Universidad Nacional De Colombia

Facultad De Ingeniera
ctrica Y Electro
nica
Departamento De Ingeniera Ele

nica
Electro
loga I
Ana
2015-I

El Transistor MOSFET:
Amplificadores y fuentes de corrientes

1.

Objetivos

1.1.

Objetivo general

Dise
nar e implementar circuitos electricos aplicados, usando transistores Mosfet.

1.2.

Objetivos especficos
Dise
nar amplificadores de tensi
on, aplicando el concepto de peque
na se
nal y usando transistores Mosfet.
Comprobar experimentalmente el comportamiento del transistor Mosfet como amplificador de tension de peque
na
se
nal.
Validar la operaci
on del transistor Mosfet como fuente de corriente.

2.

Materiales e Instrumentos Requeridos

1 Osciloscopio de 2 Canales.
1 Generador de funciones.
1 Multmetro Digital.
1 Fuente DC dual.
3 Sondas.
3 Transistores Mosfet canal N de enriquecimiento (de preferencia en chip, por ejemplo TC4007).

3.

Pr
actica

La pr
actica implica una trabajo previo de dise
no, simulacion y montaje para todos los circuito considerados. Para
la realizaci
on de esta pr
actica se dispone de dos semanas.
En la presente pr
actica se deben tener en cuenta los resultados del laboratorio anterior, especficamente la obtenci
on
de los par
ametros del transistor Mosfet (Vt , k, W y L). Se recomienda el uso y eventual edicion del modelo SPICE,
para realizar las simulaciones.

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3.1.
3.1.1.

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Electro
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Fuente espejo de corriente

Previo al da de la pr
actica

Fuente de corriente con Mosfet canal N de enriquecimiento: Para el circuito ilustrado en la figura 1, y teniendo en cuenta las caractersticas de los transistores Mosfet a su disposicion, encuentre el valor de Rref (normalizado)
de tal forma que IDQ2 1mA, siendo VDD = 10 V .
Encuentre el valor de la tensi
on en las compuertas (VGS ) y determine el rango de valores de RL para el cual la
fuente de corriente funciona apropiadamente.

Figura 1: Fuente espejo de corriente MOSFET.

Realice la simulaci
on del circuito para observar el comportamiento de corriente en el transistor Q2 (IDQ2 ), a medida
que cambia el valor RL. Realice y analice la gr
afica IDQ2 vs.RL con los datos obtenidos en simulacion.
3.1.2.

El da de la pr
actica

En lugar de la resistencia RL, ubique un potenciometro de valor aproximadamente 1.5 veces el valor de Rref , y
construya experimentalmente la curva IDQ2 vs.RL.
Basados en los resultados experimentales, determine el rango de valores de RL para el cual la corriente IDQ2 es
aproximadamente 1 mA.

3.2.
3.2.1.

Amplificador Fuente Com

un
Previo al da de la pr
actica

Dise
ne, valide mediante simulaci
on e implemente un amplificador con transistor Mosfet en configuraci
on Fuente
Com
un (Circuito propuesto en la figura 2). Calcule cuidadosamente el punto de polarizacion DC, teniendo en cuenta
que el transistor debe permanecer en la regi
on de saturacion, y que la se
nal de salida (Vo ) debe tener una amplitud
aproximadamente 5 veces mayor que la se
nal de entrada (Vi ). En principio la se
nal de entrada tiene amplitud de
200 mV y el valor de la carga RL es de 10 K.
Una vez finalizada la etapa de dise
no, realice los analisis DC y AC, trace la recta de carga DC y la recta de carga
AC, determine Av , Zi , Zo , la curva de transferencia de tensiones y los valores lmites de peque
na se
nal. Todo esto
usando los valores normalizados de resistencias y condensadores.
3.2.2.

El da de la pr
actica

Aplicar una se
nal de entrada de 10 KHz con amplitud de 200 mV pico a pico. Compruebe experimental la polarizaci
on del circuito (Variables en DC), Av , Zi , Zo y la curva de transferencia de tensiones.
C
omo se comporta la ganancia de tensi
on Av al variar la frecuencia?. Pruebe con al menos 5 valores de frecuencia
distribuidos de forma logartmica entre 100 Hz y 1 M Hz.
C
omo se comporta la se
nal de salida al variar la amplitud de la entrada?. Determine experimentalmente los lmites
de peque
na se
nal.

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Figura 2: Amplificador en configuracion Fuente Com

un

3.3.
3.3.1.

Amplificador Fuente Com

un Degenerado
Previo al da de la pr
actica

Para el circuito de la figura 3 realice los analisis DC y AC, trace la recta de carga DC y la recta de carga AC,
determine Av , Zi , Zo , la curva de transferencia de tensiones y los valores lmites de peque
na se
nal. Todo esto usando
los valores de resistencias y condensadores determinados en la seccion 3.2. Valide los analisis mediante simulaciones.

Figura 3: Amplificador en configuracion Fuente Com

un Degenerado

3.3.2.

El da de la pr
actica

Aplicar una se
nal de entrada de 10 KHz con amplitud de 200 mV pico a pico. Compruebe experimental Av , Zi ,
Zo y la curva de transferencia de tensiones.
C
omo se comporta la ganancia de tensi
on Av al variar la frecuencia?. Pruebe con al menos 5 valores de frecuencia
distribuidos de forma logartmica entre 100 Hz y 1 M Hz.

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C
omo se comporta la se
nal de salida al variar la amplitud de la entrada?. Determine experimentalmente los lmites
de peque
na se
nal.

3.4.
3.4.1.

Amplificador Drenaje Com

un
Previo al da de la pr
actica

Dise
ne, valide mediante simulaci
on e implemente un amplificador con transistor Mosfet en configuracion Drenaje
Com
un (Circuito propuesto en la figura 4). Calcule cuidadosamente el punto de polarizacion DC, teniendo en cuenta
que el transistor debe permanecer en la regi
on de saturacion. En principio la se
nal de entrada tiene amplitud de
200 mV y el valor de la carga RL es de 220 .

Figura 4: Amplificador en configuracion Drenaje Com

un
Una vez finalizada la etapa de dise
no, realice los analisis DC y AC, trace la recta de carga DC y la recta de carga
AC, determine Av , Zi , Zo , la curva de transferencia de tensiones y los valores lmites de peque
na se
nal. Todo esto
usando los valores normalizados de resistencias y condensadores.
3.4.2.

El da de la pr
actica

Aplicar una se
nal de entrada de 10 KHz con amplitud de 200 mV pico a pico. Compruebe experimental la polarizaci
on del circuito (Variables en DC), Av , Zi , Zo y la curva de transferencia de tensiones.
C
omo se comporta la ganancia de tensi
on Av al variar la frecuencia?. Pruebe con al menos 5 valores de frecuencia
distribuidos de forma logartmica entre 100 Hz y 1 M Hz.
C
omo se comporta la se
nal de salida al variar la amplitud de la entrada?. Determine experimentalmente los lmites
de peque
na se
nal.

3.5.
3.5.1.

Amplificador en configuraci
on cascada
Previo al da de la pr
actica

Realice el an
alisis AC para un amplificador en cascada (fuente com
un en cascada con drenaje com
un), como el
descrito en la figura 5 y determine Av , Zi , Zo , la curva de transferencia de tensiones y los valores lmites de peque
na
se
nal, usando los valores normalizados de resistencias y condensadores determinados en las secciones 3.2 y 3.4. Valide
los an
alisis mediante simulaciones.

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Figura 5: Amplificador en configuracion cascada: Fuente com

un-Drenaje com
un.
3.5.2.

El da de la pr
actica

Aplicar una se
nal de entrada de 10 KHz con amplitud de 200 mV pico a pico. Compruebe experimental Av , Zi ,
Zo y la curva de transferencia de tensiones.

4.

Preguntas sugeridas
A que se debe el hecho de que la resistencia de carga de las fuentes de corriente deba estar en un rango
determinado de valores, o de lo contrario no se garantizara el funcionamiento como espejo de corriente?.
Describa la transici
on del transistor Q2 (fuentes de corriente en espejo) a traves de las regiones de operaci
on del
Mosfet, conforme la resistencia RL aumenta desde RL = 0 hasta RL .
Describa el comportamiento real de los circuito amplificadores en funcion de la frecuencia de trabajo y explique
en sus propias palabras a que se puede deber este fenomeno.
Basado en la teora y en los resultados experimentales, realice una breve descripcion de las ventajas, desventajas
y posibles escenarios de aplicaci
on, para cada una de las cuatro configuraciones de amplificadores trabajadas.
Tenga en cuenta aspectos como ganancia, frecuencia de trabajo y limitaciones de peque
na se
nal, impedancias de
entrada y salida, entre otros.

Referencias
Para el desarrollo de esta pr
actica se sugiere consultar:
D. Neamen, Mircoelectronics: Circuit Analysis and Design, 4th ed, New York, McGraw-Hill Higher Education,
2009.
A. S. Sedra and K. C. Smith, Microelectronic Circuits Revised Edition, 5th ed. New York, Oxford University
Press, Inc., 2007.
M. N. Horenstein, Circuitos y Dispositivos Microelectr
onicos, 2a ed, Mexico, Prentice Hall Hispanoamericana,
1997.