TEMA 3

TEORIA DE
SEMICONDUCTORES

PARTCULAS CARGADAS
8TOMO
Menor partcula de un elemento qumico que posee sus propiedades
4ELECTRN
Partcula elemental del tomo cargada negativamente
Masa: m = 9,11 10-31 Kg
Carga: q = 1,6 10-19 Culomb (C)
8ION
Partcula cargada que se origina cuando un tomo pierde o gana
electrones. Su carga es igual al nmero de electrones perdidos
(ion positivo) o ganados (ion negativo)
8HUECO
Ausencia de un electrn en un enlace covalente. Su carga asociada
es la del electrn con signo positivo

ESTRUCTURA ELECTRNICA

+
n (capa) = 1, 2, 3, .....
0 => orbital s
1=> orbital p
l (tipo de orbital) = 0 ... (n-1)
2 => orbital d
NMEROS CUNTICOS
3 => orbital f
m (orientacin) = 0, 1, 2, ..., l
s (giro) = +1/2, -1/2

4 PRINCIPIO DE EXCLUSIN DE PAULI

En un sistema electrnico dos electrones no pueden tener los
cuatro nmeros cunticos iguales
4 NMERO ATMICO
Da el nmero de electrones que giran en torno al ncleo

CONFIGURACIN ELECTRNICA DEL GRUPO IVA

C (n atmico = 6) -> Aislante en forma cristalina (diamante)
Si (n atmico = 14) -> Semiconductor
Ge (n atmico = 32) -> Semiconductor
Sn (n atmico = 50) -> Metal

1s2
2s2 2p6
3s2 3p6 3d10
4s2 4p6 4d10 4f14
5s2 5p6 5d10 .....
.....
......
C (n atmico = 6) => 1s2
Si (n atmico = 14) => 1s2
Ge (n atmico = 32) => 1s2
Sn (n atmico = 50) => 1s2

2s2
2s2
2s2
2s2

2p2
2p6 3s2 3p2
2p6 3s2 3p6 3d10 4s2 4p2
2p6 3s2 3p6 3d10 4s2 4p6 4d10 5s2 5p2

Los electrones de las capas interiores estn fuertemente unidos al

tomo y no pueden desligarse fcilmente

Los tomos que tienen completas sus ltimas capas son muy estables

tomos con configuraciones muy estables son tambin aquellos que

tienen 8 electrones en la ltima capa

Los electrones de la capa ms externa se conocen como electrones

de valencia

TEORA DE LAS BANDAS DE

ENERGA
4 SLIDO
Cuerpo que tiene forma y volumen constante
4 CRISTAL
Slido cuyas partculas estn dispuestas regular y peridicamente

DE LOS ELECTRONES DE LA LTIMA CAPA DEPENDEN LAS

PROPIEDADES QUMICAS Y PTICAS DE LOS MATERIALES

CRISTAL DE N TOMOS DE ELEMENTO GRUPO IVA

Banda prohibida

Banda conduccin
4N estados
2N e0 electrones subcapa p
6N estados
EG
2N e-

Banda
valencia
4N estados
4N electrones

subcapa s
2N estados

Niveles de energa del tomo no afectados

d1

d2

d3

Espacio
interatmico

AISLANTES, SEMICONDUCTORES Y
METALES
Banda de
conduccin

EG 6eV

Banda
prohibida
Banda de
valencia
AISLANTE

Electrones Banda de
libres
conduccin

Banda de
conduccin

1eV
Huecos

Banda de
valencia

SEMICONDUCTOR

Banda de
valencia
METAL

4 ELECTRNVOLTIO: 1eV = 1,6 10-19 Julios

Energa que adquiere la carga de un electrn cuando se le aplica 1
voltio. q V = 1,6 10-19 C 1 V = 1 eV = 1,6 10-19 J

* Semiconductores ms utilizados:
Silicio => EG = 1,21 eV a 0 K
Germanio => EG = 0,785 eV a 0 K
* A 0 K los semiconductores son aislantes
Por energa trmica (intrnsecos)
* Conduccin en semiconductores
Por impurezas (extrnsecos)
EG (Si) = 1,21 - 3,6 10-4 T (eV)
EG (Ge) = 0,785 - 2,23 10-4 T (eV)
A temperatura ambiente T = 300 K: EG (Si) = 1,1 eV
EG (Ge) = 0,72 eV

MOVILIDAD
Modelo de cargas de un metal
4 Regin que contiene una red peridica tridimensional de iones
positivos pesados fuertemente enlazados, rodeados de una nube
de gas electrnico

4 Al aplicar un campo elctrico => a = F/m = q E/m

Hasta que se llega a un equilibrio con la energa perdida en las
colisiones, alcanzando una velocidad media constante:
=> movilidad electrones [m2/V s]
vmedia = E
Velocidad
Velocidad
media (v)
tiempo
4 Recorrido libre medio: Distancia media entre colisiones
4 CORRIENTE: Flujo de cargas

DENSIDAD DE CORRIENTE
T: tiempo que tarda e- en recorrer L => T= L/v

N
L

N de e- que atraviesan seccin A

por unidad de tiempo = N/T

N qv
N
[ A]
I = q =
T
L

n=

[ ]

I N qv A
=
m2
A
A L

N
=> concentracin de e- por unidad de volumen [e-/m3]
A L

= n q

J=

J=

=> densidad de carga [C/m3]

N qv
= n q v = n q E = E
A L
J = E => Ley de Ohm

= n q => conductividad [1/( m)]

4 DENSIDAD TRMICA DE POTENCIA (Efecto Joule)

Es la potencia disipada por unidad de volumen. La energa se
cede a los iones en los choques.

VI
E L J A
=
= E J = E 2 [W / m3 ]
volumen
volumen

SEMICONDUCTORES INTRNSECOS
+4
+4

+4
+4

Hueco
Enlace Covalente
+4

+4

Electrones de
Valencia

ESTRUCTURA CRISTALINA
DEL Ge/Si

Electrn libre
+4
+4

+4

+4
ENLACE COVALENTE ROTO
B. C.

Temperatura
ambiente
(300 K)

EG (Ge) = 0,72 eV
EG (Si) = 1,1 eV

EG
B.V

4 HUECO
Enlace covalente roto

* A 0 K los semiconductores intrnsecos son aislantes

* A temperatura ambiente (300 K) existen electrones libres y huecos
resultantes del aporte de energa trmica
4 MECANISMO DE DESPLAZAMIENTO DE UN HUECO

4 CONCENTRACIONES DE ELECTRONES Y HUECOS

En un semiconductor intrnseco la concentracin de electrones
libres (n) es igual a la de huecos (p), e igual a su vez a la concentracin
intrnseca (ni).
n = p = ni

4 RECOMBINACIN
Desaparicin de pares de electrn-hueco

SEMICONDUCTORES EXTRNSECOS
4 SEMICONDUCTOR EXTRNSECO
Semiconductor contaminado con tomos de otro material
4 SEMICONDUCTOR EXTRNSECO TIPO N
Semiconductor contaminado con impurezas donadoras (elementos
qumicos pentavalentes como por ejemplo el Sb, P, As, del grupo
VA de la tabla peridica)
Electrn
libre

+4
+4

+5
+4

+4

B. C.
0,01 eV

EG
B.V

Electrn
libre

4 SEMICONDUCTOR EXTRNSECO TIPO P

Semiconductor contaminado con impurezas aceptoras (elementos
qumicos trivalentes como por ejemplo el B, Ga, In, del grupo
IIIA de la tabla peridica)

+4
+4

B. C.

+3

+4

EG

0,01 eV
B.V

+4

4 LEY DE ACCIN DE MASAS

A una temperatura T de equilibrio trmico se cumple que:
n p = ni2
ni => concentracin intrnseca. Aumenta con la temperatura
EG0: ancho de la banda prohibida a 0 K

n = A0 T e
2
i

E G0
K T

K: cte de Boltzman = 1,381 10-23 julios/K

= 8,620 10-5 eV/K
A0: una constante independiente de T

10

LAS IMPUREZAS AUMENTAN LA CONDUCTIVIDAD

Electrones portadores mayoritarios => nn

Semiconductor tipo n
Huecos portadores minoritarios => pn

Huecos portadores mayoritarios => pp

Semiconductor tipo p
Electrones portadores minoritarios => np

DENSIDAD DE CARGA
4 LEY DE ACCIN DE MASAS
n p = ni2
4 LEY DE LA NEUTRALIDAD ELCTRICA
n cargas + = n cargas - => p + ND = n + NA
SEMICONDUCTOR TIPO N
n >> p

N A = 0 n = ND + p ND
nn N D

ni2
ni2

nn pn = n pn =
nn N D
2
i

11

SEMICONDUCTOR TIPO P
p >> n

ND = 0 p = N A + n N A
ni2
ni2

np pp = n np =
pp N A

pp N A

2
i

Si NA = ND
n = p => n2 = p2 =ni2 => n = p = ni

CONDUCTIVIDAD
4 METAL (unipolar)

= n q
J = E = n q E
4SEMICONDUCTOR (bipolar)

(
+ p ) E

= n q n + p q p = q n n + p p

J = E = q n n

12

EFECTO HALL
SEMICONDUCTOR TIPO N
y
+

FH
1

F
2
z

d EH
w

VH

x
_

r
r r
F = q ( v B) F = q v B

r
r
FH = q E H FH = q E H

F = FH q v B = q E H E H = v B

En equilibrio =>

VH = E H d VH = d v B

SEMICONDUCTOR TIPO P
y

_
FH
1

F
2
z

VH

x
+

r
r r
F = q ( v B) F = q v B
En equilibrio =>

d EH

r
r
FH = q E H FH = q E H

F = FH q v B = q E H E H = v B
VH = E H d VH = d v B

13

4 APLICACIONES DEL EFECTO HALL

* Medida del tipo de semiconductor segn el signo de la tensin de Hall
* Medida de la densidad de carga
V
VH = d v B v = H
dB
J
I d B
IB
J = v = =
=
v w d VH w VH

Coeficiente de Hall
RH =1/

* Medida de la movilidad y conductividad =>

* Medida del campo magntico => B =

= n q =

VH
I

1
B I
w

* Multiplicador de efecto Hall => VH =

MODULACIN DE LA CONDUCTIVIDAD
4 ELEVACIN DE LA TEMPERATURA
Termistores: Mezclas de Ni O, Mn2 O3, Co2 O3
aumenta => R disminuye => NTC
Semiconductores intrnsecos:
(Ge) => 6% por grado de temperatura
(Si) => 8% por grado de temperatura
4 DOPAJE
Semiconductores extrnsecos
4 ILUMINACIN
Fotoconductores, fotorresistores, o LDR (Light Dependent Resistors)

14

4 ILUMINACIN
Fotoconductores, fotorresistores, o LDR (Light Dependent Resistors)
c velocidad de la luz 3108 m/s
h constante de Planck = 6,62610-34 Js = 4,1412510-15 eVs

ch
=
E

3 108

E=

m
4,14125 10 15 eV s
1,24
s
[m]
=
E
E

1,24
1,24
C =
[ m]
EG

EG : Energa de la Banda Prohibida

(distancia entre Banda de Valencia y Banda de Conduccin)
C: Longitud de onda crtica

E=

1,24
1,24
C =
[ m]
EG

RESPUESTA ESPECTRAL
% de pares e--h+ creados

Aplicaciones LDR:
* Medida iluminacin
* Interruptores sensibles a la luz

15

GENERACIN Y RECOMBINACIN
DE CARGAS
Suponemos barra de Silicio tipo n con concentraciones en equilibrio
n0 y p0. En t se ilumina alcanzndose concentraciones p y n.
p - p0 = n - n0
p(t)
p

p = p0 + p'(0) e

p = p0 + p(0)

t
p

p0
t

t'

p(t)
p

p = p0 + p' (0) e

p = p0 + p(0)

p0
t'

Silicio tipo n => p/p0 >> n/n0 => La generacin de portadores

afecta principalmente a los portadores minoritarios.
* Tiempo de vida medio de un portador:
Es el tiempo de existencia de un hueco (electrn) antes de
recombinarse => p n
p/p : decrecimiento del n de huecos por unidad de tiempo
g: incremento de huecos (generacin trmica) por unidad de tiempo

16

dp
p
= g
p
dt

En equilibrio =>

dp
=0
dt
p = p0

=>

g=

p0
p

dp p0 p ( p0 p)
p'
=

=
=
dt p p
p
p

p' = p p0

dp' dp
dp'
p'
=

=
p
dt dt
dt

p'(t ) = p' (0) e

t
p

p(t ) p0 = p'(0) e

p(t ) = p0 + p' (0) e

t
p

t
p

DIFUSIN
4 CORRIENTE DE DIFUSIN
Corriente que se crea entre dos zonas de diferente concentracin.
p(0)

x=0

p(x)

x
JDn JDp

dp
: Densidad de corriente de difusin de huecos
dx
dn
: Densidad de corriente de difusin de electrones
= q Dn
dx

J D p = q Dp
J Dn

Dp y Dn : Constantes de difusin de huecos y electrones [m2/s]

17

4 RELACIN DE EINSTEIN

Dp

VT =

Dn
T ( K )
= VT =
n
11600

k T ( K )
q

A temperatura ambiente (300 K), VT 26 mV

VT : Potencial equivalente de temperatura

k : Constante de Boltzman (J/K) = 1,381 10-23 J/K

4 CORRIENTE TOTAL

J p = J E p + J Dp

dp
= q p p E q Dp
dx

J n = J En + J Dn = q n n E + q Dn

dn
dx

J = Jn + J p

18

VARIACIN DE POTENCIAL EN UN
SEMICONDUCTOR
BARRA IMPURIFICADA NO UNIFORMEMENTE
V1

V2
JD

x1
p1

JE

x2
p2

En circuito abierto I = 0 => Debe existir una corriente de desplazamiento

igual a la de difusin y en sentido contrario =>
Creacin de un campo elctrico

Circuito abierto => I = 0 => J = 0

dp
J J p = J E p + J D p = q p p E q Dp
=0
dx
dp
q p p E = q Dp
dx
Dp dp VT dp

=
E =
p p dx p dx

dV
dp
dV = E dx dV = VT
p
dx
p2 dp
V21 = VT
= VT .ln p| pp12 = VT (ln p2 ln p1 ) =
p1 p
E=

V21
p1
VT (ln p1 ln p2 ) = VT ln p1 = p2 e VT
p2

19

En el caso de semiconductor tipo N, anlogamente se tiene que:

J J n = J En + J Dn = q n n E + q Dn

dn
=0
dx

V
21
n1
V21 = VT ln n1 = n2 e VT
n2

p1 = p2 e
n1 = n2 e

V21
VT

p1 = p2 e

V21
VT

V21
VT

=> Ecuacin de BOLTZMAN para huecos

=> Ecuacin de BOLTZMAN para electrones

n1 = n2 e

V21
VT

V21
V

21
p1 n1 = p2 e VT n2 e VT = p2 n2

p1 n1 = p2 n2

p n = ni2

=> p n es independiente de x

=> Demostracin de la LEY DE ACCIN DE MASAS

20

UNIN ABRUPTA EN CIRCUITO ABIERTO

P
N
NA
x1

pp
V0 = V21 = VT ln
pn
pp N A

ni2
pn
ND

ND
V0

x2

N N
V0 = VT ln A 2 D
ni

Diferencia de potencial de contacto

21