ndice

TEMA 10: El transistor bipolar en esttica

10.1

10.1. INTRODUCCIN

10.1

10.2. ESTRUCTURA DEL TRANSISTOR BIPOLAR

10.3

10.3. REGIONES DE FUNCIONAMIENTO

10.5

10.4. FUNCIONAMIENTO CUALITATIVO EN LA REGIN ACTIVA

10.7

10.5. DEFINICIONES DE CIRCUITO: PARMETROS , T, Y

10.12

10.i

Tema 10
El transistor bipolar en esttica

10.1.- Introduccin
Con ste se inicia un conjunto de cuatro temas dedicados a otro dispositivo de
unin pn: el transistor bipolar (BJT Bipolar Junction Transistor). El BJT es uno
de los principales dispositivos semiconductores empleados en la amplificacin y
conmutacin.
Existen, como veremos, dos formas bsicas del transistor bipolar, la npn y la
pnp, denominadas as por las tres capas de semiconductor utilizadas para su
construccin. Ambas formas son de uso general como dispositivos discretos
individuales y en circuitos integrados. En muchos diseos de circuitos se prefiere la
versin npn debido a su ganancia, generalmente ms alta, y a su conmutacin ms
veloz.
10.1

Tema 10: El transistor bipolar en esttica

El BJT difiere del diodo en que el transistor puede brindar ganancias de

corriente, de voltaje y de potencia. Es un dispositivo activo, mientras que el diodo, al
igual que una resistencia, es un dispositivo pasivo. Por lo tanto, se har especial
nfasis en la cualidad del transistor de lograr ganancia.
En este primer tema sobre el BJT se definirn los sentidos de los voltajes y
corrientes aplicados al dispositivo, y se realizar una descripcin cualitativa de la
accin del BJT y su fabricacin. Se definirn, tambin, sus cuatro regiones o zonas de
funcionamiento centrando la atencin en el Modo Activo, para el que se definirn el
factor transporte (T), la eficiencia de inyeccin () y la ganancia directa de corriente
continua (parmetros y ).

10.2

Estructura del transistor bipolar

10.2.- ESTRUCTURA DEL TRANSISTOR BIPOLAR

El transistor bipolar o transistor de unin es un dispositivo semiconductor que
contiene dos uniones pn muy prximas entre s. Esto es, est formado por tres regiones
dopadas alternativamente (ver Figura 10.1a). La regin intermedia se denomina base
y es muy estrecha en comparacin con la longitud de difusin de minoritarios en ella.
Las dos regiones externas constituyen el emisor y el colector. En principio, podra
parecer que estas dos ltimas regiones son intercambiables. Sin embargo, en los
dispositivos reales, el emisor est ms dopado que la base y sta, a su vez, ms dopada
que el colector, de ah que no se pueden intercambiar el emisor y el colector sin
modificar las caractersticas elctricas del dispositivo.
C
E

EMISOR
p++

BASE
n+

COLECTOR
p

IC

VCB
IB
B

VEB

IE
E

(a)

(b)
C

EMISOR
n++

BASE
p+

COLECTOR
n

IC

VBC
IB
B
VBE

IE
E

Figura 10.1.- Tipos de transistor bipolar: a) Estructura; b) Smbolo de circuito.

En la Figura 10.1b se indican los smbolos de circuito utilizados para designar a

los transistores pnp y npn. Por convenio 1 , las corrientes de emisor, base y colector se
1

Convencin estndar del IEEE (Institute of Electrical and Electronics Engineers)

10.3

Tema 10: El transistor bipolar en esttica

consideran positivas cuando entran al dispositivo. La flecha indica el sentido en el que

fluira la corriente si la unin emisor-base estuviera directamente polarizada.
En las Figuras 10.2a y 10.2b se muestran las estructuras tpicas de un transistor
n+pn discreto y otro integrado. El n+pn discreto se construye comenzando por un
sustrato n++, fuertemente dopado, sobre el cual se deposita una capa epitaxial de alta
resistividad (bajo dopado) de silicio tipo n en la superficie. La capa epitaxial tpica es de
5 a 10 m de espesor. La regin de base tipo p se difunde trmicamente a travs de una
ventana de xido. Posteriormente, se difunde el emisor n++ fuertemente dopado. Los
contactos metlicos estn constituidos por una aleacin de Al y Si que hace contacto
hmico en las tres regiones de emisor, base y colector.
1 mm = 1000 m

5 m
200 m

(a)

(b)

Figura 10.2.- Esquema de la seccin transversal de estructuras de BJT: (a) BJT discreto y (b) BJT
integrado.

En los circuitos integrados, todos los transistores deben compartir un sustrato

comn por razones tecnolgicas. En este caso, se comienza por un sustrato tipo p de alta
resistividad. En l se difunde una pequea regin n++ a la que se le denomina capa
enterrada. La funcin principal de sta, es brindar un camino de baja resistencia para
que la corriente de colector alcance el contacto de colector, que ahora queda en la
superficie superior. A continuacin, se deposita sobre la capa enterrada una capa
epitaxial tipo n que ser la que constituya la regin de colector de bajo dopado.
Posteriormente, se difunde la base tipo p seguida de difusiones de impurezas para las
regiones de contacto de emisor y colector (n+). El contacto de colector en la superficie
10.4

Regiones de funcionamiento

se debe realizar sobre una zona n+ para asegurar la obtencin de un contacto de

caractersticas hmicas.
Para lograr el aislamiento elctrico entre resistencias y transistores
(componentes) en un circuito integrado bipolar, se recurre a uniones pn inversamente
polarizadas, aislamiento por unin, o bien, al uso de profundas trincheras de SiO2 como
la representada en la Figura 10.2b.
La accin bsica del transistor (Figura 10.2a y Figura 10.2b), est confinada a la
regin rallada, que incluye las regiones activas de emisor, base y colector. Esta
direccin es la que se elegir como direccin de estudio (anlisis unidimensional).

10.3.- REGIONES DE FUNCIONAMIENTO

Cada una de las uniones de un BJT puede estar polarizada en directa o en
inversa. La combinacin de estas dos polarizaciones para cada una de las uniones
conduce a cuatro regiones o modos de funcionamiento en continua (Tabla 10.1).

Polarizacin de la unin
Emisor-Base

Colector-Base

Directa
Directa
Inversa
Inversa

Inversa
Directa
Inversa
Directa

MODO
Activo
Saturacin
Corte
Activo inverso

Tabla 10.1.- Modos de trabajo del BJT

La regin activa, es la zona de funcionamiento ms comn del BJT. Casi todos

los amplificadores de seal lineales, como los amplificadores operacionales, tienen sus
BJTs polarizados en esta regin, ya que es en la que se obtiene mayor ganancia de
seal y menor distorsin.
Un conmutador cerrado tiene poco o ningn voltaje entre sus bornes an cuando
fluya una corriente elevada. Este comportamiento corresponde al funcionamiento del
10.5

Tema 10: El transistor bipolar en esttica

BJT en la regin de saturacin. En un circuito lgico, se denomina a esto nivel lgico

cero o bajo.
El BJT trabajando en el modo de corte equivale a un circuito abierto. En los
circuitos digitales esto representa el nivel lgico uno o alto.
La regin activa-inversa se utiliza sobre todo en circuitos de lgica digital,
como la lgica TTL (transistor-transistor-logic), en la que la ganancia de seal no es un
objetivo. En este caso, el emisor y el colector han intercambiado sus papeles y
podramos pensar que el funcionamiento es idntico. Sin embargo, las caractersticas
elctricas del dispositivo se ven modificadas puesto que el dopaje del colector es mucho
ms pequeo que el del emisor.
Todos los comentarios anteriores se entendern mucho mejor cuando se analice
el funcionamiento del BJT y se describan sus curvas caractersticas.
Finalmente, cabe sealar que, en las aplicaciones de circuito, el BJT funciona
tpicamente con un terminal comn entre la entrada y la salida, ya sea en continua o en
alterna. Puesto que el BJT tiene tres terminales, dependiendo de cul sea el terminal
comn a los circuitos de entrada y de salida pueden distinguirse tres tipos de
configuracin: base comn, emisor comn y colector comn. En la Figura 10.3 se han
indicado los sentidos positivos de las tensiones y corrientes, es decir, cuando dichas
corrientes son entrantes al dispositivo.
Si se conocen dos corrientes (o tensiones), la tercera corriente (o tensin) puede
determinarse a travs de las leyes de Kirchoff.
En la aplicacin del BJT como amplificador, la configuracin ms utilizada es la
de emisor comn por razones que se comentarn posteriormente.

10.6

Funcionamiento cualitativo en la regin activa

E IE
VEB

p++ n+

IC C

VCB

(a)
IC

IE

B IB

IB

n+
p++

VCE

p++
n+
p

VEC

VBC

VBE
E

E
(b)

C
(c)

Figura 10.3.- Tipos de configuracin para un transistor pnp: (a) En base comn; (b) En emisor comn;
(c) En colector comn.

10.4.- FUNCIONAMIENTO CUALITATIVO EN LA REGIN ACTIVA

A pesar de que se ha comentado que la configuracin npn es la ms utilizada en
los circuitos amplificadores, se va a empezar el estudio del BJT por la configuracin
pnp. Todo lo que se diga va a ser exactamente igual para un npn, sin ms que
intercambiar los sentidos de las tensiones y corrientes.
Nuestro punto de partida es, como siempre, la situacin de EQUILIBRIO
TERMODINMICO. En definitiva, lo que tenemos son dos uniones pn muy prximas
entre s y todos los razonamientos que se hicieron para una unin pn en equilibrio,
siguen siendo vlidos. Es decir, el clculo del T de la unin emisor-base y colectorbase, ( x ) , ( x ) , etc. se obtendrn exactamente de la misma manera.

10.7

Tema 10: El transistor bipolar en esttica

Supongamos ahora que se polariza el transistor pnp en el MODO ACTIVO, es

decir, la unin emisor-base en directa ( VEB > 0 ) y la unin colector-base en inversa
( VCB < 0 ). En la Figura 10.4 se han indicado las polaridades de las tensiones aplicadas y
los sentidos de las componentes internas de corriente, as como los sentidos de las
corrientes en los terminales de emisor, base y colector para el MODO ACTIVO que se
est considerando.
Para explicar lo que sucede, se admitirn como vlidas las siguientes hiptesis:

Los contactos son hmicos ideales, esto es, no presentan resistencia al paso
de corriente en uno y otro sentido.

Las regiones de emisor, base y colector son homogneas y extrnsecas.

Se desprecian las cadas de tensin en las regiones neutras de emisor, base y

colector.

Las uniones son abruptas y planas y en ellas se considera vlida la hiptesis

de despoblacin total (H.D.T.).

Tambin se despreciarn los procesos de generacin y recombinacin en las

zonas de carga de espacio, esto es, todas las corrientes permanecen
constantes al atravesarlas.

Se supone que el BJT trabaja en baja inyeccin.

Resulta, entonces, que toda la tensin externa aplicada aparece en las uniones
correspondientes.
Al polarizar directamente la unin de emisor se reduce la barrera de potencial,
permitiendo el paso de huecos desde el emisor hacia la base, I pE , y de electrones desde
la base hacia el emisor, I nE (puesto que el emisor est mucho ms dopado que la base,
resulta que I pE >> I nE ). Por lo tanto, la unin de emisor-base directamente
polarizada crea una alta corriente de emisor, I E . Al igual que sucede en el diodo, I pE
e I nE pueden ser obtenidas como corrientes de difusin que crecen exponencialmente
con la tensin positiva (Vpn) aplicada, VEB .

10.8

Funcionamiento cualitativo en la regin activa

InC

Figura 10.4.- Componentes de corriente en un transistor con la unin de emisor en directa y la unin de
colector en inversa.

Por otra parte, la unin de colector se encuentra inversamente polarizada

( VCB < 0 ), lo que conduce a un aumento de la barrera de potencial de dicha unin que
impide el paso de mayoritarios pero no el de minoritarios. Esto es, en la base tenemos
ahora muchos huecos ya que estos han sido inyectados desde el emisor que no
encuentran mayores dificultades para alcanzar el colector. Puesto que, por razones de
diseo la base es estrecha, slo unos pocos huecos se perdern por recombinacin en la
base, I rB = I pE I pC < 1 % , y la mayor parte de ellos alcanzar y atravesar la unin de
colector. Dicha corriente, I pC , constituye la componente dominante de la corriente de
colector, I C . Indudablemente, tambin existir un pequeo flujo de electrones desde el
colector hacia la base. Estos electrones, portadores minoritarios en el colector, son los
generados trmicamente en las proximidades del borde de la zona de carga de espacio
de la unin de colector por el lado del colector, y constituyen la componente I nC .
Esta situacin, en la cual en una unin en inversa aparece una corriente debido a
la inyeccin de portadores desde otra unin prxima, se denomina efecto transistor. Y
en este modo de funcionamiento se encuentra la razn de los trminos emisor
(inyector de portadores) y colector (recolector de portadores inyectados en otras
regiones).

10.9

Tema 10: El transistor bipolar en esttica

Indudablemente, para que se produzca la interaccin entre ambas uniones del

BJT, stas no pueden encontrarse demasiado alejadas, por lo que la anchura de la base
debe ser mucho menor que la longitud de difusin de minoritarios en ella. En nuestro
caso, en que la base es de tipo n,
wB << L pB

Esto es, la base ha de ser una regin corta. En caso contrario, la recombinacin
en la regin de la base sera importante y disminuira el efecto transistor. En definitiva,
en el lmite (si la base es una regin larga), lo que tendramos sera dos diodos
conectados en oposicin. Es decir, todos los huecos inyectados desde el emisor en la
base se recombinaran en sta y ninguno de ellos conseguira alcanzar la unin de
colector inversamente polarizada.
Por lo tanto, para nuestro BJT pnp polarizado en el MODO ACTIVO resulta
que:

I E = I pE + I nE
I C = I pC + I nC

(10.1)

I B = I nE + I rB I nC
NOTA: Debe resaltarse que el convenio de signos (positivo = entrante) se aplica a las
corrientes en los terminales pero no a las componentes internas de corriente. Estas
ltimas se sumarn o restarn dependiendo de si llevan o no el mismo sentido.
De las condiciones de diseo, N E > N B > NC y wB << L pB , se deduce que en el
MODO ACTIVO:
(componente dominante al ser N E > N B )

I E I pE

I B << I E , I C

I C I pC (componente dominante al ser I nC una corriente inversa de

saturacin)
10.10

Funcionamiento cualitativo en la regin activa

I B I nE

(componente dominante porque la base es estrecha e I nC es una

corriente inversa de saturacin)

Adems, I E ser siempre ligeramente superior a I C por dos razones:

I nE (componente interna de I E ) no contribuye el efecto transistor

1.

(transferencia de corriente de la entrada a la salida). Es decir, no es una de

las componentes de I C .
2. A pesar de que I rB es muy pequea, no ser nula: siempre habr unos pocos
huecos que se pierdan por recombinacin.
La posibilidad de poder obtener una gran ganancia de corriente del BJT para el
dispositivo en emisor comn se explica por el hecho de que una pequea corriente de
base, I B , brinda electrones para recombinarse con los huecos que provienen del emisor
y para inyectar electrones en el emisor. De forma que la relacin o ganancia de corriente
IC
es elevada porque una unin p+n (emisor-base) slo requiere una pequea
IB

corriente de electrones para conseguir una elevada corriente de huecos. Dicho de

otra forma, una pequea I B fuerza a que la unin emisor-base quede directamente
polarizada e inyecte una gran cantidad de huecos que atraviesan la base hacia el
colector.
Todo lo que se ha explicado del funcionamiento del transistor p+np en el MODO
ACTIVO es aplicable al transistor n+pn sin ms que intercambiar los sentidos de las
corrientes y tensiones. Esto es, en un transistor n+pn polarizado en el MODO ACTIVO
resulta que:

VBE > 0
IE < 0

VBC < 0

IB > 0

IC > 0

10.11

Tema 10: El transistor bipolar en esttica

Cabe sealar, adems, que en el MODO ACTIVO y en primera aproximacin

I C es independiente de la tensin inversa aplicada a la unin de colector. Esto es, basta

con que dicha unin se encuentre inversamente polarizada (sin importar el valor
absoluto de la tensin) para que recoja los minoritarios inyectados en la base por el
emisor.
Finalmente, debe sealarse que las ecuaciones (10.1) verifican la 1 ley de
Kirchoff En un nodo, la suma de todas las corrientes ha de ser cero. Efectivamente:

I E + I B + I C = I pE + I nE I nE I rB + I nC I pC I nC
I E + I B + I C = I pE I rB I pC = I pE I pC ( I pE I pC )
I E + I B + IC = 0
Y por lo tanto, conocidas I E e I C , otra forma de calcular I B sera:

I B = I E IC

expresin en la que hay que tener en cuenta los signos de I E e I C .

10.5.- DEFINICIONES DE CIRCUITO: PARMETROS , T ,

Desde un punto de vista muy bsico, cuando el BJT est polarizado en el MODO
ACTIVO, lo que interesa es que prcticamente toda la corriente de emisor se convierta
en corriente de colector. Sin embargo, ya se ha comentado que estrictamente hablando
esto no es posible y existen unas prdidas. Pues bien, para cuantificar estos efectos se
van a definir una serie de parmetros internos caractersticos del BJT. Esto es, unas
variables de circuito necesarias para la descripcin del BJT en la regin activa. (A lo
largo de este apartado se va a seguir considerando un transistor pnp).

10.12

Definiciones de circuito: Parmetros

, T ,

10.5.1.- Eficiencia de emisor o eficiencia de inyeccin,

corriente de portadores inyectados por el E B

corriente total de emisor

pnp

I pE
I nE

I pE

IE

I pE
I pE + I nE

1
I
1 + nE
I pE

(10.2)

" relacion de inyeccion "

( cociente entre lo que inyecta el emisor y lo que inyecta la base )

1

1+

e
1+ e

Donde interesa que 1 e

(10.3)

N E >> N B .

10.5.2.- Factor de transporte de base, T

corriente de portadores inyectados que consigue alcanzar la union de colector

corriente de portadores inyectados por el E B

pnp

I pC
I pE

I pC
I rB + I pC

1
I
1 + rB
I pC

(10.4)

I pC
I rB
10.13

Tema 10: El transistor bipolar en esttica

T =

Donde interesa que T 1

1
1+

b
1 + b

(10.5)

b I rB base corta

10.5.3.- Parmetros y de un BJT

De la definicin de T , ecuacin (10.4), se deduce que:
I pC = T I pE = T I E

(10.6)

Por otra parte,

I C = I pC + I nC = T I E + I nC

I C = I E I nC

(10.7)

(10.8)

Por lo tanto, si T 1 y 1 1
Si se define I CBO como la corriente que circulara por el colector con el emisor
en circuito abierto y una polarizacin inversa de la unin de colector, de la ecuacin
(10.7) resulta que
I CBO I CO = I C

IE = 0
VCB < 0

= I nC

con lo que la ecuacin (10.7) puede tambin expresarse de la forma,

I C = I E + I CO

10.14

(10.9)

Definiciones de circuito: Parmetros

, T ,

La ecuacin (10.9) es vlida nica y exclusivamente para el MODO ACTIVO y,

a pesar de que ha sido deducida para un transistor pnp, tal y como est expresada es
aplicable tambin a un transistor npn. Esta ecuacin nos dice que en el MODO
ACTIVO, I C e I CO llevan el mismo sentido, que a su vez es contrario al de la I E . A la
hora de utilizar esta ecuacin, hay que colocar los signos a todas las corrientes.

pnp MODO ACTIVO

npn MODO ACTIVO

IE > 0

IE < 0

IC < 0

IC > 0

I CO < 0

I CO > 0

De la ecuacin (10.9) se deduce que:

I C I CO
IE 0

(10.10)

Es decir, el parmetro es el cociente (cambiado de signo) entre la variacin

experimentada por la corriente de colector y la variacin de la corriente de emisor
cuando esta vara desde 0 hasta un determinado valor I E . De ah que se denomine
ganancia directa de corriente en base comn para gran seal.
La interpretacin fsica del parmetro puede deducirse sin ms que
desarrollar la ecuacin (10.8). En efecto,

T =

I pC
IE

I pC I pE

I pE I E

(10.11)

Es decir, el parmetro es la fraccin de la corriente de emisor que alcanza y atraviesa

10.15

Tema 10: El transistor bipolar en esttica

la unin de colector. Constituye, por lo tanto, una medida cuantitativa de las prdidas
producidas en la transferencia de corriente desde la unin de emisor a la unin de
colector. Se trata, por ello, de un parmetro ntimamente vinculado al efecto transistor
que deber hacerse tan prximo a la unidad como lo permitan las condiciones de diseo.
En ocasiones resulta til utilizar un nuevo parmetro, , definido como

o bien

1+

+1

(10.12)

Introduciendo esta definicin en la ecuacin (10.9) resulta,

IC =

+1

I E + I CO

Puesto que en todo BJT se cumple

I E + I B + IC = 0

I E = I B IC

I C ( + 1) = I B + I C + ( + 1) I CO
I C = I B + ( + 1) I CO

(10.13)

La ecuacin (10.13) es totalmente equivalente a la ecuacin (10.9) y tal y como

est expresada es aplicable a un transistor pnp y npn. La ecuacin (10.13) pone de
manifiesto que, en el MODO ACTIVO, I C , I B e I CO llevan el mismo sentido.
Despejando de la ecuacin (10.13) resulta:

10.16

I C I CO
I B ( I CO )

(10.14)

Definiciones de circuito: Parmetros

, T ,

La ecuacin (10.14) es homloga a la ecuacin (10.10) y nos dice que el

parmetro representa la relacin entre la variacin experimentada por la corriente de
colector y la corriente de base desde los valores correspondientes al corte del transistor,

I E = 0 , I C = I CO e I B = I CO , hasta los valores de funcionamiento I E , I B , I C en el

MODO ACTIVO. De ah que el parmetro se denomine ganancia directa de
corriente en emisor comn para gran seal.
La ecuacin (10.14) pone de manifiesto lo comentado anteriormente: que con
una pequea corriente de base se puede controlar una gran corriente de colector y de
este modo obttener efectos de amplificacin muy notables.
Por lo tanto, se puede concluir que para favorecer el efecto transistor interesa
disminuir al mximo las componentes de la corriente de base, lo que se traduce en
valores grandes de e , b y o, lo que es equivalente, valores prximos a la unidad de

, T y . Esto conduce a dos condiciones de diseo caractersticas del BJT:

1. Unin de emisor fuertemente asimtrica con el emisor mucho ms dopado
que la base ( N E >> N B ) 1 .
2. La base ha de ser una regin corta ( wB << L pB ) T 1 .

Ambas condiciones de diseo han de cumplirse simultneamente.

10.17

Tema 10: El transistor bipolar en esttica

10.18