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Codificacin de diodos, transistores,

tiristores, etc.
La codificacin de los transistores, tiristores, diodos y otros semiconductores se basa
en la standardizacin de los siguientes organismos:
JEDEC, JISC y PRO ELECTRON
JEDEC (Joint Electronic Device Engineering Council):
Estndar: digito, letra, serial, sufijo
(opcional)
Ejemplo: 2N2222A

, 2N305

5
Digito: El numero designa el tipo de
dispositivo
1: Diodo
2: Transistor Bipolar
3: Transistor de efecto de campo FET
4: Optoacoplador
5: Optoacoplador

JISC (Japanese Industrial Standard committee)

Letra: Se usa siempre la N


Serial: El nmero de serie se sita
entre el 100 y el 9999 y no dice nada
sobre el dispositivo, salvo su fecha
aproximada de introduccin.
Sufijo (opcional): indica la ganancia
(hfe) genrica del dispositivo:
A: Ganancia baja
B: Ganancia media
C: Ganancia alta

2 letras: Las letras


especifican el rea de
aplicacin

Estndar: digito, dos letras, numero de


serie, sufijo (opcional)
Ejemplo: 2SA1157

, 2SB531

Digito: El numero designa el tipo de


dispositivo
1: Diodo
2: Transistor Bipolar
3: Transistor de efecto de campo FET

SA: PNP HF
transistor
SB: PNP AF
transistor
SC: transistor NPN
HF
SD: transistor NPN
AF
SE: Diodos
SF: Tiristores
SG: Dispositivos de
disparo
SH: UJT
SJ: FET/MOSFET
canal P
SK: FET/MOSFET
canal N
SM: Triac
SQ: LED
SR: Rectificador
SS: diodo de seal
ST: diodo de
avalancha
SZ: diodo zener
El nmero de serie:
varia entre 10 y 9999.
El sufijo (opcional):
indica que dicho tipo
est aprobado para el
empleo por varias
organizaciones
japonesas.

PRO ELECTRON: (EECA: European Electronic Component Manufacturers)

Estndar: dos letras, letra (opcional), numero de


serie
Ejemplo: BC108A,

BAW68, BF239

Primera letra: especifica el material


semiconductor empleado
A: Germanio
B: Silicio
C: Arseniuro de galio
R: Materiales compuestos

Segunda
letra: especifica
el tipo de
dispositivo
A: Diodo de bajo
poder o baja
seal
B: Diodo de
capacitancia
variable
(varicap)
C: transistor, de
audio frecuencia
(AF), pequea
seal
D: transistor, AF,
potencia
E: Diodo tunel
F: transistor, alta
frecuencia (HF),
pequea seal
K: Dispositivo de
efecto Hall
L: Transistor, HF,
potencia
N:
Optoacoplador
P: Fotorreceptor
Q: Emisor de luz
R: Dispositivo de
conmutacin,
baja potencia, ej:
tiristor, diac, UJT
etc
S: Transistor,
conmutacin de
baja potencia
T: Dispositivo de
conmutacin,
potencia, ej:
tiristor, triac, etc.
U: Transistor de
potencia,
conmutacin
W Dispositivo de

onda acstica de
superficie (SAW)
Y: Diodo
rectificador
Z: Diodo zener
Tercera
letra (opcional):
La tercera letra
indica que el
dispositivo est
pensado para
aplicaciones

Perooo EXISTEN OTROS:


Hay fabricantes que introducen su propia referencia por razones comerciales o para
resaltar el uso del componente.
Los prefijos ms comunes son:
MJ: Motorola potencia, cpsula de metal
MJE: Motorola potencia, cpsula de plstico
MPS: Motorola baja potencia, cpsula de plstico
MRF: Motorola HF, VHF y transistores microondas
RCA: RCA
RCS: RCS
TIP: Texas Instruments transistor de potencia (cpsula de plstico)
TIPL: TI transistor de potencia plano
TIS: TI transistor de pequea seal (cpsula de plstico)
ZT: Ferranti
ZTX: Ferranti

Nos podemos encontrar semiconductores de fabricacin especial para alguna Firmas,


imposible entender la codificacin!, hay que morir en el fabricante del producto, no
en el distribuidor del fabricante del semiconductor.
Algunos encapsulados populares:

73, Packo EA3GLB