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SEGUNDA UNIDAD:
DISPOSITIVOS ELECTRNICOS DE
CONVERTIDORES DE POTENCIA
COMPETENCIA
Comprende, analiza y aplica los conceptos, principios y datos tcnicos del
fabricante de Dispositivos Semiconductores de Potencia y hace uso de los
procedimientos de las ciencias y la tecnologa para simular y obtener valores
mediante programas de aplicacin especfica.
CAPTULO 3
41
3.2
Figura 3.1: Diagrama de bloques de la evolucin histrica de dispositivos semiconductores en los 90.
En la dcada de 1990 los SCRs van quedando relegados a un segundo plano, siendo
sustituidos por los GTOs. Se incrementa la frecuencia de conmutacin en dispositivos
MOSFETs e IGBTs, mientras que los BJTs son gradualmente reemplazados por los dispositivos
de potencia anteriores. Los C.I. (circuitos integrados) de potencia tienen una gran influencia en
varias reas de la electrnica de potencia. Para concluir, decir que tecnolgicamente se tiende
a fabricar dispositivos con mayores velocidades de conmutacin, con capacidad para bloquear
elevadas tensiones, permitir el paso de grandes corrientes y por ltimo, que tengan cada vez,
un control ms sencillo y econmico en consumo de potencia.
En la figura 3.1 se pueden observar las limitaciones de los distintos dispositivos
semiconductores, en cuanto a potencia controlada y frecuencias de conmutacin. Dispositivos
que pueden controlar elevadas potencias, como el Tiristor (104 KVA) estn muy limitados por la
frecuencia de conmutacin (orden de KHz), en el lado opuesto los MOSFETs pueden conmutar
incluso a frecuencias de hasta 103 KHz pero la potencia apenas alcanza los 10 KVA, en la
franja intermedia se encuentran los BJTs (300 KVA y 10 KHz), los GTOs permiten una mayor
frecuencia de conmutacin que el Tiristor, 1 KHz con control de potencias de unos 2000 KVA,
por ltimo los IGBTs parecen ser los ms ideales para aplicaciones que requieran tanto
potencias como frecuencias intermedias.
Todas estas consideraciones justifican la bsqueda de nuevos dispositivos y la incesante
evolucin desde la aparicin de los semiconductores, siempre buscando el estado ideal; poder
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controlar la mxima cantidad de potencia, pudiendo hacer que los dispositivos conmuten a la
ms alta frecuencia con el consiguiente beneficio en rapidez y en eliminacin de ruidos pues
interesa conmutar a velocidades superiores a la frecuencia audible (20 kHz).
En la figura 3,2 se pueden apreciar algunas de las principales aplicaciones de los distintos
semiconductores, a lo largo de su historia, as como las cotas de potencia y frecuencias de
conmutacin alcanzadas y su previsible evolucin futura, Destacar la utilizacin de SCRs en
centrales de alta potencia; los GTOs para trenes elctricos; mdulos de Transistores, mdulos
de MOSFETS, IGBTs y GTOs para sistemas de alimentacin ininterrumpida, control de
motores, robtica (frecuencias y potencias medias, altas); MOSFETs para automocin, fuentes
conmutadas, reproductores de video y hornos microondas (bajas potencias y frecuencias
medias); y por ltimo mdulos de Transistores para electrodomsticos y aire acondicionado
(potencias bajas y frecuencias medias).
Potencia (VA)
Desde los finales de la dcada del 50 en que se desarroll el tiristor, ha habido desarrollos
importantes. Hasta 1970, los tiristores se usaban para el control industrial de potencia. Desde
entonces se han desarrollado varios tipos de dispositivos semiconductores de potencia que se
emplean en la industria moderna. Los semiconductores de potencia se fabrican tpicamente de
silicio, aunque en la actualidad se vienen desarrollando la fbrica de dispositivos de carburo de
silicio. Estos dispositivos se pueden clasificar en forma general en tres clases:
1) Diodos de potencia,
2) Transistores y
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3) Tiristores.
capacidades de voltaje,
2)
capacidades de corriente,
3)
4)
5)
6)
7)
8)
9)
10)
Temperaturas y
11)
Resistencia trmica.
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3.3
3.3.1 DIODOS
Segn Rashid2004, un diodo de potencia es un dispositivo de potencia ms simple que
consiste en una unin pn con dos terminales, siendo que la unin pn se forma, en el caso
normal, por aleacin, difusin y crecimiento epitaxial. Las tcnicas modernas de control de
procesos de difusin y epitaxiales permiten obtener las caractersticas deseadas en el
dispositivo. En la figura 3.4 muestra un corte de una unin pn y su smbolo correspondiente.
Las caractersticas elctricas deseables en los diodos de potencia son las siguientes:
Capacidad para soportar gran intensidad con pequea cada de tensin en el estado de
conduccin o de polarizacin directa.
Capacidad para soportar elevada tensin con una pequea intensidad de fugas en el
estado de bloqueo o de polarizacin inversa.
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Semiconductores
de potencia
SILICIO
Diodos
CARBURO DE SILICIO
Transistores
Diodo de
Schottky
Tiristores
Diodo de
unin bipolar
Diodo
Epitaxial
PIN
NPN
PNP
Tiristores para
control de fase
Diodo de
Schottky
Tiristor rpido
Diodo IBS
Simtrica
Asimtrica
Inversa
Conduccin
MOSFET
Diodo de
doble difuSin (PIN)
Transistores
MOSFET
Diodo PIN
Ampliacin
de canal N
Convencional
S-FET
Ampliacin
de canal P
IGCT
IGBT
NPT
Convencional
GTO
Simtrica
Asimtrica
Inversa
Conduccin
Cool-MOS
PT
Diodos
Asimtrica
Inversa
Conduccin
IGBT de
de zanja
MCT
Tipo P
Baja
VC(sat)
Alta
velocidad
Tipo N
MTO
46
47
(3.1)
El coeficiente de emisin depende del material y de la construccin fsica del diodo. As, para
los diodos de germanio se considera un valor de 1. Para los diodos de silicio, el valor terico es
de 2.
Si se aplica una tensin inversa (vD<0) en los terminales de un diodo de forma que la capa
andica (capa P) sea ms negativa que la catdica (capa N), los portadores de cada capa son
atrados a los extremos de la pastilla. La zona de carga se va haciendo cada vez mayor y se
vaca de portadores. Aparece as una diferencia de potencial de valor aproximado a la tensin
inversa aplicada en los extremos del diodo de potencia, adems de una pequea corriente de
fugas. Puede decirse, por tanto, que el diodo se encuentra en estado de bloqueo. Si la tensin
inversa aumenta y alcanza un cierto valor denominado tensin de ruptura (v R), el diodo
comienza a conducir en sentido inverso o de avalancha (figura 3.8). En el funcionamiento
normal de un diodo, la tensin inversa no debe alcanzarse. El diseo del circuito debe evitar
que se llegue a esta situacin.
La corriente de fugas es independiente de la tensin externa aplicada, a menos que el diodo
conduzca en avalancha, pero s depende de la temperatura de trabajo. Las prdidas de
potencia en estado de bloqueo son muy pequeas, ya que dependen del producto de la tensin
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Las prdidas que se originan en el diodo cuando se encuentra en estado de conduccin directa
vienen expresadas por:
(3.2)
49
W=
1
( Vo+r iD ) i D dt =Vo I DC + I D
T 0
(3.3)
Donde IDC representa el valor medio de iD, e ID su valor eficaz. Segn la ecuacin anterior,
debido a su dependencia con la intensidad media, la potencia disipada est en funcin de la
forma de la onda.
Hasta ahora se ha analizado al diodo teniendo en cuenta sus caractersticas reales. Sin
embargo, y como se ha expuesto anteriormente, dada la escasa corriente de fugas que circula
por el diodo cuando est inversamente polarizado en comparacin con la corriente cuando lo
est de forma directa, y el gran voltaje que soporta en polarizacin inversa respecto a la
pequea cada de tensin en polarizacin directa, la curva caracterstica vD-iD del diodo puede
considerarse ideal, obtenindose la representacin dada por la figura 3.8b.
As, al analizar las topologas de los convertidores de potencia, se puede suponer que el diodo
funciona segn su caracterstica ideal (figura 3.8b). Sin embargo, en el diseo real del circuito
se debe utilizar su caracterstica real (figura 3.8a) para estimar, por ejemplo, el disipador
requerido por el diodo en el circuito.
3.3.1.3 CARACTERSTICAS DINMICAS DE LOS DIODOS DE POTENCIA
El encendido de un diodo, o paso de bloqueo a conduccin, es muy rpido en comparacin con
otros transitorios que se producen en el circuito de potencia. Al ser este tiempo prcticamente
inapreciable, durante el encendido puede considerarse al diodo como ideal.
Sin embargo, el apagado de un diodo o paso de conduccin a bloqueo no se efecta de forma
instantnea. Si un diodo conduce en sentido directo una determinada intensidad I, la zona
central de la unin se encuentra saturada de portadores, siendo mayor la densidad cuanto
mayor sea el valor de I. Si a continuacin el circuito exterior fuerza la anulacin de la corriente
para llevar al diodo al estado de bloqueo mediante la aplicacin de una tensin inversa, tras el
paso por cero de la corriente existir an en la unin una cierta cantidad de portadores que
cambian el sentido del movimiento y origina que el diodo conduzca en sentido contrario. Al
cabo de un cierto tiempo esta corriente inversa se hace despreciable y el diodo queda
completamente apagado. A este tiempo durante el cual circula corriente inversa se le denomina
tiempo de recuperacin inversa (trr), y a la carga desplazada carga de recuperacin (Qrr). La
intensidad de pico alcanzada en sentido inverso se llama intensidad de recuperacin Ir. La
figura 3.10 ilustra los conceptos anteriormente definidos.
El tiempo de recuperacin inversa de los diodos suele ser del orden de 10 s, y el de los diodos
rpidos oscila entre 0.5 y 2 s. La recuperacin inversa es un fenmeno indeseable que causa
en ocasiones problemas en circuitos de alta frecuencia, pudiendo originar un calentamiento
excesivo del diodo. Asimismo, la circulacin de intensidad en sentido inverso disminuye la
eficacia de muchas operaciones de los circuitos electrnicos de potencia. No obstante, existen
otros muchos circuitos en los que la corriente inversa apenas afecta a su funcionamiento, por lo
que el diodo puede considerarse como ideal tambin en el apagado.
50
Diodos Schottky, que presentan una cada de tensin directa muy baja (tpicamente 0.3
V). La cada de tensin inversa que son capaces de aguantar es tambin pequea, y oscila
entre los 50 y los 100 V.
Diodos de frecuencia de lnea. Estos diodos presentan una pequea cada de tensin
directa. Por ellos pueden circular corrientes de varios kiloamperios, y son capaces de
aguantar tensiones inversas de varios kilovoltios. Como consecuencia, su tiempo de
recuperacin inversa es mayor, aunque resulta aceptable para aplicaciones de frecuencia
de lnea (60 Hz). Estos diodos pueden conectarse en serie y en paralelo con objeto de
satisfacer cualquier especificacin de corriente y tensin.
As, en muchas aplicaciones de alta tensin, como puede ser el transporte en corriente
continua, el empleo de un nico diodo resulta insuficiente para bloquear la tensin inversa que
requiere el circuito. Con objeto de repartir la tensin a bloquear, se emplean varios diodos
conectados en serie.
En otras aplicaciones de alta potencia, un diodo puede no ser capaz de permitir que circule una
cantidad de corriente tan grande como la que se origina. Para aumentar la capacidad de
transporte de estas intensidades tan elevadas, los diodos se conectan en paralelo. A
continuacin se muestran las principales caractersticas de funcionamiento de los diodos
cuando son conectados en serie y en paralelo.
Diodos conectados en serie
51
La figura 3.11a muestra un circuito con dos diodos D1 y D2 conectados en serie e inversamente
polarizados. Al estar conectados en serie, la corriente de fugas is que circula por ambos diodos
es la misma. Si D1 y D2 fuesen exactamente iguales, las tensiones inversas que soportan
deberan ser idnticas. Sin embargo, en la prctica no ocurre as ya que, por razones de
tolerancias en la fabricacin, las curvas caractersticas de ambos diodos difieren ligeramente
(figura 3.11b). Esto origina un reparto desigual de la tensin inversa a bloquear por cada
semiconductor.
El reparto desigual de la tensin a bloquear constituye, precisamente, el principal inconveniente
de los montajes en serie de diodos. Una solucin a este problema consiste en aadir otros
elementos al circuito que permitan regular la cantidad de tensin a bloquear por los diodos. As,
colocando en paralelo con cada diodo resistencias de valores determinados, puede
conseguirse igualar los valores de vD1 y de vD2. El circuito resultante se muestra en la figura
3.12a.
La corriente is que circula por la pila (figura 3.12a) se reparte entre la que circula por cada diodo
y su resistencia en paralelo. Por tanto:
(3.4)
(3.5)
(3.6)
52
Si se introducen las expresiones 2.4 y 2.5 en la ecuacin dada por 2.3, se obtiene que:
(3.7)
Como los valores de vD1 y vD2 resultan conocidos e iguales a la mitad de la tensin de la pila, es
decir, si se sustituyen en las curvas v-i de cada diodo (ver figura 3.12b) se obtienen iS1 e iS2.
Una vez introducidos los valores ya conocidos de iS1, iS2, vD1 y vD2 en la ecuacin 3.7 se obtiene
la relacin que deben cumplir las resistencias. De esta forma, fijando el valor de una de ellas,
por la ecuacin 3.7 se obtiene el de la segunda. Si se eligen R1=R2=R, al ser los diodos
ligeramente diferentes tambin lo sern las cadas de tensin en los mismos. Por tanto, para
calcular vD1 y vD2 se deber resolver el sistema de ecuaciones dado por:
(3.8)
Diodos conectados en paralelo
La figura 3.13a muestra un circuito con dos diodos D1 y D2 conectados paralelo y polarizados
en directa. Este montaje se emplea para aumentar la capacidad de transporte de grandes
cantidades de corriente. En el caso ideal en que D1 y D2 fuesen exactamente iguales, la
corriente que circula por cada uno de ellos sera idntica. Pero en la prctica no ocurre as, sino
que las curvas caractersticas de cada diodo difieren ligeramente una de la otra (figura 3.13b).
Esto origina un reparto desigual de la intensidad que circula por cada semiconductor.
Si se aaden resistencias conectadas en serie con cada uno de los diodos, puede equilibrase
el reparto de la intensidad en cada una de las ramas del circuito. De esta forma se logra igualar
las intensidades que circulan por los diodos. El montaje resultante se muestra en la figura 3.14
y de donde se extraen las siguientes ecuaciones:
(3.9)
Donde:
(3.10)
(3.11)
Si se introducen las expresiones dadas por 3.10 y 3.11 en 3.9 se obtiene que:
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(3.12)
Como se desea conseguir un igual reparto de intensidades, los valores de is1 y de is2 resultan
conocidos, esto es, iguales a la mitad de la intensidad Is: As, si se sustituye este valor en las
curvas v-i de cada diodo (figura 3.14b) se obtienen vD1 y vD2. Una vez introducidos los valores
iS1, iS2, vD1 y vD2 en la ecuacin 3.12 se obtiene la relacin que deben cumplir las resistencias.
De esta forma, fijando el valor de una de ellas, por la ecuacin 3.12 se obtiene el de la
segunda.
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CAPTULO 4
INTRODUCCIN
Bipolar.
IGBT.
Parmetros
MOS
Bipolar
Impedancia de entrada
Ganancia en corriente
Alta (107)
Media (10-100)
Resistencia ON (saturacin)
Media / alta
Baja
Alta
Alta
Voltaje aplicable
Alto (1000 V)
Alto (1200 V)
Alta (200C)
Media (150C)
Frecuencia de trabajo
Costo
Alto
Medio
Pequeas fugas.
Alta potencia.
Bajos tiempos de respuesta (ton, toff), para conseguir una alta frecuencia de
funcionamiento.
55
En ambos casos, con una potencia pequea puede controlarse otra bastante mayor.
4.1.2
TIEMPOS DE CONMUTACIN
Cuando el transistor est en saturacin o en corte las prdidas son despreciables. Pero si
tenemos en cuenta los efectos de retardo de conmutacin, al cambiar de un estado a otro se
produce un pico de potencia disipada, ya que en esos instantes el producto IC x VCE va a tener
un valor apreciable, por lo que la potencia media de prdidas en el transistor va a ser mayor.
Estas prdidas aumentan con la frecuencia de trabajo, debido a que al aumentar sta, tambin
lo hace el nmero de veces que se produce el paso de un estado a otro. Se puede diferenciar
entre tiempo de excitacin o encendido (ton) y tiempo de apagado (toff). A su vez, cada uno de
estos tiempos se puede dividir en otros dos.
Tiempo de retardo (Delay Time, td): Es el tiempo que transcurre desde el instante en que se
aplica la seal de entrada en el dispositivo conmutador, hasta que la seal de salida alcanza el
10% de su valor final.
Tiempo de subida (Rise time, tr): Tiempo que emplea la seal de salida en evolucionar entre
el 10% y el 90% de su valor final.
56
Tiempo de almacenamiento (Storage time, ts): Tiempo que transcurre desde que se quita la
excitacin de entrada y el instante en que la seal de salida baja al 90% de su valor final.
Tiempo de cada (Fall time, tf): Tiempo que emplea la seal de salida en evolucionar entre el
90% y el 10% de su valor final.
Por tanto, se pueden definir las siguientes
relaciones:
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Corriente media: es el valor medio de la corriente que puede circular por un terminal (ej. I CAV,
corriente media por el colector).
Corriente mxima: es la mxima corriente admisible de colector (I CM) o de drenador (IDM). Con
este valor se determina la mxima disipacin de potencia del dispositivo.
VCBO: tensin entre los terminales colector y base cuando el emisor est en circuito abierto.
VEBO: tensin entre los terminales emisor y base con el colector en circuito abierto.
Tensin mxima: es la mxima tensin aplicable entre dos terminales del dispositivo (colector
y emisor con la base abierta en los bipolares, drenador y fuente en los FET).
Estado de saturacin: queda determinado por una cada de tensin prcticamente constante.
VCEsat entre colector y emisor en el bipolar y resistencia de conduccin RDSon en el FET. Este
valor, junto con el de corriente mxima, determina la potencia mxima de disipacin en
saturacin.
Relacin corriente de salida - control de entrada: hFE para el transistor bipolar (ganancia
esttica de corriente) y gds para el FET (transconductancia en directa).
Modos de trabajo
Existen cuatro condiciones de polarizacin posibles. Dependiendo del sentido o signo de los
voltajes de polarizacin en cada una de las uniones del transistor pueden ser:
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Regin activa directa: Corresponde a una polarizacin directa de la unin emisor base y a una polarizacin inversa de la unin colector - base. Esta es la regin de operacin
normal del transistor para amplificacin.
Regin activa inversa: Corresponde a una polarizacin inversa de la unin emisor base y a una polarizacin directa de la unin colector - base. Esta regin es usada
raramente.
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Si se sobrepasa la mxima tensin permitida entre colector y base con el emisor abierto (VCBO),
o la tensin mxima permitida entre colector y emisor con la base abierta (VCEO), la unin
colector - base polarizada en inverso entra en un proceso de ruptura similar al de cualquier
diodo, denominado avalancha primaria.
Sin embargo, puede darse un caso de avalancha cuando estemos trabajando con tensiones
por debajo de los lmites anteriores debido a la aparicin de puntos calientes (focalizacin de la
intensidad de base), que se produce cuando tenemos polarizada la unin base - emisor en
directo. En efecto, con dicha polarizacin se crea un campo magntico transversal en la zona
de base que reduce el paso de portadores minoritarios a una pequea zona del dispositivo
(anillo circular).La densidad de potencia que se concentra en dicha zona es proporcional al
grado de polarizacin de la base, a la corriente de colector y a la VCE, y alcanzando cierto valor,
se produce en los puntos calientes un fenmeno degenerativo con el consiguiente aumento de
las prdidas y de la temperatura. A este fenmeno, con efectos catastrficos en la mayor parte
de los casos, se le conoce con el nombre de avalancha secundaria (o tambin segunda
ruptura).
El efecto que produce la avalancha secundaria sobre las curvas de salida del transistor es
producir unos codos bruscos que desvan la curva de la situacin prevista (ver grfica anterior).
El transistor puede funcionar por encima de la zona lmite de la avalancha secundaria durante
cortos intervalos de tiempo sin que se destruya. Para ello el fabricante suministra unas curvas
lmites en la zona activa con los tiempos lmites de trabajo, conocidas como curvas FBSOA.
Se pueden ver que existe una curva para corriente continua y una serie de curvas para
corriente pulsante, cada una de las cuales es para un ciclo concreto.
Todo lo descrito anteriormente se produce para el ton del dispositivo. Durante el toff, con
polarizacin inversa de la unin base - emisor se produce la focalizacin de la corriente en el
centro de la pastilla de Si, en un rea ms pequea que en polarizacin directa, por lo que la
avalancha puede producirse con niveles ms bajos de energa. Los lmites de IC y VCE durante
el toff vienen reflejado en las curvas RBSOA dadas por el fabricante.
60
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a) Diodo Zner en paralelo con el transistor (la tensin nominal zner ha de ser superior a la
tensin de la fuente Vcc).
b) Diodo en antiparalelo con la carga RL.
c) Red RC polarizada en paralelo con el transistor (red snubber).
Las dos primeras limitan la tensin en el transistor durante el paso de saturacin a corte,
proporcionando a travs de los diodos un camino para la circulacin de la intensidad inductiva
de la carga.
En la tercera proteccin, al cortarse el transistor la intensidad inductiva sigue pasando por el
diodo y por el condensador CS, el cual tiende a cargarse a una tensin Vcc. Diseando
adecuadamente la red RC se consigue que la tensin en el transistor durante la conmutacin
sea inferior a la de la fuente, alejndose su funcionamiento de los lmites por disipacin y por
avalancha secundaria. Cuando el transistor pasa a saturacin el condensador se descarga a
travs de RS.
El efecto producido al incorporar la red snubber es la que se puede apreciar en la figura
adjunta, donde vemos que con esta red, el paso de saturacin (punto A) a corte (punto B) se
produce de forma ms directa y sin alcanzar valores de VCE superiores a la fuente Vcc.
Figura 4.8: Curvas que muestran el comportamiento de los sistemas de proteccin a los transistores.
62
de donde :
donde IC ms vale :
63
La energa, Wr, disipada en el transistor durante el tiempo de subida est dada por la integral
de la potencia durante el intervalo del tiempo de cada, con el resultado:
De forma similar, la energa (Wf) disipada en el transistor durante el tiempo de cada, viene
dado como:
Un ltimo paso es considerar tr despreciable frente a tf, con lo que no cometeramos un error
apreciable si finalmente dejamos la potencia media, tras sustituir, como:
UNCP- FIEE Dr. Ing. B. Senz Loayza
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En la siguiente pgina se puede observar en la grfica de la iC(t), VCE(t) y p(t) para carga
inductiva. La energa perdida durante en ton viene dada por la ecuacin:
Durante el tiempo de conduccin (t5) la energa perdida es despreciable, puesto que VCE es de
un valor nfimo durante este tramo.
Durante el toff, la energa de prdidas en el transistor vendr dada por la ecuacin:
Si lo que queremos es la potencia media total disipada por el transistor en todo el periodo
debemos multiplicar la frecuencia con la sumatoria de prdidas a lo largo del periodo
(conmutacin + conduccin). La energa de prdidas en conduccin viene como:
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Figura 4.11: Seal de base que puede permitir reducir tiempos de conmutacin.
Los tiempos de conmutacin pueden ser reducidos mediante una modificacin en la seal de
base, tal y como se muestra en la figura 4.11. Puede verse como el semiciclo positivo est
formado por un tramo de mayor amplitud que ayude al transistor a pasar a saturacin (y por
tanto reduce el ton) y uno de amplitud suficiente para mantener saturado el transistor (de este
modo la potencia disipada no ser excesiva y el tiempo de almacenamiento no aumentar). El
otro semiciclo comienza con un valor negativo que disminuye el toff, y una vez que el transistor
est en corte, se hace cero para evitar prdidas de potencia.
En consecuencia, si queremos que un transistor que acta en conmutacin lo haga lo ms
rpidamente posible y con menores prdidas, lo ideal sera atacar la base del dispositivo con
una seal como el de la figura 4.11. Para esto se puede emplear el circuito de la figura 4.12.
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Durante el semiperiodo t1, la tensin de entrada (Ve) se mantiene a un valor V e(mx). En estas
condiciones la VBE es de unos 0.7 v y el condensador C se carga a una tensin VC de valor:
Con el condensador ya cargado a VC, la intensidad de base se estabiliza a un valor IB que vale:
con esto nos aseguramos que el condensador est cargado cuando apliquemos la seal
negativa. As, obtendremos finalmente una frecuencia mxima de funcionamiento:
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67
El tiempo de saturacin (tS) ser proporcional a la intensidad de base, y mediante una suave
saturacin lograremos reducir tS:
En estas condiciones conduce D2, con lo que la intensidad de colector pasa a tener un valor:
Si imponemos como condicin que la tensin de codo del diodo D1 sea mayor que la del diodo
D2, obtendremos que IC sea mayor que IL:
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Bloquea cualquier tensin directa e inversa, arbitrariamente grande, cuando est apagado.
Conduce corrientes arbitrariamente grandes con una cada de tensin nula cuando estn
encendidos.
Cuando el interruptor est abierto, toda la corriente I0 fluye a travs del diodo, apareciendo una
cada de tensin en el interruptor de valor Vd. Cuando el interruptor se cierra, circula por l toda
la corriente I0 y el diodo se encuentra polarizado en inversa.
La figura 4.16a muestra las formas de onda de la intensidad y de la tensin del interruptor
cuando se aplica una seal de control de frecuencia fs=1/Ts. donde Ts representa el periodo.
A continuacin se analizan los distintos intervalos a considerar en la conmutacin peridica del
interruptor, esto es:
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Interruptor encendido.
Conmutacin de encendido a apagado.
Interruptor apagado.
El tiempo de encendido viene dado, por tanto, por la suma de td(on), tri y tfv, esto es:
Durante el tiempo tc(on), que incluye el tiempo de subida de corriente tri y el tiempo de bajada
de tensin tfv, aparecen de forma simultnea corrientes y cadas de tensin apreciables en el
interruptor, por lo que la potencia disipada puede alcanzar valores elevados. As, la energa
disipada durante el encendido del interruptor, suponiendo lineales la subida de corriente y la
bajada de tensin, se calcula como:
70
Durante el tiempo tc(off), que incluye el tiempo de subida de tensin trv y el tiempo de bajada
de corriente tfi, aparecen tensiones y corrientes apreciables en el interruptor, que pueden
originar importantes prdidas. La energa disipada en el apagado del interruptor, suponiendo
lineales la subida de tensin y la bajada de corriente, se calcula como:
71
del periodo Ts. En ella se observa que los valores mximos de la potencia instantnea se
producen en la conmutacin. Como en cada periodo el interruptor se enciende y se apaga fs
veces, la potencia media disipada en las conmutaciones (Ps) se calcula como:
De la ecuacin 2.17 se deduce que la potencia perdida en la conmutacin del interruptor vara
linealmente con la frecuencia de la seal de control y con el tiempo de conmutacin. De esta
forma, si el tiempo de conmutacin es grande, se requiere una frecuencia pequea para evitar
grandes prdidas de potencia. Asimismo, si el tiempo que dura la conmutacin es pequeo,
podr aumentarse la frecuencia de conmutacin. Otra contribucin a las prdidas de potencia
es la que se origina cuando el interruptor se encuentra activado. Esta potencia media vara
linealmente con la tensin Von, como indica la ecuacin siguiente:
Por tanto, para minimizar el valor de Pon se debe procurar que Von sea lo ms pequeo
posible. En resumen, la potencia media PT disipada en un interruptor controlable viene dada
por la suma de la producida mientras que est en funcionamiento y la debida a las
conmutaciones:
Donde, como se apunt con anterioridad, se considera despreciable la potencia consumida por
el interruptor cuando est desactivado. As, atendiendo a las consideraciones anteriores, las
caractersticas deseables de los interruptores controlables son las expuestas a continuacin:
Capacidad para bloquear grandes tensiones directas e inversas. Con ello se elimina la
necesidad de conectar en serie varios dispositivos que requiere un sistema de control y
proteccin ms complejo.
72
b)
73
d)
4.3
Los transistores bipolares son el resultado de aadir una segunda regin P o N a la unin PN
de los diodos, dando lugar a transistores PNP o NPN. Estos transistores constan de tres
terminales denominados colector, emisor y base. La figura 2.12-a representa el smbolo de un
transistor bipolar NPN. Su curva caracterstica real v-i viene dada por la figura 2.12-b, y
representa la tensin colector- emisor vCE frente a la corriente a travs del colector iC para una
intensidad de base iB dada.
En estos transistores se distinguen tres regiones de operacin: regin de corte, activa y de
saturacin. En la regin de corte, la corriente de base es tan pequea que no permite el
encendido del transistor. En la regin activa, el transistor acta como un amplificador, donde la
corriente por la base se amplifica por una ganancia y la tensin vCE entre el colector y el
emisor disminuye con la corriente de base. En la regin de saturacin, la corriente de base es
tan alta que la tensin entre el colector y el emisor es muy pequea. Por tanto, debido a que en
electrnica de potencia los transistores suelen trabajar a modo de interruptores, esto es, en las
regiones de saturacin y corte para los BJT, se emplea generalmente su curva caracterstica
ideal que aparece en 2.12-c.
La tensin de saturacin entre los terminales de colector y emisor vCE(sat) en estos
transistores se encuentra, generalmente, en el rango de V, por lo que las prdidas de potencia
en conduccin son muy pequeas. Para mantener en funcionamiento un transitor BJT, esto es,
para que fluya corriente por el terminal de colector, se requiere un suministro continuo de
corriente en la base. Debido a la dependencia de la corriente de colector con la intensidad de
entrada o de base, la ganancia de corriente depende fuertemente de la temperatura de la
unin. La ganancia de intensidad en corriente continua de estos transistores hFE vara en el
rango de 5 a 10 si el dispositivo es de alta potencia, por lo que a veces se requiere su conexin
en Darlington o en triple Darlington para incrementar esta ganancia (ver figura 2.13). Estos
montajes, sin embargo, ofrecen ciertas desventajas tales como una conmutacin ms lenta,
adems de una tensin vCE(sat) entre colector y emisor en saturacin ligeramente ms alta.
Los transistores BJT pueden trabajar con rangos de tensiones por encima de los 1400 V, y con
intensidades que alcanzan unos pocos de cientos de amperios.
74
FIGURA 4.18: Transistor bipolar NPN: (a) smbolo, (b) curva i-v caracterstica, (c) curva ideal.
75
puerta no fluye corriente alguna, excepto durante las transiciones entre el encendido y apagado
y viceversa, en la que la capacidad de puerta se carga y se descarga. Estos tiempos de
conmutacin son muy cortos, comprendidos en el rango de unas pocas decenas de
nanosegundos a unos pocos cientos de nanosegundos, dependiendo del dispositivo.
FIGURA 4.20: Transistor MOSFET de canal n: (a) smbolo, (b) curva v-i caracterstica, (c) curva ideal.
Las prdidas originadas en la conmutacin de estos dispositivos son muy pequeas, debido a
la rapidez con que stas se producen. Sin embargo, no ocurre as con las prdidas en
conduccin.
Los transistores MOSFETs pueden emplearse con voltajes que exceden los 1000 V si la
corriente que circula por ellos es pequea, y con intensidades por encima de los 100 A si la
tensin en tambin pequea. El mximo voltaje entre la puerta y la fuente es de V, aunque su
control puede realizarse con tensiones vGS de 5 V.
Los transistores MOSFETs permiten fcilmente su conexin en paralelo, ya que su resistencia
en conduccin posee un coeficiente de temperatura positivo. Esto origina un calentamiento en
el dispositivo que conduce una corriente ms elevada, forzndolo al reparto equitativo de su
corriente con otro MOSFETs situado en paralelo.
Los BJTs y los MOSFETs poseen caractersticas que se complementan entre s en muchos
aspectos. As, los BJTs poseen menores prdidas en conduccin, pero poseen tiempos de
conmutacin mayores, especialmente durante el apagado del dispositivo. Los MOSFETs, sin
embargo, pueden encenderse y apagarse ms rpidamente, pero poseen mayores prdidas en
conduccin. Adems, la capacidad para bloquear grandes tensiones y conducir grandes
intensidades es mejor en los BJTs que en los MOSFETs.
4.5
TRANSISTOR IGBT
INTRODUCCION:
Durante muchos aos se a buscado la forma de crear un dispositivo que fuese lo
suficientemente veloz y que pudiese manejar grandes cargas pero han surgido nuevas ideas
con la unin de un MOSFET como dispositivo de disparo y un de dispositivo de potencia y de
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76
esta forma se lleg a la invencin del IGBT el cual se describe brevemente en esta seccin del
presente texto.
QUE ES EL IGBT:
La sigla IGBT corresponde a las iniciales de isolated gate bipolar transistor o sea transistor
bipolar de puerta de salida. El IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia hbrido que
combina los atributos del TBJ y del MOSFET. Posee una compuerta tipo MOSFET y por
consiguiente tiene una alta impedancia de entrada. El gate maneja voltaje como el MOSFET. El
smbolo ms comnmente usado se muestra en la figura. Al igual que el MOSFET de potencia,
el IGBT no exhibe el fenmeno de ruptura secundario como el TBJ.
El transistor bipolar de puerta aislada (IGBT) es un dispositivo electrnico que generalmente se
aplica a circuitos de potencia.
Este es un dispositivo para la conmutacin en sistemas de alta tensin. La tensin de control
de puerta es de unos 15V. Esto ofrece la ventaja de controlar sistemas de potencia aplicando
una seal elctrica de entrada muy dbil en la puerta.
El IGBT de la figura es una conexin integrada de un MOSFET y un BJT. El circuito de
excitacin del IGBT es como el del MOSFET, mientras que las caractersticas de conduccin
son como las del BJT. El IGBT es adecuado para velocidades de conmutacin de hasta 20 KHz
y ha sustituido al BJT en muchas aplicaciones.
SIMBOLOGIA:
Es un componente de tres terminales que se denominan GATE (G) o puerta, COLECTOR (C) y
EMISOR (E) y su smbolo corresponde al dibujo de la figura siguiente.
FIGURA 4.20: Representacin simblica del transistor IGBT como BJT y MOSFET.
77
3. Pueden distinguirse varios tipos de diodos, entre ellos los diodos Schottky, diodos de
recuperacin rpida y diodos de frecuencia de lnea.
4. Para el bloqueo de grandes tensiones inversas suelen emplearse varios diodos de potencia
conectados en serie. Si, por el contrario, se desea la circulacin de intensidades muy
elevadas, se emplea el montaje en paralelo de varios diodos de potencia. Para provocar un
reparto equitativo de la tensin a bloquear por los diodos o de la intensidad a conducir, se
aaden otros elementos al circuito tales como resistencias.
5. En este captulo se han analizado las caractersticas deseables para un interruptor
controlable, esto es, para aquellos interruptores de potencia en los que el encendido y el
apagado de los mismos se realiza mediante seales de control. Tambin se han presentado
las caractersticas principales de dos de ellos, en concreto de los BJTs y de los MOSFETs,
dejando el anlisis de los GTOs para un captulo posterior.
6. En aplicaciones en las que prime la velocidad en la conmutacin del interruptor controlable,
se emplean los transistores MOSFETs. Sin embargo, las prdidas en conduccin que
originan son mucho mayores que las que se producen en los transistores bipolares o BJTs y
su capacidad para bloquear grandes tensiones y conducir grandes intensidades son
tambin menores.
78
CAPTULO 5
INTRODUCCIN
Un tiristor es un dispositivo de tres terminales y que al hacer pasar una pequea corriente a
travs de la compuerta, el tiristor conduce siempre en cuando el terminal del nodo tenga
mayor potencial que el ctodo. Se clasifican en once tipos:
4)
5)
Tiristor de induccin esttica (SITH: static induction thyristor). Es equivalente a los GTO,
cuya capacidad puede alcanzar 1200 V y 300 A, se espera se apliquen en convertidores de
potencia intermedia y a frecuencias de varios cientos de Khz.
6)
79
7)
8)
Tiristor abierto por MOS (MTO: MOS turn-off). Es una combinacin del GTO y MOSFET y
supera la capacidad de abertura del GTO. Su estructura es parecida a la del GTO. Se
disponen hasta para 10 KV y 4000 A. Su uso vara entre 1 y 20 MVA.
9)
Tiristor abierto por emisor (ETO: emitter turn-off). Es un hbrido de MOS y GTO. Se tienen
hasta para 6000 V y 4000 A.
10)
11)
Tiristor controlado por MOS (MCT: MOS-controlled thyristor). Se puede activar mediante un
pulso pequeo de voltaje negativo a la compuerta MOS (con respecto a su nodo), y se
puede desactivar con un pequeo pulso de voltaje positivo. Es como un GTO, excepto por
la ganancia de abertura que es muy alta. Se disponen hasta para 4500 V y 250 A.
Los tiristores son los dispositivos semiconductores de potencia ms antiguos y uno de los ms
empleados en la actualidad. En un primer momento se les denomin SCR (Semiconductor
Controlled Rectifiers) y surgieron a mediados del siglo XX como resultado de las
investigaciones llevadas a cabo en los laboratorios de investigacin de General Electric.
Los tiristores se comportan, de forma aproximada, como un diodo rectificador con iniciacin de
la conduccin controlada por un tercer terminal denominado puerta. Poseen casi todas las
ventajas de los diodos de silicio, como son el funcionamiento a temperaturas muy altas,
fiabilidad, robustez, etc. Presentan, adems, una disipacin pequea y, por tanto, un elevado
rendimiento, caracterstica fundamental en todo dispositivo semiconductor de potencia.
La importancia de los tiristores en los circuitos de electrnica de potencia reside en su
capacidad de bloquear grandes tensiones y conducir grandes corrientes. En este captulo se
estudia su estructura bsica, formas de funcionamiento y circuitos de proteccin de los tiristores
convencionales SCR. Tambin se analizan en detalle diversas variantes de los tiristores, en
concreto los denominados GTOs, TRIACs, SCSs y DIACs.
5.2 ESTRUCTURA BSICA DE UN TIRISTOR DE POTENCIA
En un sentido general, recibe el nombre de tiristor cualquier dispositivo con una estructura
PNPN.
80
La figura 5.2 muestra la seccin vertical de un tiristor, as como las dimensiones del ancho de
cada capa alternativa tipo P y tipo N y sus correspondientes densidades de dopado.
La capa andica P1 tiene un espesor relativo moderado y est muy dopada en la superficie
exterior para facilitar el contacto elctrico con el terminal metlico del nodo. La capa de
bloqueo N1 es la de mayor espesor y tiene una baja concentracin. La capa de control P2 es
ms estrecha que las anteriores porque debe permitir fcilmente la llegada a N1 de los
electrones emitidos por N2 en el estado de conduccin. La capa catdica N2 es la ms delgada
y se encuentra muy dopada para facilitar la emisin de electrones y el contacto elctrico con el
terminal metlico de ctodo.
En lo referente a las dimensiones laterales, los tiristores son de los dispositivos
semiconductores ms grandes. As, una oblea de silicio de 10 cm de dimetro puede
emplearse para fabricar un nico tiristor de alta potencia. La figura 5.3 muestra la vista en
planta de dos disposiciones diferentes (layouts) de los terminales de puerta y ctodo. La
disposicin con terminal de puerta distribuido se emplea en los tiristores de gran dimetro (10
cm), mientras que la disposicin con terminal de puerta localizado en el centro de la oblea se
emplea en tiristores de menor tamao. En general, esta disposicin de los terminales de puerta
y ctodo vara de unos tiristores a otros, en funcin de los siguientes factores:
Dimetro del tiristor.
Requerimientos en cuando a di/dt.
Velocidad de conmutacin requerida.
FIGURA 5.3: Diferentes disposiciones (layouts) de los terminales de puerta y ctodo en un tiristor.
La figura 5.4 muestra el smbolo que representa a un tiristor de potencia. Consta de tres
terminales: nodo, ctodo y puerta. El terminal de puerta es el terminal de control. Los sentidos
de las corrientes y de las tensiones consideradas como positivas quedan reflejadas de igual
forma en la figura 5.4.
81
Como se observa en la figura 5.5, un tiristor en bloqueo inverso (v AK<0), al igual que ocurra con
los diodos, conduce una corriente muy pequea hasta que ste entra en avalancha. La mxima
tensin de trabajo -vRWM que el tiristor es capaz de soportar sin entrar en avalancha puede
alcanzar valores de hasta -7000 V.
Cuando el tiristor est directamente polarizado, esto es, v AK>0, se distinguen dos estados o
modos de operacin estables separados por uno inestable, que aparece como una resistencia
negativa en la curva vAK-iT. El primer estado estable se corresponde con la zona de bloqueo
directo, y se caracteriza por un elevado valor de la tensin nodo- ctodo y una pequea
intensidad iT. El segundo estado estable se corresponde con la zona de conduccin, y en l la
cada de tensin nodo-ctodo es muy pequea mientras que la intensidad que lo atraviesa
alcanza valores muy elevados. As, en este modo el tiristor puede conducir corrientes de hasta
2000 3000 A con una cada de tensin de slo unos pocos de voltios.
En la curva caracterstica de un tiristor (figura 5.5), es preciso definir ciertos valores
caractersticos de intensidad y tensin. As, la intensidad de mantenimiento I H (holding current)
se define como la mnima corriente que debe circular por el tiristor para que se mantenga en
82
83
Si en esta situacin de polarizacin directa la tensin v AK en los terminales del tiristor crece
mucho, la cada de tensin en J2 tambin aumentar y podra entrar en ruptura por avalancha,
provocando la entrada en conduccin del tiristor.
b)
84
corriente en las zonas de bloqueo y de control. Estos nuevos portadores pueden, a su vez,
ocasionar la generacin de otros pares electrn-hueco, que da lugar a un aumento
considerable de la corriente de fugas al entrar la unin de control J2 en avalancha. Cuando
esta corriente de fugas alcanza un valor superior al de enclavamiento, el tiristor entra en estado
de conduccin y la tensin nodo-ctodo cae rpidamente al desaparecer la zona de carga
espacial en la unin de control (figura 5.6).
Esta forma de disparo raramente se emplea para pasar a un tiristor a estado de conduccin de
forma intencionada. Sin embargo, s se da de forma accidental o fortuita debido a
sobretensiones anormales en los equipos.
5.5.2 DISPARO POR IMPULSO DE PUERTA
El procedimiento normalmente empleado para disparar un tiristor consiste en aplicar en la
puerta un impulso positivo o entrante de intensidad mediante la conexin de un generador
adecuado entre la puerta y el ctodo, a la vez que se mantiene una tensin positiva entre
ambos terminales (vAK>0).
La figura 5.7 representa la parte de la pastilla que alberga el rea intermedia entre los
terminales de puerta y ctodo.
85
FIGURA 5.7: Disparo por impulso de puerta: (a) Iniciacin del impulso de puerta,
86
Los huecos generados realizan la misma misin que los huecos inyectados inicialmente por la
puerta, es decir, aumentar la corriente, por lo que se crea un rea local de conduccin en la
parte de la pastilla cubierta por el terminal de ctodo y vecina al terminal de puerta. Si la
densidad de corriente alcanzada es suficiente, esto es, si se ha producido una generacin
importante de pares electrn-hueco, la conduccin se mantiene independientemente del
impulso de puerta, y el rea de conduccin se extender a toda la pastilla siempre y cuando el
circuito exterior permita intensidad suficiente.
Los portadores inyectados por la corriente de puerta siguen teniendo influencia durante cierto
tiempo despus de la anulacin de la intensidad de puerta i G hasta que desaparecen por
recombinacin (figura 5.7b).
Si el circuito exterior fuerza un crecimiento muy rpido de la intensidad, puede darse el caso
que la densidad de corriente sea muy elevada en un punto aislado y se destruya el tiristor por
temperatura excesiva. De ah que el fabricante indique una derivada mxima permitida para la
intensidad de nodo al entrar conduccin y que no debe superarse en la prctica.
Para explicar de forma analtica el funcionamiento de un tiristor cuando se dispara por un
impulso de corriente, considrese el modelo de un tiristor representado como dos transistores
PNP y NPN conectados como indica la figura 5.8.
87
(5.7)
Si se aplica por el terminal de puerta G una corriente de disparo de valor:
(5.8)
de donde:
(5.9)
e introduciendo la expresin 3.9 en la dada por 3.7 se obtiene que:
(5.10)
(5.11)
La ganancia de corriente de cada transistor depende de la corriente del emisor, por lo que:
(5.12)
(5.13)
Por tanto, si aumenta la corriente de puerta I G, por la frmula 5.11 aumenta la intensidad IA,
que a su vez provoca un aumento de las ganancias 1 y 2 (expresiones 5.12 y 5.13), por lo
que por la ecuacin 5.11 IA aumenta an ms su valor. Es decir, se produce una realimentacin
positiva o regenerativa. De esta forma, una vez disparado el tiristor por una pequea corriente
de puerta, la corriente se mantiene por un proceso de realimentacin positiva sin necesidad de
mantener dicha corriente de puerta.
5.5.3 DISPARO POR DERIVADA DE TENSIN
Si a un tiristor se le aplica un escaln de tensin positivo entre nodo y ctodo con un tiempo
de subida muy corto del orden de microsegundos (muy grande), los portadores sufren un
pequeo desplazamiento para poder hacer frente a la tensin exterior aplicada. No hay tiempo
para que se organicen las distribuciones de concentracin P y N y adquieran la situacin de
bloqueo directo, de forma que permanecen con el mismo perfil que en el caso de no
polarizacin pero desplazadas: la de huecos P hacia la unin catdica J3 y la de electrones N
hacia la unin andica J1.
Como consecuencia, la unin de control J2 queda vaca de portadores y se ensancha la zona
de carga espacial. Aparece en dicha unin una diferencia de potencial elevada que se opone a
la tensin exterior, y un campo elctrico que acelera a los minoritarios de las proximidades.
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88
stos atraviesan la unin de control J2 y arrancan por choque con la red cristalina pares
electrn-hueco, aumentando la intensidad de fugas. Si la corriente de fugas alcanza un valor
suficiente como para mantener el proceso regenerativo, el tiristor entrar en conduccin estable
y permanecer as aunque el escaln de tensin que lo dispar haya pasado. El circuito
exterior debe permitir la elevacin de la corriente de nodo por encima de la de enclavamiento.
Para producir el disparo de un tiristor por derivada de tensin bastan escalones de tensin de
un valor final bastante menor que el de la tensin de ruptura por avalancha, con tal de que el
tiempo de subida sea lo suficientemente corto. El valor de necesario depende tanto de la
tensin final como de la temperatura, siendo menor cuanto mayores sean aqullas.
Para explicar de forma analtica el funcionamiento del tiristor ante este tipo de disparo,
considrese igualmente el modelo de un tiristor representado como dos transistores PNP y
NPN conectados entre s. Como se observa en la figura 5.9, se han representado las
capacidades de las uniones, dada la gran importancia que poseen en el funcionamiento
transitorio del dispositivo.
Si el tiristor est en bloqueo directo (vAK>0) las uniones andica y catdica se encuentran
directamente polarizadas, en tanto que la unin de control J2 lo estar de forma inversa. Por
tanto, prcticamente toda la cada de tensin entre nodo y ctodo la soporta la unin de
control J2. De esta forma, si se aplica al tiristor una tensin entre nodo y ctodo que crezca de
forma muy rpida, tambin lo har de igual forma la tensin v J2. Como la expresin de la
intensidad iJ2 que circula por la unin de control J2 viene dada por:
(5.14)
Si dVJ2/di es grande, la corriente de fugas iJ2 por la unin de control J2 es tambin grande, por
lo que el tiristor entra en conduccin.
FIGURA 5.9: Representacin del tiristor como dos transistores con sus capacidades en las
uniones.
89
90
Tras el tiempo td, la corriente por el tiristor comienza a subir. Se denomina tiempo de subida tr
(time rise) al tiempo que transcurre desde que circula el 10% de la intensidad por el tiristor
hasta que lo hace el 90% de la misma.
La suma de los tiempos td y tr se denomina tiempo de disparo del tiristor ton. De esta forma, el
tiempo de disparo de un tiristor ton ser el que transcurre desde que circula el 10% de la
corriente de puerta hasta el instante en que circula el 90% de la corriente final del tiristor. A la
hora de disear un circuito de disparo deben tenerse en cuenta las siguientes consideraciones:
La corriente de puerta al disparar el tiristor debe ser inicialmente grande. De esta forma, la
conduccin comenzar en una zona grande de la pastilla disminuyendo la densidad de
corriente. Adems, la potencia de pico disipada ser menor.
Una vez que el tiristor ha sido disparado no es necesario que circule corriente por la puerta,
debido a que la circulacin de corriente queda asegurada por un proceso de regeneracin
positiva. Adems, una circulacin continua de intensidad por la puerta producira un aumento
de las prdidas.
Mientras que el tiristor est inversamente polarizado no debe circular corriente por la puerta,
ya que aumentara el nmero de portadores y, por tanto, la corriente de fugas, pudiendo
destruir al tiristor.
El ancho del impulso de corriente de puerta debe ser mayor que el tiempo necesario para que
la corriente de nodo alcance el valor de la corriente de enclavamiento. En la prctica, el ancho
del pulso de corriente se hace mayor que el tiempo de disparo del tiristor (ton). Ntese que un
mayor tiempo de disparo implica un mayor tiempo para que la corriente que atraviesa el tiristor
alcance el valor de enclavamiento.
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91
5.7
CARACTERSTICAS DE PUERTA
El circuito puerta-ctodo de un tiristor equivale al diodo P 2N2 en serie con la resistencia del
camino que los portadores deben recorrer lateralmente por la zona de control. Al contrario de lo
que sucede en un diodo normal, la dispersin de la curva v GK-iG de una a otra unidad de un
mismo tipo es muy grande, de forma que el fabricante proporciona curvas lmites dentro de las
cuales estar situada la caracterstica real del diodo en cuestin. La figura 5.11 muestra una de
estas curvas proporcionadas por un fabricante.
Los valores de la tensin vGK y de la intensidad iG que disparan al tiristor no dependen apenas
de la tensin nodo-ctodo para valores de sta suficientemente altos, pero s varan mucho
con la temperatura, necesitndose mayor tensin o intensidad cuanto menor sea aqulla. Esto
es debido a que la alta temperatura es una de las causas de generacin de pares electrnhueco.
Como el diseo de un circuito de puerta debe asegurar el disparo con un cierto impulso de
puerta y garantizar que no se produzca disparo entre los impulsos, el fabricante facilita para
cada tipo de tiristor los valores siguientes (figura 5.11):
VGK mxima SD: es la tensin puerta-ctodo mxima sin disparo del tirisor a una determinada
temperatura.
VGK mnima CD: es la tensin puerta-ctodo mnima con disparo del tiristor a una determinada
temperatura.
92
IG mxima SD: es la intensidad de puerta mxima sin disparo del tiristor a una determinada
temperatura.
IG mnima CD: es la intensidad mnima de puerta con disparo del tiristor a una determinada
temperatura.
De esta forma, y como se aprecia en la figura 5.11, estos cuatro parmetros anteriormente
definidos dividen la grfica en tres reas: una superior de disparo seguro, una intermedia de
disparo incierto y otra inferior de disparo imposible o de no disparo.
El circuito de disparo puede reducirse a su equivalente Thvenin para determinar la recta de
carga sobre la curva caracterstica vGK-iG. La recta de carga debe pasar por la zona de disparo
seguro cuando se pretende iniciar la conduccin. Cuando el circuito de disparo se haya
desactivado, la recta de carga debe pasar por la zona de no disparo para asegurar que el
tiristor no entra en conduccin.
Existen unos lmites mximos de tensin puerta-ctodo y de intensidad de puerta que no deben
sobrepasarse para evitar el deterioro del tiristor. Asimismo, la potencia entregada al circuito
puerta-ctodo tiene unos lmites que varan con el factor de trabajo (duty ratio) de un tren de
pulsos, es decir, con la relacin entre la duracin de un impulso y el tiempo entre el comienzo
de dos impulsos consecutivos, expresada en tanto por ciento (figura 5.12). Se supone una
repeticin peridica de pulsos iguales.
Cuanto mayor sea el factor de trabajo menos potencia mxima podr consumirse en el circuito
de puerta-ctodo. Si la potencia consumida por el circuito de puerta-ctodo es muy grande, se
alcanza una temperatura muy alta que puede daar al tiristor.
5.8
BLOQUEO DE UN TIRISTOR. TIEMPO DE APAGADO
Cuando la corriente que circula por un tiristor se hace menor que la corriente de mantenimiento
IH, el tiristor deja de conducir al no poderse mantener el proceso regenerativo y entra en estado
de bloqueo. En este proceso, la puerta no tiene influencia apreciable, siendo el circuito exterior
de potencia el que fuerza la disminucin de la intensidad del nodo, ya sea de forma natural o
forzada.
En el bloqueo natural, el circuito de potencia provoca la disminucin de la intensidad en el
tiristor a un valor inferior a la de mantenimiento en el transcurso normal de funcionamiento. No
hace falta ningn circuito especial para provocar el apagado del tiristor.
En el bloqueo forzado, el circuito de potencia no provoca de forma natural el que la intensidad
por el tiristor se haga menor que la de mantenimiento, sino que es obligada mediante
componentes especiales. Estos circuitos llamados de conmutacin, estn formados por
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93
94
Sin embargo, en otras aplicaciones hacen falta elementos auxiliares en el circuito de potencia
para apagar el tiristor, es decir, para conseguir que la intensidad que por l circula se haga
menor que la de mantenimiento IH. Este proceso se conoce como bloqueo forzado del tiristor y
el circuito auxiliar que lo lleva a cabo recibe el nombre de circuito de conmutacin.
En un principio, cualquier combinacin de tiristor + circuito de conmutacin podra sustituirse
por un BJT (o un MOSFET), de forma tal que mientras se desee que est en conduccin se
mantendra la corriente en la base del BJT (o tensin en la puerta del MOSFET), y cuando se
desee su apagado se anulara dicha corriente de base (o dicha tensin de puerta).
Sin embargo, estos dispositivos no son capaces de soportar grandes tensiones e intensidades.
Por ello, muchos de estos circuitos emplean tiristores, ya que son los semiconductores que
ms potencia son capaces de aguantar.
Pero los tiristores son a la vez los dispositivos de potencia que ms tiempo de apagado
consumen, por lo que no resulta apropiado su empleo cuando la frecuencia de conmutacin es
muy elevada. As, por razones de coste, complejidad y prdidas asociadas a los circuitos de
conmutacin, en la actualidad los tiristores estn siendo sustituidos por dispositivos tales como
los BJTs y los GTOs, cada vez ms sofisticados y con mayor capacidad de soportar altas
potencias.
95
96
97
(5.19)
Como en t=toff la tensin vAK vale cero, segn 3.19:
(5.20)
por lo que:
(5.21)
Para que el tiristor no vuelva a entrar en conduccin, el tiempo de apagado toff debe ser mayor
que el mnimo tq especificado por el fabricante. As, la capacidad del condensador y su carga
inicial deben ser elegidas de modo que se asegure el completo apagado del tiristor.
En los circuitos de conmutacin por tensin deben tenerse en cuenta las siguientes
consideraciones:
El condensador debe cargarse a la tensin -V0 antes de que el tiristor vaya a ser apagado
de nuevo.
La tensin inversa que soporta el diodo pasa de forma brusca de Vdc a (Vdc+V0) en el
momento de la conmutacin. Se requiere as de un diodo capaz de soportar este cambio
drstico de tensin.
El tiempo td viene dado en funcin de lo que el condensador tarda en cargarse desde -V0 hasta
Vdc. Como la intensidad del condensador se corresponde con la intensidad de carga, este
tiempo td depender de la carga.
5.9.2 CIRCUITOS DE CONMUTACIN POR CORRIENTE
Un circuito de conmutacin por corriente fuerza a que la intensidad que circula por el tiristor
disminuya hasta cero de forma suave, generalmente a travs de la accin oscilatoria de un
circuito LC. A continuacin se muestra el funcionamiento del circuito de conmutacin por
corriente como el que muestra la figura 5.17.
Antes de conectar el interruptor, el condensador se encuentra cargado a una tensin de valor
Vdc. El tiristor se encuentra en conduccin, circulando por l una intensidad constante Id y su
cada de tensin vale cero. La conduccin por la bobina es nula. Los diodos D1 y D2 estn
polarizados en inversa por lo que no conducen, y la cada de tensin vd vale Vdc. La
resistencia R se considera de valor muy elevado, por lo que no tiene influencia en el proceso de
conmutacin. En el instante t=0 se cierra el interruptor. A continuacin se analizan los distintos
intervalos a considerar en el proceso de conmutacin.
a) Intervalo de funcionamiento 0<t<t1
El circuito resultante en el intervalo de tiempo 0<t<t1 se muestra en la figura 3.17. Al cerrar el
interruptor comienza a circular corriente por la bobina. Debido a que la intensidad en la bobina
no puede variar bruscamente, el tiristor sigue conduciendo por lo que:
98
(5.22)
Como en este intervalo se cumple que:
(5.23)
(5.24)
99
(5.25)
(5.26)
Si se aplica la primera ley de Kirchoff al nudo A se obtiene que:
(5.27)
de donde la intensidad que circula por el tiristor vale:
(5.28)
As, al comienzo del intervalo, iT aumenta desde Id (valor que tena en t<0), se hace mxima
cuando iL pasa por su valor mnimo y luego comienza a disminuir.
La forma de onda de la tensin en el condensador se obtiene al resolver la integral definida en
5.25 (iC(t)=iL(t)), por lo que:
(5.29)
Mientras que el tiristor conduce, la pequea cada de tensin en l hace que D2 se mantenga
polarizado en inversa. Cuando la intensidad que circula por el tiristor se hace nula, ste se
apaga y D2 entra en conduccin. sto tiene lugar en el instante de tiempo t1 que marca el final
de este intervalo de funcionamiento, y que vale:
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100
(5.30)
b) Intervalo de funcionamiento t1<t<t2
Al entrar en conduccin D2 en el instante de tiempo t1, la pequea cada de tensin en el diodo
(aproximadamente 0.7 V en un diodo real) mantiene una pequea tensin negativa en el tiristor
(recurdese que para apagar un tiristor se requiere mantenerlo a tensin inversa durante un
cierto tiempo para evitar que vuelva a entrar en conduccin). El circuito equivalente en este
intervalo de tiempo se muestra en la figura 5.19.
El circuito oscilatorio en este intervalo coincide con el del intervalo de tiempo anterior, por lo
que las formas de onda de la intensidad a travs de la bobina y de la tensin en el condensador
continan siendo las mismas. Aplicando la primera ley de Kirchoff al nudo A se obtiene la
expresin de la intensidad iD2, de valor:
(5.31)
Donde iL(t) viene dada por la ecuacin 5.26. En el momento en que iL(t) vuelva a valer Id, lo cual
ocurre en el instante t2, segn 5.31 la intensidad por el diodo D2 pasa a valer cero (D2 off). El
estado del circuito cambia de nuevo.
c) Intervalo de funcionamiento t2<t<t3
La figura 5.20 muestra el circuito resultante en este intervalo de tiempo. La intensidad que
recorre la bobina y el condensador es constante y de valor Id, por lo que la tensin en la bobina
es cero en este perodo (vL(t)=L(diL/dt)).
El condensador se carga linealmente desde el valor que tena en t 2 hasta Vdc, segn la
expresin:
(5.32)
101
En t=t2, la cada de tensin en el tiristor T cambia de forma brusca desde su valor 0.7 V para
tiristores reales (0 V para los ideales) hasta vc(t=t2). A partir de aqu la tensin en l aumenta
linealmente en la misma medida en que lo hace vc (recurdese que la tensin en la bobina vale
cero en el intervalo).
En t=t3 la tensin en el diodo ha alcanzado el valor Vdc, por lo que vd(t) vale cero y el diodo D1
comienza a conducir.
d) Intervalo de funcionamiento t3<t<t4
La figura 5.21 muestra el circuito que resultante en este intervalo de tiempo. La intensidad Id
que antes slo circulaba por la bobina (y el condensador) comienza ahora en parte a recorrer el
diodo D1, esto es:
(5.33)
Como la intensidad en la bobina no puede variar bruscamente, comienza a disminuir hasta
hacerse cero. Al mismo tiempo el condensador sigue cargndose, ya que aumenta la
circulacin de corriente en el sentido fijado por la bobina. As, en t=t4 la carga en el
condensador es mayor que Vdc.
En el instante t=t4 se abre el interruptor y el condensador comienza a descargarse a travs de
la resistencia R. Si se requiere descargar el condensador en un tiempo menor es necesario
emplear otro sistema para acelerar la descarga.
102
La mayora de los circuitos de conmutacin por intensidad tienen un diodo en antiparalelo con
el tiristor, con lo que la cada de tensin inversa aplicada al tiristor al apagarlo es pequea
(cada de tensin en el diodo cuando est en conduccin). De ah que este tipo de circuitos
resulte especialmente apropiado para la conmutacin de tiristores asimtricos, que son
capaces de aguantar muy poca tensin inversa.
El tiempo durante el cual se aplica al tiristor una pequea tensin inversa depende de la
intensidad de carga Id.
5.10 MEJORA DEL VALOR MXIMO DE di/dt
Al disparar un tiristor, la corriente mxima que circula por l depende del circuito de potencia.
La conduccin comienza en una pequea zona de la pastilla y soporta toda la corriente que
pasa por el circuito de potencia. Si la corriente que circula en esta pequea zona es elevada la
densidad de corriente tambin lo ser, por lo que se origina un calentamiento excesivo que
puede ocasionar la destruccin del tiristor.
103
Esta circunstancia obliga a limitar el aumento de la corriente que pasa por el tiristor al
comenzar la conduccin. As, si la corriente que circula por el tiristor en el momento de ser
disparado aumenta lentamente, sta puede extenderse por toda la pastilla sin que se originen
puntos calientes que destruyan al tiristor por sobrecalentamiento. La clave para aumentar el
valor de di/dt que puede soportar un tiristor consiste en aumentar el rea en la que comienza la
conduccin, esto es, la zona del ctodo ms prxima a la puerta.
Una manera de hacer mayor el rea en la que comienza la conduccin es aumentar la corriente
de puerta introduciendo ms huecos, ya que si la avalancha de huecos es mayor, la conduccin
se extiende a todo el ctodo ms rpidamente. El inconveniente de esta tcnica reside en el
aumento del consumo del circuito de puerta, ya que es ste el encargado de suministrar la
corriente.
Sin embargo, mediante el empleo de un tiristor secundario o piloto, puede conseguirse una
corriente de puerta elevada sin necesidad de aumentar la potencia del circuito de puerta. Es
ms, a menudo dicho tiristor piloto se presenta integrado en la misma oblea que el tiristor
auxiliar (figura 5.23).
Otra forma de conseguir aumentar el rea inicial de conduccin es mediante una disposicin
(layout) de terminal de puerta distribuido. Con esta disposicin, la periferia ctodo-puerta
aumenta con respecto a la de su disposicin habitual. Cuanto mayor sea el permetro de la
puerta, mayor es la zona del ctodo prxima a la puerta y, por tanto, mayor la zona de la oblea
donde comienza la conduccin.
Por otro lado, el empleo de un layout con terminal de puerta distribuida disminuye el tiempo de
apagado del tiristor. As, si se consigue que haya una corriente de puerta negativa en el
momento de apagar el tiristor, el exceso de portadores se elimina ms rpidamente, dejando
antes de conducir. La figura 5.24 muestra la forma de conexin del tiristor piloto para lograr el
doble objetivo de aumentar el rea de la pastilla donde comienza la conduccin y disminuir el
tiempo de apagado del mismo.
104
105
El valor de Rsnubber debe ser lo suficientemente grande como para limitar la corriente que pasa
por T en el momento en que ste entre en conduccin, ya que por l no slo circular la
corriente procedente del condensador, sino tambin la que le llega a travs del circuito de
potencia. Sin embargo, un valor de Rsnubber muy elevado provocara un aumento de la tensin
vAK excesivamente lento que perjudicara al circuito de potencia. Por ello, resulta conveniente
el empleo de un diodo D en paralelo con una resistencia R1 segn alguna de las
configuraciones mostradas en la figura 5.26. Por otro lado, el valor del condensador C snubber
debe ajustarse de forma tal que cumpla que la derivada de tensin dv AK/dt sea menor que la
mxima especificada por el fabricante.
5.11.2 SNUBBERS PARA EL CONTROL DE di/dt
Para evitar que al entrar en conduccin el tiristor la corriente que circula por l crezca muy
rpidamente y originen puntos calientes que provoquen la destruccin del semiconductor, se
conecta en serie con el tiristor una inductancia. El valor de L debe elegirse de forma tal que
cumpla que la derivada de intensidad di/dt sea menor que la especificada por el fabricante.
Sin embargo, esta configuracin, adems de limitar la velocidad de aumento de la corriente
el proceso de encendido (que es el objetivo que se persigue), tambin limita la velocidad
disminucin de la misma en el proceso de apagado. sto ltimo puede resultar
inconveniente. Para evitarlo, resulta apropiado emplear el circuito de proteccin que
presenta en la figura 5.27.
en
de
un
se
106
5.12 GTO
En muchos aspectos, los tiristores pueden considerarse como interruptores ideales en
aplicaciones de electrnica de potencia. As, pueden bloquear grandes tensiones directas o
inversas cuando estn apagados y conducir grandes corrientes con una cada de tensin de
unos pocos de voltios cuando estn activados. Adems, se puede controlar su encendido a
travs de una seal de control aplicada por el terminal de puerta.
Sin embargo, el gran inconveniente de los tiristores es la imposibilidad de regular el momento
de apagado a travs de una seal de control adecuada. Para poder incluir esta capacidad se
requieren realizar ciertas modificaciones en el diseo de los tiristores. A continuacin se
describen la estructura y el modo de funcionamiento de estos tiristores con la capacidad de
apagado mediante la aplicacin de una seal de control por el terminal de puerta y que reciben
el nombre de GTOs (Get Turn Off Thyristors).
5.12.1 ESTRUCTURA BSICA DE UN GTO Y CURVA CARACTERSTICA
Los GTOs surgen de la necesidad de disponer de un dispositivo que, funcionando de igual
forma que un tiristor, permitiera su apagado mediante el suministro de una corriente negativa
por el terminal de puerta. Esta posibilidad se logra al modificar la geometra de la zona de
puerta de forma tal que la influencia de sta sobre el resto de la pastilla es mayor que en el
tiristor convencional. Para ello, se ramifica el ctodo por gran parte de la zona de puerta,
quedando los terminales de puerta y ctodo altamente interceptados. As, cuando se polariza
inversamente la puerta se extrae ms fcilmente los portadores que saturan la unin de control,
cesando el proceso regenerativo que mantiene el estado de conduccin.
La figura 5.28 muestra la seccin vertical de un GTO. ste mantiene la estructura bsica de
cuatro capas del tiristor, aunque el ancho de la capa P2 es generalmente algo mayor en ste
ltimo que en el GTO.
107
108
(5.36)
(5.37)
(5.42)
UNCP- FIEE Dr. Ing. B. Senz Loayza
109
(5.43)
No ofrece una respuesta simple de cunta corriente negativa de puerta es necesario aplicar
para apagar un cierto valor de corriente de nodo, debido a que la ganancia de los
transistores es funcin de la corriente del emisor IE, y por tanto de IA.
Para conseguir valores grandes de la ganancia de apagado, 2 debe hacerse tan prxima a la
unidad como sea posible, de la misma forma que 1 debe acercarse a cero. De esta forma se
siguen manteniendo las caractersticas deseadas de pequea cada de tensin en conduccin
y bloqueo de grandes tensiones en estado de apagado. Como el parmetro de cada
transistor es funcin de la geometra del mismo (=f(W/L)), en la construccin de un GTO la
profundidad de las capas es diferente de las de un tiristor convencional, as como la cada de
tensin que soporta, que es ligeramente mayor en aqul que en ste.
5.12.3 CARACTERSTICAS DE DISPARO DE UN GTO
Consideraciones en el encendido Como consecuencia de la geometra de un GTO,
considerado como un tiristor convencional con un nodo y muchas islas ctodos, al encenderlo
mediante un impulso positivo de puerta se inyectan huecos h+ en muchas zonas del mismo. De
esta forma, la conduccin comenzar en muchas reas de la pastilla al mismo tiempo,
creciendo la corriente de forma muy rpida, esto es, la derivada de intensidad di/dt resulta
elevada.
As, si este valor es demasiado grande en ciertos puntos de la pastilla, el GTO puede destruirse
por sobrecalentamiento. Se requiere, por tanto, proteger al GTO contra grandes derivadas de
corriente, para lo que se emplean los Snubbers de encendido.
Encendido de un GTO
Al igual que ocurre con un tiristor convencional, para llevar a cabo el encendido de un GTO es
necesario aplicar una determinada corriente entrante por la puerta. Sin embargo, en el
encendido de un GTO la corriente mxima por la puerta I GM y la velocidad de variacin de dicha
corriente al principio de la conduccin deben ser lo suficientemente grandes como para
asegurar que la corriente circula por todas las islas ctodo (figura 5.31). Si esto no fuese as y
slo algunas islas ctodo condujeran, la densidad de corriente en estas islas sera tan elevada
que el excesivo calentamiento en zonas localizadas podra provocar la destruccin del
dispositivo.
110
Del mismo modo, como muestra la figura 5.31, se requiere mantener una pequea corriente i G
durante todo el tiempo que se desee que el GTO conduzca, y evitar as que alguna isla se
apague de modo accidental. Si la corriente de puerta se hace cero una vez que el tiristor ha
entrado en conduccin y la corriente que circula desde el nodo hasta el ctodo (y que
depende del circuito exterior) disminuye lo suficiente, algunas islas ctodos podran dejar de
conducir. De igual forma, si por accin del circuito exterior la corriente de nodo volviera a
aumentar slo conduciran aquellas islas ctodo que no se apagaron. La densidad de corriente
de estas islas es muy alta y el excesivo calentamiento, localizado en algunos puntos, podra
destruir al GTO.
Consideraciones en el apagado Al comenzar a circular corriente positiva por la puerta, la
corriente de nodo a ctodo se concentra en las zonas situadas entre los terminales de puerta,
aumentando la densidad de corriente en estas zonas (figura 5.32). De esta forma, el GTO no
comienza a apagarse hasta que la corriente de nodo a ctodo ha quedado reducida a
pequeos filamentos entre los terminales de puerta. Entonces la tensin vAK, hasta entonces
muy pequea al estar el GTO en funcionamiento, comienza a aumentar. Como la gran
densidad de corriente que circula por estos pequeos filamentos podra ocasionar su
destruccin, se utiliza un condensador Snubber en paralelo con el GTO, que ofrece a la
corriente un camino alternativo por donde circular. As, cuando vAK comienza a aumentar el
condensador comienza a cargarse, por lo que parte de la corriente que circulaba por el GTO lo
hace ahora por el condensador.
Como consecuencia de que al apagar un GTO la corriente que circula desde el nodo hasta el
ctodo se concentra en las zonas entre los terminales de puerta, la corriente de puerta debe
circular lateralmente en la capa P2 (figura 3.31). Esta circulacin lateral de corriente provoca la
aparicin de una cada de tensin lateral denominada vL desde la zona de ctodo, donde se
concentra la corriente de nodo a ctodo, hasta la zona de terminal de puerta.
Si vL se hace lo suficientemente grande (tpicamente 10 V), la unin J3 podra entrar en ruptura
por avalancha. Si sto ocurriese, un aumento de la corriente de puerta se desplazar hacia la
zona de avalancha de J3, lo que no contribuye al apagado del GTO.
Por ltimo, observar que la corriente de puerta negativa que se emplea para apagar un GTO se
encuentra limitada por la relacin entre IG e IA segn OFF:
111
(5.44)
Apagado de un GTO
En un GTO, la ganancia de corriente de apagado OFF es pequea, oscilando entre los valores
de 3 a 5. Afortunadamente, esta corriente en el circuito de puerta slo se requiere durante un
tiempo pequeo. A continuacin, se detalla el funcionamiento del circuito de la figura 5.33 y que
representa el apagado de un GTO provisto de Snubber. Las formas de onda de la tensin v AK,
as como de las intensidades iG e iT se muestran en la figura 5.34.
112
113
Por otro lado, al cortocircuitar P1N1, la tensin en la unin J1 vale cero, por lo que al someter al
GTO a bloqueo inverso toda la tensin cae en J3. Como esta unin est muy dopada es capaz
de bloquear menos tensin inversa que los GTOs convencionales.
5.13 El TRIAC
Debido al auge alcanzado por los tiristores en la electrnica de potencia, comenz a
investigarse sobre otro tipo de tiristor para la conduccin controlada en circuitos de corriente
alterna. De esta forma nace el triac (TRIode AC semiconductor) capaz de bloquear tensin y
conducir corriente en ambos sentidos entre los terminales T1 y T2 (debido a su carcter
bidireccional desaparecen los trminos de nodo y ctodo). Su estructura bsica, smbolo y
curva caracterstica aparece en la figura 5.36.
El triac es un componente simtrico en cuanto a la conduccin y estado de bloqueo se refiere,
ya que las caractersticas en el cuadrante I de la grfica v-i (figura 3.35) son iguales a las del
cuadrante III. Tiene unas fugas en bloqueo y una cada de tensin en conduccin
prcticamente iguales a las de un tiristor convencional. Adems, el hecho de que entre en
conduccin si se supera la tensin de ruptura en cualquier sentido lo hace inmune a la
destruccin por sobretensin.
Como se observa en la figura 5.36, la estructura de un triac tiene seis capas, aunque funciona
siempre como un tiristor de cuatro. En el sentido T2-T1 conduce a travs de P1N1P2N2, y en
sentido T1-T2 lo hace a travs de P2N1P1N4. La capa N3 facilita el disparo con intensidad de
puerta negativa. Lo complicado de su estructura hace que soporte menos derivada de tensin e
intensidad, y posea una menor capacidad para soportar sobreintensidades.
114
115
116
5.14.2 El diac
El diac no es realmente un semiconductor de potencia, ya que no aguanta grandes corrientes ni
tensiones. Es un componente de dos terminales que permite la conduccin en ambos sentidos
una vez que se ha sobrepasado cierto umbral de tensin entre los terminales A1 y A2. La figura
3.37 muestra la estructura, smbolo y curva caracterstica del diac.
117
la disminucin del tiempo de apagado, los GTOs con cortocircuito de nodo aguantan muy
poca tensin inversa.
En general, los tiristores se emplean a niveles de potencia elevados, cuando se requiere que
circule una gran corriente y cuando se necesite aguantar una gran tensin. Los transistores son
empleados a niveles ms bajos de potencia y cuando la frecuencia de conmutacin es mayor.
La tabla 3.1 muestra las caractersticas principales de los distintos tipos de tiristores y
transistores de potencia.
5.16 REFRIGERACIN DE SEMICONDUCTORES
Las prdidas de potencia que se producen en un semiconductor durante su funcionamiento se
deben evacuar de forma conveniente para que la temperatura del cristal se mantenga por
debajo del mximo permitido. Por ello, los semiconductores se montan sobre elementos
disipadores encargados de transportar ese calor al ambiente. As, el calor fluye del cristal a la
cpsula y de sta al disipador en el medio refrigerante, normalmente el aire.
TABLA 5.1: Caractersticas de los transistores y tiristores de potencia.
118
(5.45)
Donde representa la resistencia trmica entre los dos medios ( oC/W) y T la temperatura en
grados centgrados.
En rgimen permanente puede establecerse una analoga elctrica en el comportamiento de un
semiconductor (figura 5.39).
Los valores de las resistencias trmicas jc y cs vienen dadas normalmente por los
fabricantes de semiconductores. Sin embargo, la resistencia trmica del disipador sa depende
de la aplicacin que se lleve a cabo y se obtiene a partir de la potencia perdida P para cierta
temperatura de ambiente. A partir del valor calculado de sa se selecciona el tamao y el tipo
de disipador con las tablas de datos suministrados por el fabricante. En general, los disipadores
se encuentran pintados de color negro para favorecer la componente de disipacin debida a la
radiacin.
Como la resitencia trmica cs entre la cpsula y el disipador depende de la calidad del
contacto que las une, se emplean para su conexin unas pastas especiales de elevada
conductancia trmica. Adems, los fabricantes suministran un valor ptimo de la fuerza de
apriete entre la cpsula y el disipador.
El esquema de la figura 5.39 resulta vlido, una vez alcanzado el rgimen permanente, al
someter el semiconductor a corriente continua. Sin embargo, si se somete al semiconductor a
una corriente pulsada, adems de las resistencias trmicas comienzan a influir las capacidades
trmicas. Aparece as el concepto de inercia trmica, que tiene en cuenta el tiempo que tarda el
cristal en calentarse y enfriarse (figura 5.40).
119
As, cuando en el tiempo t1 comienza a circular corriente de forma brusca por el dispositivo, la
temperatura de la unin no cambia de inmediato, sino que se produce un calentamiento
paulatino de forma exponencial (figura 5.40). Cuando en el tiempo t 2 deja de circular corriente,
la temperatura de la unin disminuye por extraccin del calor por conveccin.
Si se somete ahora al semiconductor a un tren de pulsos de corriente como indica la figura
5.41, al alcanzar el rgimen estacionario la temperatura de la unin se estabiliza entre los
valores de Tjmn y Tjmx. Si estos impulsos de corriente son de poca duracin, el valor de los
mismos puede ser grande ya que siempre existe entre ellos un tiempo suficiente para que el
dispositivo se enfre. Sin embargo, si la duracin de los mismos es elevada, los impulsos de
corriente a los que se puede someter el semiconductor deben ser de poca intensidad.
FIGURA 5.41: Variacin de la temperatura de la unin ante un tren de pulsos al alcanzar el rgimen
estacionario.
(5.46)
donde:
120
As, una forma cualquiera de potencia puede aproximarse a un conjunto de impulsos de igual
duracin siendo el valor de la amplitud de cada uno igual al valor instantneo de la potencia en
el centro del intervalo (figura 5.43). Por tanto, aplicando el procedimiento anterior se obtiene
que la temperatura al final del pulso n vale:
(5.47)
121
Bibliografa
[Aguilar07]
[Bonilla12]
[Mohan03]
[Pozo12]
[Rashid04]
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