66.25 - Dispositivos Semiconductores - 2do Cuat.

2010

Clase 11-1

Clase 11 1 - MOSFET (III)

a sen
al
Modelo equivalente de pequen
6 de Abril de 2011
Contenido:
1. Introduccion al modelado de componentes electronicos
2. Modelo de pequena senal del MOSFET en baja frecuencia
3. Modelo de pequena senal del MOSFET en alta frecuencia
4. Bonus: Modelo de simulacion del SPICE
Lectura recomendada:
P. Julian: Introduccion a la Microelectronica, Cap. 5

Esta clase es una traduccion, realizada por los docentes del curso 66.25 - Dispositivos Semiconductores - de la FIUBA, de la correspondiente hecha por el prof. Jesus A. de Alamo para el curso 6.012 Microelectronic Devices and Circuits del MIT. Cualquier error debe adjudicarse a la traduccion.

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Clase 11-2

Preguntas disparadoras:
Por que el ingeniero necesita modelar los sistemas?
Por que necesitamos modelar el MOSFET?
Cual es la topologa del circuito electrico del modelo
de pequena senal del MOSFET?
Cuales son las principales dependencias de los elementos fundamentales del modelo de pequena senal
para saturacion?

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Clase 11-3

1. Introducci
on al modelado de componentes
electr
onicos
En sentido general, un modelo es cualquier cosa utilizada
para representar otra cosa.
Modelo fsico es una copia en escala ampliada o reducida del objeto. El objeto puede ser pequeno (un
atomo) o grande (el sistema solar).
Modelo matem
atico usa lenguaje matematico para
describir un sistema. Se emplea en fsica, ingeniera,
economa, biologa, meteorologa, sociologa, etc.

Estudio de un incendio mediante modelo fisico y de un puente mediante modelo matematico

En ciencias e ingeniera se generan modelos abstractos,

conceptuales, graficos y/o matematicos de los sistemas.
Existen una gran diversidad de metodos, tecnicas y teoras
acerca del modelado.

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Clase 11-4

Modelado del MOSFET

Hasta ahora tenemos un modelo del MOSFET valido
para cualquier senal de entrada:

Corte o Cut-off:

ID = 0

Lineal o triodo:
VDS
W
VT )VDS
ID = nCox(VGS
L
2
Saturaci
on:
W
ID = IDsat =
nCox(VGS VT )2[1+(VDS VDSsat)]
2L
Efecto del Back bias:
r

VT (VBS ) = VT o + ( 2p VBS 2p)

Pero, Que pasa si tenemos una senal que vara en el
tiempo?

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Clase 11-5

Modelado del MOSFET para una se

nal que
vara en el tiempo

Suponiendo que el MOSFET esta en saturacion resulta:

ID =

W
nCox(VGS vgssen(2f t)) VT )2
2L

Obtenemos una ecuacion que puede ser resuelta por una

PC, pero que no es practica para calculos a mano alzada.
Imagnense si ademas el MOSFET esta un circuito real,
rodeado de resistores, capacitores, otros MOSFETs, varios generadores de senal, etc.
Tenemos que hacer algun tipo de modelo simplificado.

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Clase 11-6

Hip
otesis del modelo simplificado:
Si las variaciones de vgs son muy grandes, no hay mas
remedio que usar las ecuaciones completas.
Pero si vgs no vara demasiado, podemos suponer
que hay una relacion lineal entre la variacion vgs y la
variacion id resultante:

Y buscar un modelo simple que modele esta situacion:

iD = f (VGS ) + g(vgs)

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Clase 11-7

Es decir, se pretende partir al problema en dos partes:

De modo tal que al final obtengamos:

iD = ID + id
Donde la notacion utilizada es:
VGS ,ID = senal de contnua (polarizacion o gran senal)
vgs,id = senal de alterna (pequena senal)
vGS ,iD = VGS + vgs, ID + id (senal total)

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Clase 11-8

Modelo linealizado del MOSFET

Como hacemos esto?
Por supuesto, desarrollando iD (vGS ) en serie de Taylor:
ID
1 2ID
2
iD (VGS + vgs) = ID (VGS ) +
|Q vgs +
|

v
gs
2 Q
VGS
2 VGS
Evaluando las derivadas para regimen de saturacion:
2
iD (vGS ) = k(VGS VT )2 + 2k(VGS VT ) vgs + k vgs

El modelo linealizado del MOSFET en saturacion resulta:

iD (vGS ) '

W
W
nCox(VGS VT )2 + nCox(VGS VT )vgs
2L
L
iD (vGS ) ' ID (VGS ) + gm(VGS ) vgs

donde definimos la transconductancia gm [S] como:

W
gm = nCox(VGS VT )
L

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Clase 11-9

Veamos mediante un ejemplo como funciona esta idea:

W
Para VGS = 2V, VT = 1.5V, 2L
nCox = 1mA/V 2,
vgs = 0.1sen(2 1kHz t) y VDS tal que estamos en
saturacion,

Tenemos por un lado el modelo completo:

W
iD (vGS ) =
nCox((VGS + vgs) VT )2
2L
iD (vGS ) = 1mA/V 2((2V +0.1sen(21kHzt))1V )2
Y por otro el modelo aproximado para pequena senal:
iD (vGS ) = ID + gmvgs
W
ID =
nCox(VGS VT )2 = 250A
2L
gm =

W
nCox(VGS VT ) = 250S
L

iD (vGS ) = 250A + 250S 0.1sen(2 1kHz t)

Podemos usar el modelo aproximado? Es util?

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Clase 11-10

Comparemos los resultados obtenidos con el modelo completo y con el modelo aproximado:

Para vgs = 100mV los resultados son parecidos.

Pero el modelo linealizado es mucho mas simple (apto
para calculos a mano alzada)!
Puedo pensar las variaciones id como resultado de una
fuente de corriente controlada por vgs:

Que pasa con valores mas chicos o mas grandes de vgs?

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Clase 11-11

Dejamos los demas parametros constantes y varamos vgs:

Para vgs=50mV la aproximacion es excelente:

Para vgs=200mV la aproximacion es mala

Claro, estamos haciendo Taylor en el entorno de VGS !

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Clase 11-12

Rango de validez del modelo linealizado del

MOSFET
Cuando es valido el modelo linealizado?
Si aceptamos un 10% de error en la linealizacion:
2
k vgs
< 0.1 2k(VGS VT ) vgs

o sea,
vgs < 0.2(VGS VT )
Ejemplo:
Si VGS = 2V y VT = 1.5V, resulta vgs 100mV
Si VGS = 3V y VT = 1.5V, resulta vgs 300mV
La linealizacion del modelo completo es util para diferentes dispositivos (MOSFET, diodo, TBJ, etc.) en diferentes regimenes de operacion (saturacion, lineal, etc.) y
es valida dentro de cierto rango acotado.

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Clase 11-13

2. Modelo de peque
na se
nal del MOSFET en
baja frecuencia
Aplicamos la misma idea a peque
nas se
nales aplicadas
sobre cualquiera de las fuentes de polarizacion:

Puntos fundamentales:
Podemos separar la respuesta del dispositivo a la polarizacion y a la pequena senal.
Las senales son peque
nas
la respuesta de los dispositivos es aprox. lineal
se puede usar el principio de superposici
on
los efectos de diferentes senales son independientes.

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Clase 11-14

Matematicamente:
iD (VGS + vgs, VDS + vds, VBS + vbs) '
ID
ID
ID
ID (VGS , VDS , VBS )+
| vgs +
| vds +
| vbs
VGS Q
VDS Q
VBS Q
Donde Q bias point (VGS , VDS , VBS )
Corriente id de pequena senal:
id ' gmvgs + govds + gmbvbs
Definimos:
gm transconductancia [S]
go salida o conductancia del drain [S]
gmb transconductancia del backgate [S]
Luego:
ID
|
gm '
VGS Q

ID
go '
|
VDS Q

gmb

ID
'
|
VBS Q

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Clase 11-15

2 Transconductancia
En regimen de saturacion:
W
ID =
nCox(VGS VT )2[1 + (VDS VDSsat)]
2L
Luego (despreciando la modulacion del largo del canal):
ID
W
gm =
|Q ' nCox(VGS VT )
VGS
L
Lo reescribimos en terminos de ID :
v
u
u
u
u
t

gm = 2

W
nCoxID
L

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Clase 11-16

Trasconductancia de un nMOSFET (VDS = 2 V ):

Modelo circuital equivalente de gm:

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Clase 11-17

2 Conductancia de salida
En regimen de saturacion:
W
ID =
nCox(VGS VT )2[1 + (VDS VDSsat)]
2L
Luego:
go =

ID
W
ID
|Q =
nCox(VGS VT )2 ' ID
VDS
2L
L

La resistencia de salida es:

1
L
ro =
go ID

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Conductancia de salida de un nMOSFET:

Modelo circuital equivalente de go:

Clase 11-18

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Clase 11-19

2 Transconductancia de Backgate
En regimen de saturacion (despreciando la modulacion
del canal):
W
ID '
nCox(VGS VT (VBS ))2
2L
Luego:
gmb

ID
W
VT
=
| = nCox(VGS VT )(
| )
VBS Q
L
VBS Q
VT
|Q )
gmb = gm(
VBS

Dado que:
r

VT (VBS ) = VT o + ( 2p VBS 2p)

Resulta:
gmb =

gm
2 2p VBS
r

gmb hereda las dependencias de gm

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Clase 11-20

El Body del MOSFET es un terminal de control: caractersticas de salida para diferentes valores de VBS (VBS =
0 (3) V, VBS = 0.5 V , VGS = 2 V ):

Modelo circuital equivalente de gmb:

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Clase 11-21

Modelo completo del MOSFET para pequena senal:

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Clase 11-22

3. Modelo de peque
na se
nal del MOSFET en
alta frecuencia
Tenemos que incorporar las capacidades. En saturacion:

Cgs capacidad intrnseca del gate

+ capacidad de overlap, Cov (+fringe)
Cgd capacidad de overlap, Cov (+fringe)
Cgb (solo capacidades parasitas)
Csb capacidad zona vaciamiento source
+ sidewall (+capacidad canal-substrato)
Cdb capacidad zona vaciamiento drain + sidewall
Los terminos entre parentesis son menores y se descartan.

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Clase 11-23

Modelo de pequena senal del MOSFET para alta frecuencia:

Plan para obtener las capacidades del modelo:

Empezamos con Cgs,i
calculamos la carga del canal QG = (QN + QB )
calculamos como QG cambia con VGS
Sumamos las capacidades Cj de las junturas PN

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Clase 11-24

Carga de la capa de inversion en saturaci

on
QN (VGS ) = W

L
0 Qn (y)dy

=W

VGS VT
0

Qn(Vc)

dy
dVc
dVc

Pero:
dVc
ID
= Ey (y) =
dy
W nQn(Vc)
Luego:
W 2Ln Z VGS VT 2
Qn(Vc)dVc
QN (VGS ) =
0
ID
Recordando:
Qn(Vc) = Cox(VGS Vc VT )
Entonces:
2 Z
W 2LnCox
VGS VT
2
(V

V
)
dVc
QN (VGS ) =
GS
c
T
0
ID

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Integramos y substituimos ID para saturacion:

2
QN (VGS ) = W LCox(VGS VT )
3
La carga del canal es:
QG(VGS ) = QN (VGS ) QB,max|indepV GS
Capacidad intrinseca entre gate-source:
Cgs,i

dQG
2
=
= W LCox
dVGS 3

Debemos incluir la capacidad de overlap:

2
Cgs = W LCox + W Cov
3
Capacidad gate-drain - solo capacidad de overlap:
Cgd = W Cov

Clase 11-25

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Clase 11-26

Capacidad body-source = Capacidad de juntura del source:

Csb = Cj +Cjsw = W L

v
u
u
u
u
t
dif f u

qsNa
+(2Ldif f +W )CJSW
2(B VBS )

Capacidad body-drain = Capacidad de juntura del drain:

Cdb = Cj +Cjsw = W L

v
u
u
u
u
t
dif f u

qsNa
+(2Ldif f +W )CJSW
2(B VBD )

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Clase 11-27

Principales conclusiones
Modelo de pequena senal del MOSFET para alta frecuencia:

En saturacion:
gm

v
u
u
u
u
t

W
ID
L

ID
go
L
Cgs W LCox

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Clase 11-28

4. Modelo de simulaci
on del SPICE
SPICE es el acronimo de Simulation Program with Integrated Circuits Emphasis y fue desarrollado por la Universidad de California, en Berkeley, en 1975.
Es un estandar de simulacion de circuitos electronicos.
Para eso hay que describir el circuito y elegir el tipo de
simulacion (temporal, en frecuencia, continua, etc.)

Vs 1 0
Ra 1 2
Rb 2 0
Rc 3 0
Is 3 2
.DC Vs
.PRINT
.PRINT
.END

DC 20.0V ; Se indica la fuente

5.0k
4.0k
1.0k
DC 2.0mA
20 20 1 ; Se pide simulaci
on DC
DC V(1,2) I(Ra) ; Calculo V,I para Ra
DC V(2) I(Rb)

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Clase 11-29

Y se obtiene un resultado como este:

**** DC TRANSFER CURVES
Vs V(1,2) I(Ra)
20 6.667 1.333E-03
Vs V(2) I(Rb)
20 13.33 3.333E-03
JOB CONCLUDED
TOTAL JOB TIME .13

Hoy en da hay muchas implementaciones de SPICE:

Software no libre: LTSPICE (freeware), PSpice/OrCAD,
HSpice, MicroCad, Dr. Spice, Proteus, etc.
Software libre: ASCO tool, GEDA (GPL), MacSpice,
Oregano (GPL), Qucs, TclSpice, etc.
Todas se basan en los mismos modelos de SPICE y cada
una agrega su entorno visual y herramientas propias.

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Clase 11-30

Modelos de SPICE de MOSFETs

Para MOSFETs con L 1.5m funciona bien el modelo
elemental Level 1 de SPICE:
Level 1 MOSFET model:
.MODEL MODN NMOS LEVEL=1 VTO=1 KP=50u
+ LAMBDA=.033 GAMMA=.6 PHI=0.8 TOX=1.5E-10
+ CGDO=5E-10 CGSO= 5e-10 CJ=1E-4 CJSW=5E-10
+ MJ=0.5 PB=0.95 W=5u L=1u
Por ejemplo, en Level 1 para calcular la corriente de Drain
se usan las ecuaciones:

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Clase 11-31

Para calcular las capacidades el Level 1 usa por ejemplo:

Y las ecuaciones:

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Clase 11-32

Existen muchos modelos SPICE de MOSFETs

Hay una modelos de MOSFETs desde Level 1 a Level 14.
El uso, complejidad y precision de cada uno es diferente.
Permiten simular transitorios, temperatura, ruido, etc.
Por ejemplo, para MOSFETs sub-m se usan modelos
como el BSIM, Berkeley Short-Channel IGFET Model.
Ejemplo: AMI 0.5um Level 3 (AMI Semiconductor Inc.,
L=0.5um)

Para mas informacion ver:

OrCAD PSpice A/D Reference Manual
http://ltspice.linear.com/software/scad3.pdf