Definicin de diodo

Un diodo es una sustancia cuya conductividad es menor que la de un conductor y mayor que la de un
aislante. El grado de conduccin de cualquier sustancia depende, en gran parte, del nmero de electrones
libres que contenga. En un conductor este nmero es grande y en un semiconductor pequeo es
insignificante. El nmero de electrones libres de un semiconductor depende de los siguientes factores: calor,
luz, campos elctricos y magnticos aplicados y cantidad de impurezas presentes en la sustancia.
La sociedad actual ha experimentado cambios nunca antes vistos. Somos testigos de la influencia de la
Electrnica en todos los aspectos de la tecnologa. Es inconcebible la vida moderna sin los medios de
comunicacin (radio, televisin, telefona), sin los sistemas de manejo de informacin (computacin), sin la
electrnica de consumo en el hogar, sin los avances de la medicina auxiliados por la tcnica. Todo ha sido
posible gracias a los trabajos de investigacin y desarrollo tecnolgico, los cuales se han visto acelerados
a partir de la invencin de los diodos y transistores. Estos dispositivos basados
en materiales semiconductores, a partir de los cuales se fabrican prcticamente todos los sistemas
electrnicos actuales. La tecnologa de los semiconductores es un factor bsico en las economas de los
pases desarrollados.
De acuerdo con la facilidad con que se mueven los electrones por el interior de las sustancias se establecen
tres tipos de stas: conductores, aislantes y semiconductores. La facilidad del movimiento depende de la
estructura atmica de la sustancia.
Rojas Ponce y Atagua Lpez

Caractersticas, funcionamiento y aplicacin de los

siguientes diodos: Zener, Vericap, Tnel, Foto Diodo,
Gunn, Schockley
Diodo Zener: Al diodo Zener, tambin llamado diodo regulador de tensin, podemos definirlo como un
elemento semiconductor de silicio que tiene la caracterstica de un diodo normal cuando trabaja en sentido
directo, es decir, en sentido de paso; pero en sentido inverso, y para una corriente inversa superior a un
determinado valor, presenta una tensin de valor constante. Este fenmeno de tensin constante en el sentido
inverso convierte a los diodos de Zener en dispositivos excepcionalmente tiles para obtener una tensin
relativamente invisible a las variaciones de la tensin de alimentacin, es decir, como dispositivos reguladores
de tensin.

Diodo Varactor (Varicap): Este diodo, tambin llamado diodo de capacidad variable, es, en esencia, un diodo
semiconductor cuya caracterstica principal es la de obtener una capacidad que depende de la tensin inversa
a l aplicada.
Se usa especialmente en los circuitos sintonizadores de televisin y los de receptores de radio en FM.
Representacin en Circuito

Smbolo
Grfica del Diodo

Diodo Tnel: Este diodo presenta una cualidad curiosa que se pone de manifiesto rpidamente al observar
su curva caracterstica, la cual se ve en el grfico. En lo que respecta a la corriente en sentido de bloqueo se
comporta como un diodo corriente, pero en el sentido de paso ofrece unas variantes segn la tensin que se
le somete. La intensidad de la corriente crece con rapidez al principio con muy poco valor de tensin hasta
llegar a la cresta (C) desde donde, al recibir mayor tensin, se produce una prdida de intensidad hasta D que
vuelve a elevarse cuado se sobrepasa toda esta zona del valor de la tensin.

Smbolo

Representacin en circuito

Grfica
Fotodiodo: es un semiconductor construido con una unin PN, sensible a la incidencia de la luz visible o
infrarroja. Para que su funcionamiento sea correcto se polariza inversamente, con lo que se producir una
cierta circulacin de corriente cuando sea excitado por la luz. Debido a su construccin, los fotodiodos se
comportan como clulas fotovoltaicas, es decir, en ausencia de luz exterior generan una tensin muy pequea
con el positivo en el nodo y el negativo en el ctodo. Esta corriente presente en ausencia de luz recibe el
nombre de corriente de oscuridad.
Leer ms: http://www.monografias.com/trabajos65/tipos-diodos/tipos-diodos.shtml#ixzz3Rk8JOp3L
La funcin de los fotodiodos dentro de un pick-up es la de recuperar la informacin grabada en el surco
hipottico del CD transformando la luz del haz lser reflejada en el mismo en impulsos elctricos para ser
procesados por el sistema y obtener como resultado el audio o los datos grabados en el CD.

Smbolo

Grafica

Representacin en un Circuito
Diodo Gunn: Este diodo tiene caractersticas muy diferentes a los anteriores, ya que no es rectificador. Se
trata de un generador de microondas, formado por un semiconductor de dos terminales que utiliza el llamado
efecto Gunn. Cuando se aplica entre nodo y ctodo una tensin continua de 7 V, de modo que el nodo sea
positivo con respecto al ctodo, la corriente que circula por el diodo es continua pero con unos impulsos
superpuestos de hiperfrecuencia que pueden ser utilizados para inducir oscilaciones en una cavidad
resonante. De hecho, la emisin de microondas se produce cuando las zonas de campo elctrico elevado se
desplazan del nodo al ctodo y del ctodo al nodo en un constante viaje rapidsimo entre ambas zonas, lo
que determina la frecuencia en los impulsos.

Smbolos
Polarizados inversos y directos
Representacin en Circuito
Curva del Diodo

Diodo Shockley: es un dispositivo de dos terminales que tiene dos estados estables: OFF o de alta
impedancia y ON o baja impedancia. No se debe confundir con el diodo de barrera Schottky.
Est formado por cuatro capas de semiconductor tipo n y p, dispuestas alternadamente. Es un tipo de tiristor.

La caracterstica V-I se muestra en la figura. La regin I es la regin de alta impedancia (OFF) y la III, la regin
de baja impedancia. Para pasar del estado OFF al ON, se aumenta la tensin en el diodo hasta alcanzar Vs,
tensin de conmutacin. La impedancia del diodo desciende bruscamente, haciendo que la corriente que lo
atraviese se incremente y disminuya la tensin, hasta alcanzar un nuevo equilibrio en la regin III (PuntoB).
Para volver al estado OFF, se disminuye la corriente hasta Ih, corriente de mantenimiento. Ahora el diodo
aumenta su impedancia, reduciendo, todava ms la corriente, mientras aumenta la tensin en sus terminales,
cruzando la regin II, hasta que alcanza el nuevo equilibrio en la regin I

Representacin en Grafica
Smbolo
Representacin en Circuito

Transistor, Caracterstica, Composicin y Configuracin

Transistor (smbolo, tipos, curva caracterstica y funcionamiento)
El transistor es un dispositivo semiconductor de tres capas que consiste de dos capas de material tipo n y una
capa tipo p, o bien, de dos capas de material tipo p y una tipo n. al primero se le llama transistor npn, en tanto
que al segundo transistor pnp.
Para la polarizacin las terminales que se muestran en la figura 4.14 las terminales se indican mediante las
literales E para el emisor, C para el colector y B para la base. Se desarrollar una apreciacin de la eleccin
de esta notacin cuando se analice la operacin bsica del transistor. La abreviatura BJT, de transistor bipolar
de unin (del ingles, Bipolar Junction Transistor), suele aplicarse a este dispositivo de tres terminales. El
trmino bipolar refleja el hecho de que los huecos y los electrones participan en el proceso de inyeccin hacia
el material polarizado de forma opuesta. Si slo se utiliza un portador (electrn o hueco), entonces se
considera un dispositivo unipolar.
Caractersticas de los Transistores:

El consumo de energa es relativamente bajo.

El tamao de los transistores es relativamente ms pequeo que los tubos de vaco.

El peso.

Una vida larga til (muchas horas de servicio).

Puede permanecer mucho tiempo en deposito (almacenamiento).

No necesita tiempo de calentamiento.

Resistencia mecnica elevada.

Los transistores pueden reproducir el fenmeno de la fotosensibilidad (fenmenos sensibles a la

luz).
Se describir la operacin bsica del transistor utilizando el transistor pnp de la figura 4.14a. La operacin del
transistor npn es exactamente la misma que si intercambiaran las funciones que cumplen el electrn y el
hueco. En la figura 4.15 se dibujo de nuevo el transistor pnp sin la polarizacin base - colector. El espesor de
la regin de agotamiento se redujo debido a al polarizacin aplicada, lo que da por resultado un flujo muy
considerable de portadores mayoritarios desde el material tipo p hacia el tipo n.
Ahora se eliminar la polarizacin base - colector del transistor pnp de la figura 4.14a, segn se muestra en la
figura 4.16. En resumen:
Una unin p-n de un transistor tiene polarizacin inversa, mientras que la otra tiene polarizacin inversa
ambos potenciales de polarizacin se aplicaron a un transistor pnp, con el flujo resultante indicado de
portadores mayoritarios y minoritarios. Los espesores de las regiones de agotamiento, que indican con
claridad cul unin tiene polarizacin directa y cul polarizacin inversa. Habr una gran difusin de
portadores mayoritarios a travs de la unin p-n con polarizacin directa hacia el material tipo n. As, la
pregunta sera si acaso estos portadores contribuirn de forma directa a la corriente de base IB o si pasarn
directamente al material tipo p. Debido a que material tipo n del centro es muy delgado y tiene baja
conductividad, un nmero muy pequeo de estos portadores tomar esta trayectoria de alta resistencia hacia
la Terminal de la base.
La magnitud de la corriente de base casi siempre se encuentra en el orden de los micro amperes,
comparando con mili amperes para las corrientes del emisor y del colector. La mayor cantidad de estos
portadores mayoritarios se difundir a travs de la unin con polarizacin inversa, hacia el material tipo p
conectado a la Terminal del colector. La razn de esta relativa facilidad con la cual los portadores mayoritarios
pueden atravesar la unin con polarizacin inversa se comprender con facilidad si se considera que para el
diodo con polarizacin inversa, los portadores mayoritarios inyectados aparecern como portadores con
polarizacin inversa, los portadores mayoritarios inyectados aparecern como portadores minoritarios en el
material tipo n.
En otras palabras, tuvo lugar una inyeccin de portadores minoritarios al material de la regin de la base tipo
n. A la combinacin de esto con el hecho de que todos los portadores minoritarios en la regin de agotamiento
atravesar la unin con polarizacin inversa de un diodo puede atribursele el flujo.

Configuracin de Base Comn

Para la configuracin de base comn con transistores PNP y npn. La terminologa de la base comn se deriva
del hecho de que la base es comn tanto a la entrada como a la salida de la configuracin. A su vez, por lo

regular la base es la terminal ms cercana a, o que se encuentra en, el potencial de tierra. A lo largo de este
trabajo todas las direcciones de corriente harn referencia al flujo convencional (huecos) en lugar de hacerlo
respecto al flujo de electrones. Para el transistor la flecha en el smbolo grfico define la direccin de la
corriente del emisor (flujo convencional) a travs del dispositivo.
Para describir en su totalidad el comportamiento de un dispositivo de tres terminales, como los amplificadores
de base comn se requiere de dos conjuntos de caractersticas, uno para el punto de excitacin o parmetros
de entrada y el otro para el lado de la salida. El conjunto de entrada para el amplificador de base comn
relacionar la corriente de entrada (IE). El conjunto de caractersticas de la salida o colector tiene tres
regiones bsicas de inters: las regiones activa, de corte y de saturacin. La regin activa es la que suele
utilizarse para los amplificadores lineales (sin distorsin). En particular:
En la regin activa la unin base - colector se polariza inversamente, mientras que la unin emisor - base se
polariza directamente.
La regin activa se define mediante los arreglos de polarizacin de la figura 4.17. En el extremo ms bajo de
la regin activa, la corriente del emisor (IE) es cero; esa es la verdadera corriente del colector, y se debe a la
corriente de saturacin inversa ICO, como lo seala la figura 4.18.
La corriente ICO real es tan pequea (micro amperes) en magnitud si se compara con la escala vertical de IC
= 0. Las condiciones del circuito que existen cuando IE = 0 para la configuracin de base comn se muestra
en la figura 4.19. La notacin que con ms frecuencia se utiliza para ICO en los datos y las hojas de
especificaciones es, como se indica en la figura 4.19, ICBO.
Debido a las mejoras en las tcnicas de fabricacin, el nivel de ICBO para los transistores de propsito
general (en especial los de silicio) en los rangos de potencia baja y mediana, por lo regular es tan bajo que
puede ignorarse su efecto. Sin embargo, para las unidades de mayor potencia ICBO, as como Is, para el
diodo (ambas corrientes de fuga inversas) son sensibles a la temperatura. A mayores temperaturas, el efecto
de ICBO puede convertirse en un factor importante debido a que aumenta muy rpidamente con la
temperatura.
En la regin de corte, tanto la unin base - colector como la unin emisor - base de un transistor tienen
polarizacin inversa.
En la regin de saturacin, tanto la unin como el emisor - base estn en polarizacin directa.

Colector Comn
La configuracin de colector comn se utiliza sobre todo para propsitos de acoplamiento de impedancia,
debido a que tiene una alta impedancia de entrada y una baja impedancia de salida, contrariamente a las de
las configuraciones de base comn y de un emisor comn.
La figura 4.21 muestra una configuracin de circuito de colector comn con la resistencia de carga conectada
del emisor a la tierra.
Obsrvese que el colector se encuentra conectado a la tierra aunque el transistor est conectado de manera
similar a la configuracin del emisor comn. Desde un punto de vista de diseo, no se requiere de un conjunto
de caractersticas de colector comn para elegir los parmetros del circuito de la figura 4.21. Puede disearse
utilizando las caractersticas de salida para la configuracin de colector comn: son la mismas que para la
configuracin de emisor comn.

CONCLUSIN

Hemos observado que los diodos son elementos importantes en la electrnica, que para su comprensin hay
que estar al tanto de ciertos conocimientos relativos a su funcionamiento y comportamiento.
Los diodos son de gran versatilidad, se pueden implicar en muchos aspectos con el propsito de resolver
algn problema.
Para nosotros uno de los aspectos ms importantes de los mismos es que no se quedan en un solo tipo de
diodo; ms bien se los ha desarrollado en formas que extienden su rea de aplicacin.

BIBLIOGRAFA
Como complemento importante dentro de la investigacin realizada para obtener el presente trabajo se
encontraron varias pginas web en la red mundial de datos "Internet" que nos explican claramente los
conceptos necesarios en el tema "Diodos" pero por su importancia en contenido y alto grado de sencillez se
escogieron dos 2 de ellas
Electrnica Bsica, Diodos Semiconductores, Pag. 19-34
Van Valkenburgh, Nooger & Neville, Inc
Ed. Bell S.A.
Electrnica General, Tomo I, Tecnologa Electrnica, Semiconductores, Pag. 251-260.
Luis Gmez de Tejada y Sanz
Ed. PARANINFO S.A.

Leer ms: http://www.monografias.com/trabajos65/tipos-diodos/tipos-diodos2.shtml#ixzz3Rk8YxC3P

Tipos de diodos
Existen varios tipos de diodos, de algunos ya se habl en otra pgina y de los cuales
haremos mencin en esta, con este tipo de componente te vas a encontar en todos los
aparatos electrnicos, ya que es un componente de importancia. Vamos a resaltar los que
de alguna forma son los ms usados y de importancia, trataremos a cada uno de estos
en resumen.

DIODOS RECTIFICADORES: Los diodos rectificadores son los que en principio conocemos,
estos facilitan el paso de la corriente contnua en un slo sentido (polarizacin directa), en
otras palabras, si hacemos circular corriente alterna a travs de un diodo rectificador esta
solo lo har en la mitad de los semiciclos, aquellos que polaricen directamente el diodo, por
lo que a la salida del mismo obtenemos una seal de tipo pulsatoria pero contnua. Se conoce por seal o tensin

contnua

aquella

que

no

varia

su

polaridad.

DIODOS DE TRATAMIENTO DE SEAL (RF): Los diodos de tratamiento de seal necesitan algo ms de calidad de
fabricacin que los rectificadores. Estos diodos estn destinados a formar parte de etapas moduladoras,
demoduladoras,

mezcla

limitacin

de

seales,

etc.

Uno de los puntos ms crticos en el diodo, al momento de trabajar con media y alta frecuencia, se encuentra en
la "capacidad de unin", misma que se debe a que en la zona de la Unin PN se forman dos capas de carga de
sentido

opuesto

que

conforman

una

capacidad

real.

En los diodos de RF (radio frecuencia) se intenta que dicha capacidad sea reducida a su mnima expresin, lo cual
ayudar a que el diodo conserve todas sus habilidades rectidficadoras, incluso cuando trabaje en altas frecuencias.

Entre los diodos ms preparados para lidiar con las altas frecuencias destaca el diodo denominado Schottky. Este
didodo fue desarrolado a principio de los sesenta por la firma Hewletty, deriva de los diodos de punta de contacto y
de

los

de

unin

PN

de

los

que

han

heredado

el

procedimiento

de

fabricacin.

DIODOS DE CAPACIDAD VARIABLE ( VARICAP ): La capacidad formada en los extremos de la unin PN puede
resultar de gran utilidad cuando, al contrario de lo que ocurre con los diodos de RF, se busca precisamente utilizar
dicha capacidad en provecho del circuito en el cual se est utilizando el diodo. Al polarizar un diodo de forma directa
se observa que, adems de las zonas constitutivas de la capacidad buscada, aparece en paralelo con ellas una
resistencia de muy bajo valor hmico, lo que conforma un capacitor de elevadas prdidas. Sin embargo, si
polarizamos el mismo en sentido inverso la resistencia en paralelo que aparece es de un valor muy alto, lo cual hace
que

el

diodo

se

pueda

comportar

como

un capacitor con

muy

bajas

prdidas.

Si aumentamos la tensin de polarizacin inversa las capas de carga del diodo se esparcian lo suficiente para que el
efecto se asemeje a una disminucin de la capacidad del hipottico capacitor (el mismo efecto producido al
distanciar

las

placas

del

un capacitor estndar).

Por esta razn podemos terminar diciendo que los diodos de capacidad variable, ms conocidos como varicap's,
varian su capacidad interna al ser alterado el valor de la tensin que los polariza de forma inversa.

La utilizacin ms solicitada para este tipo de diodos suele ser la de sustituir a complejos sistemas mecnicos
de capacitor variable en etapas de sintona en todo tipo de equipos de emisin y recepcin, ejemplo, cuando
cambiamos la sintona de un receptor antiguo, se vara mecanicamente el eje de un capacitor variable en la etapa
de sintona; pero si por el contrario, pulsamos un botn de sintona de un receptor de televison moderno, lo que
hacemos es variar la tensin de polarizacin de un diodo varicap que se encuentra en el mdulo sintonizador del TV.

DIODO ZENER:Cuando se estudian los diodos se recalca sobre la diferencia que existe en la grfica con respecto a
la corriente directa e inversa. Si polarizamos inversamente un diodo estndar y aumentamos la tensin llega un
momento en que se origina un fuerte paso de corriente que lleva al diodo a su destruccin. Este punto se da por la
tensin

de

ruptura

del

diodo.

Se puede conseguir controlar este fenmeno y aprovecharlo, de tal manera que no se origine la destruccin del
diodo. Lo que tenemos que hacer el que este fenmeno se d dentro de mrgenes que se puedan controlar.

El diodo zener es capaz de trabajar en la regin en la que se da el efecto del mismo nombre cuando las condidiones
de polarizacin as lo determinen y volver a comportarse como un diodo estndar toda vez que la polarizacin
retorne a su zona de trabajo normal. En resmen, el diodo zener se comporta como un diodo normal, a no ser que
alcance la tensin zener para la que ha sido fabricado, momento en que dejar pasar a travs de l una cantidad
determinada

de

corriente.

Este efecto se produce en todo tipo de circuitos reguladores, limitadores y recortadores de tensin.

FOTODIODOS:Algo que se ha utilizado en favor de la tcnica electrnica moderna es la influencia de la energa

luminosa en la ruptura de los enlaces de electrones situados en el seno constitutivo de un diodo. Los fotodiodos no
son diodos en los cuales se ha optimizado el proceso de componentes y forma de fabricacin de modo que la
influencia luminosa sobre su conduccin sea la mxima posible. Esto se obtiene, por ejemplo, con fotodiodos de
silicio en el mbito de la luz incandescente y con fotodiodos de germanio en zonas de influencia de luz infrarroja.

DIODOS LED( LUMINISCENTES ): Este tipo de diodos es muy popular, sino, veamos cualquier equipo electrnico y
veremos por lo menos 1 ms diodos led. Podemos encontrarlos en direfentes formas, tamaos y colores

diferentes. La forma de operar de un led se basa en la recombinacin de portadores mayoritarios en la capa de

barrera cuando se polariza una unin Pn en sentido directo. En cada recombinacin de un electrn con un hueco se
libera cierta energa. Esta energa, en el caso de determinados semiconductores, se irradia en forma de luz, en otros
se

hace

de

forma

trmica.

Dichas radiaciones son bsicamente monocromticas (sin color). Por un mtodo de "dopado" del material
semiconductor

se

puede

afectar

la

enega

de

radiacin

del

diodo.

El

nombre

de

LED

se

debe

su

abreviatura

en

ingles

( Light Emmiting Diode

Adems de los diodos led existen otros diodos con diferente emisin, como la infrarroja, y que responden a la
denominacin IRED (Diodo emisor de infra-rojos).