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Electrnica Analgica

Prof. M.C. Edinguer Vzquez Ayala

Reporte de prctica
Circuitos de aplicacin con LDR y BJT

3 D

Elaborado por:
Juan Alberto Avalos Tiscareo
Juan Fernando Daz Jimnez
Elisa Maricela Mrquez Vela
Juan Sal Silva Tirado

Objetivo
Realizar la construccin y prueba de los circuitos con el uso de transistores y para
comprobar los conceptos tericos aprendidos y observar el funcionamiento real
con la aplicacin de distintos dispositivos optoelecrnicos.

Material y Equipo

Multmetro.
Fuente de alimentacin VCD.
Osciloscopio.
Protoboard.
Cable para protoboard.
Cables caimn-caimn.
1 Motor de CD<12V.
1 Foco.
1 Socket.
1 Clavija.
C.I. 555.
1 Potencimetro de 100k.

1 Relevador.
1 Transistor BC547B.
1 Fototransistor PT302B-C2.
1 resistencias de 180, 220,
1.5k, 10k.
1 Fotorresistencia LDR.
1 LED verde.
1 Capacitor electroltico de 100
F.
1 Capacitor de cermica de
10nF.

Marco terico

LDR:

El sentido de la vista es el que ms utilizamos y existen dispositivos


capaces de transformar la luz en electricidad. La optoelectrnica es la
tecnologa que combina la ptica y la electrnica. A este cambio pertenecen
los

LED,

pantallas

fotoacopladores, etc.

displays

LED,

fotodiodos,

fototransistores,

Una fotorresistencia es un material semiconductor cuya resistencia varia


en funcin de la iluminacin. La fotorresistencia reduce su valor resistivo en
presencia de rayos luminosos. Es por ello, que tambin se le llama
resistencias dependientes de luz LDR (por sus siglas en ingles Light
Dependent Resistors), fotoconductores o clulas fotoconductoras.

Fig. 1. Smbolo fotorresistencia.

Cuando incide la luz en ella se generan pares electrn-hueco y al tener un


mayor nmero de portadores, el valor de la resistencia disminuye. De este
modo, la fotorresistencia iluminada tiene un valor de resistencia bajo.

Si dejamos de iluminar, los portadores fotogenerados se recombinarn


hasta volver a sus valores iniciales. Por lo tanto el nmero de portadores
disminuir y el valor de la resistencia ser mayor.

Al momento de elegir una fotorresistencia se toma en cuenta:


El rango de resistencia. Sin luz, un buen LDR se ha de comportar
como un circuito abierto (alta impedancia). En tanto que presencia de

luz, su mnima resistencia es de 100 o menos.


El tiempo que emplea en pasar de un estado de mxima resistencia,
a otro de mnima resistencia, es decir, lo que tarda en conmutar
desde una posicin de circuito "cerrado", a otro estado de circuito
"abierto". Este tiempo debe ser lo ms pequeo posible, cerca de un
segundo.

Fig. 2. Funcionamiento del LDR

El LDR es un elemento muy til para aplicaciones en circuitos donde se


necesita detectar la ausencia de luz de da.

Conmutacin de BJT:

Los transistores son una extensin del diodo semiconductor, ya que, es una
unin tipo NPN o PNP. Tiene tres terminales: colector, base y emisor, en s
los transistores contienen dos uniones: base-emisor y colector-base. La
mayora es construido de silicio, para silicio el V K=0.7V.

Fig. 3. Smbolos Transistores. Derecha NPN. Izquierda PNP

Para que un transistor conmute, es decir, se comporte como un interruptor


debemos llevarlo del estado de saturacin al estado de corte, el estado de
saturacin es la mxima conduccin que podemos tener en un transistor,
mientras el corte es la mnima con tendencia a 0 de conduccin, es decir,
como un circuito abierto.

La operacin de conmutacin es la siguiente: cuando la base est a 0.7 V


por encima del emisor (y se suministra corriente suficiente a la base) el
transistor conduce y entra en saturacin. En esta situacin, el transistor se
comporta idealmente como un interruptor cerrado entre el colector y el
emisor. Cuando la base est a menos de 0,7 V por encima del emisor, el
transistor no conduce y se comporta como un interruptor abierto entre el
colector y el emisor.

Fig. 4. Tipos de transistores

Procedimiento
1.
2.
3.

Observe que los pulsos a la salida y como trabaja cada una de las Q.
Circuito LDR
Circuito motor
*Explique el funcionamiento de los circuitos anteriores y mencione la
diferencia entre ellos.

4.

Resultados y observaciones

Alberto:

Elisa:

Fernando:

Sal:

Conclusiones

Alberto:

Elisa:

Fernando:

Referencias

Apunte Optoelectronica . (s.f.). Recuperado el 1 de Diciembre de 2013, de


http://apuntesoptoelectronica.blogspot.mx/2013/05/12-fotorresistencia.html

(2001). Familarizacin con los transistores. En Zbar, Malvino, & Miller,


Prcticas de electrnica (pgs. 67-74). Mexico: Alfaomega.

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