UNIVERSIDAD NACIONAL DEL CALLAO

FACULTAD DE INGENIERA ELCTRICA Y ELECTRNICA

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UNIVERSIDAD NACIONAL DEL CALLAO

FACULTAD DE INGENIERA ELCTRICA Y ELECTRNICA
ESCUELA PROFESIONAL DE INGENIERA ELCTRICA

SLABO
I.-INFORMACIN GENERAL
NOMBRE DE LA ASIGNATURA
CODIGO
CARCTER
PRE REQUISITO
CREDITOS
HORAS TEORA
HORAS LABORATORIO
CICLO ACADEMICO
DURACION
PROFESOR

: ELECTRNICA INDUSTRIAL Y DE POTENCIA

: CI0611
: OBLIGATORIO
: CI0403

: 06
: 03 Horas/Semana
: 02 Horas/semana
: VI
: 17 semanas
: Ing. DEL AGUILA VELA, Edgar

II.- SUMILLA
Este curso es de naturaleza terica y experimental, tiene el propsito de ensear las caractersticas y procedimientos de operacin de
los circuitos que controlan los procesos y las mquinas elctricas de corriente continua y alterna. El curso comprende: Definiciones.
Rectificacin con diodos, estrella multifase. Tiristores controlados. Convertidores trifsicos completos. Transistores bipolares de
potencia. Controladores de tensin AC. Controladores trifsicos de media onda y onda completa. Ciclo convertidores monofsicos y
trifsicos. Convertidores DC/DC convertidor reductor (Buck).Convertidor CK.-Inversores tipo fuente de tensin, monofsicos en
puente, inversores trifsicos. Mtodos de control de tensin y frecuencia (PWM).Tcnicas modernas de modulacin. reduccin de
armnicas, inversores de fuente de corriente, inversores de enlace DC.

III.- OBJETIVOS GENERALES

La finalidad de la presente asignatura es formar al discente en el anlisis y diseo de los circuitos electrnicos semiconductores de
vanguardia relacionados con la Electrnica Industrial y de Potencia.
IV.- OBJETIVOS ESPECFICOS
Al trmino de la asignatura el estudiante estar en condiciones de aplicar los conocimientos necesarios para el anlisis y diseo de los
circuitos electrnicos con semiconductores, perfilados y aplicados al campo de la Ingeniera Elctrica
V.

PORCENTAJE DE FORMACIN PROFESIONAL POR OBJETIVO Y POR COMPETENCIAS.

El porcentaje en la formacin profesional del discente es 50% Objetiva y 50% por Competencias, con un buen criterio se maneja una
ponderacin equilibrada de la teora con la prctica, con el aporte de un 80% de la calificacin terica y un 20% la calificacin prctica
obtenida durante las 17 semanas lectivas, Con ello Se fortalece cualitativamente y cuantitativamente (V.R), las acciones formativas del
estudiante.

VI.- METODOLOGA
El curso se desarrolla bajo la estrategia de perfilamiento constante de la ELECTRONICA INDUSTRIAL Y DE POTENCIA desde el punto de
vista INDUSTRIAL, haca el campo de !a Ingeniera Elctrica, mediante la estructura de las clases en un:

6.1.-Marco Terico
Mtodo Predominante: Expositivo interactivo a cargo del profesor.
Tcnica Complementaria: Propiciar y Motivar la participaci6n de los alumnos.

6.2.-Marco Prctico
Mtodo Predominante: Trabajos de Aplicacin dirigidos, individual y grupal.
Tcnica Complementaria: Poner a disposicin del alumno problemas propuestos para su desarrollo.

6.3.-Marco Aplicativo
Mtodo Predominante: Expositivo, explicativo e interactivo a cargo del profesor.
Tcnica Complementaria: Propiciar y Motivar la participacin de los alumnos en el perfilamiento de aplicaciones llevadas al
campo elctrico.

6.4.-Marco de Investigacin y Desarrollo

Mtodo Predominante: Expositivo, Interactivo a cargo del profesor.
Tcnica Complementaria: Propiciar y Motivar la participacin de los alumnos en el desarrollo de proyectos de investigacin con

iniciativas de solucin de los problemas diarios.

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CURSO: ELECTRNICA INDUSTRIAL Y DE POTENCIA

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VII.- SISTEMA DE EVALUACIN

El sistema de evaluacin de la presente asignatura incorpora los siguientes ejes
7.1.-Pruebas Orales

Intervencin durante el desarrollo del curso

Exposicin del informe de proyectos

7.2.-Pruebas Escritas

Examen Parcial

Examen Final

Examen Sustitutorio

7.3.-Requisitos de Aprobacin

El alumno que acumule el 30% o ms de inasistencias tendr como calificativo NO SE PRESENTO (NSP).

La Nota Mnima aprobatoria de la asignatura es 10.5, y la Nota Mxima es 20.

7.4.-EI Sistema de Evaluacin
la Evaluacin del rendimiento de los alumnos es objetiva, porque maneja una ponderacin equilibrada de la teora con la prctica, con el
aporte de un 50% cada uno. Se evalan bajo el criterio de cuantificar cualitativamente y cuantitativa mente (V.R), las acciones del estudiante.
NF = 80%NT + 20%NL
NT= 35%EP + 35%EF + 30%PI
NL= 20%EL + 10%1 + 30%IPEL + 40%C
NF : Nota Final
NT : Nota de Teora
NL : Nota de laboratorio
EP : Examen Parcial
EF : Examen Final
ES : Examen Sustitutorio
PI : Nota de proyecto de Investigacin
EL : Examen de Laboratorio
I
: Nota de Informes de Laboratorio
IPEL: Nota de Implementacin de Proyecto Experimental de Laboratorio
C : Nota de Evaluacin Cualitativa
NOTA
La Nota Final es la sumatoria ponderada del calificativo terico y prctico.
La Nota del Examen Sustitutorio (ES), reemplaza a la nota mas baja obtenida en e! Examen Parcia! (EP) o el Examen
Final (EF).
Los Proyectos de Investigacin son presentados, bajo formato sugerido por el profesor.
La aplicacin experimental es evaluada en el Laboratorio.
Las Cualidades de Trabajo del estudiante, es evaluada bajo Criterios establecidos por el profesor.
VIII. CONTENIDO PROGRAMTICO ANALTICO Y CALENDARIZACIN
SEMANA N 01

ASIGNACIN DEL PROYECTO DE INVESTIGACIN.

Objetivo Operacional: Estudio y anlisis de proyectos de investigacin en el Estado de la Tcnica y Matriz de Consistencia.
laboratorio:
INTRODUCCIN Y EXPLICACIN DE LOS EXPERIMENTOS A REALIZAR E IMPLEMENTAR EN EL LABORATORIO.
Bibliografa:{12,13}
SEMANA N 02

ELEMENTO SEMICONDUCTOR DE POTENCIA SEMICONDUCTORES

INTRNSECOS-EXTRNSECOS, ENLACES.
Objetivo Operacional: Estudio y anlisis del estado de la tcnica del elemento semiconductor de potencia.
Laboratorio:
ASIGNACIN DEL PROYECTO DE INVESTIGACIN EXPERIMENTAL.
Bibliografa:{1,2,3,8,13,14,15,16,17}
SEMANA N 03

----------------- ~

______________________________________________________________________________________________ ~

___________________________________________________________________________________________________________________________ w

EL DIODO SEMICONDUCTOR DE POTENCIA:SU COMPORTAMIENTO ESTTICO Y DINMICO. CONDICIONES ESTTICAS: E.R.C, PUNTO Q
Y RESISTENCIA ESTTICA; CONDICIONES DINMICAS: RESISTENCIA DINMICA, PARAMETROS EN LA CONMUTACIN (CONDUCCIN Y
BLOQUEO). APLICACIN PRCTICA INDUSTRIAL
Objetivo Operacional: Estudio y anlisis del comportamiento esttico Y dinmico del DIODO semiconductor de potencia, de sus caractersticas
en condiciones estticas.
Laboratorio:
EXPERIENCIA NMERO 1 : RESPUESTA ESTTICA Y DINAMICA DEL DIODO SEMI CONDUCTOR DE POTENCIA.
Bibliografa:{4,5,6,8,14,15,16,17}
^

SEMANA N04

EL DIODO RECTIFICADOR DE POTENCIA: CARACTERSTICAS ELCTRICAS, MECNICAS, TRMICAS Y OPERACIONALES.

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CURSO: ELECTRNICA INDUSTRIAL Y DE POTENCIA

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---------------------------------------------------------------------------------------------------------APLICACIN PRACTICA INDUSTRIAL

Objetivo Operacional: Interpretacin de las especificaciones tcnicas y operacionales del diodo semiconductor.
Laboratorio:
EXPERIENCIA NMERO 3: INTERPRETACION DE LAS CARACTERISTICAS FUNDAMENTALES DEL DIODO DE POTENCIA, uso del DATA
SHEET.
Bibliografa:{4,5,6,7,8,14,15,16,17}
SEMANA N 05

APLICACIN PRCTICA DEL DIODO DE POTENCIA: IMPORTANCIA DEL DIODO DE POTENCIA COMO RECTIFICADOR Y ELEMENTO DE
PROTECCIN (DAMPER). APLICACIN PRCTICA, INDUSTRIAL
Objetivo Operacional: Aplicaciones prcticas del DIODO, considerando sus especificaciones tcnicas y operacionales.
Laboratorio:
EXPERIENCIA NMERO 4: RECTIFICACIN NO CONTROLADA: MONOFASICA Y TRIFASICA.
Bibliografa:{4,5,6,7,8,14,15,16,17}
SEMANA N 06

CONEXIONADOS DEL DIODO DE POTENCIA: SERIE, RC Y HSR.

REDES ELECTRNICAS DE POTENCIA: SOBRECARGAS, SOBRETENSIONES, CORTOCIRCUITOS, PROTECCIONES CONTRA
SOBRETENSIONES Y FUSIBLES. APLICACIN PRCTICA INDUSTRIAL.
Objetivo Operacional: Aplicaciones prcticas del DIODO, considerando sus especificaciones tcnicas y operacionales.
laboratorio:
EXPERIENCIA NUMERO 4: CONEXIONADOS DE REDES ELECTRONICAS FUNDAMENTALES DEL DIODO.
Bibliografa:{4,5,6,7,8,14,15,16,17}
SEMANA N 07

MODELAMIENTO TRMICO, ESTUDIO Y CLCULO DE LA POTENCIA DISIPADA EN LOS SEMICONDUCTORES DE POTENCIA.

CONSIDERAC'IONES EN EL MONTAJE DE LOS SEMICONDUCTORES DE POTENCIA. APLICACIN PRCTICA INDUSTRIAL.
Objetivo Operacional: Estudio y anlisis de los reguladores de tensin, su comportamiento y uso.
laboratorio:
EXPERIENCIA NMERO 5: CALCULO DE DISIPADORES PARA SEMICONDUCTORES DE POTENCIA.
Bibliografa:{5,6,14,15,16,17}
SEMANA N 08

EXAMEN PARCIAL DEL CURSO

Objetivo Operacional: Evaluar los conocimientos impartidos en la primera unidad de formacin de la semana 1 a la semana 7.
laboratorio:
EXAMEN PARCIAL DEL CURSO DE TEORA.
Bibliografa:{SILABO,13}
SEMANA N 09

TRANSISTORES BIPOLARES "BJT" DE POTENCIA: EL TRANSISTOR DARLlNGTON. CARACTERSTICAS ELCTRICAS, TRMICAS Y

MECNICAS. COMPORTAMIENTO ESTATICO Y DINMICO. PRACTICA INDUSTRIAL.
Objetivo Operacional: Estudio y anlisis del BJT su comportamiento, uso y aplicaciones.
laboratorio:
EXPERIENCIA NMERO 6: CARACTERISTIC.A ESTATICA y DINAMICA DEL TRANSISTOR DARLINGTON.
Bibliografa:{5,6,14,15,16,17}
SEMANA N 10

TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO (POWER MOSFET) DE POTENCIA: CARACTERSTICAS ELCTRICAS, TRMICAS Y MECNICAS,
COMPORTAMIENTO ESTTICO Y DINAMICO, APLICACIN PRCTICA INDUSTRIAL.
Objetivo Operacional: Estudio y anlisis del POWER MOSFET, su comportamiento, uso aplicaciones.
laboratorio:
OSCILADORES DE POTENCIA Y MANEJOS DE HOJAS DE DATOS (SHEET).
Bibliografa:{5,6,14,15,16,17}
.
TRANSISTORES BIPOLARES DE COMPUERTA AISLADA "IGBT".CARACTERSTICAS ELCTRICAS, TRMICAS Y MECANICAS.
COMPORTAMIENTO ESTTICO Y DINMICO. APLICACIN PRCTICA INDUSTRIAL.
Objetivo Operacional: Estudio y anlisis del BJT DARLlNGTON, su comportamiento, IJSO y aplicaciones.
Laboratorio:
EXPERIENCIA NMERO 8: CARACTERISTICA ESTTICA, DINMICA DEL TRANSISTOR IG8T.
Bibliografa:{5,6,14,15,16,17}

SEMANA N 11

ESCUELA PROFESIONAL DE INGENIERA ELCTRICA

CURSO: ELECTRNICA INDUSTRIAL Y DE POTENCIA

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F.

SEMANA N" 12

TIRISTORES DE POTENCIA: COMPORTAMIENTO ESTTICO Y DINAMICO DEL RECTIFICADOR CONTROLADO DE SILICIO

(SCR): GTO; CARACTERSTICAS (PARMETROS Y ESPECIFICACIONES. IMPORTANCIA DEL GTO. CURVA DE TRANSFERENCIA.
MTODO DE PRUEBA. APLICACIN PRCTICA INDUSTRIAL Y VARIANTES DEL SCR .
Objetivo Operacional: Estudio y anlisis del comportamiento esttico y dinmico del Rectificado. de Silicio Controlado (SCR), sus
Caracterstcas y Modelamiento.
Laboratorio:
EXPERIENCIA NMERO 9: COMPORTAMIENTO ESTTICO Y DINAMICO DEL SCR: RECTIFICACION CONTROLADA POLlFSICA
Y CONTROL DE POTENCIA.
Bibliografa:{6,8,10,13,14,15,16,17 }
SEMANA N 13

TRIACS DE POTENCIA: TRIACS DE POTENCIA: COMPORTAMIENTO ESTTICO Y DINMICO DEL TRIAC:

CARACTERSTICAS(PARMETROS Y ESPECIFICACIONES). IMPORTANCIA DEL TRIAC. CURVA DE TRANSFERENCIA (MODO DE
DISPARO). METODO DE PRUEBA. APLICACIN PRCTICA INDUSTRIAL Y VARIANTES DEL TRIAC. OBSERVACIN
COMPORTAMENTAL.
Objetivo Operacional: Estudio y anlisis del comportamiento esttico y dinmico del TRIAC, Caractersticas y Modelamiento.
Laboratorio:
EXPERIENCIA NMERO 10: COMPORTAMIENTO ESTTICO Y DINAMICO DEL TRIAC: RECTIFICACION
CONTROLADA POLlFSICA Y CONTROL DE POTENCIA.
Bibliografa:{6,8,10,13,14,15,16,17}
SEMANA N 14

TECNOLOGAS DE VANGUARDIA:COMPORTAMIENTO ESTTICO Y DINMICO DEL IGCT: CARACTERSTICAS (PARMETROS Y

ESPECIFICACIONES). IMPORTANCIA DEL IGCT.CURVA DE TRANSFERENCIA. PRUEBA. APLICACIN PRACTICA INDUSTRIAL.IGBT
VS
IGCT.
Objetivo Operacional: Estudio y anlisis del comportamiento esttico y dinmico de los Componentes Slidos de Vanguardia, Modelamiento,
Tendencia y Aplicacin.

Laboratorio:
EXPERIENCIA NMERO 11: APLICACIN PRACTICA INDUSTRIAL.IGBT VS IGCT.
Bibliografa:{8,13}
SEMANA N 15

DISPOSITIVOS DE DISPARO, MANDO Y CONTROL: EL TRANSISTOR DE UNIJUNTURA (UJT).COMPORTAMIENTO ESTTICO Y

DINMICO DEL TRANSISTOR DE UNIJUNTURA: CARACTERSTICAS. IMPORTANCIA DEL UJT.CURVA DE TRANSFERENCIA.
MTODO DE PRUEBA. APLICACIN PRACTICA INDUSTRIAL.
RELE DE ESTADO SLIDO DE POTENCIA (SSR): MANEJO DE CARGAS TRIFSICAS: CONEXIN DELTA-ESTRELLA
Objetivo Operacional: Estudio y anlisis del UJT Y SSR.
Laboratorio:
EXPERIENCIA NMERO 12: CONEXIN DELTA-ESTRELLA DE CARGAS TRIFSICAS CON SSR. Revisin y Ensayo del proyecto
Experimental Asignado.
Bibliografa:{5,6,7,8,10,12,13,15,16,17}
SEMANA N 16

EXAMEN FINAL DEL CURSO.SUSTENTACIN DEL PROYECTO DE INVESTIGACIN ASIGNADO.

Objetivo Operacional: Evaluar los conocimientos impartidos en la segunda Unidad de formacin de la semana 9 a la semana 15.
Laboratorio:
ENTREGA DE NOTAS Y PROMEDIO DE LABORATORIO.
Bibliografa:{SILABO,13}
SEMANA N 17

EXAMEN SUSTITURIO.
Objetivo Operacional: Evaluar los conocimientos impartidos durante la primera y segunda Unidad de Formacin.
Laboratorio:
ENTREGA DE NOTAS Y PROMEDIO DE LABORATORIO.
Bibliografa:{SILABO,13}
IX:_CONTENIDO PROGRAMATICO ANALTICO Y CALENDARIZACIN DE PRCTICAS DE LABORATORIO
SEMANA N01
INTRODUCCIN Y EXPLICACIN DE EXPERIMENTOS A REALIZAR E
IMPLEMENTAR EN EL LABORATORIO.USO DEL DATA SHEET.
SEMANA N02
ASIGNACIN DEL PROYECTO DE INVESTIGACIN
SEMANA N03
EXPERIENCIA NMERO 1: RESPUESTA ESTTICA Y DINAMICA DEL 01000 SEMI CONDUCTOR DE POTENCIA.
SEMANA N04
EXPERIENCIA NMERO 2: INTERPRETACION DE LAS CARACTERISTICAS FUNDAMENTALES DEL DIODO DE POTENCIA, uso
del DATA SHEET.
SEMANA N05
EXPERIENCIA NMERO 3: RECTIFICACIN NO CONTROLADA POLlFSICA: MONOFSICA y TRIFSICA.
SEMANA N06
EXPERIENCIA NMERO 4: CONEXIONADOS DE REDES ELECTRNICAS FUNDAMENTALES DEL DIODO.
SEMANA N07
EXPERIENCIA NMERO 5: CLCULO DE DISIPADORES PARA SEMI CONDUCTORES DE POTENCIA
SEMANA N08
EXAMEN PARCIAL
SEMANA N09
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CURSO: ELECTRNICA INDUSTRIAL Y DE POTENCIA

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---------------------------------------------------------------------------------------------------------EXPERIENCIA NMERO 6: CARACTERSTICA ESTTICA Y DINMICA DEL TRANSISTOR DARLINGTON.

SEMANA N10
EXPERIENCIA NMERO 7: OSCILADORES CON P MOSFET DE POTENCIA Y MANEJO DEL DATA SHEET; Revisin y Ensayo
del Proyecto Experimental Asignado.
SEMANA N11
EXPERIENCIA NMERO 8: CARACTERISTICA ESTATICA y DINAMICA DEL TRANSISTOR IGBT; Revisin y Ensayo del Proyecto
Experimental Asignado.
SEMANA N 12
EXPERIENCIA NMERO 9: COMPORTAMIENTO ESTTICO Y DINMICO DEL SCR: RECTIFICACIN CONTROLADA POLIFSICA y
CONTROL DE POTENCIA
SEMANA N13
EXPERIENCIA NMERO 10: COMPORTAMIENTO ESTTICO y DINMICO DEL TRIAC : RECTIFICACIN CONTROLADA POLIFSICA y
CONTROL DE POTENCIA.
SEMANA N14
EXPERIENCIA NMERO 11: APLICACIN PRACTICA INDUSTRIAL. IGBT VS IGCT.
SEMANA N15
EXPERIENCIA NUMERO 12: CONEXIN DELTA-ESTRELLA DE CARGAS TRIFSICAS CON SSR; Revisin Y ensayo del Proyecto
Experimental Asignado.

SEMANA N16
ENTREGA DE NOTAS Y PROMEDIO DE LABORATORIO, EXAMEN FINAL DEL CURSO Y SUSTENTACION DEL PROYECTO DE
INVESTIGACIN ASIGNADO.
SEMANA N17
EXAMEN SUSTITUTORIO DEL CURSO DE TEORA.

X.-BIBLIOGRAFA
Solid State Electron ic Device. Sen G, Streemann, Cuarta Edicin, Prentice Hall.
Fsica de los Semiconductores. Shalimova, K. V.
Fundamentos de Semiconductores. Robert F. Pierret. Adisson Wesley Iberoamericana. 1989.
Diseo Electrnico: Circuitos y Sistemas. C.J. Savant - M. Roden - G. Carperter. Editorial Addison- Wesley
Iberoamricana.
5.
Circuitos Electrnicos: Discretos e Integrados. Donald Schilling-Belove. Editorial McGraw-Hfll.
6.
Electrnica: Teora de Circuitos y Dispositivos Electrn icos. Boylestad Nashe!sky, Robert L. Prentice Hall. 1990.
7.
Circuitos de Pulsos Digitales y de Conmutacin,Tomo I.Mllman y Taub.
8.
Representacin Binaria de los Dispositivos Slidos dependientes. Edgar del Agula Vela. UNAC. Per 2001.
9. Circuitos Electrnicos. Malik. N.R. Prentice Hall. 1996.
10. Anlisis y Diseo de Circuitos Electrnicos. Tomo II. Donald A. Newman. Editorial. Mc. Graw HiH.1999.
11. Experimentos con Transistores y Semiconductores. Howard H. Gerrish. Editorial Limusa-WHeymS.A,Mexixo, 170.
12. Gua para la Implementacin de Proyectos de Investigacin. Edgar del Aguila Vea. UNAC. Per 2010.
13. Gua para la Implementacin de Laboratorios de Circuitos Electrnicos de Potencia. Edgar del Aguila Vela.UNAC. Per
2010.
14. Tiristores y Tnacs. Henri Lilen. Marcombo.1984.
15. Power Electronics, Handbook. Muhammad H. Rashid, Academic Press, 2001.
16. Electrnica de Potencia, Teora y Aplicaciones. Benavente, Abellan y Figueres, Alfaomega.
17. Simulacin de Circuitos Electrnicos de Potencia con Pspice. Universidad Politcnica de Valencia, Alfaomega.
.
1.
2.
3.
4.

XI.- REFERENCIAS
1.-Especificaciones del fabricante: DATA SHEET.
Google= *.pdf
*=Cdigo del Componente
XII.- LNEAS DE INVESTIGACIN Y APLICACIN PRCTICA INDUSTRIAL
1.-CONVERTIDORES ESTTICOS DE ENERGA: INVERSORES TRIFSICOS Y MONOFSICOS, UPS (SAI).
2.-FUENTES DE ALIMENTACIN: CONMUTADAS Y NO CONMUTADAS, CARGADORES DE BATERAS.
3.-CONTROL DE MOTORES DE CORRIENTE CONTINUA Y CORRIENTE ALTERNA (TORQUE Y VELOCIDAD)
4.-SISTEMAS DE CONTROL Y MANDO DE CIRCUITOS DE POTENCIA: TECNOLOGA DE LOS MICROCONTROLADORES Y
PLC.

5.-COMPENSACIN REACTIVA: EL SVC Y STATCOM.

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