Transistores de

unin bipolar y de
efecto de campo
Capitulo 3
Miguel Toalombo

Transistor de unin bipolar

Bipolar Junction transistor (BJT)
Dispositivo electrnico de estado solido
Permite controlar el paso de corriente a travs de
sus terminales

Denominacin
bipolar

conduccin
por
desplazamiento de portadores de dos polaridades
(huecos positivos y electrones negativos).
Impedancia de entrada bastante baja

Construccin de Transistores
Bipolar Junction transistor (BJT)
Dispositivo semiconductor de tres capas: dos capas
de material tipo n y una capa tipo p (npn), o bien
de dos capas de material tipo p y una tipo n (pnp).

 Capa del emisor

dopada, base
colector dopada.

dopada,

Capas exteriores espesores mucho mayores que el

material tipo p o n al que circundan.
La proporcin del espesor total respecto al de la
capa central es de 0.150/0.001 = 150:1

Dopado de la capa central es mucho menor que

el dopado de las capas exteriores.
El
nivel
bajo
conductividad

de

dopado

disminuye

la

Operacin del Transistor

Flujo muy considerable de portadores mayoritarios
desde el material tipo p hacia el tipo n.

Unin con polarizacin

directa de un transistor
pnp

El flujo de los portadores

mayoritarios es cero, y
da por resultado solo un
flujo
de
portadores
minoritarios.

Unin con polarizacin inversa de

un transistor pnp

Flujo
mayoritarios
minoritarios.

portadores
y

Flujo de portadores mayoritarios y

minoritarios de un transistor pnp

 = +
Corriente del colector formado por
dos componentes.
Portadores
mayoritarios
y
minoritarios
Componente minoritario=corriente
de fuga

= +

Transistores npn y pnp

Configuracin de Emisor Comn

Debido a que el emisor es comn o hace
referencia a las terminales tanto de entrada como
de salida (en este caso es comn tanto a la
terminal de base como a la de colector).

En la regin activa de un amplificador de base comn la unin

del colector-base se encuentra polarizada inversamente,
mientras que la unin base-emisor se encuentra polarizada
directamente

Para la configuracin del emisor comn, las

caractersticas de salida de la corriente de salida ( )
en funcin del voltaje de salida ( ) para un rango
de valores de corriente de entrada ( ) . Las
caractersticas de entrada de la corriente de entrada
( ) en funcin del voltaje de entrada ( ) para un
rango de voltaje de salida ( )

 =
=
=

Para esta configuracin

= 0
=
=
= +

=
=

Diodo Base-Colector

Diodo Base - Emisor

Diodo Colector
Polarizado en
Inversa

Diodo Emisor
Polarizado en
directa

EMITE

(+)
Diodo polarizado
En inversa

Polarizando Diodo
Emisor en directa

Puntos de Trabajo
Curvas del transistor
Regin activa
Regin de corte
Regin de saturacin

La ganancia de corriente de cd de un transistor es la relacin de la

corriente continua de colector y la corriente continua de la base.

Prctica

1 Transistor npn 2N2222

1 Diodo led rojo
1 Resistencia de 330
1 Resistencia de 1 K

Medir Corriente Base, Corriente del Colector, Corriente del emisor

Elemento comn la tierra

Curva q se genera

Puntos de trabajo: corte,

saturacin y activa

Miguel Toalombo

Puntos de trabajo :activa

En la regin activa de un amplificador de base comn
la unin del colector-base se encuentra polarizada
inversamente, mientras que la unin base-emisor se
encuentra polarizada directamente.
Recuerde que estas son las mismas condiciones que
existieron en la regin activa de la configuracin de
base comn. La regin activa de la configuracin de
emisor comn se puede emplear tambin para la
amplificacin de voltaje, corriente o potencia.

La razn de esta diferencia en las caractersticas del

colector puede obtenerse a travs del manejo
adecuado de las

Para propsitos de amplificacin lineal (la menor

distorsin), el corte para la configuracin de emisor
comn se definir mediante le= IcEo

La condicin ideal de corte debe ser le= O mA para

el voltaje elegido Vce Debido a que lcw suele ser
bajo en magnitud para los materiales de silicio, el
corte existir para fines de conmutacin cuando 18
=O A o le= ICEO'peroslo para los transistores de
silicio. Sin embargo, para los transistores de germanio,
el corte para.fines de conmutacin se definir
mediante las condiciones que existan cuando le=
leso

LMITESDE OPERACIN
Para cada transistor hay una regin de operacin
sobre las caractersticas, las cuales asegurarn que
no se rebasen los valores mximos y que la seal de
salida exhiba una distorsin mnima.

Algunos de los lmites de operacin se explican por s

solos, tales como la corriente mxima del colector (a
la que por lo regular se hace mencin normalmente
en la hoja de especificaciones como corriente
continua del colector) y voltaje mximo del colector
al emisor (que a menudo se abrevia como VCEO o
V(BR)CEO en la hoja de especificaciones).

LMITESDE OPERACIN

 las caractersticas
que se define como VCE,,,
especifica el VCE mnimo que puede aplicarse
sin caer en la regin no lineal denominada
como regin de saturacin. El nivel de VCE,"
suele encontrarse en las proximidades de los 0.3 V
que se especifican para este transistor.
El nivel mximo de disipacin se define mediante
la ecuacin siguiente:

HOJA DE ESPECIFICACIONESDE TRANSISTORES

Debido a que la hoja de especificaciones es el enlace

de comunicacin entre el fabricante y el usuario, es
muy importante que la informacin que incluye se
reconozca y se entienda con claridad

 El 2N4123 es un transistor npn de uso cuya

identificacin de encapsulado
y terminales
aparecen en la esquina superior derecha de la
figura
3.23a. Casi todas
las hojas
de
especificaciones
se desglosan
en valores
nominales
mximos, caractersti- cas trmicas y
caractersticas
elctricas.
Las caractersticas
elctricas se desglosan despus en "encendido",
"apagado" y en caractersticas de pequea seal.

Antes de concluir esta descripcin de las

caractersticas, obsrvese el hecho de que no se
proporcionan las caractersticas reales del colector.
De hecho, casi todas las hojas de especifi- caciones
que presentan la mayora de los fabricantes omiten
proporcionar las caractersticas completas. Es de
esperarse que los datos que se proporcionan sean
suficientes para utilizar de manera eficaz el dispositivo
en el proceso de diseo.

Transistores
de efecto de campo

El transistor de efecto de campo (FET) (por las siglas

en ingls de Field Effect Transistor) es un dispositivo de
tres terminales que se utiliza para aplicaciones
diversas que se asemejan, en una gran proporcin. a
las del transistor BJT. Aunque existen importantes
diferencias entre los dos tipos de dispositivos, tambin
es cierto que tienen muchas similitudes que se
presentarn a continuacin

Tipos y configuracin
CONSTRUCCIN Y CARACTERSTICAS DE LOS
JFET
El JFET es un dispositivo de tres terminales, con una
terminal capaz de controlar la comente de las otras
dos.

La construccin bsica del JFET - la mayor parte de

la estructura es del material de tipo-n que forma el
canal entre las capas interio- res del material de tipo
p.
La parte superior del canal de tipo n se encuentra
conectada por medio de un contacto hmico a la
terminal referida como el drenaje (D), mientras que
el extremo inferior del mismo material se conecta por
medio de un contacto hmico a una terminal
referida como la fuente (S) (por su sigla en ingls,
Source).

Recuerde tambin que la regin de agotamiento es

aquella que no presenta portadores libres y es, por
tanto, incapaz de soportar Ja conduccin a travs
de la regin.

 V GS = O V, VDS algn valor positivo

En la figura se ha aplicado un voltaje positivo VDS
a travs del canal, y la entrada se conect
directamente a la fuente con objeto de establecer
la condicin Ves= O V. El resultado es que la
compuerta y la fuente tienen el mismo potencial y
una regin de agotamiento en el extremo inferior
de cada material-p similar a la distribucin de la
condicin de sin polarizacin

Configuracin de JFET
Es importante observar que la regin de agotamiento es
ms amplia cerca de la parte superior de ambos
materiales de tipo p. La razn por el cambio de tamao
de la regin se describe en la figura. Suponiendo una
resistencia uniforme en el canal-n, la resistencia del
canal se puede desglosar en las divisiones que posee.
La corriente ID establecer los niveles de voltaje a travs
del canal que se indican en la misma figura.
El resultado es que la regin superior del material de tipo
p estar polarizada de manera inversa con cerca de 1.5
V, con la regin inferior polarizada en forma inversa
nicamente con 0.5 V

 Recuerde que mientras mayor es la polarizacin

inversa aplicada, ms ancha es la regin de
agotamiento.
IDSS es la corriente mxima de drenaje para un
JFET y est definida mediante las condiciones

= 0 y >

 = 0 V para toda la curva. Los siguientes

prrafos describen la manera en que las
caractersticas resultan afectadas por los
cambios en el nivel de
< 0V

El voltaje de la compuerta a la fuente

denotado por es el voltaje que controla
al JFET

 El nivel de VGS que da por resultado =

0mA se encuentra definido por =
siendo un voltaje negativo para los
dispositivos
de canal-n y un voltaje
positivo para los JFET de canal-p

voltaje
La regin a la izquierda del estrechamiento
es conocida como la regin hmica o de
resistencia controlada por voltaje.
En esta regin al JFET se le usa en realidad
como un resistor variable (posiblemente
para un sistema de control de ganancia
automtica) cuya resistencia se encuentra
controlada por medio del voltaje de la
compuerta a la fuente

CARACTERSTICAS DE TRANSFERENCIA
La relacin entre y se encuentra
definida por la ecuacin de Shockley:

Las
caractersticas
de
transferencia
definidas por la ecuacin de Shockley no
resultan afectadas por la red en la cual se
utiliza el dispositivo.

HOJAS DE ESPECIFICACIONES (JFET)

Configuracin del MOSFET

Los MOSFET se desglosan ms adelante en tipo
decremental y en tipo incremental. Los
trminos agotamiento e incremental definen su
modo bsico de operacin, mientras que la
etiqueta MOSFET significa transistor de efecto
de campo metal-xido-semiconductor.

Debido a que existen diferencias en las

caractersticas y en la operacin de cada tipo
de MOSFET, se han cubierto en secciones por
separado.

MOSFET DE TIPO DECREMENTAL

TIOPO-n
Construccin bsica

La construccin bsica del MOSFET de tipo

decremental de canal-n se proporciona en la
figura siguiente. Una placa de material tipo p
est formada a partir de una base de silicio y
se le conoce como substrato, que es la base
sobre la que se construye el dispositivo.

En algunos casos el substrato se encuentra

conectado interiormente con la terminal de
la fuente

 Las terminales de fuente y compuerta estn

conectadas por medio de contactos metlicos a
las regiones dopadas-n unidas por un canal-n
como se muestra en la figura. La compuerta se
encuentra conectada tambin a una superficie de
contacto metlico, pero permanece aislada del
canal-a por medio de una capa muy delgada de
dixido de silicio (Si2 ).

El Si02 es un tipo particular de aislante conocido

como dielctrico que ocasiona campos elctricos
opuestos (como se indica por el prefijo di)
No existe conexin elctrica directa entre la
terminal de la compuerta y el canal de un MOSFET

 De hecho. la resistencia de entrada de un

MOSFET es a menudo igual a la del JFET
normal, aun cuando la impedancia de
entrada de la mayora de los JFET es lo
suficientemente alta para la mayora de las
aplicaciones

MOSFET

El voltaje compuerta-fuente se hace cero

voltios mediante la conexin directa de una
terminal a la otra, y se aplica un voltaje
a travs de las terminales del drenaje y
fuente.
El resultado es una atraccin por el
potencial positivo del drenaje para los
electrones libres del canal-n y una corriente
similar a aquella establecida a travs del
canal del JFET

 Es particularmente interesante y til que la ecuacin

de Shockley siga aplicndose para las caractersticas
del MOSFET de tipo decremental tanto en la regin de
agotamiento como en la incremental.
Para ambas regiones simplemente es necesario que se
incluya el signo adecuado de en la ecuacin. y
que el signo sea seguido con cuidado en las
operaciones matemticas.

EJEMPLO
Trace las caractersticas de transferencia
para un MOSFET de tipo decremental de
canal-n con
= 10 mA y = -4 v.

MOSFET DE TIPO INCREMENTAL

Aunque existen muchas similitudes en la
construccin y modo de operacin entre los
MOSFET de tipo decremental y de tipo
incremental, las caractersticas del MOSFET de
tipo incremental son bastante diferentes de
cualquier otro que hasta ahora obtuvimos.
La curva de transferencia no est definida por
la ecuacin de Shockley, y la corriente de
drenaje ahora est en corte hasta que el
voltaje
compuerta-fuente
alcance
una
magnitud especfica.

Construccin bsica
La construccin bsica del MOSFET de tipo
incremental de canal-n se ofrece en la figura 5
.31. Una placa de material tipo p se forma a
partir de una base de silicio y una vez ms se le
conoce como substrato.

El substrato algunas veces se conecta a la

terminal de la fuente.
Las terminales de la fuente y drenaje se
conectan una vez ms por medio de
contactos metlicos a regiones dopadas n,
pero se observa en la figura 5 .31 la ausencia
de un canal entre las dos regiones dopadas n.

Operacin bsica y caractersticas

Si VGs se hace O V y se aplica un voltaje
entre el drenaje y la fuente del dispositivo, la
ausencia de un canal- (con su generoso
nmero de portadores libres) dar por
resultado una corriente de cero amperes
efectivos, una diferencia grande con el
MOSFET y JFET de tipo decremental donde
=

 Tanto como estn en algn voltaje

positivo
mayor
de
cero
voltios,
estableciendo al drenaje y la compuerta a
un potencial positivo respecto a la fuente.
El potencial positivo en la compuerta
presionar los huecos (porque las cargas
iguales se repelen) del substrato p a lo largo
del filo de la capa de Si2 con objeto de
dejar esa rea y entrar a regiones ms
profundas del substrato p. como se muestra
en la figura.

 Cuando se incrementa ms all del nivel

de umbral, la densidad de los portadores
libre en el canal inducido se incrementan,
dando por resultado un nivel mayor de
corriente de drenaje.
Al aplicar la ley de voltaje de Kirchhoff a los
voltajes de las terminales del MOSFET

 El nivel de saturacin para est relacionado

con el nivel de aplicado por

Para los valores de menores que el nivel

de umbral, la corriente de drenaje de un
MOSFET de tipo incremental es de O mA.

Ejercicios Diodo Zener

Para asegurar el diodo permanezca en la regin de
tensin constante (ruptura), se examinan los dos
extremos de las condiciones de entrada-salida.
La corriente a travs del diodo es mnima
cuando la corriente de carga es mxima y la
fuente de tensin es mnima.
La corriente a travs del diodo es mxima
cuando la corriente de carga es mnima y la
fuente de tensin es mxima.

Cuando las caractersticas de los dos extremos se

insertan, se encuentra

+

Condicin 1:

Condicin 2:

Se igualan las dos ecuaciones para obtener

+ = +

Disese un regulador Zener para cada una de las

siguientes condiciones:
a) La corriente en la carga varia de 100 mA a 200 mA y
la fuente de tensin varia de 14 V a 20 V
b) La corriente en la carga varia de 20mA y la fuente
de tensin varia de 10.2 a 14 V. Diodo Zener 10 V

a) El diseo consiste en elegir el valor apropiado de

la resistencia, , y la estimacin de potencia para
el Zener. En primer lugar se utilizan las ecuaciones
de esta seccin para calcular la mxima corriente
en el diodo Zener y luego encontrar el valor del
resistor de entrada.

Entonces

0.1 10 14 + 0.2(20 20)

=
14 0.9 10 0.1(20)
1.6
=
= 0.533
3

20 10

=
+ 0.533+0.1

= 15.8

No es suficiente especificar solo la resistencia de ,

tambin se debe seleccionar el resistor apropiado
que maneje la potencia estimada. La mxima
potencia est dada por el producto de la tensin por
la corriente, utilizando el mximo de cada valor.
=
= +
= 0.63 10 = 6.3

Por ultimo se debe realizar la estimacin de potencia

del diodo Zener. La mxima potencia disipada en el
diodo Zener est dada por el producto de la tensin
y la corriente

= = 10 0,53 = 5,3

b) Repitiendo los pasos para los parmetros de la

parte (b), se obtiene.

0.02 10 10.2 + 0.2 14 10

=
= 4
10.2 0.9 10 0.1(14)

El valor negativo de indica que el margen entre

no es lo bastante grande para permitir la
variacin de la corriente en la carga. Esto es bajo la
condicin del peor caso de 10.2 V de entrada y 200
mA en la carga, no es posible para el Zener mantener
10 V a travs de sus terminales.

Ejercicio JFET
Determine para un JFET cuya = 7 , =
3.5 , = 15 . Elijase una posicin razonable
para el punto Q.
Solucin: Se comienza seleccionando el punto Q

Ejercicio de MOSFET
Calculese la corriente de drenaje iD para el MOSFET de empobrecimiento
con los siguientes valores de

Solucin
Dond = 7, = 3.5