Solucion Actividad 8

Act 8: Leccin evaluativa No.
2
Question1
Puntos: 1
Si tres quarks constituyen el sistema al que se le asocia una funcin de onda, y el potencial de la
fuerza fuerte es 10 veces la electromagntica
Seleccione una respuesta.
a. La ecuacin resultante tiene un hamiltoniano donde hay un trmino de energa cintica y tres de potencial.
b. La ecuacin resultante tiene un hamiltoniano donde hay un trmino de energa cintica y uno de potencial
c. La ecuacin resultante tiene un hamiltoniano donde hay tres trminos de energa cintica y tres de potencial
d. La ecuacin resultante tiene un hamiltoniano donde hay tres trminos de energa cintica y uno de potencial
Question2
Puntos: 1
Cul es el comportamiento de un semiconductor al elevarse fuertemente la temperatura?

a. Conductor
b. No operacin
c. Aislante
d. Amplificador
Question3
Puntos: 1
Un tubo fotomultiplicador cumple una o ms de las siguientes afirmaciones siempre.

a. No requiere fuente de voltaje
b. Amplifica luz
c. Tiene dos ctodos y dos nodos
d. No requiere el efecto fotoelctrico
Question4
Puntos: 1
El parmetro Beta () depende de:

a. Tiempo de vida de portadores minoritarios
b. Directamente de la temperatura
c. La corriente de junturas
d. Concentracin de portadores totales
Question5
Puntos: 1
En un material en el que los portadores mayoritarios son electrones, se infiere que:

a. No hay carga neta
b. Es un material N y no tiene huecos
c. Estos portadores se encuentran en la banda de valencia
d. Es un material P y no tiene huecos
Question6
Puntos: 1
Los portadores mayoritarios son electrones. Entonces,

a. Estos portadores se encuentran en la banda de conduccin
b. Es un material P
c. Es un material N
d. La carga neta es igual a dos veces el nmero de electrones multiplicado por carga de cada electrn
Question7
Puntos: 1
Los transistores PNP funcionan con voltajes de polarizacin inversos en todos los casos. Suponga
que tenemos un circuito amplificador operando en el modo NPN perfectamente y responda la
siguiente pregunta.
Si reemplazamos el transistor por un MOSFET canal N haciendo las conexiones de Gate como si fuera Base y Source como si
fuera Emisor, entonces
a. Necesariamente cambia el funcionamiento
b. Puede averiarse debido a que su canal N se daa cuando es sometido a campo electrosttico
c. Se avera necesariamente
d. La operacin es exactamente la misma
Question8
Puntos: 1
Si se llega a determinar con exactitud y precisin total que una partcula est en una posicin x,y,z
especfica,
a. No hay ningn dato acerca de la velocidad

b. No hay ningn dato acerca de la frecuencia
c. No hay ningn dato de la energa
d. No hay ningn dato acerca del tiempo que durar en esa posicin
Question9
Puntos: 1
En una Baquelita tenemos Silicio. Cuando se aplica la solucin correcta, ste se convierte en SiO2. Este material:
a. Es un Conductor
b. Es un xido
c. Es un semiconductor
d. Es un cido
Question10
Puntos: 1
Las prdidas debido al recalentamiento del circuito integrado son debido a

Seleccione al menos una respuesta.
a. Semiconductores
b. Posibles resistencias internas
c. Revestimiento aislante imperfecto
d. Mala construccin del dispositivo
Guardar sin enviar
Enviar todo y terminar
Tiempo restante
Usted se ha autentificado como JHON JAIRO ACOSTA (Salir)
FSICA DE SEMICONDUCTORES: Act 8: Leccin evaluativa No. 2
Act 8: Leccin Evaluativa
Comenzado el mircoles, 5 de noviembre de 2014

Completado el mircoles, 5 de noviembre de 2014
Tiempo empleado 40 minutos 10 segundos
Calificacin 50 de un mximo de 50 (100%)
Question 1.
Segn lo estudiado en la unidad, si queremos aumentar la tolerancia mxima a la corriente de

un BJT, lo mejor es:
a. Disminuir la temperatura
b. Aumentar la seccin transversal de la base para que haya ms espacio para los portadores
Respuesta Correcta
c. Colocar un aislante entre el semiconductor y la fuente
d. Aumentar la temperatura
Aumentar la seccin transversal de la base para que haya ms espacio para los portadores
correcto
Puntos para este envo: 1/1.
Question 2.
Son caractersticas de la zona de deflexin en una unin PN:
a. Existe una tensin umbral tambin llamada barrera de potencial .
Respuesta Correcta
b. La mayora de cargas libres son positivas

c. No existen cargas libres
Respuesta Correcta
d. La mayora de cargas libres son negativas
Correcto
En una unin PN no existen cargas libres y se produce un campo elctrico que genera una
barrera de potencial, que en el caso del silicio es de 0,7 voltios.
correcto
puntos para este envo: 1/1.
Question 3.
Un diodo Zener opera:
a. En la misma regin que el transitor

b. En la misma regin en que el diodo falla
Respuesta Correcta
c. En la misma regin que el diodo

d. En todas las regiones, cumpliendo siempre la misma funcin del mismo modo
Un diodo zener opera, En la misma regin en que el diodo falla
correcto
Question 4.
si se llega a determinar con exactitud y precisin total que una partcula est en una posicin
x,y,z especfica,
Seleccione una respuesta
Respuesta Correcta
b. No hay ningn dato de la energa .

c. No hay ningn dato acerca del tiempo que durar en esa posicin
d. No hay ningn dato acerca de la frecuencia
correcto
Question 5.
El parmetro Beta (B) depende de:

b. Concentracin de portadores totales
Respuesta Correcta
d. Directamente de la temperatura
Beta depende de la concentracin de portadores totales
Correcto
Question 6.
Cul es el sistema cristalino en el que las dimensiones de sus lados A y B son iguales y su lado C
diferente, pero en el que todos sus ngulos miden 90 grados?
a. Tetragonal
b. Hexagonal
Respuesta Correcta
c. Monoclinico
d. cbico
El sistema cristalino que cumple con A=B dif C y a=b=g=90 es el tetragonal.
Correcto
Question 7.
El boro y el galio son materiales que tiene en su estructura atmica 3 electrones de valencia. El
Arsnico y el Fosforo tienen 5. Para disminuir Puntos: 1 el nmero de electrones libres en el silicio
para su uso en los transistores, los fabricantes aaden pequeas cantidades de: (pregunta con
doble respuesta)
a. Galio
Respuesta Correcta
b. Boro
Respuesta Correcta
c. Postora
d. Arsnico
Correcto
Al contaminar el silicio con atmos de 3 electrones de valencia se generan menor cantidad de
elctrones libres.
Correcto
Question 8.
Escoja cul de las siguientes afirmaciones es cierta para TODO lser semiconductor.
a. Emite luz de elevada potencia

b. Es el nico tipo de lser
c. No requiere luz inicial
d. No mantiene la intensidad de luz inicial
Respuesta Correcta
No mantiene la intensidad de luz inicial
Correcto
Question 9.
siguiente pregunta.
Si reemplazamos el transistor por un MOSFET canal N haciendo las conexiones de Gate como si
fuera Base y Source como si fuera Emisor, entonces
a. Puede averiarse debido a que su canal N se daa cuando es sometido a campo electrosttico
b. Se avera necesariamente y
c La operacin es exactamente la misma
d. Necesariamente cambia el funcionamiento
Respuesta Correcta
Correcto
Question 10.
En un hamiltoniano de muchas partculas usted encontrar:
a. Una sumatoria de energas blicas. potenciales y moleculares b. Un trmino de energa

cintica
c. Una sumatoria de energas cinticas, potenciales y un trmino de energas de interaccin
entre partculas
Respuesta Correcta
d. Una sumatoria de energas cinticas y potenciales
Una sumatoria de energas cinticas, potenciales y un trmino de energas de interaccin entre

partculas
Correcto
FSICA DE SEMICONDUCTORES: Act 8: Leccin evaluativa No. 2
Act 8: Leccin Evaluativa
Comenzado el mircoles, 5 de noviembre de 2014

Completado el mircoles, 5 de noviembre de 2014
Question 1.
Segn lo estudiado en la unidad, si queremos aumentar la tolerancia mxima a la corriente de

un BJT, lo mejor es:
a. Disminuir la temperatura
b. Aumentar la seccin transversal de la base para que haya ms espacio para los portadores
Respuesta Correcta
c. Colocar un aislante entre el semiconductor y la fuente
d. Aumentar la temperatura
Aumentar la seccin transversal de la base para que haya ms espacio para los portadores
correcto
Question 2.
Son caractersticas de la zona de deflexin en una unin PN:
a. Existe una tensin umbral tambin llamada barrera de potencial .
Respuesta Correcta
b. La mayora de cargas libres son positivas

c. No existen cargas libres
Respuesta Correcta
d. La mayora de cargas libres son negativas
Correcto
En una unin PN no existen cargas libres y se produce un campo elctrico que genera una
barrera de potencial, que en el caso del silicio es de 0,7 voltios.
correcto
puntos para este envo: 1/1.
Question 3.
Un diodo Zener opera:
a. En la misma regin que el transitor

b. En la misma regin en que el diodo falla
Respuesta Correcta
c. En la misma regin que el diodo

d. En todas las regiones, cumpliendo siempre la misma funcin del mismo modo
Un diodo zener opera, En la misma regin en que el diodo falla
correcto
Question 4.
si se llega a determinar con exactitud y precisin total que una partcula est en una posicin
x,y,z especfica,
Respuesta Correcta
b. No hay ningn dato de la energa .

c. No hay ningn dato acerca del tiempo que durar en esa posicin
d. No hay ningn dato acerca de la frecuencia
correcto
Question 5.
El parmetro Beta (B) depende de:

b. Concentracin de portadores totales
Respuesta Correcta
d. Directamente de la temperatura
Beta depende de la concentracin de portadores totales
Correcto
Question 6.
Cul es el sistema cristalino en el que las dimensiones de sus lados A y B son iguales y su lado C
diferente, pero en el que todos sus ngulos miden 90 grados?
a. Tetragonal
b. Hexagonal
Respuesta Correcta
c. Monoclinico
d. cbico
El sistema cristalino que cumple con A=B dif C y a=b=g=90 es el tetragonal.
Correcto
Question 7.
El boro y el galio son materiales que tiene en su estructura atmica 3 electrones de valencia. El
Arsnico y el Fosforo tienen 5. Para disminuir Puntos: 1 el nmero de electrones libres en el silicio
para su uso en los transistores, los fabricantes aaden pequeas cantidades de: (pregunta con
doble respuesta)
a. Galio
Respuesta Correcta
b. Boro
Respuesta Correcta
c. Postora
d. Arsnico
Correcto
Al contaminar el silicio con atmos de 3 electrones de valencia se generan menor cantidad de
elctrones libres.
Correcto
Question 8.
Escoja cul de las siguientes afirmaciones es cierta para TODO lser semiconductor.
a. Emite luz de elevada potencia

b. Es el nico tipo de lser
c. No requiere luz inicial
d. No mantiene la intensidad de luz inicial
Respuesta Correcta
No mantiene la intensidad de luz inicial
Correcto
Question 9.
siguiente pregunta.
Si reemplazamos el transistor por un MOSFET canal N haciendo las conexiones de Gate como si
fuera Base y Source como si fuera Emisor, entonces
a. Puede averiarse debido a que su canal N se daa cuando es sometido a campo electrosttico
b. Se avera necesariamente y
c La operacin es exactamente la misma
d. Necesariamente cambia el funcionamiento
Respuesta Correcta
Correcto
Question 10.
En un hamiltoniano de muchas partculas usted encontrar:
a. Una sumatoria de energas blicas. potenciales y moleculares b. Un trmino de energa

cintica
c. Una sumatoria de energas cinticas, potenciales y un trmino de energas de interaccin
entre partculas
Respuesta Correcta
d. Una sumatoria de energas cinticas y potenciales
Una sumatoria de energas cinticas, potenciales y un trmino de energas de interaccin entre

partculas
Correcto
FSICA DE SEMICONDUCTORES: Act 3 Reconoimiento Unidad 1
Act. 3 Reconocimiento Unidad 3
Comenzado el viernes.
19 de septiembre de 2014
Completado el viernes.
19 de septiembre de 2014
Tiempo empleado
26 minutos 35 seguidos
Puntos
6/6
Calificacion
10 de un mximo de 10 (100%)
Question 1.
Las partculas fundamentales de la materia se dividen en dos, Ellas son:
Seleccione al menos una respuesta:
a. Bosones
Respuesta Correcta
b. Leptones
c. Quarks
d. Fermiones
Respuesta Correcta
Las partculas fundamentales se subdividen en bosones (partculas de espn entero corno por
ejemplo 0, 1, 2...) y fermiones (partculas de espn semientero)
Correcto
Question 2.
Cuando un fotn emitido por una fuente de luz colisiona con un electrn, el impacto seala la
posicin del electrn, En el proceso, sin embargo, la colisin cambia la velocidad del electrn. Sin
una velocidad exacta, el impulso del electrn en el momento de la colisin es imposible de
medir. La anterior afirmacin define con claridad:
a. La Ecuacin de Schrdinger
b. Principio do dualidad OndaPartcula
c. La hiptesis de Plank
d. El Principio do Incertidumbre de Heisemberg Respuesta Correcta
Correcto
Question 3.
Un proceso o efecto superluminico, como el que se presenta en el efecto tunel, es aquel que:
Seleccione una respuesta,
a, Se produce al sobreponer seales de laser con diferentes longitudes de onda

b. Se produce entre particulas sub atomicas del nucleo atomico.
c, se produce a una velocidad superior a la velocidad do la luz en el vaco
Respuesta Correcta
d. Se produce en las transmisiones por fibra optica.
Un efecto superlumnico es aquel que se produce a una velocidad superior a la velocidad de la

luz en el vaco.
Correcto
Question 4.
Una funcin de onda estacionaria est asociada a una partcula en un estado estable", puede
entenderse que la funcin de onda realmente es una especie de mapa de la partcula, qu
explica qu tanto est y en qu estado una partcula sobre el espacio. Respecto a lo anterior, es
tal vez extrao saber que todas las partculas tienen funciones de onda definidas en TODO el
espacio, desde los valores infinitos negativos de las coordenadas hasta los positivos.
Debido a esto, resulta natural que todas las funciones de onda tienda a irse a cero cuando las
coordenadas crecen hacia los extremos infinitos.
A partir de lo anterior,
a. Si la funcin de onda depende del tiempo, entonces la partcula se est moviendo

b. Si la funcin de onda NO depende del tiempo, entonces la partcula est en reposo absoluto
c. Si la partcula se est moviendo, entonces su funcin de onda depende del tiempo
d. Si la partcula est cambiando do estados, entonces su funcin de onda depende del tiempo
Respuesta Correcta
Correcto
Question 5.
El efecto Hartman consiste en:
a. La propagacin Superluminica de una partcula en el efecto tnel
Respuesta Correcta
b. El choque entre dos microparticulas en un tomo

c. La emisin de energia que se da cuando un electrn pasa del nivel de valencia a cualquier oto
nivel atomice
d. La deposicin de un material conductor on uno aislante
La propagacin superlumnica de una partcula en el efecto tnel cuntico se denomina efecto

Hartman
Correcto
Question 6.
En el efecto fotoelctrico
Seleccione una Respuesta.
a. Los fotones se convierten en electrones de conduccin

b. Todos los electrones irradiados se convierten en electrones de conduccin
c. La energa desprendida puede lesionar los ojos
d. Algunos de las electrones irradiados se convierten en electrones de conduccin
Correcta
Respuesta
En el efecto fotoelctrico, algunos de los electrones irradiados se convierten en electrones de

conduccin
Correcto
FSICA DE SEMICONDUCTORES: Act 9: Quiz 2 Revisin del intento 1
Act 9: Quiz 2 Revisin del intento 1
Comenzado el viernes, 14 de noviembre de 2014

Completado el viernes, 14 de noviembre de 2014
Puntos 15/15
FISICA DE SEMICONDUCTORES
Question 1
Respecto a las capacitancias internas de un transistor MOSFET y un JFET
e. En el primer caso se ubican entre las terminales y entre el segundo caso en las terminales
b, Se ubican en las terminales siempre y cuando el transistor no est en modo de corte
Respuesta Correcta
c. En el primer caso se ubican entre las Junturas y en el segundo caso entre las terminales
d. En ambos casos se ubican entre las terminales.
Correcto
Question 2.
Un solo electrn, al pasar por una rendija
a. Tiene masa en reposo nula

b. No tiene funcin de onda asociada que pueda definirse
c. Pierde necesariamente energa
d. No exhibe su comportamiento ondulatorio
Respuesta Correcta
Correcto
Question 3.
Las capacitancias internas de un transistor 133"1" y Mosfet,
a. En el primer caso se ubican entre las terminales y entre el segundo caso en las terminales
b. Ene l primer caso se ubican entre ls junturas y en el segundo caso entre las terminales.
c. en ambops casos se ubican entre las junturas.
d. En ambos casos se ubican entre las terminales
Respuesta Correcta
Correcto
Question 4.
En un Mosfet canal P, si la Compuerta est ms positiva que la Fuente,
a. NO hay corriente de drenaje sin importar el voltaje de Drenaje

b. Hay corriente de drenaje dependiendo del voltaje de Drenaje
c. Hay corriente de drenaje sin importar el voltaje de Drenaje
d. No puede saberse si hay corriente de drenaje X
Respuesta Correcta
Correcto
Question 5.
En general los transductores opto electrnicos funcionan a partir del efecto fotoelctrico o el de
emisin espontanea, Adems de los tubos fotomultiplicadores, otros representantes de este tipo
de transductores son:
Seleccione al menos
a. Laser
b. Centelladores
Respuesta Correcta
c, Detectores
d. Clulas Solares
Respuesta Correcta
Los centelladores y las clulas solares son transductores optoelectrnicos
Correcto
Question 6.
En una unin PN
a. Hay portadores MinorRados o hay portadores Mayoritarios, pero no los dos b. Los portadores
Mayoritarios son electrones y los minoritarios son huecos
c. No hay carga neta, sino electrones tres o huecos en la ltima rbita atmica
Correcta
Respuesta
d. Hay carga neta producida por electrones libres o huecos en banda de conduccin
Correcto
Question 7.
Este tipo de preguntas consta de dos proposiciones as: una Afirmacin y una Razn, unidas por
la palabra PORQUE. Usted debe examinar la veracidad de cada proposicin y la relacin terica
que las une,
Un dispositivo semiconductor presenta aumento de conductividad cuando incrementa su

temperatura PORQUE a mayor temperatura, la energa cintica molecular del dispositivo es
menor y posibilita el salto de electrones de la banda de valencia a la de conduccin.
a. la afirmacin es VERDADERA, pero la razn es una proposicin FALSA.

Correcta
Respuesta
b, la afirmacin os FALSA, poro la razn os una proposicin VERDADERA

c. La afirmacin y la razn son VERDADERAS, pero la razn NO es una explicacin CORRECTA de
la afirmacin.
d, b afirmacin y la razn son VERDADERAS y la razn es una explicacin CORRECTA de la
afirmacin,
Correcto
Question 8.
Suponga un caso unidimensional. Si la funcin de onda Ax3 soluciona la ecuacin de

Schrdinger (A es una constante), cul de estos debe ser el potencial asociado?
a. -12/Ax exp 4
b. -3/ Ax exp 3
c. Ax exp 4
d. -6/ x exp 2+1
Respuesta Correcta
Correcto
Question 9.
La razn que explica por qu el Mosfet tiene corriente de compuerta = O es
a. Los portadores mayoritarios se concentran en el extremo opuesto

b. El semiconductor es de mayor calidad
c, No tiene elementos resistivos internos
d. Entre el electrodo y el semiconductor hay un aislante
Respuesta Correcta
Correcto
Question 10.
Una partcula de movimiento unidimensional se encuentra asociada a una funcin de onda

compleja, que es igual a Aexp(-ikx), con
A,k=constantes, i=raiz de -1, x: posicin, Se puede decir que:
a. X puede tomar todos los valores entre menos infinito y ms infinito

b, La partcula est quieta
c. No hay fuerza actuando sobre ella
d. El estado de la partcula es estacionario
Respuesta Correcta
Correcto
Question 11.
Este tipo de preguntas consta de dos proposiciones as: una Afirmacin y una Razn, unidas pola palabra PORQUE, Usted debe examinar la veracidad de cada proposicin y la relacin terica
que las une.
En un material tipo N los portadores mayoritarios son los electrones PORQUE los electrones
portadores siempre se encuentran en la banda de valencia
a. la afirmacin es FALSA, pero la razn es una proposicin VERDADERA.

b. la afirmacin es VERDADERA, pero la razn es una proposicin FALSA
c. la afirmacin y la razn son VERDADERAS y la razn es una explicacin CORRECTA de la
afirmacin.
d. La afirmacin y la razn son VERDADERAS, pero la razn NO es una explicacin CORRECTA de
la afirmacin.
Respuesta Correcta
Correcto
Question 12.
Una celda solar Seleccione una respuesta
a. Es un transistor que almacena luz

b. Es un diodo que responde a la incidencia de luz mediante el efecto fotoelctrico .
Respuesta Correcta
c. Es un transistor que responde a la incidencia de luz mediante el efecto fotoelctrico
d. Es un diodo que almacena luz
Correcto
Question 13.
SI un diodo polarizado directamente se reemplaza por otro que tiene corriente de difusin de la
mitad del valor anterior, entonces, puede pensarse que
a. El umbral de voltaje minino de operacin (0,7Volts normalmente) aumenta b. La voltaje total

sube al cudruple
c. El umbral de voltaje minino de operacion (0,7 Volts normalmente) disminuye
Correcta
d. La corriente total sube al doble
Correcto
Question 14.
Mientras un electrn pasa del estado base a un estado excitado
a. Se convierte en un fotn
b, Ni absorbe ni emite fotones
c. Absorbe un fotn .
Respuesta Correcta
d. Emite un fotn X
Correcto
Question 15.
Respuesta
El semiconductor A est a 1 grado Kelvin y el semiconductor 13 a 500 grados centgrados, Lo

que ms probablemente se puede decir es
a. El segundo funciona como resistor

b. El primero funciona como conductor
c. El segundo funciona como semiconductor an
d. El primero funciona como resistor
Correcto
Respuesta Correcta
FSICA DE SEMICONDUCTORES: Act 9: Quiz 2 Revisin del intento 1
Act 9: Quiz 2 Revisin del intento 1
Comenzado el viernes, 14 de noviembre de 2014

Completado el viernes, 14 de noviembre de 2014
Puntos 15/15
FISICA DE SEMICONDUCTORES
Question 1
Respecto a las capacitancias internas de un transistor MOSFET y un JFET
e. En el primer caso se ubican entre las terminales y entre el segundo caso en las terminales
b, Se ubican en las terminales siempre y cuando el transistor no est en modo de corte
Respuesta Correcta
c. En el primer caso se ubican entre las Junturas y en el segundo caso entre las terminales
d. En ambos casos se ubican entre las terminales.
Correcto
Question 2.
Un solo electrn, al pasar por una rendija
a. Tiene masa en reposo nula

b. No tiene funcin de onda asociada que pueda definirse
c. Pierde necesariamente energa
d. No exhibe su comportamiento ondulatorio
Respuesta Correcta
Correcto
Question 3.
Las capacitancias internas de un transistor 133"1" y Mosfet,
a. En el primer caso se ubican entre las terminales y entre el segundo caso en las terminales
b. Ene l primer caso se ubican entre ls junturas y en el segundo caso entre las terminales.
c. en ambops casos se ubican entre las junturas.
d. En ambos casos se ubican entre las terminales
Respuesta Correcta
Correcto
Question 4.
En un Mosfet canal P, si la Compuerta est ms positiva que la Fuente,
a. NO hay corriente de drenaje sin importar el voltaje de Drenaje

b. Hay corriente de drenaje dependiendo del voltaje de Drenaje
c. Hay corriente de drenaje sin importar el voltaje de Drenaje
d. No puede saberse si hay corriente de drenaje X
Respuesta Correcta
Correcto
Question 5.
En general los transductores opto electrnicos funcionan a partir del efecto fotoelctrico o el de
emisin espontanea, Adems de los tubos fotomultiplicadores, otros representantes de este tipo
de transductores son:
Seleccione al menos
a. Laser
b. Centelladores
Respuesta Correcta
c, Detectores
d. Clulas Solares
Respuesta Correcta
Los centelladores y las clulas solares son transductores optoelectrnicos
Correcto
Question 6.
En una unin PN
a. Hay portadores MinorRados o hay portadores Mayoritarios, pero no los dos b. Los portadores
Mayoritarios son electrones y los minoritarios son huecos
c. No hay carga neta, sino electrones tres o huecos en la ltima rbita atmica
Correcta
Respuesta
d. Hay carga neta producida por electrones libres o huecos en banda de conduccin
Correcto
Question 7.
Este tipo de preguntas consta de dos proposiciones as: una Afirmacin y una Razn, unidas por
la palabra PORQUE. Usted debe examinar la veracidad de cada proposicin y la relacin terica
que las une,
Un dispositivo semiconductor presenta aumento de conductividad cuando incrementa su

temperatura PORQUE a mayor temperatura, la energa cintica molecular del dispositivo es
menor y posibilita el salto de electrones de la banda de valencia a la de conduccin.
a. la afirmacin es VERDADERA, pero la razn es una proposicin FALSA.

Correcta
Respuesta
b, la afirmacin os FALSA, poro la razn os una proposicin VERDADERA

c. La afirmacin y la razn son VERDADERAS, pero la razn NO es una explicacin CORRECTA de
la afirmacin.
d, b afirmacin y la razn son VERDADERAS y la razn es una explicacin CORRECTA de la
afirmacin,
Correcto
Question 8.
Suponga un caso unidimensional. Si la funcin de onda Ax3 soluciona la ecuacin de

Schrdinger (A es una constante), cul de estos debe ser el potencial asociado?
a. -12/Ax exp 4
b. -3/ Ax exp 3
c. Ax exp 4
d. -6/ x exp 2+1
Respuesta Correcta
Correcto
Question 9.
La razn que explica por qu el Mosfet tiene corriente de compuerta = O es
a. Los portadores mayoritarios se concentran en el extremo opuesto

b. El semiconductor es de mayor calidad
c, No tiene elementos resistivos internos
d. Entre el electrodo y el semiconductor hay un aislante
Respuesta Correcta
Correcto
Question 10.
Una partcula de movimiento unidimensional se encuentra asociada a una funcin de onda

compleja, que es igual a Aexp(-ikx), con
A,k=constantes, i=raiz de -1, x: posicin, Se puede decir que:
a. X puede tomar todos los valores entre menos infinito y ms infinito

b, La partcula est quieta
c. No hay fuerza actuando sobre ella
d. El estado de la partcula es estacionario
Respuesta Correcta
Correcto
Question 11.
Este tipo de preguntas consta de dos proposiciones as: una Afirmacin y una Razn, unidas pola palabra PORQUE, Usted debe examinar la veracidad de cada proposicin y la relacin terica
que las une.
En un material tipo N los portadores mayoritarios son los electrones PORQUE los electrones
portadores siempre se encuentran en la banda de valencia
a. la afirmacin es FALSA, pero la razn es una proposicin VERDADERA.

b. la afirmacin es VERDADERA, pero la razn es una proposicin FALSA
c. la afirmacin y la razn son VERDADERAS y la razn es una explicacin CORRECTA de la
afirmacin.
d. La afirmacin y la razn son VERDADERAS, pero la razn NO es una explicacin CORRECTA de
la afirmacin.
Respuesta Correcta
Correcto
Question 12.
Una celda solar Seleccione una respuesta
a. Es un transistor que almacena luz

b. Es un diodo que responde a la incidencia de luz mediante el efecto fotoelctrico .
Respuesta Correcta
c. Es un transistor que responde a la incidencia de luz mediante el efecto fotoelctrico
d. Es un diodo que almacena luz
Correcto
Question 13.
SI un diodo polarizado directamente se reemplaza por otro que tiene corriente de difusin de la
mitad del valor anterior, entonces, puede pensarse que
a. El umbral de voltaje minino de operacin (0,7Volts normalmente) aumenta b. La voltaje total

sube al cudruple
c. El umbral de voltaje minino de operacion (0,7 Volts normalmente) disminuye
Correcta
d. La corriente total sube al doble
Correcto
Question 14.
Mientras un electrn pasa del estado base a un estado excitado
a. Se convierte en un fotn
b, Ni absorbe ni emite fotones
c. Absorbe un fotn .
Respuesta Correcta
d. Emite un fotn X
Correcto
Question 15.
Respuesta
El semiconductor A est a 1 grado Kelvin y el semiconductor 13 a 500 grados centgrados, Lo

que ms probablemente se puede decir es
a. El segundo funciona como resistor

b. El primero funciona como conductor
c. El segundo funciona como semiconductor an
d. El primero funciona como resistor
Correcto
Respuesta Correcta

Solucion Actividad 8

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Solucion Actividad 8

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Act 8: Leccin evaluativa No.

Cul es el comportamiento de un semiconductor al elevarse fuertemente la temperatura?

Un tubo fotomultiplicador cumple una o ms de las siguientes afirmaciones siempre.

El parmetro Beta () depende de:

d. Concentracin de portadores totales

En un material en el que los portadores mayoritarios son electrones, se infiere que:

Los portadores mayoritarios son electrones. Entonces,

a. No hay ningn dato acerca de la velocidad

Las prdidas debido al recalentamiento del circuito integrado son debido a

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FSICA DE SEMICONDUCTORES: Act 8: Leccin evaluativa No. 2

Act 8: Leccin Evaluativa

Comenzado el mircoles, 5 de noviembre de 2014

Segn lo estudiado en la unidad, si queremos aumentar la tolerancia mxima a la corriente de

Seleccione una respuesta.

Son caractersticas de la zona de deflexin en una unin PN:

Seleccione al menos una respuesta.

a. Existe una tensin umbral tambin llamada barrera de potencial .

b. La mayora de cargas libres son positivas

d. La mayora de cargas libres son negativas

Un diodo Zener opera:

Seleccione una respuesta.

a. En la misma regin que el transitor

c. En la misma regin que el diodo

Seleccione una respuesta

a. No hay ningn dato acerca de la velocidad

b. No hay ningn dato de la energa .

El parmetro Beta (B) depende de:

Seleccione una respuesta.

a. Tiempo de vida de portadores minoritarios

Beta depende de la concentracin de portadores totales

Seleccione una respuesta.

El sistema cristalino que cumple con A=B dif C y a=b=g=90 es el tetragonal.

Seleccione al menos una respuesta.

Seleccione una respuesta.

a. Emite luz de elevada potencia

No mantiene la intensidad de luz inicial

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En un hamiltoniano de muchas partculas usted encontrar:

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a. Una sumatoria de energas blicas. potenciales y moleculares b. Un trmino de energa

Una sumatoria de energas cinticas, potenciales y un trmino de energas de interaccin entre

FSICA DE SEMICONDUCTORES: Act 8: Leccin evaluativa No. 2

Act 8: Leccin Evaluativa

Comenzado el mircoles, 5 de noviembre de 2014

Segn lo estudiado en la unidad, si queremos aumentar la tolerancia mxima a la corriente de

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Son caractersticas de la zona de deflexin en una unin PN:

Seleccione al menos una respuesta.

a. Existe una tensin umbral tambin llamada barrera de potencial .

b. La mayora de cargas libres son positivas

d. La mayora de cargas libres son negativas

Un diodo Zener opera:

Seleccione una respuesta.

a. En la misma regin que el transitor

c. En la misma regin que el diodo

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a. No hay ningn dato acerca de la velocidad

b. No hay ningn dato de la energa .

El parmetro Beta (B) depende de:

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