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UNIVESIDADETECNOLGICAFEDERALDOPARAN
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Disciplina: Cincia dos Materiais

Professor: Adalberto Matoski

Alunas(os): Roberto Chun Yan Pan


Jacqueline Colucci Stella

Data Entrega: 23 / 04 / 2012

DIFRATOMETRIA

Questionrio n2 - 09/04/2012
10)

No difratograma de raios X do KCl (cbico) obtido com radiao CuK (1,5418


angstrons) a reflexo devida aos planos (200) aparecem com valores de 2 =
28,36. Baseado nesta informao calcule a densidade esperada do KCl.
2 = 28,36
= 14,18
= 2d . sen
1,5418 = 2d . sen 14,18
2d = 1,5418 / 0,99908
d = 0,7716
d=
0,7716 =
Para estrutura CFC

3,81g/cm3

12)

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A 20C o Fe cbico de corpo centrado, Z=2, a= 2,866 angstrons. A 1000C o


ferro cbico de face centrada cm Z=4, a=3,656 angstrons. Calcule a densidade
do ferro para cada temperatura.
Fe a 20C - CCC

7,87g/cm3

Fe a 1000C - CFC

7,59g/cm3

13)

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Obtenha na WEB ou literatura 3 exemplos de slidos inicos, slidos covalentes e


slidos moleculares e suas respectivas celas de bravais.

Slidos Inicos
1) Cloreto de Sdio (NaCl) = cbica de face centrada
2) Cloreto de Csio (CsCl) = cbica de corpo centrado

3) Fluoreto de clcio (CaF2 = Fluorita) = CFC


cbica de face centrada
Fonte:

http://200.156.70.12/sme/cursos/EQU/EQ20/modulo1/aula0/aula01/02.html
http://www.esi2.us.es/IMM2/ec/fluorita.html

Slidos Covalentes
1) Diamante (C) = cbica de face centrada

2) Grafite (C) = Hexgono de rea simples

3) Slica (SiO2) =
Cbica
de
face
centrada

Fonte: http://www.infoescola.com/elementos-quimicos/carbono/

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http://www.seara.ufc.br/sugestoes/quimica/quimica027.htm

Slidos Moleculares
Carvo
Gelo
Acar (molculas de sacarose, C12H22O11)

Fontes:

16)

http://www.profpc.com.br/Liga%C3%A7%C3%B5es%20Qu%C3%ADmicas/Aula1.htm

Com frequncia necessrio expressar a composio (ou concentrao) de uma


liga em termos de seus constituintes. A forma mais comum a percentagem em
massa e a percentagem atmica. Explique como se determinam essas
percentagens. (Ver Callister).
Cada tomo consiste de um ncleo muito pequeno composto de prtons e
neutrons, que so circundados por eltrons em movimento. Tanto eltrons
quanto prtons so eletricamente carregados, a magnitude da carga sendo 1,60
x 10-19C, que negativa em sinal para eltrons e positiva para prtons; neutrons
so eletricamente neutros. As massas destas partculas subatmicas so
infinitesimalmente pequenas; prtons e neutrons tm aproximadamente a
mesma massa, 1,67 x 10-27kg, que significativamente maior do que aquela de
um eltron, 9,11 x 10-31 kg.
Cada elemento qumico caracterizado pelo nmero de prtons no ncleo, ou o
nmero atmico (Z). Para um tomo eletricamente neutro ou completo, o
nmero atmico tambm igual ao nmero de eltrons. Este nmero atmico
varia em unidades inteiras desde 1 para o hidrognio at 94 para o plutnio, o
de nmero atmico mais alto dentre os elementos que ocorrem na natureza
(naturalmente).
A massa atmica (A) de um tomo especfico pode ser expressa como a soma
das massas dos prtons e dos neutrons. Embora o nmero de prtons o
mesmo para todos os tomos de um dado elemento, o nmero de neutrons (N)
pode ser varivel. Assim, tomos de alguns elementos tm 2 ou mais diferentes
massas atmicas, sendo eles denominados istopos. O peso atmico
corresponde mdia pesada das massas atmicas de istopos que ocorrem
naturalmente.
A unidade de massa atmica (u.m.a., ou amu em ingls) pode ser usada
para clculos de peso atmico. Foi estabelecida uma escala na qual 1 u.m.a.
definida como 1/12 da massa atmica do istopo mais comum do carbono,

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carbono 12 (isto , 12C) (A = 12,00000). Dentro deste esquema, as massas de


prtons e neutrons so ligeiramente maiores do que a unidade, e

AZ+N
O peso atmico de um elemento ou peso molecular de um composto pode ser
especificado com base em u.m.a. por tomo (ou molcula) ou em massa por mol
de material. Num mol de uma substncia existem 6,023 x 1023 (nmero de
Avogadro) tomos ou molculas. Estes dois esquemas de peso atmico esto
relacionados entre si atravs da seguinte equao:
1 u.m.a./tomo (ou molcula) = 1 g/mol
Por exemplo, o peso atmico do ferro 55,85 u.m.a./tomo, ou 55,85g/mol.
Algumas vezes o uso de u.m.a. por tomo ou molcula conveniente; em outras
ocasies g (ou kg)/mol preferido.
s vezes necessrio exprimir a composio global de uma liga em termos de
concentraes dos seus elementos constituintes. Os meios mais comuns de
especificar concentrao so porcentagem em peso (ou massa) e porcentagem
atmica. A base para porcentagem em peso o peso de um particular
elemento em relao ao peso total da liga. Para uma liga que contenha apenas
hipotticos tomos A e B, a concentrao de A em porcentagem em peso, CA,
definida como CA = [ mA / (mA + mB)] x 100 (4.3), onde mA e mB representam
o peso (ou massa) de elementos A e B, respectivamente. A concentrao de B
seria calculada de maneira anloga.
A base para clculos de porcentagem atmica o nmero de moles de um
elemento em relao ao nmero total de moles de todos os elementos na liga. O
nmero de moles numa especificada massa de um elemento hipottico D, Nm
(D), pode ser calculado do seguinte modo:
..Nm (D) = m'D / AD
Aqui, m'D e AD denotam a massa (em gramas) e o peso atmico,
respectivamente, para o elemento D.
Concentraes em termos de porcentagem atmica de elemento D numa liga
contendo tomos D e E, definida por:

C'D = { Nm (D)/[Nm (D) + Nm (E)]} x 100


De maneira anloga, a porcentagem atmica do elemento E pode ser
determinada. Clculos de porcentagem atmica podem ser realizados com base
no nmero de tomos em vez de moles, de vez que cada mol de todas as
substncias contm o mesmo nmero de tomos.
Callister

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18) Descrever 5 defeitos pontuais inicos diferentes encontrados em compostos


cermicos.
Imperfections in Ceramics
Imperfections in ceramic crystals include point defects and impurities like in
metals. However, in ceramics defect formation is strongly affected by the
condition of charge neutrality because the creation of areas of unbalanced
charges requires an expenditure of a large amount of energy. In ionic crystals,
charge neutrality often results in defects that come as pairs of ions with opposite
charge or several nearby point defects in which the sum of all charges is zero.
Charge neutral defects include the Frenkel and Schottky defects. A Frenkeldefect occurs when a host atom moves into a nearby interstitial position to
create a vacancy-interstitial pair of cations. A Schottky-defect is a pair of nearby
cation and anion vacancies. Schottky defect occurs when a host atom leaves its
position and moves to the surface creating a vacancy-vacancy pair.
http://www.ndted.org/EducationResources/CommunityCollege/Materials/Structure/ceramic_prop.htm
http://ccsun.nchu.edu.tw/~wenjea/ceramic/Ceramic%20handout%20Ch2.pdf
http://positron.physik.uni-halle.de/talks/CERAMIC2.pdf

(este ltimo est mais completo)

O defeito pontual mais simples a lacuna, que


corresponde a uma posio atmica na qual falta um
tomo (Figura 13).

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As lacunas podem ser originadas durante a


solidificao, como resultado de perturbaes
locais durante o crescimento dos cristais, ou
podem ser criadas pelo rearranjo dos tomos de
um cristal, devido mobilidade atmica. Nos
metais, a concentrao de equilbrio de lacunas
raramente excede cerca de 1 em 10.000
tomos. As lacunas so defeitos de equilbrio
dos metais e a sua energia de formao cerca
de 1 eV (energia necessria para transferir um
tomo do interior do cristal para a superfcie).Um tomo de um cristal pode, por
vezes, ocupar um interstcio entre os tomos vizinhos em posies atmicas
normais (Figura 13). Este tipo de defeito pontual designado por auto intersticial
ou intersticial. Assim, um defeito auto intersticial deve-se a um tomo do cristal
posicionado em um stio intersticial, que em circunstncias normais estaria vago
(Figura 15). Geralmente, estes defeitos no ocorrem naturalmente por causa da
distoro que originam na estrutura, mas podem ser introduzidos por irradiao.

DEFEITOS INTERSTICIAIS
A presena de um tomo em uma posio que no pertence estrutura do
cristal perfeito (Figura 16) como a ocupao de um vazio intersticial, por
exemplo, significa uma distoro na estrutura devido ao desajuste causado pela
presena deste tomo (tem efeito endurecedor). importante lembrar que de
acordo com a curva do potencial de ligao, desvios ou distores na distncia
interatmica de equilbrio causam aumento de energia. Ocorre quando tomos
tm
tamanho
muito
menor do que o solvente.
Tem maior mobilidade na
rede, pois interdifuso
no exige mecanismo de
lacunas. Caso do H e do
C nos aos.

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DEFEITOS SUBSTITUCIONAL
Ocorre quanto tomos tm tamanhos prximos aqueles da matriz (Figura 16)
com diferenas entre raios menores que 15 %. Gera distoro no reticulado:
introduz tenses, atua como barreira ao movimento de discordncias e
aumenta a resistncia do material. mais difcil se mover (interdifuso) pela
rede cristalina. Exemplos: Ni
em
aos
inoxidveis
austenticos esto dissolvido
na austenita e Zn (abaixo de
30 %) no cobre forma lato.

DEFEITOS PONTUAIS EM SLIDOS INICOS


Nos cristais inicos, os defeitos pontuais so mais complexos, devido
necessidade de manter a neutralidade eltrica. Quando, num cristal inico,
faltam dois ons de cargas contrrias, origina-se uma bi lacuna ction-nion que
conhecida por defeito de Schottky (Figura 17). Se, num cristal inico, um
ction se move para um interstcio, cria-se uma lacuna catinica no local onde o
on se encontrava. Este parlacuna-intersticial designado por defeito de
Frenkel
(Figura 17). A presena
destes defeitos nos cristais
inicos aumenta a sua
condutibilidade eltrica.

tomos de impurezas do tipo substitucional ou intersticial tambm so defeitos


pontuais e podem surgir em cristais metlicos ou covalentes. Por
exemplo,pequenas quantidades de tomos de impurezas substitucionais podem
afetar fortemente a condutibilidade eltrica do Silcio puro usado em
dispositivos eletrnicos. Nos cristais inicos, os tomos de impurezas tambm
so considerados defeitos pontuais.
http://pt.scribd.com/doc/88318921/Materiais-Ceramicos

19)

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Qual a diferena entre os defeitos de Frenkel e Schottky ?

Fonte: http://www.fem.unicamp.br/~caram/imperfeicoes.pdf
Os defeitos pontuais podem ser gerados em um slido inico por: equilbrio
termodinmico (SCHOTTKY e FRENKEL) substituio qumica, processo de
oxidao reduo e por radiao energtica. Os defeitos termodinmicos tipo
SCHOTTKY e FRENKEL podem ser classificados como defeitos intrnsecos, desde
que um ou outro, sempre est presente em um slido inico em qualquer
temperatura acima do zero absoluto.
http://lqes.iqm.unicamp.br/images/vivencia_lqes_index_defeitos_pontuais.pdf
http://www.tf.uni-kiel.de/matwis/amat/def_en/kap_2/backbone/r2_1_3.html#Schottky defects
http://www.tf.uni-kiel.de/matwis/amat/def_en/kap_2/backbone/r2_1_2.html#_dum_1

Num cristal monoatmico real a criao de uma vacncia est associada a 3


possibilidades principais:
tomo sai do seu stio no interior do cristal e ocupa um stio na superfcie Defeito Schottky
tomo sai do stio normal e passa a ocupar um stio intersticial - Defeito
Frenkel
http://www.fisica.ufs.br/mvalerio/index_arquivos/Cursos/2010-2/TopFisMat/Capitulo3DefeitosEmSolidos.pdf

Schotky: estes defeitos so mais comuns e aparecem em maior freqncia em


compostos com metais que podem apresentar maior numero de estados de
oxidao. Os haletos de metais alcalinos possuem 10-12 mol dm-3 de defeitos a
130C, enquanto o TiO possui 12 mol dm-3 de defeitos Schotky.
Frenkel: defeitos deste tipo no levam a mudana na estequiometria do
composto e so encontrados com maior freqncia em estruturas mais

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abertas, por exemplo a esfarelita e a wurtzita, onde o numero de coordenao


baixo e a estrutura menos densa.
Defeitos devido a ctions so mais comuns que nions pois os ctions so
menores. Defeitos com nions so encontrados em comostos com estrutura tipo
fluorita como a zircnia.
Defeitos do tipo Frenkel no levam a mudana na densidade volumtrica do
composto, enquanto defeitos do tipo Schotky reduzem a densidade do
material significativamente.
http://masi.iqsc.usp.br/files/RMN27Al.pdf

Todas as respostas devem ser justificadas e com indicao do link dos sites visitados.

Essa pesquisa poder ser feita por um ou dois alunos.

As respostas devero ser colocadas num arquivo de texto, gravadas na plataforma


Moodle devidamente identificadas. Podero ser entregues em papel, se houver
problemas no sistema.

A nota desse questionrio compor a nota final (10% da nota da primeira prova)

Respostas dessas questes tambm podero ser encontradas na biblioteca da UTFPR.

10

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