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CM Electronique 1

(SP2 11-12)

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Sommaire

Cours Magistraux
olivier.gallot-lavallee@grenoble.cnrs.fr
http://iut-tice.ujf-grenoble.fr/tice-espaces/MPH/EP-gallotLava/

Electronique 1
(SP2 11-12)

Sommaire ................................................................................................................................... 2
Chapitre 1. Quadriple, fonction de transfert, filtre et diagramme de Bode (2h) ...................... 5
1.1. Dfinition d'un quadriple............................................................................................... 5
1.2. Modles quivalents et identification des paramtres d'un quadriple ........................... 6
1.2.1. Modle quivalent en Z simplifi et identification des paramtres du quadriple .. 7
1.2.2. Association de quadriples....................................................................................... 8
1.3. Fonction de transfert d'un quadriple.............................................................................. 8
1.3.1. Dfinition de la fonction de transfert ....................................................................... 8
1.3.2. Formes explicites de la fonction de transfert ........................................................... 9
1.3.3. Forme canonique de la fonction de transfert ............................................................ 9
1.3.3.1. Dfinitions des paramtres caractristiques .................................................... 10
1.3.4. Exemple de calcul d'une fonction de transfert d'un circuit RC .............................. 11
1.4. Le filtre (lectronique) .................................................................................................. 12
1.4.1. Notion de filtrage ................................................................................................... 12
1.4.2. Classification des filtres ......................................................................................... 12
1.5. Diagramme de Bode...................................................................................................... 13
1.5.1. Dfinition du diagramme de Bode ......................................................................... 13
1.5.2. Exemple de diagramme de Bode d'une fonction de transfert d'un circuit RC ....... 14
1.5.3. Mthode de trac du diagramme de Bode (diagramme asymptotique).................. 15
1.5.3.1. Rsum de la mthode..................................................................................... 15
1.5.3.2. Application de la mthode au cas du circuit RC de la Figure 8 ...................... 15
1.5.4. Diagrammes de Bode des fonctions de transferts lmentaires ............................. 17
1.5.4.1. Fonction drivateur pur ................................................................................... 17
1.5.4.2. Fonction intgrateur pur .................................................................................. 17
1.5.4.3. Fonction passe bas du 1er ordre ....................................................................... 17
1.5.4.4. Fonction passe haut du 1er ordre...................................................................... 18
1.5.4.5. Fonction passe bas du 2ime ordre .................................................................... 18
1.5.4.6. Fonction passe haut du 2ime ordre .................................................................. 19
1.5.4.7. Quelques rgles de calculs .............................................................................. 20
1.6. Quiz sur les outils danalyse appliqus llectronique ............................................... 21
Chapitre 2. Diodes semi-conducteur et montages usuels (2h) .............................................. 22
2.1. Semi-conducteurs .......................................................................................................... 22
2.1.1. Description d'un semi-conducteur intrinsque ....................................................... 22
2.1.2. Description d'un semi-conducteur extrinsque de type n....................................... 23
2.1.3. Description d'un semi-conducteur extrinsque de type p....................................... 24
2.1.4. La jonction pn......................................................................................................... 25
2.2. Caractristiques lectriques de la jonction pn: La diode............................................... 26
2.3. Modles lectriques simplifis de la diode bipolaire .................................................... 29
2.4. Mthodes d'tude de circuits base de diodes (bases sur le 1er et 2ime modle)...... 29
2.4.1. Dtermination de l'tat d'une diode ........................................................................ 29
2.4.2. Dtermination de l'tat d'un rseau de diodes cathodes ou anodes communes ... 29
2.4.3. Dtermination de l'tat d'une diode dans un circuit complexe............................... 30
2.5. Montages usuels base de diodes ................................................................................. 30
2.5.1. Redressement double alternance (cf TD et TP) ..................................................... 30
2.5.2. Dmodulation AM.................................................................................................. 31
2.5.3. Anti-retour.............................................................................................................. 32
2.5.4. Ecrteur .................................................................................................................. 32
2.5.5. Protection de contact .............................................................................................. 32

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2.6. Diodes spciales et applications.................................................................................... 32


2.6.1. Diode Zener (cf TP) ............................................................................................... 32
2.6.2. Diode Electroluminescente .................................................................................... 33
2.6.3. Photo Diode............................................................................................................ 34
2.6.4. Diode Schottky....................................................................................................... 34
2.6.5. Les diodes Varicap (ou varactor): diodes capacit variable ................................ 34
2.6.6. Les diodes PIN (P-Isolant-N)................................................................................. 35
2.6.7. Listing des diffrents types de diodes produites en 2007....................................... 35
2.7. Quiz sur les Diodes ....................................................................................................... 35
Chapitre 3. Transistors jonction (bipolaires) et montages usuels (+variantes) (2h).............. 37
3.1. La jonction npn (ou pnp)............................................................................................... 37
3.2. Caractristiques lectriques de la jonction npn: l'effet transistor.................................. 37
3.2.1. Caractristiques en mode F .................................................................................... 38
3.2.2. Caractristiques en mode R.................................................................................... 39
3.3. Zones de fonctionnement du transistor ......................................................................... 40
3.4. Montages usuels base de transistors ........................................................................... 42
3.4.1. Montages lmentaires du transistor ...................................................................... 42
3.4.2. Montage d'amplification......................................................................................... 44
3.4.3. Montage de commutation (blocage-saturation)...................................................... 45
3.5. Caractristiques techniques ........................................................................................... 46
3.5.1. Principaux paramtres lectriques d'un transistor .................................................. 46
3.5.2. Diversit de botiers et normes............................................................................... 47
3.6. Autres types de transistors............................................................................................. 47
3.6.1. Transistors effet de champ................................................................................... 47
3.6.2. Transistors Effet de Champ et jonction Bipolaire ............................................ 49
3.6.3. Transistors particuliers ........................................................................................... 49
3.7. Quiz sur les Transistors ................................................................................................. 49
Chapitre 4. Amplificateurs Oprationnels et montages usuels (2h)......................................... 51
4.1. Historique de lamplificateur oprationnel ................................................................... 51
4.2. Prsentation de lampli-op (Rappels)............................................................................ 51
4.2.1. Technologie du LM 741......................................................................................... 51
4.2.2. Reprsentations symboliques ................................................................................. 52
4.2.3. Caractristique entre-sortie................................................................................... 53
4.2.4. Modle quivalent de lampli-op ........................................................................... 53
4.3. Lapproximation de lampli-op idal ............................................................................ 54
4.3.1. Modle quivalent de lampli-op idal................................................................... 54
4.3.2. Lampli-op idal en contre-raction: montages fondamentaux.............................. 55
4.3.2.1. Montages non inverseurs (Noninverting amplifier) ........................................ 56
4.3.2.2. Montage suiveur (unity gain follower)............................................................ 56
4.3.2.3. Montage inverseur (inverting amplifier) ......................................................... 57
4.3.2.4. Montage additionneur (adder) ......................................................................... 57
4.3.3. Filtres actifs base d'ampli-op idaux ................................................................... 58
4.3.3.1. Filtre passe-bas du 1er ordre (ou filtre 20 dB/dc = 6 dB/octave) ................ 58
4.3.3.2. Filtre passe-haut du 1er ordre (ou filtre 20 dB/dc = 6 dB/octave)............... 59
4.3.4. Lampli-op idal en rgime non linaire: montages fondamentaux....................... 59
4.3.4.1. Comparateurs zro........................................................................................ 59
4.3.4.2. Comparateurs rfrence non nulle................................................................ 60
4.3.4.3. Comparateurs hystrsis: Trigger de Schmitt............................................... 61
4.4. Quiz sur les AOPs ......................................................................................................... 63
Annexe: Tableau de correspondance entre les divers paramtres du quadriple..................... 64
Annexe: Valeurs efficaces et moyennes de signaux priodiques standards............................. 65

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Annexe: Thorme de Millmann et mthode des noeuds ........................................................ 66


Rsum ..................................................................................................................................... 67
Bibliographie............................................................................................................................ 67

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1.2. Modles quivalents et identification des paramtres d'un quadriple


Chapitre 1. Quadriple, fonction de transfert, filtre et diagramme de Bode (2h)
1.1. Dfinition d'un quadriple
Il peut tre parfois utile de modliser un composant ou un circuit (ensemble de
composants) sous la forme de botes noires, dont on ne connatrait que les paramtres
dentre/sortie. On peut ainsi dfinir le quadriple (Figure 1) comme tant un composant
deux entres et deux sorties, permettant le transfert d'nergie entre deux diples (Le concept
du quadriple a t introduit dans les annes 20 par le mathmaticien allemand Franz
Breisig).
i1(t)

v2(t):sortie

Quadriple
optionnel

q. 1: Paramtres Y (admittance) ou en court-circuit

q. 2: Paramtres Z (impdance) ou en circuit ouvert

i2(t)

v1(t):entre

Les tensions et les courants aux bornes du quadriple sont lis par des relations
linaires ne dpendant que du quadriple. Ces relations peuvent videmment scrire de
plusieurs faons en exprimant deux des grandeurs complexes V1, V2, I1 et I2 en fonction des
deux autres. Les coefficients obtenus dans chaque cas sont appels paramtres du quadriple.
Nous allons distinguer les diffrents types de paramtres (q. 1,q. 2,q. 3 et q. 4).

q. 3: Paramtres H (hybrides)

optionnel
q. 4: Paramtres C (chane) ou matrice de transfert

Figure 1: Reprsentation d'un quadriple (avec une convention gnrateur en sortie)

Le quadriple peut tre dfini par quatre grandeurs lectriques: une tension dentre
v1(t), un courant dentre i1(t), une tension de sortie v2(t) et un courant de sortie i2(t). Les deux
tensions v1(t) et v2(t) sont mesures par rapport des bornes de rfrence: une borne de
rfrence lentre et une borne de rfrence en sortie. Dans la plupart des cas, ces deux
bornes de rfrence nen forment quune seule et constituent la masse du circuit (le potentiel
de rfrence). Lentre dun quadriple est alimente par un circuit amont (eg. un gnrateur),
tandis que la sortie du quadriple alimente un circuit aval (eg. une charge). Ces circuits amont
et aval peuvent galement tre des quadriples. Voici (Figure 2) quelques exemples de
circuits lectriques que l'on peut apparenter des quadriples.

i2(t)
R1

v1(t)

R2

i1(t)

v2(t)

I1

1/Y11

1/Y22

i1(t)
Rth

Rth

v2(t)

Eth(t)

V1

R3
R2

v2(t)

v1(t)

Attnuateur en
Figure 2: Exemples de circuits lectriques apparents des quadriples.

v2(t)
Attnuateur en T

-Z12.I2

Z21.I1

Z11 = V1/1 lorsque 2 = 0 sortie en circuit ouvert


Z21 = V2/1 lorsque 2 = 0

Z22
V2

Z12 = V1/2 lorsque 1 = 0 entre en circuit ouvert


Z22 = V2/2 lorsque 1 = 0

Paramtres Z
Rch

Eth(t)
v1(t)

I2
Z11

i2(t)
R1

Rch

R3

Y12 = 1/V2 lorsque V1 = 0 entre en court-circuit

Paramtres Y

i1(t)

R2
R1

Y11 = 1/V1 lorsque V2 = 0 sortie en court-circuit

Y22 = 2/V2 lorsque V1 = 0

Y12.V2 Y21.V1

Circuit RC (Filtre passe bas)

i2(t)

C12 V 2
.
C 22 I 2

Y21 = 2/V1 lorsque V2 = 0

I1
Diviseur de tension

I2
V2

i2(t)
R

v1(t)

V 1 C11
I = C
1 21

Il est souvent commode de remplacer le quadriple par un systme lectrique


quivalent, construit partir de lun des jeux de paramtres prcdemment dfinis. Selon le
jeu de paramtres utilis, on obtiendra lun des schmas lectriques quivalents ou modles
lectriques quivalents de la Figure 3.

V1
i1(t)

I1 Y11 Y12 V1
.
- I = Y
2 21 Y 22 V 2
V1 Z11 Z12 I1
V = Z
.
2 21 Z 22 - I 2
V 1 H11 H12 I1
- I = H
.
2 21 H 22 V 2

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I1

1/H22

I2

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H11 = V1/1 lorsque V2 = 0 sortie en court-circuit

V2

H12.V2
H21.I1

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1.2.2. Association de quadriples

I1 I'1

H12 = V1/V2 lorsque 1 = 0 entre en circuit ouvert

V'1

H22 = 2/V2 lorsque 1 = 0

Paramtres H

V1

Dans la cadre de l'lectronique applique aux mesures physiques, on est souvent


amen calculer ou mesurer l'impdance quivalente d'entre d'un circuit (eg. d'un circuit
d'amplification d'un signal capteur) ainsi que le gnrateurs quivalent de Thvenin de sortie.
Le modle en Z est vraisemblablement le plus adapt cette pratique.

1.2.1. Modle quivalent en Z simplifi et identification des paramtres du quadriple


Dans la plupart des cas, la source de tension qui compose le gnrateur de Thvenin
d'entre du modle en Z est nulle. Nous serons donc frquemment amens utiliser le modle
en Z simplifi et illustr par la Figure 4. On retrouve en entre l'impdance Z11 que l'on
notera Ze (impdance d'entre q. 5 ou q. 6) et en sortie l'impdance Z22 que l'on notera Zs
(impdance de sortie q. 8, q. 9 et q. 10) en srie avec un gnrateur de Thvenin tel que
Vs0= Z21.Ie (q. 7).

I'2 I2
Q'

I''1
V''1

Figure 3: Diffrentes reprsentations d'un quadriple par des modles deux sources lies et mthodes
d'identification des paramtres.

Ie

(SP2 11-12)

Voici rsum (Figure 5) les principales topologies d'association de quadriple.

H21 = 2/1 lorsque V2 = 0

H11
V1

(SP2 11-12)

V'2
I''2

Q''

V2

V''2

Association srie

I1

I'1
V'1

V1

I'2
Q'

I''1
V''1

V'2
I''2

Q''

I2

V2

V''2

V1 = V'1 = V"1
V2 = V'2 = V"2
I 1 = I' 1 + I"1
I 2 = I' 2 + I"2
[Y] = [Y'] + [Y"]

Association parallle
I1 I'1
V'1

I'2 I''1
Q'

I''2 I2
Q''

V''2

V'2 V''1

Is

I1 = I'1 = I"1
I2 = I'2 = I"2
V1 = V'1 + V"1
V2 = V'2 + V"2
[Z] = [Z'] + [Z"]

V"1 = V'2
I'2 = I"1
[C] = [C'] [C"]

Association cascade
Figure 5: Association de quadriples et loi remarquables.

Ze = Z11 Zs = Z22
Ve

Vs

1.3. Fonction de transfert d'un quadriple

Z12= 0 Vs0 = Z21.I1

1.3.1. Dfinition de la fonction de transfert


Figure 4: Modle quivalent en Z simplifi d'un quadriple

Ze =

q. 5: Identification de l'impdance d'entre

q. 6: Identification de l'impdance d'entre (en charge)


q. 7: Identification de la tension du gnrateur de Thvenin de sortie

Ve
Ie

Is =0

V
Ze ch = e
Ie
V s0 = V s I =0

Les fonctions lectroniques traitent les signaux lectriques dans un vaste champ de
frquence, de zro plusieurs dizaines de giga hertz. Pour caractriser la fonction opre par
la structure lectronique sur le signal, il faut un paramtre qui permette de prvoir prcisment
un signal d'entre ou de sortie "versus" un autre signal d'entre ou de sortie et ce quelque soit
la frquence: on appelle cela la fonction de transfert du quadriple. On peut ainsi dfinir six
rapports de transfert entre les grandeurs de sortie et celles de l'entre d'un quadriple que l'on
exprime sous forme complexe (q. 11, q. 12, q. 13, q. 14, q. 15 et q. 16).

q. 8: Identification de l'impdance de sortie (1er mthode)

V
Zs = s
Is

q. 11: Gain en tension


Ie =0

q. 13: Trans-admittance

q. 9: Identification de l'impdance de sortie (2 mthode)

V
Zs = s0
Is

q. 10: Identification de l'impdance de sortie (3ime mthode)

Zs = Zch quand V s = V s0 /2

nd

V s =0

q. 15: Admittance d'entre

Vs
Ve
I
YT = s
Ve
I
Ye = e
Ve

FV =

q. 12: Gain en courant

q. 14: Trans-impdance
q. 16: Impdance
d'entre

FI =

Is
Ie

Vs
Ie
Ve
Ze =
Ie
ZT =

Dans le cadre de ce cours on utilisera essentiellement le gain complexe en tension


qu'on notera simplement Fonction de Transfert H dpendante de la pulsation =2f du signal.

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q. 17: Fonction de transfert (en tension)

H=

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o , k , m R; k , m , l , n R*; q ; p = j C

Vs
V
ou encore H( j ) = s
Ve
Ve

Cette fonction de transfert dpend forcment des composants qui constituent le


quadriple (rsistances, capacits, inductances, transistors, ampli-op, etc).

Au-del du domaine physique de l'lectronique, on utilise galement cette fonction


dans l'analyse des systmes continus SISO (single-input single-output), en traitement du
signal, en thorie des communications et en automatique. En mathmatique on parle de
transforme de Fourier de la rponse impulsionnelle vous dcouvrirai bientt
l'indispensable concept de la transforme de Fourrier.

On remarque que le module de H(j) est gal la somme des modules des termes
lmentaires en raison du logarithme. Il en va de mme pour la phase, cette fois en raison de
la fonction argument, nous verrons un peu plus loin en quoi cela nous est utile.
1.3.3.1. Dfinitions des paramtres caractristiques
On appelle pulsation de coupure c d'une fonction de transfert H(j) du premier ordre
(p la puissance 1), la pulsation pour laquelle le gain Hdb est tel que (q. 25) :
q. 25: Dfinition de la pulsation de coupure d'une fonction de transfert du 1er ordre

H ( jc) db = 20 log( H ( j ) max

1.3.2. Formes explicites de la fonction de transfert


Ltude du module H() (q. 22) et de largument () (q. 23) de la fonction de
transfert donne des informations utiles pour prvoir le comportement dun quadriple. En
particulier, il sagit de prvoir l'amplitude et la phase de la sortie en fonction de la pulsation
(donc la frquence) et/ou de lamplitude et/ou de la phase de lentre. Voici un rappel des
diffrentes formes d'criture des nombres complexes dont fait partie la fonction de transfert H
(q. 18, q. 19, q. 20 et q. 21).
q. 18: FT de forme classique

V
H ( j ) = s
Ve

q. 19: FT de forme exponentiel (Euler)

H( j) = H( j ).e

q. 20: FT de forme trigonomtrique

H( j) = H( j).(cos + j sin )

q. 21: FT de forme complexe algbrique

H( j) = a ( ) + j.b( )

q. 22: Module de la fonction de transfert

H( j) = a 2 ( ) + b 2 ( )

q. 23: Dphasage de la tension Vs par rapport Ve

= arg(H( j )) = arctan

2 ) = H db max 3 db

(cf Application Numrique de l'q. 43)


On appelle frquence de coupure d'une fonction de transfert H(j) du premier ordre, la
frquence associe la pulsation de coupure c tel que (q. 26) :
q. 26: Dfinition de la frquence de coupure

fc = c / 2

On appel bande passante BP d'une fonction de transfert H(j), la gamme des


frquences pour lesquelles le gain de la fonction de transfert est compris entre son maximum
et -3db relatif

On appelle constante de temps d'une fonction de transfert H(j) du premier ordre,


l'inverse de la pulsation de coupure c tel que (q. 27):
q. 27: Dfinition de la constante de temps d'une fonction de transfert du 1er ordre

= 1/ c = 1 / 2fc

b( )

a ( )

1.3.3. Forme canonique de la fonction de transfert


Pour des raisons de commodits les fonctions de transfert seront exprimes sous la
forme canonique suivante (q. 24):

On appelle gain statique H0 d'une fonction de transfert H(j), le gain lorsque la


pulsation tend vers 0 (q. 28):
q. 28: Dfinition du gain statique

H ( j ) 0 = H ( p ) p 0 = H 0
On appelle facteur de mrite ou produit gain-bande d'une fonction de transfert H(j)
de type passe bas, le produit caractristique tel que (q. 28):
q. 29: Dfinition du facteur de mrite

q. 24: Ecriture gnrale d'une fonction de transfert, forme canonique


2

1 + 2 p + p L 1 + p
k
l =1

k =1

k
l

k
V

H(p ) = s = .p q .
2
Ve

M
N
p p
p
m=1 1 + 2 m + n=1 1 +
m
m
n

F = H 0 . fc = H ( j.2f ) =1 . f
Ces paramtres caractristiques peuvent tre aisment identifis sur la base d'une
fonction de transfert crite sous forme canonique (q. 30) :

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q. 30: Rappel des principaux paramtres d'une fonction de transfert

1 + 2 p + p L 1 + p
k
l =1

k =1

k
l

k
V

H (p ) = s = .p q .
2
Ve

M
N
p p
p
m=1 1 + 2 m + n=1 1 +
m
m
n

Pulsations propres

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1.4. Le filtre (lectronique)


1.4.1. Notion de filtrage

Coefficient d'amortissement

Gain statique

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Pulsations de coupures

Un filtre est un quadriple qui modifie (ou filtre) certaines parties d'un signal d'entre
dans le domaine temps et dans le domaine frquence. D'aprs la thorie de Fourier, tout signal
rel peut tre considr comme compos d'une somme de signaux sinusodaux (en nombre
infini si ncessaire) des frquences diffrentes ; le rle du filtre est de modifier la phase et
l'amplitude de ces composantes. Un filtre est caractris par sa fonction de transfert. On parle
aussi de rponse frquentielle ou encore de transforme de Laplace de la rponse
impulsionnelle.
ie

1.3.4. Exemple de calcul d'une fonction de transfert d'un circuit RC

is
Filtre

e(t):entre

s(t):sortie

Soit le quadriple (Figure 6) excit par une entre sinusodale: ve(t) (q. 31) que l'on
peut aussi crire sous forme complexe: Ve (q. 32)
q. 31: Forme temporelle

v e (t) = E 0 .cos(t )

q. 32: Forme complexe

v e (t) = V e .e jt avec V e = E 0 .e j = E 0 car = 0

DC+Sinusodales

optionnel

optionnel

H(p)p=j2f

E(p):entre

S(p):sortie

H
Ie

Is

optionnel

R
Vs

Ve
Zc=1/jC

Zc
R + Zc

Ds lors il nous est ais de mettre cette relation sous la forme d'une fonction de
transfert de gain en tension (q. 34).

o n =

1
et = 1
RC

H=

V
Vs
Zc
1
=
H( j ) = s =
V e 1 + jRC
V e R + Zc

|H(f)|

Vs = Ve .

Un filtre passe-bas laisse passer toutes les


frquences entre la frquence nulle et la frquence
de coupure fc et attnue toutes les frquences
suprieures celle-ci. Avec un filtre passe-bas, les
frquences comprises entre la frquence nulle et fc
forment la bande passante du filtre (BP). Il est trs
utilis en audio, pour attnuer les aigues.

Un filtre passe-haut attnue toutes les


frquences entre la frquence nulle et la frquence
de coupure fc et laisse passer toutes les frquences
suprieures celle-ci. Avec un filtre passe-haut, les
frquences comprises entre la frquence de coupue
fc et la frquence infinie forment la bande passante
du filtre. Il est trs utilis en audio, pour attnuer les
graves.

|H(f)|

Par application des lois d'lectrocintiques classiques (ici la mthode du pont diviseur
de tension est particulirement approprie) on obtient la relation entre les tensions Ve et Vs
(q. 33).

q. 34: Fonction de transfert

1.4.2. Classification des filtres


On peut classer les filtres partir de la reprsentation de leur gain en fonction de la
frquence. Les filtres les plus courants sont de l'un des cinq types suivants : passe-bas, passehaut, passe-bande, rjecteur de bande et enfin passe tout.

Figure 6: Circuit RC

q. 33: Pont diviseur de tension

optionnel

Figure 7: Reprsentation d'un filtre dans l'espace des frquences

1
-BP-

0
0

fc

f (Hz)

1
-BP-

0
0

fc

f (Hz)

CM Electronique 1

|H(f)|

L'chelle des pulsations est logarithmique et est exprime en rad/s.


1.5.2. Exemple de diagramme de Bode d'une fonction de transfert d'un circuit RC
-BP-

0
0

fc1

fc2

f (Hz)

On rappelle dans l'q. 35 la fonction de transfert du circuit RC de la Figure 8. Le


diagramme de Bode qui permet de reprsenter graphiquement les caractristiques
frquentielles de ce circuit est ainsi obtenu en traant d'une part le gain Hdb = 20 log | H(j)|
= -10 log [1 + (RC)2] et d'autre part la phase = arg (H(j)) = -arctg (RC), en fonction de
la pulsation dans une chelle logarithmique (Figure 9).
H
Ie

Is
R

-BP0

Ve

-BPfc1

fc2

Vs
Zc=1/jC

f (Hz)
Figure 8: Circuit RC

q. 35: Fonction de transfert

H=

V
Vs
Zc
1
=
H( j ) = s =
V e 1 + jRC
V e R + Zc

1
-BP-

0
0

0
f (Hz)

Techniquement, un filtre peut tre ralis de diffrentes manires : passive, active ou


numrique

Gain [dB]

Un filtre passe tout laisse passer toutes les


frquences entre 0 et linfini. Il ny a aucune
attnuation pour aucune frquence, mais il provoque
un dphasage par rapport au signal dentre.

(SP2 11-12) 14/67

|H(f)|

Un filtre rjecteur de bande, aussi appel


filtre trappe, cloche ou coupe-bande, laisse passer
les frquences entre la frquence nulle et la
frquence de coupure infrieure fc1 ainsi que les
frquences entre la frquence de coupure suprieure
fc2 et la frquence infinie. La bande de frquences
attnues ou "coupes" se situe donc entre fc1 et
fc2. Il est trs utilis pour supprimer le signal
parasite du secteur (50 Hz).

CM Electronique 1

La phase en degr, donne par la formule: = arg (H(j));

|H(f)|

Un filtre passe-bande laisse passer les


frquences comprises entre la frquence de coupure
infrieure fc1 et la frquence de coupure suprieure
fc2. La bande passante (appele encore ici largeur
de bande) comporte toutes les frquences comprises
entre fc1 et fc2. Il est trs utilis dans les rcepteurs
radio pour isoler le signal que l'on dsire capter.

(SP2 11-12) 13/67

1.5. Diagramme de Bode


1.5.1. Dfinition du diagramme de Bode
Le diagramme de Bode est une reprsentation graphique d'une fonction complexe (eg.
la fonction de transfert H(j)) utile l'tude des filtres. Cette reprsentation comprend deux
grandeurs traces en fonction de la pulsation (ou frquence) que l'on appel parfois spectres:
Le gain (ou l'amplitude) |H| en db, donn par la formule: Hdb = 20 log | H(j)|;

-20
-30

Les filtres passifs sont raliss avec des rsistances, des inductances et des
condensateurs. Ils sont gnralement utiliss au-dessus de 1 MHz, leur gain maximum est
gal 1 (on dit quils nont pas de gain en puissance).

-40
0
Phase [deg]

Les filtres actifs sont raliss avec des rsistances, des condensateurs et des ampli-op.
Contrairement leurs homologues passifs, les filtres actifs possdent un gain. Ils remplissent
donc deux fonctions: filtrage et amplification des signaux dans la bande passante. Les filtres
actifs sont gnralement utiliss des frquences infrieures au MHz.

-10

-45

-90 2
10

10

10
Pulsation [rad/s]

10

10

Figure 9: Diagramme de Bode d'un circuit RC=150 s

Ces reprsentations logarithmiques ont de multiples intrts: elles permettent entre


autres des tracs sur des tendues d'amplitude et de frquence importantes et rvlent des
comportements quadratiques sous forme de droites affines comme l'illustre la Figure 10.

CM Electronique 1

(SP2 11-12) 15/67

CM Electronique 1

Gain [dB]

Gain [ abs]

Gain [abs]

q. 37: Approximation de la Fonction de transfert qd 0

H(p )p0 1

(3) Approximation de la fonction de transfert (q. 38)

1
0.5

q. 38: Approximation de la Fonction de transfert qd

(SP2 11-12) 16/67

4
5
6
Pulsation [rad/s]

10
5
x 10

H(p )p

1
RC. p

(4) Ecriture des quations du Gain Hdb et de la phase correspondants


H db 20.log(1) = 0
1
1
q. 40: Gain qd H db 20.log(
) - 20.log( )
) = 20.log(
RC.
RC

q. 39: Gain qd 0

0.5
0 2
10

10

10
Pulsation [rad/s]

10

10

0
-20
-40 2
10

10

10
Pulsation [rad/s]

10

Ce qui correspond une fonction affine (dans un repre ou les abscisses sont en
chelle logarithmique) de pente -20db /dcades et passant par Hdb=0 en =1/RC.
q. 41: Phase qd 0

arg(1) = 0

q. 42: Phase qd

arg(

10

1
) = -90
j.RC.

(5) Calcul du gain de et de la phase au point particulier


Figure 10: Illustration de l'utilit de l'chelle logarithmique dans la reprsentation graphique d'une
fonction de transfert sur des tendues d'amplitude et de frquence importantes

q. 43: Gain qd = c=1/RC

H db = 20.log(

q. 44: Phase qd = c=1/RC

= arg(

1.5.3. Mthode de trac du diagramme de Bode (diagramme asymptotique)


Pour raliser le diagramme de Bode il faut faire une tude pralable de la fonction
H(j), en d'autres termes il s'agit de rechercher les directions asymptotiques de H(j).
1.5.3.1. Rsum de la mthode
0

1
1+1

) = -3db

c=1/RC

droite 0db

-3db
Gain [dB]

(2) Approximation de la fonction de transfert: 0;


(3) Approximation de la fonction de transfert: ;

-10

(5) Calcul du gain et de la phase au point particulir tel que p/c (klm ou n)=j

-40
0

1.5.3.2. Application de la mthode au cas du circuit RC de la Figure 8


(1) Mise sous forme canonique de la fonction de transfert (q. 36):
1
1 + RC. p

(2) Approximation de la fonction de transfert 0 (q. 37)

Phase [deg]

-30

(6) Trac des asymptotes, du point particulier et de fonction rel main leve

dro
ite

-20

(4) Ecriture des quations du Gain Hdb et de la phase correspondants

H(p ) =

1
) = arctg (1) = -45
1+ j

(1) Mise sous forme canonique de la fonction de transfert

q. 36: Fonction de transfert du circuit RC sous forme canonique

) = 20.log(

droite 0

inflexion -45

-45

-90 2
10

20
db
/de
c

droite -90
3

10

10
Pulsation [rad/s]

10

10

Figure 11: (6) Diagramme asymptotique superpose au digramme de Bode d'un circuit RC=150 s

(SP2 11-12) 17/67

Sur le trac du gain, la courbe relle se situe 3 dB du trac asymptotique pour = c


et se rapproche 1dB pour = c/2 et 2 c. Le trac asymptotique est souvent suffisant pour
caractriser la rponse du quadriple. L'observation du trac du gain permet de caractriser la
rponse du quadriple vis vis de la pulsation des signaux. Dans l'exemple ci-dessus (Figure
11) il s'agit d'un "filtre passe bas" dont la bande passante s'tend de 0 c. La pulsation
particulire c sera plus souvent dsigne comme pulsation de coupure marquant le frquence
seuil partir de laquelle l'attnuation dpasse les 1/2 ou les -3db quivalents.

CM Electronique 1

q. 47: Fonction passe bas 1er ordre

H(p ) =

1
1+

H db 0 = 20. log(1) = 0db


H db = c = 3db

= c

1.5.4. Diagrammes de Bode des fonctions de transferts lmentaires

H db =1/ = 0db
0

=1/

()

= arg( . j ) = +90

+2
0d
b/
d

H db = 20. log( . ) = 20. log( ) + 20 log( )

ec

H(p ) = . p

Hdb

q. 45: Fonction drivateur pur

(rad/s)

+90
(rad/s)

= c

= arg(

= arg(

-2
0d
b/
de
c

) = 20. log(c ) 20 log( )


()

H db = 20. log(

1.5.4.1. Fonction drivateur pur

(SP2 11-12) 18/67

Hdb

CM Electronique 1

= c

= arg(1) = 0

(rad/s)

(rad/s)

0
-90

1
) = 45
1+ j

1
) = 90
j
c

1.5.4.4. Fonction passe haut du 1er ordre

b/
0d
-2

H db = 20. log( ) = 20. log( ) 20 log( )

H db 0 = 20. log(

(rad/s)

()

= arg( ) = 90
j

) = 20. log( ) + 20. log( )


c
c

H db = c = 3db

c
de

H db = = 0db

(rad/s)

= c
0

H db = 20. log(1) = 0db

= arg(j

0
-90

) = + 90
c

j
) = 45
1+ j

= c

= arg(

= arg(1) = 0

er

1.5.4.3. Fonction passe bas du 1 ordre


1.5.4.5. Fonction passe bas du 2ime ordre

ec

1
p

1+

()

H (p ) = .

Hdb

q. 46: Fonction intgrateur pur

H(p ) =

Hdb

q. 48: Fonction passe haut 1 ordre

1.5.4.2. Fonction intgrateur pur

(rad/s)

+2
0d
b/
d

er

+90
(rad/s)

= c

CM Electronique 1

q. 49: Fonction passe bas 2ime ordre

H(p ) =

p
+
1 + 2
0 0

= arg(1) = 0

= c

= arg(

= arg(

0.707 <
amorti

()

0 < < 0.707


rsonant = 0

) = 40. log( 0 ) 40 log( )

En chelle logarithmique, le gain total est alors la somme des gains lmentaires
(exprim en dB) et largument total est la somme des arguments lmentaires (q. 51)
(rad/s)

q. 51: Rgle de calcul de gain et de phase de fonctions complexes partir de fonctions lmentaires

H ( j ) = H 1 ( j ).H 2 ( j )...H n ( j )

H db = 20. log(

La plupart des fonctions de transfert H(j) peuvent se dcomposer en un produit de


fonctions lmentaires du premier ou du second degr. Cela revient mettre en cascade
plusieurs quadriples lmentaires.

/de
db
-40

1
)
2

= 0

(rad/s)

H ( j ) = H 1 e

k =n

k =n

k =1

k =1

j 2 ( )

j1

.e

j 2

... H n e

....e

j n

j n ( )
= H .e

dB

= 20 log H = H 1 dB + H 2

dB

... + H n

dB

Le diagramme de Bode de la fonction transfert (eg. q. 48) peut ainsi s'obtenir par
addition des diagrammes lmentaires (q. 45 et q. 47) (Figure 12).

) = 180

Hdb

.H2 e

avec H . = H k et = k

1
) = 90
2 . j

j1 ( )

H ( j ) = H 1 . H 2 ... H n .e
-180

(SP2 11-12) 20/67

Hdb

H db 0 = 20. log(1) = 0db

CM Electronique 1

1.5.4.7. Quelques rgles de calculs

1
p

H db = c = 20. log(

(SP2 11-12) 19/67

1.5.4.6. Fonction passe haut du 2ime ordre

= c
0

p
+
0 0
p

(rad/s)

= c
0

-90


= arg(- ) = 180
0

180

= c = arg(

1
) = 90
2 . j

(rad/s)
0

= 0

=1/

db
/

de
c

(rad/s)

+2
0

ec
+2
0d

+
b/
d

Hdb

/de
c

(rad/s)

()

H db = 20. log(1) = 0db

0.707 <
amorti

= c
0

0 < < 0.707


= 0
rsonant

40
db

1
)
2

()

H db = c = 20. log(

Hdb


H db 0 = 20. log( ) = 40 log( ) 40. log( 0 )
0

(rad/s)
de
c

Hdb

1 + 2

0d
b/

()

H (p ) =

-2

()

q. 50: Fonction passe haut 2ime ordre

p

0

+90
(rad/s)

(rad/s)

= c

+90
(rad/s)

0
= arg(1) = 0

Figure 12: Construction d'un digramme partir de diagrammes de fonctions lmentaires

CM Electronique 1

(SP2 11-12) 21/67

CM Electronique 1

(SP2 11-12) 22/67

1.6. Quiz sur les outils danalyse appliqus llectronique

Chapitre 2. Diodes semi-conducteur et montages usuels (2h)

Quest ce quun quadriple ?

2.1. Semi-conducteurs

A quoi sert ce formalisme ?

Quel est le modle quivalent dun quadriple paramtr en Z ?

Comment identifie-t-on les paramtres du modle en Z simplifi ?

Cette section, essentiellement descriptive, a pour objet de donner au lecteur des


modles simples de semi-conducteurs intrinsques et extrinsques de type n ou de type p. La
connaissance de ces modles permet, par la suite, de rendre compte du comportement des
dispositifs semi-conducteurs tels que diode, transistor bipolaire, transistors effet de champ,
etc

Quelles sont les trois principales formes dassociation des quadriples ?

Quest ce quune fonction de transfert ?

Quest ce quune fonction de transfert de type gain en tension ?

Quelle est la forme canonique la plus universelle des fonctions de transfert ?

A quoi sert ce formalisme ?

Quest ce que la pulsation de coupure (sous entendu dune FT du 1er ordre) ?

Nous allons voir dans le paragraphe suivant que certains matriaux tels que le silicium
(silicon en anglais) ou le germanium sont des mauvais conducteurs la temprature ambiante.
En dautres termes, les courants vhiculs sont trop faibles pour quils soient dune
quelconque utilit. Ces matriaux ne sont donc pas des bons isolants, ni des bons conducteurs,
ils sont donc "des semi-conducteurs".

Quest ce que la frquence de coupure (sous entendu dune FT du 1er ordre) ?

2.1.1. Description d'un semi-conducteur intrinsque

Quest ce que la bande passante ?

Quest ce que la constante de temps (sous entendu dune FT du 1er ordre) ?

Quest ce que le gain statique ?

Un cristal de semi-conducteur intrinsque est un solide dont les noyaux atomiques sont
disposs aux nuds d'un rseau gomtrique rgulier. La cohsion de cet difice est assure
par les liens de valence qui rsultent de la mise en commun de deux lectrons appartenant
chacun deux atomes voisins de la maille cristalline. Les atomes de semi-conducteur sont
ttravalents et le cristal peut tre reprsent par le rseau de la Figure 13:

Quest ce que le facteur de mrite ?

Quelle est la fonction de transfert dun circuit RC (entre sur RC et sortie sur C) ?

Quels sont les paramtres didentification la forme canonique de cette FT ?

Quest ce qui caractrise un filtre actif ?

Quest ce qui caractrise un filtre passif ?

Quelles sont les 5 principales classes de filtre ?

Quest ce quun diagramme de Bode ?

Quel est lintrt de cette reprsentation ?

Quelle est la mthode du trac du diagramme de Bode asymptotique ?

Quel est le diagramme de Bode asymptotique et rel ( main leve) du circuit RC (entre
sur RC et sortie sur C) ?

Quels sont les diagrammes asymptotiques des 6 principales FT lmentaires ?

Quelle est la rgle de construction du diagramme dun produit de FT ?

Dans les matriaux isolants, les atomes ne possdent pas dlectrons libres (leur orbite
de valence contient 8 lectrons fortement lis au noyau et ne peuvent se librer pour se
trouver dans la bande dnergie de conduction. Par consquent, ces matriaux ne peuvent pas
vhiculer de courants.

Figure 13: Semi-conducteur intrinsque

L'lectron qui possde une nergie suffisante peut quitter la liaison de valence pour
devenir un lectron libre. Il laisse derrire lui un trou qui peut tre assimil une charge libre
positive; en effet, l'lectron quittant la liaison de valence laquelle il appartenait dmasque
une charge positive du noyau correspondant. Le trou peut tre occup par un autre lectron de
valence qui laisse, son tour, un trou derrire lui: tout se passe comme si le trou s'tait
dplac, ce qui lui vaut la qualification de charge libre. La cration d'une paire lectron libre trou est appele gnration alors qu'on donne le nom de recombinaison au mcanisme inverse.

CM Electronique 1

(SP2 11-12) 23/67

La temprature est une mesure de l'nergie cintique moyenne des lectrons dans le
solide. On comprend ds lors que la concentration des lectrons libres et des trous dpende
trs fortement de la temprature. A titre d'exemple, le silicium dont le nombre volumique
d'atomes est de 5.1022 cm-3 , prsente 300K (27 C) un nombre volumique d'lectrons libres
et de trous de 1,5.1010 cm-3, soit une paire lectron libre - trou pour 3,3.1012 atomes. Le
nombre volumique des atomes dans le germanium est de 4,4.1022 cm-3. A 300K, le nombre
volumique des lectrons libres et des trous est 2,5.1013 cm-3, soit une paire lectron libre - trou
pour 1,8.109 atomes.
2.1.2. Description d'un semi-conducteur extrinsque de type n
Un semi-conducteur dans lequel on aurait substitu quelques atomes ttravalents des
atomes pentavalents est dit extrinsque de type n (Figure 14)

CM Electronique 1

(SP2 11-12) 24/67

Figure 15: Semi-conducteur de type n (modle)

2.1.3. Description d'un semi-conducteur extrinsque de type p


Si l'on introduit des atomes trivalents dans le rseau cristallin du semi-conducteur, les
trois lectrons de la couche priphrique de l'impuret prennent part aux liens de valence,
laissant une place libre. Ce trou peut tre occup par un lectron d'un autre lien de valence qui
laisse, son tour, un trou derrire lui. L'atome trivalent est alors ionis et sa charge ngative
est neutralise par le trou (Figure 16). Le semi-conducteur est alors extrinsque de type p.

Figure 14: Semi-conducteur de type n


Figure 16: Semi-conducteur de type p

Quatre lectrons de la couche priphrique de l'atome pentavalent prennent part aux liens
de valence alors que le cinquime, sans attache, est libre de se mouvoir dans le cristal. L'lectron
libre ainsi cr neutralise la charge positive, solidaire du rseau cristallin, qu'est l'atome
pentavalent ionis.

Les impurets, dans un semi-conducteur extrinsque de type p sont appeles


accepteurs au vu de leur proprit d'accepter un lectron situ dans un lien de valence.

Le dopage est l'action qui consiste rendre un semi-conducteur extrinsque. Par


extension, ce terme qualifie galement l'existence d'une concentration d'atomes trangers: on parle
de dopage de type n. On donne le nom d'impurets aux atomes trangers introduits dans la maille
cristalline. Dans le cas d'un semi-conducteur extrinsque de type n, les impurets sont appeles
donneurs car chacune d'entre elles donne un lectron libre.

On peut faire les mmes considrations qu'au paragraphe prcdent concernant le


nombre volumique des trous: il est approximativement gal au nombre volumique des
impurets. Le nombre volumique des lectrons libres est alors considr comme ngligeable.
Il s'ensuit un modle, reprsent par la Figure 17, dans lequel n'apparaissent que les charges
prpondrantes: les trous et les accepteurs ioniss.

Les dopages courants sont d'environ 1016 1018 atomes cm-3. On peut admettre que le
nombre volumique des lectrons libres est gal au nombre volumique des impurets et que le
nombre volumique des trous (charges libres positives) est ngligeable. Etant donnes ces
considrations, on tablit le modle de semi-conducteur reprsent par la Figure 15 dans lequel
n'apparaissent que les charges essentielles, savoir: les lectrons libres et les donneurs ioniss.
Les charges fixes sont entoures d'un cercle.

Figure 17: Semi-conducteur de type p (modle)

Il faut remarquer que le semi-conducteur extrinsque, type p ou type n, est


globalement neutre. On peut le comparer un rseau gomtrique dont certains noeuds sont
chargs et dans lequel stagne un gaz de charges mobiles qui neutralise les charges fixes du
rseau. On largit, par la suite, la notion de semi-conducteur de type n un semi-conducteur

CM Electronique 1

(SP2 11-12) 25/67

dont le nombre volumique des donneurs l'emporte sur celui des accepteurs et celle de semiconducteur de type p un semi-conducteur dans lequel le nombre volumique des accepteurs
est prpondrant.
2.1.4. La jonction pn
Soit le semi-conducteur dopage non uniforme de la Figure 18 qui prsente une
rgion p nombre volumique d'atomes accepteurs constant suivie immdiatement d'une
rgion n nombre volumique infrieur de donneurs constant galement. La surface de
transition entre les deux rgions est appele jonction pn abrupte. Du fait de la continuit du
rseau cristallin, les gaz de trous de la rgion p et d'lectrons de la rgion n ont tendance
uniformiser leur concentration dans tout le volume disposition. Cependant, la diffusion des
trous vers la rgion n et des lectrons libres vers la rgion p provoque un dsquilibre
lectrique si bien que, dans la zone proche de la jonction, la neutralit lectrique n'est plus
satisfaite. On trouve, dans la rgion p, des atomes accepteurs et des lectrons, soit une charge
locale ngative, et dans la rgion n, des atomes donneurs et des trous, soit une charge locale
positive. Il s'est donc cr un diple aux abords de la jonction et, conjointement, un champ
lectrique. Une fois l'quilibre atteint, ce champ lectrique est tel qu'il s'oppose tout
dplacement global de charges libres.

CM Electronique 1

(SP2 11-12) 26/67

Il existe, entre la rgion p et la rgion n, une barrire de potentiel nergtique pour les
charges mobiles (Figure 19). L'existence de cette barrire se traduit par une diffrence de
potentiel lectrique lie au champ de rtention de la diffusion. L'existence de la barrire de
potentiel est mise en vidence par le travail Wp=q.UAK qu'il faut fournir pour faire passer un
trou de la rgion neutre p la rgion neutre n ou pour faire passer un lectron en sens
contraire. Pour une jonction pn au silicium avec un dopage NA = 1018 cm-3 dans la rgion p et
un dopage ND = 1017 cm-3 dans la rgion n, la hauteur de la barrire de potentiel 300 K (27
C) l'quilibre vaut 872 mV. La hauteur de la barrire de potentiel l'quilibre est telle que
les trous qui sont dans la rgion p ont une nergie moyenne qui n'est juste pas suffisante pour
leur permettre de passer la barrire de potentiel. Il en va de mme pour les lectrons qui se
trouvent dans la rgion n.

Anode (A) Cathode (K)


I
U

Figure 18: Structure et symbole d'une diode jonction pn

La rgion dans laquelle la neutralit n'est pas satisfaite est appele zone de dpltion
ou zone de charge spatiale alors que les autres rgions sont dites rgions neutres. Le champ
lectrique interne cr par le diple est nomm champ de rtention de la diffusion car il
s'oppose toute diffusion des charges mobiles.
Gnralement, la concentration des charges mobiles dans la zone de charge spatiale est
ngligeable vis--vis du nombre volumique des charges fixes. On idalise cet tat de fait et
l'on admet qu'il n'y a pas de charge mobile dans la zone de dpltion (Figure 18).

Figure 19: Grandeurs spcifiques dans une jonction pn

2.2. Caractristiques lectriques de la jonction pn: La diode


Si l'on applique une tension U ngative la jonction (U- en p et U+ en n), cette tension
se reporte presque entirement la zone de dpltion qui prsente une rsistivit trs grande
vu la quasi-absence de charges mobiles. Ainsi cette tension U ngative (Figure 20, Figure
21) renforce le champ de rtention de la diffusion et augmente, par consquent, la hauteur de
la barrire de potentiel, de telle sorte "qu'aucune" charge libre ne traverse la zone de charge
spatiale. La jonction pn est la base du composant que l'on appelle: diode. Le cot de la diode
dope p est appel anode et le cot dope n est appel cathode.

CM Electronique 1

(SP2 11-12) 27/67

Cathode

Zone de dpltion
Anode
U-

Cathode

U+
Inverse
p

n
U-

U+

Anode

Cathode

U-

U+

Direct
E

L'application d'une tension qui diminue la hauteur de la barrire de potentiel par


rapport l'quilibre est appele polarisation directe par opposition la polarisation inverse qui
augmente la hauteur de la barrire de potentiel par rapport l'quilibre.
Une polarisation directe permet le passage d'un courant lectrique dans la jonction
alors qu'une polarisation inverse l'empche. Cette loi est traduite par les relations (q. 52) et
reprsente par la Figure 22.
q. 52: Expression du courant lectrique d'un jonction pn en fonction de la polarisation

Zone de dpltion

(SP2 11-12) 28/67

Au contraire, si l'on applique une tension U positive (U+ en p et U- en n), le champ


lectrique de rtention de la diffusion est diminu et les charges mobiles qui ont une nergie
suprieure celle que reprsente la hauteur de la barrire de potentiel peuvent traverser la
zone de charge spatiale. Il est utile, ici, de se rappeler que l'nergie moyenne des charges
mobiles est lie la notion de temprature et qu' temprature donne, cette nergie est
constante.

Zone de dpltion
Anode

CM Electronique 1

U+

U-

U
U
Ip = Isp exp
1 In = Isn exp nU 1
nU
T
T

U
I = Ip + In = Is exp
1 avec Is = Isp + Isn
nU T

Figure 20: Polarisations de la jonction: modle physique

Rsistance
dynamique ou
diffrentielle
rd ou r
Courant inverse
de saturation Is

Tension seuil Vs

Figure 22: Caractristique lectrique de la jonction pn

Le courant Is est appel courant inverse de saturation; c'est la valeur asymptotique du


courant I en polarisation inverse. Pour une jonction au Si, il est de l'ordre de grandeur de 10-12
10-15 A de telle sorte qu'on peut gnralement le considrer comme nul en polarisation
inverse. On appelle tension thermodynamique la tension UT (q. 53) o k est la constante de
Boltzmann, T la temprature absolue et e la charge de l'lectron. A 25 C, UT = 25mV. Le
facteur n est appel coefficient d'mission. Il est voisin de 1 dans les jonctions de transistors
au Si et dans les diodes au Ge. Il est compris entre 1 et 2 dans le cas de diodes au Si.
q. 53: Tension thermodynamique (Boltzmann)

UT =
Figure 21: Polarisations de la jonction: modle nergtique

kT
e

CM Electronique 1

(SP2 11-12) 29/67

CM Electronique 1

(SP2 11-12) 30/67

Dans un montage de diodes anodes communes, c'est la diode dont le potentiel de


cathode est le plus bas qui devient l'unique diode passante.

2.3. Modles lectriques simplifis de la diode bipolaire


Dans la plupart des modles utiliss, le courant de saturation inverse est considr
comme nul. La diode est donc simplifie en un composant unidirectionnel en courant
permettant le passage du courant uniquement de l'anode vers la cathode. Voici reprsent cidessous les principaux modles lectriques de la diode (Figure 23).

Montage anodes communes


VK
VK'
VK''

I=0

I
Vs

Diode Bloque

Vs
U

Diode Passante
1ier modle

rd ou r

Diode Passante
2ime modle

Diode Passante
3ime modle

Figure 23: Modles lectriques de la diode bipolaire

2.4.3. Dtermination de l'tat d'une diode dans un circuit complexe


Dans un circuit donn, la ou les diode(s) est ou sont forcment dans lun des deux
tats. Lors de ltude de certains circuits, il est parfois impossible d'tablir ltat dune diode
en vertus des rgles prcdentes. Une dernire mthode consiste donc supposer lun des
deux tats puis vrifier que les conditions associes sont vrifies. Si elles ne le sont pas,
alors la diode est dans lautre tat.

2.4. Mthodes d'tude de circuits base de diodes (bases sur le 1er et 2ime modle)

2.5. Montages usuels base de diodes

2.4.1. Dtermination de l'tat d'une diode

2.5.1. Redressement double alternance (cf TD et TP)

La diode devient passante si la tension ses bornes U (VA-VK) est positive ou >Vs.

I
Vs

I
U>0

ou

La diode devient bloque si le courant qui la traverse I (de A K) est nul ou <Vs.
I=0

I=0
U

Les diodes sont largement utilises dans les circuits de conversion dune tension
alternative en tension continue. Le redressement est la premire tape de cette conversion. A
lissue de ltape de redressement, on obtient une tension, dite redresse, de valeur moyenne
non nulle. Le pont de Gratz (Figure 24) est l'un des montages de redressement les plus
rpendus. On trouve ce montage dans beaucoup d'appareils lectromnagers: chane HiFi,
ordinateur, etc. Les petits botiers noirs qui dlivrent une tension entre 5 et 12 V continue et
que l'on branche directement sur le secteur 220 V contiennent entre autre un pont de diode
(les autres lments tant le transformateur et le condensateur de lissage).

2.4.2. Dtermination de l'tat d'un rseau de diodes cathodes ou anodes communes


Dans un montage de diodes cathodes communes, c'est la diode dont le potentiel
d'anode est le plus haut qui devient l'unique diode passante.

Montage cathodes communes


VA
VA'
VA''

Figure 24: Pont de Gratz (pont de redressement double aleternance 4 diodes)

CM Electronique 1

(SP2 11-12) 31/67

CM Electronique 1

(SP2 11-12) 32/67

2.5.3. Anti-retour
Les diodes peuvent servir de dtrompeur dans un circuit o la polarit est
indispensable au bon fonctionnement en empchant la circulation du courant dans le mauvais
sens. Par exemple, en cas de coupure de l'alimentation principale un accumulateur de
sauvegarde prend le relais grce la diode et alimente la charge (Figure 27).

Alim 5V
Charge
Accu 3.5V
Figure 27: Anti-retour (fonction logique ou)

2.5.4. Ecrteur
Un circuit dont la tension d'entre doit imprativement rester en dessous d'une valeur
seuil Vs, peut tre protg par un jeu de diodes montes en antiparallle. En cas de
dpassement de la tension seuil Vs, l'une des deux diodes se mettra alors conduire et
assurera ainsi une protection du circuit aval (Figure 28).

Figure 25: Oscillogrammes d'un redressement par pont de Gratz

2.5.2. Dmodulation AM
Le signal sonore transmettre a une frquence comprise entre 20 Hz (basses) et 10
kHz (aigus). Si le signal tait transmis directement par voie lectromagntique: la porte serait
trs faible; il y a en gnral plusieurs metteurs au voisinage du rcepteur. Le rcepteur
capterait en mme temps les signaux d'un autre metteur sans pouvoir les sparer. Pour
rsoudre ces problmes, on utilise une onde lectromagntique de haute frquence qui
transporte le signal sonore: c'est la porteuse. Il suffit, alors, de n'accorder le rcepteur que sur
la porteuse du signal pour ne plus tre gn par les autres missions (autre porteuse).
La diode va supprimer les tensions ngatives de l'onde puis le condensateur et la
rsistance vont rcuprer la crte de l'onde, enfin le filtre passe haut va supprimer les plus
basses frquences ainsi que la tension continue ajoute la partie modulation (Figure 26).
Redressement

Filtre passe bas

Filtre passe haut

Circuit protger

Figure 28: Ecrteur (protection de circuit)

2.5.5. Protection de contact


L'ouverture d'un circuit inductif pose le problme du courant de rupture qui dgrade
les contacts cause de la cration d'un arc entre ceux-ci. La diode monte en parallle sur la
bobine permet la dissipation de l'nergie emmagasine dans celle-ci et protge ainsi le
contact.

U+
Figure 29: Protection de contact

2.6. Diodes spciales et applications


2.6.1. Diode Zener (cf TP)

Figure 26: Dmodulateur radio de type AM (diode de redressement mono-alternance)

Si l'on diminue l'paisseur de la jonction pn et que l'on renforce le dopage, on obtient


des diodes dont le courant inverse peut devenir trs important au del d'une valeur de tension
inverse Vz dite tension coude ou tension Zener. Ces diodes Zener ont donc pratiquement les
mmes caractristiques quune diode normale, sauf quelles sont optimises par la technologie
pour fonctionner dans leur rgion inverse (Figure 30).

CM Electronique 1

(SP2 11-12) 33/67

CM Electronique 1

(SP2 11-12) 34/67

U
U

Rsistance
dynamique ou
diffrentielle
rd ou r

I
Figure 32: Symbole d'une diode lectroluminescente

Tension Zener Vz

Courant inverse
de saturation Is

Tension seuil Vs

2.6.3. Photo Diode


Cette diode doit tre polarise en inverse. Elle fournit un courant inverse I (attention
au sens) qui dpend de lclairement. Cette diode ralise la fonction inverse dune LED. Ses
applications majeures concernent son utilisation comme capteur de lumire : conversion dun
signal optique, fourni par une fibre optique par exemple, en signal lectrique; rcepteur des
tlcommandes infrarouges.

-6.4V

Rsistance
dynamique ou
diffrentielle
rd ou r

Figure 30: Caractristique lectrique et symbole d'une diode Zener 6.4V

Une des principales applications de la diode Zener est la limitation de tension. Elle
peut dans une certaine limite maintenir la tension constante quelque soit le courant qui la
traverse (Figure 31).
R
Alim.
Limitation par Vz

Charge

Figure 31: Limiteur de tension

I
Figure 33: Symbole d'une photo-diode

2.6.4. Diode Schottky


Dans les diodes Shottky, la jonction p n est remplace par la jonction d'un mtal avec
un semi-conducteur peu dop (de type n car porteurs plus mobiles). Si le mtal (anode) est
positif par rapport la zone n (cathode) la jonction est conductrice. Cette diode ne fait
intervenir qu'un seul type de porteur. Cette diode (Figure 34) fonctionne comme une diode
classique, mais elle prsente deux avantages : une tension de seuil Vs faible (Vs =0.3 V); un
temps de commutation (passage de ltat passante ltat bloque et inversement) trs faible
(de lordre de10ns) et elle prsente une capacit beaucoup plus faible. On lappelle parfois
"diodes rapide". Elle est souvent utilise dans les applications o le temps de commutation de
la diode est critique comme dans les applications hautes frquences ( partir de 1 MHz).

2.6.2. Diode Electroluminescente


Ces diodes peuvent mettre de la lumire quand elles sont polarises en direct. La
longueur donde de la lumire mise dpend du semi-conducteur utilis dans la fabrication de
la diode (ie. Gap) et quelques fois de la tension applique sur la diode et/ou du courant. On
distingue gnralement: les diodes infrarouges qui mettent dans linfrarouge (longueur
donde autour de 1m) et les diodes qui mettent de la lumire visible; lumire rouge, vert,
bleue). Les diodes mettant dans le visible sont largement utilises dans les afficheurs
numriques des instruments de mesure ou des appareils domestiques: afficheur 7 segments;
conversion dun signal lectrique en signal optique pour transmission par fibre optique par
exemple; tlcommandes infrarouges. L'efficacit lumineuse des DEL blanches) de dernire
gnration (limite thoriquement 300[lm/W] est suprieure celle des lampes
incandescence mais aussi celle des lampes fluocompactes ou encore de certains modles de
lampes dcharge. Le spectre de la lumire mise est presque intgralement contenu dans le
domaine du visible (les longueurs d'onde sont comprises entre 400 nm et 700 nm).
Contrairement aux lampes incandescence et aux lampes dcharge, les DEL n'mettent
quasiment pas d'infrarouge. (Figure 32).

U
I
Figure 34: Symbole d'une diode Schottky

2.6.5. Les diodes Varicap (ou varactor): diodes capacit variable


Polarise en inverse, la diode varicap (Figure 35) est quivalente une capacit C
dont la valeur est variable en fonction de la tension inverse applique. Grce ce type de
diode, on peut raliser une capacit variable commande par une tension. Avec la technologie
actuelle, la valeur de la capacit ne peut dpasser quelques 100 pF (pico farad = 10-12F). Ces
diodes sont utilises hautes frquences ( partir de 100 MHz). On l'utilise par exemple pour
rgler la frquence de rsonance dun capteur (circuit RLC) de signaux radiofrquences de

CM Electronique 1

(SP2 11-12) 35/67

llRM (Imagerie par Rsonance Magntique) en agissant sur la tension de commande. Les
capteurs de la dernire gnration sont quips de ce type de diode.

U
I
Figure 35: Symbole d'une diode Varicap

CM Electronique 1

Quelles sont les distributions de charge, de potentiel, dnergie et de courant en fonction


de la polarisation applique la jonction pn ?

Quelle est lexpression et la caractristique lectrique dune jonction pn (ie. dune diode) ?

Quels sont les 4 principaux modles lectriques dune diode ?

Quels sont les mthodes permettant de dterminer ltat dune ou de plusieurs diodes ?

Quelles est loscillogramme complet dun redressement double alternance (chronogramme


des diodes, courants dentre et de sortie, tensions dentre et de sortie) ?

Comment fonctionne une dmodulation AM base de diode ?

Quel est le principe du montage anti-retour ?

Quel est le principe du montage crteur ?

Quel est le principe du montage protection de contact ?

Quelle est la caractristique lectrique dune diode Zener ?

Quel peut tre son application ?

Quel est le principe et le symbole dune diode lectroluminescente ?

Quel est le principe et le symbole dune photo-diode ?

Quel est le principe et le symbole dune diode Schottky ?

Quel est le principe et le symbole dune diode Varicap ?

Quel est le principe et le symbole dune diode PIN ?

2.6.6. Les diodes PIN (P-Isolant-N)


Une diode PIN (Positive intrinsic negative diode en anglais) est une diode constitue d'une
zone non-dope, dite intrinsque I, intercale entre 2 zones dopes p et n. Une diode PIN
(Figure 36) polarise dans le sens direct (passante) offre une impdance dynamique (vis vis
des signaux variables) extrmement faible. Polarise dans le sens inverse (bloque) elle offre
une trs grande impdance et surtout une trs faible capacit (Elle se comporte comme un
condensateur de trs faible valeur, quelques picofarads, voire bien moins encore suivant les
modles). Pour des frquences suprieures 1MHz, la diode PIN peut fonctionner comme
interrupteur dont louverture et la fermeture sont commandes par un courant continu. Ce sont
des diodes de commutation rapide utilises pour les signaux de hautes frquences comme par
exemple: pour commuter l'antenne tour tour sur la partie metteur puis sur la partie
rcepteur d'un metteur-rcepteur.

PIN
U
I
Figure 36: Symbole d'une diode PIN

2.6.7. Listing des diffrents types de diodes produites en 2007


Voici une liste quasi-exhaustives des types de diodes produites en 2007 : diode de
Fleming; diode lectroluminescente; diode Gunn; diode laser; diode Schottky; diode transil;
diode PIN; diode varicap; diode Zener; diode effet tunnel; photodiode; diode vide (Tube
lectronique); diode vapeur de mercure (Tube lectronique); DIAC

2.7. Quiz sur les Diodes




Quest ce quun semi-conducteur intrinsque ?

Quest ce quun semi-conducteur extrinsque de type n ?

Quest ce quun semi-conducteur extrinsque de type p ?

Que ce passe til lorsque lon forme un jonction pn ?

Quelle est dans ce cas la distribution des charges, du champ et du potentiel lectrique ?

Quel est le symbole de la diode ?

(SP2 11-12) 36/67

CM Electronique 1

(SP2 11-12) 37/67

CM Electronique 1

Chapitre 3. Transistors jonction (bipolaires) et montages usuels (+variantes) (2h)


VBC

Le transistor (invent en 1948 par les physiciens amricains John Bardeen, Walter
Houser Brattain et William Shockley) a remplac, pratiquement partout, le tube lectronique.
Le transistor bipolaire est l'un des dispositifs semi-conducteur les plus utiliss l'heure
actuelle dans les rles d'amplificateur et d'interrupteur. Cest celui dont les processus de
fabrication ont t les premiers tre domins industriellement.

IB=0
B (p)

C (n)
IC=0
VCE

VBE

IE=0
E (n+)

Transistor au repos

3.1. La jonction npn (ou pnp)

VBC=0
IBF (IB )
B (p)

C (n)
IF (IC )
VCE

(SP2 11-12) 38/67

VBC
IBR (IB )
B (p)

VBE

VBE=0
E (n+)

Jonction BE polarise en sens direct (VBC=0)

C (n)
VCE
IR (IE )
E (n+)

Jonction BC polarise en sens direct (VBE=0)

Le transistor bipolaire (Bipolar Junction Transistor) est un dispositif semiconducteur form par l'association de deux jonctions pn places en opposition (transistor npn
ou pnp) (Figure 37). Un transistor comprend 3 lments: l'metteur E qui met les porteurs
(lectrons si n+ ou trous si p+); le Collecteur C qui recueille les lectrons et la Base B qui
contrle le passage des lectrons entre E et C (nous dtaillons cet aspect dans le paragraphe
suivant). Sur certains types de botiers encapsulant le composant, un ergot dtrompeur permet
d'identifier l'metteur.
Zones de dpltion

metteur (p+)
VCE
Base (n)

p+
metteur (p+)

Collecteur (p)

Collecteur (p)
Base (n)

VPNP
CE

VBE
C

3.2.1. Caractristiques en mode F

Zones de dpltion

Collecteur (n)

VCE
Base (p)
n+

VNPN
CE

VBE
metteur (n+)

Collecteur (n)

metteur (n+)

Figure 38: Polarisations de la jonction npn: modle nergtique (repos, mode F et mode R)

Base (p)

Le mode F (Forward: progressif) est un mode particulier de fonctionnement du


transistor dans lequel la tension de la jonction BC est maintenue zro. A la Figure 38
(centre) on a reprsent les barrires de potentiel pour les lectrons et les trous dans le
transistor en mode F. Si la jonction BE est polarise en sens direct, la barrire de potentiel de
la jonction BE est diminue. Les lectrons de l'metteur diffusent dans la base; comme celleci est courte, ces lectrons sont rapidement happs par le puit de potentiel que reprsente le
collecteur. Le flux d'lectrons allant de l'metteur au collecteur en transitant par la base se
traduit par un courant IF, qui n'est rien d'autre que le courant de la jonction BE et qui rpond
l'expression (q. 54, Figure 39).
q. 54: Expression du courant IF (IC lectrons jonction BE)

Figure 37: Structures et symboles des transistors jonction pnp et npn

3.2. Caractristiques lectriques de la jonction npn: l'effet transistor


Le principe de superposition s'applique aux charges injectes par la jonction BE et aux
charges injectes par la jonction BC, nous allons donc tudier sparment l'effet de chaque
jonction.

Les trous injects de la base dans l'metteur sont responsables du courant IBF et
obissent galement la loi de la jonction. On peut ainsi crire (q. 55, Figure 39).
q. 55: Expression du courant IBF (IB trous jonction BE)

La "Figure 38" (gauche) montre les barrires de potentiel nergtique pour les
lectrons et pour les trous. Au repos, elles sont telles que ni les lectrons de l'metteur, ni les
lectrons du collecteur, ni les trous de la base ne peuvent les franchir.

CM Electronique 1

(SP2 11-12) 39/67

Le rapport F entre le courant de collecteur et le courant de base est constant; on


l'appelle gain de courant en mode F. On peut galement affirmer que le courant de collecteur
du transistor, en mode F, est command par le courant de base (q. 56, Figure 39).

CM Electronique 1

(SP2 11-12) 40/67

q. 59: Expression du gain en courant (IBR ou IB commande IR ou IE)

q. 56: Expression du gain en courant (IBF ou IB commande IF ou IC)


IR

R
IF

Figure 40: Caractristiques de transfert et d'entre en mode R

Figure 39: Caractristiques de transfert et d'entre en mode F

Le gain de courant inverse R, du fait de la technologie, est plus petit que le gain de
courant F; dans un transistor discret de petite puissance il peut tre compris entre 1 et 10
alors qu'il devient beaucoup plus petit que l'unit dans les transistors intgrs.
Ces mmes principes physiques sappliquent au cas dun transistor PNP en
considrant le flux de trous (majoritaire dans lmetteur). Les sens des diffrents courants
sont inverss par rapport au cas du transistor NPN.

3.2.2. Caractristiques en mode R


Tout comme le mode F, le mode R (Reverse: inverse) dsigne un fonctionnement
particulier du transistor. En mode R, c'est la tension de la jonction BE que l'on maintient
nulle. Les barrires de potentiel pour les lectrons et pour les trous prennent alors les allures
dcrites la Figure 38 (droite).
Si la jonction BC est polarise en sens direct, sa barrire de potentiel est diminue. Les
lectrons du collecteur diffusent dans la base et sont happs par le puits de potentiel que
reprsente alors l'metteur. Le flux d'lectrons allant du collecteur l'metteur en transitant
par la base se traduit par un courant IR, qui n'est rien d'autre que le courant d'lectrons de la
jonction BC et qui rpond l'expression (q. 57, Figure 40)

3.3. Zones de fonctionnement du transistor


Aprs avoir tudi sparment l'effet de chaque jonction, le modle complet du
transistor peut tre obtenu par la simple superposition des modes F et R: il s'agit du modle de
Ebers et Moll (Figure 41). Le transistor peut tre reprsent par une source de courant, place
entre collecteur et metteur, dont une composante est commande par la jonction BE et l'autre
par la jonction BC; le comportement des deux jonctions est simul par les diodes DBE (anode
place la base et cathode place l'metteur) et DBC (anode place la base et cathode
place au collecteur).
C

q. 57: Expression du courant IR (IE lectrons jonction BC)

B
IB

Les trous injects de la base dans le collecteur sont responsables du courant IBR et
obissent galement la loi de la jonction. On peut ainsi crire (q. 58, Figure 40).

IBR

IF-IR

IBF

q. 58: Expression du courant IBR (IB trous jonction BC)


Figure 41: Modle complet du transistor npn dit d'Ebers et Moll

Le rapport R entre le courant de collecteur et le courant de base est constant; on


l'appelle gain de courant en mode R. On peut galement affirmer que le courant d'metteur du
transistor, en mode R, est command par le courant de base (q. 59, Figure 40).

Le transistor est bloqu lorsque ses deux jonctions sont en polarisation inverse (Figure
42). Aucun courant ne circule dans un transistor bloqu puisque ses deux jonctions sont
polarises en sens inverse. Le transistor se comporte comme un circuit ouvert de telle sorte
que le collecteur est isol de l'metteur.

CM Electronique 1

(SP2 11-12) 41/67

Le transistor est en fonctionnement normal direct (F) lorsque la jonction de commande


BE est en polarisation directe et que la jonction BC est en polarisation inverse (Figure 42).
Les barrires de potentiel du transistor en fonctionnement normal direct sont reprsentes la
Figure 38. La jonction BE dtermine le dbit des lectrons. La jonction BC, polarise en sens
inverse, n'influence d'aucune manire le dbit des lectrons. On peut donc dire que, dans ce
cas de fonctionnement, le courant de collecteur est indpendant de la tension UBC ( 0) et que
les seules grandeurs prendre en considration sont celles qui apparaissent dans les
expressions (q. 54, q. 55, q. 56). Le modle du transistor se ramne au modle Ebers et
Moll (EM) en mode F (Figure 38 centre). Par ailleurs, comme le gain de courant F est trs
grand, en gnral, il est loisible de ngliger IB vis--vis de IC ou de IE en fonctionnement
normal direct. On admet l'galit entre le courant de collecteur et le courant d'metteur.
Le transistor est en fonctionnement normal inverse (R) lorsque la jonction de
commande BE est en polarisation inverse et que la jonction BC est en polarisation directe
(Figure 42). La jonction BC dtermine l'injection des lectrons dans la base puis dans
l'metteur, indpendamment de la jonction BE. Les lectrons de l'metteur ne peuvent franchir
la barrire de potentiel qui a pour sige la jonction BE; il n'y aura par consquent aucune
influence de la tension UBE sur le dbit des lectrons. On a reprsent les barrires de
potentiel du fonctionnement normal inverse Figure 38 droite. Dans ce cas de
fonctionnement, le courant d'metteur est indpendant de la tension UBE ( 0) et les seules
grandeurs qui entrent en jeu sont celles qui apparaissent dans les relations (q. 57, q. 58,
q. 59). Le modle du transistor se ramne au modle EM en mode R (Figure 38 droite)
Le transistor est satur lorsque ses deux jonctions sont en polarisation directe (F+R)
(Figure 42). En saturation, les deux jonctions du transistor conduisent: c'est donc le modle
EM complet qu'il faut utiliser pour dcrire ce cas de fonctionnement. Il est intressant de
remarquer que le courant qui circule du collecteur l'metteur est infrieur au courant qui
circulerait seul si l'une des deux jonctions tait polarise en sens direct sous mme tension.

CM Electronique 1

(SP2 11-12) 42/67

Figure 43: Illustration de deux modes de fonctionnement sur une caractristique de transfert et de sortie

3.4. Montages usuels base de transistors


3.4.1. Montages lmentaires du transistor
Rappelons en prambule que les relations fondamentales que l'on peut utiliser pour
dterminer les paramtres caractristiques d'un transistor sont les suivantes (q. 60).
q. 60: Equations fondamentales pour calculer les paramtres d'un transistor en statique

Ic = .Ib (F) et Ie = .Ib (R)


Ie = Ic + Ib
Vce = Vcb + Vbe
Dans les montages metteur commun (EC), l'metteur est commun entre l'entre et la
sortie du montage (Figure 44).

ic
Rc

ic

Rb

vce

v: A+B.sin(2t)

ib

vbe

vce
b

Ib

ie

Re
Figure 42: Zones de fonctionnements du transistor

Le modle EM permet de reprsenter les caractristiques de sortie IC = f(UCE) d'un


transistor lorsqu'on prend comme paramtre la tension UBE (Figure 43). Pour UBE constant, le
courant IF est constant. Ds que UCE < UBE, la jonction BC se polarise en sens direct, le
transistor entre en saturation et un courant IR (1 + 1/R) se soustrait au courant de collecteur
IF. Figure 43, on a reprsent la caractristique de transfert IF = f(UBE) et les caractristiques
de sortie pour diffrentes valeurs de UBE. En fonctionnement normal direct, on remarque le
comportement du transistor en source de courant commande.

Eg: IE = 6.06 mA; IB = 60 A; IC = 6.00 mA; VCE = 10 V; VBE = 0.7 V; Gain en courant du
montage () : IC /IB = 6.00 mA/60 A = 100 (Normal Direct)
Figure 44: Montage metteur commun (EC) et Applications Numriques

Le montage metteur commun de la Figure 44 (gauche) permet d'obtenir le rseau


de caractristique statique du transistor (Figure 45).

CM Electronique 1

(SP2 11-12) 43/67

(SP2 11-12) 44/67

3.4.2. Montage d'amplification

E/(Re+Rc)

IB croissant
VCE croissant

CM Electronique 1

Point de fonctionnement

Droite de charge statique


E/Rb

Voici reprsent Figure 48 un des montages d'amplification linaire les plus connus.
Une partie du circuit est ddie la polarisation du transistor. On cherche en gnral placer
ce point de fonctionnement autour des valeurs de Ic0=Ic saturation /2 et Vce0=Vce blocage /2, ceci
afin de travailler dans la plus large plage d'amplification du transistor. On parle alors
d'amplification en classe A (Figure 49). L'autre partie du circuit est ddie au convoyage du
"petit signal e" jusqu' l'entre du transistor et la rcupration en sortie du "signal amplifi
s". Les petits signaux sont dcoupls des grandeurs continues grce aux diffrentes capacits
de dcouplage places dans le circuit.

Rc
c

Droite de commande statique

Ib0+ib

VCE croissant

C is

Rb1

E: DC

IB croissant

e: AC

Vce0+vce
C
e

Rb2
Re

Figure 45: Caractristique statique du transistor (montage metteur commun)

Dans les montages Base Commune (BC), la base est commune entre l'entre et la
sortie du montage (Figure 46).

Figure 48: Montage amplificateur (EC)

Saturation

ic c

E/(Re+Rc)

e
IB croissant

ie
vcb
ib

vbe

VCE croissant

Point de fonctionnement

Eg: IE = 6 mA; IB = 0.6 mA; IC = 6.06 mA; VCB = -0.7 V; VBE = -9.3 V; Gain en
courant du montage : IE /IC = 6 mA/6.06 mA = 0.99 (Normal Inverse)

Droite de charge statique


E

Figure 46: Montage base commune (BC) et Applications Numriques

Blocage

Dans les montages collecteur commun (CC), le collecteur est commun entre l'entre
et la sortie du montage (Figure 47).

Signal amplifi s
Droite de commande statique

ie
VCE croissant

IB croissant

ib

vce
b
c

ic

vcb

Eg: IE = 6.06 mA; IB = 60 A; IC = 6.00 mA; VCE = 10 V. ; VBE =0.7 V; Gain en


courant du montage : IE/IB = 6.06 mA/60 A = 101 (Normal Direct)
Figure 47: Montage collecteur commun (CC) et Applications Numriques

Petit signal e

Figure 49: Reprsentation du principe d'amplification du signal d'entre d'un montage amplificateur
(EC) l'aide de la caractristique statique du transistor

La Figure 49 illustre avec les caractristiques du transistor l'effet amplificateur. En


effet, la variation de la tension vbe (= e) autour de la tension Vbe0, entrane une variation du
courant de collecteur autour de sa valeur de repos. Compte tenu de la droite de charge

CM Electronique 1

(SP2 11-12) 45/67

CM Electronique 1

dynamique, on obtient des variations de la tension vce (= s) de part et d'autre de sa valeur de


repos. La tension sinusodale de sortie s est donc en opposition de phase et d'amplitude
beaucoup plus grande que celle de e.
Pour viter toute distorsion de signal de sortie, ont doit appliquer en entre des "petits
signaux". On appel "petit signaux" des accroissements assez petits pour que les
caractristiques d'entre puissent tre assimiles leur tangente au point de repos. On obtient
ainsi des relations linaires entre vbe, ib et ic. Dans tous les cas, la tension de sortie s ne peut
pas dpasser les deux limites qui correspondent au blocage et la saturation du transistor.

E+
e
Rc

ic
Rb

Ib

c
vce s

b
e

Le transistor vu par les "petits signaux"peut tre modlis par le quadriple suivant (en
H simplifi) (Figure 50).
ib B
vbe

C
rbe

ic

Rc

gm.vbe .ib
E
Figure 50: Schma quivalent "petit signaux" du transistor (modle simplifi)

Figure 51: Montage inverseur (EC) et oscillogramme de e et s

Si la tension d'entre e est suffisamment grande ou maximum, un courant de base


circule et commande un courant de collecteur maximum. Dans ce cas dit de saturation, la
tension de sortie est pratiquement nulle. Point de fonctionnement: en haut gauche (Figure
49).

3.5. Caractristiques techniques

q. 61: Conductance de transfert petits signaux du transistor

3.5.1. Principaux paramtres lectriques d'un transistor

=
Ic0

Vbe0
UT

UT

Ic
= 0
UT

q. 62: Gain en courant petits signaux du transistor (identique au gain statique)

dI c
dI b

Ic0

q. 63: Rsistance d'entre petits signaux du transistor (ou rsistance dynamique de la jonction be)

rbe =

dVbe
dI b

=
Ic0

dVbe
dI c

=
Ic0

gm

E+
t

Les paramtres du modle sont identifiables en vertus des relations suivantes (q. 61,
q. 62, q. 63).

I S exp

Si la tension d'entre e est nulle ou faible, aucun courant ne circule dans la base et par
consquent dans le collecteur. La tension de sortie du montage est au niveau de celle de
l'alimentation. On parle de blocage. Point de fonctionnement: en bas droite (Figure 49).

vce

dI c
gm =
dVbe

(SP2 11-12) 46/67

UT
Ic0

3.4.3. Montage de commutation (blocage-saturation)


Voici reprsent Figure 51, un montage base d'un transistor (EC) fonctionnant en
commutation. Ce montage permet de raliser la sacro-sainte fonction logique: "inverseur".

Les tensions de polarisation Vbe est gnralement compris entre 0,65V (pour des Ic de
quelques mA) et 1V (pour les transistors de puissance parcourus par un Ic important, pe. 1A).
Les courants de base ou de commande sont de l'ordre de la dizaine de A. Par ailleurs, les
gain en courant de transistors de mme type prsentent une grande dispersion. Cela oblige
les constructeurs indiquer des classes de gain. Si l'on prend par exemple un transistor trs
rpandu comme le BC107, le gain en courant varie de 110 460. Le constructeur teste alors
les transistors aprs fabrication et ajoute une lettre aprs le numro, pour indiquer la classe de
gain A, B, C.
Les transistors pour l'amplification de petits signaux ne dissipent que quelques
dizaines ou centaines de milliwatts. Les transistors moyenne puissance supportent quelques
watts ; les transistors de puissance, utiliss par exemple dans les amplificateurs audio de
puissance ou dans les alimentations stabilises peuvent supporter, condition d'tre placs sur
un refroidisseur adquat, plus de 100W.
La gamme de frquence : transistors pour frquences basses (fonctionnent
correctement jusqu' quelques MHz), moyennes (jusqu' quelques dizaines de MHz), hautes
(jusqu' quelques GHz), encore plus hautes (frquences maximales d'oscillation de plusieurs
centaines de GHz)
La frquence de transition FT, caractristique de sa vitesse de fonctionnement (produit
gain-bande accessible) ; plus le transistor est capable d'atteindre une transconductance leve
pour une capacit faible, plus la frquence de transition est grande ; grce aux progrs

CM Electronique 1

(SP2 11-12) 47/67

technologiques, on atteint ainsi de nos jours des FT de plusieurs dizaines de gigahertz. Les
transistors bipolaires sont en cela suprieurs aux transistors effet de champ.
La tension d'Early VEA, d'autant plus grande que le transistor se comporte comme une
source idale de courant ; la rsistance metteur-collecteur correspond au ratio entre la tension
d'Early et le courant collecteur.
La transconductance (gain tension-courant), directement lie au courant collecteur (en
premire approximation, elle vaut gm = Ic/UT o on a la tension thermique UT=kT/e qui est
de 26mV temprature ambiante). Bien sr, chaque transistor tant prvu pour fonctionner
correctement dans une certaine plage de courant, il est inutile d'augmenter le courant au del
d'une certaine limite pour accrotre le gain.

CM Electronique 1

(SP2 11-12) 48/67

dops p+ et physiquement relis au canal. Le drain et la source sont des lots trs fortement
dops n+ dans le canal, de part et d'autre de la grille. Dans le cas d'un canal dop p, les
dopages de chaque partie sont inverss, ainsi que les tensions de fonctionnement. Les
caractristiques lectriques d'un JFET sont reprsentes (Figure 55).

Figure 53: Symbole d'un JFET

V-

3.5.2. Diversit de botiers et normes

V-

Les valeurs des transistors sont inscrits dessus sous forme de codes, il existe une
multitude de transistors sous de nombreuses formes ou " botier " dsignant le type d'en
capsulage d'un transistor et enfin il y a des brochages diffrents pour un mme botier (Figure
52). Au fil des ans, les fabricants ont commercialis probablement plus de 100 000 transistors
portant des noms distincts. Devant la prolifration des codes maisons quelques normes ont t
cres afin de standardiser le march

V+

V-

V-

V-

V++

V-

Figure 54: Structure et principe d'un JFET (Plus VDS augmente et plus la zone de dpltion s'largit = le
robinet se referme ceci explique la caractristique sature de Id=f(Vds) VGS=0)

ou linaire
10mA
Figure 52: Diversit de botiers encapsulant des transistors jonction (bipolaires)

3.6. Autres types de transistors

VDS fix >3V

3.6.1. Transistors effet de champ


Un Transistor Effet de Champ (TEC) est un composant 3 broches : la Grille, le
Drain et la Source. Le passage du courant travers un canal continu reliant la source au drain
est en fait contrl par le champ cr par une troisime lectrode, la grille situe sur le canal.
La commande du transistor se fait par l'application d'une tension VGS positive dans le cas d'un
type p, ngative dans le cas d'un type n. Les caractristiques de sortie sont lies au rapport
tension/courant admissible entre le drain et la source. Ce rapport est reprsent par une
rsistance quivalente RDS = RDS ON lorsque le transistor est passant (l'image d'un robinet ou
plus lectriquement d'une rsistance variable commande par la tension VGS peut tre utile).
Les transistors effet de champ sont facilement miniaturisables et permettent des
amplifications leves.
Le transistor effet de champ jonction (depuis 1952)(Figure 53): Il est aussi appel
JFET (Junction Field Effect Transistor ). Un transistor de ce type prsente une grille relie au
substrat (Figure 54). Dans le cas d'un canal dop N, le substrat et la grille sont fortement

-4V

3V

VDS fix

Figure 55: Caractristiques d'un JFET

Le transistor effet de champ grille isole (Figure 56) : connu dans son principe
depuis 1930, sa fabrication na t domine qu partir des annes 60. La grille est une mince
couche d'aluminium spare par un isolant du canal. Il est aussi appel MOSFET (Metal
Oxyde Semiconductor Field Effect Transistor). Grce une gomtrie simple et une
consommation pouvant tre trs faible, cest le composant lmentaire de tous les circuits
intgrs trs grande chelle (VLSI).

CM Electronique 1

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Quel est le principe et la caractristique lectrique dun montage amplificateur (EC) ?

Quel est le modle quivalent dynamique simplifi (ou petits signaux) du transistor ?

Quelles sont les relations qui permettent den identifier les principaux paramtres ?

Figure 56: Symboles d'un MOSFET

Quels sont les ordres de grandeurs caractristiques dun transistor (P, Vbe, Ic, Ib etc) ?

3.6.2. Transistors Effet de Champ et jonction Bipolaire

Quel est le principe et le symbole dun transistor effet de champ dop n (JFET n) ?

Le transistor bipolaire grille isole ou IGBT (Insulated Gate Bipolar


Transistor)(Figure 57): ct de ces transistors dits bipolaires, il existe un autre type de
transistors dits transistors effet de champ (TEC ou FET Field Effect Transistor ).

Quelles sont les caractristiques Id=f(Vgs) et V(ds) du JFET ?

n
Figure 57: Symbole d'un IGBT

3.6.3. Transistors particuliers


Citons enfin quelques transistors particuliers tels que: les transistors unijonction, les
transistors Darlington, les phototransistors et les photocoupleurs
3.7. Quiz sur les Transistors


Quelles sont les structures (reprsentation physique) et symboles des transistors jonction
npn et pnp ?

Quelles sont les distributions dnergie et de courants en fonction de la polarisation


applique (npn) ?

Quelles sont les caractristiques lectriques en mode direct (F) ?

Quelles sont les caractristiques lectriques en mode inverse (R) ?

Quel est le modle quivalent statique du transistor dit dEbers et Moll ?

Quelles sont les 4 modes de fonctionnement dun transistor ?

Quelle est la caractristique Ic=f(Ube)=f(Uce) ?

Quels sont les modes satur, normal direct et bloqu correspondants ?

Quelle est la relation fondamentale entre Ic, Ib et Ie ?

Quelle est la relation fondamentale entre Ic et Ib (en mode F) ou Ie et Ib (en mode R) ?

Quelle est la relation fondamentale entre Vce, Vcb et Vbe ?

Quest ce que des montages EC, BC et CC ?

Quelle est la caractristique statique complte dun transistor mont en EC ?

CM Electronique 1

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Chapitre 4. Amplificateurs Oprationnels et montages usuels (2h)

CM Electronique 1

(SP2 11-12) 52/67

Le circuit interne du LM741 (Figure 59) comporte une vingtaine de transistors


bipolaires, une dizaine de rsistances et une capacit (30pF) dite de compensation.

4.1. Historique de lamplificateur oprationnel


Les essais esquisss de ralisation dampli-op remontent au dbut du 20ime sicle. Le
dveloppement de ces dispositifs, bass initialement sur lutilisation de tubes vide, connt
une rvolution suite linvention majeure de la contre-raction dont la thorie et les principes
de base furent labors en 1927 par Harlod Black (jeune ingnieur chez Bell Labs). Dautres
avances dans ce domaine commencrent avant la deuxime guerre mondiale et se
poursuivirent pendant et aprs celle-ci.
Lamplificateur oprationnel (operational amplifier) appel ainsi pour la premire fois
en 1947, doit son nom au fait quil peut tre utilis pour effectuer des oprations
mathmatiques. Il fut dailleurs la base des calculateurs analogiques et des ordinateurs de la
premire gnration.
Aprs linvention du transistor en 1947 par John Bardeen, Walter Brattain et William
Schockley (Nobel de Physique 1956) travaillants pour le compte de Bell Labs, les ampli-op
de la 1re gnration cdrent place la 2ime gnration base sur lutilisation de transistors.
Deux ans plus tard, linvention du circuit intgr (CI) en 1958 par Jack Kilby
travaillant pour le compte de Texas Instruments (Prix Nobel de Physique 2000) marqua un
tournant dans lhistoire du dveloppement de lampli-op.
En 1965, Fairchild Semiconductor prsenta sur le march le A709, le premier ampliop en CI largement rpandu. Malgr son succs, cet ampli-op prsentait de nombreux dfauts.
Vint ensuite le A741. Son prix relativement faible et son utilisation facile lui valurent un
norme succs. Les fabricants de semi-conducteurs se lancrent alors dans la course pour
produire des ampli-op de performances comparables au A741 : Motorola fabriqua le
MC1741, National Semiconductor le LM741 et Texas Instruments le SN72741. Tous ces
ampli-op sont quivalents et possdent donc les mmes spcifications techniques. Par soucis
de simplification, la plupart des lectroniciens laissent tomber les prfixes et appellent tous
ces ampli-op, des 741.

Amplification diffrentielle

Polarisation

Gain et dcalage

Sortie

Figure 59: Circuit interne du LM741

Quelque soit la complexit du circuit interne de lampli-op, le premier tage est un


amplificateur diffrentiel (effectuant la diffrence entre les deux tensions dentre), suivi
ensuite dautres tages permettant daccroitre les performances du systme (gain, impdances,
linarit, etc).

4.2. Prsentation de lampli-op (Rappels)

Le 741 est un standard dampli-op usage gnral et faible cot (quelques dizaines
de centimes deuro/pice). La majorit des montages base ampli-op peut tre ralise avec
un 741. Le concepteur fait appel dautres ampli-op seulement lorsquil sagit daccrotre
certaines performances.

4.2.1. Technologie du LM 741

4.2.2. Reprsentations symboliques

La plupart des ampli-op se prsentent sous la forme dun circuit intgr (CI) 8
broches (Figure 58)

Dans tous les schmas lectroniques, on reprsente lampli-op par un symbole


graphique. On peut utiliser indiffremment lun des ces schmas de la Figure 60.
Schma complet

Offset null

741

NC

Offset null

(+IN) ou (u): Entre non inverseuse


(-IN) ou (v): Entre inverseuse
(OUT) ou (s): Sortie
(V+) ou (+Vcc) : Alimentation symtrique positive
(V-) ou (-Vcc) : Alimentation symtrique ngative
(Offset null) : Annulation de la tension de dcalage dentre
(NC) : Non connecte

Figure 58: Schma de cblage du LM741 de National Semiconductor

+Vcc

u
v

G
-

Schma pur

Schma intermdiaire

s
-Vcc

Figure 60: Exemples de reprsentations symboliques de lampli-op

+
-

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CM Electronique 1

4.2.3. Caractristique entre-sortie


Lampli-op en rgime linaire est caractris par lq. 64.
q. 64: Equation fondamentale de l'ampli-op(rgime linaire)

s = G 0 (u - v) u - v < Vsat / G0

ib1 +

(SP2 11-12) 54/67

Symboles

Grandeurs

ib1 et ib2

Courants dentre (input current)

Ze

Impdance dentre (input impedance)

Zs

Impdance de sortie (output impedance)

G0

Gain en boucle ouverte (Open-loop gain)

Zs

G0 : Gain en boucle ouverte de lordre 10 (ou open-loop gain); Vsat : Tension de


saturation dtermine par Vcc;

Ze

ib2
v

s
-

G0(u-v)

Lampli-op en rgime satur est caractris par lq. 65.


q. 65: Equation fondamentale de l'ampli-op (rgime satur)

s = + Vsat +Vcc 1 u - v > Vsat / G0 et s = Vsat Vcc + 1 u - v < Vsat / G0


Mais on caractrise gnralement lampli-op par la reprsentation graphique suivante
(Figure 61) qui a le mrite de synthtiser les deux relations.

Figure 62: 1er Modle quivalent de lampl

4.3. Lapproximation de lampli-op idal


s

Lampli-op actuel est tellement proche de la perfection que lapproximation de


lampli-op idal reste valable dans de nombreuses applications.

+Vsat ~ +Vcc-1

-(u-v)sat

G0

zone de saturation
positive
u-v
(u-v)sat = (Vcc-1)/G

(u-v)sat
zone de saturation
ngative

AN: (u-v)sat=(15-1)/105=140V

zone linaire
-Vsat ~ -Vcc+1

4.3.1. Modle quivalent de lampli-op idal


Le modle quivalent de lampli-op idal (Figure 63, Figure 64) montre quil est
toujours satur car le gain en boucle ouverte est infini (except pour (u-v)=0 mais alors il ny
a rien amplifier). Lampli-op idal en boucle ouverte ne peut, bien videmment, pas tre
utilis comme amplificateur.
s
+Vsat ~ +Vcc-1

Figure 61: Caractristique de lampli-op

Lampli-op en boucle ouverte (sans contre-raction) nest jamais utilis comme


amplificateur linaire. En effet le gain tant lev, il suffit dune trs faible tension
diffrentielle (u-v) (du bruit par exemple) pour causer la saturation de la sortie. Ce mme gain
est trs mal dfini et varie avec la temprature et les tensions dalimentation. Ceci rend ainsi
la sortie peu stable nous allons voir plus loin comment lampli-op est exploit.

4.2.4. Modle quivalent de lampli-op


Vue de lentre, lampli-op est quivalent une impdance dentre Ze. Vu de sa
sortie, il peut tre reprsent par un gnrateur quivalent de Thvenin. Ce dernier est donc
une source relle de tension de force lectromotrice G0(u-v) et dimpdance interne
(impdance de sortie dans ce cas) Zs (Figure 62).

G0 =

(u-v) = 0

zone de saturation
positive
u-v

0
zone de saturation
ngative

zone linaire
-Vsat ~ -Vcc+1

Figure 63: Caractristiques du modle quivalent de lampli-op idal

CM Electronique 1

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(SP2 11-12) 56/67

ralis est dfini avec prcision et il est beaucoup moins sensible aux variations de la
temprature ou des alimentations.
Black affine son ide de contre-raction et dpose une demande de brevet. Loffice de
brevets rejette sa demande en qualifiant son concept de "nouvelle absurdit sur le mouvement
perptuel"
ib1=0 + G0 = qqsoit la frquence
Zs=0
u ib2=0
Ze=
v

G0(u-v)

Actuellement, tous les ampli-op dans leur fonction damplification sont conus pour
tre utiliss en contre-raction. Outre, son gain stable, on verra qu'un ampli-op "contreractionn" possde une bande passante plus large et une moindre distorsion.
4.3.2.1. Montages non inverseurs (Noninverting amplifier)
Dans un montage non inverseur (Figure 8) base dampli-op, le signal dentre
(signal amplifier) attaque lentre non inverseur. On rinjecte lentre inverseuse une
fraction de la tension de sortie grce au pont diviseur constitu par les rsistances R1 et R2.
On cherche tablir lexpression du gain statique not A0 et de l'impdance d'entre du
montage note Ze'.

Figure 64: Modle quivalent de lampli-op idal

On fait donc appel la contre-raction pour diminuer le gain du montage

ie
u

4.3.2. Lampli-op idal en contre-raction: montages fondamentaux


En 1927, Harold Black se rend au travail dans son laboratoire de Bell Labs. Relax
dans son transbordeur, il note quelques quations au sujet dune nouvelle conception. Ce
jeune ingnieur lectronicien avait un problme rsoudre; les lignes tlphoniques ne
cessant de stendre sur des distances trs longues, ncessitaient lutilisation damplificateurs
pour compenser lattnuation du signal de parole dans les cbles de transmission. Le dfit
tait de concevoir des amplificateurs avec un gain trs lev et trs stable. En effet, pour des
applications telles que la tlphonie, la tolrance sur la valeur souhaite du gain doit tre trs
faible. Beaucoup de tentatives furent bauches pour dvelopper des ampli-op stables en
terme de gain damplification. Cependant, mme avec un ajustement minutieux du gain en
usine, les variations et les drives de celui ci devenaient incontrlables dans les conditions
relles dutilisation. Linstabilit du gain tait essentiellement due aux variations de la
temprature et des alimentations des lignes tlphoniques. Imaginons donc une
communication tlphonique o la voix de votre interlocuteur change incessamment: voix peu
audible lorsque le gain diminue et dforme lorsque le gain est trop grand cause de la
saturation de lampli! Cest une situation, selon toute vidence, trs peu agrable.
Dans sa nouvelle conception, Horld Black part de lide que les drives des
composants passifs (rsistances par exemple) sont beaucoup moins importantes que celles des
composants actifs et que le problme serait rsolu si l'on pouvait rendre le gain de
lamplificateur dpendant seulement des composants passifs extrieurs.
La solution propose par H. Black est de construire un amplificateur avec un gain
beaucoup plus lev que ne le ncessite lapplication. Ensuite, un taux ou une "partie" de la
tension de sortie est "prleve" ( laide dun diviseur de tension par exemple) et rinjecte
lentre inverseuse de lampli de telle sorte que le gain du montage (ampli et composants
passifs externes) soit largement dpendant de lments externes et trs peu dpendant du gain
de lampli lui mme. On parle donc de contre-raction ou raction ngative. Le gain ainsi

e
v
R1

q. 66: Gain statique et Impdance


d'entre du montage non-inverseur

s
R2

R1 + R 2
R2
= 1+
R1
R1
Ze' = e/ie = Ze =

Ao = s/e =

Figure 65: Montage non inverseur "haute impdance d'entre"

q. 67: Dmo (non-inverseur)

Hypothse : u - v < Vsat / G 0 (ie.rgime linaire) (u - v) = s/G 0 = s / = 0 u = v = e (1)


e
0
s
+
+
s.R1.R 2
s.R1
s/R 2
Ze
R
R
1
2 v=
=
=
Millman : v =
( 2)
1 / R1 + 1 / R 2 ( R1 + R 2) R 2 ( R1 + R 2)
1 / Ze + 1 / R1 + 1 / R 2
R1 + R 2
R2
= 1+
(1)et (2) s/e =
R1
R1
ie = 0 car Ze = Ze' = e / ie =

4.3.2.2. Montage suiveur (unity gain follower)


On peut astucieusement dduire ses caractristiques partir de celles du montage
inverseur en imposant R1= et R2=0 (Figure 66).

CM Electronique 1

(SP2 11-12) 57/67

CM Electronique 1

ie
+

u
e

q. 68: Gain statique et Impdance d'entre


du montage suiveur

Ao = s/e = 1
Ze' = e/ie = Ze =

R1
i1

R2

e1
i2

e2

(SP2 11-12) 58/67

q. 72: Gain statique et


Impdance d'entre du montage
additionneur

+
-

e1 e2
)
+
R1 R 2
si R1 = R 2 alors

s = R3(

R3

R3
R1
Ze1' = R1 et Ze2' = R 2
Ao = s /(e1 + e2) =

Figure 66: Montage suiveur "haute impdance d'entre"


Figure 68: Montage additionneur "opration fondamentale"
q. 69: Dmo (suiveur)

Hypothse : u - v < Vsat / G 0 (ie.rgime linaire) (u - v) = s/G 0 = s / = 0 u = v = e (1)

s = v = e s/e =1

Hypothse : u - v < Vsat / G 0 (ie.rgime linaire) (u - v) = s/G 0 = s / = 0 u = v = 0 (1)

ie = 0 car Ze = Ze' = e / ie =

e1 e2
s
+
+
R
R
R
1
2
3 ( 2)
Millman : v =
1 / R1 + 1 / R 2 + 1 / R3
R3
e1 e2
e1 e2
s
(e1 + e2)
) si R 2 = R1 alors s / e =
+
+
s = R3( +
(1)et (2) 0 =
R1
R1 R 2 R3
R1 R 2
i1 = e1 / R1 Ze1' = e1 / i1 = e1.R1 / e1 = R1 et i 2 = e2 / R 2 Ze 2' = e2 / i 2 = e2.R 2 / e2 = R 2

4.3.2.3. Montage inverseur (inverting amplifier)

u
v

+
q. 70: Gain statique et Impdance
d'entre du montage inverseur

e
R2

4.3.3. Filtres actifs base d'ampli-op idaux


R2
Ao = s/e =
R1
Ze' = R1

Figure 67: Montage inverseur "impdance d'entre rglable"

4.3.3.1. Filtre passe-bas du 1er ordre (ou filtre 20 dB/dc = 6 dB/octave)

R1

u
v

+
-

e
q. 71: Dmo (inverseur)

R2

e
s
+
R1 R 2 (2)
1 / R1 + 1 / R 2
R2
e
s
(1)et (2) 0 =
+
s/e =
R1
R1 R 2
ie = e / R1 Ze' = e / ie = e.R1 / e = R1

4.3.2.4. Montage additionneur (adder)

H0db

Hypothse : u - v < Vsat / G 0 (ie.rgime linaire) (u - v) = s/G 0 = s / = 0 u = v = 0 (1)


Millman : v =

|H(f)|db

R1
ie

q. 73: Dmo (additionneur)

fc=1/2.
C
Figure 69: Montage passe bas et reprsentation asymptotique du
gain

-2
f (Hz)
0d
b/
de
c

CM Electronique 1

(SP2 11-12) 59/67

CM Electronique 1

q. 74: Fonction de transfert du montage (passe-bas du 1er ordre)

H ( p) = H 0

1
avec : H 0 = R 2 / R1 ; = R 2.C ; fc = 1 / 2 .
1+.p

+Vsat ~ +Vcc-1

q. 75: Dmo (cf TD)

-Vsat ~ -Vcc+1

s
R2

H0db
Figure 71: Comparateurs zro et reprsentation idale de la sortie

0
20
db
/d
ec

C
e

fc=1/2.

f (Hz)
q. 77: Equations du comparateur zro

si u - v > 0 u > 0 s = + Vsat +Vcc 1

Figure 70: Montage passe bas et reprsentation asymptotique


du gain

q. 76: Fonction de transfert du montage (passe-haut du 1er ordre)

H ( p) = H 0

0
zone linaire

zone de saturation
ngative

-Vcc

|H(f)|db

zone de saturation
positive
u-v

G0 =

(u-v) = 0

+Vcc

4.3.3.2. Filtre passe-haut du 1er ordre (ou filtre 20 dB/dc = 6 dB/octave)

R1

(SP2 11-12) 60/67

.p
avec : H 0 = R 2 / R1 ; = R1.C ; fc = 1 / 2 .
1+.p

Les filtres du 1er ordre attnuent les frquences situes en dehors de la bande passante
par 20 dB/dc mais dans beaucoup dapplications, ces performances peuvent tre considres
comme insuffisantes. On fait donc appel des filtres dordres plus levs qui attnuent
d'avantage les signaux dont les frquences nappartiennent pas la bande passante. Lobjectif
est dessayer de se rapprocher au maximum de la rponse idale dun filtre.

4.3.4. Lampli-op idal en rgime non linaire: montages fondamentaux

si u - v < 0 u < 0 s = Vsat Vcc + 1


Dans le cas du comparateur zro, le point de dclenchement (appel aussi seuil ou
rfrence) est le zro. La tension fixe en v (en l'occurrence zro volt) constitue donc la valeur
de rfrence qui dtermine le basculement de la sortie d'un tat l'autre.

4.3.4.2. Comparateurs rfrence non nulle


L'ide est la suivante: on fixe une tension de rfrence Vref sur une entre de l'ampliop que l'on compare avec le signal prsent sur l'autre entre (dont on ne connat pas, a priori,
la tension). De deux choses l'une: la tension du signal est suprieure ou infrieure Vref. Selon
la configuration du montage, on aura en sortie de l'ampli-op un tat haut ou un tat bas
(Equation 46). Si le signal est prsent sur l'entre u (la rfrence tant fixe sur v), on dit que
le comparateur est non inverseur (Figure 38 et 39). Si le signal est prsent sur l'entre v (la
rfrence tant fixe sur u), on dit que le comparateur est inverseur.

Lorsque les deux entres de l'ampli-op ne sont plus identiques, il ne fonctionne plus en
mode linaire, mais en commutation (mode non-linaire). Consquence: la sortie se trouve soit
dans un tat haut proche de +Vcc ou plus exactement +Vsat, soit dans un tat bas: -Vsat.
Dans une chane de mesure, les comparateurs de signaux peuvent tre utiliss pour
comparer un signal analogique un autre. Selon le rsultat de la comparaison, la sortie peut
prendre deux tats diffrents. Cette opration donc pour effet de simplifier l'information
issue par exemple d'un capteur de luminosit en une information binaire (nuit/jour), il s'agit
d'une opration TOR (Tout Ou Rien).

s
+Vsat ~ +Vcc-1
u =Vref
+

u
v

G0 =

+Vcc
G

Vref

s
-Vcc

Vref

zone de saturation
ngative
-Vsat ~ -Vcc+1

4.3.4.1. Comparateurs zro


On considre le montage de la Figure 71 o lon suppose que le gain dampli-op est
infini, alors la sortie s est dtermine par l'q. 77.

zone de saturation
positive
u=x+Vref

Figure 72: Comparateurs Vref et reprsentation idale de la sortie

CM Electronique 1

(SP2 11-12) 61/67

CM Electronique 1

(SP2 11-12) 62/67

q. 79: Equations du comparateurs hystrsis


q. 78: Equation du comparateur Vref

si u - Vref > 0 u > Vref s = + Vsat +Vcc 1


si u - Vref < 0 u < Vref s = Vsat Vcc + 1
s(t)

u(t)

+Vsat ~ +Vcc-1

s(t)

u(t)

0
s
+
R
R
1
2 = s. R1 = s.a avec a = R1
Millman : u =
R1 + R 2
R1 + R 2
1 / R1 + 1 / R 2
Si s = + Vsat +Vcc 1 u - v > 0 v < + a.Vsat
Si s = Vsat Vcc + 1 u - v < 0 v > a.Vsat

+Vsat ~ +Vcc-1

Vref
0

s(t)

Vref
0

t
-Vsat ~ -Vcc+1

v(t)
+Vsat ~ +Vcc-1

+aVsat
0

+aVsat

-Vsat ~ -Vcc+1
Inverseur

La solution standard du problme li au bruit consiste utiliser un comparateur


hystrsis. Le trigger de Schmitt (appel aussi bascule de Schmitt) est un comparateur
hystrsis o une raction positive est applique sur lentre non-inverseuse de lampli-op
(Figure 40 et 41). Le signal dentre quant lui est appliqu sur lentre inverseuse. Dans ce
cas, le Trigger de Schmitt est un comparateur inverseur deux seuils +a.Vsat et -a.Vsat dont
le comportement est rsum par l'quation 47. Il existe un quivalent non-inverseur du
Trigger de Schmitt o une contre-raction est applique sur lentre inverseuse de lampli-op
et le signal dentre est appliqu sur lentre non-inverseuse (Figure 42 et Equation 48).

u
v

+Vcc

+Vsat ~ +Vcc-1

R1
u'

u
v

+Vcc

a=R1/R2
u'

G
-

-aVsat

+aVsat

-Vcc

-Vsat ~ -Vcc+1
Figure 76: Comparateurs hystrsis non-inverseur et reprsentation idale de la sortie

a=R1/(R1+R2)
v

G
-

s
R2

+Vsat ~ +Vcc-1
R2

Non-Inverseur

Figure 75: Mise en vidence de la stabilisation de la sortie s(t) malgr le bruitage sur u(t)

Les comparateurs dcrits prcdemment sont particulirement instables dans le cas o


le signal dentre est parasit par du bruit. Ce bruit peut provoquer des basculements
indsirables de la sortie lorsque lentre est proche du point de dclenchement (Figure 39).

R1

-Vsat ~ -Vcc+1

Figure 73: Mise en vidence de l'instabilit de la sortie s(t) d au bruitage sur u(t)

4.3.4.3. Comparateurs hystrsis: Trigger de Schmitt

u'(t)

0
-aVsat

-aVsat

-Vsat ~ -Vcc+1

s(t)

+Vsat ~ +Vcc-1

-aVsat
s

q. 80: Figure 42: Equations du comparateurs hystrsis non-inverseur

+aVsat

-Vcc

Millman : u =
-Vsat ~ -Vcc+1

Figure 74: Comparateurs hystrsis inverseurs et reprsentation idale de la sortie

u'
s
+
R1 R 2 = (u '.R 2 + s.R1) /( R1 + R 2)
1 / R1 + 1 / R 2

R1
R2
R1
Si s = Vsat Vcc + 1 u - v < 0 u < 0 u ' < + a.Vsat avec a =
R2

Si s = + Vsat +Vcc 1 u - v > 0 u > 0 u ' > a.Vsat avec a =

CM Electronique 1

(SP2 11-12) 63/67

4.4. Quiz sur les AOPs




Quels sont les trois principaux tages qui constituent un AOP ?

Quelles sont les trois principales reprsentations symbolique dun AOP ?

Quels sont les deux rgimes de fonctionnement dun AOP ?

Quels sont les caractristiques entr/sortie des AOPs et leur reprsentation graphique ?

Quel est le modle quivalent dun AOP ?

Quels sont les caractristiques entr/sortie des AOPs idaux et leur reprsentation
graphique ?

Quel est le modle quivalent dun AOP idal ?

Quel est le principe et la consquence dune contre-raction ?

Quel est la thorme de Millman ?

Quel est le thorme des nuds ?

Quel est le schma et la caractristique dun amplificateur non-inverseur ?

Quel est le schma et la caractristique dun suiveur ?

Quel est le schma et la caractristique dun amplificateur inverseur ?

Quel est le schma et la caractristique dun additionneur ?

Quel est le schma et la caractristique dun passe bas actif du 1er ordre ?

Quel est le schma et la caractristique dun passe haut actif du 1er ordre ?

Quel est le schma et la caractristique dun comparateur zro ?

Quel est le schma et la caractristique dun comparateur rfrence non nulle ?

Quel est le schma et la caractristique dun comparateur hystrsis inverseur ?

Quel est le schma et la caractristique dun comparateur hystrsis non-inverseur ?

Comment distingue-t-on un montage inverseur dun montage non-inverseur ?

Comment distingue-t-on un montage dispos fonctionner en rgime linaire dun


montage dispos fonctionner en rgime satur ?

Pourquoi appel ton ce composant un AOP ?

Pourquoi ce composant est le compagnon idal de la mesure physique ?

CM Electronique 1

(SP2 11-12) 64/67

Annexe: Tableau de correspondance entre les divers paramtres du quadriple

A B C11
Nb :

C D C 21

C12
=C
C 22

CM Electronique 1

(SP2 11-12) 65/67

Annexe: Valeurs efficaces et moyennes de signaux priodiques standards

CM Electronique 1

(SP2 11-12) 66/67

Annexe: Thorme de Millmann et mthode des noeuds


Millman:
Dans un rseau lectrique de branches en parallle, comprenant chacune un gnrateur de tension
parfait en srie avec un lment linaire, la tension aux bornes des branches est gale la somme des forces
lectromotrices respectivement multiplies par l'admittance de la branche, le tout divis par la somme des
admittances. (Le thorme de Millman est ainsi nomm en l'honneur de l'lectronicien russe Jacob Millman).
i1

i2

i3

ik

in

Z1

Z2

Z3

Zk

Zn

e1

e2

e3

Vm
ek

en

Dmo:
Pour chaque branche, le courant se dduit de la loi d'ohm de la manire suivante:
D'aprs la loi des nuds (ie loi de Kirchhoff en courant)

Extrait du cahier de TP Physique de G. PALLUEL (2007- IUT MPH - UJF)

Do

Ce thorme permet parfois de gagner quelques lignes de calcul. Il est assez bien appropri au calcul de
gain d'ampli-op.
Mthode des noeuds:
Dans un rseau lectrique form de n branches en parallle, la somme des courants par branches est
nulle (loi des nuds):

or, pour chaque branche, le courant se dduit de la loi d'ohm de la manire suivante:

"quation aux nuds"

CM Electronique 1

(SP2 11-12) 67/67

Rsum
Nous apprenons dans la premire partie de ce cours utiliser les modles
d'lectrocintique lmentaires utiles l'analyse de la plupart des montages lectriques. Nous
tendons notamment l'usage des modles de Thvenin et Northon au modle des Quadriples
et nous apprenons dterminer les impdances d'entre et de sortie de montages plus ou
moins complexes. En fin de cette premire partie nous nous initierons l'analyse frquentielle
des montages lectriques en introduisant le concept de Fonction de Transfert (FT) et des outils
de reprsentations tels que le Diagramme de Bode. Dans la suite du cours, nous dcrirons les
principales caractristiques des composants actifs telles que la Diode, les Transistors Effet
de Champ (TEC) et BiPolaire (TBP) et l'Amplificateur OPrationnel (AOP). Nous verrons
chaque fois les montages lmentaires emblmatiques de ces composants actifs
(Redressement, Amplification, Commutation, Filtrage actifs). A l'issu de ce cours nous
devrions connatre les fonctions lectroniques de bases et leurs caractristiques.
Mots clefs: Modles d'lectrocintique (Quadriples, Thvenin, Northon, Impdance
d'entre, Impdance de sortie, Fonction de Transfert, Diagramme de Bode); Composants
passifs (R,L,C); Composants actifs (Diodes, Transistors Bipolaires et Effet de Champ,
AOP); Montages usuels (Redressement, Amplification, Commutation, Filtres passifs, Filtres
actifs).
Bibliographie
[1]
A. Asfour, Notes de cours en formation initiale, UJF-IUT1 dpt Mesures Physiques
[2]
Millman & A. Grabel, Microelectronics, 2nd Ed McCraw-Hill International
[3]
A.P. Malvino, Principes d'lectronique, 6e Ed Dunod Sciences Sup
[4]
J-M Escan, Circuits lectriques linaires - Quadriples, Techniques de lIngnieur
[5]
http://lsiwww.epfl.ch/LSI2001/teaching/physiciens/lecon10/lec10.html, Cours
dlectronique pour ingnieurs physiciens, Ecole polytechnique fdrale de Lausanne