Cuestionario 2

CUESTIONARIO 2
1. Explique las caractersticas fsicas de funcionamiento y de diseo de los

osciladores de resistencia negativa con Diodo Gunn.
2. Explique las caractersticas fsicas de funcionamiento de los osciladores
con Diodo IMPATT.
con transistores.
con Diodo IMPATT.
con resonador dielctrico
6. Explique las caractersticas fsicas de funcionamiento de los multiplicadores
con diodos Varactor y Step-Recovery (SRD).
7. Explique las caractersticas fsicas de funcionamiento de los osciladores de
potencia con Magnetron y Klistron.
8. Describa las diferentes tecnologas de generacin de microondas con
Semiconductores y Tubos al Vaco.
9. Explique el funcionamiento del Diodo PIN y sus aplicaciones.
Microondas
TEMA 5
Dispositivos Activos de Microondas II:
Osciladores
Quiz el dispositivo que ms importancia est cobrando en estos das: el oscilador. Su
cuidadoso diseo se debe a su gran influencia en la calidad final de todos los sistemas
heterodinos, que son la base de todos los sistemas de comunicacin y difusin que estn
funcionando en frecuencias de Microondas. Caractersticas como el ruido de fase y la precisin
son fundamentales a la hora de conseguir alcanzar todas las potencialidades que ofrecen las
modernas tcnicas de modulacin digital de las seales.
5.1
OSCILADORES DE MICROONDAS
Las tcnicas de diseo de osciladores de menor frecuencia son vlidas en el rango de las
microondas, siempre teniendo en cuenta dos detalles: 1) los dispositivos activos a usar sern los
especficos de estas frecuencias y 2) la ausencia de un elemento fundamental como es la bobina,
hace que se exploren otro tipo de estructuras que cumplan la funcin de oscilador.
Dentro de estas podramos citar los osciladores basados en dispositivos de Resistencia
Negativa: diodos Gunn y diodos Impatt, que basan su funcionamiento en su capacidad de
presentar una resistencia negativa efectiva en sus terminales, con lo que la teora de circuitos
dice que son capaces de generar energa en lugar de disiparla, como ocurre en las resistencias
normales. A estos osciladores, se los denomina como de 2 Terminales.
Si utilizamos los transistores MESFET, HBT y HEMT, estaremos ante los osciladores de
3-Terminales, que seguirn pautas de diseo similares a los de ms baja frecuencia, aunque
adaptndose a las frecuencias de microondas. Como sabemos, los dispositivos activos cambian,
pero tambin cambiarn los circuitos resonantes dando lugar, como ejemplo muy reconocible, a
osciladores basados en Resonadores Dielctricos (DRO).
De nuevo, y como en los amplificadores, si necesitamos generar una oscilacin de muy
alto nivel, cabr la opcin de generarla directamente con un tubo de Microondas, como veremos
en el ltimo apartado del captulo: el magnetrn y el klistrn de reflexin son ejemplos de ello.
Tambin, es evidente, podremos generar la oscilacin en baja seal y posteriormente
amplificarla con amplificadores de tubos.
Como una especificidad ms, estudiaremos un bloque funcional que nos posibilitar el
diseo de osciladores de milimtricas: el multiplicador, que como su propio nombre indica,
aprovecha la no linealidad en la respuesta entrada-salida de algn dispositivo, activo o pasivo,
para generar N-armnicos de la seal original y extraer en su salida el n-armnico deseado.
Todo lo que es comn a todos los osciladores se ha tratado con suficiente extensin en
Electrnica de Comunicaciones; simplemente vamos a enumerar cuales son las caractersticas
bsicas de un oscilador:
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5-1
Tema 5 Dispositivos Activos de Microondas II: Osciladores
Frecuencia de oscilacin, la de la componente fundamental
Potencia de Salida, la entregada a la carga slo a la frecuencia fundamental
Nivel de Armnicos, relacin en dB entre la potencia del armnico ms fuerte y la

potencia del fundamental
Fuente: www.home.agilent.com
5-2
Nivel de espurios, relacin en dB entre la potencia (mxima) de las frecuencias no

mltiplos de la fundamental y la de ste.
Rendimiento, Potencia de seal en la carga / Potencia en DC en %
Sintona (VCO), margen de frecuencias que recorre (barre) el oscilador al

modificar el circuito resonante
PULLING, variacin de la frecuencia al modificar la carga; se especifica para un

VSWR dado, normalmente 1,5 o 2
PUSHING, variacin de la frecuencia con la polarizacin
Diagrama de Rieke, contornos de frecuencia y potencia constante del oscilador

(funcin de la carga)
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Microondas
Fuente: www.burle.com/cgi-bin/byteserver.pl/pdf/s94600e.pdf
Espectro de Ruido AM y FM, pureza espectral de la seal en las cercanas de la

frecuencia de oscilacin.
Fuente: www.home.agilent.com
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Todas ellas son importantes, aunque segn sea la aplicacin a la que va destinado el
oscilador, habr que primar ciertas caracterstica sobre otras. Veremos, como ejemplo, las
especificaciones de un fabricante para un oscilador en frecuencias de Microondas, en los
apartados siguientes.
OTC-1C
OTC-2C
OTC-3C
Output frequency
range
1000 - 2000 MHz
2000 - 4000 MHz
4000 - 6000 MHz
Output power
+23dBm minimum
+16dBm minimum
+16dBm minimum
Output power
variation
3dB maximum over 3dB maximum over 3dB maximum over

frequency and
frequency and
frequency and
temperature
temperature
temperature
Phase noise
See graph
See graph
See graph
Harmonic output
-20dBc maximum
-20dBc maximum
-20dBc maximum
Voltage tuning range

(voltage tuning port
option only, 3 - 15
volts)
1% nominal
0.4% nominal
0.4% nominal
Frequency pulling
(1:5:1 VSWR all
phases)
0.1% maximum
0.05% maximum
0.05% maximum
Load VSWR
1.5:1 nominal
1.5:1 nominal
1.5:1 nominal
Frequency stability
(0 to 60C)
0.1%
0.1%
0.1%
DC power
requirements
+15 volts @ 150mA

nominal
+20 volts @ 150mA
nominal
+15 volts @ 150mA

nominal
+20 volts @ 150mA
nominal
+15 volts @ 70mA

nominal
+20 volts @ 70mA
nominal
Fuente: Miteq, Cavity oscillator, ModelOTC-1CM-134141-15P-AFC, www.miteq.com
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Estas caractersticas nos ayudan a dar una perspectiva, en forma de tablas, de los
principales tipos de osciladores que usamos en microondas, dejando fuera por ahora a los tubos,
que trabajan en otro rango de potencias de salida.
La 1, describe los osciladores segn el dispositivo activo usado:
Fuente: Curso sobre SUBSISTEMAS Y CIRCUITOS DE RADIOFRECUENCIA. Felix Prez y Javier Gismero. G.M.R. UPM.
La 2, segn la tecnologa usada en el circuito resonante:
Como siempre, estas tablas son de carcter orientativo para ver en qu margen puedo hacer
funcionar un determinado tipo de oscilador. La grfica siguiente es el resumen de un fabricante.
Fuente: www.millitech.com/pdfs/c3.pdf
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5.2
OSCILADORES DE RESISTENCIA NEGATIVA
Ya se vio en Electrnica de Comunicaciones algo de los dispositivos de resistencia

dinmica negativa en semiconductores, de forma que su caracterstica I/V, con una pendiente
negativa, apunta claramente a la posibilidad de generar seal a partir de la polarizacin de estos
dispositivos. Vamos a ver con algo ms de detalle los dos dispositivos ms usados en
microondas: los diodos Gunn e Impatt.
5.2.1 Osciladores Diodos Gunn: Efecto Gunn

El principio de funcionamiento del diodo es el denominado efecto gunn; para que se d
este efecto, el material semiconductor debe tener una propiedad clave: que tenga dos bandas de
energa muy cercanas en la banda de conduccin.
La informacin que se da en este sub-apartado est extrada de un muy didctico artculo:
The Gunn-diode: Fundamentals and Fabrication; Robert van Zyl, Willem Perold, Reinhardt
Botha, y los contenidos se reproducen con permiso de los autores. Tambin se han utilizado las
transparencias de Conceptos Bsicos de Materiales Semiconductores, gueda Arquero HidalgoDATSI, FI (UPM)
Ya sabemos que la estructura de bandas de energa cuantifica los niveles en los que la
probabilidad de que se encuentre el electrn es mayor. Son estructuras complejas, como se ve en
la figura para el AsGa, donde en el eje de abscisas tenemos el vector de onda k y en el de
ordenadas la energa (suma de cintica y potencial) en electrn-voltios de las bandas de valencia
y de conduccin.
El vector de onda k tiene la magnitud igual al n de onda k (2/) y la direccin la de

propagacin, en este caso la direccin de la transferencia de electrones entre diferentes bandas de
conduccin. Las direcciones en la estructura cristalina se denominan como L o (1, 1, 1), o (0,
0, 0) y X o (1, 0, 0), y las energas para que la partcula cambie de banda son diferentes segn sea
la direccin. Para ver el efecto gunn basta con fijarse en la banda de ms bajo nivel (E < 2eV),
que tiene tres valles diferentes, uno en cada direccin.
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En la siguiente grfica simplificada se ven los valles central y el satlite L. Entre ellos
est el gap de energa y se ha utilizado una aproximacin parablica para los perfiles de
energa. Este gap es la cantidad de energa que necesita un electrn para cambiar de estado desde
el valle al valle L. En nmero, en el AsGa este valor es = 0,36eV.
Con estas aproximaciones podemos pensar que los electrones, antes de desplazarse a otro
nivel por el aporte energtico externo, estarn situados en la mnima energa posible: en las
cercanas del fondo de los valles. En cualquier libro de estudio de la fsica de semiconductores
encontraremos que, el electrn sometido a la atraccin interna y a una fuerza externa en forma de
campo aplicado, se comporta como una partcula libre con masa efectiva m*, diferente de la
masa del electrn en el vaco.
De la ecuacin del movimiento de la partcula de masa m* en el medio cristalino, con
una energa potencial y cintica asociadas, se deduce que la masa efectiva es inversamente
proporcional a la concavidad de la curva de aproximacin parablica:
, donde h es la constante de Planck.

La conclusin es inmediata: un electrn en el valle central tiene una masa efectiva m *
menor que la masa efectiva m L* de un electrn en el valle satlite. En el AsGa esta relacin es
m L* ~ 5 m *. Es decir, que la energa necesaria para mover un electrn en el nivel ser
menor que la correspondiente al nivel L. Por tanto la movilidad ser menor en el nivel L.
Podemos ver el resultado de una simulacin en la que se pone de manifiesto como
aumenta la poblacin de electrones en el nivel L a medida que crece la aceleracin debida al
campo polarizador.
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Para un campo polarizador de 0,4MV/m aparece una poblacin significativa de

electrones en el nivel L.
Hemos dicho que la masa efectiva de los electrones en el nivel L ser mayor (5 veces en
el AsGa) que en el valle central, lo que har que en el valle satlite los electrones se muevan ms
despacio se reduce la velocidad media en L se reduce la movilidad se reduce la
corriente a pesar de haber subido el campo aplicado.
Y esto llevado al terreno macroscpico significa que un aumento de voltaje (proporcional
a E) ha producido una disminucin de la corriente (proporcional a la movilidad) es una
resistencia incremental negativa una Resistencia dinmica negativa alrededor de un punto de
trabajo.
Esto lleva a la conocida caracterstica I/V de este tipo de elementos, que se basa en la
relacin entre movilidad y campo elctrico, como hemos dicho; vemos en la grfica la relacin
entre la variacin de la velocidad relativa a la velocidad media en funcin del campo aplicado,
con la regin de Resistencia Diferencial Negativa (NDR en ingls) presente cuando el campo
polarizador supera ligeramente los 0,4MV/m.
Est clara la relacin con la curva I/V de un dispositivo de resistencia negativa.

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A los dispositivos de efecto Gunn tambin se los conoce como dispositivos de
transferencia de electrones, por el fenmeno explicado previamente, fenmeno bsico que
explica la utilizacin del diodo Gunn como oscilador.
Esa transferencia de electrones entre bandas de movilidad diferente la podemos provocar
simplemente superando con una polarizacin externa la tensin umbral VT, tal y como vemos en
la figura, para una muestra de semiconductor de AsGa, dopado uniformemente tipo-n. Y se
refleja en las grficas, cmo la aplicacin del campo produce los denominados Dominios Gunn:
1) si polarizo la muestra con un campo en la zona NDR, cualquier perturbacin local de la
densidad de carga que aparezca en t =t0 (debida por ejemplo a agitacin trmica local), producir
en las cercanas del ctodo una concentracin de dipolos como la de la figura.
2) la zona de trabajo hace que los electrones de A viajen a mayor velocidad que los de B con lo
que se produce un apilamiento de electrones que produce a su vez una zona contigua de carga
neta positiva se ha formado una zona dipolar.
3) esa perturbacin inicial viajar hacia el nodo acumulando mayor magnitud de campo debido
al aumento de diferencia de velocidad, tal y como corresponde a la zona de trabajo NDR.
4) se llegar a un punto estable, donde las velocidades de C y D sern iguales, e iguales a V1
ya se ha formado el dominio Gunn, que representa un aumento neto del campo en el interior del
semiconductor.
5) este dominio se absorber en el nodo y volver a generarse un nuevo dominio procedente del
ctodo el proceso sucesivo de generacin y absorcin de dominios da lugar a oscilaciones de
corriente en los contactos hmicos.
La frecuencia de las oscilaciones vendr dada, en primera instancia, por la distancia que
recorre el dominio para llegar al nodo en primera aproximacin ser la longitud L. Tambin
la magnitud del campo polarizador afectar a la frecuencia, al variar la velocidad de deriva del
dominio. Anotemos unos valores tpicos de un diodo Gunn y los resultados de una simulacin
para esos valores:
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La longitud L de la muestra es 5m, el dopado es de 1015cm-3 y la polarizacin de 5V,

dando lugar a un modo de oscilacin, llamado Gunn, de frecuencia aproximada de 25GHz = 1/
40ps.
Normalmente la eficiencia de este modo es muy baja y adems no tenemos la posibilidad
de controlar por separado magnitud y frecuencia de la oscilacin.
Ya podemos, a la vista de lo descrito, visualizar la curva caracterstica de trabajo de un
diodo de resistencia negativa:
Fuente: Foundation for Microwave Engineering. Second Edition. Robert E. Collin. Wiley-Interscience
Para conseguir el manejo de tensin y frecuencia de la oscilacin, insertamos el diodo en

paralelo con una cavidad en gua, o su equivalente, un circuito resonante paralelo, y lo ponemos
a trabajar en el modo denominado como LSA (Limited-Space-Charge), en el que ya podemos
conseguir varios vatios de salida y eficiencias del 20%. Valores muy vlidos como se ve, aunque
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a partir de 10GHz la potencia va bajando y se consiguen algunos miliwatts en las proximidades
de 100GHz.
Veamos un ejemplo concreto del diseo y construccin de un oscilador a diodo Gunn en
70GHz.
EJEMPLO 1: Vemos en primer lugar el perfil del dopado de la muestra de AsGa, con las
dimensiones principales, el circuito de aplicacin para la simulacin SPICE y los resultado para
V (t) e I (t). El oscilador genera alrededor de 140mW en 70GHz, con una eficiencia del 2,4%.
La formacin y desplazamiento del dominio Gunn lo podemos ver en la siguiente figura:
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La secuencia de la distribucin del campo a lo largo del diodo deja ver claramente que
existe una zona muerta en las cercanas del ctodo: en ella no se forman dipolos y es una
longitud no til para la emergencia del dominio Gunn ste se forma despus de un decalaje,
necesario para que los electrones cojan suficiente energa para ser transferidos al valle L.
La presencia de esta zona muerta resta eficiencia al oscilador, porque la longitud en la
que el dominio puede crecer se hace menor y esto conduce a una amplitud generada menor. Esto
es especialmente grave en frecuencias mayores a 30GHz, donde las dimensiones de unas pocas
micras hacen que la zona muerta sea casi del mismo orden. La optimizacin es evidente: se tiene
que dar la capacidad de que el dominio se genere los ms rpido posible, cerca del ctodo.
Si observamos el perfil de dopado, la presencia del estrechamiento busca la reduccin de
la zona muerta, porque una mayor concentracin de campo en el estrechamiento producir una
mayor aceleracin y una mayor rapidez en la transferencia de electrones al valle L. Hay otra
forma mejor de reducir la zona muerta: aadir una heterounin entre el ctodo y la zona activa
del diodo, de una longitud tpica de 50 nanmetros, con el objetivo de que los electrones
adquieran una mayor energa y se reduzca drsticamente la zona muerta.
En el citado artculo encontramos la descripcin del proceso de fabricacin del diodo
citado que resumimos en las grficas siguientes:
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Como vemos el chip del diodo resultante es de 0,4mm de dimetro; el encapsulado se

hace con dos piezas de cobre dorado, se une a la base con una resina epoxy conductora y a la
pieza superior con dos hilos de bonding de 25 micras.
Una vez el diodo fabricado y encapsulado, lo debemos acoplar adecuadamente a una
estructura resonante. Para ello debemos ser conscientes de la impedancia equivalente del diodo,
para poder adaptar correctamente el dispositivo al circuito.
5.2.2 Diseo y Aplicaciones Osciladores Diodos Gunn

Si operamos el diodo Gunn en el modo descrito previamente como LSA, el circuito
equivalente en la zona de inters (NDR) ser una resistencia negativa en paralelo con una
capacidad, y el valor de la resistencia negativa oscilar entre -5 y -20. Como vemos en el
ejemplo 1, el tpico circuito de aplicacin en parmetros concentrados, consiste en un circuito
resonante que carga al diodo y que se utiliza, tambin, para polarizar el mismo.
La condicin de diseo que se suele utilizar para los osciladores es que la combinacin de
las dos resistencias en paralelo, - R Rd / (R-Rd), sea de valor negativo, de forma que el conjunto
pueda funcionar como un generador de seal. Para ello se suele utilizar el criterio de que la
resistencia de carga sea alrededor de un 20 % mayor que la del diodo.
En la aplicacin real, el circuito resonante suele ser una cavidad rectangular, un tramo de
gua cortocircuitada:
Fuente: Foundation for Microwave Engineering, Second Edition. Robert E. Collin. Wiley-Interscience
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En primera aproximacin, recordamos que la impedancia de onda de una gua rectangular

tiende a ser alta y, por tanto, tendremos que adaptar la estructura de alguna forma para
adaptarnos al valor recomendado, R = 1,2 *Rd. Lo vemos en la figura en forma de diafragma
inductivo. La cavidad se ajusta en frecuencia con un cortocircuito ajustable (si es necesario un
ancho de banda grande) y, sino, el tornillo puede realizar la funcin de ajuste fino.
El montaje del diodo se realiza entre la gua y un poste conductor, aislado de la gua de
forma que posibilita la polarizacin del diodo. El aislante evita el cortocircuito en continua y
adems da camino a la seal para cerrar el circuito RF. La polarizacin tpica suele ser de +12v.
Otra estructura para realizar el oscilador en gua es:
Aqu la adaptacin se realiza por medio de transformadores de /4, el resto es lo mismo.

Por ltimo, podemos fcilmente aadir un 2 dispositivo, en este caso un varicap, con la
idea de variar la frecuencia de resonancia de la cavidad y hacer un control electrnico de la
resonancia del mismo. Incluso, si la tensin de control del varicap es una seal de baja
frecuencia, su efecto ser modular en frecuencia el oscilador gunn.
Veamos las caractersticas de un diodo comercial y de un diseo realizado con l.

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EJEMPLO 2: Diseo de un oscilador variable mecnicamente con Diodos de la familia MA
49000, en la banda X:
Fuente: www.macom.com
Vemos la foto del encapsulado tipo 30, que corresponde al diodo MA49156 utilizado en el
diseo posterior. El ejemplo est extrado del siguiente documento educativo:
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Una vez elegido el componente y su encapsulado deberemos prestar especial atencin a

dos aspectos: el control/regulacin de la tensin de alimentacin, no debiendo superar los lmites
de polarizacin del diodo, y la correcta disipacin del calor generado.
Para lo primero deberemos prestar atencin a los Maximun Ratings y a las caractersticas
del diodo (en este caso es de un diodo similar (~ equivalente de otro fabricante):
X Band Gunn Diodes (Specifications @ 25C)

Operating Current
Part
Number
Frequency 1
(GHz)
Min. Power
MG1005-11
9.0-11.0
(mW)
Operating
Voltage
Typ.
(mA)
Min.
(mA)
Max.
50
10
200
400
Package
Outline3
M11
Fuente: www.mdtcorp.com/
Si calculamos el rendimiento del diodo, es de aproximadamente 50 / (10 x 200) 2,5%,

cifra que ya dijimos era tpica de estos diodos. Normalmente, lo que hacemos es utilizar un
circuito limitador externo para la alimentacin del diodo de forma que lo protejamos de
tensiones superiores que lo puedan destruir un tpico circuito con regulador puede valer:
Fuente: X-Band Microwave Jun Oscillator for Educational Purposes; J.M Zamanillo, C. Perez Vega, J. Saiz-Ipia, M.A. Solano
En cuanto a la gestin de la temperatura, deberemos tener en cuenta las indicaciones del

fabricante:
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Fuente: GaAs Gunn diodes, obsoletos de www.macom.com
Como vemos, la limitacin est en que la temperatura interna del semiconductor AsGa no
debe superar los 260C. Para ello, veamos lo que dice un fabricante:
Gunn Diode Mounting Precautions:
The Gunn diode is a power generating device with a relatively low efficiency-about 2-5%.
Consequently, considerable power is dissipated. Although, MDT Gunn diodes are designed with
a long term reliability in mind (with an MTTF in excess of 106 hours at an active region
temperature of 260 C) and their construction, by design, rugged, still an adequate heat sinking
is essential to keep the active region temperature within the prescribed limit.
The heat sink material must have a high thermal conductivity. Materials like OFHC copper
(k=3.9 W/ C/cm) are suitable. If the package is threaded, then a sharply tapped heat sink may
be used with the diode screwed into the heat sink with a torque of not more than 6in-oz (4.5 cmnewtons) to prevent damage to the threads.
A vise-like holder should prove adequate for a diode with a prong. Or, the diode may be
soldered in the heat sink. If the diode is soldered into the heat sink, then the case temperature
must not be allowed to exceed 225 C in a non-operating condition.
Fuente: GaAs Gunn diodes, obsoletos de www.macom.com
Por tanto, conociendo la resistencia trmica entre semiconductor y encapsulado, podemos

controlar que la temperatura del semiconductor no supere el valor indicado. En cuanto al diseo
de RF, tenemos dos reglas que aplicar:
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1. Como cavidad resonante, sabemos cul es la frecuencia de resonancia en funcin de las

dimensiones de la misma (ver tema 2). Por lo tanto para una gua dada (a x b) y una
frecuencia de resonancia dada, sabremos a qu distancia L hemos de colocar el
cortocircuito terminal de la gua, para el modo principal TE101.
2. La distancia del diodo al iris de acoplo se suele tomar como g/2.
Vemos los resultados para un oscilador variable mecnicamente (modificando la posicin
del cortocircuito), montado de manera flexible de forma que podemos sustituir/montar el diodo
fcilmente - en una gua WR-90 para a = 22,86 mm y b = 10,16mm, en 12GHz g = 29,979
30 mm y la frecuencia de resonancia ser, para el modo resonante TE101:
f rTE101
c
=
2

+ = 9,25GHz , para L =22,86mm = a
a L
El dispositivo montado, en seccin, lo vemos con un conector BNC utilizado para

inyectar la alimentacin de manera fiable mecnicamente.
Los resultados experimentales del oscilador:
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, corroboran un buen funcionamiento a partir de L = 30mm apenas tenemos variacin de la

frecuencia. La amplitud de algo ms de +0dBm y el Ruido de fase completan las medidas:
Como vemos es un oscilador de muy buena calidad, que tiene aplicaciones extenssimas
en frecuencias de microondas, teniendo en cuenta que tambin es posible implementarlo en su
versin microstrip, usando, por ejemplo, un resonador cermico en lugar de la cavidad en gua.
Una de las ms conocidas es como SENSOR VOLUMTRICO es en realidad un detector de
presencia que utiliza el efecto doppler de un sencillo oscilador gunn en 10GHz, en gua abierta,
para fabricar una sencilla, pero eficiente, alarma.
El inconveniente de estos osciladores puede ser el escaso nivel y la dependencia con la
temperatura si no controlamos correctamente los materiales metlicos y el diodo que empleamos
en la implementacin. Para optar a niveles mayores de potencia de salida, utilizando el mismo
tipo de estructuras en cavidades, se suele usar otro dispositivo: el diodo IMPATT, que ya lo
hemos visto en las tablas iniciales, por el contrario, tiene un peor comportamiento en ruido.
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5.2.3
Osciladores Diodos Impatt
IMPATT: IMPact Ionization Avalanche Transit Time, es otro tipo de dispositivo, esta
vez s, realmente un diodo como tal porque su construccin se basa en la tpica de una unin p-n
y en un fenmeno bien conocido en los diodos: el fenmeno de la avalancha, que se da en las
cercanas de la tensin inversa de ruptura los diodos zener utilizan esa zona de polarizacin
inversa para estabilizar las tensiones o actuar como limitador.
Recordemos la caracterstica corriente-voltaje de un diodo y dnde esta la zona de
ruptura:
Fuente: la Red
Fuente: Microwave Solid-State Circuits and Applications. Kai Chang. Ed. Wiley-Interscience
La zona de ruptura es en la que se produce la corriente de avalancha, un rapidsimo

incremento de la corriente inversa cuando la polarizacin del diodo supera la tensin umbral. En
el caso del diodo IMPATT, las estructuras de dopado pueden ser variadas, aunque la ms
conocida es la del diodo Read, denominado as en honor de la persona- W. T. Read - que hizo la
prediccin en la que se basa el diodo: si la seal RF causa que la polarizacin del diodo
sobrepase la tensin de ruptura, la corriente de avalancha generada estar 90 desfasada
respecto a la tensin RF.
Esto a su vez implicaba que, en esa zona, el diodo deba presentar una resistencia
dinmica negativa y, por tanto, ser til para generar oscilaciones en frecuencias de microondas.
Recordar que es caracterstico de todos los fenmenos de resonancia, que las energas magntica
y elctrica se intercambian entre s mientras dura la oscilacin y esto implica un desfase de 90
entre tensin y corriente.
Veamos la estructura del diodo Read para poder explicar cualitativamente su uso como
oscilador:
Fuente: Fuente: Microwave Solid-State Circuits and Applications. Kai Chang. Ed. Wiley-Interscience
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Como vemos, la estructura del diodo es algo ms compleja que una simple unin p-n, de hecho
al diodo Read se le denomina tambin como p+ n i n+ por su perfil de dopado. Cuando nos
acercamos a la tensin de ruptura con la tensin inversa DC V, y superponemos un voltaje RF
podemos entrar en la zona de ruptura, donde se produce rpidamente una generacin en
avalancha de mltiples pares electrn hueco en la unin p+ n.
Es lo que se ve en las dos grficas asociadas de la figura anterior: se divide el diodo en
dos zonas o regiones principales, a) la regin de avalancha, pequea zona en el interior de la
capa n, donde el campo elctrico interno es intenso y se produce una alta probabilidad de que se
generen pares electrn-hueco por centmetro; es el ratio de ionizacin . b) la regin de deriva o
drift region donde el campo es bajo y los electrones viajan hacia el terminal unido a n+,
polarizado positivamente y al que llegarn tras un tiempo denominado tiempo de trnsito.
De nuevo, como en los diodos Gunn, tenemos un fenmeno de desplazamiento de carga
en el seno del semiconductor, que puede dar lugar a la generacin de una resistencia negativa
equivalente. Para que esto se produzca, hemos dicho que debe haber un desfase de 90 (o mayor)
entre tensin y corriente RF. Habr frecuencias en que la suma de tiempo de generacin de la
avalancha + tiempo de trnsito, producirn ese desfase.
Como en lo visto para los diodos Gunn, los diodos IMPATT se colocan en paralelo con
un circuito resonante - sea gua, microstrip, o coaxial - para que el ruido de ste comience a
producir una excitacin RF inicial, que amplificada por la resistencia negativa del dispositivo
termine por generar oscilaciones estables. Por tanto, los circuitos de aplicacin de los diodos
IMPATT sern muy parecidos a los vistos en el apartado anterior.
En cuanto a la polarizacin, obviamente la cosa cambia pues estamos ante una
polarizacin inversa, aunque como antes lo que haremos es seguir las indicaciones del fabricante.
En cuanto a las propiedades de los osciladores IMPATT, queda claro que el propio mecanismo
de generacin de la oscilacin, el efecto avalancha afectar negativamente a uno de los factores
importantes: el ruido. Como hemos visto en la tabla del inicio del captulo los osciladores
IMPATT son ms ruidosos que los Gunn. Por el contrario su ventaja es que producen mucho
ms nivel.
Existen muchas variaciones de los diodos IMPATT, caracterizadas por sus diferentes
perfiles de dopado. Las ms conocidas, son los diodos conocidos como TRAPATT (p+ n n+) y
BARRIT (p+ n p+). Para el estudio definitivo de este tipo de dispositivos, deberemos tener en
cuenta que la magnitud de la seal generada no permite suponer que el rgimen de trabajo es de
pequea seal. Al contrario, el rgimen es de gran seal, y por tanto su estudio depender del
nivel de seal en el que se trabaje.
Veamos las caractersticas de un diodo real.
CW IMPATT Diodes
(Specifications @ 25 C)
Part
Number
Fop
(GHz)
Po
Min.
(W)
VBR
@
1mA
(V)
CT @
Vop
0V
Typ.
Typ.
(V)
(pf)
Iop
TYp.
(A)
Eff.
Min.
(%)
Max.
C/W
Pkg.
Style
MI5022
9.510.2
3.5
30
20
0.43
20
12.0
M-18
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50
5-21
Fuente: www.mdtcorp.com/
5.3
OSCILADORES CON TRANSISTORES
El diseo de osciladores con transistor se puede enfocar usando cualquier estructura

estndar como las que se han visto en Electrnica de Comunicaciones, tales como los circuitos
Colpitts, Hartley o Clapp. Eso s, tendremos que usar dispositivos activos y pasivos adecuados
para las frecuencias en las que estamos. De todas formas no suele ser lo ms habitual,
precisamente por el mal (o indefinido) comportamiento de los elementos discretos, pensemos por
ejemplo en las bobinas de los circuitos tanque.
Por tanto se pueden utilizar las estructuras pero cambiando componentes por lneas y
circuitos tanque por resonadores vlidos en microondas. De hecho uno de los tipos de oscilador
ms utilizados en microondas son los que utilizan un Resonador Dielctrico en la parte de
entrada o salida del circuito y como parte de la Red de Realimentacin. Con esto se consigue una
gran estabilizacin de la frecuencia de oscilacin.
Hay otro enfoque posible: el de buscar la inestabilidad en los amplificadores, vistos como
cuadripolos con redes de adaptacin de entrada y salida como en el Tema 4. En los
amplificadores pretendamos estabilizar el funcionamiento de los dispositivos activos, pero
citbamos la existencia de zonas de la Carta de Smith cuyos coeficientes de reflexin hacan
potencialmente inestables a los mismos.
Parece evidente que, si queremos realizar un oscilador con transistores MESFET, HBT o
HEMT, intentemos aprovechar esas zonas para conseguir que el dispositivo oscile de una manera
estable y una de las formas ms fciles que hay de aumentar esa inestabilidad es aadiendo una
reactancia en serie con el emisor o la fuente del dispositivo.
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Microondas
Tambin vimos en su momento, que en los amplificadores condicionalmente estables,

tenamos cargas determinadas (zonas en la Carta de Smith) que hacan que el coeficiente de
reflexin de entrada fuera mayor que 1 dicho de otra forma, la Resistencia de entrada sera, en
este caso, negativa de nuevo la condicin de circuito equivalente de un oscilador.
Visto en diagrama de bloques:
Fuente: Microwave Engineering. David M. Pozar. Jon Wiley & Sons, Inc.
En este caso la entrada del dispositivo activo la vemos como el circuito sintonizado o
carga del oscilador y la salida se termina en una carga adaptada o terminacin.
Ya sabemos que la condicin de arranque y estabilizacin de la oscilacin en un circuito
de resistencia negativa es:
ZL + Zin = 0 RL + Rin =0 y XL + Xin =0 y que estas condiciones llevan a la
conclusin de que, en esa situacin, L = 1 / in.
Adems, si queremos que la oscilacin se mantenga, nos convendr trabajar con circuitos
resonantes de alta Q.
Visto que la condicin de oscilacin RL + Rin =0 se ha de alcanzar en la zona estable de
oscilacin y que la Rin se vuelve menos negativa a medida que aumenta la oscilacin, elegiremos
un valor de sta que sea compatible con esa evolucin.
Es decir que, inicialmente, haremos cumplir RL + Rin <0 y, concretamente, es tpico
elegir un valor del orden de RL = -Rin / 3.
Respecto a la parte imaginaria, obviamos su variacin con la corriente de RF, y lo
elegimos XL = - Xin. La condicin de oscilacin en la entrada, L = 1 / in, nos lleva a
relacionarlo con la condicin de oscilacin en la salida a travs de los parmetros S de un
cuadripolo (ver Tema 4).
Sustituyendo la condicin anterior en la ecuacin que relaciona coeficiente de reflexin
de entrada con el coeficiente de reflexin de salida (hacerlo puede ser un buen ejercicio),
llegamos a las siguientes conclusiones:
T out = 1 y ZT = -Zout la parte terminal del circuito oscilador tambin cumple las
condiciones de oscilacin lo cual nos lleva a la conclusin de que el acceso de salida del
oscilador los podemos considerar tanto en la zona de carga como en la zona terminal del circuito.
La nica salvedad a estos planteamientos tan elegantes es que los parmetros S que estamos
utilizando en el oscilador no pueden ser los de pequea seal, puesto que no es esa la condicin
de trabajo del oscilador: deberan ser los parmetros S de gran seal, datos que habitualmente no
son conocidos.
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5-23
Veamos un Ejemplo de oscilador en el que utilizamos un MESFET en configuracin de

puerta comn, con una pequea reactancia en la puerta para aumentar la inestabilidad.
EJEMPLO 3: Conocemos los parmetros S del dispositivo en fuente comn, en la frecuencia de
trabajo de 4GHz. Suele ser lo habitual. Aadimos una pequea bobina en la puerta, de valor
5nH, para inestabilizar el dispositivo. La red de salida adaptar a 50 ohmios y la entrada ser la
necesaria para causar la oscilacin.
Los parmetros S en fuente comn:

S11 = 0,72 / -116 | S21 = 2,6 / 76 | S12 = 0,03 / 57 | S22 = 0,73 /-54
, los tendremos que transformar a Parmetros S en puerta comn con una reactancia en serie.
Cmo hacemos esto? Tenemos dos opciones:
1. Procedimiento Analtico: estudiamos el transistor como una red tres-accesos general y a
partir de los parmetros 2-accesos de una configuracin determinada, pasamos a los
parmetros 3 accesos, y particularizamos para nuestra configuracin. Lo podemos ver
en la referencia [5.2], en el apartado 12.4.
2. Procedimiento computacional: utilizamos un simulador para extraer rpidamente los
parmetros S de la configuracin deseada a partir de los del dispositivo.
Hoy en da es habitual usar esta segunda opcin; si lo ejecutamos en ADS o
Ansoft Designer SV, tenemos:
, de forma que vemos que tanto el coeficiente de reflexin de entrada como el aislamiento
entrada/salida ha mejorado mucho para su aplicacin como oscilador. Calcularemos ahora el
crculo de estabilidad de la salida con las frmulas para centro y radio que dimos en el tema
anterior, por supuesto con los parmetros S.
, y como |S11| >1 la zona de coeficientes de reflexin de entrada que hace estable el
amplificador ser el interior del crculo; tenemos muchas opciones para elegir T, pero si
queremos un valor alto de in tenderemos a situarnos lejos del crculo que hace 1 el coeficiente
de reflexin de entrada. Lo vemos en la Carta de Smith. Por otro lado, sabemos que si elegimos
una posicin muy extrema para T ser difcil adaptarlo a una carga de 50, como estamos
pretendiendo. As, elijo un valor intermedio: T = 0,59 | -104, y adaptamos la impedancia
correspondiente, ZT = 20 - j 35, por medio de una lnea y un stub, como lo hicimos en los
amplificadores. Podemos utilizar www.amanogawa.com para calcular las lneas de adaptacin.
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T=0in>1, dado que S11>1
El coeficiente de reflexin en la entrada ser:
, y esto supone una impedancia de entrada Zin = -84 j 1,9 usaremos el criterio de Rin / 3
para hallar el valor del circuito de fuente:
Y el circuito completo ser el siguiente:
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Habra que prever que el resultado experimental se alejar algo de lo diseado, puesto
que los parmetros S utilizados son los de pequea seal y, por tanto, sern algo diferentes para
4GHz en condiciones de oscilacin real.
Por tanto, para tener una idea ms exacta de cul va a ser el comportamiento real del
oscilador, no nos quedar otro remedio que contar con los parmetros S de gran seal (o
medirlos) o utilizar los simuladores no lineales de que dispongamos. En el caso de ADS, cuenta
con una potente herramienta de anlisis no lineal que utilizaremos con el Modelo No Lineal del
dispositivo. Esto si que nos lo da habitualmente el fabricante.
Esa herramienta es el BALANCE ARMONICO, bsicamente una herramienta de anlisis
frecuencial que computa tensiones y corrientes en todos los nodos de un circuito, para una
cantidad determinada de tonos de entrada, con lo que se determina el estado estacionario en
modo no lineal.
5.3.1 DRO: Osciladores con Resonador Dielctrico

Los circuitos del tipo anterior adolecen de baja estabilidad en la oscilacin: cualquier
perturbacin externa, procedente del circuito de alimentacin o de la variacin de caracterstica
con la Temperatura, puede causar que cese la oscilacin. De hecho se puede demostrar que
cualquier dispositivo de Resistencia negativa, y cualquier oscilador presenta esa propiedad.
Como hemos visto, es mucho ms estable cuanto mayor es la Q de su circuito tanque (ver ref.
[5.1])
Las tablas del inicio del Tema ya nos esbozan cul es la situacin: los resonadores en
cavidad tienen muy buenas Q, pero un comportamiento malo, en general, con la Temperatura. Es
fcil entender que, al ser cavidades metlicas, la dilatacin propia de la cavidad va a hacer variar
fuertemente la frecuencia del oscilador. Por su parte, los resonadores en microstrip tienen los dos
inconvenientes y sern muy poco utilizados si queremos osciladores de calidad.
Por tanto slo nos queda una opcin que cumpla las dos condiciones de altas Q y buen
comportamiento con T: el oscilador con resonador dielctrico o DRO. Es muy utilizado adems
por su relativo bajo costo y su facilidad de integracin con un entorno de tecnologa planar, al
contrario que las cavidades.
En su momento (Tema2) ya vimos el comportamiento del resonador cermico en
conjunto con una lnea microstrip acoplada por cercana al mismo. Y citamos que el circuito
equivalente para la frecuencia de resonancia, era la lnea con un circuito RLC paralelo inyectado
a la lnea a travs de un transformador de relacin 1:N. Lo que nos llevaba a una expresin como
la siguiente para la impedancia equivalente del resonador vista desde la lnea:
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, donde Q = R/0L es el factor de calidad no cargado del circuito resonante paralelo equivalente,
0 es la frecuencia de resonancia, y = - 0. Ya citamos en el Tema 2 un mtodo mixto
terico-experimental para disear el conjunto resonador-lnea microstrip acoplada. Se trataba de
medir el coeficiente de reflexin visto desde la lnea de 50 terminada hacia el resonador, en la
frecuencia de resonancia.
En esa frecuencia sabemos que el coeficiente de reflexin ser:
, donde g es el denominado como factor de acoplo, que es por definicin:
, donde Qe es la Q externa del circuito resonante, que se defina como el factor de calidad debido
a la resistencia de carga, en este caso RL / N2, con RL = 2Z0 si la lnea est terminada en sus dos
extremos; es habitual dejar uno de los extremos de la lnea en abierto, para que coloquemos el
resonador a una distancia de /4 en un mximo de corriente y que el acoplo con el modo TE10
del resonador sea mximo. En este caso la RL =Z0 y el factor de acoplo g ser el doble de la
expresin anterior.
Bien, pues si medimos el coeficiente de reflexin en las proximidades de la frecuencia de
resonancia del conjunto lnea terminada-resonador podremos conocer la propia frecuencia, el
factor de calidad y el factor de acoplo, despejando la g de la frmula anterior:
El paso final sera extraer de las grficas al uso la distancia d en funcin de la Qe, como
en la figura 3.33 de la referencia [5.3]. A partir del modelo equivalente del resonador acoplado a
la lnea podremos pasar a los simuladores circuitales en los que tendremos que disear el resto de
variables del oscilador DRO.
En todo caso, las estructuras de DRO son mltiples, basadas en mltiples opciones de
configuracin de oscilador: TRT bipolares, MESFET, etc., en puerta o base comn, o fuente o
emisor comn, o colector o drenador comn. Adems tendremos la opcin de utilizar la
realimentacin serie o paralelo para el elemento resonador, tal y como vemos en la figura
siguiente:
Por tanto, las opciones de diseo sern mltiples.la ventaja de la realimentacin serie
es que es ms sencilla y, por tanto, ms fcil de analizar suponiendo que es un amplificador
inestabilizado, como hemos visto al comienzo del apartado. Vamos a verlo con un ejemplo.
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EJEMPLO 4: Se trata de disear un oscilador DRO con realimentacin serie, tal y como lo
vemos en la figura:
Hemos utilizado el criterio de la lnea en abierto para maximizar en /4 la interaccin

entre lnea y resonador. Tambin vemos que el circuito de adaptacin en la salida es del mismo
tipo que los ejemplos anteriores: lnea serie + stub paralelo. Tendremos que disear la distancia
al resonador, su separacin de la lnea y la red de salida.
La estructura es en emisor comn y conocemos los parmetros S en esa configuracin
para la frecuencia de diseo: 2,4GHz
S11
S12
S21
S22
1,8/130
0,4/45
3,8/36
0,7/-63
En este caso no utilizaremos los crculos de estabilidad sino que, directamente,

buscaremos un valor alto para el coeficiente de reflexin de salida eligiendo para ello un valor
adecuado de L.
Conocemos la expresin del coeficiente de reflexin de salida en funcin del coeficiente
de reflexin del circuito resonante y los parmetros S (de pequea seal, recordarlo!).
Si queremos hacer este coeficiente grande, basta con aproximar a cero el denominador
S11L 1 1,8/130 [|L |, arg (L)] 1 elegimos un valor de 0,6/-130 para L da un
valor de out = 10,7/132.
Ahora aplico el criterio de arranque de la oscilacin, igualando la suma de la impedancia
terminal y de salida a cero, con el factor 1/3 para facilitar el arranque y posterior mantenimiento:
out = 10,7/132
ZT = 14,56 j 6,1 ZT |50 = 0,29 j 0,122, que ser la impedancia normalizada a la que
tengo que transformar los 50 terminales. Es evidente que hay un error en el valor de esta
impedancia que aparece en el ejemplo 11.10 en el Pozar.
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Esto lo puedo hacer en carta de Smith, www.amanogawa.com, teniendo en cuenta que si

quiero hacerlo hacia el generador (es la nica opcin en AMANOGAWA) deber partir de la
compleja conjugada del valor de ZT.
Si lo hacemos en Carta de Smith podremos hacerlo yendo hacia la carga desde la ZT
conocida: primero paso a YT, luego viajo hacia la carga por coeficiente de reflexin constante
hasta el punto de cruce con el crculo de parte real 1, y elimino la parte imaginaria con el stub en
abierto.
La longitud del stub la puedo leer directamente partiendo desde el abierto de impedancia
(corto de admitancia que es como est la carta en este momento) yendo hacia el generador hasta
el punto de parte imaginaria que hemos deducido.
Intentar estos pasos manualmente en la Carta es un buen ejercicio.
Los valores que salen son: 0,4 para la longitud de la lnea y 0,35 para la longitud del
stub. La salida est pues adaptada a la condicin impuesta para el arranque y mantenimiento de
la oscilacin. Pasemos a la entrada: aqu debemos calcular la longitud hasta el resonador y la
separacin de ste de la lnea.
El primer criterio que utilizamos es: sabemos que el circuito equivalente del resonador en
resonancia visto desde la lnea es una impedancia con slo parte real (N2R) el ngulo de fase
del coeficiente de reflexin complejo en ese punto debe ser 0 o 180 en caso de resonador
subacoplado (g<1), se demuestra que la fase apropiada para es 180 se debe alcanzar esa
fase con la longitud lr. Por su parte la magnitud del coeficiente de reflexin no habr variado.
Ya hemos elegido un valor para L = 0,6/-130, por tanto:
Podemos leer directamente en la Carta la longitud de lnea que produce el desfase total de
310 longitud lr = 0,431. En la misma carta puedo leer que la impedancia real en ese punto
de coeficiente de reflexin es:
El coeficiente de acoplo ser, por definicin, la relacin entre esta impedancia

equivalente y la impedancia de la lnea, Z0 en este caso pues tenemos un extremo en abierto:
Aqu podemos acudir a las grficas especficas para saber cual es la distancia al
resonador que da este factor de acoplo depender del material y tamao del resonador, es
decir su Q, y de la Q externa. Ver grfica en pgina 116 de ref. [5.3].
Para terminar el ejemplo vamos a visualizar la variacin de la magnitud del coeficiente
de reflexin de salida en las cercanas de la frecuencia de referencia, lo que nos dar una idea de
la estabilidad de la frecuencia de oscilacin. Para hacer esto debemos utilizar la ecuacin del
inicio del ejemplo,
Con L puesto en funcin de L y ste en funcin de ZL, con las frmulas anteriores. A su vez
ZL ser la expresin de la impedancia equivalente del resonador:
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Con estas expresiones y una herramienta de clculo adecuada (Matlab, por ejemplo)
podemos visualizar como vara un parmetro crtico del oscilador, su out. Se ha de suponer que
en el pequeo margen de variacin de frecuencia la longitud de la lnea se puede considerar
como constante.
Est claro que con lo que hemos visto, la Q del resonador influir positivamente en la
selectividad de la respuesta del coeficiente, tal y como vemos en la figura:
La variacin es muy brusca en el rango de 1 o 2 % de variacin de frecuencia.

EJEMPLO 5: En este caso es un oscilador DRO, tambin realimentacin serie, para trabajar
como oscilador en la banda C, en 3.65GHz, con un nivel mnimo de +10dBm. Vamos a ver una
aproximacin terico-experimental al diseo del DRO. Este ejemplo est basado en el artculo:
, de la revista Microwave Journal Abril 2004.

Los pasos que se siguen habitualmente en el diseo de este tipo de osciladores son los
siguientes:
1. Eleccin del dispositivo activo debe ser capaz de dar la potencia exigida
2. Inestabilizacin del dispositivo habitualmente se trata de aadir una pequea
reactancia, o stub en abierto o corto, en el terminal comn del dispositivo activo con el
objetivo de maximizar los coeficientes de reflexin de entrada y salida
3. Maximizacin del coeficiente de reflexin de salida se busca la posicin del resonador
para ello.
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4. Bsqueda del plano de referencia ptimo es un punto en la lnea de salida en el que la

variacin de la Resistencia negativa con la frecuencia es mnima estabilidad
5. Adaptacin y comprobacin de la condicin de oscilacin se trata de adaptar la salida
a la carga terminal con un criterio de arranque y mxima estabilidad
En todos estos pasos es prcticamente obligatorio el uso de los simuladores, como vemos
en el ejemplo. El primer paso es la eleccin del dispositivo activo, que en este caso es el ATF10136 de Agilent, que como vemos tanto en frecuencia como en nivel parece un dispositivo
adecuado.
Fuente: http://www.avagotech.com/
Como vemos, tanto el rango frecuencial como la potencia de salida cumplen

sobradamente lo que necesitamos. Habitualmente el punto de trabajo en cuanto a potencia de
salida estar por debajo del P1dB si queremos conseguir bajo ruido de fase y bajos armnicos. En
todo caso, hay frmulas aproximadas que nos dicen cul es la potencia mxima de oscilador que
podemos obtener de los datos del dispositivo como amplificador (ver ref. [5.3]):
Posc
max
1 log G0
= Psat 1
G0
G0
, donde Psat es la potencia de saturacin (habitualmente 2 o 3dB por encima del P1dB; son 3,5dB
exactos en el caso de TRT bipolares) y G0 es la ganancia del amplificador en zona lineal. Si
utilizamos esta frmula con el ATF veremos que estamos sobrados para extraer los 10dBm que
nos piden supuesto P1dB igual para VDS =2V, IDS= 25mA-.
Para empezar con el diseo contamos con los parmetros S para el punto de polarizacin
recomendado para bajo ruido; es tpico elegir ese punto para trabajar como oscilador.
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GHz
Fuente: http://www.avagotech.com/
Vemos que el ATF tiene pinta de ser incondicionalmente estable en 3,65GHz y de hecho
as es si calculamos el factor K. Necesitaremos una realimentacin y al ser la configuracin
elegida para el DRO de realimentacin serie y el dispositivo en fuente comn, colocaremos una
reactancia (lnea en abierto) para aumentar la inestabilidad. Podemos analizar en un simulador
lineal el efecto sobre los coeficientes de reflexin de entrada y salida:
Una vez elegido el valor de los coeficientes de reflexin de entrada y salida en la zona
inestable, podremos abordar el diseo de la red de adaptacin de salida y de la lnea de entrada y
la posicin del resonador, como en el ejemplo anterior.
Previamente debemos elegir el resonador adecuado para la aplicacin. Lo habitual es
acudir a los fabricantes y dejarse guiar por su hoja de seleccin. En este caso la pieza es:
Fuente: www.murata.com
Vemos que el resonador es bastante voluminoso; 15mm de dimetro y 6,66 de altura,

como corresponde a la frecuencia relativamente baja en la que estamos trabajando.
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Una vez elegido el resonador y el transistor, se procede a definir el sustrato a utilizar y

tambin, en este caso, un separador para colocar entre el resonador y el sustrato. Este se suele
utilizar para evitar adherir con cola el resonador y as degradar su funcionamiento; en todo caso
estos separadores deben ser de constante dielctrica similar a la del sustrato y no introducir
prdidas apreciables en microondas.
La siguiente tabla representa los valores del modelo equivalente del resonador +
separador de 1,5mm y r =2,55, visto como una RLC paralelo y con un factor o coeficiente de
acoplo al que en este artculo y tambin en la referencia [5.3] se le denomina como equivale
al factor de acoplo g del que hemos hablado hasta ahora, basndonos en el Pozar. Los valores de
la tabla se han extrado con un simulador adecuado para estos resonadores dielctricos, tal y
como vimos en el Tema 2.
La grfica representa la simulacin del coeficiente de reflexin y del de

transmisin de la lnea de 50 a la que se acopla el resonador, para el caso de la separacin de
8,65mm. Recordar que la distancia es desde el centro del resonador al borde de la microstrip.
Como vemos el simulador dice que la frecuencia central es exactamente 3,65GHz.
Observar en la tabla que la Resistencia equivalente del resonador visto en la lnea es de
2Z0 = 100, dado que en este caso se ha elegido mantener la lnea acabada en 50.
Corroboramos por identificacin de valores que = g.
Gracias a este modelo equivalente, podemos ejecutar una simulacin circuital lineal, por
ejemplo en ADS, que ya nos dir si el oscilador puede al menos arrancar. Posteriormente
tendremos que pasar al simulador no lineal, con el modelo no lineal del dispositivo, para poder
conocer las prestaciones del oscilador en Potencia y Ruido de Fase. Veamos el circuito usado
para el anlisis lineal.
La posicin del resonador en la lnea se puede elegir con el mismo criterio que el ejemplo
anterior: maximizar el coeficiente de reflexin en la salida a partir de minimizar el denominador
de la expresin que obliga a acercar a 1 el producto de coeficiente de reflexin L por S11 en la
entrada del TRT. Luego tendr que buscar el desfase que debe suponer 0 o 180 enfrente del
resonador.
Una vez introducido el modelo no lineal del transistor, podemos hacer un anlisis no
lineal del circuito de forma que podamos simular el resto de caractersticas del oscilador. El
circuito de simulacin sera el siguiente:
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Como vemos han variado ligeramente los valores debido a optimizaciones que se han
hecho en la fase lineal de simulacin. Tambin se ha introducido la red de polarizacin que nos
pone las condiciones deseadas de 2 voltios, 25mA.
Los resultados de la simulacin ensean un oscilador de buena calidad, con 11.7dBm de
seal de salida, -120dBc/Hz a 100Khz. de Ruido de fase, fcilmente sintonizable con un tornillo
en un margen de 130MHz (3,5%), y unos armnicos a ms de 20dB por debajo; la frecuencia de
resonancia libre se nos ha desplazado a 3,578GHz por causa de las aproximaciones en el diseo
y en los cambios posteriores para optimizar seal de salida y ruido de fase. De hecho el punto de
colocacin del resonador y su distancia se han buscado experimentalmente con el criterio de
optimizar ambos parmetros.
El resto de caractersticas medidas son: pulling de 1930Khz. para variacin de carga

tpica, pushing de 125KHz (0,0034%) para 1 voltio de variacin en la tensin de alimentacin.
Adems se ha de corroborar que no existen otras oscilaciones parsitas debidas
exclusivamente al amplificador inestable: para eso, la mejor opcin es asegurar que eliminando
el resonador no se produce ninguna oscilacin. Es una prueba fcil de realizar en el transcurso
del desarrollo.
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5.3.2 Osciladores con Resonador DRO en realimentacin paralelo

Si utilizamos la realimentacin paralelo el diseo se complicar ligeramente puesto que,
con el mismo resonador, deberemos controlar dos distancias crticas simultneamente: las
distancias a las lneas de entrada y salida. Adems el dispositivo activo en esta configuracin
est funcionando como amplificador, con lo que el diseo se realiza de otra forma y podemos
funcionar con un amplificador, en principio, incondicionalmente estable. Esto asegurar la no
presencia de oscilaciones parsitas.
Por el contrario, los rangos de sintonizacin de esta estructura sern muy pobres y
tampoco ofrecer un gran nivel de salida.
Simplemente vamos a esbozar los pasos a seguir en el diseo, que se basan en la
distincin de dos cuadripolos en el circuito: el transistor y sus redes de adaptacin y la red de
realimentacin de la que forma parte el resonador.
1. Suponemos que el transistor va a estar adaptado en entrada y salida. Para ello
tenemos las redes de adaptacin en ambos terminales.
2. Estamos suponiendo adaptacin perfecta para el amplificador y un circuito

equivalente RLC paralelo para el resonador. El circuito de realimentacin tendr su
propia matriz de parmetros S.
3. Cuando conectamos las dos redes: a1 = b1, a2 = b2, b1 = a1, b2 = a2; tendremos la
matriz conjunta, cuyo anlisis lleva a la condicin de oscilacin del conjunto. Para
ello debemos suponer a1 0.
Si a1 0
4. El diseo consiste en hallar los valores de coeficientes de acoplo 1, 2, y longitudes

1, 2 que hagan cumplir esta condicin.
5. Primer paso Adaptacin del transistor: se adapta con redes sencillas lnea + stub,
como las que ya hemos usado, en banda estrecha y calculamos S21A, en mdulo y
fase
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6. Segundo Paso Calculamos longitudes y acoplos, para lo que tenemos esta

expresin de S12L, en resonancia, para el resonador acoplado a dos lneas terminadas
en Z0.
7. Si aplicamos la condicin de oscilacin:
Estas ecuaciones pueden tener mltiples soluciones, pero cogemos la que es simtrica
iguales longitudes y acoplos. Es un criterio muy utilizado tanto en Radio Frecuencia como en
frecuencias de microondas, porque da lugar a diseos de layouts mucho ms agradables
estticamente (pero no slo por eso) se acepta comnmente, en una norma emprica no
escrita, que los diseos con cierta simetra tendrn un comportamiento final mejor. Por tanto:
( /2)
ltimo Paso: se ha de buscar el plano en la salida en el que el oscilador tiene un mejor
comportamiento es decir en ese punto el oscilador equivaldr a una resistencia negativa
R D
mxima RD,
= 0 el coeficiente de reflexin de salida se ha optimizado luego se
adapta a un valor RD/2, para conseguir mxima potencia aadida.
Este tpico esquema suele dar osciladores de buena calidad, con un ruido de fase de
alrededor de 90dBc/Hz a 10KHz para una frecuencia de oscilacin de 7,2GHz. Tambin es una
solucin habitual en osciladores de LNB de recepcin de TV satlite.
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Microondas
5.3.3 DRO VCO: Osciladores VCO con Resonador Dielctrico

Una aplicacin muy extendida de este tipo de osciladores es el VCO de microondas:
colocando un varicap o varactor en serie con una lnea acoplada al resonador en el lado libre del
mismo, conseguimos sintonizar electrnicamente el conjunto. Los mrgenes de sintona suelen
ser del orden del 0,2% de la frecuencia central. Para el oscilador de 3,65GHz seran 7MHz,
aunque se puede aumentar aumentando el acoplo y un varactor de mayor recorrido.
Muchas veces el uso de este tipo de reactancias variables en paralelo cumple la funcin
de asegurar la exactitud de la frecuencia de oscilacin, formando parte de un lazo cerrado (PLL),
como es el caso de la figura. De hecho esta estructura de oscilador forma parte tanto del receptor
como del transmisor de una estacin de usuario VSAT, con los osciladores en las proximidades
de 11 y 13GHz respectivamente.
Una breve explicacin del funcionamiento del oscilador: la tensin de control junto con
el varactor hace variar la frecuencia de oscilacin un margen de +-5 a +- 10MHz. El objetivo es
compensar las variaciones del resonador con la temperatura. La tensin de control se genera en
un dispositivo del que veremos algn detalle en el apartado siguiente, un SPD o Sampling Phase
Detector es un multiplicador + detector de fase integrado que compara una referencia
multiplicada con el oscilador y da como resultado una tensin de control proporcional al error de
fase (su derivada ser el error de frecuencia) esa tensin de control, con el signo conveniente,
sirve para ejecutar la compensacin en el DRO.
Fuente: Transceiver VSAT VSA-111 obsoleto Ikusi s.a.
El inconveniente de este tipo de estructuras es que empeoran el Ruido de fase del

conjunto y, adems, el empeoramiento es mayor cuanto mayor es el recorrido del VCO mayor
peso del varicap en el conjunto. En la figura vemos la respuesta de un oscilador de estas
caractersticas para el caso de la parte de transmisin en el transceiver VSAT:
Vemos un ruido de fase del orden de 108dBc/Hz a 100Khz. El recorrido del VCO es de
20MHz. Si reducimos este a la mitad, tendremos 3dB de mejora hasta los 111dBc/Hz
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5-37
5.4
MULTIPLICADORES
Vamos a ver un tipo de dispositivo muy utilizado en frecuencias de microondas, donde

puede ser interesante partir de un oscilador de ms baja frecuencia, fcilmente sintetizable como
se ha visto en Electrnica de Comunicaciones, para despus multiplicarla por si misma: en
realidad se trata de generar mltiples armnicos y seleccionar el que nos interese. Pero no es esta
la nica aplicacin de este tipo de dispositivos: ya hemos comentado que puede ser un elemento
necesario tambin, formando parte de lazos de control de DRO.
Los dispositivos que se usan para ejecutar esta funcin pueden ser tanto diodos
especficos para frecuencias altas, de los cuales se aprovecha su respuesta no lineal para la
generacin de armnicos, como los transistores que hemos visto que tambin se pueden colocar
en estructuras y polarizaciones que generan multiplicacin. Est claro que lo que buscaremos en
la multiplicacin es un buen rendimiento, lo que se podr conseguir ms fcilmente con
elementos con ganancia como MESFET, HBT y HEMT.
La extensin del tema es, por tanto, alta y nos limitaremos a ver un par de casos
prcticos.
5.4.1 Multiplicadores con diodos: Varactor y Step-Recovery (SRD)

En el caso de los diodos, se pueden ver varios tipos de multiplicadores dependiendo de
cul sea el mecanismo que genera la aparicin de armnicos de la seal inyectada:
-
de Resistencia no Lineal: la multiplicacin se puede realizar aprovechando la

resistencia no lineal en la curva de transferencia esttica v-i.
de Reactancia no lineal: aprovechan la relacin no lineal que hay entre carga q y

voltaje v en los varactores.
Tipo Step-Recovery o SRD, es un caso especial de los ltimos: la polarizacin del

varactor pasa a ser directa en parte del ciclo, con lo que se produce un
mecanismo en la unin que se asemeja a un rapidsimo conmutador de corriente
de portadores minoritarios, que genera un tren de pulsos con tiempos de subida
de pico-segundos equivale a un gran generador de armnicos. Ms datos en la
referencia [5.3]; anotamos cual sera su circuito equivalente:
Fuente: Microwave Solid State Design. Second Edition. Inder Bahl and Prakash Bhartia. Ed. Wiley-Interscience
, donde observamos que el conmutador modela el efecto del paso del diodo del modo
de conduccin directo (conmutador cerrado) al inverso (conmutador abierto). Las
frecuencias de funcionamiento del diodo estn limitadas por un lado por el tiempo de
vida de los portadores minoritarios , que ser largo, y por otro por el tiempo de
transicin tt, que sera el tiempo en el que la corriente de conduccin inversa se
reduce a cero. Este rpido decrecimiento es el origen de la gran generacin de
armnicos.
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Microondas
Veamos alguna caracterstica de un diodo real.
Fuente: www.skyworksinc.com
Vamos a ver un caso de aplicacin de este tipo ltimo de multiplicador: en el transceiver

VSAT del cual forma parte el DRO de 13GHz, es el elemento encargado de generar el armnico
necesario para que funcione el SPD y pueda deducir una tensin de control que me compense las
variaciones de temperatura del DRO. Veamos el esquema:
Como vemos se trata de multiplicar una referencia muy exacta, normalmente un oscilador
a cristal compensado en temperatura OCXO, por medio del SPD, generando el armnico deseado
(en este caso, referencia = 10MHz x 13 = 130MHz x100 = 13GHz) y detectar la diferencia
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de frecuencia entre DRO y armnico. Es importante el punto de trabajo del diodo Step
Recovery, para optimizar el armnico deseado.
Veamos el diagrama de bloques del DRO completo:
En la grfica vemos el resultado con la comparacin entre referencia multiplicada y

resultado del DRO:
Y el esquema de aplicacin, en el que destaca la necesidad de aplicar una gran

amplificacin al oscilador para poder polarizar correctamente al par de diodos detectores que nos
extraen el batido entre referencia multiplicada y DRO.
5-40
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Microondas
Por ltimo remarcar el factor con el que empeora el ruido de fase cuando multiplicamos
por N un oscilador el Ruido de fase de la entrada se multiplicar por un factor de N2 si lo
vemos en dB el factor ser igual a 10log N2 20 log N.
Para acabar, remarcar que existe tambin la posibilidad de hacer multiplicadores en base
a transistores de microondas, aprovechando la no linealidad de la transconductancia, modelada
por una fuente de corriente como vimos en el modelo lineal.
5.5
OSCILADORES DE POTENCIA: MAGNETRON, KLISTRN
Cuando queremos superar la centena de vatios con el oscilador, no nos queda otro
remedio que acudir a los Tubos de Microondas. Ya los citamos en el tema anterior, pues estaban
presentes en el grfico que comparaba las potencias de salida de estado slido y tubos.
En el caso del Klistrn de Reflexin, el oscilador se hace a travs de la utilizacin de un
fenmeno de realimentacin tal y como vemos en la grfica siguiente.
La idea es usar la misma cavidad para comenzar el efecto de bunching y, posteriormente
extraer la seal RF inducida por el mismo. El razonamiento cualitativo sera el siguiente:
suponiendo una seal RF inicial en la cavidad, se empezar a producir el fenmeno de la
modulacin de velocidad del haz de electrones a la vez que viajan hacia el reflector.
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Fuente: Foundation for Microwave Engineering.Second Edition. Robert E. Collin. Wiley-Interscience
Este, polarizado negativamente a -Vr, afectar al haz decelerndolo y reflejndolo de

nuevo hacia la cavidad.
El truco est en elegir adecuadamente el valor de Vr de forma que la corriente de RF
inducida por el haz cuando vuelve est en fase con la inicial. De este modo puedo reforzar el
efecto de racimo e ir aumentando las corrientes que sern captadas por la sonda, convirtiendo la
reflexin en un fenmeno de realimentacin positiva caracterstico de todos los osciladores.
A la relacin de la corriente c.a sumada en fase y la tensin aceleradora en la cavidad c.a
Vg (de gap), la denominamos como Admitancia Electrnica del Haz en el interior de la cavidad:
A M se le conoce como Parmetro de Acople del Haz y toma un valor de:

M = sen (0d/2) / (0d/2)
El circuito equivalente ser esta admitancia electrnica en paralelo con la cavidad y la
condicin de oscilacin se dar cuando la suma de ambas admitancias sea cero, de forma que:
Con la idea de que el haz se ve decelerado por un campo uniforme de valor Vr / s y que el
cambio de fase en la ida y vuelta ser lineal con la distancia Zm de la figura se puede deducir que
el desfase total depender de la tensin de reflector, y que lo har de esta forma:
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Por tanto las frecuencias de oscilacin del klistrn de reflexin dependern de Vr. Si
representamos en un mismo plano ambas admitancias, el lugar geomtrico que recorre la
admitancia electrnica Ye del haz en funcin de Vr y la frecuencia ser una espiral como la de la
figura.
Vemos en la figura cmo los puntos donde se igualan las admitancias dependen de Vr,
de forma que el desfase tome valores de = 3 /2 + 2n, y cada valor de n dar una frecuencia
de oscilacin hay por tanto diferentes modos de oscilacin con diferentes frecuencias, que
dependen del valor de Vr una vez construido fsicamente el oscilador.
Esto da lugar a las llamadas curvas de sintona, donde se representa la potencia y la

frecuencia que puede dar el oscilador en funcin de la tensin de reflector.
Fuente: Foundation for Microwave Engineering.Second Edition. Robert E. Collin. Wiley-Interscience
El rango de potencias de diferentes aplicaciones, va desde los 100mW de pequeos

dispositivos hasta los varios kilovatios que se utilizan en sistemas de radar comerciales. Hoy en
da se estn viendo sustituidos por los osciladores de estado slido.
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En el caso del Magnetrn, fue el primer oscilador de Microondas diseado y su

utilizacin es extensiva en los Hornos de Microondas y en aplicaciones de potencia en Radar,
donde no es necesario que el oscilador sea de una gran calidad, pues este es uno de los defectos
de estos osciladores.
De hecho su funcionamiento tpico es de forma pulsada, no continua, con una cifra tpica
de 500 pulsos/segundo, para poder manejar potencias muy altas en construcciones no muy
voluminosas.
En la figura podemos ver el principio de funcionamiento del mismo:
Fuente: Notas de Clase de Circuitos de Alta Frecuencia de ETSIT Bilbao, UPV
Se trata de una serie de cavidades cilndricas o de otras geometras, que rodean al ctodo
de forma que el haz se ve confinado en el intermedio entre ctodo y nodo con cavidades, debido
a la fuerza ejercida por un campo magntico permanente perpendicular a la seccin circular. Por
tanto el haz se ve obligado a un recorrido circular alrededor del ctodo, con lo que nos
encontraremos con una gran densidad de electrones girando en la denominada como zona de
interaccin.
Si se igualan la suma de fuerza centrfuga y la fuerza elctrica debida al potencial de
nodo por un lado y la fuerza centrpeta provocada por el campo magntico por otro, podremos
considerar que el haz de electrones girar alrededor del ctodo. Por tanto, con estos criterios,
variaremos Va hasta conseguir que esto sea as; este valor es:
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El detalle de la deduccin de la frmula lo podemos encontrar en la referencia [5.2]. En

la misma e ser la frecuencia angular del haz y es la relacin de carga / masa del electrn.
Con esta tensin en el nodo respecto al ctodo el haz de electrones se ver obligado a viajar
alrededor del ctodo con frecuencia angular e.
De nuevo, como vimos en los amplificadores, si en ese entorno se hace presente un
campo electromagntico propagndose en el sentido acimutal a la misma velocidad (e r) que
viaja el haz, se producir una fuerte interaccin entre ambos. Cmo se produce el campo
electromagntico? Los campos elctrico y magntico (estticos) mantienen el haz a velocidad
radial constante cualquier perturbacin empezar a causar que haya electrones que aceleren y
otros que deceleren empezamos a ver de nuevo un fenmeno de racimo causar corrientes
en las cavidades que producirn un campo RF.
La idea es que en las cavidades dispuestas de forma peridica alrededor de la zona de
interaccin, se excita un modo principal al que se le denomina como modo , por el desfase que
existe entre el campo en las cavidades sucesivas. Lo vemos en la figura que encabeza la pgina.
El estudio de este modo, es el estudio de un modo de propagacin en una estructura
peridica en dar lugar a modos de propagacin peridicos en , o lo que es lo mismo
armnicos espaciales radiales de periodo p con N cavidades el periodo de todas las
componentes de los campos en una posicin radial r ser p = 2 / N el modo ser aquel que
tenga el periodo en de forma que haya un desfase de ese valor entre cavidades contiguas.
Estudiando la frecuencia angular que se produce para este modo en la posicin
intermedia entre nodo y ctodo, r = (b + a)/ 2, la tensin de nodo que es capaz de producir este
modo ser (est deducido completo en [5.2]):
, donde e ha pasado a ser N/2 igualando las velocidades angulares de campos y haz (mxima
interaccin); y n sera el orden del armnico espacial n n de los campos.
Desde el punto de vista fsico la interaccin entre haz y campos viajando a la misma
velocidad se puede interpretar as:
-
los electrones que viajen en zonas donde el campo es decelerador, darn energa al campo
estos electrones que deceleran, al reducir su velocidad se mueven hacia el exterior y

acabarn en el nodo
los electrones acelerados tendern a caer hacia el ctodo mientras interfieren con otra
zona del campo que los decelere, de forma que terminan dando energa al campo RF y
siendo absorbidos por el nodo
estos electrones que terminan en el nodo, previamente han dado su diferencia de energa
al campo, posibilitando que en una de las cavidades pueda recoger con una sonda el
modo de oscilacin resultante. Las cavidades de la misma polaridad se conectan entre s
acumulando en la sonda todas las contribuciones que dan lugar al oscilador.
la frecuencia de oscilacin depender de la frecuencia con la que los electrones

interaccionen con el campo y, por tanto, a travs de la velocidad radial se ver afectada
por la tensin de nodo. El otro factor ser la dimensin de las cavidades, que se pueden
ver como lneas cortocircuitadas de longitud /4, y por lo tanto con mximos de campo
elctrico en la zona del gap
Podemos ver una representacin de la situacin que se produce con el modo :
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Fuente: Notas de Clase de Circuitos de Alta Frecuencia de ETSIT Bilbao, UPV
El ancho de banda del magnetrn estar relacionado con el ancho de banda que tengan
los resonadores; si estos son de alto Q, el ancho de banda ser pequeo. Si los sintonizamos
podemos generar osciladores de hasta una octava de recorrido.
Las aplicaciones ms habituales son radares de alta potencia, hornos de microondas,
calentadores industriales, etc., donde la calidad del oscilador en cuanto a Ruido de Fase no es la
caracterstica ms buscada.
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5.6
BIBLIOGRAFIA Y ENLACES
Microwave Engineering. David M. Pozar. John Wiley & Sons, Inc.
[5.1]
Foundation for Microwave Engineering. Second Edition. Robert E. Collin. [5.2]

Wiley-Interscience
Microwave Solid State Design. Second Edition. Inder Bahl and Prakash [5.3]
Bhartia. Ed. Wiley-Interscience.
Microwave Solid-State Circuits and Applications. Kai Chang. Ed. Wiley- [5.4]
Interscience.
http://www.educatorscorner.com/index.cgi
www.amanogawa.com
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Generacin de Microondas
Prof. Jos Manuel Albornoz M
Fuentes de Estado Slido

zDiodo Gunn
zDiodo Impatt
zTransistores
Diodo Gunn
Material tipo N
z La aplicacin de un DC
hace que el diodo se
comporte como un
oscilador de relajacin
z Se usan en combinacin
con cavidades
resonantes
Diodo Gunn
zOperan desde 10 GHz hasta el rango de
los THz
zArseniuro de Galio (GaAs): hasta 200 GHz
zNitruro de Galio (GaN): hasta 3 THz
zBajas potencias (unos pocos mW)
zEconmicos
Diodo Impatt
zIMPact ionization Avalance Transit Time
zUsado para altas potencias
zCarburo de silicio: alto voltaje de ruptura
zEntre 3 y 100 GHz
zDesventaja: ruido de fase
zJuntura PN polarizada en reverso
z70 100 V
zHasta 10 W
Transistores de Microondas
zMenores frecuencias, menores potencias
zFETs: compatibles con ICs
zMs flexibles que diodos
zMejor control de la frecuencia, menos
ruido
zSintonizables
Combinacin de Potencias
zEstrategias de combinacin de potencia
zCombinacin de osciladores en fase
zEl factor de multiplicacin es del orden de
10 20 dB
Tubos de Microondas
zDesarrollados en la dcada de los 30s
zEsenciales en altas potencias > 10 kW
zEsenciales en altas frecuencias > 100
GHz
Tubos de Microondas
zInteraccin de un haz de electrones con un
campo electromagntico
zHaz generado por emisin termoinica
zCan de electrones
zDos tipos de tubos:
{ Haz lineal, tipo O
{ Campo cruzado, tipo M
El Magnetrn
z El ctodo emite electrones

z Hay un campo magntico
paralelo al ctodo
z Los electrones de alejan del
ctodo movindose en
espiral
z Los electrones inducen
campos en las cavidades
z El magnetrn genera ondas no-coherentes

El Magnetrn
El Magnetrn
z
z
z
z
El tamao de las cavidades determina la frecuencia

No es posible controlar la frecuencia con precisin
Eficiencia del orden del 75%
Fuentes de estado slido tienen eficiencias del 25 30%
Aplicaciones del Magnetrn

zRadar
{ Operado con pulsos muy cortos
{ Deriva de la frecuencia
{ Energa repartida en un espectro ancho
{ Riesgos sanitarios
10 kW !!

zCalentamiento dielctrico
{ Hornos de microonda: 2.45 GHz (ISM)
{ La operacin es continua
{ 500 1500 W
{ Esterilizacin, secado de materiales, cocina

zAlumbrado
{ Lmparas de sulfuro
http://microwavecam.com/microwavecam/Videos/Grapes/index.htm
El Klystron
z La energa cintica del haz de electrones es

convertida en energa electromagntica
El Klystron
zFrecuencia, amplitud y fase pueden
controlarse con precisin
zEs un amplificador
zConvertible en un oscilador mediante lazo
de realimentacin
zBajo ruido
El Klystron Reflex
z El haz de electrones pasa a travs de una cavidad

resonante
z El haz es reflejado
z Al variar el voltaje del reflector vara la frecuencia
Aplicaciones del Klystron

zDesde UHF hasta cientos de GHz
zRadares
zComunicacin Satelital
zDifusin de TV
zProcesamiento de materiales
zInvestigacin
50 MW pulsados
50 kW contnuo
3 GHz
http://www2.slac.stanford.edu/vvc/accelerators/klystron.html
Amplificador de
Campo Cruzado (Amplitrn)
zParecido al magnetrn
zAltas potencias (decenas de kW) con alta
eficiencia (70%)
zAmplificador/Oscilador
zFunciona como gua
zSe usan en cascada
El Gyrotron
z Genera energa en el rango de las ondas milimtricas
(20 250 GHz)
z Un tipo de MASER
z Basado en principios relativsticos
z Desde kW hasta MW
Aplicaciones del Gyrotron

zCalentamiento industrial
zInvestigacin
zArmamento
{ Active Denial System
{ Rayo del Dolor
{ 95 GHz
{ 50 @ km
{ Penetra la ropa
Tubo de Onda Viajera

(Travelling Wave Tube)
z
z
z
z
z
Gran ganancia 70 dB
Gran ancho de banda: 300 MHz 50 GHz
2.5 kW
Potencia limitada por el calibre de la hlice
TWT de cavidad acoplada: 15 kW (menos ancho de
banda)
Estructura de onda lenta

Aplicaciones de TWT
z Amplificacin en transpondedores satelitales
z Radares areos de control de tiro
z Guerra electrnica
z Pruebas de compatibilidad electromagntica
http://www.l-3com.com/edd/products_traveling_wave_tube.htm
Generador de
Onda Regresiva (Carcinotron)
zGeneracin en el rango de los THz
zSintonizable en amplio rango de
frecuencias
zTipo M: el ms poderoso
zTipo O
zUsados en contramedidas electrnicas,
sensores pasivos
Captulo 3
Diodos p-i-n
3.1 Introduccin
El diodo p-i-n presenta una regin p y una regin n altamente dopadas, y separadas por una regin intrnseca con
resistividad ms elevada que las regiones p y n. Estos dispositivos son ampliamente usados en aplicaciones tales
como desplazadores de fase y conmutadores de seales microondas. Los dispositivos diseados con diodos p-i-n
se destacan por bajas prdidas de insercin y elevado desempeo en altas frecuencias. A estas frecuencias, el
diodo tiene una impedancia muy alta cuando est inversamente polarizado (circuito abierto) y una impedancia
muy baja cuando est polarizado en sentido directo (corto circuito). Adems, las tensiones de ruptura estn
comprendidas en el margen de 100 a 1000 V.
3.2 Estructura del diodo p-i-n

Un material altamente dopado significa que tiene un mayor nmero de impurezas, generalmente de tipo p o de
tipo n. Por lo mismo, existir una menor resistencia al paso de la corriente. Para un material no dopado, es decir
intrnseco, presentar una resistencia mucho mayor al paso de la corriente, dependiendo del material
semiconductor que se est utilizando.
En la prctica un diodo p-i-n tiene una alta resistividad en la parte media de la zona p o n. Mientras que existe una
baja resistividad en los lmites en las zonas p y n.
La nomenclatura p+ y n+ indica un alto dopaje de los materiales p y n, respectivamente. Se utilizan las letras
griegas y para los materiales altamente resistivos y ligeramente dopados p y n respectivamente. El
material usado en la regin I puede ser tipo o v. En la prctica, generalmente se utiliza el silicio como el
material semiconductor, el cual no es perfectamente intrnseco. Utilizando cualquiera de estas dos estructuras no
se presentan cambios en el desempeo de un dispositivo.
En la figura 3.1 se presentan dos estructuras posibles del diodo p-i-n, la estructura p+, , n+ y la p+, , n+. La
figura 3.1b muestra el perfil de impurezas de un diodo p-i-n con estructura p+, v, n+, en el cual la regin
intrnseca de alta resistividad concentra pocos tomos de impurezas tipo n que se ionizan, mientras que la regin
de agotamiento se extiende a lo largo de la regin intrnseca incluyendo una pequea cantidad de penetracin en
ambas regiones p y n. La regin de agotamiento no se extender mas all de los lmites de la regin I debido al
31
elevado dopaje de las regiones p+ y n+, siendo la zona de agotamiento esencialmente igual al ancho de la capa I,
W. La unin PN que se forma ser en la zona p+.
Con esto se puede decir que una caracterstica importante del funcionamiento del diodo p-i-n radica en la
ampliacin de la zona de agotamiento que se obtiene mediante la ionizacin de la misma.
En la figura 3.1d se muestra la estructura p+, , n+, la cual tiene una regin intrnseca con concentracin de
impurezas de material tipo p+. El ancho de la zona de agotamiento es muy semejante al ancho W de la regin I, y
la unin PN que se encuentra en la zona n+.
Fig. 3.1 Perfiles de los dos tipos de diodo p-i-n, (a) capacitancia aproximada de circuito equivalente, (b) cristal pv-n, (c) perfil de impurezas p-v-n, (d) cristal p- -n, y (e) perfil de impurezas p- -n.
3.3 Voltaje de perforacin (punchthrough voltage)

Como la regin intrnseca es altamente resistiva, la zona de agotamiento se extiende hasta las regiones de alta
conduccin, incluso an cuando no se ha polarizado al diodo. Ver figura 3.2. Se dice que la capacitancia
equivalente del diodo no se ve alterada por el voltaje suministrado, figura 3.2b.
32
A causa de las altas concentraciones de impurezas y de la facilidad de ionizacin de los electrones y huecos en
los materiales p+ y n+ la zona de agotamiento tender a ensancharse ms.
Un diodo libre de polarizacin tiene la caracterstica de tener una regin I que se va extendiendo hacia las zonas
p+ y n+ sin requerir la aplicacin de algn voltaje.
Sin voltaje de polarizacin parte de las impurezas en la regin I del diodo se ionizan y la zona de agotamiento
cubre una parte de la capa intrnseca (figura 3.2b). Por otra parte en polarizacin inversa la capa de agotamiento
se propaga por la zona intrnseca a medida que la capacitancia por unidad de rea en la unin PN va decreciendo.
Como se muestra en la figura 3.2c el ancho de la capa de agotamiento es casi igual al ancho de la capa intrnseca.
Y el voltaje en este punto de operacin es llamado voltaje de perforacin (VPT).
Fig. 3.2 Caractersticas del diodo p-i-n y su respuesta de voltaje de perforacin. (a) diodo p-i-n prctico, (b) perfil
de impurezas ionizadas en estado de polarizacin cero y (c) perfil de impurezas ionizadas en estado de
perforacin, d) caracterstica C-V a 1 MHz.
33
En la prctica, para medir el voltaje de perforacin se utiliza la caracterstica de capacitancia vs. voltaje del diodo
que se forma en la unin PN, ver figura 3.2d. La curva C vs. V muestra la relacin cuando el diodo opera a
alrededor de 1MHz, considerada bajas frecuencias.
La medicin del voltaje de perforacin se obtiene en la interseccin de las tangentes de los declives, como se
observa en la figura 3.2d.
Sin embargo, el funcionamiento con seales de microondas depender de la susceptibilidad del material
semiconductor que se est utilizando. El silicio presenta una susceptibilidad mayor que la conductancia de las
impurezas en el material intrnseco.
3.4 Medicin de Capacitancia y Relajacin Dielctrica

Debido a la elevada constante dielctrica que tiene el silicio y tambin por ser un material con conductancia
variable, la capacitancia ser mayor cuando el diodo opere a una frecuencia baja. Mientras que para una
frecuencia de alrededor de 1 GHz la capacitancia medida ser mucho menor.
Por lo tanto, el circuito equivalente que representa al diodo p-i-n est conformado por el paralelo de una
capacitancia y una conductancia. La divisin de corriente entre ellos vara con la frecuencia de la seal aplicada.
Las corrientes de mayor frecuencia se conducirn mayormente por el trayecto capacitivo.
En la figura 3.3 se muestra la representacin de un diodo p-i-n por debajo del voltaje de perforacin. Las regiones
de p+ e I que son reducidas, representan a la zona de agotamiento o regin libre de portadores. La zona restante de
la regin I est intacta y puede modelarse por el circuito de la figura 3.3c, como el circuito conformado por una
resistencia en paralelo con un capacitancia, representados por los elementos CUS y RUS, respectivamente.
34
Fig. 3.3 Circuito equivalente de un diodo p-i-n en polarizacin inversa, (a) modelo del diodo p-v-n, (b) zona de
agotamiento antes del voltaje de perforacin, (c) circuito equivalente detallado, (d) circuito equivalente a bajas
frecuencias y (e) circuito equivalente para microondas [13]
La divisin de corriente a travs de CUS y RUS depende de la relacin de la susceptancia de CUS y de la
conductancia (1/RUS). Esta relacin depende directamente de la constante dielctrica que se crea en el material
semiconductor. La frecuencia de relajacin dielctrica, fR, se define como la frecuencia a la cual la divisin de
corriente entre los dos elementos es la misma, es decir, cuando los valores de susceptancia y conductancia son
iguales.
Una caracterstica importante en el funcionamiento de los diodos p-i-n operados a una frecuencia de microondas
como se muestra en la figura 3.3e, es la capacitancia CJ que se forma cuando se maneja una frecuencia del triple o
ms alta que fR, esto debido al efecto que produce tener varios capacitores conectados en serie.
Por lo tanto las mediciones de capacitancia pueden desarrollarse a una frecuencia baja pero con un voltaje
suficiente para poder operar adecuadamente el diodo. As los resultados que se obtienen a una frecuencia de
1MHz son una buena aproximacin a los obtenidos a microondas.
Esta frecuencia ser una estimacin de la frecuencia de relajacin debido a que en esta la capacitancia mnima es
aproximada al valor de Cj (capacitancia para microondas).
35
Los diodos p-i-n fabricados con material de silicio altamente puro, tienen una resistividad de aproximadamente
500 a 100 K-cm. Valores tpicos de resistividad de la regin I son de 100 a 1000 -cm. En la prctica, los
diodos p-i-n utilizados para la conmutacin de microondas tienen anchos de regin I de alrededor de 25 a 250m.
La frecuencia de relajacin dielctrica del perfil del diodo mostrado en la figura 3.3 se obtiene mediante:
R,GH
(3.1)
La siguiente figura muestra los valores de frecuencia de relajacin dielctrica en funcin de la resistividad del
material.
Fig. 3.4 Frecuencia de relajacin dielctrica en funcin de la resistividad

Como se observa en la figura 3.4, el material semiconductor GaAs tiene la respuesta ms baja de frecuencia de
relajacin dielctrica, limitando su uso para seales de alta frecuencia.
El golpe de tensin inversa (VPT punch-through) es calculado por la siguiente expresin [13]:
(3.2)
36
Donde e es carga de un solo electrn, R es la constante dielctrica del material utilizado en el diodo p-i-n y
ND es concentracin de impurezas en la regin I. Como
, se llega a la expresin de la
resistividad en funcin del voltaje VPT:

(3.3)
donde W (cm) es el espesor de la regin I y VPT es el golpe de tensin inversa.
El espesor W correspondiente a un valor de tiempo de vida de portadores () del diodo p-i-n, puede encontrarse
por medio de la relacin [12]:
(3.4)
3.5 Carga en la regin I y tiempo de vida de portadores

Para poder medir la resistencia de la regin I del diodo operando con seales de microondas, se debe tener en
cuenta la carga almacenada en esta regin. La carga consiste en electrones y huecos que se inyectan en la regin I
cuando se aplica una polarizacin directa al diodo.
El tiempo de vida de estos portadores se refiere al tiempo que existe a partir de la inyeccin de huecos y
electrones en la regin I, bajo polarizacin directa del diodo, hasta el instante en que se recombinan las cargas
totalmente [14]. El tiempo de vida de portadores es proporcional a la improbabilidad de que un electrn y un
hueco se recombinen [13]. Por ejemplo, un cristal de silicio puro tiene un tiempo de vida de portadores calculado
de 3.7s.
Con impurezas dopantes de 1015 cm-3 se tiene un tiempo de vida de portadores de 0.1 ms. El tiempo de vida de
portadores en diodos actuales, oscila entre 0.1 y 10 microsegundos ordenes en magnitud por debajo de este valor
tericamente obtenido [13].
Para mantener una conduccin de la seal de microondas y una densidad de carga, se requiere de poca corriente
de polarizacin directa y de un tiempo de vida de portadores mayor. Un tiempo de vida de portadores largo no
necesariamente implica una velocidad de conmutacin lenta [13]. Un tiempo de vida de portadores grande es
considerado una medicin de perfeccin cristalina del diodo.
37
En la figura 3.5a se muestra un circuito equivalente para la medicin del tiempo . El mtodo consiste en inyectar
una cantidad de carga conocida Q0 en la regin I y medir el tiempo S que se necesita para extraer esta carga
usando una corriente de polarizacin inversa.
Fig. 3.5 Mtodo de medicin del tiempo de vida [14]

El funcionamiento de este circuito se basa en el tamao de la resistencia RR en comparacin con RF. Para cuando
el conmutador S est abierto, el diodo estar polarizado directamente. Para S cerrado, VR es aplicado al diodo y
este a su vez produce una corriente inversa de magnitud IR-IF. Despus la carga almacenada se remueve hasta
dejar completamente agotada esta zona. Si se cumple S<<, donde S es el periodo de descarga, entonces ocurre
una recombinacin de electrones y huecos despreciable durante el apagado, y la carga total almacenada se
recupera. En este caso Q0=IF* y ser.
siendo
(3.5)
38
3.6 Caractersticas del diodo p-i-n

Por sus caractersticas, el diodo p-i-n puede ser utilizado como conmutador o como modulador de amplitud en
frecuencias de microondas. La principal ventaja del diodo p-i-n frente a un diodo convencional es la mejora en la
respuesta de conmutacin de seales microondas. Tambin se lo utiliza para conmutar corrientes muy intensas y/o
tensiones muy grandes. La siguiente figura muestra el diagrama fsico y el circuito equivalente del diodo.
(a)
(b)
Fig. 3.6 Esquema (a) fsico del diodo p-i-n y (b) circuito equivalente del diodo
Cuando se manejan frecuencias bajas en un diodo p-i-n los efectos reactivos que se presentan en las uniones se
consideran despreciables. Estos efectos son asociados con la difusin de portadores a travs de la unin [15].
En estado de baja impedancia, situacin de polarizacin directa, el diodo tiene una excelente linealidad y baja
distorsin [15].
En estado de alta impedancia, situacin de polarizacin inversa, la regin intrnseca produce valores muy altos de
voltaje de ruptura e impedancia. As proporciona una buena aproximacin a un circuito abierto [17].
La presencia de la regin intrnseca permite obtener caractersticas operacionales muy deseables para aplicaciones
de conmutacin. A medida que el ancho de la regin intrnseca (I) aumenta, la capacitancia formada en las
uniones del diodo disminuye. Esta caracterstica es benfica en la conmutacin de seales de microondas, puesto
que una capacitancia baja y una alta impedancia del diodo p-i-n en situacin de polarizacin inversa, hacen
posible que el diodo se comporte como un circuito abierto [15].
Por ejemplo, bajo polarizacin inversa la regin intrnseca produce valores muy altos de voltaje de ruptura e
impedancia, as se obtiene una buena aproximacin a circuito abierto. El voltaje de ruptura y la resistencia en
39
estado de polarizacin inversa son dependientes de la longitud de la regin intrnseca, la cual est limitada por
factores de diseo de acuerdo a consideraciones del tiempo de transicin asociado a la frecuencia de operacin.
En situacin de polarizacin inversa, se utiliza con gran aproximacin el circuito equivalente de la figura 3.3e. La
resistencia de polarizacin inversa puede ser expresada como [15]:
(3.6)
Rr = Rc + Ri + Rm
Donde:
Rc es la resistencia del contacto de las interfaces del metal semiconductor
Ri es la resistencia del canal de la regin intrnseca
Rm es la resistencia de los contactos de metal.
La que domina es la resistencia de la regin intrnseca y la resistencia inversa es esencialmente la de la regin

intrnseca, la cual en trminos de parmetros fsicos puede ser expresada como:
(3.7)
donde W Es la longitud de la regin intrnseca, tpicamente en el rango de 1 a 100m, la cual depende de la
frecuencia de diseo, la corriente de polarizacin
. La es la longitud de difusin ambipolar de portadores, la cual
es una constante del material. I0 es la corriente de polarizacin del diodo. Y kT/q=0.025852V.

Note que el valor de la resistencia inversa, que puede estar en el orden de K, y es inversamente proporcional al
flujo de la corriente, y disminuye con la magnitud del flujo de la corriente aplicada. La resistencia ms alta en
estado apagado, por lo tanto, ocurre cuando se aplica un bajo voltaje en polarizacin inversa.
Bajo polarizacin inversa la regin intrnseca est esencialmente agotada de cargas libres, por lo cual la
capacitancia en serie es simplemente la capacitancia de la regin intrnseca y puede ser calculada con:
(3.8)
donde A es el rea transversal del diodo. L es la longitud de la regin con escasos portadores y
La capacitancia es constante bajo polarizacin inversa.

La velocidad a la cual el diodo p-i-n puede ser conmutado desde una baja impedancia (polarizacin directa) a una
alta impedancia (polarizacin inversa) es determinada por la velocidad a la cual la carga libre puede ser extrada
del diodo. Los diodos con regin intrnseca larga y gran rea de seccin transversal, almacenarn mas carga y por
lo tanto percibirn tiempos ms largos para conmutar.
El tiempo de conmutacin actual tiene dos componentes:
40
El tiempo requerido para remover mayor parte de la carga de la regin intrnseca, llamado tiempo de
retardo.
El tiempo durante el cual el diodo est cambiando del estado de baja impedancia al de alta, llamado
tiempo de transicin.
El tiempo de transicin depende de la geometra del diodo y de los detalles del perfil del dopado del diodo, por el
contrario no es sensible a la magnitud de las corrientes directa o inversa.
El tiempo de retardo es inversamente proporcional a la carga de tiempo de vida de los portadores.
Los diodos con un tiempo de vida de portadores corto tienen tiempos de retardo cortos, pero padecen de altos
valores de resistencia de polarizacin directa.
Un valor alto de resistencia de polarizacin directa incrementa las perdidas por insercin y esta producir
atenuacin de la seal a travs del dispositivo en estado on.
3.7 Modelado de los diodos p-i-n

Se pueden disear diferentes tipos de diodos p-i-n con las mismas caractersticas de Rs y CT con solo variar el
ancho W y rea A de la regin I. Con una regin I ms gruesa se puede lograr mejores propiedades para la
distorsin, si por el contrario, el dispositivo es ms delgado la velocidad de conmutacin ser mucho ms rpida.
Fig. 3.7 Diodo p-i-n
Para poder determinar la distorsin producida y la frecuencia ms baja a la que puede operar el diodo p-i-n est el
parmetro tiempo de vida de portadores, . El valor de de un diodo p-i-n est determinado por el ancho W (ver
figura 3.7) de la regin I, el cual es otro parmetro de gran importancia.
3.7.1 Modelo de baja frecuencia
La figura 3.8 muestra la caracterstica tpica de V-I de un diodo p-i-n. Los diodos son evaluados frecuentemente
por voltaje directo, VF, en una polarizacin de corriente continua DC fija. El fabricante garantiza que al aplicar un
41
voltaje inverso
ruptura
al diodo, la corriente inversa que fluye no sobrepasa los 10 A. La cantidad de voltaje de
de aproximadamente 10 V/m y es determinado por el ancho de la regin I.
Fig. 3.8 Caracterstica V-I tpica de un diodo p-i-n [14]

La frecuencia de operacin para el diodo p-i-n es aquella que est por debajo de la frecuencia definida por el
tiempo de vida de portadores - CLT 1
de la regin I.
3.7.2 Modelo de alta frecuencia

Cuando se aplica una polarizacin directa al diodo p-i-n, la carga Q debe ser ms grande que el incremento de la
carga almacenada agregada o anulada por la corriente de polarizacin directa, RF, o inversa, IRF.
(3.9)
3.7.3 Modelo de Polarizacin Directa
Bajo polarizacin directa, la conductividad de la regin intrnseca es controlada o modulada por la inyeccin de
carga de las regiones p y n de los extremos, y el diodo conducir corriente. La resistencia en estado de baja
42
impedancia del diodo es controlada por la polarizacin directa. El diodo tiene una excelente linealidad y baja
distorsin.
En este estado de baja impedancia, el diodo es controlado por las caractersticas de inyeccin de carga de la unin
p-n y el diodo puede ser representado como una resistencia con una magnitud determinada por la corriente que
fluye en el diodo.
En este estado de baja impedancia, el diodo p-i-n se comporta como una inductancia L en serie con una resistencia
, y su modelo de circuito equivalente se muestra en la siguiente figura.
Fig. 3.9 Circuito equivalente del diodo p-i-n en polarizacin directa

Asumiendo que la seal de RF no afecta la carga almacenada, la impedancia de polarizacin directa
se obtiene
con la siguiente ecuacin:

(3.10)
donde:
n = Movilidad de los electrones
p = Movilidad de los huecos
La carga Q producto de la recombinacin de portadores en la regin intrnseca est dada por:
(3.11)
La resistencia del diodo en polarizacin directa es inversamente proporcional a la corriente de polarizacin del
diodo, y la resistencia ms baja se obtiene para altas corrientes.
La impedancia del diodo puede ser sintonizada para el acoplamiento de circuitos RF ajustando la corriente de
polarizacin.
43
Esta ecuacin es vlida para frecuencias ms altas que la frecuencia del tiempo de transmisin de la regin I:
(3.12)
Las movilidades de las cargas varan de acuerdo al semiconductor utilizado en la fabricacin del diodo p-i-n.
El valor bajo de la impedancia ser afectado por la inductancia parsita L, la cual es por lo regular menor a 1H.
3.7.4 Modelo de Polarizacin Inversa
En situacin de polarizacin inversa, el diodo p-i-n se comporta como el circuito conformado por una inductancia
en serie con el paralelo de una capacitancia y una resistencia. Tal como se muestra en la siguiente figura.
Fig. 3.10 Circuito equivalente para el diodo p-i-n en situacin de polarizacin inversa
El capacitor se puede obtener de
(3.13)
donde:
= constante dielctrica del silicio
A = rea de la unin del diodo
La ecuacin (3.4) es vlida solo para frecuencias por encima de la frecuencia de relajacin dielctrica,
, de la
regin I:
(3.14)
donde
es la resistividad de la regin I.
44
Para frecuencias ms bajas el diodo p-i-n se comporta como un varactor, el cual es un diodo que dependiendo de
la tensin que se le aplique el valor de la capacitancia vara. Es decir, si la tensin aplicada al diodo varactor
aumenta la capacitancia disminuye, si por el contrario, la tensin disminuye la capacitancia aumenta.
El valor de la resistencia en paralelo RP es proporcional al voltaje e inversamente proporcional a la frecuencia. En
la mayora de las aplicaciones en RF este valor es ms alto que la reactancia del capacitor CT.
El voltaje de ruptura masiva o avalancha, VB, siempre ser ms grande que el voltaje inverso, VR. As mismo, VB
es proporcional al ancho de la regin I. Una excursin instantnea de la seal de RF en situacin de polarizacin
directa por lo regular no causa que el diodo entre en conduccin debido a la lentitud de la velocidad de
conmutacin de la polarizacin inversa a directa. La magnitud de la seal RF y el ancho de la regin I estn
relacionados con la polarizacin inversa de DC necesaria para mantener al diodo p-i-n en baja conductancia.
3.7.5 Modelo de velocidad de conmutacin
Existen dos tipos de velocidades de conmutacin para un diodo p-i-n, y estas definen tiempos de conmutacin
entre estados. Un tiempo de conmutacin est definido para la transicin de polarizacin directa a polarizacin
inversa, TFR, y el otro est definido de polarizacin inversa a directa, TRF. Estas velocidades de conmutacin
dependen totalmente del circuito, como tambin del diodo p-i-n [14].
El tiempo de vida de portadores es la caracterstica del diodo p-i-n que afecta a TFR, el cual puede ser calculado a
partir de la corriente en polarizacin directa IF, y la corriente inversa inicial IR. Por otro lado, TRF depende
bsicamente del ancho de la regin I.
Fig. 3.11 Tiempo de velocidad de conmutacin TRF
45
Es decir:
1
(3.15)
3.7.6 Modelo trmico

Este modelado nos permite determinar la potencia disipada mxima admitida, la cual podra ser calculada por el
producto de la corriente de RF al cuadrado por la resistencia en serie (RS) del diodo. Sin embargo tambin es
determinada por la siguiente ecuacin:
,
(3.16)
donde TJ es la temperatura de fusin mxima permitida (175C), TA es la temperatura ambiente y es la

resistencia trmica.
El valor de la resistencia trmica, [C/W], usado es el promedio de la resistencia trmica, AV, en aplicaciones
de onda continua. Es posible calcular el valor de la resistencia trmica con buena aproximacin utilizando la
siguiente ecuacin:
(3.17)
El factor de trabajo, DF, (duty factor), que es la relacin entre la duracin del pulso y la del periodo es menor del
10% para la mayora de las aplicaciones de microondas y pulsos de RF. El ancho de pulso, TP, es menor que la
constante de tiempo trmica del diodo.
TP es la impedancia trmica del diodo para el intervalo de tiempo correspondiente a TP.
En la figura siguiente se observa la aplicacin de pulsos de RF. Se puede observar que en la duracin del pulso se
ve afectada la temperatura de fusin, TJ.
46
(a)
(b)
Fig. 3.12 (a) Disipacin de potencia, (b) Temperatura de fusin
3.8 Expresiones para la impedancia serie del diodo p-i-n bajo polarizacin directa
Muchos investigadores de diodos p-i-n de microondas proponen expresiones matemticas para estimar la
resistencia serie del diodo en situacin de polarizacin directa. La resistencia relacionada con la regin intrnseca
se puede calcular con la siguiente expresin, vlida para altas frecuencias [13]:
(3.18)
donde
0.025852 ,
es la movilidad ambipolar de las cargas [13]:

(3.19)
Por ejemplo, para el silicio

Y
=610cm2/V-s [13].
es el tiempo de vida de portadores. Para frecuencias mayores a 1
10
se puede utilizar la siguiente
expresin:
(3.20)
donde:
47
(3.21)
es la longitud de difusin, que indica la variacin de la densidad de portadores minoritarios de la regin I.
es
la constante de difusin ambipolar. Al igual que la movilidad ambipolar, esta constante se calcula con:
2
A medida que la frecuencia de trabajo disminuye, los efectos de las uniones en el diodo pueden contribuir
significativamente a la resistencia total
, de tal manera que
llega a ser solamente una pequea parte de
,a
bajas frecuencias [16].

En la regin intrnseca, los efectos reactivos causados por la modulacin de la conductividad tambin contribuyen
significativamente a la impedancia
del diodo p-i-n. De tal forma que la resistencia total del diodo en situacin
, y la resistencia de las dos uniones entre las
de polarizacin directa tiene que considerar la resistencia serie,

capas que conforman el diodo p-i-n,
, y se estima con la siguiente expresin [16]:
(3.22)
donde:
tanh
cos
(3.23)
Con parmetros dados por:

(3.24a)
cos
tan
tan
tan
(3.24b)
(3.24c)
(3.24d)
(3.24e)
48
3.9 Modelo de circuito para polarizacin inversa

Bajo polarizacin inversa el diodo p-i-n permanece como una capacitancia constante a microondas debido a que la
regin I est agotada.
De acuerdo con el modelo de circuito equivalente de polarizacin inversa, figura 3.9, el parmetro RP en su
conexin en paralelo o serie, se refiere a la presencia de perdidas disipativas localizadas en las uniones de los
contactos hmicos y en la resistencia formada por las regiones p+ y n+.
La capacitancia formada en la regin intrnseca se calcula con la expresin [13]:
(3.25)
donde
es la permeabilidad en espacio libre 8.85
10
, D es el dimetro de la unin y
es
la
anchura de la regin I del diodo.
3.10 Anlisis de parmetros de algunos diodos p-i-n comerciales

Utilizando la expresin (3.22), logramos predecir el ancho W de regin intrnseca de algunos diodos comerciales
muy utilizados en sistemas de microondas. Los diodos estudiados se muestran en la tabla siguiente, con sus
respectivas caractersticas de resistencia serie
y capacitancia de unin
dados por el fabricante.
Tabla 3.1 Caractersticas de impedancia serie y capacitancia de unin de los diodos p-i-n utilizados en los
conmutadores
Diodo
Rs
Cj(pF)
HPND4005
4.7
0.017
HPND0002
3.5
0.200
HPND4028
2.3
0.025
HPND4038
1.5
0.045
5082-0012
1.0
0.120
Para los diodos mostrados en la tabla encontramos los valores de ancho W aproximados. La tabla 3.2 muestra
estos resultados, obtenidos para frecuencias de microondas, de 10 GHz. Para estos clculos se utilizaron las
expresiones (3.3) y (3.6).
49
Tabla 3.2 Respuestas de ancho W y constante de difusin para algunos diodos p-i-n
Diodo
Rs ()
Cj(pF)
(ns)
I0(mA)
W/L
00002
3.5
0.200
1500
50
75
7.0
371.0
53.0
4005
4.7
0.017
100
10
2.3
31.4
13.7
4028
2.3
0.025
36
10
360
1.5
11.9
82.0
4038
1.5
0.450
45
10
450
1.1
10.5
918
W(
L(
Se puede observar que diodos con caracterstica de impedancia serie baja, son los que tienen menor ancho W de
regin I. Aumentando la corriente de polarizacin directa del diodo, podemos observar que el ancho de la regin I
incrementa de manera proporcional.
La longitud de difusin es inversamente proporcional a la impedancia serie del diodo p-i-n.
Diodos p-i-n con valores bajos de ancho W de regin I, poseen un tiempo de vida de portadores bajo e impedancia
serie igualmente baja. Una relacin W/L baja en un diodo p-i-n se caracterizar por una impedancia serie
igualmente baja.
3.11 Anlisis de distorsin de la seal de operacin debida al diodo p-i-n

Un valor elevado de tiempo de vida de portadores, , del diodo p-i-n minimiza la distorsin de la seal de
operacin [14]. De acuerdo a la tabla 3.2, los diodos p-i-n de silicio que se caracterizan por un tiempo de vida de
portadores elevado, son los que tienen resistencia serie igualmente elevada, lo cual, para algunos conmutadores de
microondas es un factor no muy deseable. Esto, principalmente para conmutadores de microondas con una
caracterstica de prdida de insercin directamente proporcional a la resistencia serie del diodo p-i-n.
De la misma manera, un diodo p-i-n con ancho de regin intrnseca, W, elevado, tiene mejores caractersticas de
distorsin de la seal de operacin, y su voltaje de ruptura en situacin de polarizacin inversa, VR, ser mayor
[14].
Para el anlisis de la distorsin de la seal de operacin debida al diodo p-i-n utilizado en el dispositivo de
microondas, es necesario encontrar la dependencia de la resistencia serie del diodo con el tiempo de vida de
portadores . Utilizando la expresin (3.22) encontramos esta carcterstica para diodos p-i-n diseados con los
materiales Si, GaAs, SiC y GaN. Consideramos en cada caso que el diodo p-i-n trabaja con una seal de
operacin de frecuencia de 10 GHz (microondas), con corriente de polarizacin directa de 10 mA. El anlisis se
realiza para dos valores de ancho de regin intrnseca (W) del diodo, de 0.2 y 0.5 micrmetros. La figura 3.13
50
muestra la respuesta de resistencia serie de diodos p-i-n de distintos materiales en funcin al tiempo de vida de
portadores .
Fig. 3.13 Resistencia serie Vs. tiempo de vida de portadores

Se puede observar que los diodos p-i-n de Arseniuro de Galio tienen mejor respuesta de impedancia serie respecto
a los diodos de Silicio para un valor comn de tiempo de vida de portadores. Esto debido principalmente a que
cuentan con una permitividad elctrica mayor.
3.12 Conclusiones del captulo

Los diodos p-i-n son muy utilizados en dispositivos de microondas, principalmente por sus caractersticas
destacables de sostenimiento de elevada potencia de la seal de operacin, respuestas de distorsin y prdidas de
insercin.
El diodo p-i-n puede modelarse por sus circuitos equivalentes, para los regmenes de operacin de polarizacin
directa e inversa. Bajo la conduccin de polarizacin directa es posible encontrar la resistencia serie del diodo a
altas frecuencias, partiendo de los parmetros fsicos de diseo del diodo. El valor de resistencia serie en un diodo
p-i-n es muy importante, pues de su valor depende el nivel de prdida que introduzca el diodo en un dispositivo de
microondas.
La resistencia serie de un diodo p-i-n depende del tiempo de vida de portadores y del ancho de la regin
intrnseca. Un ancho W pequeo en un diodo p-i-n conlleva a obtener una resistencia serie baja, aunque no
51
permite alcanzar buenas respuestas de distorsin de seal. Un valor elevado de tiempo de vida de portadores,
definitivamente asegura un valor bajo de resistencia serie del diodo bajo situacin de polarizacin directa.
Para lograr buenas caractersticas de distorsin de seal se tiene que utilizar valores elevados de ancho de regin
intrnseca W, con lo cual se consigue un diodo p-i-n con baja capacitancia de unin, Cj, en situacin de
polarizacin inversa.
52
Captulo 4
Dispositivos conmutadores de microondas
4.1 Introduccin
Los conmutadores de microondas son elementos de control que son utilizados en gran variedad de aplicaciones en
microsistemas. Estos son usados para control y direccionamiento del flujo de la energa de la RF desde una parte
de un circuito a otro, por medio de excitaciones de seales aplicadas externamente. Por ejemplo, todos los radares
que usan una antena comn de transmisin y recepcin requieren de un conmutador RF para separar las seales
enviadas y recibidas, las cuales casi siempre difieren en amplitud de acuerdo al orden de su magnitud.
La gran diferencia entre las seales enviadas y recibidas toma muchas demandas sobre el dispositivo conmutador
el cual debe de ser capaz de soportar la alta potencia de la seal transmitida, as como tener bajas perdidas en la
seal recibida. El nivel de aislamiento del conmutador en situacin de alta impedancia es muy importante en esta
aplicacin, por lo que el conmutador debe de ser capaz de proteger la sensibilidad del circuito receptor de la gran
potencia de RF transmitida. El aislamiento da lugar a severas restricciones sobre el conmutador.
Los radares de alta potencia generalmente usan mdulos semiconductores de transmisin y recepcin y tambin
usan grandes nmeros de conmutadores. Un radar de arreglos de fase permite el control electrnico preciso del
haz radiado. La distribucin natural de los elementos de un arreglo de fase permite a los conmutadores operar a
potencias menores, del orden de 1 a 10 watts.
En general, los conmutadores pueden ser operados manual o electrnicamente desde una posicin a la siguiente.
Sin embargo muchas aplicaciones de circuitos integrados para microondas requieren tiempos de conmutacin que
no pueden ser llevados a cabo manualmente, recurriendo necesariamente al control electrnico. La
implementacin de circuitos integrados es ideal para las aplicaciones de conmutacin, esto debido a que se
pueden acomodar fcilmente un gran nmero de componentes en rea relativamente pequea.
Los conmutadores controlados electrnicamente pueden ser fabricados usando diodos p-i-n o generalmente
transistores MESFETs de GaAs. Ambos tipos de conmutadores son comnmente utilizados. Recientemente, una
propuesta innovadora son los conmutadores en base a Sistemas Micro-Electromecnicos MEMS.
Los conmutadores fabricados haciendo uso de diodos p-i-n han sido usados frecuentemente en aplicaciones de
radares, logrando una prdida de insercin ligeramente por encima de 1 dB en la banda L, con un aislamiento
mayor a 35 dB. Los conmutadores tambin pueden operar con seales de banda ancha, entre 6 18 GHz, con una
53
prdida por insercin menor de 2 dB y un aislamiento mayor a 32 dB. Igualmente se ha reportado un lmite de 6
Watts de potencia de ondas continuas en conmutadores en base a diodos p-i-n conectados en una configuracin de
circuito en paralelo. Tales conmutadores han demostrado tambin la habilidad de ser controlados pticamente.
Los conmutadores MEMS de RF son conmutadores micro-electromecnicos diseados especficamente para
funcionar con ondas milimtricas, de frecuencias entre 100 MHz a 100 GHz. Las fuerzas requeridas para el
movimiento mecnico del proceso de conmutacin, se pueden obtener utilizando diseos trmicos, piezo
elctricos, magnetostticos, y electrostticos. Los que se han probado en un comienzo, han sido los conmutadores
electrostticos en las frecuencias 0.1 a 100 GHz, percibiendo elevada confiabilidad, de 100 millones y 10 billones
de ciclos de vida del dispositivo.
Los conmutadores MEMS tienen muy baja capacitancia en estado abierto y tienen un buen desempeo comparado
con los diseos que utilizan dispositivos de estado slido. Los conmutadores MEMS pueden ser fabricados
directamente con el elemento de la antena en sustratos cermicos o vidrio, producindose antenas de arreglos de
fase muy econmicos. El tiempo de conmutacin de los conmutadores MEMS est en el orden de 1-20 s , lo
cual les permite posiblemente ser utilizados en todos los sistemas excepto en aplicaciones areas. Los
conmutadores MEMS tienen la capacidad de mantener la potencia entre 10-50mW con elevada confiabilidad, y
esto puede per permitir su aplicacin en arreglos que requieran relativamente una baja potencia de radiacin por
elemento. Pueden, alternativamente ser instalados antes del amplificador de potencia en el mdulo transmisor
receptor MTR. El tiempo de vida de los conmutadores MEMS, que es de billones de ciclos por segundo, permite
su utilizacin en una gama amplia de aplicaciones. El tiempo de vida debe mejorarse a 100 billones de ciclos
antes de ser utilizados en aplicaciones areas y satelitales. Para las aplicaciones como los sistemas de
comunicaciones satelitales, sistemas con elevada tasa de datos en terminales terrestres, sistemas de misiles y
radares automotores, es suficiente un tiempo de vida de 1-10 billones de ciclos.
4.2 Circuitos conmutadores

Una de las aplicaciones ms importantes de los diodos p-i-n son los circuitos conmutadores de microondas. Estos
son dispositivos electrnicos que permiten modificar la trayectoria que deben seguir el flujo de electrones. Los
conmutadores a la vez desconectan un circuito y conectan otro. La figura 4.1 muestra un esquema bsico de un
conmutador.
En nuestro anlisis consideramos que el conmutador est conectado en una lnea de transmisin con impedancia
caracterstica
54
Fig. 4.1 Conmutador

C
b
bsico
P
Para
el diseoo de un conm
mutador existeen diferentes procedimienttos que son basados
b
sobree el principio de que el
e
elemento
connmutador en estado on y off puedde ser considderado como una reactanncia o suceptaancia que
p
pueden
incluirrse en la conffiguracin de un filtro.
G
Generalmente
e, el estado on
o el estaado de bajas prdidas poor insercin es

e consideraddo primero y la red es
d
diseada
paraa producir el deseado
d
desem
mpeo pasa banda.
b
El estaado off pueede consideraarse como unaa red para
d
desintonizar,
y las impedan
ncias son ajusstadas para lograr el aislam
miento deseaddo. Estos enfoques para el diseo
d
del
c
conmutador
p
podran
requeerir varias approximacioness hasta lograar el desempeeo satisfactoorio en amboos estados
on
y off. El montaje y direccionaamiento de reeactancia sonn consideradoos en el diseo y son abssorbidas e
incorporadas dentro
d
de la red
r del filtro.
E desempeoo de las perdiidas por inserrcin y aislam
El
miento variarn con la sinttonizacin y la
l ms baja prdida
p
de
insercin y el ms grande aislamiento
a
geeneralmente son
s obtenidoss en banda esttrecha.
4 Circuittos conmu
4.3
utadores en
n base a diodos
d
p-i-n
n
P
Para
el controol de las seaales de RF see usan comnnmente los diodos
d
p-i-n. El uso de diodos p-i-n enn diversas
a
aplicaciones
s basa en la polarizacin del diodo, enn estado de alta
se
a o baja imppedancia, deppendiendo deel nivel de
c
carga
que se encuentre
e
alm
macenada en laa regin I.
(aa)
(b)
Fig. 4.2 Conmutadores en base a dioodos p-i-n (a) SPST serie y (b) SPST paaralelo
55
La disposicin de los diodos p-i-n en los conmutadores de un polo y un tiro SPST serie y paralelo se muestra en la
figura 4.2.
Los conmutadores multi - tiro son mayormente utilizados. Un conmutador multi tiro se puede disear usando
un diodo p-i-n en cada brazo adyacente al punto comn (GND). El desempeo que se obtiene puede ser mejorado
con el uso de conmutadores compuestos, los cuales consisten en la combinacin en cada brazo de los
conmutadores conectados en serie y los conmutadores conectados en derivacin.
Para aplicaciones de banda estrecha, se usan lneas de transmisin de un cuarto de longitud de onda, separado por
mltiples diodos, permitiendo ser usados para varios diseos de conmutadores y as lograr obtener una mejor
operacin de estos.
4.3.1 Conmutadores conectados en serie
Los dos tipos de conmutadores con diodos p-i-n conectados en serie, SPST y SPDT mostrados en la figura 4.3,
son comnmente utilizados en aplicaciones de banda ancha. En ambos casos el diodo se encuentra en un estado de
paso de potencia. Lo que indica este estado es que conforme se incrementa la polarizacin directa aplicada se
presenta un pequeo aumento en la resistencia serie del diodo Rs, ubicada entre la RF del generador y la
carga. En cambio, bajo la condicin de interrupcin de potencia el diodo se encuentra en polarizacin inversa,
por lo que presenta un estado de alta impedancia entre la fuente y la carga.
(a)
(b)
Fig. 4.3 Conmutadores de (a) un polo un tiro SPST, (b) un polo dos tiros, SPDT
En los conmutadores conectados en serie, el mximo aislamiento que se puede obtener depende
fundamentalmente de la capacitancia del diodo p-i-n, mientras que la prdida de insercin y la disipacin de
potencia se encuentran en funcin de la resistencia serie del diodo.
56
Los principales parmetros de operacin de los conmutadores conectados en serie son la prdida de insercin,
situacin de baja impedancia del diodo por polarizacin directa, y el aislamiento, situacin de alta impedancia del
diodo por polarizacin inversa. Se pueden obtener usando las siguientes expresiones:
Prdidas de insercin para el conmutador conectado en serie
La siguiente expresin ayuda a estimar la prdida de insercin en un conmutador SPST.
20
/ 2
(4.13)
Para los conmutadores multitiro las prdidas por insercin son un poco mayores, debido a algn desacoplo con
los conectores del diodo provocado por la capacitancia de los diodos p-i-n. Esta prdida de insercin adicional
puede ser determinada a travs de la expresin para aislamiento de conmutadores multi-tiro, una vez que se
encontr el total de la capacitancia de derivacin de todos los brazos del conmutador multitiro.
Aislamiento para el conmutador conectado en serie
La ecuacin para el clculo del aislamiento aplica para diodos conmutadores SPST, y es la siguiente:
10
donde
es la reactancia capacitiva en funcin de la capacitancia
(4.14)
del diodo p-i-n en situacin de
polarizacin inversa.
Por cada conmutador SPNT se agregan 6 dB con relacin al 50% del voltaje de reduccin a travs del diodo en
estado de alta impedancia, debido a las limitaciones del generador en cuanto a sus caractersticas de impedancia
[14].
4.3.2 Conmutadores conectados en derivacin
En la figura 4.4 se muestran los dos conmutadores tpicos con diodos p-i-n conectados en derivacin. Estos
conmutadores ofrecen elevados aislamientos para muchas aplicaciones, debido a que el diodo permite disminuir el
calor en un electrodo y as es capaz de manipular mayor potencia RF que un conmutador con diodo p-i-n tipo
serie.
En los diseos del conmutador con derivacin (shunt) tanto el aislamiento como la disipacin de potencia, se
encuentran en funcin de los incrementos en la resistencia de los diodos, donde las prdidas por insercin
dependen principalmente de la capacitancia de los diodos p-i-n.
57
(a)
(b)
Fig. 4.4 Conmutadores con diodos en derivacin (a) SPST, (b) SPDT
Los parmetros de operacin de los conmutadores con derivacin son descritos principalmente por las siguientes
ecuaciones.
Prdida de insercin en el conmutador conectado en derivacin
La expresin para el clculo de prdida de insercin para ambos conmutadores con derivacin SPST y SPNT es la
siguiente:
10
(4.15)
Aislamiento para el conmutador conectado en derivacin

La ecuacin para el clculo del aislamiento para un interruptor con derivacin SPST es:
20
(4.16)
Para obtener un correcto aislamiento para un interruptor muti-tiro se agregan 6 dB a los valores obtenidos con
(4.16).
4.3.3 Conmutadores compuestos y sintonizados
Estos conmutadores presentan grandes ventajas en cuestin de un mejor desempeo en el efecto de aislamiento en
comparacin con utilizar un solo diodo p-i-n como un conmutador. Los conmutadores compuestos son
combinaciones de arreglos en serie y en paralelo de los diodos p-i-n. Los conmutadores sintonizados son
conmutadores con una estructura resonante. Con estas configuraciones se puede tener ms de 40 dB de
aislamiento.
En la siguiente figura se muestran dos conmutadores compuestos SPST.
58
(a)
(b)
Fig. 4.5 Conmutadores SPST (a) serie - paralelo y (b) diseo TEE
En el conmutador compuesto, cuando los diodos p-i-n en serie se encuentran bajo polarizacin directa y los
diodos en paralelo se encuentran en polarizacin inversa o estado cero, se trata del estado de prdida de insercin.
El caso inverso es el estado de aislamiento.
En estos casos, los circuitos de control de los diodos son ms complejos en comparacin con los conmutadores
simples.
En la figura 4.6 se puede observar el esquema de un conmutador serie-paralelo.
Fig. 4.6 Conmutador serie paralelo

Si se conectan dos conmutadores en serie o dos en paralelo separados una distancia de una longitud de onda,
podemos obtener un conmutador sintonizado. As se duplica el valor obtenido de aislamiento con un solo diodo.
Sin embargo, la prdida por insercin es mayor al obtenido por un conmutador de un solo diodo.
En el caso del conmutador sintonizado con configuracin en paralelo las perdidas en comparacin con un
conmutador simple en paralelo serian menores debido a la resonancia que existe en este circuito.
Las configuraciones de estos conmutadores sintonizados se muestran en la figura 4.7.
59
(a)
(b)
Fig. 4.7 Conmutador sintonizado (a) serie y (b) paralelo
4.4 Anlisis de prdidas en conmutadores de microondas

Las perdidas por insercin (IL) y aislamiento (I) son parmetros importantes utilizados para evaluar el desempeo
de los diodos p-i-n en conmutadores de microondas.
Como se mencion en el captulo 1, la prdida de insercin se define como:
,
10
(4.17)
Y el aislamiento como:
10
,
,
(4.18)
La siguiente tabla muestra las expresiones matemticas para estimar los parmetros de desempeo de los
conmutadores en base a diodos p-i-n.
60
Tabla 4.1 Expresiones para el clculo de prdida de insercin y aislamiento de conmutadores un polo un tiro
Tipo
Aislamiento
10
10
10
20
10
20
20
Paralelo
Serie - Paralelo
10
Serie
Prdidas de insercin (dB)
TEE
10
10
4.4.1 Resultados de prdida de insercin en funcin a la frecuencia de operacin

Consideramos al diodo p-i-n HPND4038 del fabricante AVAGO Technologies, cuyos parmetros de circuito
equivalente en situacin de polarizacin directa e inversa son: 1.5 Ohms de resistencia serie y 0.0045pF
capacitancia de unin.
En la figura 4.8 se muestran las respuestas de prdida de insercin de los conmutadores serie-paralelo, paralelo y
Tee utilizando el diodo HPND4038.
Como se puede apreciar los conmutadores tipos TEE y Serie-Paralelo, tienen un comportamiento de prdida de
insercin lineal y constante de 0.4 y 0.2 dB, respectivamente, hasta aproximadamente los 10 GHz.
La prdida de insercin para frecuencias por debajo de 10 GHz es menor en el conmutador de tipo paralelo.
Conforme aumenta la frecuencia de operacin, la prdida de insercin en los tres conmutadores converge hacia 3
dB.
Se analizaron las respuestas de prdida de insercin de los conmutadores serie, paralelo, serie-paralelo y TEE,
para los diodos p-i-n descritos en la tabla 4.2 [14].
61
Fig. 4.8 Prdida de insercin respecto a la frecuencia de operacin

La prdida de insercin obtenida de los conmutadores en serie utilizando los diodos p-i-n de la tabla 4.2 se detalla
en la tabla 4.3.
Tabla 4.2 Caractersticas de impedancia serie y capacitancia de unin de diodos p-i-n
Diodo
Rs ()
Cj( pF)
HPND4005
4.7
0.017
HPND0002
3.5
0.200
HPND4028
2.3
0.025
HPND4038
1.5
0.045
5082-0012
1.0
0.120
Tabla 4.3 Valores de prdida de insercin de los conmutadores en serie para cada uno de los diodos utilizados
Diodo
IL(dB)
HPND4005
0.400
HPND0002
0.300
HPND4028
0.197
HPND4038
0.129
5082-0012
0.086
La figura 4.9 muestra las respuestas de prdidas de insercin correspondientes a los conmutadores: paralelo, serieparalelo y Tee.
62
El diodo HPND4005 en el conmutador en paralelo tiene prdida de insercin menor respecto a los otros diodos a
bajas frecuencias (< 1 GHz). El diodo PIN 5082-0012 logra menor prdida de insercin a bajas frecuencias en los
conmutadores serie-paralelo y TEE.
La respuesta de prdida de insercin aumenta drsticamente para frecuencias de microondas (> 1 GHz) en los
conmutadores serie-paralelo y Tee. El desempeo de los diodos PIN estudiados a determinada frecuencia de
microondas se puede estimar con la figura 4.9.
(a)
(b)
(c)
Fig. 4.9 Prdida de insercin de conmutadores (a) paralelo, (b) Serie-Paralelo y (c) TEE
4.4.2 Resultados de aislamiento en funcin a la frecuencia de operacin
La figura 4.10 muestra los resultados de aislamiento de los conmutadores en funcin de la frecuencia de
operacin, de 1 GHz a 100 GHz.
63
(a)
(b)
(c)
(d)
Fig. 4.10 Aislamiento de los conmutadores (a) serie, (b) paralelo, (c) Serie-Paralelo y (d) TEE
El diodo HPND4005 en el conmutador tipo serie presenta una respuesta de aislamiento superior a 19 dB para
frecuencias inferiores a los 10 GHz. Los diodos p-i-n 5082-0012, HPND4028 y HPND4038 presentan mayor
aislamiento en el conmutador en paralelo, superior a 21 dB. Los cuatro diodos pueden ser utilizados en los
conmutadores serie-paralelo y TEE, por sus respuestas de aislamiento superiores a los 18 dB.
4.5 Conclusiones del captulo

Los parmetros resistencia serie y capacitancia de unin del modelo de circuito equivalente de un diodo p-i-n, en
situacin de polarizacin directa e inversa, respectivamente, son utilizados para estimar las prdidas que se
presentarn en un dispositivo de microondas por presencia del diodo p-i-n. Estas prdidas varan de acuerdo a
disposicin del diodo en el circuito, es decir, no siguen la misma tendencia en la estimacin.
64
Por ejemplo, para los conmutadores serie y paralelo, el aislamiento es inversamente proporcional a la capacitancia
de unin y a la resistencia serie del diodo, respectivamente. Y la prdida de insercin en los conmutadores serie y
paralelo, es proporcional a la resistencia serie y capacitancia de unin del diodo, respectivamente.
Debido a los resultados obtenidos surge la necesidad de poder estimar las prdidas que puedan introducir diodos
p-i-n de distintos materiales semiconductores con los mismos parmetros fsicos de diseo.
65
Captulo 5 Comparacin de parmetros de conmutadores

microondas en base a diodos p-i-n de distintos materiales
5.1 Introduccin
En este captulo se presenta el anlisis de prdidas de insercin y aislamiento de dispositivos de microondas
fabricados con distintos materiales semiconductores. Los materiales analizados son silicio (Si), arseniuro de galio
(GaAs), carburo de silicio (SiC), nitruro de galio (GaN), fosfuro de indio (InP) y estaniuro de galio (GaSb).
De inicio se presentan las propiedades elctricas y fsicas de estos materiales. Se procede a obtener resultados
numricos de prdidas de dispositivos fabricados con estos materiales operando a frecuencias de microondas.
5.2 Propiedades fsicas y elctricas de materiales semiconductores

En las tablas 5.1 y 5.2 se presentan las propiedades fsicas y elctricas de los materiales semiconductores Si,
GaAs, SiC, GaN, InP y GaSb.
Tabla 5.1 Propiedades fsicas de los materiales semiconductores estudiados [21]
Material
Masa Efectiva del Electrn

mn/m0
Masa Efectiva del Hueco

me/m0
Constante Dielctrica
Banda Prohibida
eV
Si
0.260
0.810
11.70
1.12
GaAs
0.063
0.510
10.89
1.42
SiC-3C
0.680
0.600
6.52
2.36
SiC-4H
0.290
1.000
6.52
3.26
SiC-6H
0.200
1.000
6.52
2.86
GaN-WZ
0.200
0.800
5.35
3.39
GaN-ZB
0.130
0.190
5.30
3.20
InP
0.080
0.600
9.61
1.34
GaSb
0.400
0.050
14.40
0.73
66
Tabla 5.2 Propiedades elctricas de los materiales semiconductores estudiados [21]
Material
Movilidad del Movilidad del

Hueco
Electrn
cm2/V/seg
cm2/V/seg
Constante
de
Difusin de
Huecos
cm2/seg
Constante
de
Difusin de
Electrones
cm2/seg
Campo
de
Ruptura
V/cm
Velocidad
Trmica
del
Electrn
m/seg
Velocidad
Trmica
del Hueco
m/seg
Si
1400
450
12
36
3e5
2.3e5
1.65e5
GaAs
8500
400
10
200
4e5
4.4e5
1.8e5
SiC-3C
800
320
20
1e6
2e5
1.5e5
SiC-4H
900
120
22
(3a5)e6
1.9e5
1.2e5
SiC-6H
400
90
90
(3a5)e6
1.5e5
1.2e5
GaN-WZ
1000
200
25
5e6
GaN-ZB
1000
350
25
5e6
InP
5400
200
130
GaSb
3000
1000
25
75
5.3 Metodologa para el clculo de la impedancia serie de diodos p-i-n de diferentes

materiales
Los materiales semiconductores de la tabla 4.1 pueden utilizarse en la fabricacin de un diodo p-i-n. El material
escogido, tendr una variacin de densidad de portadores minoritarios en la regin intrnseca del diodo posible de
ser estimado con la longitud de difusin ambipolar
dado por:
, donde
Para efectos de anlisis, partiremos de un valor determinado de tiempo de vida de portadores, caracterstica propia
de la recombinacin de portadores en la regin I del diodo.
Por otro lado, si el material utilizado en la regin I del diodo es de tipo n, que es lo que mayormente se elige, se
tendr una densidad de electrones en la banda de conduccin
D,I .
La resistividad de la regin I depender de este
valor de densidad de electrones, as como de la movilidad de electrones. Reescribimos esta relacin para
comodidad en el clculo de la resistividad de la regin I del diodo:
D,I
Este valor de resistividad de la regin I permite encontrar el valor de frecuencia de relajacin dielctrica del
material
. El valor de esta constante de relajacin permite predecir la frecuencia de operacin ptima del diodo,
la cual es de hasta 3 veces la frecuencia de relajacin dielctrica.
67
Partiendo de un valor W, ancho de la regin intrnseca, y habiendo calculado la longitud de difusin L, se

encuentra la relacin W/L para el diodo p-i-n.
Posteriormente, utilizando la expresin (3.22) encontramos la resistencia del diodo p-i-n, diseado con algn
material semiconductor de la tabla 5.1, en funcin de la frecuencia de operacin.
5.3.1 Verificacin de la metodologa de estudio
Consideramos el diodo p-i-n HPND4038 de Avago Technologies. El esquema fsico del diodo se muestra en la
figura siguiente.
Fig. 5.1 Diodo p-i-n HPND4038

Los datos del diodo que brinda el fabricante, a una frecuencia de 1 MHz, son: voltaje de polarizacin inversa
30
0.052
y capacitancia de unin
. Bajo una corriente de polarizacin directa de 10 mA, a una
frecuencia de 100 MHz, el fabricante indica: tiempo de vida de portadores
45
y resistencia serie
1.5.
Aplicando la metodologa descrita en la seccin anterior, se encuentran los siguientes valores: Longitud de
difusin ambipolar
8.9
portadores de la regin intrnseca

entre
, resistividad de la regin intrnseca

,
7.02
10
6.4
, ancho de la regin intrnseca
, concentracin de
9.1
y relacin
1.02.
68
Con el valor encontrado de
1.02 y utilizando la expresin (3.22) se obtiene de forma analtica un

para el diodo en situacin de polarizacin directa, en funcin del tiempo de
estimado de la resistencia serie
vida de portado . La siguiente figura presenta el valor encontrado de

MHz, para el valor de
45
para la frecuencia de operacin de 100
5
4.5
4
Rs (OHm)
3.5
3
2.5
2
X: 4.509e-008
Y: 1.566
1.5
1
0.5
0
10
Fig. 5.2 Valor de resistencia serie (
20
30
40 50 60 70
Carrier Lifetime (ns)
80
90 100
) del diodo HPND4038 encontrado con la metodologa propuesta
Se puede observar gran aproximacin entre el valor analtico encontrado para la resistencia serie
utilizando la metodologa propuesta, con el valor que presenta el fabricante del diodo
1.566
1.5 .
5.4 Impedancia serie de diodos p-i-n de distintos materiales

A continuacin se presenta la aplicacin de la metodologa para el clculo de resistencia serie de diodos p-i-n de
diferentes materiales semiconductores.
5.4.1 Parmetros iniciales
Consideramos los siguientes parmetros fsicos comunes para los diodos p-i-n diseados con distintos materiales:
Ancho de la regin intrnseca,
9.1 .
Tiempo de vida de portadores,
45 .
10
Corriente de polarizacin directa,
1 10
.
Concentracin de impurezas aceptoras,
Concentracin de impurezas donoras,
7 10
.
Dimetro del diodo,
71 .
69
5.4.2 Impedancia serie a frecuencia de 10 GHz

La siguiente tabla muestra los resultados obtenidos de impedancia serie para diodos p-i-n de distintos materiales,
en la frecuencia de operacin de 100 MHz y 10 GHz.
Los diodos p-i-n diseados con material GaSb presentan menor resistencia serie frente a los dems diodos, tanto a
bajas como a altas frecuencias. El valor de resistencia serie es directamente proporcional a la movilidad ambipolar
de portadores
. Cuanto mayor la longitud de difusin ambipolar
, ms baja es la resistencia serie del
elemento.
Tabla 5.3 Resultados obtenidos de resistencia serie de diodos p-i-n de distintos materiales
5.5 Desempeo de conmutadores diseados con diodos p-i-n de distintos materiales

Como se mencion en el captulo 1 la prdida de insercin y el aislamiento, son los principales parmetros para
evaluar un dispositivo conmutador de microondas. Utilizamos las expresiones de estos dos parmetros de
desempeo (ver tabla 4.1) para algunos conmutadores de microondas con el fin de evaluar diodos p-i-n de
distintos materiales.
70
5.5.1 Parmetros obtenidos en el Conmutador Serie

En la figura 5.3 se muestra el dispositivo conmutador de microondas tipo serie en base a diodo p-i-n.
Fig. 5.3 Conmutador de microondas tipo serie

Se encontr para este dispositivo las respuestas de prdida de insercin y aislamiento para los materiales
semiconductores analizados. La figura 5.4 muestra los resultados de prdida de insercin.
Fig. 5.4 Resultados de prdida de insercin de conmutadores tipo serie

La prdida de insercin del diodo p-i-n en los conmutadores tipo serie se mantiene ligeramente constante,
disminuyendo conforme la frecuencia de la seal de operacin aumenta. Valores de prdida de insercin por
debajo de 0.15 dB se logran con diodos p-i-n diseados con materiales semiconductores: GaSb, GaAs, Si y GaNZB.
La siguiente figura muestra los resultados de aislamiento para los diodos p-i-n de distintos materiales
semiconductores.
71

Fig. 5.5 Resultados de aislamiento de conmutadores tipo serie
El diodo p-i-n diseado con material semiconductor GaSb tiene valor de aislamiento ms bajo respecto a los otros
materiales, lo cual indica que este diodo p-i-n no es el adecuado para utilizarse en este tipo de conmutador. Buen
aislamiento se consigue con los materiales semiconductores de SiC, GaN e InP.
Con los resultados obtenidos de prdidas de insercin y aislamiento, se puede concluir, que los diodos p-i-n
diseados con GaN-ZB alcanzan buen desempeo en conmutadores serie operando con seales microondas por
debajo de 10 GHz.
5.5.2 Parmetros obtenidos en el conmutador paralelo
La figura 5.6 muestra el conmutador de microondas tipo paralelo, diseado con dos diodos p-i-n.
Fig. 5.6 Conmutador de microondas tipo paralelo

La respuesta de prdida de insercin para este conmutador se muestra en la figura 5.7.
72
Fig. 5.7 Resultados de prdida de insercin del conmutador tipo paralelo

Se puede observar que a partir de 10 GHz la prdida de insercin aumenta para todos los materiales
semiconductores. Los diodos p-i-n en base a GaN alcanzan un valor de prdida de insercin por debajo de 0.15
dB para seales de microondas inferiores a 60 GHz. Los diodos p-i-n en base a SiC alcanzan valores de prdida
de insercin por debajo de 0.15 dB para seales de microondas inferiores a 50 GHz.
La figura 5.8 muestra las respuestas de aislamiento.
Fig. 5.8 Resultados de aislamiento del conmutador tipo paralelo
73
El diodo p-i-n diseado con GaSb produce mayor aislamiento, aproximadamente 32 dB en la banda de
frecuencias de 1 a 100 GHz. El diodo p-i-n de GaN tiene aceptable aislamiento, superior a 20 dB, y buena
respuesta de prdida de insercin, inferior a 0.15 dB para seales hasta 60 GHz de frecuencia.
Con los resultados obtenidos de prdidas de insercin y aislamiento, se puede concluir, que los diodos p-i-n
diseados con GaN alcanza buen desempeo en conmutadores paralelo operando con seales microondas por
debajo de 60 GHz.
5.5.3 Parmetros obtenidos en el Conmutador Serie Paralelo
En la figura 5.9 se muestra el dispositivo conmutador tipo serie paralelo diseado con dos diodos p-i-n de
distintos materiales.
Fig. 5.9 Conmutador de microondas tipo serie paralelo

Las respuestas de prdida de insercin de diodos p-i-n en base a distintos materiales semiconductores se muestran
en la siguiente figura.
Fig. 5.10 Resultados de prdida de insercin del conmutador tipo serie paralelo
74
Los diodos p-i-n que producen prdida de insercin inferior a 0.15 dB con seales de operacin de frecuencia por
debajo de 10 GHz son: GaSb, GaAs, Si y GaN-ZB. A partir de los 10 GHz las prdidas insercin aumentan para
estos materiales.
El diodo p-i-n en base a GaN-ZB alcanza una prdida de insercin menor a 0.3 dB operando con seales de
microondas inferiores a 60 GHz.
La siguiente figura muestra las respuestas de aislamiento para los diodos p-i-n en el conmutador serie paralelo.
Fig. 5.11 Resultados de aislamiento del conmutador tipo serie paralelo

Para seales con frecuencia inferior a 10 GHz, los diodos p-i-n de todos los materiales analizados destacan
aislamiento superior a 35 dB.
Por lo tanto, para seales de operacin con frecuencia superior a 10 GHz, el material semiconductor recomendado
para el diodo p-i-n en este tipo de conmutador es GaN-ZB.
5.5.4 Parmetros obtenidos en el Conmutador TEE
El conmutador de microondas tipo TEE se muestra en la figura 5.12.
75
Fig. 5.12 Conmutador de microondas tipo TEE

La respuesta de prdida de insercin que introduce el diodo p-i-n en este tipo de conmutadores, se muestra en la
figura 5.13, para distintos materiales semiconductores.
Fig. 5.13 Resultados de prdida de insercin del conmutador tipo TEE

Para seales con frecuencia inferior a 12 GHz los diodos p-i-n de GaSb, GaAs y Si producen prdida de insercin
inferior a 0.23 dB. Para frecuencias de operacin entre 12 GHz y 25 GHz los diodos p-i-n en base a GaSb, GaAs y
GaN-ZB son los recomendados.
La figura 5.14 presenta los resultados de aislamiento obtenidos para los diodos p-i-n estudiados.
76
Fig. 5.14 Resultados de aislamiento del conmutador tipo TEE

Para seales con frecuencia inferiores a 30 GHz todos los diodos p-i-n analizados tienen respuesta de aislamiento
superior a 40 dB. A partir de esta frecuencia los diodos p-i-n de GaN-ZB es el ms recomendado.
Con el anlisis realizado de prdida de insercin y aislamiento, se recomienda utilizar diodos p-i-n en base a GaSb
en este tipo de conmutadores de microondas que operen con seales hasta los 25 GHz de frecuencia.
5.5.5 Respuestas de prdida de insercin y aislamiento para seales de operacin de 10 GHz
La tabla 5.3 resume los valores de prdida de insercin obtenidos para los cuatro conmutadores operando con
seales de frecuencia 10 GHz. Se remarcan los valores ptimos de prdida de insercin para cada tipo de
conmutador de microondas, especificando de esta manera los materiales semiconductores recomendados para los
diodos p-i-n.
77
Tabla 5.4 Resultados de prdida de insercin de los conmutadores de microondas a 10 GHz
Material
RS [OHm]
Cj [pF]
GaSb
0.61
0.055
IL(dB)
IL(dB)
IL(dB)
IL(dB) -
Series
Shunt
Series Shunt
TEE
0.053
0.032
0.085
0.14
GaAs
1.16
0.0419
0.10
0.029
0.13
0.23
Si
1.27
0.0454
0.11
0.031
0.14
0.25
GaN - ZB
1.62
0.0204
0.14
0.013
0.15
0.29
SiC 3C
1.83
0.0251
0.16
0.017
0.18
0.33
InP
2.12
0.0370
0.18
0.014
0.20
0.38
GaN WZ
2.39
0.0206
0.20
0.013
0.22
0.42
SiC 4H
3.47
0.0251
0.30
0.016
0.31
0.60
SiC 6H
4.60
0.0251
0.39
0.017
0.41
0.78
La tabla 5.4 presenta el aislamiento obtenido en los conmutadores operando con seales de la misma frecuencia
(10 GHz). Se remarcan los mejores valores de aislamiento del conmutador para determinado diodo p-i-n.
Tabla 5.5 Resultados de aislamiento de los conmutadores de microondas a 10 GHz
0.0204
I(dB)
Series
13.29
I(dB)
Shunt
24.3
I(dB) Series
Shunt
43.2
I(dB) TEE
62.1
2.39
0.0206
13.26
21.2
39.9
58.7
SiC 3C
1.83
0.0251
12.32
23.3
41.2
59.0
SiC 4H
3.47
0.0251
12.43
18.3
36.0
53.7
SiC 6H
4.60
0.0251
12.36
16.2
33.7
51.1
InP
2.12
0.0370
12.90
22.0
40.0
59.0
GaAs
1.16
0.0419
10.16
27.1
42.7
58.4
Si
1.27
0.0454
9.86
26.3
41.6
57.0
GaSb
0.61
0.0550
9.70
32.5
47.7
63.0
Material
RS [OHm]
Cj [pF]
GaN - ZB
1.62
GaN WZ
5.6 Conclusiones
Se presenta un anlisis de diodos p-i-n diseados con distintos materiales semiconductores para su
implementacin en conmutadores de microondas. Ciertos materiales destacan valores ptimos de prdidas de
insercin y aislamiento respecto a otros en los conmutadores de microondas.
A continuacin se presenta el desempeo de los diodos p-i-n en cada tipo de conmutador estudiado:
78
Para el conmutador en serie, es recomendable utilizar diodo p-i-n de GaN-ZB, pues se logra una prdida
de insercin menor a 0.15 dB a cualquier frecuencia de operacin.
Para el conmutador en paralelo es recomendable utilizar el diodo p-i-n de GaN para seales de
frecuencias de operacin inferiores a 60 GHz.
Para el conmutador serie paralelo son recomendables los diodos p-i-n: GaSb, GaAs y Si para seales de
frecuencias inferiores a 10 GHz. Para frecuencias de operacin inferiores a 60 GHz el diodo p-i-n de
GaN-ZB.
Para el conmutador tipo TEE son recomendables los diodos p-i-n de GaSb, GaAs y Si para seales de
frecuencias inferiores a 12 GHz. Para frecuencias entre 12 GHz y 25 GHz son recomendables los diodos
p-i-n de GaSb, GaAs y GaN-ZB.
A continuacin se presentan los diodos p-i-n adecuados para los conmutadores de microondas operando con
seales de frecuencia 10 GHz.
Para el conmutador tipo serie, es recomendable utilizar el diodo p-i-n de SiC-3C, por sus valor de prdida
de insercin de 0.16 dB y aislamiento 12.32 dB.
Para el conmutador tipo paralelo, es recomendable utilizar el diodo p-i-n de InP por su prdida de
insercin de 0.014 dB y aislamiento 22 dB.
Para el conmutador tipo serie paralelo, son recomendables los diodos p-i-n de GaSb y GaAs. El primero
presenta prdida de insercin de 0.085 dB y aislamiento 47.7 dB. El segundo presenta prdida de
insercin 0.13 dB y 42.7 dB.
Para el conmutador tipo TEE, son recomendables los diodos p-i-n GaSb y GaAs. El primero presenta una
prdida de insercin de 0.14 dB y aislamiento 63 dB. El segundo presenta prdida de insercin 0.23 dB y
aislamiento 58.4 dB.
Los diodos p-i-n que recomendamos, de acuerdo a las respuestas de prdida de insercin y aislamiento en funcin
de la frecuencia (de 1 GHz a 100 GHz) de la seal de operacin, para los cuatro conmutadores de microondas
analizados, se presentan en la seccin 5.5 de este captulo.
79

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CUESTIONARIO 2

1. Explique las caractersticas fsicas de funcionamiento y de diseo de los

Tema 5 Dispositivos Activos de Microondas II: Osciladores

Frecuencia de oscilacin, la de la componente fundamental

Potencia de Salida, la entregada a la carga slo a la frecuencia fundamental

Nivel de Armnicos, relacin en dB entre la potencia del armnico ms fuerte y la

Nivel de espurios, relacin en dB entre la potencia (mxima) de las frecuencias no

Rendimiento, Potencia de seal en la carga / Potencia en DC en %

Sintona (VCO), margen de frecuencias que recorre (barre) el oscilador al

PULLING, variacin de la frecuencia al modificar la carga; se especifica para un

PUSHING, variacin de la frecuencia con la polarizacin

Diagrama de Rieke, contornos de frecuencia y potencia constante del oscilador

Espectro de Ruido AM y FM, pureza espectral de la seal en las cercanas de la

Tema 5 Dispositivos Activos de Microondas II: Osciladores

1000 - 2000 MHz

2000 - 4000 MHz

4000 - 6000 MHz

3dB maximum over 3dB maximum over 3dB maximum over

Voltage tuning range

+15 volts @ 150mA

+15 volts @ 150mA

+15 volts @ 70mA

Fuente: Miteq, Cavity oscillator, ModelOTC-1CM-134141-15P-AFC, www.miteq.com

La 2, segn la tecnologa usada en el circuito resonante:

Tema 5 Dispositivos Activos de Microondas II: Osciladores

OSCILADORES DE RESISTENCIA NEGATIVA

Ya se vio en Electrnica de Comunicaciones algo de los dispositivos de resistencia

5.2.1 Osciladores Diodos Gunn: Efecto Gunn

El vector de onda k tiene la magnitud igual al n de onda k (2/) y la direccin la de

, donde h es la constante de Planck.

Tema 5 Dispositivos Activos de Microondas II: Osciladores

Para un campo polarizador de 0,4MV/m aparece una poblacin significativa de

Est clara la relacin con la curva I/V de un dispositivo de resistencia negativa.

Tema 5 Dispositivos Activos de Microondas II: Osciladores

La longitud L de la muestra es 5m, el dopado es de 1015cm-3 y la polarizacin de 5V,

Para conseguir el manejo de tensin y frecuencia de la oscilacin, insertamos el diodo en

La formacin y desplazamiento del dominio Gunn lo podemos ver en la siguiente figura:

Tema 5 Dispositivos Activos de Microondas II: Osciladores

Como vemos el chip del diodo resultante es de 0,4mm de dimetro; el encapsulado se

5.2.2 Diseo y Aplicaciones Osciladores Diodos Gunn

Tema 5 Dispositivos Activos de Microondas II: Osciladores

En primera aproximacin, recordamos que la impedancia de onda de una gua rectangular

Aqu la adaptacin se realiza por medio de transformadores de /4, el resto es lo mismo.

Veamos las caractersticas de un diodo comercial y de un diseo realizado con l.

Tema 5 Dispositivos Activos de Microondas II: Osciladores

Una vez elegido el componente y su encapsulado deberemos prestar especial atencin a

X Band Gunn Diodes (Specifications @ 25C)

Si calculamos el rendimiento del diodo, es de aproximadamente 50 / (10 x 200) 2,5%,

En cuanto a la gestin de la temperatura, deberemos tener en cuenta las indicaciones del

Fuente: GaAs Gunn diodes, obsoletos de www.macom.com

Por tanto, conociendo la resistencia trmica entre semiconductor y encapsulado, podemos

Tema 5 Dispositivos Activos de Microondas II: Osciladores

1. Como cavidad resonante, sabemos cul es la frecuencia de resonancia en funcin de las

El dispositivo montado, en seccin, lo vemos con un conector BNC utilizado para

Los resultados experimentales del oscilador:

, corroboran un buen funcionamiento a partir de L = 30mm apenas tenemos variacin de la

Tema 5 Dispositivos Activos de Microondas II: Osciladores

Osciladores Diodos Impatt

La zona de ruptura es en la que se produce la corriente de avalancha, un rapidsimo

Tema 5 Dispositivos Activos de Microondas II: Osciladores

OSCILADORES CON TRANSISTORES

El diseo de osciladores con transistor se puede enfocar usando cualquier estructura

Tambin vimos en su momento, que en los amplificadores condicionalmente estables,

Tema 5 Dispositivos Activos de Microondas II: Osciladores