Introduo a Projeto de

Circuitos Integrados

Professor:

Sandro Haddad

sandrohaddad@unb.br

Sumrio

Breve introduo.
Histrico e evoluo da microeletrnica.
Lei de Moore
Processo de fabricao dos chips.
Avano da microeletrnica nos produtos.

Ordem de grandeza
Micro um prefixo que vem do grego antigo e significa
pequeno.
1 micrometro (m) = 1 milhonsimo do metro, 10-6m
Nano um prefixo que vem do grego antigo e significa
ano.
1 nanometro (nm) = 1 bilionsimo do metro, 10-9m

A nanotecnologia e a natureza
Molcula
carbono 60
100 milhes de vezes menor

Nano

A 60 anos atrs a vlvula

Dispositivos eletrnicos com 2 eletrodos
separados por uma grade, enclausurados
dentro de um tubo de vidro vcuo.
Funcionava como chave ou amplificador.

Era a base da indstria eletrnica

(rdios, telefones, computadores, TV, etc.)

Computadores baseados em vlvulas

De 1931 a 1959 Primeira Gerao (computadores baseados em vlvulas)
1944 Howard Haiken (Havard) e Tomas Watson (IBM) fabricam o
primeiro computador eletromecnico MARK I (18m de comprimento,
2m de largura, 70 toneladas, constitudo por 7 milhes de peas
moveis e fiao de 800 Km). Multiplicao de 2 nmeros de 10 dgitos
em 3 segundos.

Computadores baseados em vlvulas

De 1931 a 1959 Primeira Gerao (computadores baseados em vlvulas)

1946 Apresentado o primeiro grande computador eletrnico ENIAC

(Electronic Numeric Integrator Analyser and Calculator). 200 m2, 30 ton., 18
mil vlvulas, 10 mil capacitores e milhares de reles e resistores (consumo
de 150kW).
Realizava 5 mil operaes por segundo (Pentium a 150 MHz e capaz de
realizar 300 milhes de operaes por seg.) e com memoria para 200 bits,
bem menos do que uma simples calculadora de bolso atual.

Super-computador

Jaguar: O computador mais potente do

mundo.
http://www.top500.org

Comparativo entre vlvulas e transistores

VANTAGENS DO TRANSISTOR :

Os transistores possuem atualmente

um custo menor que a vlvula por
unidade.
Tem um consumo menor que as
vlvulas.
Dissipam menos calor.
Possuem ainda um tamanho menor
que as vlvulas equivalentes.
Podem ser combinados em uma
pastilha de forma a fazer um circuito
integrado.

Os semicondutores (Silicio, Germanio, etc.)

Os Bell Labs. Iniciaram as pesquisas em semicondutores no
final dos anos 30.
Descobriram que os semicondutores tratados fisicoquimicamente para terem duas regies distintas e que podiam
atuar como condutores ou isolantes de corrente entre um ponto
Emissor e um Coletor.

E que este comportamento poderia ser controlado por um

terceiro elemento, a Base.

1947 O primeiro Transistor

Cientistas do Bell Lab. Ganharam o Nobel em 1956.

A Histria dos Circuitos Integrados (CIs)

O primeiro Circuito Integrado (CI)

1958: First integrated circuit
Flip-flop using two transistors
Built by Jack Kilby at Texas
Instruments

O primeiro Circuito Integrado (CI)

Bipolar logic
1960s

ECL 3-input Gate

Motorola 1966

Intel 4004 Micro-Processor

1971
1000 transistors
1 MHz operation

Intel Pentium microprocessor

2010
Intel Core i7 mprocessor
2.3 billion transistors
64 Gb Flash memory
> 16 billion transistors

Tipos de Transistores
Bipolar transistors
npn or pnp silicon structure
Small current into very thin base layer controls
large currents between emitter and collector
Base currents limit integration density
Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors
nMOS and pMOS MOSFETS
Voltage applied to insulated gate controls current
between source and drain
Low power allows very high integration

Taxa de crescimento
53% de crescimento mdio anual nos ltmos 50 anos
Nenhuma outra tecnologia cresceu to rpido e por
tanto tempo.
Crescimento devido miniaturizao dos transistores
Trans. menores mais baratos, mais rpido e menor
consumo de potncia!
Efeitos revolucionrios na sociedade.

Vendas anuais
>1019 transistors manufactured in 2008
1 billion for every human on the planet

Lei de Moore
Lei de Moore: Quantidade de transistores em um Circuito
Integrado (CI), dobra a cada 2 anos.
Gordon Moore, a co-fundador da Intel, afirmou em 1965, que a
densidade de transistores em um CI cresce a cada 2 anos.
Reduo no tamanho dos dispositivos permite um aumento na
complexidade dos circuitos

Lei de Moore

Circuitos Microeletrnicos em Silicio (Chips), cresceram em

capacidade a partir de um simples transistor em 1950, para centenas
de milhares de transistores por chip, nos microprocessadodes e
dispositivos de memria atuais.

Lei de Moore
Lei de Moore: Quantidade de transistores em um Circuito
Integrado (CI), dobra a cada 2 anos.

Lei de Moore em Microprocessadores

Fit straight line on semilog scale
Transistor counts have doubled every 26 months
1 Billion
K
Transistors

1,000,000

100,000
10,000
1,000

i486
i386
80286

100
10

Pentium III
Pentium II
Pentium Pro
Pentium

8086
Source: Intel

1
1975 1980 1985 1990 1995 2000 2005 2010
Projected

Lei de Moore em Microprocessadores

Fit straight line on semilog scale
Transistor counts have doubled every 26 months

Lei de Moore em Microprocessadores

Fit straight line on semilog scale
Transistor counts have doubled every 26 months

Transistors (MT)

1000

2X growth in 1.96 years!

100
10

486

P6
Pentium proc

386
286

0.1
8086
8080
8008
4004

8085
Transistors
on Lead Microprocessors double every 2 years
0.01
0.001
1970

1980

1990
Year

2000

2010

Evoluo na complexidade

Segunda lei de Moore

Uma reduo no tamanho dos dispositivos permite um aumento na

complexidade dos circuitos, e consequentemente, um aumento no custo de
fabricao dos CIs

Crescimento no Die Size

Die size (mm)

100

10
8080
8008
4004

8086
8085

286

386

P6
Pentium
proc
486

~7% growth per year

~2X growth in 10 years

1
1970

1980

1990
Year

2000

2010

Die size grows by 14% to satisfy Moores Law

Crescimento na Frequncia

Frequency (Mhz)

10000

Doubles every
2 years

1000
100

486
10

8085

1
0.1
1970

8086 286

P6
Pentium proc

386

8080
8008
4004
1980

1990
Year

2000

2010

Lead Microprocessors frequency doubles every 2 years

Crescimento no consumo de potncia

Power (Watts)

100
P6
Pentium proc
10
8086 286
1

8008
4004

486
386

8085
8080

0.1
1971

1974

1978

1985

1992

2000

Year

Lead Microprocessors power continues to increase

Crescimento no consumo de potncia

Power will be a major problem
100000

18KW
5KW
1.5KW
500W

Power (Watts)

10000
1000
100

Pentium proc

286 486
8086 386
10
8085
8080
8008
1 4004
0.1
1971 1974 1978 1985 1992 2000 2004 2008
Year

Power delivery and dissipation will be prohibitive

Densidade de potncia
Power Density (W/cm2)

10000

1000

100

Rocket
Nozzle
Nuclear
Reactor

8086
10 4004
Hot Plate
P6
8008 8085
Pentium proc
386
286
486
8080
1
1970
1980
1990
2000
2010
Year

Power density too high to keep junctions at low temp

Lei de Moore

Reduo no tamanho da tecnologia

Minimum feature size shrinking 30% every 2-3
years

Reduo no tamanho dos Transistores

Reduo no tamanho dos Transistores

Wafer e pastilhas

Wafer e pastilhas
Single die

Wafer

O tamanho das Wafers

Quanto maior o tamalho das Wafers, melhor!!!

Custo por Transistor

cost:
-per-transistor

1
0.1

Fabrication capital cost per transistor (Moores law)

0.01
0.001
0.0001
0.00001
0.000001
0.0000001
1982

1985

1988

1991

1994

1997

2000

2003

2006

2009

2012

Desafios no projeto de CIs digitais

Macroscopic Issues

Microscopic Problems

Time-to-Market
Millions of Gates
High-Level Abstractions
Reuse & IP: Portability
Predictability
etc.

Ultra-high speed design

Interconnect
Noise, Crosstalk
Reliability, Manufacturability
Power Dissipation
Clock distribution.
Everything Looks a Little Different

and Theres a Lot of Them!

Scaling
Technology shrinks by 0.7/generation
With every generation can integrate 2x more
functions per chip; chip cost does not increase
significantly
Cost of a function decreases by 2x
But
How to design chips with more and more functions?
Design engineering population does not double every
two years

Hence, a need for more efficient design methods

Exploit different levels of abstraction

Nveis de abstrao no projeto

SYSTEM

MODULE
+
GATE

CIRCUIT

DEVICE
G

S
n+

D
n+

Mtricas no projeto de CIs digitais

How to evaluate performance of a
digital circuit (gate, block, )?
Cost
Reliability
Scalability
Speed (delay, operating frequency)
Power dissipation
Energy to perform a function

Fabricao simplificada do circuito integrado

Oxidao trmica (Thermal Oxidation).

Fotolitografia (Photolithography).
Enriquecimento (Etching).
Dopagem por difuso (Dopant Diffusion).
Metalizao por evaporao (Metal
Evaporation).
Teste eltrico (Electrical Testing).

Fabricao do wafer de silcio

Vertical LPCVD Furnace

Exhaust Via
Vacuum Pumps
and Scrubber
Quartz Tube
3 Zone
Temperature
Control

Gas Inlet

Oxidao trmica
Depois de purificados, os wafers de silcio so
colocados em um forno alta temperatura
(900C < T < 1200C) na presena de oxignio
ou gua, de forma que a seguinte reao
ocorra:

Si + O2 SiO2
ou
Si + 2H2O SiO2 +H2
Ao controlar a temperatura e o tempo de oxidao,
possvel obter uma espessura de xido com
uma grande acurcia.

Fotolitografia e enriquecimento
Depois da oxidao , o wafer de silcio
completamente coberto por dixido de
silcio. Esta camada proteger o wafer
durante o processo de dopagem.

A remoo seletiva do xido formada por:

Polmero fotosensvel luz ultravioleta para cobrir o wafer.
Mscaras do circuito.
Alinhamento do sistema.
cido para enriquecer (retirar) o
xido a partir de aberturas criadas no
polmero.

Leiaute CAD de um somador completo

Viso isomtrica de um leiaute CAD

Dopagem
A dopagem o processo de implantao de
ons. Ao adicionar essas impurezas no
silcio, a condutividade aumenta. Tal
condutividade pode ser controlada com
pela quantidade de impureza.
Existem vrias tcnicas de dopagem, como
por exemplo: difuso, deposio de vapor,
bombardeamento inico, etc.

Repetindo o processo
Neste ponto, o processo de oxidao +
fotolitografia + enriquecimento + difuso
pode ser repetido para produzir vrios
tipos de dispositivos eletrnicos
necessrios para um circuito.
Alguns sistemas modernos necessitam de
mais de vinte iteraes desta seqncia.

Oxidao

Fotolitografia

Enriquecimento
Dopagem (Implantao
de ons)

Metalizao e testes

Avano da (micro)eletrnica nos produtos

Graham Bell

O primeiro telefone celular

Celular GSM simples

Smartphone

Sm all
Signal RF

Pow er
RF

Power
Management

Analog
Baseband

Digital Baseband
(DSP + MCU)

Smartphone

Avano da tecnologia na fotografia

Avano da tecnologia na fotografia

Algumas mudanas tecnolgicas

A tecnologia muda nosso comportamento

A tecnologia muda nosso comportamento

A tecnologia muda nosso comportamento

A tecnologia muda nosso comportamento