modlisation de ltage dadaptation associ aux

panneaux solaires et aux supercondensateurs. La modlisation nous permettra de simuler


lensemble de notre systme lexception du rgulateur TPS63001 qui ncessite une
connaissance de son comportement. Daprs la simulation, nous pourrons savoir comment les
supercondensateurs se chargent par les panneaux photovoltaques sous diffrentes conditions
de tempratures et densoleillement en passant par ltage dadaptation (figure IV- 47). La
modlisation permettra galement de vrifier le dimensionnement du circuit convertisseur
avec la fonction du MPPT.
IV.3.1

Modle de larchitecture
Rappelons que les panneaux photovoltaques et les supercondensateurs ont t simuls

sparment dans les chapitres prcdents.


La modlisation de ltage dadaptation se dcompose en deux parties : (1) le
convertisseur BUCK et (2) la commande MPPT. Pour la mise en place du modle BUCK,
nous nous sommes inspirs des travaux prsents dans [71].

Figure IV- 47 : Modlisation de ltage dadaptation

159

Chapitre IV Gestion de lnergie

Dans un premier temps, nous devons rappeler le fonctionnement du convertisseur


BUCK : Le convertisseur Buck fonctionne entre deux tats suivant celui de l'interrupteur Q1
(voir figure IV- 15) :
- Quand l'interrupteur Q1 est ferm, la tension aux bornes de l'inductance, VL vaut
VL = VPV VS
L

Eq. IV- 15

di L
= V PV VS
dt

Eq. IV- 16

O VPV est la tension de GPV, VS la tension de sortie et VL la tension de linductance. La


tension aux bornes de la diode tant ngative, aucun courant ne la traverse.

- Quand l'interrupteur est ouvert, la diode devient passante afin d'assurer la continuit du
courant dans l'inductance. La tension aux bornes de l'inductance vaut
V L = VS
L

Eq. IV- 17

di L
= VS
dt

Eq. IV- 18

Le courant traversant l'inductance dcrot.


La dure (dt) est dfinie par le rapport cyclique (D) : pour l'tat passant dTON = D T ,
pour l'tat bloqu dTOFF = (1 D ) T .
A partir des quations IV- 16 et IV- 18, nous obtenons :
L

di L
= D V PV D VS + (1 D )(V S ) = D V PV VS
dt

iL =

D VPV VS
dt
L

Eq. IV- 19

Eq. IV- 20

Avec les condensateurs dentre (CE), il filtre une ondulation de la tension de GPV.
Nous pouvons dcrire en lquation suivante :
CE

dV PV
= i PV ( D I L )
dt

Eq. IV- 21

160

Chapitre IV Gestion de lnergie

VPV =

I PV ( D I L )
CE

Eq. IV- 22

Le condensateur de sortie (CS) permet de filtrer londulation de la tension de sortie.


Nous pouvons donc crire lquation suivante :
CS

dV S
= IL IS
dt

Eq. IV- 23

IL IS
CS

Eq. IV- 24

VS =

O IS est le courant de sortie.


Avec les quations IV- 20, 22 et 24 nous avons tabli le modle moyen du buck
qui sera utilis pour les simulations (dans la bote convertisseur Buck Simple de la figure IV47) :

Figure IV- 48 : Masque en dessous du Convertisseur Buck Simple

Pour la commande MPPT, nous utilisons une S-function tat continu sous Simulink
(dans le bloc MPPT2). Il sagit de simuler un signal de commutation gal 0 ou 1 en
fonction de la valeur du rapport cyclique. Nous utilisons une sous-structure importante,
function mdlupdate . Elle est utilise pour mettre jour la valeur de VMP en fonction de
VOC des panneaux solaires. Le rapport cyclique est calcul en fonction de VMP et Vout partir
de lquation IV- 3. A partir de ce sous systme, nous pouvons donc maintenant simuler
lalgorithme MPPT bas sur la fraction de VOC.

161

Chapitre IV Gestion de lnergie

IV.3.2

Rsultats et validation exprimentale


Les rsultats de simulation sont compars avec ceux des manipulations. Le test est

effectu en chargeant des supercondensateurs PC10 composs dune association de 5


branches en parallle ayant chacune 2 cellules en srie. Ils sont chargs par un simulateur de
GPV de 3,25 watts dont les tensions VMP et VOC sont respectivement gales 10,5 et 16,15
volts en conditions standard (1000W/m et 25C).

La mesure est effectue par un

oscilloscope de chez Textronic, modle DPO7104 [72].

Figure IV- 49 : Comparaison entre la simulation et manipulation de VPV

Figure IV- 50 : Comparaison entre la simulation et manipulation de Vout

162

Chapitre IV Gestion de lnergie

Daprs les figures IV-49 et 50, nous constatons que le rsultat des simulations
correspond aux rsultats exprimentaux. Cependant, il apparat une erreur de 13% entre les
deux courbes 100 secondes ce qui est normal car avec le modle simple du buck ne
comporte par de pertes. Il conviendrait de rajouter ces pertes ainsi que celles lis la
commande (consommation des drivers et du microcontleur et du rgulateur LDO).
Nanmoins, ce modle permet de simuler correctement le comportement du dispositif et donc
de tester facilement en simulation si on le souhaite de nouvelles commandes. La dure de
simulation est importante (5 heures pour la figure IV-50). Il faudrait amliorer le modle
(suppression des boucles algbriques, )
IV.4

Conclusion du chapitre
En conclusion de ce chapitre, nous avons dcrit larchitecture de diffrentes chanes de

conversion photovoltaque ainsi que les architectures de systme existant pour lalimentation
de rseaux de capteurs sans fil autonomes. Cela nous a permis de dfinir larchitecture de
notre application.
Ensuite, nous avons dcrit larchitecture de notre systme. Dans un premier temps,
nous avons mis en place le convertisseur BUCK utilis comme tage dadaptation et sa
commande. Nous avons montr que les performances entre lalgorithme Hill climbling et
celui bas sur la fraction de VOC sont comparables. Cependant lalgorithme MPPT bas sur la
fraction de VOC a t prfr du fait du nombre rduit de composants ncessaires pour le
raliser. Pour rguler la tension en sortie des supercondensateurs pour alimenter la charge,
nous avons test diffrents types de rgulateurs de tension. Le rgulateur lvateur - abaisseur
TPS63001 a t choisi de part sa plus large compatibilit en tension et son meilleur
rendement. Aprs avoir ralis le systme de gestion de lnergie, nous lavons valid
exprimentalement et avons tudi linfluence de la temprature sur larchitecture. Le systme
se comporte bien aux tempratures extrmes.
Nous avons finalement prsent dans ce chapitre la modlisation de lensemble de
notre systme comprenant les sous systme dvelopp dans les chapitres prcdents. A partir
de la simulation, il est possible davoir une image de la caractristique de charge des
supercondensateurs ainsi que du fonctionnement de MPPT aux diffrents environnements. Par
ailleurs, grce au modle de larchitecture, nous pouvons simuler dautres algorithmes MPPT
en modifiant simplement la sous structure mdlupdate dans le S-fonction de Simulink.

163

CONCLUSION ET PERSPECTIVES

Chapitre V Conclusion et Perspectives

Les travaux prsents dans cette thse ont t raliss dans le cadre du projet de
recherche SACER. Ils concernent la ralisation d'un systme de conversion et de gestion
d'nergie photovoltaque pour lalimentation de rseaux de capteurs sans fils autonomes
dploys lors dessais en vol. La charge alimenter ncessite une puissance de 3 watts sous
3,3 volts. Le systme est compos de trois sous-systmes importants : les panneaux
photovoltaques, le systme de stockage dnergie et le systme de gestion de lnergie.
Dans un premier temps, nous avons tudi les diffrentes technologies de cellule
photovoltaque commercialises sur le march. Cependant, comme pour notre application, les
panneaux solaires doivent tre intgrs la surface de laile de lavion grce un support au
profil variable, seuls les panneaux solaires souples ont t considrs. Par ailleurs, lpaisseur
des panneaux solaires doit tre infrieure 3,2 millimtres pour ne pas perturber lcoulement
arodynamique. Pour les raisons cites prcdemment, les technologies silicium en couche
mince, la cellule CIGS sur substrat de polymre flexible, et lUltra triple jonction ont t
caractrises afin de dterminer linfluence des conditions (irradiation, temprature) sur les
caractristiques.
Daprs ces mesures, il a t constat que la puissance maximale des cellules CIGS
est plus sensible la temprature que les autres technologies. Dautre part, une surface
moindre de panneau Triple Junction est ncessaire pour fournir 3 watts, compar aux autres
technologies. Toutefois au vu de notre application, aprs dimensionnement, nous avons choisi
la cellule CIGS car moins coteuse et plus souple, donc moins fragile.
Nous avons dans un deuxime temps tudi un systme de stockage afin d'assurer la
continuit lectrique de lalimentation dau moins 30 secondes en cas dabsence totale
dclairement. A priori, la plupart des technologies de stockage ne supportaient pas les
tempratures extrmes de notre cahier des charges. Nous avons donc vrifi leur comptabilit
avec notre cahier des charges. Un accumulateur Ni-MH de chez Varta et des super
condensateurs de chez OptiXtal et de chez Maxwell ont t tests. Daprs les rsultats, nous
avons constat que les accumulateurs Ni-MH et le super condensateur de chez OptiXtal tests
ne convenaient pas pour notre application cause de leur dgradation importante aux
tempratures les plus extrmes, contrairement aux super condensateurs de chez Maxwell.
Nous avons finalement dcid dutiliser les super condensateurs PC10 de chez Maxwell,
mme si leur paisseur est suprieure 3,2 mm.

167

Chapitre V Conclusion et Perspectives

Dans une dernire partie, larchitecture de gestion de lnergie a t prsente. Nous


avons choisi un convertisseur BUCK associ lalgorithme MPPT base sur la fraction de
VOC. Le convertisseur permet de faire fonctionner des panneaux photovoltaques la
puissance maximale pour alimenter la charge, et de fournir de lnergie pour charger les super
condensateurs. En absence lensoleillement, les super condensateurs prennent le relais pour
alimenter la charge. Entre les super condensateurs et la charge est intercal un rgulateur
LDO puisque la tension aux bornes de ceux-ci varie avec ltat de charge. Notre systme peut
finalement alimenter en absence totale densoleillement la charge pendant 50 secondes ce qui
est au-del des contraintes du cahier des charges.
Pour conclure ce travail, nous avons test le systme complet en temprature : le
systme fonctionne parfaitement aux tempratures trs hautes (100C) mais aussi trs basse (50).
ct des essais exprimentaux, nous avons modlis les diffrents sous-systmes.
Cela nous a permis de simuler le systme dans les diffrentes conditions. Ce modle a t
implment et valid sous Matlab/Simulink. Il a t confront aux mesures et ils prsentent
une bonne concordance. Grce aux simulations, il sera possible de redimensionner rapidement
le systme pour ladapter dautres applications.
Nous avons ralis sur table et valid notre systme sous les conditions du cahier des
charges. Il reste maintenant lintgrer dans lavion associ la charge relle qui est le
systme de communication sans fil.
Pour amliorer notre systme, il serait envisageable de tester les nouvelles
technologies apparues sur le march depuis le dmarrage de nos travaux. En trois ans de
nouvelles technologies photovoltaques sont arrives maturit, telle que la cellule solaire
souple base de silicium amorphe utilisant la technologie triple jonction. Lpaisseur des
super condensateurs PC10 est le seule critre qui ne rpond pas celui du cahier des charges.
Toutefois, comme la technologie des super condensateurs volue rapidement, il y a fort
parier quil y aura prochainement des super condensateurs compatibles 100% avec notre
cahier des charges.
Plus gnralement, nos travaux ont particip la ralisation dun rseau de capteurs
sans fil intgrant les fortes contraintes imposes par la contente des essais en vol,
-

Frquence dchantillonnage leve pour la mesure

168

Chapitre V Conclusion et Perspectives

transmission sans fil en temps rel des donnes

ce qui pour lnergie a impos la fourniture permanente dune puissance relativement


leve par un systme de capture de lnergie ambiante, soumis de fortes contraintes
thermiques, et limit en paisseur.
Le photovoltaque, rserve faite de lobligation deffectuer les essais de jour, a permis
ici de relever le dfi. Il est toutefois remarquer que pour bien des applications aronautiques,
dautres sources dnergie ambiante devront tre considres pour lalimentation de rseaux
de capteurs sans fil.

169

VI - BIBLIOGRAPHIE

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178

VII

- ANNEXES

Annexe 1 - Dimensionnement des composants

ANNEXE 1
DIMENSIONNEMENT DES COMPOSANTS

Figure 1 : Convertisseur BUCK

Calcul de linductance
Quand un convertisseur Buck travaille en mode de conduction continue, le courant IL
traversant l'inductance ne s'annule jamais. La variation de IL est donne par
V = L

I LOAD
T

La dure ( TON ), o Q1 est passant, est dfinie par le rapport cyclique (D) et la
frquence de dcoupage ( FSW )
D = FSW TON =

VOUT
VIN

On peut donc rcrire lexpression de L de la faon suivante:

D / FSW
L = (VIN VOUT )
I LOAD

Calcul du condensateur de sortie


Le premier des composants passifs former le filtre de sortie est le condensateur. Pour
comprendre le fonctionnement des condensateurs utiliss pour les filtres et assurer le rle de

181

Annexe 1 - Dimensionnement des composants

rservoir dnergie, le modle circuit le plus utilis est un circuit RLC srie avec R,
reprsentant la rsistance quivalente srie (ESR) et L, linductance parasite (ESL) qui est
dcrit ci-dessous.

Tableau 1 : Modle du condensateur de filtrage la sortie du buck

Nous pouvons crire lquation suivante :


VOUT = I OUT ( ESR +

T
ESL
+
)
C OUT
T

Pour la simplification, nous supposons ESL gale zro. Nous obtenons :

C OUT =

(I OUT T )
VOUT (I OUT ESR)

Calcul du condensateur dentre


Le condensateur d'entre dfinit l'ondulation rsiduelle d'entre.
C IN =

T
(V IN / I IN ) ESR

Dimensionnement de la diode
Nous estimons le courant de la diode par :

I D = (1 D) I LOAD

182

Annexe 1 - Dimensionnement des composants

Pour notre application, un rseau de capteurs sans fil a besoin de 3 watts. Nous
supposons donc :

Les tensions du panneau solaire sont VMPP=10V et VOC=20V donc VIN=VPV est
comprise entre 10 et 20V.

La tension de charge des super condensateurs, VOUT, est comprise entre 0 et 5 V.

Le courent pour alimenter la charge, ILOAD, est 0,9 A.

La frquence de dcoupage, FSW, est comprise entre 100 et 400 kHz

Le rapport cyclique est D= VOUT/VIN =5/10=0,5

L'ondulation de courant de sortie, I OUT , est gale 20% de ILOAD=0,2x0,9 =0,18 A.


(en anglais : ripple current )

L'ondulation de tension de sortie, VOUT , vaut 0,01% de VLOAD =0,01x5=50mV.

L'ondulation de courant en entre, I IN , est ILOAD/2=0,9/2=0,45 A.

L'ondulation de tension en entre, VIN , est de 200 mV.


Les valeurs des composants dun BUCK pouvant dlivrer une puissance de 3 watts

pour D= 0,5 sont donnes dans le tableau suivant en fonction de diffrentes frquences de
dcoupage:
FSW
VOUT=5 V, VIN=10V : D=0,5
Inductance
Capacitance de sortie (ESR=0,03 Ohms)
Capacitance d'entre (ESR=0,048 Ohms)
Diode current

100k
1,39E-04
2,02E-05
1,54E-05
0,45

200k
6,94E-05
1,01E-05
7,71E-06
0,45

300k
4,63E-05
6,73E-06
5,14E-06
0,45

400k
3,47E-05
5,04E-06
3,85E-06
0,45

Tableau 1 : Le dimensionnement des composants pour D=0,5

Nous constatons que la taille de linductance est d'autant plus leve que le rapport
cyclique et la frquence de dcoupage sont faibles. De plus, lpaisseur de la plupart des
inductances utilises sur le march sont suprieurs 3,3 mm si linductance est suprieure
40 H. Pour notre systme, linductance la plus mince est une inductance CMS de 33 H
supportant un courant continu de 1,25 ampre pour une paisseur de 2,8 mm.

183

Annexe 1 - Dimensionnement des composants

184

Annexe 2 Pertes dans le convertisseur BUCK

ANNEXE 2
PERTES DANS LE CONVERTISSEUR BUCK
Pertes dans linductance :
Linductance prsente dans le circuit Buck gnre des pertes. Pour notre tude, nous
avons seulement pris en compte les pertes continues et avons nglig les pertes en frquence
dans linductance.
2
PL = I LOAD
ESR

O ESR est la rsistance srie de linductance, et ILOAD le courant moyen traversant


linductance.
Linductance de puissance blinde de 33 H, modle SRU1028-330Y de chez
BOURNS, a t choisie pour notre application. La temprature de fonctionnement est
comprise entre -40 et 125 C et la rsistance DC maximale est 0,139 .
Les pertes dans linductance sont donc gale (0,9)0,139 0,13 watts.
Pertes dans le condensateur de sortie :
Les pertes du condensateur de sortie sont calcules de la manire suivante :

PC ,OUT = I2OUT ESR


Nous avons utilis deux condensateurs de 3,3 F, modle C1210C335K5RAC-TU de
chez KEMET, associs en parallle. Cela nous permet augmenter la valeur de capacit en
rduisant la taille du condensateur.
Les pertes dans les condensateurs sont donc (0,18)0,06 0,002 watts.
Pertes dans le condensateur dentr :
Les pertes du condensateur dentre sont calcules de la manire suivante :

PC , IN = I2IN ESR
Daprs le tableau 1, le condensateur dentr doit tre suprieur 3,85 F. Nous avons
onc utilis le condensateur de 4,7 F, modle C1210C475K3RACTU de chez KEMET.
Les pertes du condensateur dentr sont donc (0,45)0,048 0,01 watts

185

Annexe 2 Pertes dans le convertisseur BUCK

Pertes du MOSFET Q1 (High side Losses) :


Les pertes lectriques dans nimporte quel interrupteur MOSFET sont une
combinaison de pertes par commutation (switching) et de pertes de conduction (conduction)
exprime par lquation suivante.
PMOSFET = PCONDUCTION + PSWITCHING
Le calcul des pertes par conduction correspond la chute de tension du courant de
sortie du convertisseur BUCK (ILOAD) au travers de la rsistance ltat passant de
linterrupteur MOSFET (RDS(ON)).
PCONDUCTION = RDS (ON ) I LOAD D
2

O D est le rapport cyclique.


Le MOSFET peut aussi prsenter des pertes en commutation lorsqu'il est utilis
comme interrupteur dans les alimentations dcoupages. Le fait de ne pas avoir de charge
stocke permet au transistor MOSFET davoir des commutations extrmement rapides. Ce
sont les capacits parasites qui, par le temps ncessaire pour les charger ou les dcharger
limitent la rapidit des commutations. Les pertes par commutation peuvent tre dcrites par
lquation suivante :
PSWITCHING

2
VIN I LOAD
COSS VIN FSW
=
(Tr + Tf ) FSW +
2
2

O VIN est la tension dentre, ILOAD le courant de sortie du convertisseur, Tr et Tf


rciproquement le temps de mont et de descente, Fsw la frquence de commutation et
Coss la capacit de sortie du MOSFET, (CDS + CDG).
Pour notre application, on a utilis le MOSFET-FDN357N de chez FAIRCHILD
Semiconductor. Daprs les donnes constructeurs, la valeur de Tr et Tf est respectivement de
12 et 3 ns. La rsistance ltat passant RDS(ON) est gale 0,14 . Nous pouvons donc
finalement dterminer les pertes du MOSFET Q1 de la manire suivante :
Les pertes par conduction sont (0,14)*0,9*0,5 0,06 watts.
Les
12

pertes

par

commutation

sont

10400103)/2) 0,027+0,029 = 0,056 watts.

186

(((100,9)/2)1510-9400103)+((14510-

Annexe 2 Pertes dans le convertisseur BUCK


Les pertes totales de MOSFET Q1 est donc 0,06+0,056 0,116 watts.
Pertes du MOSFET Q2 (Low side Losses):
Les pertes dans le low side MOSFET sont elles aussi composes de pertes en
conduction et en commutation. Cependant, comme le MOSFET est utilis en redresseur
(redresseur synchrone), il commute avec une chute de tension de moins d'un volt. Les pertes
en commutation sont presque nulles compares la chute de tension directe de la diode.
On peut exprimer donc les pertes de la MOSFET de Q2 lorsque linterrupteur
MOSFET conduit suivante :
PCONDUCTION = RDS ( ON ) I LOAD (1 D)
2

Nous avons choisi lIRF7459 de chez International IOR Rectifier pour notre
application. Les pertes totales de MOSFET Q2 sont donc (0,009) 0,90,5 0,004 watts.
Nous pouvons donc dterminer les pertes totales dans le convertisseur BUCK par
PTOTAL = PL + PC ,OUT + PC ,IN + PMOSFET ,Q1 + PMOSFET ,Q 2

= 0,13+0,002+0,01+0,116+0,004 watts
= 0,262 watts.
Nous pouvons finalement calculer le rendement de notre convertisseur BUCK par :
Rendement () =

3
100 = 92%
(3 + 0,262)

187

Annexe 2 Pertes dans le convertisseur BUCK

188

Annexe 3 Schma du circuit complet du convertisseur BUCK

ANNEXE 3
SCHEMA DU CIRCUIT COMPLET DU CONVERTISSEUR BUCK

189

Annexe 4- Schma du circuit complet

190

Annexe 4- Schma du circuit complet

ANNEXE 4
SCHEMA DU CIRCUIT COMPLET

191

192

LISTE DES PUBLICATIONS


Congrs internationaux
-

An automated and economic system for measuring of the current-voltage


characteristics of photovoltaic cells and modules , Meekhun D., Boitier V., Dilhac
J.-M., Blin G., IEEE International Conference on Sustainable Energy Technologies
(ICSET 2008), November 24-27, 2008.

Study of the ambient temperature effect on the characteristics and the lifetime
of Nickel-Metal Hydride secondary battery , Meekhun D., Boitier V., Dilhac J.M.,
IEEE Electrical Power & Energy Conference (EPEC 2009), October 22-23, 2009.

Charge and discharge performance of secondary batteries according to extreme


environment temperatures , Meekhun D., Boitier V., Dilhac J.-M., 35th Annual
Conference of IEEE Industrial Electronics (IECON 2009), November 3-5, 2009.

Congrs nationaux
-

Gestion de l'nergie pour l'alimentation d'un rseau de capteurs sans fil ,


Meekhun D., Boitier V., Dilhac J.-M., 1re journes nationales sur la rcupration et
le stockage d'nergie pour l'alimentation des microsystmes autonomes, Octobre 1415, 2010.

193

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ABSTRACT
Title: Photovoltaic Power Generation and Management Strategies for a Wireless Sensor
Network Deployed for Large Aircraft In-Flight Tests

Flight tests of a commercial aircraft consist in gathering data during flight to


validate aircraft design. However they are very expensive for various reasons. One of
them is that most of the sensors implemented to collect data are wired. As an example,
for the sole system that monitors the vibrations onboard a large (more than 100 seats)
aircraft, more than 100 sensors may be deployed. Such networks are complex to
implement, mainly because of the required wiring. A wireless solution is therefore of
great interest; however, such a cable-less implementation implies both wireless
transmission of data together with energy autonomy.
The purpose of this work is therefore to describe a design of a power generation
system, focusing on photovoltaic, together with the associated management strategies
for an autonomous wireless sensor network deployed for large aircraft in-flight tests. This
work is a part of SACER project. The main requirements are related to the thickness of
the system (less than 3,3mm in order not to disturb the aerodynamic air flow) and the
output power (3 W per sensor node in order to power the sensor, data processing and
transmission system). In addition, the system has to properly work at extremely high
and low temperature (-50 to 100C). Our system consists of three primary components
to consider: Energy Harvesting system, Energy storage device and Energy management
system.
In this work, we firstly present the comparison of the performance of different
photovoltaic technologies at different temperatures concerning their availability and
achievable power density in aircraft applications. Secondly, we will investigate the
possibility of using batteries and supercapacitor. Finally the power management system,
composed by a photovoltaic panel, a power conditioning (MPPT function), supercapacitors
and a DC/DC regulator, is presented.

KEYWORDS: wireless sensors network, aircraft, photovoltaic generator, battery,


supercapacitor, MPPT control, converter.

195

196

RESUME
Titre: Ralisation d'un systme de conversion et de gestion de l'nergie dun systme
photovoltaque pour lalimentation des rseaux de capteurs sans fil autonomes pour
lapplication aronautique

Le projet SACER vise rpondre aux demandes dAirbus qui ont besoin de
disposer de donnes dcrivant le comportement dun avion ou dun satellite avant
commercialisation ou lancement. Pour mieux rpondre cette demande, un rseau de
capteurs sans fil remplacerait les quipements de test filaires existants. Le but est
dapporter des avantages tels quune rduction de poids, de cot et de connectique. Pour
notre part, nous navons travaill que sur lapplication aronautique.
Pour alimenter les capteurs autonomes sans fil embarqus, dans le cadre de cette
thse il faut concevoir une architecture de rcupration dnergie, un systme de
stockage de lnergie ainsi que un circuit de gestion de ces nergies. La principale
contrainte pour le systme est quil doit pouvoir fonctionner de -50C 100C avec la
puissance de sortie de 3 watts. De plus, lpaisseur du systme doit tre infrieure 3,3
mm.
Pour notre travail, nous avons cherch, dans un premier temps, la meilleure
solution possible sur le choix du type de cellules solaires. Le rsultat sur les tests des
cellules diffrentes tempratures et irradiations en condition de notre application est
prsent. Dans un second temps, nous avons test plusieurs types de systmes de
stockage dnergie aux tempratures extrmes. Enfin, la conception de larchitecture de
la gestion de lnergie (vue densemble des panneaux photovoltaques, dun circuit MPPT,
des super condensateurs, et dun rgulateur) est prsente.

MOTS CLES: rseau des capteurs sans fil, avion, gnrateur photovoltaque, batterie,
super condensateur, MPPT, convertisseur.

DISCIPLINE: Gnie Electrique

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