Resumen Dispositivos de RF

BJT

FCE 2013

ndice
1. Datos necesarios.
2. Obtn el anlisis en DC de una configuracin de polarizacin: polarizacin fija,
estabilizado en emisor, y con divisor de voltaje.
3. Encuentra el punto Q para cada modo de operacin: amplificacin, saturacin y corte,
cambia a) resistencias, b) solo Re c) voltaje de alimentacin, utiliza resistencias
comerciales.
4. Obtn el anlisis en AC de una configuracin de polarizacin con divisor de voltaje.
5. Obtn la frecuencia de corte para cada modo de operacin del sistema.
6. Grafica su diagrama de Bode.
7. Encontrar un capacitor comercial para acoplarlo con otra etapa que funciona a 1Mhz.
8. Calcula ganancia de voltaje en amplificacin para tres posibilidades de resistencia de
carga, con cual es mas optimo su funcionamiento, con cual no.
9. Bibliografa.

Capitulo 1. Datos necesarios de BJT.

Este tipo de transistor vara sus parmetros con el cambio de temperatura ( beta cambia).
El nivel de corriente de entrada es el que controla su nivel de salida de corriente. Se espera
siempre que exista corriente en

, para que comience a operar el transistor.

Para su ptimo funcionamiento del BJT debe estar en polarizacin directa la Base-Emisor y en
inversa el colector-emisor.

Los capacitores se convierten en circuitos abiertos en este anlisis AC.

Los capacitores se convierten en circuitos abiertos en este anlisis DC.

Las ecuaciones siguientes son importantes para su anlisis en DC

Ic siempre se maneja en mA, y asi para IB que se maneja en micro Amperes

Beta(

) HFE se encuentra con el datasheet del transistor.

a) 2n2222 : Dependiendo del fabricante y su propio datasheet.

b) Bc547 un fabricante X.

C) 2n3904

Modos de operacin del transistor: amplificacin lineal o activa, saturacin y corte.

Es posible observar, por transistor, su modo de operacin con la recta de carga, de la figura a
continuacin. Su modo de operacin es respecto al punto Q( Ic , VCE) para configuraciones de
emisor a tierra.

En general se desea trabajar en zona activa para que amplifique (corriente o voltaje). Trabajar
en zonas saturadas y cortes es comn cuando se utilizan en compuertas lgicas.
Existen varias configuraciones. Aqu solo se ver polarizacin fija, estabilizado en emisor y
divisor de voltaje.

Divisor de voltaje
Capitulo 2. Anlisis en DC: polarizacin fija.

Capacitores en circuito abierto.

Las fuentes de voltaje se separan por ramas, SOLO en el anlisis.

Quedan dos mallas.

Analisis malla de Ib

y analisis malla Ic

Y el clculo del resto.

La grfica se obtiene con Ic y VCE , encontramos la ecuacin de esta recta de carga

de

malla Ic. Internamente tenemos curvas producidas por Corrientes IB. Existe una IBQ donde se encuentra el puntoQ

Debemos encontrar los extremos de la recta de carga.

Que pasa en nuestra ecuacin si Ic=0; que da? Y qu pasa si VCE=0v, que da?

Por lo tanto con dos puntos trazamos la recta

Ntese que la mxima corriente se llama corriente de saturacin.

Mnima corriente se llama corriente de corte.
La Ic saturada = Vcc/Rc para esta configuracin, calculada cuando Vce=0, de la ecuacin de
carga; se utilizar mucho.
Aqu se coloca la Ic y el VCE encontrado. Del ejemplo numrico anterior tenemos Ic=2.35mA y
VCE= 6.83v, Vcc/RC=5.45mA y VCC=12v

Ntese que este punto Q est en zona activa o de amplificacin Lineal.

Anlisis en DC: Estabilizado en emisor. Anlisis en DC. Solo tiene RE adicional a la

configuracin anterior.

Capacitores en circuito abierto.

Anlisis similar al anterior. Separamos fuente solo para el anlisis, nos quedan dos mallas.

Malla IB

El resto del clculo.

Malla IC

Ecuacin de carga, sale de la malla de IC

De aqu tenemos Corriente de saturacin

Ejemplo 2. Multisim. Comprueba resultados tericos.

Transistor: 2N3904 beta= ?

IB= (20v-0.7)/(470k+560)=41x10-6 A
Tengo IC medida= 5.63mA por lo tanto beta= IC/IB= 137.36
Vce=Vcc-IC(RC+RE)= 20v-5.63mA(2.2k+560)=4.46v coincide con simulacin. (XMM3)
Punto Q=( 5.63mA,4.46v)
Importante saber encontrar los otros resultados para la parte de anlisis en AC despus.
VE= IERE=> IE aprox= IC => VE=5.63mA*560=3.15v coincide con simulacin (XMM1)
Y despus se calcula VB= VE+VBE= 3.15v+0.7v= 3.85v coincide con simulacin (XMM2)
Note que para encontrar VB, primero encontramos VE.

Anlisis en DC: Divisor de voltaje. En DC

Primero operamos las dos resistencias.

equivalente.

Obtenemos Voltaje de thevenin y resistencia

IMPORTANTE: Ntese que el voltaje equivalente de thevenin se mide en el punto B, ah da

Vth.
Ahora partimos de:

Seguimos con las dos mallas encontradas. Igual a la configuracin anterior si RTh=RB

Con similar resultado. Cuidado, ntese que ya no es Vcc del lado izquierdo ahora es el Voltaje
de thevenin.

Nota importante : cunto vale VB? Es el voltaje de thevenin. Cunto vale VE? VE= VB-VBE

Ejemplo 2. Multisim: Verificar datos tericos

Transistor: 2N3904 beta=? IC MEDIDA= 1.25mA. VTh= (10k*16v)/(90k+10k)=1.6v

IB=(1.6v-.7)/(9k+680)=92x10-6 A

Req=9k

beta= IC/IB=13.44 acceptable datasheet(min4 max300)

VCE= 16v-(1.25mA)(2.2k+680)=16v-3.6v=12.4 coincide con simulacin XMM1

Hacemos los otros clculos tambin importantes que servirn para anlisis en AC
VE= RE*IE

IE aprx=IC => VE= 680*1.25mA=0.85v=850*10-3 coincide con simulacin XMM3

Despus VB=VE+0.7 = 0.85v+.7=1.55v coincide con simulacin XMM2

Capitulo3. Encuentra el punto Q para cada modo de operacin: amplificacin, saturacin

y corte, utiliza resistencias comerciales. Para cambios en:
a) todas resistencias,
b) solo Re
c) voltaje de alimentacin.
SE analiza solo para configuracin fija.

a) Todas las resistencias.

Que tenemos, en polarizacion fija:

Hacemos ingeniera inversa para clculos. El producto final fue el punto Q(Ic, Vce).
Tenemos las ecuaciones de la recta de carga:

Tenemos la corriente de saturacin y su corriente nula con su voltaje respectivo.

En qu regin queremos el punto Q?

PARTIMOS DE ESTOS DATOS:

En saturacin. Requerimos un VCE casi cero. Ic de saturacin.

En corte. Requerimos un VCE casi igual a VCC. Ic casi cero.
En amplificacin: VCE=aprox= VCC/2. Ic casi la mitad
Sustituimos los valores de VCE en la recta de carga. Y variara Ic

Saturacin

Corte

Amplificacin

De aqu, obtenemos Rc. Rc= VCC/Ic, Rc= casi 0/Ic Rc=(vcc/2)/Ic.

Luego sabemos que

Ib= beta/Ic. Ya tenemos Ib.

Y tenamos estas ecuaiones

Ya tenemos Vcc, Vbe=0.7v e Ib. Calculamos RB.

Y ya es todo.
Para las otras configuraciones es similar el procedimiento.
Para el divisor de voltaje. RESUMEN. Se inicia el anlisis con 1) la configuracin estabilizado
en emisor,2) se propone el punto Q, con sus valores respectivos; se encuentra IC, luego IB y as
RB. 3) Se buscan resistencias en paralelo para sustituir Rb por dos R1 y R2, con Eth= Vcc/2.

Importante se tiene que verificar que las resistencias sean equivalentes.

b) Existe una variacin en RE que nos puede dar los puntos Q pedidos. No se requiere
recalcular las otras resistencias. (esta en pdf variacin punto Q)
c) Es posible conmutar saturacin/corte solo aplicando voltaje para uno y quitndolo
para otro, respectivamente.
Capitulo 4. Anlisis en AC (baja frecuencia, seal pequea)
Se busca impedancia de entrada, salida y ganancia de voltaje, para esto requerimos voltaje
de entrada y voltaje de salida: Zi, Zs ,Av, Vi y Vs. Recuerde Z= V/I. Asi como re=Vt/IE
Los capacitores se comportan como un corto circuito. Las fuentes de voltaje las sustituimos
por tierra.

El transistor se sustituye por el modelo re: El diodo se sustituye por una resistencia llamada
re, y la otra rama como una corriente controlada hacia abajo (para esta configuracin de
transistor.)

re=25mv/IE

re= 26mv/IE y este valor es solo para la temperatura ambiente.

Para configuracin de polarizacin fija. Z= V/I, Zi=Vi/Ii, Zs=Vs/Is , Av= Vo/Vi, Vi y Vs.
re=VT/IE

Primero hacemos el anlisis en DC para encontrar re ya que requerimos IE

re= 25mv/IE

necesitamos IE= VE/RE

Ahora nos pasamos a nuestro anlisis de AC:

Visualmente Vi=VRB o Vi= V
Entonces Vi= V

se escoge donde aparece re

= Ii*

Ahora Vo= VRC o Vo= Vro se toma siempre la resistencia de salida. Por lo tanto Vo=VRC
Zi= Vi/Ii Ii es la corriente de entrada es la misma que IB, asi nos queda Zi=(iB*
las iB

)/iB se van

Por lo tanto queda Zi=

Para Zo=Vo/Io

Io= Ic entonces Zo= VRC/IC=> ICRC/IC se va IC queda Zo=RC

Av= Vo/Vi= VRC/IB

=> como recordamos IC=Beta*IB =>

RC/IB

se van las betas y tambin

IB. Quedando Av=RC/Re Aqu se le aumenta un signo menos porque su salida es invertida
Quedando Av= - Rc/Re

Ejemplo: se sustituye la receta:

Ejemplo 2. Multisim.Comprueba resultados tericos.

Transistor: 2N3904 beta ? IC= 6.36mA Ib como en el ejemplo1 terico= 24*10E -6 A

Beta= IC/IB= 6.36mA/24microA= 265. VE=0V VB=0+.7v=7mV VCE= 20-(6.36mA)*(3k)=0.92v
IE=VE/RE como tenemos VE =0 no nos sirve este clculo y utilizamos (beta+1) IB.

Polarizacin de emisor

IB=(20v-0.7)/(470k+560)=41microA IC medida 5.4mA beta=131

VE=REIE 560*5.4mA=3.024v coincide con simulacin XMM1
re= 25mv/5.4mA= 4.62ohms
Realiza los dems clculos para Zin, Zsal, AV.

Los procedimientos son similares para las otras dos configuraciones, ro solo se utiliza aqu, en
otras configuraciones se desprecia.
Capitulo 5. Obtn la frecuencia de corte para cada modo de operacin del sistema.

Para capacitor Cs

Para capacitor Cc

Para capacitor CE

Otro ejemplo.

Capt7. Parte 2.Estimacin de la frecuencia angular mediante el mtodo de la constante de

tiempo en corto circuito.(fuente: libro diseo de ctos microelectronicos, autor: Jaeger)
La frecuencia de corte para una red de n capacitores de acoplamiento y desacoplamiento se
estima con

http://electronicaufps.files.wordpress.com/2012/07/respuesta-en-frecuencia.pdf en la parte
de anlisis de baja frecuencia de amplificadores, viene con ejemplos.

Capitulo 8. Efecto de carga.

Ahora efecto de impedancia pero en la fuente.

Y si existe impedancia de la fuente y carga:

Todas las simulaciones del libro boylestad

http://wps.prenhall.com/chet_boylestad_electronic_9/38/9931/2542573.cw/index.html