TAREA DE ELECTRICIDAD Y ELECTRONICA

FECHA DE ENTREGA: 18 DE MARZO

TEMA: EL DIDODO SEMICONDUCTOR
INDICE:
1. Materiales semiconductores
1.1 Material intrnseco
1.2 Material extrnseco
2 Diodo Semiconductor
2.1 Diodo de unin
2.2 Funcionamiento
2.3 Polarizacin directa
2.4 Polarizacin Inversa
2.5 Hoja de datos del 1N4000
2.6 Aplicaciones ( mostrar 2 circuitos y explicar su funcionamiento)
2.6.1 Rectificadores
2.6.2 Recortadores
2.6.3 Dobladores
3 Transistor Bipolar ( BJT)
3.1 Tipos NPN , PNP , dibuje
3.2 Ecuaciones para sus corriente
3.3 Definicin del beta
3.4 Definicin del alfa
3.5 Dibujar la configuracin en Emisor Comn
3.6 Dibujar la configuracin en Base Comn
3.7 Dibujar la configuracin en Colector Comn
3.8 Aplicaciones Bsicas ( mostrar 2 circuitos y explicar su funcionamiento)
3.8.1 Como amplificador
3.8.2 Como Buffer
3.8.3 Como un swich

1. Materiales semiconductores
Principios Bsicos Materiales Semiconductores
Definicin De Semiconductor

Los semiconductores son materiales cuya conductividad vara con la temperatura,

pudiendo comportarse como conductores o como aislantes. Resulta que se desean
variaciones de la conductividad no con la temperatura sino controlables elctricamente
por el hombre.
Para conseguir esto, se introducen tomos de otros elementos en el semiconductor.
Estos tomos se llaman impurezas y tras su introduccin, el material semiconductor
presenta
una
conductividad
controlable
elctricamente.
Existen dos tipos de impurezas, las P y las N, que cambian la conductividad del silicio y
determinan el tipo de cristal a fabricar. Por tanto, como hay dos tipos de impurezas
habr dos tipos fundamentales de cristales, cristales de impurezas P y cristales de
impurezas tipo N.
El material semiconductor ms utilizado es el Silicio (Si), pero hay otros
semiconductores como el Germanio (Ge) que tambin son usados en la fabricacin de
circuitos. El silicio est presente de manera natural en la arena por lo que se encuentra
con abundancia en la naturaleza. Adems, el Si presenta propiedades mecnicas y
elctricas buenas. Su purificacin es relativamente sencilla (llegndose a Si puro del
99,99999%) y el Si se presta fcilmente a ser oxidado, formndose SiO2 y
constituyendo un aislante que se utiliza en todos los transistores de la tecnologa
CMOS.
Cristal De Silicio Puro
Se denomina semiconductor puro aqul en que los tomos que lo constituyen son
todos del mismo tipo, es decir no tiene ninguna clase de impureza.

La disposicin esquemtica de los tomos para un semiconductor de silicio podemos

observarla en la figura, Las regiones sombreadas representan la carga positiva neta de
los ncleos y los puntos negros son los electrones, menos unidos a los mismos.
La fuerza que mantiene unidos a los tomos entre s es el resultado del hecho de que
los electrones de conduccin de cada uno de ellos, son compartidos por los cuatro
tomos vecinos.

A temperaturas bajas la estructura normal es la que se muestra en la figura en la cual

no se observa ningn electrn ni hueco libre y por tanto el semiconductor se comporta
como un aislante.
Conduccin Del Cristal De Silicio Puro

A la temperatura ambiente (20-25 grados C.) algunas de las fuertes uniones entre los
tomos se rompen debido al calentamiento del semiconductor y como consecuencia de
ello algunos de los electrones pasan a ser libres. En la figura siguiente se representa
esta situacin. La ausencia del electrn que perteneca a la unin de dos tomos de
silicio se representa por un crculo.
Cuando un electrn puede vencer la fuerza que le mantiene ligado al ncleo y por
tanto abandona su posicin, aparece un hueco, y le resulta relativamente fcil al
electrn del tomo vecino dejar su lugar para llenar este hueco. Este electrn que deja
su sitio para llenar un hueco, deja a su vez otro hueco en su posicin inicial, De esta
manera el hueco contribuye a la corriente lo mismo que el electrn, con una trayectoria
de sentido opuesto a la de ste.

1.1Material extrnseco
Para mejorar las propiedades de los semiconductores, se les somete a un proceso
de impurificacin (llamado dopaje), consistente en introducir tomos de otros
elementos con el fin de aumentar su conductividad. El semiconductor obtenido se
denominar semiconductor extrnseco. Segn la impureza (llamada dopante)
distinguimos:

Semiconductor tipo P : se emplean elementos trivalentes (3 electrones de

valencia) como el Boro (B), Indio (In) o Galio (Ga) como dopantes. Puesto que
no aportan los 4 electrones necesarios para establecer los 4 enlaces covalentes,
en la red cristalina stos tomos presentarn un defecto de electrones (para
formar los 4 enlaces covalentes). De esa manera se originan huecos que
aceptan el paso de electrones que no pertenecen a la red cristalina. As, al
material tipo P tambin se le denomina donador de huecos (o aceptador de
electrones).

Semiconductor
tipo
N: Se emplean como impurezas elementos
pentavalentes (con 5 electrones de valencia) como el Fsforo (P), el Arsnico
(As) o el Antimonio (Sb). El donante aporta electrones en exceso, los cuales
al no encontrarse enlazados, se movern fcilmente por la red cristalina
aumentando su conductividad. De ese modo, el material tipo N se denomina
tambin donador de electrones.

1.2Material extrnseco
Un material semiconductor hecho slo
denomina semiconductor intrnseco.

de

un

nico

tipo

de

tomo,

se

Los ms empleados histricamente son el germanio (Ge) y el silicio (Si); siendo ste
ltimo el ms empleado (por ser mucho ms abundante y poder trabajar a
temperaturas
mayores
que
el
germanio).

Cada tomo de un semiconductor tiene 4 electrones en

su rbita externa (electrones de valencia), que comparte con los tomos adyacentes
formando 4 enlaces covalentes. De esta manera cada tomo posee 8 electrones en su
capa ms externa., formando una red cristalina, en la que la unin entre los electrones
y sus tomos es muy fuerte. Por consiguiente, en dicha red, los electrones no se
desplazan fcilmente, y el material en circunstancias normales se comporta como un
aislante.
Sin embargo, al aumentar la temperatura, los electrones ganan energa, por lo que
algunos pueden separarse del enlace e intervenir en la conduccin elctrica. De esta
manera, la resistividad de un semiconductor disminuye con la temperatura (su
conductividad aumenta). A temperatura ambiente, algunos electrones de valencia
absorben suficiente energa calorfica para librarse del enlace covalente y moverse a
travs de la red cristalina, convirtindose en electrones libres. Si a estos electrones, se
les somete al potencial elctrico, como por ejemplo de una pila, se dirigen al polo
positivo. Cuando un electrn libre abandona el tomo de un cristal de silicio, deja en la
red cristalina un hueco, cuyo efecto es similar al que provocara una carga positiva.
Los electrones y los huecos reciben el nombre de portadores. La conduccin
elctrica a travs de un semiconductor es el resultado del movimiento de
electrones (de carga negativa) y de los huecos (cargas positivas) en
direcciones opuestas al conectarse a un generador. Si se somete el cristal a una
diferencia de potencial se producen dos corrientes elctricas: una debida al
movimiento de los electrones libres de la estructura cristalina, y otra debida al
desplazamiento de los electrones en la banda de valencia, que tendern a saltar a los
huecos prximos, originando una corriente de huecos. Los electrones libres se dirigen
hacia el polo positivo de la pila (ctodo), mientras que los huecos pueden considerarse
como portadores de carga positiva y se dirigen hacia el polo negativo de la pila,
llamado nodo (hay que considerar que por el conductor exterior slo circulan los
electrones que dan lugar a la corriente elctrica; los huecos slo existen en el seno del
cristal semiconductor).