COMUNICACIONES OPTICAS

DIODOS EMISORES DE LUZ

(LEDS)

Universidad Autnoma de Baja California UABC

FACULTAD DE INGENIERIA ENSENADA
Dr. Horacio Luis Martnez Reyes

FUENTES DE LUZ PARA

COMUNICACIONES OPTICAS
LED y LASER basados en heterouniones de semiconductores de gap directo
Ventajas: pequeo tamao, gran fiabilidad, emisin de potencia ptica,
facilidad de acoplo a fibras pticas, modulacin de la potencia ptica a partir de
la corriente elctrica

ESTRUCTURAS SENCILLAS DE
LEDS
Son estructuras realizadas a base de homouniones p-n, con no muy
buenas caractersticas de emisin (bsicamente la radiancia).
Tpicamente se aplican para los LEDs visibles utilizados en sealizacin.
Se fabrican a partir de epitaxias en fase liquida o
en fase vapor: difusin de una regin de tipo p en
un substrato de tipo n para crear la homomunin.
Suelen emitir con emisin espontnea de tipo
lambertiano
Radiancia: potencia emitida por unidad de rea
normal y unidad de ngulo slido
L

As cos As cos

W
2
m sr

Emisin Lambertiana: radiancia constante, lo que

implica que la intensidad radiante (potencia por
unidad de ngulo slido):

Lcte I I 0cos

Para electroluminiscencia:

I elec
i
h
e

EL LED DE EMISION
SUPERFICIAL (SLED)
Tambin denominado LED Burrus. Permiten un incremento en la
radiancia disminuyendo el tamao (lateral) de la regin donde se
produce la emisin. Se emplean estructuras de doble heterounin para
conseguir una mayor eficiencia.
Fibra
multimodo

Contacto
de metal

Luz
emitida
Epoxy
n GaAs

~ 50 m

Contacto
dimetro 50 m

n AlGaAs
P GaAs
p AlGaAs
P GaAs
metalizacin

La disminucin de la regin de emisin

se consigue alimentando solo una
pequea parte de la regin de emisin,
por lo que J (Ielec/As) aumenta, la
superficie de emisin es menor y la
radiancia aumenta

Esquema de
emisin

EL LED DE EMISION
SUPERFICIAL (SLED)
Se puede aumentar la radiancia de la fuente si se disminuye el rea de
emisin, as, el valor de J ser mas grande para una misma Ielec.
Con el SLED las reas mas pequeas para confinar la emisin son de
alrededor de 25 m de dimetro.
Para mejorar esto se proponen estructuras mas complejas (MESA).
Para mejorar el acoplo de luz a fibra hay que
utilizar lentes, debido a que la emisin
lambertiana es poco eficiente.

I I 0cos m

LED DE EMISION DE BORDE

(ELED)
La emisin es forzada a producirse por uno de
los bordes (estructura similar al diodo lser).
La zona activa tiene una anchura dada por la
anchura del contacto (entre 50 y 100 m).
El espesor de la zona variable viene dado por
el tamao de la zona activa en la doble
heteroestructura.
Se puede reducir a la anchura del contacto
para mejorar sus propiedades.

Esquema de emisin

La zona activa se puede hacer muy pequea

para aumentar la radiancia de la fuente (eso no
implica que emitan mas potencia que los
SLED).
Los SLED son mejores con fibras de AN > 0.3,
y los ELED para AN < 0.3.
Los ELED pueden ser modulados a mayores
frecuencias y son mas caros que los SLED.

PARAMETROS DE UN LED:
EFICIENCIA DE EMISION
Eficiencia externa en potencia (eficiencia energtica): es la potencia
ptica generada a partir de la potencia elctrica suministrada

pot %

Popt
I V

100

La eficiencia cuntica implica a las partculas relacionadas en el proceso

# fotones _ emitidos
# portadores _ inyectados

Esta eficiencia consta de dos trminos, porque no todos los fotones

generados son emitidos: eficiencia cuntica interna y eficiencia cuntica
externa

PARAMETROS DE UN LED:
EFICIENCIA CUANTICA

# fotones _ generados
# fotones _ emitidos

# portadores _ inyectados # fotones _ generados

Eficiencia cuntica interna

Si todas las recombinaciones son radiativas, el tiempo de

vida medio de los portadores que dan lugar a
recombinaciones sera igual al total y i = 1

i
r
i

Eficiencia cuntica externa

Donde Rr y Rnr representan las tasas de recombinacin

radiativa y no radiativa (recombinaciones/unidad de tiempo)

Rr
Rr Rnr

Recombinaciones en
semiconductor tipo p

# recombinaciones
n
n
u. _ de _ tiempo

d n
n

La variacin del numero de portadores con el tiempo: dt

nt n0e

(sin inyeccin)

Hay un decaimiento exponencial por emisin espontnea

La constante de proporcionalidad es el tiempo de vida medio

TASAS DE RECOMBINACION
Si se inyectan R portadores por unidad de tiempo, se produce una variacin:

d n
n
R
dt

Aumentara el numero de minoritarios, y por lo tanto las recombinaciones,

hasta que llegar a un estado estacionario donde la variacin de portadores
cuando el tiempo sea 0. Entonces:

R es el numero de recombinaciones por unidad de tiempo para que se llegue a

un estado estacionario del emisor.
Si la tasa de recombinacin total la expresamos como la suma de sus partes
radiativa y no radiativa, podemos escribir:

R Rr Rnr

nr

Operando se obtiene la
expresin vista con
anterioridad para la eficiencia
interna

TIEMPO DE VIDA DEL ELECTRON

Los procesos de recombinacin se caracterizan con el tiempo de vida del electrn.
El tiempo de vida del electrn es la duracin media que sobrevive un electrn en
la banda de conduccin antes de volver a encontrar un hueco y recombinarse.
Para un semiconductor donde: r << nr, los electrones se recombinan muy rpido
en forma radiativa y pocos electrones lo hacen en forma no radiativa (se generan
muchos fotones). En el caso contrario, casi toda la energa se libera en forma de
calor.
El tiempo de vida no radiativo depende principalmente de la cantidad de defectos
en el cristal del semiconductor: tomos del cristal mal apilados (dislocaciones),
tomos ausentes (lagunas) o bien tomos situados entre dos posiciones
cristalinas normales (tomos intersticiales). Todos estos defectos constituyen
trampas para el electrn liberado, y favorecen la recombinacin no radiativa
(disminuye nr ) . Por lo tanto, es necesario que el semiconductor tenga el mnimo
posible de defectos cristalinos.
El tiempo de vida radiativo depende principalmente de la estructura de la
banda del semiconductor (transicin directa e indirecta).

TIEMPO DE VIDA DEL ELECTRON

En un semiconductor de transicin indirecta, adems de la conservacin de la
energa, se debe conservar la cantidad de movimiento. Como el fotn tiene una
cantidad de movimiento muy pequea, la transicin electrnica necesita la accin de
las vibraciones trmicas de los tomos (fonones) de la red cristalina para que se
respete el principio de la conservacin de la cantidad de movimiento.
La interaccin de las vibraciones de una red cristalina es un fenmeno lento. Por lo
tanto, r es mucho mayor en los semiconductores de transicin indirecta de banda.
De esa forma, para los LEDs se emplean los materiales semiconductores de
transicin directa de banda
Para un semiconductor de transicin directa en presencia de un gran nmero de
huecos se aumenta la probabilidad de recombinacin del electrn con el hueco
(dopado de los materiales).
La eficiencia cuntica interna es la relacin entre el numero de fotones producidos
respecto al nmero de electrones que se recombinan.
i = nr/ r + nr.
silicio: r = 1X10-3 s , nr= 1X10-7 s. i = 1X10-4
Arseniuro de galio: r = 1.5X10-8 s , nr= 1X10-7 s. i = 0.87

EFICIENCIA CUANTICA
EXTERNA
De todos los fotones generados en la zona activa no todos son emitidos al exterior
donde pueden ser aprovechados, sino que se van a producir perdidas que van a reducir
el numero de fotones emitidos: el parmetro que mide dichas perdidas es la eficiencia
cuntica externa
Mecanismos que hacen que e < 1:
1,- La emisin es espontnea, emitiendose en todas direcciones. La luz que va hacia
atrs (hacia el sustrato) se pierde: puede representar un factor 0.5 (e1 = 0.5)
2.- los LEDs se fabrican con semiconductores con ndices de refraccin del orden de 3.7.
El ngulo critico en este caso (con aire como medio externo) es 16.6o. Por lo que solo
saldrn al exterior aquellos fotones que incidan en la intercaras con ngulos menores.
2
2
e 2 next
/ nint

En este caso, e2=0.073

3.-perdidas de reflexin por las leyes de Fresnel en la intercara semiconductor-aire:

e3 T 1 R

4next nint
next nint 2

Con un ndice interno de 3.7 y aire: e3 = 0.67

4.- absorcin en el medio: es difcil de cuantificar. Se asume que, al menos, e4 = 0.5

e e1e 2e3e 4

e 0.0121.2%

RELACION ENTRE LAS

EFICIENCIAS
LA EFICIENCIA CUANTICA TAMBIEN PUEDE PONERSE COMO:
# fotones _ generados E 1 Pint

unidad _ de tiempo
h t hc
e P

# portadores _ inyectados Q 1 I

unidad _ de _ tiempo
et e

Luego:

int

hc I

Pout
e
Pint

e Pout
ei
hc I

Adems, como la eficiencia energtica externa es

e
V pot
hc

Pout
pot
I V

Relacin entre la eficiencia cuntica y la

externa

PARAMETROS DE UN LED:
POTENCIA EMITIDA
Se ha visto en la transparencia anterior que la potencia ptica es proporcional a la
intensidad elctrica inyectada, luego un LED es un dispositivo bsicamente lineal. De
todas formas, por encima de unos 70 mA empiezan a producirse no linealidades que
apartan la emisin del LED de una lnea recta: problemas para transmitir en analgico.

El LED es un dispositivo cuya potencia ptica puede ser

modulada a travs de la modulacin de una corriente
elctrica.

POTENCIA INYECTADA DE UN
LED A UNA FIBRA
La fraccin de potencia inyectada desde una fuente puntual difusa a una fibra ptica es:

Piny
Pout

nco2 ncl2
sen a
2
next
2

Si la fuente esta lejos de la fibra se calcula la fraccin de ngulo slido que inyecta, y
si la fuente tiene un tamao mayor que la fibra hay que multiplicar por el cociente
entre reas lo que reduce aun mas la potencia inyectada.
Normalmente la eficiencia de inyeccin total (incluyendo la eficiencia cuntica y el
acoplo) es de un factor 0.002 (esto implica que, en circunstancias normales la potencia
inyectada ser de algunos microwatios).
Por eso es conveniente mejorar el acoplo utilizando lentes.
Con un estudio fotomtrico y considerando que solo quedaran guiados aquellos
modos que entren dentro del ngulo de aceptancia, se puede demostrar que la
fraccin de potencia inyectada usando una lente es:

pinyectada
pemitida

Afibra nco2 ncl2

2
A fuente next

(si Afuente < Anucleo)

Por eso, fuentes con menores reas de emisin (mayores radiancias) son capaces de
inyectar mas potencia en una misma fibra ptica

PARAMETROS DE UN LED:
ESPECTRO DE EMISION
La distribucin de energas de los fotones emitidos por emisin espontnea tiene un
mximo en:

h max Eg

k BT
2

Y una anchura en energas de los fotones emitidos que vale (FWHM)

h 1.8k BT

Independiente de

En longitud de onda, la anchura espectral es:

1.452p k BT

Dependiente de y T

kBT en eV

PARAMETROS DE UN LED: ANCHO

DE BANDA DE MODULACION
Para calcular el ancho de banda de modulacin de un LED, se considera la respuesta
en potencia emitida del dispositivo cuando se aplica una corriente elctrica variable en
el tiempo.

I elec I 0 I1 cost

La respuesta en frecuencia del LED es del tipo:

Con:

P0 / I 0
P1

I1 1 2 2

1/ 2

Pemit P0 P1 cost

Equivale a la respuesta
de un circuito R-C

Esto significa que si la frecuencia de modulacin empieza a ser mayor que el tiempo de
vida medio de los portadores, la respuesta del dispositivo empezara a disminuir con el
factor sealado con respecto a la seal en continua.

El ancho de banda a 3 dB
(elctrico) es:

1
2

LIMITES EN EL ANCHO DE
BANDA DE MODULACION
Para aumentar el ancho de banda en LEDs (poder modular la potencia a
frecuencias mas altas) se debe reducir el tiempo de vida medio de los portadores
minoritarios en la regin de emisin.
Esto se puede lograr reduciendo el parmetro nr. Sin embargo, se reduce
drsticamente la eficiencia interna, definida como:

Para aumentar el ancho de banda sin disminuir la eficiencia hay que disminuir r

Esto se puede lograr escogiendo los

materiales y el dopaje de los mismos.
Los valores tpicos de tiempos de
vida medio estn entre 1 y 50 ns, que
corresponden a anchos de banda del
orden de algunos centenares de MHz
(150 a 200 MHz en SLED y 500-600
MHz en ELEDs).