UNIVERSIDADE ESTADUAL DO OESTE DO PARAN

UNIOESTE - CAMPUS DE FOZ DO IGUAU

CENTRO DE ENGENHARIAS E CINCIAS EXATAS
CURSO: ENGENHARIA ELTRICA
DISCIPLINA: ELETRNICA DE POTNCIA E SISTEMAS INDUSTRIAIS
DOCENTE: JOO RICARDO MOTTA

PAULO HENRIQUE GALASSI

GRANDEZAS ELTRICAS, TRMICAS E MECNICAS DO DIODO DHG 30I 600HA

FOZ DO IGUAU
2015

DESCRIO

Este trabalho apresenta as grandezas eltricas, trmicas e mecnicas do diodo

DHG 30I 600HA fabricado pela IXYS, alm de uma breve descrio de tais grandezas,
conforme apresenta a Tabela 1.
O DHG 30I 600HA apresenta como vantagens baixa corrente de fuga, curto tempo
de recuperao, comportamento trmico melhorado e comportamento de recuperao
suave, conforme apresentado pela IXYS (2006).

Tabela 1 - Grandezas eltricas, trmicas e mecnicas do diodo DHG 30I 600HA

Valores
Smb Definio
Grandeza
Condies
Mn.
Tip.
Mx.
Maximum
VRRM Valor mximo de tenso T=25 C,
600 V
repetitive reverse
instantnea
repetitiva
voltage
reversa que o diodo pode
suportar.
Reverse Current
IR
Corrente do diodo sob T=25 C,
50 A
condies de polarizao VR=600 V
reversa.
T=125 C
5 mA
VR=600 V
Forward Voltage
VF
Valor Mximo de tenso T=25 C,
2,36 V
direta que o diodo pode IF=30 A
suportar.
T=125 C,
2,2 V
IF=30 A
Average forward IF(AV) Valor Mximo de corrente T=85 C
30 A
current
direta que o diodo pode
suportar.
Threshold voltage VF0
Tenso
limiar
de T=150 C
1,31 V
conduo do diodo.
Slope resistance
rF
Resistncia
mxima T=150 C
28,6
existente sob tenso
m
reversa
mxima
e
corrente de saturao
reversa.
Thermal
RthJC Resistncia
trmica
0,70
resistance
devido ao fluxo de calor
K/W
junction to case
atravs do diodo.
Virtual
junction TVJ
Valores de temperatura
-55 C
150 C
temperature
que o diodo pode operar
normalmente.
Total
power PTOT Potncia total dissipada T=25 C
180 W
dissipation
pelo diodo, o qual
resultado do produto da
tenso e corrente.
Maximum forward IFSM
Valor mximo de corrente T=45 C,
200 A
surge current
de meia onda senoidal t=10 ms
no repetitiva que o diodo (50 Hz)
pode operar.

Grandeza

Smb

Maximum reverse IRM

recovery current

Reverse recovery trr

time

Junction
capacitance

CJ

Non-repetitive
avalanche energy

EAS

Repetitive
avalanche current

IAR

RMS current
IRMS
Thermal
RthCH
resistance case to
heatsink
Mounting torque

Mounting
with clip

MD

force FD

Storage
temperature

Tstg

Weight

Definio

Condies

Valor mximo corrente T=25 C,

reversa de fuga.
IF=30 A,
-dIF/dt=
600 A/s,
VR= 400 V
Tempo despedido pelo T=25 C,
diodo quando ocorre a IF=30 A,
inverso de tenso de -dIF/dt=
polarizao direta para 600 A/s,
reversa.
VR= 400 V
Capacitncia da juno T=25 C,
do diodo sob tenso VR= 300 V,
reversa.
f= 1MHz
Valor mximo de energia T=25 C,
de avalanche que o diodo L=100 H
pode operar em um
pulso.
Corrente gerada quando VA=1,5VR,
uma indutncia retirada f=10 kHz
de um retificador com
diodos e uma carga
indutiva.
Corrente RMS do diodo
Resistncia
trmica
devido ao fluxo de calor
do corpo do diodo at o
dissipador de calor.
Torque ideal aplicado no
parafuso, de modo a no
danificar o diodo quando
fixado na haleta.
Fora ideal aplicado no
grampo, de modo a no
danificar o diodo quando
fixado na haleta.
Valor
apropriado
de
temperatura em casos de
armazenamento.
Massa do diodo

Mn.

Valores
Tip.
Mx.
12 A

35 ns

70 A
0,25
K/W

0,8
N.m

1,2 N.m

20 N

120 N

-55 C

150 C

6g

REFERNCIAS

IXYS. High Performance Fast Recovery Diode Low Loss and Soft Recovery
Single Diode: DHG 30I 600HA. Ixys Corporation, 2006. Disponvel em:
<http://www.rlocman.ru/i/File/dat/IXYS/Diodes_Rectifiers_Single/DHG30I600HA.pdf>.
Acesso em: 28 mar. 2015.