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INTRODUCCIN.
Los problemas que vienen presentando los transistores bipolares o BJT, como son
la corriente que soportan y la dependencia de la temperatura a la que se ven
sometidos, unas veces por su emplazamiento, otras por un mal trazado y la mas
evidente, el efecto llamado de avalancha. Estas evidencias, han llevado a que se
sustituyan por otros transistores ms avanzados, hasta la llegada de los MOSFET.
Las ventajas que presentan este tipo de transistor, han llevado a que ocupen un
lugar importante dentro de la industria, desplazando a los viejos BJT a otros fines.
Los MOSFET de potencia son muy populares para aplicaciones de baja tensin, baja
potencia y conmutacin resistiva en altas frecuencias, como fuentes de
alimentacin conmutadas, motores sin escobillas y aplicaciones como robtica, CNC
y electrodomsticos.
La mayora de sistemas como lmparas, motores, drivers de estado slido,
electrodomsticos, etc. utilizan dispositivos de control, los cuales controlan el flujo
de energa que se transfiere a la carga. Estos dispositivos logran alta eficiencia
variando su ciclo de trabajo para regular la tensin de salida. Para realizar la parte
de conmutacin, existen varios dispositivos semiconductores, a continuacin se
muestra una tabla con algunos de ellos.
La siguiente es una tabla comparativa de las diversas capacidades entre potencia
y velocidad de conmutacin de los tipos de dispositivos.
LA ESTRUCTURA MOS.
La estructura MOS esta compuesta de dos terminales y tres capas: Un Substrato
de silicio, puro o poco dopado p on, sobre el cual se genera una capa de Oxido de
Silicio (SiO2) que, posee caractersticas dielctricas o aislantes, lo que presenta una
alta impedancia de entrada. Por ltimo, sobre esta capa, se coloca una capa
de Metal (Aluminio o polisilicio), que posee caractersticas conductoras. En la parte
inferior se coloca un contacto hmico, en contacto con la capsula, como se ve en la
figura.
Segn los valores que tome la tensin VGS, se pueden considerar tres casos:
1) VGS=0. Esta condicin implica que VGS=0, puesto que VSB=0. En estas
condiciones, no existe efecto campo y no se crea el canal de e-, debajo de la Puerta.
Las dos estructuras PN se encuentran cortadas (B al terminal ms negativo) y
aisladas. IDS=0 aproximadamente, pues se alimenta de las intensidades inversas de
saturacin.
2) La tensin VGS>0, se crea la zona de empobrecimiento o deplexin en el canal.
Se genera una carga elctrica negativa e- en el canal, debido a los iones negativos
REGIONES DE OPERACIN.
Cuando ya existe canal inducido y V DS va aumentando, el canal se contrae en el
lado del Drenador, ya que la diferencia de potencial Puerta-canal es en ese punto,
ms baja y la zona de transicin ms ancha. Es decir, siempre que exista canal
estaremos en regin hmica y el dispositivo presentar baja resistencia.
Regin de corte.
El transistor estar en esta regin, cuando VGS < Vt. En estas condiciones el
transistor MOSFET, equivale elctricamente a un circuito abierto, entre los
terminales del Drenador-Surtidor. De acuerdo con el modelo bsico del transistor,
en esta regin, el dispositivo se encuentra apagado. No hay conduccin entre
Drenador y Surtidor, de modo que el MOSFET se comporta como un interruptor
abierto.
Regin hmica.
Cuando un MOSFET est polarizado en la regin hmica, el valor de RDS(on) viene
dado
por
la
expresin:
VDS(on) = ID(on) x RDS(on)
En casi todas las hojas de datos, asocian el valor de R DS(on) a una corriente de
Drenaje (ID) especfica y el voltaje Puerta-Surtidor.
Por ejemplo, si VDS(on)=1V y ID(on)=100mA = 0'1 A; entonces,
Rds(on) = 1V
= 10 Ohms
100mA
As mismo, el transistor estar en la regin hmica, cuando VGS > Vt y VDS <
( VGS Vt ).
El MOSFET equivale a una resistencia variable conectada entre el Drenador y
Surtidor. El valor de esta resistencia vara dependiendo del valor que tenga la
tensin entre la Puerta y el Surtidor (VGS).
Regin de Saturacin.
El transistor MOSFET entra en esta zona de funcionamiento cuando la tensin
entre el Drenador y el Surtidor (V DS) supera un valor fijo denominado tensin de
saturacin (Vds sat) Drenador-Surtidor; este valor viene determinado en las hojas
caractersticas proporcionadas por el fabricante. En esta zona, el MOSFET mantiene
constante su corriente de Drenador (ID), independientemente del valor de tensin
que haya entre el Drenador y el Surtidor (VDS). Por lo tanto, el transistor equivale a
un generador de corriente continua de valor ID.
Es decir; el MOSFET estar en esta regin, cuando VGS > Vt y VDS > ( VGS Vt ).
O sea, estaremos en la regin de saturacin cuando el canal se interrumpe o
estrangula, lo que sucede cuando:
Regin de Ruptura.
Esta zona apenas se utiliza porque el transistor MOSFET pierde sus propiedades
semiconductoras y se puede llegar a romper el componente fsico. La palabra
ruptura hace referencia a que se rompe la unin semiconductora de la parte del
terminal del drenador.
Los transistores unipolares estn limitados en tres magnitudes elctricas:
-En tensin: no se puede superar el valor mximo de tensin entre la puerta y el surtidor.
Este valor se
denomina BVgs. Tampoco se puede superar un valor mximo de tensin entre el drenador y el
surtidor denominado BVds.
-En corriente: no se puede superar un valor de corriente por el drenador, conocido como
Idmax.
-En potencia: este lmite viene marcado por Pdmax, y es la mxima potencia que puede disipar
el componente.
Resumiendo:
Mxima Tensin Puerta-Fuente. La delgada capa de dixido de silicio en el
MOSFET funciona como aislante, el cual, impide el paso de corriente de Puerta,
tanto para tensiones de Puerta negativas como positivas. Muchos MOSFET estn
protegidos con diodos zener internos, en paralelo con la Puerta y la Fuente. La
tensin del zener, es menor que la tensin Puerta-Fuente que soporta el MOSFET
VGS(Max).
Zona hmica. El MOSFET es un dispositivo de conmutacin, por lo que
evitaremos, en lo posible, polarizarlo en la zona activa. La tensin de entrada tpica
tomar un valor bajo o alto. La tensin baja es 0 V, y la tensin alta es V GS(on),
especificado en hojas de caractersticas.
Drenador-Fuente en resistencia. Cuando un MOSFET de enriquecimiento se
polariza en la zona activa, es equivalente a una resistencia de R DS(on), especificada en
hojas de caractersticas. En la curva caracterstica existe un punto Q test en la zona
hmica. En este punto, ID(on) y VDS(on) estn determinados, con los cuales se calcula
RDS(on).
Capacidades parsitas.
Al igual que en los transistores bipolares, la existencia de condensadores
parsitos en la estructura MOS origina el retraso en la respuesta del mismo, cuando
es excitado por una seal de tensin o intensidad externa. La carga/descarga de los
condensadores parsitos, requiere un determinado tiempo, que determina la
capacidad de respuesta de los MOSFET a una excitacin. En la estructura y
funcionamiento de estos transistores se localizan dos grupos de capacidades:
1) Las capacidades asociadas a las uniones PN de las reas de Drenador y Fuente. Son no lineales con las
tensiones
de las uniones. Se denominan Capacidades de Unin.
2) Las capacidades relacionadas con la estructura MOS. Estn asociadas principalmente a la carga del canal
(iones o cargas libres) y varan notoriamente en funcin de la regin de operacin del transistor, de modo
que,
en general, no es posible considerar un valor constante de las mismas. Se denominan Capacidades de
Puerta.
Para terminar este punto, las tensiones bajas son transmitidas sin error por el
MOSFET tipo N, mientras que las altas lo son por el tipo P. Esta configuracin, se
denomina puerta de paso. Para su funcionamiento, las tensiones en las puertas
han de ser complementarias (cuando una es alta la otra es baja, y viceversa); esto
se indica aadiendo un crculo a una de las puertas, o una barra sobre una de las
tensiones.
Polarizacin de MOSFET.
=> Vs = 0
[1]
VDS = VDD - Id x Rd
[2]
[3]
Ejemplo practico: Para el circuito dado en la siguiente figura, calcular V GS, ID y VDS.
donde,
tendremos;
VGS = 6.412V
Recapitulemos.
Consideremos, el caso de utilizar el MOSFET en conmutacin, se debe aplicar la
seal de activacin del MOSFET con un flanco de subida muy corto en tiempo, al
igual que el flanco de bajada. Tal vez con un ejemplo quede ms claro.
No es conveniente aplicar la salida de un microcontrolador directamente a un
MOSFET, las razones son evidentes. Existe gran variedad de drivers comerciales,
adecuados para cada necesidad. Por lo tanto, siempre, se debe emplear un driver.
El ms sencillo sera un transistor, como se muestra en la figura que sigue.