CIRCUITOS ELECTRONICOS DE POTENCIA

Dispositivos de Potencia
componentes

Regiones operativas de

El Diodo de Potencia

Tcnicas para mejorar la VBD.

V
max

I
max

Rectifi cadores
de alta tensin
Proposito
general
Recuperacion
Rapida
Diodos Schottky

30 Kv

0.5
A
10
KA
2 KA

120 v

300
A

Zener de
potencia

300 v

75 W

5 Kv
3Kv

V
directo
10 v.
0.7 a 2.5
v
0.7 a 1.5
v
0.2 a 0.9
v

T
conmutacio
n
100 ns
25 us
< 5 us
30 ns

Aplicaciones

Alta tension
Rectifi cacin
a 60 Hz.
Circuitos
conmutados
Circuito de
conmutados
BT
Referencias
de tensiones

Caractersticas de catlogo:

Tensin inversa de trabajo, V R W M = mxima tensin inversa que puede

sop ortar de forma continuad a sin pelig ro de avalan cha.
Tensin inversa de pico repetitiva, V R R M = mxima tensin inversa que
puede soportar por tiempo indefi nido si la duracin del pico es inferior
a 1ms y su fre cuencia de repeticin inferior a 100Hz.
Tensin inversa de pico nico, V R S M = mxima tensin inversa que
puede soportar por una sola vez cada 10 ms minutos si la duracin
del pico es menor a 10ms
Caractersticas Dinmicas

Prdidas en los diodos

Diodo Schottky de potencia

BJT de potencia

BJT en conmutacin. Corte

BJT en conmutacin. Saturacin

BJT en conmutacin. Potencia disipada

t + t
1
PON+OFF = .VCC .I Cmx . r f
6
T
t
Pconduccin = VCEsat .I C.
T
Circuitos de excitacin de transistores bipolares.

Dispositivo control ado por corriente.

Tiempo de puesta en conduccin depende de la rapidez con la que se
inyecte las cargas necesarias en la base del transistor.
Velocidades de conmutacin de entrada se pueden reducir aplicando
inicialmente un pico elevad o de corriente de base y disminuyendo la
corriente hasta la necesaria para mantener el tran sistor en
conmutacin. Igualmente se necesita un pico de corriente negativa en
el apagado.

Excitacin en funcin a la posicin de la carga

Esq uema ejemplo.

Formulacin.

Cuando la seal pasa a nivel alto R2 estar

cortocircuitada inicialmente. La corriente de
base inicial ser IB1.
Cuando C se cargue, la corriente de base ser
IB2.
Se necesitar de 3 a 5 veces la constante de
tiempo de carga del condensador para
considerarlo totalmente cargado.
La seal de entrada pasa a nivel bajo en el corte
y el condensador carg ado proporciona el pico de
corriente negativa.
Forma de onda de la IB

Comparacin de IB con y sin L

Ejemplo

Disear un ci rcuito de excitacin de un BJT (TIP31C). Que tenga un pico de

1A de corriente de base y de 0.2A en conduccin. La tensin de excitacin
es de 0 a 5V, cu adrada, con un ciclo de trab ajo del 50% y una frecuencia de
conmutacin de 25Khz.

Vi VBE 5 1

1 A R1 4
R1
R1
V VBE
5 1
i

0,2 A R2 16
R1 R2 4 R2

I B1
IB2

R1.R2
20u
4.16
C 1, 25uF
.C
.C
R

R
4

16
5

1
2

RE .C

Simulacin del ejemplo

Potencias perdidas en ambos casos

Enclavador Baker

1csn
V
0
D

Se usa para reducir los tiempos de conmutacin del transistor bipolar.

Mantiene al transistor en la regin de
cuasi-saturacin.
Evita que VCE sea muy baja.
Las prdidas son mayore s.

Darlington.- Incrementar la
Beta del transistor
equivalente, con el fi n de
mejorar la excitacin

MOSFET. Curvas
caractersticas

Diodos en antiparalelo asociados

Efecto de las capacidades parsitas en VG

El efecto de la conmutacin de otros dispositivos puede provocar

variaciones importantes en la tensin de puerta debido al acoplamiento
capacitivo parsito.
Cuanto menor sea RG, menos se notar este efecto

Apag ado y encendido en un MOSFET

Caractersticas dinmicas

Circuitos de excitacin de MOSFET

Es un dispositivo controlado por tensin.

Estado de conduccin se consigue cuando la tensin puerta-fuente

sob repasa la tensin umbral de forma sufi ciente.
Corrientes de carg a son esencialmente 0.
Es necesario carg ar las capacidades de entrada parsitas.
Velocidad de conmutacin viene determinada por la rapidez con que la
carga de esos condensadores pueda transferirse.
Circuito de excitacin debe ser capaz de absorber y generar corrientes
rpidamente para conseguir una conmutacin de alta velocidad.

Carga de las capacidades parsitas

Diferencias de excitacin con el BJT

Detalles

Ejemplo

Calcular la excitacin de un
Mosfet de potencia que
tiene las siguientes
caractersticas:
V T H =2 a 4V.
V G S m x =20V
V D S m x =100V
Capacidades
parsitas= las de la
fi gura.
Se precisa que el Mosfet
conmute al cabo de 50ns o
menos. Si la tensin de
excitacin es de 12V y la
de alimentacin es de 100V
calcular la corriente necesaria y la RB que la limite.

Solucin
Vemos que las cap acidades de entrada y salida a ms de 60V es de 300pF y
50pF re spectivamente. Como ambas se tienen que cargar, necesitaremos:

dVDG
100V 12V
50 pF.
88mA
dt
50ns
dV
12V 2V
IG CGS . GS 300 pF .
60mA
dt
50 ns
Total 148 mA
IDG CDG .

Circuito propuesto

Simulacin

Funcionamiento del SCR.

Caracterstica esttica del SCR

Mecanismo de cebad o

Curvas V e I del SCR durante conmutacin

Formas de provocar el disparo en un

SCR
Corriente de puerta.

Elevada tensin nod o -ctodo.

Aplicacin de Vak positiva antes

que el bloqueo haya terminado.

Elevada deriva Vak.

Temperatura elevada.

Radiacin luminosa.
Autodisparo

de

Autodisparo

Disparo normal

TRIAC

TRIAC. Caractersti ca esttica

Cuadrantes de disparo del TRIAC

un triac.

Formas alternativas de disparo

Circuitos auxiliares

Disparo de

Ejemplo de V e I en una aplicacin

Circuito equivalente del IGBT

IGBT. Curva caracterstica

Caractersticas de conmutacin

Valore s lmites del IGBT

Capacidades parsitas en un IGBT

Caracterstica esttica del GTO

Funcionamiento del GTO

Formas de onda de IG

Para entrar en conduccin se necesita una subida rpida y valor IG

sufi cientes.
Se mantiene una Igon
Para cortar se aplica una IG negativa muy grande.
Debe mantenerse una VG negativa para evitar que conduzca de forma
espontnea
Circuito de excitacin de puerta del GTO

Conmutacin del GTO

Encendido por corriente positiva

Apag ado del GTO por corriente negativa

Comparacin entre los dispositivos de potencia

UJT

El transistor uniunin (UJT, unijunction transistor) es un dispositivo de

conmutacin del tipo ruptura. Sus caractersticas lo hacen muy til en
muchos ci rcuitos industriales, incluyendo temporizadores, osciladores,
generad ores de onda, y ms importante an, en ci rcuitos de control de
puerta para SCR y TRIACs.
Cuando el voltaje entre emisor y base1 Veb1, es menor que un cierto valor
denominado voltaje de pico, Vp, el UJT est CORTADO, y no puede fl uir
corriente de E a B1 (Ie=0). Cuando Veb1 sobrepasa a Vp en una pequea
cantidad, el UJT se dispara o CONDUCE. Cuando esto sucede, el circuito E a
B1 es prcti camente un cortocircuito, y la corriente fl uye instantneamente
de un terminal a otro. En la mayora de los ci rcuitos con UJT, el pulso de
corriente de E a B1 es de corta duracin, y el UJT rpidamente reg resa al
estad o de CORTE.

UJT. Circuito equivalente.

VBB : Tensin interbase.

rBB : Resistencia interbase
VE : Tensin de emisor.
IE : Intensidad de emisor.
VB2 : Tensin en B2, (de 5 a 30 V para el UJT polarizado).
VP : Tensin de disparo

UJT. Funcionamiento
El transistor monounin (UJT) se utiliza generalmente para generar seales
de disparo en los SCR. En la fi gura se muestra un circuito bsico de disparo
UJT. Un UJT tiene tres terminales, conocidos como emisor E, base1 B1 y
base2 B2. Entre B1 y B2 la monounin tiene las caractersticas de una
re sistencia ordinaria (la re sistencia entre bases rBB con valore s en el rango
de 4.7 y 9.1 K). Cuando se aplica el voltaje de alimentacin Vs, se carga el
condensad or C a travs de la resistencia R, dado que el ci rcuito emisor del
UJT est en ci rcuito abierto. La constante de tiempo del circuito de carg a es
T1=RC. Cuando el voltaje del emisor VE, llega a un valor pico Vp, se activa
el UJT y el cap acitor se descarg a a travs de RB1 a una velocidad
determinad a por la constante de tiempo T2=RB1C. T2 es mucho menor que
T1. Cuando el voltaje del emisor VE se reduce al punto del valle Vv, el
emisor deja de conducir, se desactiva el UJT y se repite el ciclo de carga.
El voltaje de disparo VB1 debe disearse lo sufi cientemente grande como
para activar el SCR. El periodo de oscilacin, T, es totalmente
independiente del voltaje de alimentacin Vs y est dado por:

T = RC ln

1
1

PUT.
El transistor monounin programable (PUT) es un pequeo tiristor con el
smbolo de la fi gura. Un PUT se puede utilizar como un oscilador de
relajacin, tal y como se muestra. El voltaje de compuerta VG se mantiene
desde la alimentacin mediante el divisor resistivo del voltaje R1 y R2, y
determina el voltaje de disparo Vp. En el caso del UJT, Vp est fi jad o por el

voltaje de alimentacin, pero en un PUT puede variar al modifi car el valor

del divisor re sistivo R1 y R2. Si el voltaje del nodo VA es menor que el
voltaje de compuerta VG, se conservar en su estado inactivo, pe ro si el
voltaje de nodo excede al de compuerta ms el voltaje de diodo VD, se
alcanzar el punto de disparo y el dispositivo se activar. La corriente de
pico Ip y la corriente de valle Iv dependen de la impedancia equivalente en
la compuerta RG = R1R2/(R1+R2) y del voltaje de
alimentacin en Vs. En general Rs est limitado a un
valor por debajo de 100 Ohms.

Aplicacin con UJT

RT (resistencia de carga de CT): De ellos depende
la fre cuencia de oscilacin.
UJT: Proporci ona el impulso VOB1 a la puerta del
SCR.
R1: Proporciona un paso a la corriente de base del
UJT (IBB) antes de dispararlo. Evita que IBB circule
por la puerta del SCR produ ciendo un disparo
indeseado.
Valor: El necesario para que VGK est por debajo
de la mnima tensin de disparo.
R2: Estabiliza el funcion amiento del dispositivo
frente a aumentos de temperatura.
Aplicacin con UJT

DIAC
Diac (Diode Alternative Current): dispositivo bidire ccional simtrico (sin
polaridad) con dos electrod os principales, MT1 y MT2, y ninguno de control.
Su estructura es la rep resentada. En la curva caracterstica tensincorriente se observa que: V(+ ) < VS ; el elemento se comp orta como un
ci rcuito abierto. V(+ ) > VS; el elemento se comp orta como un
cortocircuito. Se utilizan para disparar esencialmente a los triacs.

Otros dispositivos de disparo

Optoacopladore s
Tambin se denominan optoaislad ores o dispositivos de acoplamiento
ptico. Basan su funcionamiento en el empleo de un haz de radiacin
luminosa para pasar seales de un ci rcuito a otro sin conexin elctri ca.
Fundamentalmente este dispositivo est formado por una fuente emisora de
luz, y un fotosensor de silicio, que se ad apta a la sensibilidad espectral del
emisor luminoso.

Optoacopladores

Optoacopladore s

Circuito con optoacopladore s

Acopladore s Inductivos

Circuito Equivalente

Ejemplo de acoplo inductivo

Problemas generados por el calor

Tiempo medio entre fallos para diversos semiconductores. MIL- HDBK-217

Produccin de calor

Tran sfe rencia de calor

Tran sfe rencia de calor

qc = fl ujo de calor por conveccin desde la
superfi cie.
hc = coefi ciente de transferencia de calor de
conveccin.
As = superfi cie de transmisin de calor.
q = fl ujo de calor por conduccin.
L = longitud de conduccin.
Ac = rea transversal de conduccin.
k = coefi ciente de conductividad trmica del
material.
T = diferencia de temperaturas.

= coefi ciente de emisividad (0 a 1)

= Constante de Stefan-Boltzmann
A = re a de radiacin
T1 y T2 = diferencias de temperatura superfi cial
F1,2 = factor de dife rencia entre las dos superfi cies de los diferentes
cuerpos

Conductividad trmica

Resistencias trmicas

Resistencias trmicas

T1,2 P. RTh1,2

Impedancia trmica

Comportamiento dinmico

Disipadores

Tran sitorios en las lneas de alimentacin

Topologa de p roteccin

Componentes para proteccin

Caractersticas

Circuitos de proteccin
a) Prote ccin en lneas equilibradas de comunicaciones.
b) Prote ccin contra descargas en antenas. Insufi ciente proteccin de
componentes posteriore s.
c) Gran cap acidad de absorcin de corriente. Ideal para lneas de red.
d) Circuito mejorado. El inductor permite la conmutacin de
sob recorriente del varistor al descarg ador.
e) Evita la corriente de seguimiento de la red.
f) Tambin evita la corriente de seguimiento de la red, pe ro mejora el
anterior.

g) Dobla la cap acidad energtica de limitacin de sobretensiones.

h) Igual que el anterior pe ro ms rpido.
i) Ideal para lneas de comunicaciones, es mejor que el ci rcuito d, pero
peor cu ando los impulsos de sobretensin tienen una pendiente lenta.
j) El automatismo sirve para evitar que el varistor quede cortocircuitado en
caso de envejecimiento.
k) Ci rcuito bsico de proteccin en modo comn.

Prote cciones contra excesos elctricos

Dispuestos de mayor a menor capacidad de disipacin de energa y de

menor a mayor velocidad de re spuesta.
Protecciones para red
El primero es un circuito bsico que puede proteger una lnea de red en
modo diferencial y en modo comn.
El segundo es un ci rcuito de proteccin en modo comn con tres escalones.
Puede quedar un cierto nivel de tensin diferencial.
El te rce ro es un circuito completo de proteccin en modo comn y en modo
diferencial.

Prote cciones para lneas de entrada de datos.

Protecciones con diodos supresores de sobretensiones.

Prote cciones terciarias contra sobretensiones de alta frecuencia.

Prote ccin de alta seguridad

Filtros de red comerciales

IL

Prote ccin contra transitorios. Snubbers

P
iv

ILs
D
C

Circuito de p roteccin de transistor

v
i

P
v
i

v
i

Prdidas en funcin a C

Formulacin.

Si la corriente del interruptor llega a ce ro antes de que el

condensad or se cargue por completo la tensin del
condensad or se calcula a partir de la primera ecuacin,
saliendo:
El condensad or se elige a veces de forma que la tensin del
interruptor alcance su valor fi nal al mismo tiempo que la
corriente vale ce ro
Formulacin.
Para calcular el valor de la resistencia, sta se
elige de forma que el condensador se descargue
antes de que el transistor vuelva a apag arse. Se
necesitan de 3 a 5 intervalos de tiempo para que
descargue el condensador.

Las prdidas en el
transistor varan con el
ci rcuito que se aade. La
primera frmula se
re fi ere a las prdidas en
el transistor sin circuito
de prote ccin.
Comparacin sin y con snubber.

se