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Rpublique Algrienne Dmocratique et Populaire

Ministre de lEnseignement Suprieur et de la Recherche Scientifique

Universit Mouloud Mammeri de Tizi-Ouzou


Facult du Gnie Electrique et dInformatique
Dpartement dElectronique

MEMOIRE DE MAGISTER
Spcialit : Electronique
Option : Micro-lectronique
Prsent par :

ANNANE SAMIA

Thme

Conception dun microcapteur de pression,


humidit et temprature en technologie MEMS.

Devant le jury dexamen :


Mr Belkaid Mohamed Sad

Professeur l UMMTO

Mr Laghrouche Mourad

Matre de Confrences lUMMTO

Rapporteur

Mr Bensidhoum Mohand Tahar

Matre de Confrences lUMMTO

Examinateur

Mr Haddab Salah

Matre de Confrences lUMMTO

Examinateur

Soutenue le :

Prsident

/ 03 / 2011

Rsum
Les microsystmes (MEMS Micro Elctro-Mcanical System) sont des composants
miniaturiss runissant des fonctions lectroniques, mcaniques et optiques sur la mme puce.
Les technologies microsystmes conjuguent les techniques de pointes de la microlectronique
des semi conducteurs et des nouvelles techniques du micro usinage permettant ainsi la
ralisation des systmes entiers sur une puce (SOC system on chip). En plus, cette
intgration permettra de miniaturiser le systme, damliorer ses performances et daugmenter
la sensibilit. Dans ce cadre vient lobjectif de cette thse qui a pour but de concevoir un
micro capteur de pression, humidit et temprature. Le dit capteur sera ensuite destin la
collecte dinformations sur le climat pour dresser des bulletins mtorologiques.
Aprs avoir dcrit les diffrents procds de fabrications des microsystmes compatibles
microlectroniques et rcapituler ltat de lart des diffrentes principes de transduction des
structures du capteur de pression, capteur dhumidit et capteur de temprature MEMS
intgrs micro usins, nous avons procd une simulation des diffrentes tapes
technologiques ncessaire pour la ralisation du multi capteur laide du logiciel Silvaco
(Athna) (2D). Cette partie a t effectue au centre de dveloppement des technologies
avances (CDTA).
La mise au point dune filire technologique de fabrication demande de dfinir des oprations
technologiques successives indpendantes et compatibles entre elles.

Mot clefs
Microsystmes, MEMS, Micro-usinage, Multi capteurs, Membranes, Simulation, Silvaco.

Remerciements
Je remercie ALLAH le tout puissant pour mavoir donn le courage, la volont
et la patience de mener terme ce prsent travail.
Je tiens remercier Mr LAGHROUCHE Mourad, matre de confrences
lUMMTO, pour mavoir propos ce sujet, pour mavoir fait bnficier de ses
comptences scientifiques et sa constante disponibilit. Il sest toujours montr
prt maider et me prodiguer ses prcieux conseils.
Le Professeur Mohamed Sad BELKAID, doyen de la facult de Gnie
Electrique et dInformatique et Responsable du laboratoire de microlectronique
applique, a accept de prsider le jury de soutenance, quil trouve ici mes
remerciements les plus sincres.
Je remercie galement les membres du jury qui ont bien voulu examiner le
prsent travail.
.
Jadresse mes vives reconnaissances tous les membres du laboratoire dquipe
MEMS du CDTA, (Centre de Dveloppement des Technologies Avances)
BABA HASSEN, Alger, qui mont accueillie dans ce laboratoire.
Mes remerciements vont galement mes chers parents qui mont toujours aide
et soutenue.
Mes vifs remerciements sadressent particulirement mon fianc qui, de
diffrentes manires et durant tout le temps consacr ce travail, ma aide,
soutenue et assiste avec normment de persvrance.
Jexprime galement mes sincres remerciements tous mes collgues et amis
du laboratoire LATAGE qui mont aid de diffrentes manires.

Sommaire

Introduction gnrale... 1
Chapitre I : Gnralits sur la technologie MEMS

I. 1. Introduction. .............................................................................................................. 3
I.2. Matriaux pour les microsystmes compatibles aux circuits intgrs................... 3
I.2.1. Silicium. ................................................................................................................... 4
I.2.2. Polysilicium (silicium polycristallin)..................................................................... 5
I.2.3. Oxyde de silicium SiO2. ......................................................................................... 5
I.2.4. Nitrure de silicium................................................................................................... 6
I.3. Les principaux procds de fabrication des MEMS. .............................................. 7
I.3.1. Dpt de couches minces. ....................................................................................... 7
I.3.2. La photolithographie............................................................................................... 7
I.3.2.1. Principe de la photolithographie.................................................................... 8
I.3.2.2. Ralisation d'un motif sur plaquette.............................................................. 9
I.3.3. Gravure ................................................................................................................... 9
I.3.3.1. Gravure chimique................................................................................................. 10
I.3.3.2. Gravure par voie sche ........................................................................................ 11
I.4. Des processus spcifiques aux MEMS ...................................................................... 12
I.4.1. Le micro usinage en surface .................................................................................. 12
I.4.1.1. Procds microlectronique et microsystmes intgrs ................................... 13
I.4.2. Micro usinage en volume ....................................................................................... 15
I.5. La gravure anisotropique du silicium ...................................................................... 16
I.5.1. Les diffrents types de micro usinage en volume ..................................... 17
I.5.1.1. Le micro usinage en volume face avant ................................................. 17
I.5.1.2. Le micro usinage en volume face arrire .............................................. 18
I.5.1.3. Le micro usinage en volume face avant et arrire ................................ 19
I.6. Dautres procds. ...................................................................................................... 20
I.6.1 Le CMP ..................................................................................................................... 20
I.6.2. La technologie SOI ................................................................................................. 20
I.7. Les techniques dintgration microsystme ............................................................ 21

I.7.1. Intgration monolithique, Systme sur Puce, SoC .................................. .22


I.7.2. Intgration hybride puces nues , SiP, SoP............................................ .23
I.7.2.1. Chip On Board (puce sur circuit, CoB)23
I.7.2.2. System in Package (SiP)............................................................................ 23
I.7.2.3. System on Package (SoP) ......................................................................... 26
I.8. Conclusion ................................................................................................................... 26
Chapitre II : Les capteurs de pression, humidit
et temprature

II.1. Introduction............................................................................................................... 27
II.2. Diffrents types de capteurs..................................................................................... 27
II.2.1. Capteur de pression ............................................................................................. 27
II.2.1.1.Dfinition dun capteur de pression .......................................................... 28
II.2.1.2.Capteur de pression capacitif ..................................................................... 29
II.2.1.2.1. Principe de fonctionnement .................................................................... 29
II.2.1.3.Capteur de pression pizorsistif................................................................. 31
II.2.1.3.1.La piezorsistivit...................................................................................... 31
II.2.1.3.2. Facteur de jauge....................................................................................... 32
II.2.1.3.3. Principe de fonctionnement ..................................................................... 33
II.2.1.3.4. Positionnement de jauges pizorsistives sur le corps dpreuve........ 35
II.2.2.Capteur de temprature ......................................................................................... 36
II.2.2.1. Les thermocouples .............................................................................................. 37
II.2.2.2. Les capteurs jonction semi-conductrice......................................................... 38
II.2.2.3. Capteur de temprature de type rsistance...................................................... 40
II.2.3. Capteur dhumidit ............................................................................................... 44
II.2.3.1. Types de capteurs dhumidit............................................................................ 46
II.2.3.1.1. Capteur optiques.................................................................................... 46
II.2.3.1.2. Capteurs gravimtriques....................................................................... 46
II.2.3.1.3. Capteurs hygromtriques..................................................................... 47
II.2.3.1.4. Capteur rsistif....................................................................................... 48
II.2.3.1.5. Capteurs capacitifs................................................................................. 49
II.4. Conclusion ................................................................................................................ 51

Chapitre III : Etude du multicapteur de pression, humidit et temprature

III.1. Introduction ............................................................................................................. 52


III.2. rappel de la technologie de base............................................................................. 52
III.2.1.Le substrat........................................................................................................ 52
III.2.2. Oxydation du silicium..53
III.2.2.1. Importance de loxydation du silicium...................................................... 53
III.2.2.2. Principe de loxydation thermique ............................................................ 54
III.2.2.3. Cintique simplifie de la croissance de loxyde....................................... 55
III.2.3. Les dpts........................................................................................................ 56
III.2.3.1. Dpt physique en phase vapeur (PVD).................................................... 56
III.2.3.1.1. Evaporation thermique............................................................................ 56
III.2.3.1.2. La pulvrisation cathodique .................................................................... 57
III.2.3.2.Dpt chimique en phase vapeur(CVD)..................................................... 58
III.2.3.2.1. Dpt chimique en phase vapeur basse pression (LPCVD) .............. 58
III.3. Technologie des membranes................................................................................... 59
III.3.1. Introduction .......................................................................................................... 59
III.3.2. Rle de la membrane............................................................................................ 59
III.3.3. Les membranes dilectriques ............................................................................. 60
III.3.4. La filire technologique SiO2 / SiNx ........................................................... 60
III.3.4.1. Introduction .............................................................................................. 60
III.3.4.2. Problmatique de la bicouche ................................................................. 61
III.3.4.3. Croissance thermique de loxyde de silicium......................................... 61
III.3.4.4. Dpt LPCVD de nitrure de silicium62
III.3.5. Ralisation de la membrane par la gravure KOH..62
III.3.5.1. Rsistance de divers matriaux aux bains de gravure du silicium ...... 63
III.3.5.1.1. Tenue de loxyde (SiO2)....................................................................... 64
III.3.5.1.2. Tenue du nitrure (Si3,N4) ..................................................................... 64
III.4. Etude de leffet de lhumidit sur les polymres .................................................. 64

III.4.1. Introduction .......................................................................................................... 64


III.4.2. Dfinition dun polymre..................................................................................... 65
III.4.3. Lhumidit relative............................................................................................... 65
III.4.3.1. Nature dipolaire de l'eau ................................................................................. 66
III.4.4. Diffusion de leau dans les polymres................................................................. 67
III.5. Etude du capteur de temprature de type rsistance........................................... 72
III.5. 1. Coefficient de temprature.69
III.5. 2. Mthode de mesure..69
III.6. Conclusion................................................................................................................ 70
Chapitre IV : Simulation du process technologique du multicapteur
IV.1. Introduction ............................................................................................................. 71
IV.2. Description du multicapteur................................................................................... 71
IV.2.1. Choix du substrat .......................................................................................... 72
IV.2.2. La membrane dilectrique............................................................................ 73
IV.2.3. Le platine ........................................................................................................ 74
IV.2.4. Le polyamide .................................................................................................. 74
IV.2.5. Mtallisation................................................................................................... 74
IV.2.6. Libration de la membrane ........................................................................... 74
IV.2.7. Assemblage du micro capteur ....................................................................... 74
IV.3. Processus de fabrication du multicapteur ............................................................. 76
IV.4. Simulation du processus technologique de fabrication du multicapteur sous
le logiciel Silvaco................................................................................................................ 78
IV.4.1. Aperu du logiciel SILVACO........................................................................ 78
IV.4.2. Gnration dun maillage de la structure..................................................... 79
IV.4.2.1. Maillage de la structure simule.80
IV.4.3. Dfinition du substrat..81
IV.4.4. Dpt dun matriau82
IV.5. Simulation des tapes technologique...................................................................... 83
IV.5.1. Oxydation thermique ........................................................................................... 83

IV.5.2. Croissance doxyde thermique sur la face avant ............................................... 83


IV.5.2. Dpt doxyde sur la face arrire........................................................................ 84
Conclusion gnrale .......................................................................................................... 88
Rfrences bibliographiques ............................................................................................ 91
Annexe ............................................................................................................................... 96

Introduction gnrale

Introduction gnrale

L'introduction de nouvelles technologies d'intgration de dispositifs lectriques et non


lectriques sur la mme puce ainsi que la miniaturisation des systmes, entrane une
croissance des besoins pour la communication entre diffrents environnements : mcanique,
lectrique, lectrochimique, thermique, fluidique ou optique. Ces dernires annes, on observe
un grand intrt vis--vis d'une nouvelle gnration de microsystmes ddis des
applications portables et intgrant les communications sans fils. Ces dispositifs seront utiliss
dans plusieurs domaines sensibles tel que le mdical, l'automobile, la mtorologie, les
constructions antisismiques.
Aux cours des 25 dernires annes motiv par des objectifs de performances et de rduction
des cots et par des perspectives de productions de masse, un travail important a t effectu
pour miniaturiser toute sorte de systmes mcaniques, lectromcaniques. La diffusion des
techniques de conception et de fabrication de la microlectronique a permis le dveloppement
de nouveaux dispositifs miniaturiss plus complexes et de plus en plus intgrs, appels
microsystmes ou MEMS (Micro Electro Mecanical Systms), composants lectromcaniques
fabriqus lchelle du micron par des procds technologiques issus de la microlectronique
[1]. Ils associent sur un mme substrat des capteurs et des actionneurs avec des circuits
analogiques et numriques dinterface. En effet, les oprations doxydation, de diffusion, de
dpt de couches minces de la microlectronique se voient compltes par lapparition de
technique de micro usinage en volume et en surface du silicium [2]. Cette nouvelle micro
technologie du silicium laisse entrevoir de nombreuses possibilits dintgration de formes
gomtriques plus complexes. Cette possibilit de structuration en trois dimensions du
silicium permet de crer des cavits, des poutres, des membranes et des structures suspendues
[3].
Lassociation de la microlectronique sur silicium avec la technologie de micro-usinage a
rendu possible la ralisation de systmes sur puce. La thmatique dveloppe dans le prsent
travail se situe dans la conception dun microcapteur de pression, dhumidit et de
temprature.
Ce manuscrit est constitu de quatre chapitres et il est organis comme suit :
Le premier chapitre dcrit les diffrentes mthodes de fabrication des microsystmes
compatibles avec les procds standards de la microlectronique mis en uvre ces dernires

Introduction gnrale

annes ainsi quun descriptif sur les technologies dintgration dune puce de silicium dans un
systme savoir lintgration monolithique et lintgration hybride.
Le deuxime chapitre rcapitule ltat de lart des capteurs de pression, dhumidit et de
temprature avec lexposition de leur cahier des charges ainsi que les techniques de
transduction utilises pour raliser ces trois types de capteurs.
Dans le troisime chapitre aprs un rappel sur la technologie existante utilise pour la
fabrication de films minces (oxydation, dpts), nous allons tudier la structure
multicapteur de pression, dhumidit et de temprature. Nous allons exposer le
dveloppement dune technologie de membrane sur silicium micro-usin ainsi que leffet de
lhumidit sur les polymides.
Le quatrime chapitre dtaille la conception de notre structure multicapteur, nous allons
prsenter le processus technologique, cest--dire les diffrentes oprations de fabrication.
Des simulations seront menes avec le logiciel Athna de Silvaco (2D) pour choisir les
paramtres physiques et fixer les dimentions de cette structure.
Enfin, nous terminons notre travail par une conclusion gnrale o seront rassembls nos
principaux rsultats et quelques perspectives.

Chapitre I
Gnralits sur la technologie MEMS

Chapitre I

Gnralits sur la technologie MEMS

I.1. Introduction
Ds les annes 60, la gravure du silicium tait un sujet dtude la fois pour la mise en
vidence des dfauts dans un cristal de silicium et pour la possibilit de graver un cristal de
manire isotrope. Ce nest que dans les annes 75 que la mise en vidence du caractre
anisotrope est apparue comme un lment permettant la ralisation de formes
tridimensionnelles par lusinage slectif du substrat. Il est dornavant possible de crer des
membranes, des trous, des cavits et bien dautres formes, de bnficier de la remarquable
qualit mcanique du silicium et ceci en utilisant des procds chimiques, qui bien
quagressifs, peuvent tre compatibles avec les technologies du circuit intgr. Crer une
membrane donnait la possibilit de mesurer par diffrence de capacit une variation de
pression, raliser une masse suspendue par des bras, de mesurer lacclration La voie tait
ouverte pour la fabrication de capteurs et de microsystmes ds que llectronique est
associe, en bnficiant de laspect collectif, du moindre cot, de la miniaturisation et de la
simplicit du procd de gravure chimique anisotrope [1].
Les microsystmes sont des composants lectromcaniques fabriqus lchelle du micron
par des procds technologiques issus de la microlectronique. Ils associent sur un mme
substrat des capteurs et des actionneurs avec des circuits analogiques et numriques
dinterface.
I.2. Matriaux utiliss en microsystmes compatibles avec les circuits intgrs
Le procd de fabrication des dispositifs microsystmes est bas sur les techniques de
fabrication standard des circuits intgrs microlectroniques. Le matriau de base est bien
entendu le silicium (Si) ainsi que ses drivs tels que loxyde de silicium (SiO2), le nitrure de
silicium (Si3N4), le carbure de silicium (SiC) et ses oxy-nitrures (SiNxOy). Ces matriaux sont
dposs comme une couche mince dpaisseur qui varie entre une dizaine dngstrm et
plusieurs dizaines de micromtres. Divers mtaux servent aussi des liaisons lectriques ou
comme surface daccroche biochimique tel que laluminium, le titane, lor, le tungstne ou le
cuivre. On peut joindre cette liste quelques polymres tels que la rsine photosensible et les
polyimides (PI) du groupe imide. Dans la suite, une brve description des ces matriaux les
plus utiliss, sera dtaille.

Chapitre I

Gnralits sur la technologie MEMS

I.2.1. Silicium
Le silicium est parmi les lments les plus abondants sur la terre, il peut tre facilement
obtenu partir du sable raffin pour produire la fin lEG-silicium (Electronic Grade puret
99.99%). L'norme richesse d'informations accumules sur le silicium et ses composs au
cours des dernires dcennies a permis d'innover et explorer de nouveaux domaines
d'application s'tendant au-del de la fabrication des circuits intgrs. Il devient vident que le
silicium est la plate-forme approprie sur laquelle les composants lectroniques, mcaniques,
thermiques, optiques, et mme les fonctions de dynamique des fluides peuvent tre intgres.
Des ultra pures plaquettes (wafer) dEG-silicium sont disponibles aujourd'hui des prix trs
bas pour lindustrie des circuits intgrs et ainsi pour les composants MEMS [2].
Le silicium possde une structure de type diamant, forme drive de la structure cubique
faces centres (CFC). Il possde une bande interdite de 1,1eV, et dailleurs, comme la plupart
des matriaux semi-conducteurs il peut tre dop avec des impurets pour modifier sa
conductivit [3]. Le silicium est un trs bon conducteur thermique avec une conductivit
thermique suprieure celle de nombreux mtaux et d'environ 100 fois suprieure celle du
verre.
Llment silicium existe sous trois formes diffrentes: monocristalline, polycristalline ou
amorphe (illustres sur la figure I.1). Le silicium monocristallin est dusage pour fabriquer des
substrats circulaires de diamtre allant de 100 mm jusqu 300 mm dont lpaisseur varie de
525m jusqu 650m. Une structure monocristalline est une structure atomique
tridimensionnelle de mme orientation cristallographique, qui sappelle le grain, dans laquelle
les atomes occupent des emplacements spcifiques. Le silicium pitaxiale et le diamant sont
des exemples de matriaux qui prsentent une structure monocristalline. Le silicium
polycristallin, ou simplement "poly", et le silicium amorphe sont habituellement dposs
comme des couches minces avec une paisseur typique infrieure 5m. Dans un matriau
polycristallin, l'orientation du rseau n'est pas la mme dans tout le matriau. Les grains sont
spars par des joints de grains, qui sont des zones dans lesquelles le rseau cristallin est
"perturb" puisqu'il s'agit d'une transition entre deux orientations.
La plupart des mtaux, comme l'aluminium et l'or, ainsi que le silicium polycristallin,
prsentent des exemples de cette structure. Dans une structure amorphe, les atomes de Si ne
respectent aucun ordre et aucune orientation
4

Chapitre I

Gnralits sur la technologie MEMS

Figure I.1: Reprsentation schmatique des structures (a) cristalline, (b)


polycristalline, et (c) amorphe dans un matriau.
(c) amorphe dans un matriau [3]

I.2.2. Polysilicium (silicium polycristallin)


Le silicium polycristallin est un matriau important dans l'industrie des CI ; il a fait lobjet de
nombreuses tudes [3]. Comme le Si monocristallin, le Si polycristallin peut tre dop
pendant ou aprs sa dposition en utilisant les techniques standard de traitement des CI. La
rsistivit du silicium polycristallin peut tre modifie par un dopage en impurets l'aide des
mmes mthodes dveloppes pour le silicium monocristallin. L'ajout de llment Phosphore
rduit le taux de dopage et augmente la rsistivit, tandis que l'addition du Bore augmente le
taux de dopage et, diminue la rsistivit.
Le silicium polycristallin est aussi un matriau important et attrayant pour les MEMS. Il est le
matriau structurel le plus souvent utilis pour la fabrication des structures MEMS micro
usins en surface avec le SiO2 comme matriau sacrificiel et le Si3N4 comme isolant
lectrique. Pour les applications CI et MEMS, la couche mince de polysilicium est
gnralement dpose travers dun processus connu sous le nom Low-Pressure Chemical
Vapor Deposition (LPCVD) [4].
I.2.1.3. Oxyde de silicium SiO2
Le silicium est un matriau qui retrouve un succs norme galement grce son oxyde stable
qui reprsente une bonne isolation lectrique. Contrairement au germanium, dont loxyde est
soluble dans l'eau, ou larsniure de gallium, dont loxyde est incapable de crotre
sensiblement en paisseur [2]. Diverses formes doxydes de silicium (SiO2, SiOx, etc) sont
5

Chapitre I

Gnralits sur la technologie MEMS

largement utilises dans les processus standards de fabrication des CI grce leurs excellentes
proprits disolation lectrique et thermique. Son module de Young est suprieur celui du
silicium.
Le dioxyde de silicium (SiO2) est produit principalement par une oxydation thermique
(croissance) du silicium se trouvant sur la surface du wafer. L'oxydation thermique du Si est
effectue des hautes tempratures (de 900 1000C) en prsence de l'oxygne ou de la
vapeur deau. L'oxydation thermique prsente un processus auto-limit (le taux de croissance
de loxyde diminue avec l'augmentation de l'paisseur de la couche), l'paisseur maximale de
la couche obtenue en pratique est d'environ 2 m, ce qui est largement suffisant pour de
nombreuses applications [5] [6].
Les couches de SiO2 pour les applications MEMS peuvent tre dposes galement par
LPCVD en utilisant un processus appel oxydation basse temprature (LTO). Un avantage
du procd LPCVD, consiste dans la possibilit de doper le flux des gaz de source par
dautres lments afin de doper la couche de SiO2 dpose [4]. Comme exemple, cest
l'incorporation du phosphore sous forme de Phosphoro Silicate Glass (PSG). Le SiO2
thermique, LTO, et le PSG sont des isolants lectriques convenant pour de nombreuses
applications MEMS. Les constantes dilectriques de loxyde thermique et de loxyde basse
temprature (LTO) sont gales 3.9 et 4.3, respectivement [3].
I.2.1.4. Nitrure de silicium
Le nitrure de silicium (SXNY) est largement utilis dans lindustrie des CI grce ses
proprits dilectriques et mcaniques intressantes. En effet, le nitrure de silicium est un
matriau extrmement dur ce qui le rend un matriau attrayant pour les applications dans
lesquelles l'usure physique est une considration majeure. Son module de Young, de lordre
de 323 GPa, est largement suprieur celui du silicium avec des caractristiques intrinsques
de la contrainte contrlables par les spcificits du procd de dpt. En plus, le nitrure de
silicium est un bon matriau de masquage efficace dans de nombreuses solutions de gravures
alcalines [3] [4].
Le nitrure de silicium le plus rpandu, de formule chimique Si3N4, est largement utilis en
MEMS pour lisolation lectrique, la passivation, les masques de gravure et comme un

Chapitre I

Gnralits sur la technologie MEMS

matriau structurel. Deux mthodes sont couramment utilises pour dposer les couches
minces de Si3N4: LPCVD et PECVD (Plasma enhanced chemical vapor deposition).
L'utilisation du Si3N4 dpos par PECVD dans les applications micro-usines a ses
inconvnients en raison de son taux de gravure assez lev par le HF (souvent plus lev que
celui de SiO2 dpos par croissance thermique), et de la porosit de la couche. Contrairement
son homologue PECVD, le dpt du Si3N4 par LPCVD est extrmement rsistant aux
attaques chimiques, le rendant ainsi le matriau idal pour de nombreuses applications micro
usines en volume et en surface. Il est couramment utilis comme une couche isolante pour
isoler les structures du dispositif du substrat parce qu'il possde une bonne rsistivit.
I.3. Les principaux procds de fabrication des MEMS
On peut classer les tapes de fabrications issues de la microlectronique sur silicium en trois
catgories : Les techniques additives (dpt de couches mince, pitaxie,....), les techniques
slectives ou de transfert de motifs telles que la photolithographie et les techniques
soustractives de gravure.
I.3.1. Dpt de couches minces
De nombreux procds de micro usinage sont bass sur la technologie du dpt de couches
minces. Le choix de la nature dune couche mince de mtal utiliser dans un microsystme
dpend essentiellement de lapplication vise. Elles consistent dposer des couches de
diffrents matriaux les unes sur les autres depuis un gaz, un plasma, une solution aqueuse ou
un tat solide. On peut dposer des mtaux, du poly silicium, des oxydes et nitrures de
silicium, des polymres, etc. Les paisseurs de couches obtenues et leurs caractristiques
(lectriques, pizolectrique, mcanique) sont trs dpendantes des procds utiliss : PVD,
CVD, oxydation, etc. Ces procds dpendent des paramtres tels que la temprature,
linclinaison du wafer et sa topologie et la composition de latmosphre dans la machine. On
adjoint souvent une tape de traitement thermique aprs la dposition pour obtenir les
caractristiques dsires.
I.3.2. La photolithographie
Le principe de la photolithographie consiste irradier un film de matriau photosensible,
appel rsine ou resist (en anglais), au travers dun masque o est dfinie limage du circuit.
Une partie de lintensit lumineuse est absorbe par la couche, engendrant des modifications
physico-chimiques de la rsine, les zones exposes deviendront solubles, dans le cas des
7

Chapitre I

Gnralits sur la technologie MEMS

rsines positives, ou insolubles, quand il sagit de rsines ngatives. Aprs une tape de
dveloppement, les motifs de la rsine apparaissent, crant leur tour un masque sur le
substrat. Ce masque permet ensuite de dlimiter les rgions du substrat de silicium qui
subiront un traitement (gravure, implantation).
I.3.2.1. Principe de la photolithographie
Cette opration consiste dposer une rsine photosensible en film mince et uniforme. Ces
rsines sont des composs organiques dont la solubilit est affecte par le rayonnement UV
Selon la source dirradiation, plusieurs techniques permettent de transfrer limage du masque
la rsine. Il peut sagir de la lithographie par rayons X, par faisceaux dlectrons ou dions et
la photolithographie.
Mme si le dveloppement technologique propose de nouvelles techniques capables de
rduire significativement la dimension des motifs imprims, la photolithographie reste la plus
employe en industrie car elle permet des cadences de production leves.
La figure I.2 prsente les tapes de la photolithographie

Figure I. 2: Principales tapes du procd lithographique.

Chapitre I

Gnralits sur la technologie MEMS

I.3.2.2. Ralisation d'un motif sur plaquette


En gnral lopration de la photolithographie se droule de la faon suivante [7]:
1. Etalement de la rsine photosensible par centrifugation : le substrat de silicium est fix par
aspiration sur un support tournant, une quantit de rsine est dpos sur le substrat, la force de
centrifuge permet ltalement de la rsine de faon quasi uniforme en un film mince de
quelques microns.
2. Schage de la rsine pour vacuer le solvant,
3. Exposition de la rsine un rayonnement ultraviolet travers un masque,
4. Dveloppement de la rsine. Le bain de dveloppement va dissoudre soit la partie de rsine
insole dans le cas dune rsine dite positive, soit la rsine non insole dans le cas dune
rsine ngative,
5. La rsine restante est ensuite retire de la surface par des solvants chimiques puissants.
Dans le cas d'une rsine positive, on retrouve aprs lopration, exactement le mme motif sur
la couche grave de la plaquette, que sur le masque de dpart. Par exemple, un motif de
mtal sur le masque (correspondant un motif opaque), correspond le mme motif d'oxyde
restant sur la plaquette aprs gravure. Dans le cas d'une rsine ngative, on obtient sur la
plaquette le motif complmentaire.

Figure I.3 : Tournette pour ltalement de rsine photosensible [7]

I.3.3. Gravure
La gravure est une mthode de transfert soustractive, c'est--dire que la structure est forme
par un enlvement de matire du substrat ou dune couche sous-jacente via les ouvertures
dun masque de rsine. Cette attaque chimique et/ou physique des parties de la surface non
protges par les masques peut tre ralise en milieu liquide (gravure humide) ou en milieu
gazeux (gravure sche par plasma).

Chapitre I

Gnralits sur la technologie MEMS

I.3.3.1. Gravure chimique


La gravure par attaque chimique est la technique la plus rpandue. Elle est obtenue en
plongeant un substrat de silicium dans des bains chimiques aprs la phase de
photolithographie. La vitesse d'attaque est fonction de la concentration des diffrents
composants. Les produits d'attaque du silicium sont nombreux :
- EDP : thylne diamine pyrocathcol ;
- KOH : mlange de potasse et d'eau ;
- HNA : acide fluorhydrique (HF) et acide nitrique (HNO3) dilus dans de l'acide
actique (CH3COOH)...
Les deux types de gravure peuvent avoir un caractre [8] :

Isotrope: le profil de la gravure est symtrique dans toutes les directions de la rgion
attaque

Anisotrope: une direction donne est privilgie, permettant dobtenir des profils de
gravure directionnels.

Les agents isotropes attaquent le silicium cristallin avec une cintique sensiblement identique
dans toutes les directions, formant ainsi des cavits aux contours arrondis (Figure I.4). La
gravure est plus ou moins importante en fonction de l'agitation du bain.

Figure I. 4 : gravure isotrope

Les agents anisotropes ont des directions d'attaque prfrentielles lies au rseau cristallin. En
effet, la structure cristallographique du silicium est de type cubique faces centres. Le plan
cristallin principal <111> a la plus grande densit atomique, ce qui le caractrise par une
cintique d'attaque plus faible par rapport aux deux autres plans <110> et <100> (figure I.5).

10

Chapitre I

Gnralits sur la technologie MEMS

Ainsi, quelle que soit l'orientation du wafer de silicium, le motif de gravure s'appuie sur les
plans <111>. Les sections graves peuvent alors tre triangulaires ou trapzodales (suivant
un angle d'attaque de 54,7) pour un wafer orient <100> ; elles sont flancs verticaux pour
des wafers <110>. Cependant, les dfauts de positionnement ou d'orientation du silicium
peuvent perturber considrablement les gomtries (problmes de surgravures). Les motifs
complexes sont aussi difficilement ralisables.

Figure I. 5 : Gravure anisotrope [3]

I.3.3.2. Gravure par voie sche


Si la gravure humide permet l'usinage de volume du silicium (sur plusieurs dizaines, voire
centaines de microns de profondeur), cette technique est fortement dpendante de la structure
du silicium, rendant impossible la ralisation de certaines gomtries. Les techniques utilises
en gravure sche (laser, plasma) attaquent verticalement le silicium, permettant la cration de
motifs courbes. Cependant la profondeur de gravure n'excde pas quelques microns (on parle
d'usinage de surface) pour les procds classiques, ce qui limite fortement leur champ
d'application. La technique la plus rpandue est la gravure par plasma shmatise en figure
I.6. Le plasma utilis est un gaz ionis possdant sensiblement le mme nombre de particules
charges positivement et ngativement. La gravure est effectue dans une chambre vide
l'aide d'un bombardement d'ions qui arrachent des atomes de silicium sur les parties non
protges du wafer, la protection ayant t ralise au pralable par micro photolithographie.
Cette dernire mthode est plus intressante car elle permet d'augmenter considrablement la
densit des ions ractifs et ainsi la vitesse de gravure.

11

Chapitre I

Gnralits sur la technologie MEMS

Figure I.6: Principe de la gravure DRIE [9].

I.4. Des processus spcifiques aux MEMS


I.4.1. Le micro usinage en surface
Cette technique repose sur la gravure slective de couches sacrificielles et structurelles.
Chaque couche peut tre grave pour lui donner une forme. Une fois lempilement termin,
les couches dites sacrificielles sont dissoutes slectivement vis--vis des couches dites
structurelles qui constituent alors la structure auto assemble. Originellement employs pour
la fabrication de circuits intgrs, les matriaux utiliss sont du poly silicium LPCVD, des
oxydes et nitrure de silicium. En utilisant la slectivit de gravure entre ces matriaux, une
libration de couches peut tre ralise, permettant la fabrication de structures
tridimensionnelles auto assembles. La figure I.7 montre un schma en coupe dune
technologie de micro usinage en surface et la figure I.8 un exemple de structure micro-usines
en surface [10].
Les limites de ce type de procd sont les forces de capillarits, elles ont tendance faire
coller les couches entre elles lors de ltape de lenlvement de la couche sacrificielle.

Figure I. 7 : Micro usinage de surface [10]


12

Chapitre I

Gnralits sur la technologie MEMS

Figure I. 8 : Exemple de structure micro-usine par gravure en surface


(micromoteur, source SANDIA National Labs) [11]
Ces procds sont cependant incompatibles avec les procds standards de la
microlectronique, les wafers possdant une partie lectronique ne peuvent parfois pas tre
traits en poste-process. La raison est principalement thermique, les couches structurelles de
poly silicium sont dposes des tempratures dpassant largement le budget thermique : les
couches de mtallisation supportent mal ces tempratures et les profils de dopage du silicium
sont mme de changer selon la temprature. Pour remdier cela, plusieurs techniques ont
t dveloppes.
I.4.1.1. Procds microlectronique et microsystmes intgrs
a) Les procds intgrs
Les structures suspendues sont ralises durant le process de fabrication de la partie CMOS,
ce qui impose un agencement de la gomtrie, une compatibilit aux niveaux des masques
(notamment pour que ltape de gravure de la couche sacrificielle nendommage pas la partie
lectronique). Les couches de poly silicium sont donc dposes avant les parties de
mtallisation mais celles-ci sont en nombre trs limite, (figure I.9).

Figure I. 9 : Schma en coupe dune technologie de micro usinage en surface [1]


13

Chapitre I

Gnralits sur la technologie MEMS

b) Les procds avec les parties lectroniques enterres


Cette solution dveloppe dans les laboratoires Sandia [1] consiste graver laide dune
gravure silicium anisotrope des tranches dans lesquelles seront fabriques les structures
suspendues, les parties lectroniques seront ralises par la suite cot de ces tranches pour
enfin enlever les couches sacrificielles qui bouchaient les tranches. Cette technique prsente
les avantages de protger les structures en poly silicium avec les oxydes pendant les tapes de
fabrication CMOS et de rendre les deux processus relativement indpendants (aux
connections mcaniques-lectriques prs). La figure I.10 prsente cette structure.

Figure I. 10 : Schma en coupe dune technologie MEMS intgre avec parties


microsystme enterres [8]
c) Les microsystmes post-process
Dans cette solution, les couches de poly silicium sont dposes en dernier sur une
technologie CMOS. Pour cela, on remplace la mtallisation par le tungstne par exemple, et
on refait la mtallisation daluminium sur les contacts pour finir. Mais cela prsente le
dsavantage davoir modifier le processus CMOS, des problmes de contraintes rsiduelles
importantes dans le tungstne et le poly silicium apparaissent galement. (Figure I.11).

Figure I.11 : Schma en coupe dune technologie microsystme intgre avec parties
dposes et graves aprs llectronique et lusage de niveaux mtalliques en tungstne [8]
14

Chapitre I

Gnralits sur la technologie MEMS

I.4.2. Micro usinage en volume


Cette technique sappuie sur une gravure chimique anisotrope et slective du silicium.
Diffrentes solutions peuvent tre utilises pour attaquer slectivement certains plans
cristallins du silicium afin de librer des structures (masses, membranes, poutres, ponts,
etc.).
Il existe deux raisons pour lesquelles cet usinage en volume est une solution viable pour les
microsystmes :
le silicium peut tre grav de manire anisotrope en utilisant des produits spcifiques tels
lhydroxyde de potassium KOH, le ttramthyl ammonium hydroxyde (TMAH), lthylne
diamine pyrocatchole (EDP) ou lhydrazine N2H4. La forme finale du systme est alors fixe
par les plans cristallographiques du silicium,
des couches minces comme les nitrures de silicium ou son oxyde peuvent servir de couches
de masquage pendant ltape de gravure et ainsi protger certaines rgions du substrat.
Dans la plupart des cas, la 2me armature est localise sur un autre substrat. Il devient alors
ncessaire dassembler les deux composantes (collage, soudure anodique ou wafer
bonding).
La figure I. 12, illustre le principe de ralisation de ce type de gravure. Une ou plusieurs
couches structurelles sont dposes et graves la surface du silicium. Puis, en fin de procd
de fabrication, une attaque anisotrope du silicium est ralise pour librer les structures
mcaniques. Les temps de gravure sont longs (quelques heures) et les solutions utilises sont
dlicates manipuler et polluantes. (Voir figure I.13).

Figure I. 12 : Schma en coupe dune technologie de micro usinage en volume compatible


CMOS [10]
15

Chapitre I

Gnralits sur la technologie MEMS

Figure I. 13 : Exemple de structures micro-usines par gravure en volume par


FSBM [10]

I.5. La gravure anisotropique du silicium


La gravure anisotropique du silicium est une raction chimique en phase liquide entre la
solution de gravure et le silicium et dont la cintique est commande par lorientation
cristallographique des surfaces de contact. En effet la vitesse de gravure dpend de
lorientation cristallographique de la surface en contact avec la solution. Par exemple les faces
(111) du silicium ont des vitesses de gravure de plusieurs ordres de grandeurs inferieurs
celui du plan (100) [1] [5].
Les solutions les plus souvent utilises pour la gravure anisotropique du silicium sont
lhydroxyde de potassium (KOH), qui offre une trs grande anisotropie mais a le dfaut dtre
peu slectif envers laluminium ce qui pose des problmes quant aux plots de connexions
dans les technologies CMOS. De plus, la prsence dions potassium qui sont des polluants des
circuits CMOS est extrmement gnante pour la compatibilit avec les procs
microlectroniques. Les vitesses de gravure typiques du silicium dans une solution de KOH
80C sont de 1mn-1 et de 20 Angstrom.mn-1 pour loxyde de silicium.
Cette gravure a pour intrt de fabriquer des microstructures suspendues en dfinissant
simplement une ouverture vers le silicium du substrat.
On peut noter que la solution commence par consommer le plan (100) tout en formant les
plans darrts virtuels (111). Leffet de bord sur les parties convexes cre des plans (314)
16

Chapitre I

Gnralits sur la technologie MEMS

permettant de librer compltement la structure et dobtenir une cavit en forme de pyramide


inverse. Le rsultat dune telle gravure peut alors tre observ sur la photo MEB de la figure
I.14 o lon voit une structure en pont au-dessus dune cavit paramdicale.

Figure I.14: Photo MEB dune microstructure en pont obtenu par micro
usinage en volume par gravure anisotropique du silicium du substrat [1]

I.5.1 Les diffrents types de micro usinage en volume


I.5.1.1 Le micro usinage en volume face avant
Le micro usinage en volume face avant compatible CMOS permet dobtenir facilement des
structures suspendues sans tapes de lithographies supplmentaires. La figure I.15 montre les
diffrentes structures quil est possible dobtenir, une structure suspendue en forme de pont
(a), poutre (b) ou membranes suspendues par des bras de support (c).

Figure I. 15: Schma des diffrentes microstructures que lon peut obtenir par
micro usinage en volume face avant [8].
17

Chapitre I

Gnralits sur la technologie MEMS

En oprant une gravure assez longue, il est possible aussi de traverser lpaisseur du wafer de
manire laisser une masse suspendue une membrane. La figure I.16 montre une membrane
suspendue par quatre bras de support et laquelle est accroche une masse en silicium de
forme tronconique. On remarque au passage que la forme coude des bras de support est une
mthode pour retarder la gravure de la masse centrale par les effets darrtes au moment de la
gravure anisotropique. De fait la masse suspendue de ce type peut alors faire office de masse
sismique dans des applications de capteurs inertiels ou de masse thermique.

Figure I.16 : Schma dune structure masse suspendue obtenue en micro


usinage en volume face avant [1]

I.5.1.2. Le micro usinage en volume face arrire


Le micro usinage en volume face arrire ncessite quant lui une tape supplmentaire de
lithographie de manire crer un masque pour la gravure anisotropique. Cette tape de
lithographie doit tre aligne par rapport la face avant, ce qui ncessite lemploi dun
aligneur double face. De plus cette technique impose de travailler au niveau wafer et non au
niveau puce comme ctait le cas pour le micro usinage de surface en face avant. La figure
I.17 montre une membrane obtenue par gravure en face arrire, cest cette technique qui est
employe dans les capteurs de pressions ou la dflexion de la membrane suite une diffrence
de pression entre ces deux faces est mesure. Notons aussi que la cavit forme sous la
membrane peut tre forme par collage du dispositif sur une surface de silicium (wafer
bonding) et mttre ainsi une rfrence de pression dans la cavit, on a alors un capteur de
pression absolue.
18

Chapitre I

Gnralits sur la technologie MEMS

Figure I. 17 : Schma des diffrentes structures rsultantes dun micro usinage en volume
face arrire [12]

I.5.1.3. Le micro usinage en volume face avant et arrire


En combinant le micro usinage en volume face avant et arrire, il est possible dobtenir des
structures suspendues avec masse attache. Lintrt de cette mthode est que la gravure va
soprer des deux cots en mme temps ce qui va diminuer le temps de gravure ncessaire
pour suspendre compltement une masse de silicium. De plus la taille minimum des
ouvertures pratiquer sera plus petite. La figure I.18 montre un schma en coupe dune
structure masse suspendue.

Figure I.18 : Schma en coupe dune structure masse suspendue obtenue en


micro usinage face avant et arrire. [12]
19

Chapitre I

Gnralits sur la technologie MEMS

I.6. Dautres procds


Les deux technologies prcdemment prsentes sont caractristiques des procds MEMS
mais la spcialisation par rapport aux procds standards CMOS se trouve aussi dans des
utilisations spcifiques de procds standards. Que ce soit sous la forme dune introduction de
nouveaux matriaux (par exemple les matriaux pizolectrique) ou bien de paramtres
diffrents en paisseur ou prcision, lessentielle est de rester compatible pour lintgration
avec les circuits CMOS inscrits dans le wafer et qui reprsente toute la partie lectronique de
commande ou de traitement de linformation. La tendance va vers un recouvrement en termes
de prcision et de performance entre la miniaturisation des procds classiques et les
approches silicium.
Nous prsentons maintenant certains procds issus eux aussi de lindustrie du silicium et qui
possdent un intrt particulier pour les MEMS, soit par leur utilisations adapte soit par leur
translation de la microlectronique vers la miniaturisation des systmes mcanique.
I.6.1 Le CMP
Le CMP (chemical and mechanical polishing, polissage chimico mcanique) est la solution de
planarisation la plus employe. Dans le cas des microsystmes, cette tape sert principalement
pour aplanir les couches sacrificielles. En effet, le dpt des oxydes est dit conforme donc il
suit la topologie des couches prcdentes et si le procd global comprend un grand nombre
dtapes, le relief qui sensuit ainsi que les dcalages peuvent produire des dfauts ou des
disfonctionnements. Les couches doxyde sont donc aplanies pour pouvoir dposer les
couches structurelles sur une surface plutt plane. Dans certains cas, il nest pas grave que les
couches ne soient pas totalement planes, dans dautres cas, o lon doit avoir dplacement ou
frottement dune surface sur lautre, elles deviennent fonctionnelles donc la planit et ltat
de surface sont importants [13].
I.6.2. La technologie SOI
SOI signifie Silicon On Insulator. Dans cette technologie le wafer en silicium monolithique
est remplac par un wafer en trois parties : une fine couche de silicium en surface (de
quelques centaines dAngstroms plusieurs microns), une couche de matriau isolant
(typiquement une centaines dAngstrms), et le reste de substrat en silicium. Cette
technologie apporte de meilleurs performances en microlectronique : en haute frquence, par
rapport la tenue aux radiations, en temprature. De plus la consommation est rduite par
20

Chapitre I

Gnralits sur la technologie MEMS

rapport aux technologies CMOS traditionnelles. Dans le domaine des MEMS, on peut tirer
partie de cette technologie en utilisant la couche disolant souvent loxyde SiO2 comme
couche sacrificielle. Cela permet dobtenir des parties mobiles en silicium monocristallin. En
effet en effectuant une gravure anisotrope DRIE de la premire couche de silicium
monocristallin puis une gravure isotrope en phase aqueuse du SiO2, on libre les structures de
la premire couche comme le montre la figure I.19.

Figure I. 19: Schma en coupe de la technologie de micro usinage sur SOI [13]

Ces structures rsolvent certains problmes des circuits intgrs conventionnels, tels que :
- la sensibilit aux radiations,
- la consommation lectrique, due aux courants de fuite,
- le besoin dune valeur minimale de tension,
- les limitations dans lutilisation de hautes tensions.
I.7. Les techniques dintgration des microsystmes
La voie dintgration monolithique de microsystmes nest pas toujours possible et le plus
souvent il faut se tourner vers des techniques dassemblage Systme in Package (SiP). Cet
assemblage, au sens large, joue un rle trs important dans le domaine de l'lectronique pour
la miniaturisation des systmes. Son enjeu est de taille et la conception non triviale lorsque
l'on doit intgrer des systmes htrognes. En plus des contraintes d'assemblage courantes
21

Chapitre I

Gnralits sur la technologie MEMS

connues pour les circuits intgrs lectroniques, les microsystmes ncessitent souvent le
dveloppement de nouvelles pratiques d'encapsulation qui tiennent compte des spcificits
MEMS (Micro Electro Mechanical Systems).
L'assemblage de systmes complexes bnficie d'un effort de miniaturisation surfacique et
volumique prsent tous les niveaux, de l'chelle nanomtrique jusqu' l'chelle
centimtrique.
Nous allons prsenter les techniques actuelles utilises pour le conditionnement et
lintgration dune puce de silicium nue dans un systme. Nous aborderons lintgration
monolithique (System on Chip, SoC), lintgration hybride (Systme in Package, SiP) et
lintgration mergente qui propose de fonctionnaliser le support (Systme on Package, SoP).
La figure I.20, prsente une illustration de ces techniques.

Figure I.20 : Quatre techniques d'intgration de puces nues [14]

I.7.1. Intgration monolithique, Systme sur Puce, SoC


Cette technologie d'assemblage Systme sur Puce (System on Chip, SoC), illustre par un
capteur dimage Motorola Figure I.20(a), est essentiellement utilise pour la ralisation de
systmes dont la technique de fabrication est compatible avec la filire CMOS
(Complementary Metal Oxide Semiconductor) de la microlectronique. Il s'agit de
22

Chapitre I

Gnralits sur la technologie MEMS

lintgration, sur un mme substrat de silicium de structures planaires de couches minces ou


de structures volumiques de silicium ralises par attaque chimique ou plasma. Ces
techniques sont employes pour raliser des fonctions analogiques, numriques,
radiofrquences,

mcaniques

ou

optiques

afin

de

produire

des

MEMS

(Micro

ElectroMechanical Systems), des MEMS RF (MEMS Radio-Frquences), et des MOEMS


(MEMS optiques). Cette intgration ncessite un grand investissement de conception et n'est
viable que pour des systmes produits en trs grande quantit [14].
I.7.2. Intgration hybride puces nues , SiP, SoP
I.7.2.1. Chip On Board (puce sur circuit, CoB)
La mthode, la plus commune d'interconnexion est le Chip on Board : la puce silicium est
colle directement sur la carte de circuits imprims, puis relie ce dernier par soudure de fils
d'aluminium ou de fils d'or. Une rsine d'encapsulation (Glop top) peut-tre alors dispense
sur l'ensemble ou sur une partie du systme pour garantir la protection vis vis de
lenvironnement : contraintes thermiques et mcaniques. La Figure I.20 (b) reprsente un
exemple de ralisation d'assemblage CoB. La partie gauche de la figure reprsente une puce
de silicium colle directement sur le circuit imprim et la partie droite reprsente une puce
enrobe dans une rsine protectrice.
I.7.2.2. System in Package (SiP)
Il sagit dune mthode dintgration bien matrise aujourdhui. Elle consiste en lintgration
de systmes dans un botier unique. Elle permet, lorsque la technique dintgration
monolithique SoC devient trop complexe et coteuse, de regrouper moindre cot, sur un
mme substrat organique, plusieurs circuits intgrs sur silicium. Ces puces de silicium
peuvent tre associes des composants passifs, des capteurs et actionneurs. Les substrats
base de polymres souples ont apport des fonctionnalits supplmentaires : la flexibilit
mcanique et labsorption de chocs.
Les techniques de packaging
Le packaging est lun des aspects les plus importants du dveloppement des microsystmes.
Cette tape du procd de fabrication est un enjeu fondamental, en effet cela reprsente la
majeure partie du cot de fabrication ; et les dysfonctionnements causs par les dfauts de
packaging sont lorigine de 50% des disfonctionnements des MEMS.

23

Chapitre I

Gnralits sur la technologie MEMS

Les enjeux du packaging sont principalement :


- La tenue mcanique, le package doit supporter les contraintes dues aux variations de
temprature, et offrir une protection contre les chocs et la corrosion qui conduisent une
altration du scellement entre le substrat et le capot.
- La protection thermique.
- Lhermticit.
-La transmission de linformation et de lnergie avec le MEMS, et donc les questions de
connectique, lectrique ou optique.
Dans le cas de certains MEMS, le packaging est une question dautant plus importante quelle
doit apporter une garantie supplmentaire avec lhermticit. Contrairement aux circuits,
certains MEMS ne peuvent fonctionner lorsque le package emprisonne totalement la structure
dans un solide (figure I.21). Le package et le support du systme packager forment alors une
microcavit. On parle de microcavit dans le cas de packaging de MEMS. Les systmes et
leur protection sont globalement appels Systems in Package (SiP).

Figure I. 21: (a) Packaging de systme sans cavits et (b) Packaging de systme avec
cavit [15]

La technique de scellement du support du MEMS et du capot constitue un axe de recherche.


Le scellement est un lment critique, cest le lieu dinfiltrations ou de fuites et il doit
permettre la connectique (voir figure I.22). Plusieurs mthodes de scellement peuvent tre
recenses :
- Soudure directe Si-Si, ou soudure par fusion : mise en contact de 2 wafers et recuit haute
temprature.
- Soudure anodique verre-Si, mise en contact dun substrat de verre et dun wafer, la soudure
seffectue haute temprature et en prsence dun champ lectrique.
24

Chapitre I

Gnralits sur la technologie MEMS

- Soudure avec joint eutectique, base sur la temprature de fusion de lalliage Au/Si ou Al/Si
infrieure la temprature de fusion des lments spars.
- Soudure avec joint mtallique, similaire leutectique utilisant 2 mtaux, Au/Sn, Pb/Sn
- Soudure par thermocompression, liaison par application de pression et temprature
importantes entre 2 matriaux.
- Soudure avec joint de verre fritt, de type thermocompressive, utilisant le verre fritt pour
son point de fusion bas, en couche intermdiaire.
- Soudure avec joint polymre, une couche de polymre est place entre les surfaces coller,
puis subit un passage de phase liquide solide : la polymrisation, caractrise par les
proprits dadhsion du matriau.
- Encapsulation monotranche avec un film mince : Technique dencapsulation dite de couche
mince. La technique repose sur le recouvrement du MEMS par une couche sacrificielle
ensuite par une couche de polymre qui fera office de capot.

Figure I.22 : Enjeux de la technologie SiP [15]

25

Chapitre I

Gnralits sur la technologie MEMS

I.7.2.3. System on Package (SoP)


Le concept de SoP amne lide dintgrer dans le volume du substrat, jusqualors utilis
essentiellement pour les connexions lectriques, des fonctions passives telles que des
capacits, des inductances, des filtres qui participent aux fonctionnalits gnrales du
systme. La Figure I.20(d) illustre le concept dun substrat intgrant les fonctionnalits RF et
optique, la surface duquel les puces sont connectes renverses. Cette dimension
supplmentaire est forme par lempilement de couches de substrats organiques qui ont t
fonctionnaliss au pralable.
I.8. Conclusion
Nous avons prsent dans ce chapitre un descriptif des mthodes de fabrication des
microsystmes compatible avec les procds standards de la microlectronique en focalisant
principalement sur les technologies intgres permettant dobtenir des microsystmes
monolithiques. Nous avons ensuite dcrit les diffrentes technologies actuelles utilises pour
lintgration dune puce de silicium dans un systme savoir lintgration monolithique et
lintgration hybride. Nous allons maintenant entrer dans des considrations de conception de
capteurs de pression, de temprature et dhumidit.

26

Chapitre II
Etude des capteurs de pression, dhumidit
et de temprature en technologie MEMS

Chapitre II

Etude des capteurs de pression, de temprature et dhumidit

II.1 Introduction
Ce chapitre permet dintroduire les techniques mises en uvre pour la fabrication des capteurs
de pression, humidit et temprature. Nous allons rappeler brivement larchitecture gnrale
et le principe de fonctionnement de ces trois types de capteurs.
Tout dabord, un capteur est un dispositif qui transforme ltat dune grandeur physique ou
chimique observe (mesurande m) en une grandeur utilisable (signal s, le plus souvent
lectrique), tel que s=F(m). La transformation F se fait grce un corps dpreuve sensible au
mesurande qui assure une premire traduction en une grandeur physique non lectrique
(mesurande secondaire). Grace un transducteur, la mesurande secondaire est ensuite
transforme en grandeur lectrique [5].

Grandeur physique
Mesurer : mesurande(m)

Corps
dpreuve

Transducteur

Signal
lectrique
de mesure(s)

Capteur
Figure II.1: Schma de principe dun capteur.

II.2. Diffrents types de capteurs


II.2.1. Capteur de pression
La pression est un paramtre important dans de nombreuses disciplines comme la
thermodynamique, larodynamique, lacoustique, la mcanique des fluides, la biophysique,
etc. Aussi, les capteurs de pression se retrouvent dans de nombreux domaines comme tant le
premier maillon dun systme de perception, de contrle ou de mesure.
Depuis le dbut des annes 80, une demande de plus en plus forte sest fait ressentir dans des
domaines bien plus varis comme la robotique, le gnie biologique et mdical,
lenvironnement (notamment dans la mtrologie et mtorologie), la domotique et surtout
lautomobile qui reprsente le secteur qui tire le march des capteurs grce son grand
volume de production.

27

Chapitre II

Etude des capteurs de pression, de temprature et dhumidit

II.2.1.1.Dfinition dun capteur de pression


La pression, comme chacun sait, constitue une variable essentielle pour ltude mtrologique
dun milieu environnant qui peut-tre soit un gaz soit un fluide.
La mesure de cette variable est ralise laide dun capteur de pression, dispositif capable
dassocier la grandeur mesure, un signal lectrique reconnaissable appel rponse .
Nous dfinirons tout le long de ce mmoire, le capteur de pression comme tant un systme
constitu de deux parties : une partie dtection que nous appellerons Cellule sensible et
une partie traitement de linformation par lintermdiaire dun circuit lectronique que lon
peut appeler Circuit lectronique de traitement ou encore Circuit convertisseur . La
partie dtection est quant elle constitue dun corps dpreuve et dun transducteur
qui transforme la dformation de ce corps dpreuve en une grandeur physique, la plupart du
temps lectrique. Un capteur de pression peut donc tre reprsent par le schma de la figure
II.2.

Figure II.2 : Synoptique dun capteur de pression [ 16].

Les capteurs de pression connaissent, depuis les annes 80 un essor de plus en plus important,
cet essor sest surtout ressenti depuis le dveloppement des capteurs miniatures sur silicium,
cest--dire depuis lutilisation des techniques issues de la micro-lectronique.
De nos jours, la majeure partie des nouvelles cellules sensibles disponibles sur le march, est
base sur le principe de dtection de type pizorsistif. Cela signifie que la dtection de la
pression se fait par la mesure dune variation de rsistance.

28

Chapitre II

Etude des capteurs de pression, de temprature et dhumidit

Lvolution des jauges mtalliques dposes vers celles en poly silicium ou encore en silicium
dop, directement implantes dans le corps dpreuve, a permis ces composants datteindre
de trs bonnes performances et donc de monopoliser le march [17].
En dpit de leurs avantages (bonne prcision, faible non linarit, lectronique associe
simple et pas ncessairement proximit), ces composants sont extrmement sensibles la
temprature et ncessitent un circuit de compensation spcifique, ce qui lve
considrablement leur prix de revient unitaire.
Un autre type de capteur est bas sur la dtection capacitive dont les avantages potentiels sont
une grande sensibilit la pression et une faible sensibilit la temprature [16].
Le principe de dtection de ces structures capacitives est bas sur la variation dune capacit
qui peut tre aussi bien lie celle de la surface des lectrodes en regard qu celle de la
distance entre les lectrodes (le plus courant), ou encore celle de la permittivit du
dilectrique [3]. La figure II.3 reprsente les deux types de capteur.

Figure II.3 : (Droite) capteur de pression pizoresistif, (gauche) capteur de pression


capacitif [18].

II.2.1.2.Capteur de pression capacitif


II.2.1.2.1. Principe de fonctionnement
Les capteurs tudis comportent une armature plane fixe et une armature plane dformable.
En labsence de pression diffrentielle entre les deux faces de la membrane, les armatures sont
parallles [19].

29

Chapitre II

Etude des capteurs de pression, de temprature et dhumidit

Figure II.4 : Capteur de pression capacitif au repos [19]

En labsence de pression applique, la capacit intrinsque de la cellule est celle dun


condensateur plan. Elle est donc dfinie par :
Ci (0) o

A
d

(II.1)

o : o reprsente la permittivit lectrique du vide, A laire de la surface des lectrodes en


regard cest--dire laire de larmature fixe, et d la distance entre les armatures.
Pour simplifier lcriture, la capacit dfinie pression nulle Ci(0) sera note Cio dans ce qui
suit.
Ci ( p)

dA
d w( x, y, p )

(II.2)

o dA est un lment de surface de larmature fixe et w(x,y,P) reprsente la dflexion de la


membrane en fonction de la pression au point de coordonnes (x,y) ; lorigine du repre tant
dfinie au centre gomtrique de la face infrieure de la membrane P = 0.
Autrement dit, lorsque la pression extrieure augmente, la distance inter-armatures diminue,
et par suite, la capacit augmente [20].

Figure II.5 : Capteur en fonctionnement [16]


30

Chapitre II

Etude des capteurs de pression, de temprature et dhumidit

II.2.1.3.Capteur de pression pizorsistif


Depuis 1954, o leffet pizorsistif a t dcouvert dans le Silicium, la dmarche pour
mesurer la pression a chang et de nouveaux dispositifs avec des performances remarquables
sont apparus sur le march. Grce au dveloppement des micros technologies, une nouvelle
famille de capteurs de pression pizorsistifs miniatures sest ainsi progressivement impose
pour de nombreuses applications.
Mme si le principe de fonctionnement des capteurs de pression pizorsistif en silicium reste
le mme depuis de nombreuses annes, loptimisation des capteurs pour une application
donne reste toujours une tape couteuse [17].
Nous allons prsenter le principe de fonctionnement dun capteur de pression pizorsistif
micro usin sur silicium. Le micro usinage en volume pour dfinir le corps dpreuve sera
dcrit. Le positionnement des jauges pizorsistives et la dfinition dun pont de Wheatstone
sont prsents.
II.2.1.3.1.La piezorsistivit
La piezorsistivit se manifeste par un changement de la conductivit lectrique dun corps
lorsque celui-ci est soumis des contraintes mcaniques et donc des dformations cette
proprit physique fut dcouverte par Sir lord kelvin en 1956 dans le cas de mtaux, dans le
cas des semi conducteurs leffet est cent fois plus prononc que pour les mtaux permettant
lexploitation de ce phnomne physique dans le domaine des facteurs intgrs [12][21].
La piezorsistivit se traduit par un changement physique du volume du matriau d des
contraintes mcanique sur celui-ci [3].
Un choix judicieux des matriaux
La qualit dun capteur jauges de contraintes passe tout dabord par un choix de matriaux
adapts pour le corps dpreuve, le support isolant et la jauge elle-mme [22].
La tendance naturelle consiste choisir des matriaux se prtant des dformations
importantes, afin dobtenir des signaux de grande amplitude. Il faut alors viter daller aux
limites dlasticit des matriaux afin de saffranchir des risques de dformations permanentes
voire de ruptures.
Il existe deux types de jauges de contraintes : les jauges pizorsistives (ou semiconducteurs) et les jauges mtalliques [20].
31

Chapitre II

Etude des capteurs de pression, de temprature et dhumidit

La jauge
Diffrents critres doivent tre pris en compte, parmi lesquels le facteur de jauge, la rsistance
la fatigue, laptitude au soudage et la tenue en temprature. Les principaux matriaux
pouvant servir dans la ralisation de capteurs jauges de contraintes se distinguent par leur
comportement thermique, leur rsistance la fatigue ainsi que par leurs proprits de linarit
et dhystrsis.
-le poly silicium ne possde pas de structure cristalline propre puisque il est form dun
agglomrat de grains prsentant chacun une direction cristallographique particulire de plus
les phnomnes de conduction au niveau des joints de grains semblent apporter une grande
influence sur la rsistivit globale dun conducteur form de poly silicium, ce dernier possde
une rsistivit relativement leve par rapport celle dun mtal (20.cm contre 10,6.cm
pour le platine par exemple) [23].
- Constantan (alliage cuivre-nickel): cest lalliage le plus courant. Il offre une bonne aptitude
au soudage et peut tre utilis jusqu 200 C.
- Karma (alliage nickel-chrome): par rapport lalliage prcdent, le karma prsente une
sensibilit plus importante pour une contrainte similaire et sur le mme corps dpreuve. Il
offre aussi de meilleures performances haute temprature (jusque vers 350 C).
- Platine-tungstne 92 % Pt, 8 % W : ce matriau est le plus cher, mais il prsente la meilleure
rsistance la fatigue, la gamme de temprature la plus large et un facteur de jauge lev de
4,6. Il reste cependant employ pour des applications trs spcifiques.
II.2.1.3.2. Facteur de jauge
Alors que les coefficients pizorsistifs longitudinaux et transversaux expriment la variation
de rsistivit lectrique en fonction des contraintes mcaniques les facteurs de jauge [12]
lexpriment en fonction des dformations du conducteur en tenant compte des considrations
gomtriques. La dfinition des facteurs de jauges sappuie sur lexpression fondamentale
donnant la rsistance lectrique R dun conducteur en fonction de la gomtrie et de sa
rsistivit comme le montre la figure II.6 [1].

32

Chapitre II

Etude des capteurs de pression, de temprature et dhumidit

Figure II.6 : Systme daxe utilis pour le calcul de la rsistance lectrique des
jauges de contraintes [12]

(R) rsistance du matriau, () sa rsistivit, (L) sa longueur, (e) son paisseur.


Le fonctionnement des capteurs jauges de contraintes est fond sur la variation de rsistance
lectrique de la jauge proportionnellement sa dformation. Cest le coefficient ou facteur de
jauge k qui traduit cette proportionnalit, suivant la relation :

R
L
K
R
L

(II.3)

K est une constante qui dpend des matriaux considrs et de la temprature. Elle caractrise
la sensibilit de la jauge. Pour les jauges mtalliques, k est proche de 2. Pour les jauges semiconductrices, la valeur absolue de k est 50 fois plus grande. Ces dernires ont donc une
sensibilit bien suprieure aux jauges mtalliques. Cependant, elles ont une linarit infrieure
et sont plus sensibles aux effets de la temprature.
II.2.1.3.3. Principe de fonctionnement
Un capteur de pression piezorsistif membrane est un capteur composite (figure II.7).
Une membrane en silicium oxyde de quelques millimtres de ct et quelques microns
dpaisseur recouverte doxyde constitue le corps dpreuve qui se dforme sous leffet dune
pression applique. Des jauges piezorsistives en surface constitue le corps dpreuve forme
un conditionnement passif. La dformation de ces jauges se transforme en variation de
rsistance.

33

Chapitre II

Etude des capteurs de pression, de temprature et dhumidit

Figure II.7 : Structure dun capteur de pression pizorsistif membrane

Pour avoir une sensibilit leve le conditionneur du capteur peut tre constitu de deux
jauges longitudinales et deux jauges transversales disposes en bordures de membrane et
interconnectes en pont de Wheatstone par des pistes daluminium [24], (la figure II.8).

Jauge

Pression

Figure II.8 : Schma en coupe dun capteur piezorsistif membrane de type SOI [5].
Bien que les facteurs de jauge du poly silicium soient infrieurs ceux du silicium
monocristallin [5], le poly silicium prsente lavantage de pouvoir tre dpos faible cot
sur diffrents types disolants par PECVD ou plus gnralement par LPCVD ltat amorphe
ou cristallin.
La rsistivit du silicium poly cristallin est galement suprieure et plus fortement dpendante
du dopage que celle du silicium monocristallin. Cette proprit permet de rduire la taille des
jauges pour les positionner dans les zones de forte dformation du corps dpreuve tout en
gardant des valeurs de rsistance leves.
Le corps dpreuve est ralis par gravure chimique anisotrope localise du silicium en rgle
gnrale les solutions de gravure anisotrope sont des solutions alcalines haute temprature
34

Chapitre II

Etude des capteurs de pression, de temprature et dhumidit

qui pressentent la proprit dattaquer plus vite les plans (100) du silicium que les plans (111)
[40]. Les gravures anisotropes permettent de contrler prcisment les dimensions latrales
des structures micro usines une couche de passivation (oxyde ou nitrure) ouverte par endroit
par la technique de photolithographie est utilise comme masque.
En partant de substrats silicium orients [100], cette mthode permet dobtenir des
membranes de forme gomtrique simple, carr ou rectangle voir figure II.9.

Figure II.9 : Diffrentes gomtrie des membranes [25].

II.2.1.3.4. Positionnement de jauges pizorsistives sur le corps dpreuve


Pour obtenir un capteur de pression sensible les jauges pizorsistives en surface du corps
dpreuve doit tre disposes aux endroits o celui-ci se dforme le plus sous pression comme
le montre la figure II.10. Ces zones sont situes sur les axes mdianes de la structure prs des
bords de la membrane [24].
La figure schmatise une membrane dforme sous leffet dune pression applique sur sa
face suprieur. Une jauge longitudinale JL est parcourue par un courant parallle de la
dformation X, sa rsistance augmente (facteur de jauge longitudinale positif).
Une jauge transversale JT est parcourue par un courant I perpendiculaire la dformation y sa
rsistance diminue (facteur de jauge transversal ngatif). Pour un montage en pont de
Wheatstone complet deux jauges de chaque type sont ncessaires et doivent avoir la mme
valeur de rsistance au repos pour que la tension de dcalage du pont (offset) soit nulle.

35

Chapitre II

Etude des capteurs de pression, de temprature et dhumidit

Figure II.10 : Schma de principe du positionnement des jauges piezorsistives [5].

Le pont de Wheatstone est le circuit le mieux adapt pour la mesure de petite variation de
rsistances lectriques telles que rencontres lors de lutilisation de jauges de dformation
(figure II.11).

Figure II.11 : Capteur de pression pizorsistif avec quatre rsistances connectes


un pont de Whetstone [25].
Wheatstone [39].
II.2.2. Les Capteurs de temprature
Plusieurs choix technologiques sont possibles pour lintgration dlments de mesure de
temprature et de chauffe. Nous distinguerons les dtecteurs de temprature de type
rsistance, les thermocouples et les capteurs jonction semi-conductrice [14]. La technologie
de type rsistance est la plus communment utilise du fait de sa facilit de fabrication et de
lvolution linaire de ces rsistances avec la temprature. Diffrentes approches ont t
36

Chapitre II

Etude des capteurs de pression, de temprature et dhumidit

dveloppes ces dernires annes, pour lesquelles la nature du matriau varie (mtal,
polysilicium,..) ainsi que la nature du support (silicium, membrane dilectrique, verre,) et la
gomtrie de la rsistance. En particulier, le platine et le Polysilicium dop sont les plus
utiliss car ils prsentent une forte stabilit dans les cycles en temprature, une bonne
conductivit thermique, ce qui assure une uniformit de la temprature intrinsque de
llment chauffant, un coefficient en temprature constant et relativement lev qui permet
aisment dobtenir une mesure en temprature en contrlant les variations de la rsistance.
II.2.2.1. Les thermocouples
Le principe de la mesure par thermocouple est le suivant : deux mtaux A et B, de nature
diffrente, sont relis par deux jonctions (formant ainsi un thermocouple) aux tempratures T1
et T2 (figure II .12). Par effet Seebeck, le thermocouple gnre une diffrence de potentiel qui
dpend de la diffrence de temprature entre les jonctions, T1-T2. Pour mesurer une
temprature inconnue, l'une des deux jonctions doit tre maintenue une temprature connue,
par exemple celle de la glace fondante (0C). Il est galement possible que cette temprature
de rfrence soit mesure par un capteur (temprature ambiante, par exemple). La mesure de
temprature est donc une mesure indirecte, puisque les thermocouples mesurent en fait une
diffrence de potentiel lectrique [18]. Il est donc ncessaire de connatre la rponse du
thermocouple utilis en fonction de la temprature pour pouvoir relier la diffrence de
potentiel lectrique la diffrence de temprature [1].

Figure II.12 : Principe de leffet Seebeck et du thermocouple [1].

Ce phnomne permet de dfinir un coefficient pour chaque thermocouple et ainsi assurer la


conversion de la mesure de tension en mesure de diffrence de temprature. On peut ainsi, si
lon connat le coefficient Seebeck des deux matriaux, remonter la temprature du milieu.

37

Chapitre II

Etude des capteurs de pression, de temprature et dhumidit

De nouveaux types de thermocouples ont vu le jour avec lvolution technologique permettant


lintgration de ce type de capteur dans les dispositifs.
La technologie film mince permet lintgration du thermocouple Cu/CuNi (rsistance 5k) et
dun lment chauffant en CuNi (rsistance 600 ). Dans lair, les tensions mesures varient
entre 20 et 450mV. Pour une tension de sortie de 100mV, il est mesur une puissance dentre
de 36MW [26]. La figure II .13 reprsente ces thermocouples.

Figure II.13 : Topologie de surface des thermocouples Cu/CuNi sur membrane [26].

II.2.2.2. Les capteurs jonction semi-conductrice


Les diodes peuvent donc tre utilises comme capteurs de temprature. Comme le montre la
figure II.14, en fonctionnement en direct et courant constant, la chute de tension travers
une diode silicium dcrot quand la temprature de la diode augmente. La chute de tension est
proportionnelle linverse de la temprature absolue de la diode sur une large gamme de
temprature. Gnralement les diodes silicium ont une chute de tension de 0.7volts. A
temprature ambiante, la sensibilit en temprature dune diode est de -2mV/C. Chaque
diode doit tre calibre afin de dterminer la relation chute de tension-variation de
temprature qui la caractrise [27].

38

Chapitre II

Etude des capteurs de pression, de temprature et dhumidit

Figure II.14 : Reprsentation schmatique dune caractristique courant-tension


dune diode silicium [28].

Y.Han [28] propose un rseau de 32x32 diodes (1024 diodes) pour la dtection de temprature
sur une surface de 8x8mm et fabriqu en technologie VLSI (Very Large Scale Integration)
comme le montre la figure II.15. La dimension dune diode est de 50x50m. Pour
comparaison les thermocouples commerciaux ont des paisseurs de 100m : il est donc
impossible de placer un grand nombre de ces thermocouples sur de petites surfaces. De mme
si lon utilise des capteurs de temprature de type rsistance, il faut pour chaque lment deux
fils damene et deux plots dinterconnections pour transfrer les signaux. Par exemple, pour
mesurer la temprature en 1000 points sur une petite surface, il faudrait 2000 fils et plots. Si
lon utilise le principe du rseau de diodes et si lon veut mesurer la temprature en 1024
points, 64 plots dinterconnections suffisent au lieu de 2048 avec les rsistances.

Figure II.15 : Vue du rseau de diodes capteurs de temprature [28].


39

Chapitre II

Etude des capteurs de pression, de temprature et dhumidit

II.2.2.3. Capteur de temprature de type rsistance


La technologie de type rsistance est la plus communment utilise du fait de sa facilit de
fabrication et de lvolution linaire de ces rsistances avec la temprature. En particulier, le
platine est un matriau populaire pour la ralisation de plaques chauffantes [29]: il supporte
de fortes densits de courant, il est fortement rsistant loxydation et il peut oprer des
tempratures de 550C-600C [26] sans changement structurel. Il est adapt la dtection de
temprature car son coefficient de temprature de la rsistance (TCR) est stable. En effet son
dpt est maitris, on utilise gnralement les procds CVD (vaporation ou pulvrisation
cathodique) ou encore des dpts lectrolytiques : suivant les mthodes employes, on
conditionne les caractristiques intrinsques du matriau [27].
Le Platine est connu pour son comportement stable en temprature (TCR ~38x10-4 C pour le
Platine pur) rsistivit lectrique (2,96.10-7.m) et son coefficient de tempature ( = 1,6.103

C-1) [48], ce qui le rend particulirement intressant pour la ralisation de rsistances

chauffantes et pour la mesure de temprature. Cependant sa temprature limite est un


handicap ainsi que le fait quil nest pas compatible avec les technologies CMOS [30], aussi
une faible adhsion sur les matriaux isolants (SiNx, Si3N4, SiO2,) il est ncessaire de
mettre en oeuvre une couche daccrochage avant son dpt [31]. Nous allons dans cette partie
donner un aperu de ces diffrentes technologies en mettant laccent sur les potentialits de
chacune de ces filires selon les applications vises.
Si la rsistance lectrique dun matriau varie avec la temprature, le capteur rsultant est
appel thermomtre rsistance (RTD). Dans le cas de mtaux la rsistance lectrique crot
avec la temprature [32]. La figure II.16 reprsente la structure dun capteur de temprature
compose dun substrat, un oxyde, un mtal qui va capter la temprature et de lair.

40

Chapitre II

Etude des capteurs de pression, de temprature et dhumidit

Air
Mtal

Oxyde

Silicium

Figure II.16 : Structure dun capteur de temprature.

La plupart des mtaux prsentent un coefficient de temprature de la rsistivit de l'ordre de


3,4.10-3/C. Trois matriaux sont principalement utiliss l'tat de rsistance en raison, d'une
part, de leur linarit et d'autre part, de leur facilit de mise en oeuvre : ce sont le cuivre, le
nickel et le platine. Les valeurs normalises 25C, sont 50 pour Ni et 100 pour Pt.
(voir figure II.17).

Nickel
Platine
Nickel alli

Cuivre

Figure II.17 : Evolution de la rsistance relative en fonction de la temprature pour


les matriaux exploit [27]

41

Chapitre II

Etude des capteurs de pression, de temprature et dhumidit

Dans lapplication de capteur de flux L. Schler [33] montre des rsistances de Platine
fabriques sur des substrats de verre et intgres dans un canal en rsine poxy Su-8 (figure
II.18. J.Courbat [34] tudie diffrents mtaux que sont le PtTa, PtTaSi et IrPtTa ainsi que
linfluence de la couche de Tantale (Ta) sur les performances en fiabilit haute temprature.
Compar une couche dadhrence en Ti, le Tantale est compatible avec le dpt de Si3N4
par LPCVD, ce qui procure des plaques chauffantes ayant des membranes plus robustes, et sa
diffusion est moindre dans le Platine.

Figure II.18 : Capteurs de flux Platine intgrs dans un canal [33].

Dans lapplication de capteur de temprature, P. Ginet [35] tudie la faisabilit de


microrsistances chauffantes libres. Les rsistances sont ralises base de verre et
d'oxydes mtalliques, elles ont longtemps t une des voies d'applications de la
microlectronique hybride. Pour augmenter la rsistivit de l'argent, une couche de platine a
t dpose sur la couche d'argent. La rsistance est srigraphie sur un substrat d'alumine.
Afin d'avoir une meilleure reproductibilit au niveau de la fabrication, seize chantillons
identiques ont t raliss collectivement sur une plaquette (1'1') prdcoupe au laser
(figure II.19).

42

Chapitre II

Etude des capteurs de pression, de temprature et dhumidit

Figure II.19 :(a)Microrsistance chauffante libre, (b) des rsistances chauffantes [35]

Dautres matriaux, peuvent tre utiliss pour la fabrication de microplaques chauffantes


base de rsistances Platine. D. Briand [36] propose une plaque chauffante sur membrane
Polyimide dpose soit sur du silicium soit sur du Polyimide (figure II.20): ces dernires sont
plus robustes et plus adaptes lintgration de films mtal-oxyde. Pour une membrane
Polyimide sur silicium de 1.5mm de large et 9m dpaisseur, la puissance consomme est de
66mW 325C.

Figure II.20 : Plateforme sur substrat : mtallisations sur une face


du substrat [36]
Linconvnient majeur de ce type de matiau (polyimide) est sa limitation en temprature
350C ; ce qui limite ses performances en termes de dtection et de dsorption [31].
Pour ce qui est de linfluence de la gomtrie, on peut noter, par exemple, les travaux de
P.Menini [16] sur linfluence de la forme de la membrane dilectrique et de la rsistance

43

Chapitre II

Etude des capteurs de pression, de temprature et dhumidit

chauffante. Le passage dune membrane SiO2/SiNx carre de 2m dpaisseur une


membrane circulaire de 1.4m dpaisseur, ainsi que dune rsistance Ti/Pt de forme
serpentin une forme circulaire (figure II.21) permet une diminution de 30% de la puissance
consomme (53mW 300C contre 37mW 300C). Lamlioration concerne galement la
tenue mcanique de la membrane, lhomognit en temprature et la stabilit long terme
hautes tempratures. La micro plaque chauffante dveloppe atteint les 600C avec une
puissance consomme de 70mW seulement.

Figure II.21: Comparaison entre une gomtrie de membrane et de


rsistance chauffante carre et circulaire [31]

II.2.3. Capteur dhumidit


L'humidit exprime la prsence d'un mlange d'air sec et de vapeur d'eau dans l'air ambiant.
Quand on parle de mesure d'humidit, on fait allusion au taux d'humidit exprim en % qui
correspond l'humidit relative. Le taux d'humidit est troitement li d'autres grandeurs
physiques, telles que la temprature et la pression.
Lhumidit dans un volume V d'air est gnralement exprime partir d'un des trois
paramtres suivants:

Le rapport de mlange: Not r et exprim en g/Kg, il exprime le rapport des masses


Mv de vapeur d'eau et Ma d'air sec temprature constante. Cette grandeur est la
rfrence en humidit. Elle exprime l'humidit absolue. Dtermination extrmement
dlicate du fait des trs faibles quantits de vapeur d'eau mises en jeu.

44

Chapitre II

Etude des capteurs de pression, de temprature et dhumidit

L'humidit relative: On appelle pression de vapeur saturante Ps(T), la valeur maximale


que peut atteindre la pression partielle Pv de la vapeur d'eau la temprature T. Au
del, une partie de cette vapeur se condense (apparition d'eau liquide). L'humidit
relative s'exprime (en pourcentage) par la relation: HR %=100 (Pv/ Ps(T))

La temprature de rose: C'est la temprature laquelle il faut refroidir, pression


constante, une masse M d'air humide pour atteindre la saturation. La connaissance de
cette temprature permet de dterminer le taux d'humidit de l'air. Ceci, grce
l'utilisation de tables et de diagrammes. Exemple : Un air 30C et 20% HR a son
point de rose 3C. Le point de rose reprsente la temprature laquelle la pression
de vapeur est gale la pression de vapeur saturante. La figure II.22 prsente les
courbes de point de rose pour diffrents gaz [37].

Figure II.22 : Points de rose exprimentaux et modliss selon [37]


II.2.3.1. Types de capteurs dhumidit
Le taux dhumidit, avec la temprature comptent parmi les grandeurs physiques les plus
frquemment mesures, de par linfluence de ces paramtres sur le fonctionnement des
systmes [38], ce jour, on distingue les capteurs capacitifs, rsistifs, hygromtriques,
gravimtriques, et optiques [39].
45

Chapitre II

Etude des capteurs de pression, de temprature et dhumidit

II.2.3.1.1. Capteur optiques


Ces capteurs reposent gnralement sur lutilisation de fibres optiques. Leur principe est bas
sur la variation des proprits physiques dun composant de la fibre sous linfluence de
lhumidit, cela se traduit soit par une variation de lintensit lumineuse transmise, une
variation du spectre de fluorescence, ou une variation dindice doptique qui permettent des
mesures par rflectomtrie, ce sont des systmes peu encombrants, ils peuvent prsenter des
temps de rponse en dessous de la minute, ils sont chimiquement stables et peu sujets aux
perturbations lectromagntiques. Ils sont en revanche couteux et lourds concevoir et
intgrer. [40].
Un exemple de capteur utilisant une fibre diffraction de Bragg est prsent [41], utilisant
une gaine de polyamide en tant que matriau sensible. Labsorption dhumidit provoque une
variation dindice optique de la gaine et une variation de la longueur donde de Bragg.
II.2.3.1.2. Capteurs gravimtriques
Ces capteurs reposent gnralement sur le principe de la variation de masse dune couche
sensible expose une variation du taux dhumidit. Ces capteurs utilisent gnralement une
microbalance quartz pour dtecter la variation de masse. La mesure est alors effectue en
mesurant la variation de frquence de rsonnance du quartz, matriau pizorsistif, excit par
un signal lectrique. La rsolution de ces microbalances atteint les quelques nanogrammes par
cm de surface expose.
Un exemple de capteur utilisant une microbalance quartz est prsent figure II.23, [42]. Ce
dispositif ne comporte pas de matriau sensible.
Il est associ un refroidissement par Peltier pour abaisser la temprature du Quartz, et
atteindre le point de rose. Leffet Peltier ou thermolectricit est le transfert de chaleur entre
deux conducteurs de nature diffrente lorsquils sont parcourus par le mme courant. La
condensation provoque une apparente variation de masse du quartz. Par talonnage, le taux
dhumidit est dtermin par le dlai entre lactivation du module Peltier et la dtection de
variation de frquence de rsonnance de la microbalance.

46

Chapitre II

Etude des capteurs de pression, de temprature et dhumidit

Figure II.23 : Capteur dhumidit gravimtrique avec module Peltier [42]

II.2.3.1.3. Capteurs hygromtriques


Le principe de transduction repose sur la dformation dun solide : membrane, cheveu
aprs absorption dhumidit [43]. Lavantage de cette technique de transduction est quelle
nest pas sujette la drive en temprature, le matriau est gnralement fiable sur une longue
dure.
Un exemple de capteur hygromtrique est prsent [43], dans cette tude, les auteurs utilisent
un cheveu comme matriau sensible. Un chantillon de matriau sensible de 25 cm de
longueur prsente une variation de 1.5 mm entre 1 % et 100 % HR. La transduction repose sur
lintensit lumineuse module par un cache solidaire du cheveu. La dilatation ou contraction
du cheveu selon quil absorbe ou relche de lhumidit dplace le cache et influe sur la
quantit de lumire transmise par le dispositif. La figure II.24 (a) montre que lorsque le
systme est bien ajust, la variation relative de photocourant par rapport la dilation du
cheveu entre 0 et 100% RH varie de 0 100 ; la variation nest cependant pas linaire.

47

Chapitre II

Etude des capteurs de pression, de temprature et dhumidit

Dilatation
du cheveu

Humidit relative RH
Figure II.24 : Capteur dhumidit hygromtrique : (a) Variation relative de lintensit du
photocourant transmis par rapport la dilatation du cheveu (b)
Schma de principe du capteur [23].
II.2.3.1.4. Capteur rsistif
Les capteurs rsistifs sont bass sur le changement dimpdance dune couche sensible aprs
absorption dhumidit. Trois types de matriaux sont gnralement utiliss : cramiques,
polymres et lectrolytes [38].
Un exemple de capteur dhumidit rsistif (Figure II.25) [44] : Le matriau sensible utilis est
un trioxyde de tungstne, prpar par sol-gel et dpos sur les rsistances ddies la
transduction, le capteur comporte des rsistances chauffantes pour lvacuation de lhumidit
dans la couche sensible.

Figure II.25 : Capteur rsistif avec un film sensible de WO3, et le principe du circuit
dinstrumentation avec amplificateur oprationnel [44].
48

Chapitre II

Etude des capteurs de pression, de temprature et dhumidit

II.2.3.1.5. Capteurs capacitifs


Les capteurs dhumidit capacitifs sont des condensateurs deux bornes. La valeur de la
capacit augmente quand des molcules deau sont absorbes dans son polymre dilectrique
actif. Le principe de ce capteur est bas sur la variation de la capacit dune couche
dilectrique expose un changement du taux dhumidit. Il reprsente la majeure partie des
systmes dots dun capteur dhumidit [45] [46] [47].
La valeur de la capacit peut se mettre sous la forme suivante :

s
e

(II.4)

C : capacit en Farad.
: Permittivit relative du dilectrique.
S : surface des armatures.
e : paisseur du dilectrique.

Figure II.26 : capteur dhumidit capacitif [48].


Les tudes portent principalement sur deux aspects :
- les proprits hygroscopiques du matriau sensible, ou la facult dun matriau prsenter
une constante dilectrique sensible la prise dhumidit.
- la configuration des lectrodes dispose pour gnrer le champ lectrique, ou comment
optimiser la diffusion de lhumidit (obstrue par les lectrodes) avec une distribution du
champ lectrique aussi uniforme que possible [49].
Exemple de capteur dhumidit capacitif en Si poreux [45]. Ce capteur a t ralis sur du
silicium poreux. Le principe du capteur repose sur un dpt dlectrodes mtalliques
Cr/Au/Cr la surface dune couche de Si poreux paisse de 1 m (Figure II.27). Llectrode
49

Chapitre II

Etude des capteurs de pression, de temprature et dhumidit

consiste en un maillage de la couche mtallique. Une thermistance est incluse pour permettre
lvacuation de lhumidit.

Figure II.27: Capteur dhumidit (gauche) et sa rponse en fonction du taux


dhumidit droite [45].

Soen Dahl Petersen [28] a propos un capteur dhumidit capacitif en utilisant un substrat de
silicium et un polyamide comme matriau sensible. Ming. Y [47] a utilis un oxyde de cobalt
comme matriau sensible. Le principe de ce type de capteur est bas sur la variation de la
capacit d'un condensateur par l'intermdiaire de sa constante dilectrique. Le dilectrique,
d'une paisseur de quelques microns, absorbe les molcules d'eau de l'air ambiant jusqu'
lquilibre. La figure II.28 schmatise le capteur dhumidit capacitif.

Figure II.28 : Capteur dhumidit [50]

50

Chapitre II

Etude des capteurs de pression, de temprature et dhumidit

Un autre exemple de capteur dhumidit capacitif (Figure II.29) [51] : Le matriau sensible
utilis est un polyimide, dpos sur les rsistances ddies la transduction. Le capteur
comporte des rsistances chauffantes pour lvacuation de lhumidit dans la couche sensible.
Le principe de ce capteur est bas sur la variation de la capacit dune couche dilectrique
expose un changement du taux dhumidit [52].

Figure II.29 : Capteur capacitif avec polyimide comme film sensible et le principe du
circuit dinstrumentation avec oscillateurs. Le capteur comporte des rsistances
chauffantes pour lvacuation de lhumidit dans la couche sensible [51].

II.3. Conclusion
Nous avons pass en revue diffrents types de technologies permettant de dvelopper soit des
capteurs de pression soit des capteurs dhumidit et soit des capteurs de temprature.
La majeure partie des nouvelles cellules sensibles disponibles sur le march pour la dtection
de la pression est base sur le principe de dtection de type piezorsistif vu la compatibilit de
cette structure avec la technologie silicium. Pour la dtection de la temprature, la technologie
de type rsistance est la plus communment utilise du fait de sa facilit de fabrication et de
lvolution linaire de ces rsistances avec la temprature, en particulier le platine est un
matriau populaire pour la ralisation dun capteur de temprature. La plupart des capteurs
dhumidit existants sont de types capacitif ou rsistif cause de la simplicit de fabrication
de ces dispositifs. Les autres systmes sont gnralement plus performants en sensibilit et
temps de rponse mais plus lourds mettre en uvre et donc plus coteux.

51

Chapitre III
Etude dune structure multi capteur

Chapitre III

Etude dune structure multicapteur

III.1 Introduction
Lintrt de la microlectronique pour la technologie des micros capteurs se situe surtout dans
lexploitation des procds et des quipements associs. La mise au point dune filire
technologique de fabrication demande de dfinir des oprations technologiques successives
indpendantes et compatible entre elles [23].
Dans ce chapitre, aprs un rappel sur la technologie existante utilise pour la fabrication des
films mince, nous allons faire une tude sur les trois types de capteur savoir le capteur de
pression, humidit et temprature, nous allons exposer le dveloppement dune technologie
dlaboration de membrane sur silicium micro-usin, on passera ensuite ltude de leffet de
lhumidit sur les polymres en prsentant quelques notions sur lhumidit relative et sa
diffusion dans un polymre.
.
III.2. Rappel de la technologie de base
En gnral, la fabrication dun dispositif consiste mettre en uvre un ensemble dtapes
technologiques lmentaires dans des squences prcises. Llment de dpart est le substrat
qui prsente un matriau bien dfini.
A la surface de ces substrats seront dposs des films en couche mince par lune des
diffrentes techniques de dposition. Diffrents matriaux peuvent tre dposs, tels que
loxyde de silicium, nitrure de silicium, mtaux, etc.
Aprs dposition, le film est, soit dop pour modifier ses proprits lectriques, soit subit un
procd de photolithographie. Cette dernire opration a pour but de transfrer sur le film des
motifs ayant la forme gomtrique des composants raliser. La gravure sert liminer les
parties du film ou du substrat non dsires pour obtenir des structures [1]. Certaines tapes
peuvent apparatre plusieurs fois [23]. Dans la technologie semi-conductrice, le dpt de
matriaux en couche mince est une tape trs importante dans la ralisation. La nature du
matriau dposer dpend de la fonction remplir.
III.2.1.Le substrat
Llment de dpart est le support sur lequel sera ralis le dispositif. Le support est un
substrat de silicium (Si), avec des paramtres spcifiques qui vont servir son identification :
Orientation, paisseur, dopage, polissage, etc. Le silicium peut tre considr comme le
matriau rgnant, encore aujourdhui et depuis prs de 50 ans, sur le monde de la
52

Chapitre III

Etude dune structure multicapteur

microlectronique. Il est en fait llment principal utilis pour la fabrication de la majeure


partie des composants de la microlectronique. Ses proprits de semi-conducteur et celles
particulirement remarquables de la facilit de croissance de son oxyde, le SiO2, contribuent
considrablement la multiplication et lamlioration des performances des circuits intgrs
[9] [53].
La premire tape consiste nettoyer le substrat, tape trs importante pour la suite des
oprations. Elle consiste liminer pratiquement toutes les contaminations pouvant causer des
problmes lors du processus de fabrication. A la surface de ces substrats seront dposs des
films en couches mince par lune des diffrentes techniques de dposition [7].
III.2.2. Oxydation du silicium
Loxydation thermique est une mthode permettant dobtenir des films doxyde de trs bonne
qualit. Cest grce cette proprit spcifique que le silicium, qui n'est pas priori un trs
bon semi-conducteur, est devenu le matriau le plus utilis en microlectronique. Cest une
tape commune beaucoup de procds technologiques [53]. Elle peut se faire sous flux
doxygne (oxydation sche) ou doxygne charg de vapeur deau (oxydation humide) des
tempratures gnralement comprises entre 900C et 1200C [5].
III.2.2.1. Importance de loxydation du silicium
La voie doxydation est rserve au silicium, ce matriau a en effet un excellent oxyde : la
silice ou oxyde de silicium SiO2, peut servir [6]:
- de masque d'implantation ou de diffusion de dopants,
- de couche passivante la surface du silicium,
- de zones d'isolation entre diffrents composants d'une structure intgre,
- d'isolation lectrique entre des couches adjacentes pour amliorer l'intgration et la
diminution des dimensions,
- d'isolation lectrique entre les diffrents niveaux de mtallisation ou de couches
conductrices en silicium poly cristallin fortement dop.

53

Chapitre III

Etude dune structure multicapteur

III.2.2.2. Principe de loxydation thermique


Lopration seffectue thermiquement en plaant des substrats de silicium dans un four port
des tempratures de lordre de 1000C dans lesquels on fait circuler de loxygne sec ou
humide ou de la vapeur deau [24]. Lopration doxydation thermique consiste oxyder le
silicium depuis la surface du substrat pendant un certain temps dpendant de lpaisseur de la
couche doxyde dsire. La couche de silicium initial ragit avec llment oxydant pour
former le SiO2, on va ainsi consommer du silicium. L'interface Si/SiO2 va donc se retrouver
"au-dessous" de la surface initiale. Un calcul simple montre que la fraction d'paisseur situe
"au-dessous" de la surface initiale reprsente 46% de l'paisseur totale de l'oxyde ; la fraction
"au-dessus" reprsente donc 54% comme reprsent dans la figure III.1 [53].

Figure III.1 : Oxydation du Silicium. Une partie du substrat a t consomme lors


de l'oxydation
Notons que nous diffrencierons dans la suite, l'opration technologique d'oxydation de celle
du dpt d'oxyde qui n'entrane pas les mmes contraintes, thermiques notamment [54].
L'opration d'oxydation consiste donc oxyder le Silicium depuis la surface du substrat. Les
ractions principales sont les suivantes :
Si solide + O2 ---> SiO2 solide

(III.1)

Si solide + 2 H2O ---> SiO2 solide+ 2H2

(III.2)

La vitesse doxydation dpend de la pression du gaz oxydant, de la temprature et de type de


processus. En gnral pour une temprature donne, la croissance de loxydation humide est
plus rapide que celle de loxydation sche pour obtenir une couche doxyde dpaisseur
donne [5]. Cependant, la couche doxyde obtenue avec loxygne pure donne une croissance
plus lente ce qui lui confie de bonne proprits lectroniques. Alors loxydation humide
(vitesse de dposition rapide) sera donc prfre pour raliser des oxydes pais ou des oxydes
de masquage [7] [54].
54

Chapitre III

Etude dune structure multicapteur

III.2.2.3. Cintique simplifie de la croissance de loxyde


Pour calculer un ordre de grandeur des paisseurs doxyde form sous oxygne sec ou
oxygne humide nous nallons pas entrer dans le dtail de la cintique de la croissance de
loxyde. La cintique de la croissance de loxyde thermique dpend en effet de nombreux
facteurs [24], les facteurs prpondrants sont :

Le type doxydation (sec, humide)

La temprature

La dure doxydation

Lorientation cristalline

Dautres facteurs interviennent comme :

ltat cristallin du substrat

la pression partielle de lespce oxydante

le dopage du substrat

ltat de surface du substrat

En prenant en compte les facteurs prpondrants et en ngligeant lpaisseur doxyde initial


(quelque nm), lpaisseur doxyde eox en fonction du temps doxydation t est donne par
lquation III.3. Les paramtres A et B sont fonction de la temprature doxydation Tox, des
constantes doxydation Kl , Kp et des nergies dactivation El, Ep, K tant la constante de
Boltzmann.

e2ox +A eox=B t
Units

(III.3)

Epaisseur doxyde : eox (m)


Temps doxydation : t (mn)
Temprature doxydation : Tox (K)
Energie dactivation : El, Ep (eV)
Constantes: Kp, Kl (m2/mn)
B (m2/mn)
A (m)

55

Chapitre III

Etude dune structure multicapteur

III.2.3. Les dpts


La majorit des publications permet de classer les techniques dintgration en deux catgories
suivant lpaisseur de la couche sensible : couches paisses (1m) et couches minces (1m)
[31].
Cette opration est ncessaire lorsqu'il faut raliser une couche conductrice, isolante ou de
masquage dans un procd qui n'utilise pas directement le matriau du substrat. Par exemple,
dans le cas o l'on souhaite obtenir un oxyde de silicium lorsque le substrat et/ou la couche
sous-jacente ne sont pas constitus de Silicium (celle-ci peut tre par exemple une couche
mtallique ou une couche de nitrure de Silicium), la seule solution consiste dposer de
l'oxyde ou un autre type d'isolant. En effet, l'oxydation thermique n'est plus possible et il faut
effectuer un dpt. Celui-ci s'effectue dans un four ou un bti qui comprend tous les
constituants de la couche raliser [6] [7].
Parmi les mthodes de dpt par voie physique ou PVD (physical vapor deposition), on peut
citer :

Lvaporation thermique,

La pulvrisation cathodique

Mthodes de dpt par voie chimique ou CVD (chemical vapor deposition)

Le dpt basse pression (LPCVD).

III.2.3.1. Dpt physique en phase vapeur (PVD)


Dans les dpts physiques en phase vapeur, le matriau dposer est mis en phase vapeur par
un procd physique. Le dpt physique en phase vapeur est le moyen le plus utilis pour
dposer des films minces, notamment les films mtalliques en micro-lectronique. Il est
ralis dans une enceinte sous vide pour diminuer les risques doxydation par lair ambiant.
III.2.3.1.1. Evaporation thermique
La technique d'vaporation thermique est trs simple et consiste simplement chauffer par
effet Joule un matriau qui, vaporis, va se dposer sur les substrats. La charge du matriau
dposer est place dans un creuset (en tungstne). Cette technique est applicable notamment
pour le dpt d'aluminium, la temprature d'vaporation de ce mtal tant infrieure la

56

Chapitre III

Etude dune structure multicapteur

temprature de fusion du creuset (en tungstne). La figure III.2 montre le principe de cette
technique. Afin d'amliorer l'homognit des couches dposes, le porte substrat est tournant
ou bien on dplace en permanence les substrats [60].

Figure III.2 : Dpt par vaporation thermique [6]


III.2.3.1.2. La pulvrisation cathodique
La pulvrisation cathodique consiste bombarder une cible par des ions, arracher les ions de
la cible et les envoyer se dposer sur le substrat. Dans le cas de la figure III.3, montrant de
faon simplifi le principe de cette technique, les ions dargon, crs par l'excitation haute
tension, arrachent de la cible les composs dposer sur la surface des substrats.

Figure III.3 : Principe de la pulvrisation cathodique [6]


57

Chapitre III

Etude dune structure multicapteur

III.2.3.2.Dpt chimique en phase vapeur(CVD)


Le dpt chimique partir dune phase vapeur ou CVD (Chemical Vapor Deposition)
consiste mettre en contact un ou plusieurs substrats avec un ou plusieurs ractifs dans une
enceinte. Les gaz ragissent chimiquement avec les substrats afin de dposer un film solide.
Il existe diffrents types de dpts CVD selon le mode dactivation. Cependant, nous ne nous
intresserons quaux dpts activs thermiquement faible pression : ce sont les dpts
LPCVD (Low Pressure CVD).
III.2.3.2.1. Dpt chimique en phase vapeur basse pression (LPCVD)
Cette technique consiste raliser un dpt chimique en phase vapeur basse pression. Ce
dpt s'effectue normalement dans un four mur chaud des tempratures de l'ordre de 500
600C [55]. On injecte les gaz qui ragissent et qui synthtisent le matriau dposer. Dans
l'exemple de la figure III.4, le dpt ralis est du silicium polycristallin (ou polysilicium)
dop au phosphore [60].

Figure III.4 : Racteur LPCVD pour dposer du polysilicium dop au


phosphore in-situ [4].

Pour ce type de dpts les paramtres les plus importants sont la pression, la temprature et le
type de gaz dopant utilis. De ces paramtres, dpendent la morphologie du matriau qui
conditionne aussi les proprits lectriques [4].
Pour des conditions de temprature et de pression donnes, le mlange gazeux subit un
ensemble de transformations chimiques qui aboutit la formation d'une couche solide la
surface des substrats.

58

Chapitre III

Etude dune structure multicapteur

III.3. Technologie des membranes


III.3.1. Introduction
La membrane constitue lun des lments les plus importants du capteur en termes de
performance lectrothermique. Elle sert de support au capteur avec de bonnes proprits
thermomcaniques et permet de limiter les pertes thermiques par conduction. Elle constitue
une isolation thermique entre les lments. Ce rle disolation thermique ncessite une
paisseur minimale alors que la fonction de support mcanique tend imposer une paisseur
maximale. Ces deux ncessits opposes constituent toute la problmatique dans la ralisation
technologique des membranes [54].

III.3.2. Rle de la membrane


Le rle de la membrane dilectrique est de soutenir les circuits mtalliques. Cette membrane
est dpose soit haute temprature en combinant les proprits physiques de loxyde
thermique et du nitrure de silicium dpos par LPCVD, soit basse temprature par dpt
dune monocouche doxynitrure de silicium [9] [20].
Les couches dilectriques minrales de quelques microns dpaisseur doivent tre de bonnes
candidates pour des membranes de quelques millimtres de ct. Afin dobtenir des
membranes plates, il est ncessaire que la contrainte moyenne soit en tension pour viter le
flambement. Par ailleurs, le niveau de contrainte doit tre suffisamment faible dans les
couches pour viter la dlamination ou la fissuration qui apparat dans les couches paisses.
Les procds microlectroniques classiques dvelopps pour les couches minces ne sont pas
adapts pour ces spcifications.
Une solution pour contourner ces problmes est de raliser des membranes composites
multicouches. Chaque couche prsente alors des contraintes suffisamment faibles pour
permettre lobtention de lpaisseur dsire sans dlamination ou fissuration. La contrainte
moyenne dans la membrane composite (c) est alors donne par :

iei
c
ei
i

O i et ei reprsentent respectivement la contrainte et lpaisseur de la couche i.

59

(III.4)

Chapitre III

Etude dune structure multicapteur

III.3.3. Les membranes dilectriques


Ce sont les plus utiliss aujourdhui dans la mesure o elles favorisent lisolation thermique
et donc une rduction de la consommation lectrique du capteur. Les dilectriques ont
lavantage dtre de bons isolants thermiques contrairement au Si. Les matriaux les plus
utiliss sont loxyde de silicium (SiO2) et le nitrure de silicium (Si3N4) et ont fait lobjet de
nombreuses recherches [20] [23].
Des recherches [9] [54] ont montr que le SiO2 dpose par oxydation thermique prsente une
tenue mcanique plus faible que le Si3N4 dpos par LPCVD mme si sa conductivit
thermique est plus faible. Cette mauvaise tenue mcanique serait due aux contraintes
rsiduelles leves du matriau. Il est noter galement que la technique de dpt du matriau
peut amliorer la tenue mcanique de la membrane [31].
Ainsi, au vu des caractristiques des membranes prcites, il ressort que pour des applications
hautes tempratures (suprieures 500C), les membranes dilectriques notamment la
combinaison SiO2/SiNX exhibe un meilleur compromis entre isolation thermique et stabilit
mcanique [31].

III.3.4. La filire technologique SiO2 / SiNx


III.3.4.1. Introduction
La filire technologique de ces membranes est base sur lassociation dun film doxyde
thermique et de nitrure de silicium dpos par LPCVD. Loxyde de silicium thermique est un
matriau de bonne qualit et stable thermiquement. Sa technologie est largement contrle et
matrise pour la fabrication des composants CMOS. Pour cette raison, loxyde thermique est
parmi les matriaux utiliss pour la fabrication de membranes dilectriques minces [54].
Cependant, les contraintes rsiduelles de loxyde dpos haute temprature sont
compressives et leves, et ne permettent pas la fabrication de membranes planes (non
flambes).
Lassociation du nitrure de silicium dpos par LPCVD loxyde thermique permet ainsi de
diminuer lamplitude de la contrainte moyenne dans la membrane. Le nitrure de silicium est
par ailleurs un matriau connu pour sa rsistance aux attaques chimiques [20].

60

Chapitre III

Etude dune structure multicapteur

III.3.4.2. Problmatique de la bicouche


Nous examinons maintenant le dpt dune couche de nitrure sur un substrat dj recouvert
dune couche doxyde. En effet les films monocouche ne sont pas entirement satisfaisants du
point de vue de la contrainte. La contrainte du film doxyde est relativement faible (-300
MPa) mais elle est compressive, do un risque de flambement de la membrane aprs
libration du substrat, qui nuirait la planit des circuits [56].
La contrainte du film de nitrure non stoechiomtrique est en tension (+600 MPa) mais elle est
encore relativement leve, ce qui nuit sa rsistance mcanique. Il peut donc tre intressant
dassocier les 2 matriaux pour obtenir une contrainte rsultante en tension suffisamment
faible. Le dpt de nitrure se faisant une temprature de 750 C trs infrieure celle de
croissance de la couche doxyde (1150 C), cela doit nous mettre labri dune modification
des caractristiques mcaniques de lensemble silicium + oxyde lors du dpt du nitrure.

III.3.4.3. Croissance thermique de loxyde de silicium


Loxyde de silicium thermique est obtenu haute temprature par raction des molcules
doxygne ou de vapeur deau sous forme gazeuse la surface du silicium [56]
Afin dobtenir des oxydes de silicium assez pais, le choix sest port sur loxydation humide
la temprature maximale dutilisation des fours, soit 1150C. Cette croissance est intercale
entre deux cycles doxydation sche sous oxygne afin de densifier loxyde humide rput
pour sa qualit poreuse. La Figure III.5 montre les phases de loxydation du silicium.

Figure III.5 : Cycle doxydation thermique du silicium pour la fabrication des


membranes [54]

61

Chapitre III

Etude dune structure multicapteur

III.3.4.4. Dpt LPCVD de nitrure de silicium


Le procd de dpt chimique en phase vapeur sous basse pression LPCVD met en prsence
un ou plusieurs substrats avec des gaz ractifs spcifiques. Pour des conditions de temprature
et de pression donnes, le mlange gazeux subit un ensemble de transformations chimiques
qui aboutit la formation d'une couche solide la surface des substrats.
Les mcanismes du dpt chimique en phase vapeur peuvent alors se dcomposer de la
manire suivante [55]:
activation et transport des ractifs gazeux vers la surface du substrat,
adsorption et raction chimique des ractifs gazeux la surface du substrat,
dsorption des produits de raction gazeux,
diffusion des produits de raction solides la surface du substrat vers des sites de plus basse
nergie.
Ractions
Suivant les gaz utiliss, la raction globale de synthse du nitrure basse pression (LPCVD)
scrit :
Dichlorosilane + ammoniac:
3 SiH2Cl2 + 4 NH3

Si3N4 + 6 H2 + 6 NH4Cl

(III.5)

Silane + ammoniac :
3 SiH4 + 4 NH3

Si3N4 + 12 H2

(III.6)

III.3.5. Ralisation de la membrane par la gravure KOH


La gravure anisotropique du silicium est une raction chimique en phase liquide entre la
solution de gravure et le silicium dont la cintique est commande par lorientation
cristallographique des surfaces de contact, elle permet de contrler prcisment les
dimensions des structures micro usines [1] [8]. La ralisation de ces microstructures consiste
graver localement le silicium en se servant comme masque dune couche de passivation
ouverte par endroit par la technique de photolithographie. La gravure de la membrane a t
ralise dans une solution aqueuse dhydroxyde de potassium(KOH). La vitesse dattaque des
plans (100) est de lordre de 100 fois la vitesse dattaque des plans (111) [5]. Lexplication est
que la vitesse de gravure pour un plan donn est dtermine par la densit datomes dans ce
62

Chapitre III

Etude dune structure multicapteur

plan et par le nombre de liaison Si-Si exposes la solution ou restant lintrieur du


matriau. La forme de la cavit grave en fonction de lorientation du substrat, de la
gomtrie du masque et de son orientation et par rapport au repre cristallographique [20]
[16].
Les membranes carres sont obtenues partir dun substrat orient (100) recouvert par une
couche de masquage. Un oxyde thermique, un nitrure dpos, ou un multicouche
oxyde+nitrure sont gnralement utiliss [5] [9] [16]. On cre par photolithographie dans la
couche de masquage des ouvertures carres. La vitesse de gravure des plans (111) tant trs
faible par rapport celle des plans (100) [55]. En ngligeant la gravure des plans (111). Le
cot de louverture du masque M sexprime en fonction du cot de la membrane W et de la
profondeur grave h par lquation III.7 .Une vue gnrale montrant lorientation
cristallographique du substrat et les bords dune membrane aligne par rapport au mplat est
donne en figure III.6.

M=2 .h+W
Couche de
masquage

(III.7)

[111] [100]
h

Si
a)

b)
Sil

W
c)

Figure III.6 : Etapes de la gravure des membranes. a) substrat de


silicium recouvert par une couche de masquage (oxyde, nitrure), b)
lithographie dans la couche de masquage et c)gravure du silicium.

III.3.5.1. Rsistance de divers matriaux aux bains de gravure du silicium


Ltude a t faite partir de 12 chantillons prlevs sur une mme plaquette. Lpaisseur a
t mesure au centre de chaque chantillon des temps rguliers. Nous prsentons la valeur
moyenne de gravure de chaque temps [64].

63

Chapitre III

Etude dune structure multicapteur

III.3.5.1.1. Tenue de loxyde (SiO2)


Compte tenu de la dispersion des temps de gravure du substrat, il faut admettre que le film
dilectrique puisse se trouver en contact avec le bain de gravure pendant une dure pouvant
aller au maximum jusqu 15 minutes pour le KOH (voir figure III.7).
III.3.5.1.2. Tenue du nitrure (Si3,N4)
Le film de nitrure peut se trouver en contact avec le bain de gravure du substrat pendant toute
la dure de cette opration, soit environ 4 heures dans le KOH. La rsistance du SixNy aux
solutions comme le KOH dcrot avec une dcroissance du rapport N/Si ; il est donc utile de
bien contrler la vitesse de gravure de ce nitrure.

Figure III.7 : Cintique de gravure du SiO2 et Si3N4 dans une solution KOH 10
mol.l-1 85C [54]
III.4. Etude de leffet de lhumidit sur les polymres
III.4.1. Introduction
Le taux dhumidit, et la temprature comptent parmi les grandeurs physiques les plus
frquemment mesures, de par linfluence de ces paramtres sur le fonctionnement des
systmes [15]. D'aprs ce que nous venons de voir, nous allons rechercher un matriau dont la
caractristique essentielle est de prsenter une permittivit sensible l'humidit. Une tude
bibliographique nous a orient vers des polyimides, polymres synthtiss partir
d'anhydrides d'acides et damines [29] [39] [50] [57]. Dposs par pulvrisation (spraycoating) ou par centrifugeuse (tournette ou spin-coating), la polymrisation est ralise par
chauffage du prcurseur jusqu'aux tempratures provoquant le chanage entre monomres
(cette temprature est comprise entre 250C et 400C suivant le polymre).

64

Chapitre III

Etude dune structure multicapteur

Le polyimide (PI) est connu pour sa stabilit thermique leve, excellente rsistance
chimique, constante dilectrique basse, rsistivit lectrique leve et duret mcanique
leve due aux units aromatiques d'anneau d'imide. Cependant, la teneur en eau du film
polyimide due la prsence de la vapeur deau peut influer sur les proprits lectriques de ce
matriau [3]. Pour toutes ces raisons, les films de polyimide ont t de plus en plus employs
dans diverses applications principalement dans lindustrie de la microlectronique comme
dilectrique pour circuit multicouche et de passivation remplaant ainsi les isolateurs
inorganiques traditionnels tels que le SiO2 [20] [57].
III.4.2. Dfinition dun polymre
Un polymre est une macromolcule forme de lenchanement covalent dun trs grand
nombre dunits de rptition qui drivent dun ou de plusieurs monomres (qui sont
galement appeles motifs) et prpare partir de molcules appeles monomre [39].
Le nom des polymres est gnralement driv de celui du monomre en ajoutant le prfixe
poly Exemple : polythylne, poly (acide glycolique), polyttrafluorothylne, polyimide
.etc [50].
Dune faon gnrale, un polymre est un mlange de macromolcules de diffrentes tailles et
de compositions varies si lon a diffrents monomres. Ainsi, on peut caractriser un
polymre par [39] :
sa composition chimique moyenne
sa masse molculaire moyenne
son degr de polymrisation
III.4.3. Lhumidit relative
L'humidit exprime la prsence d'un mlange d'air sec et de vapeur d'eau dans l'air ambiant.
En gnral, lorsquon parle de mesure d'humidit, on fait allusion au taux d'humidit exprim
en (%) qui est en fait l'humidit relative. La dtermination de cette mesure est complexe, car
elle est troitement lie d'autres grandeurs physiques telles que la temprature et la pression
[38] [45].

65

Chapitre III

Etude dune structure multicapteur

Lhumidit relative est une grandeur sans dimension cest le rapport entre la pression partielle
de vapeur deau contenue dans un gaz (Pv) et la pression de vapeur deau max possible, donc
la pression de saturation (Ps), pour une temprature donne [45].

Hr 100

pv
[%]
Ps(t )

(III.8)

III.4.3.1. Nature dipolaire de l'eau


Une proprit trs importante de l'eau est sa nature polaire. La molcule d'eau forme un angle
de 104,45 au niveau de latome d'oxygne et entre les deux atomes d'hydrogne. Puisque
l'oxygne a une lectrongativit plus forte que l'hydrogne, le ct de la molcule d'eau o se
trouve l'atome d'oxygne est charg ngativement, par comparaison avec le ct hydrogne.
Une molcule avec une telle diffrence de charge est appele un diple ou molcule polaire.
(Figure III.8).

Figure III.8 : Nature dipolaire de l'eau [58]

Le courant lectrique, quelle que soit son origine, dissocie les molcules deau en ions H+
cations) et OH (anions) dont la mobilit est grande en comparaison avec dautres ions [4].
Par perte d'un proton H+, elle devient OH. Par gain d'un proton H+, elle devient l'ion
hydronium H3O+. Les ions hydroniums et hydroxyde sont trs ractifs, ils peuvent attaquer
d'autres matriaux, les dissoudre [20].

66

Chapitre III

Etude dune structure multicapteur

III.4.4. Diffusion de leau dans les polymres


Les variations de densit, ou de gonflement dun polymre, peuvent apporter des informations
sur le mcanisme dabsorption de leau dans les polymres [20] [52] [57].
Les mesures de densit et de gonflement sont quivalentes comme on peut le voir partir de
lquation :

m
v

(III.9)

est la masse volumique du polymre en g.cm-3


m est la masse du polymre en g
v est le volume du polymre en cm 3

La diffusion de leau dans les polymres est gnralement tudie partir de mesures de la
masse dchantillons au cours de labsorption deau ou de sa dsorption [39].
La constitution des polyimides (voir Figure III.9) permet de dresser un inventaire des
interactions entre l'eau et la chane polymre.

Figure III.9 : Exemple de monomre imide, synthtis partir d'un anhydride


d'acide et d'une diamine [39].
Nous distinguerons les interactions purement physiques des interactions chimiques. Parmi les
interactions physiques, la liaison hydrogne et les forces d'interaction de Van der Waals sont
envisager entre le polyimide et l'eau [65]. En effet, la structure de l'imide rvle de nombreux
sites permettant la cration de liaisons hydrogne pour les atomes d'hydrogne de la vapeur
d'eau qu'on veut dtecter. En particulier, du fait de la rpartition du nuage lectronique, les
atomes d'azote et d'oxygne au niveau de la fonction imide, sont plus lectrongatifs que
67

Chapitre III

Etude dune structure multicapteur

l'oxygne de l'eau auquel sont lis les atomes hydrognes de l'eau. Cette liaison hydrogne, de
faible nergie, est compatible avec la bonne rversibilit observe. La forte polarit de l'eau
permet de supposer aussi des interactions entre diples, dont l'nergie est quatre fois plus
faible que la liaison hydrogne [39] [50].
Les films polyimides conservent leurs proprits sur une plage tendue de tempratures. Ils
ont t utiliss dans des applications pratiques o la temprature peut sabaisser 269C et
slever 400C [58].
La figure III.10 reprsente la diffusion de leau dans un polymide en fonction du temps.

Diffusion de leau dans un polymide

Concentration

Figure III.10 : Diffusion rapide de leau dans un polyimide [26]

Etant donn la bonne rversibilit obtenue, les interactions chimiques, de fortes nergies, sont
peu probables. En effet, la raction la plus probable avec un imide est l'ouverture de la
fonction imide elle-mme, entre l'atome d'azote et les atomes d'oxygne voisins. Or la
synthse des imides s'effectue aux alentours de 150C, ce qui constitue un apport d'nergie
beaucoup trop grand pour que la fonction imide soit casse par l'adsorption d'eau [50].
III.5. Etude du capteur de temprature de type rsistance
Les rsistances dpendantes en temprature (RTD), sont des rsistances mtalliques dont la
rsistance lectrique augmente avec la temprature. Cette augmentation de rsistance
68

Chapitre III

Etude dune structure multicapteur

lectrique est principalement due aux collisions lectrons/phonons. Il est donc possible de
dduire la temprature du mtal en effectuant une mesure de rsistance lectrique. Les dpts
de couches minces mtalliques sont bien matriss, lintgration de RTD est donc aise dans
les microsystmes [58].
III.5. 1. Coefficient de temprature
Le coefficient de temprature est la variation relative dune proprit physique lorsque la
temprature est modifie [27].
Si la rsistance lectrique dun matriau varie avec la temprature, le capteur rsultant est
appel thermomtre rsistance (RTD). Dans le cas de mtaux la rsistance lectrique crot
avec la temprature, la relation rsistance-temprature classiquement utilise est une fonction
du premier ordre qui sexprime comme suit [32]:
RT = R0. [1 + (T-T0)]

(III.10)

o RT est la rsistance () du capteur la temprature T (C), R0 la rsistance la


temprature de rfrence T0 (C) et le coefficient de temprature de la rsistance (TCR, C1

). La figure III.11 reprsente une coupe dun capteur de temprature sur membrane.

Figure III. 11: Vue en coupe schmatique dun capteur de temprature sur membrane [34]

III.5. 2. Mthode de mesure


Le chapitre prcdent est un survol des mthodes disponibles pour la mesure de temprature
en microlectronique, il donne les bases pour choisir la technologie requise en fonction de
lapplication voulue et des moyens technologiques du laboratoire. Nous avons choisi dutiliser
69

Chapitre III

Etude dune structure multicapteur

des couches minces mtalliques en raison de la maturit de cette technologie, la linarit de sa


drive en temprature.
Nous avons choisi dutiliser des couches mtalliques de platine car la drive de la rsistance
lectrique du platine en fonction de la temprature est presque linaire [65]. Nanmoins le
platine en couche mince ne se comporte pas comme un bloc de platine brut. Les dpts en
couche mince sont forms dun assemblage de platine dont les proprits varient en fonction
des paramtres de dpts [34] [50].

Figure 1II.12 : Valeur de la rsistance dune couche mince mtallique (Cr/Pt/Ti :


5nm/50nm/5nm) en fonction de la temprature [59].
III.6. Conclusion
Dans ce chapitre nous avons dcrit dans un premier temps les procds de base pour la
fabrication des films minces dans la technologie de la microlectronique. Dans un deuxime
temps un rappel de la filire technologique SiO2 / SiNx.
Nous avons rappel quelques gnralits et proprits sur les polymres qui sont des isolants
solides prsentant de bonnes proprits physico-chimiques qui les rendent plus utiliss dans
les domaines de lindustrie. Ensuite on a vu que lhumidit est un facteur trs important dans
lindustrie qui influe beaucoup sur les proprits des matires grce la nature polaire de
leau. Finalement, pour ltude dun capteur de temprature, nous nous proposons dutiliser
des rsistances mtalliques en platine dont la rsistance lectrique augmente avec la
temprature.

70

Chapitre IV
Simulation du process technologique du
multicapteur

Chapitre IV

Simulation du process technologique du multi capteur

IV.1. Introduction
Le procd de fabrication des dispositifs microsystmes est bas sur les techniques de
fabrication standard des circuits intgrs microlectroniques. Le matriau de base est bien
entendu le silicium (Si) ainsi que ses drivs tels que loxyde de silicium (SiO2), le nitrure de
silicium (Si3N4), le carbure de silicium (SiC), ses oxy-nitrures (SiNxOy) et le platine. Ces
matriaux sont dposs comme une couche mince dpaisseur qui varie entre une dizaine
dAngstrm et plusieurs dizaines de micromtres.
Nous allons prsenter, dans ce chapitre, le processus technologique, c'est--dire les oprations
de fabrication du multicapteur de pression humidit et temprature [30]. La dmarche que
nous avons adopte consiste dabord saisir les coordonnes manuellement, on fait entrer la
gomtrie des diffrentes tapes de fabrication de manire anticiper les meilleurs rglages
[60].
La dmarche est ensuite dappliquer une succession doprations relles (avec quelques
variantes de rglage), pour lesquelles nous avons tent de mettre en uvre un suivi trs prcis
de la qualit de ralisation de chacune de ces tapes.
IV.2. Description simplifie du multicapteur
Notre structure multicapteur combine trois types de capteurs savoir un capteur de pression,
un capteur dhumidit et un capteur de temprature. La thorie de ces trois capteurs est
prsente au chapitre prcdent. Les paramtres importants pour chaque capteur sont tudis
pour concevoir notre multi capteur. Afin de simplifier la fabrication, il est souhaitable
demployer seulement une tape de mtallisation, ceci signifie le mme mtal pour les trois
capteurs et la mme paisseur. Le choix du mtal nest pas important pour le capteur
dhumidit [29] comme lectrode et pour le capteur de pression comme jauges pizoresistives.
Cependant pour la thermistance le mtal devrait avoir une rsistivit leve, dans le but
davoir une rsistance leve et un coefficient de temprature lev [30]. [33]
La thorie de la thermistance a prouv que le platine est le meilleur choix du mtal, il prsente
une forte stabilit dans les cycles de temprature, une bonne conductivit thermique ce qui
assure une uniformit de la temprature de llment chauffant, un coefficient de temprature
relativement lev permettant de contrler les variations de la rsistance [26].

71

Chapitre IV

Simulation du process technologique du multi capteur

Lapplication la plus rpandue est lutilisation de rsistances de platine pour la fabrication de


capteurs de temprature. La rsistance en platine est dpose sur une membrane dilectrique
(SiO2/Si3N4) ce qui permet un fonctionnement des tempratures dpassant 600C.
Le capteur de pression pizorsistif est compos dune membrane en une bicouche (silicium
et nitrure) qui constitue le corps dpreuve et qui se dforme sous leffet dune pression
applique. Des jauges pizoresistives en platine en surface du corps dpreuve forment un
conditionneur passif [30]. La dformation de ces jauges se transforme en variation de
rsistance [61]. Le capteur dhumidit est constitu de deux lectrodes en platine [62]
spares par un dilectrique. Ce dilectrique est un polymide PI, il permet de piger les
molcules deau suspendues dans lair modifiant de la sorte la capacit rsiduelle du capteur
[39]. La figure IV.1 schmatise cette structure.

Capteur de
temprature

Capteur
de pression

Capteur
dhumidit

SiO2/Si3N4

Silicium

Figure IV.1 : Structure multicapteur de pression, de temprature et dhumidit

IV.2.1. Choix du substrat


Le choix du matriau de base de notre multicapteur sest port sur le silicium, ce dernier
semble tre le meilleur candidat [63]. Un substrat de silicium

de type p avec une

concentration de 1 1015 cm3, de 3 et 300m dpaisseur, poli double face, dorientation


<100> est choisi.

72

Chapitre IV

Simulation du process technologique du multi capteur

IV.2.2. La membrane dilectrique


La membrane est constitue dune bicouche SiO2/Si3N4 dpose sur les 2 faces du substrat. La
couche de SiO2 dpaisseur 0 ,5m est dpose par oxydation thermique dans un four
1150C, en faisant ragir des molcules doxygne gazeux et de vapeur deau la surface du
Si. Ensuite, une couche de 0,2m de Si3N4 est dpose par LPCVD une temprature de
705C. Cette technique consiste raliser un dpt chimique en phase vapeur basse
pression. La libration de la membrane seffectue la fin du procd.
IV.2.3. Le Platine
Le dpt de Platine se fait par lift-off. Il consiste dans un premier temps dposer et
structurer par photolithographie une couche sacrificielle en utilisant une rsine photosensible
[56], une couche de platine est dpose pour raliser la rsistance mtallique pour le capteur
de temprature, les jauges pizorsistives pour le capteur de pression et llectrode infrieure
du capteur dhumidit. Le platine prsente une faible adhsion sur les matriaux isolants, il est
ncessaire de mettre en uvre une couche daccroche titane (Ti) avant son dpt [40].
Labsence de cette couche dadhsion certains endroits de la plaquette provoque le
dcollement du Pt [62]. Par laugmentation de lpaisseur du Ti, ce phnomne est minimis.
Le lift Off est une tape relativement simple qui consiste plonger lchantillon dans un
bain dactone (Figure IV.2). La rsine utilise pendant la photolithographie est soluble dans
lactone. Lorsque la rsine se dissout elle dcroche la couche mtallique dpose dessus.
Ainsi aprs le bain dactone, il ne subsiste du mtal que sur les parties du substrat qui
ntaient pas protges par la rsine. Les flancs obliques de la rsine permettent de briser la
continuit de la couche mtallique et dobtenir un dcrochage propre du mtal et une piste
conforme au dessin de masque.

Figure IV. 2 : Principe du dpt mtallique par lift-off.


73

Chapitre IV

Simulation du process technologique du multi capteur

IV.2.4. Le polymide
Le polymide est un polymre synthtis partir danhydrides dacides et damines [29]. Cest
un matriau dont les caractristiques essentielles est de prsenter une permittivit sensible
lhumidit, dpos par pulvrisation (spray coating ou par tournette). Les variations de
densit, ou de gonflement du polymre, peuvent apporter des informations sur le mcanisme
dabsorption de leau dans les polymres [46].
IV.2.5. Mtallisation
Pour les interconnexions lectriques, l'aluminium, avec une temprature de fusion de 660C,
est le matriau choisi. Cest le matriau le plus utilis pour les interconnexions mtalliques
dans les microsystmes, cause de sa haute conductivit lectrique et thermique, de sa bonne
adhrence loxyde de silicium (SiO2), de la facilit le dposer et le graver, et de son cot
peu lev.
IV.2.6. Libration de la membrane
La dernire tape consiste tremper le multicapteur dans une solution de KOH hydroxyde de
potassium. Cette gravure nattaque pas le silicium, les masques de matriaux utiliss pour
dfinir la gravure anisotrope du silicium sont le dioxyde de silicium et le nitrure de silicium.
IV.2.7. Assemblage du micro capteur
Lencapsulation de MEMS dans les cavits est un enjeu technologique primordial. Nous
avons vu que cette tape conditionne le bon fonctionnement des MEMS en assurant la
protection des dispositifs, la connectique et une bonne hermticit dans le cas datmosphre
contrle. Nous commenons par la soudure de la partie infrieur du wafer du silicium sur le
wafer du verre, pour cela nous utilisons une technique appele soudure anodique (anodic
bonding) avec SU-8 [24]. Dans le tableau suivant nous rsumons les tapes du procd
technologique mis au point pour raliser le multicapteur.

74

Chapitre IV

Simulation du process technologique du multi capteur

Etape

Description

Caractristique
dimensionnelle

Silicium de type p

(100)
e=300m

Oxydation thermique du substrat

e=0,5 m
T=1150C

2
Dpt de Si3N4

LPCVD

Dpt et gravure du platine +une


couche d'accroche Ti. Lift off

Dpt et gravure du polymide

Dpt et gravure du platine


Lift off

Dpt et gravure de l'aluminium


Evaporation thermique

Libration de la membrane par


gravure KOH
Une tape en face arrire

Assemblage du multi capteur


Soudure annodic

e=0,2 m
T=705C

e=0,7n
T=150C

e=2 m
T=200C

e=0,7n
T=150C

e=1m
T=200C

T=400C

Tableau IV.1 : Etapes du procd technologique pour la ralisation du multicapteur.


75

Chapitre IV

Simulation du process technologique du multi capteur

IV.3. Processus de fabrication du multicapteur


Le multicapteur est ralis sur un substrat de silicium de 300m dpaisseur, polie double
face, dorientation cristalline (100), dop au bore voir figure IV.3.
La premire tape est le dpt de la membrane, qui est constitue par une bicouche
SiO2/Si3N4. La fabrication de la membrane se dcompose en deux tapes :
Le dpt en couches minces des matriaux la constituant sur le substrat, puis le micro usinage
en face arrire. La finalisation de la membrane se fait la fin du procd technologique lors
dune tape dite douverture ou de libration de la membrane par gravure du substrat. Cest
ce moment l que sexercent les contraintes mcaniques qui peuvent conduire la rupture de
la membrane [49].
Le silicium est dabord oxyd thermiquement sur 0,5m (SiO2) dans un four une
temprature de 1150C. La couche de silicium initial ragit avec llment oxydant pour
former le SiO2, on va ainsi consommer du silicium.
Linterface Si/SiO2 doit tre parfaite pour former une bonne qualit mcanique et lectrique
du SiO2 qui est en gnral fortement dpendante de la procdure de nettoyage du substrat
avant loxydation [30]. Ensuite une couche de 0,2m de nitrure de silicium Si3N4 est dpose
par LPCVD (Low Pressure Chemical Vapor Dposition) une temprature de 705C. Cette
bicouche dilectrique permet dobtenir une membrane dilectrique trs fine (0,7m), donc
thermiquement isolante et en mme temps robuste [30].
Ltape suivante est le dpt dune couche de platine de 0,7m par la technique de Lift off, le
substrat est recouvert dune rsine ouverte certain endroits par photolithogravure, ensuite le
substrat est plac dans une solution qui dissout la rsine. Les dtails de cette technique ont t
tudis prcdemment [62].
On dpose par la suite une couche de polymide, un matriau sensible lhumidit. La
diffusion de leau dans un polymide a t tudie dans la partie prcdente, puis une autre
couche de platine pour raliser llectrode suprieur du capteur dhumidit [30].

76

Chapitre IV

Simulation du process technologique du multi capteur

(a) substrat de silicium

(b) oxydation du silicium

(c) Dpt du Si3N4

(d) Dpt de la rsine

(e) Lithographie

(f) Dpt du mtal

(g) Lift off

(h) Dpt du polymide

(j) Dpt du mtal

(i) Photolithographie

(l) Gravure KOH

(k) Ouverture dans la face arrire

Silicium
SiO2
Si3N4
Rsine
Platine
Polymide
Su8
Pyrex
(m) assemblage Si-Pyrex

Figure IV.3: Etapes technologiques ncessaire la de fabrication du multicapteur


77

Chapitre IV

Simulation du process technologique du multi capteur

Ltape suivante consiste dposer les pistes mtalliques en aluminium dans le but dtablir
le contact lectrique. A ce stade, les tapes en face avant, sont finalises. On peut donc
procder au traitement de la face arrire du substrat. Pour ce faire, il faut retourner la plaque et
effectuer la lithogravure de loxyde de la face arrire qui sert de masque la gravure du
silicium. La gravure est ralise dans une solution aqueuse dhydroxyde de potassium.
La dernire tape est lassemblage du multicapteur. Nous commenons par la soudure de la
partie infrieur du wafer du silicium sur le wafer du verre, pour cela nous utilisons une
technique appele soudure anodique (anodic bonding) avec SU-8. Cette dernire est utilise
pour souder hermtiquement du verre du mtal ou semi conducteur. Il est important
daligner les deux wafer, afin que les ouvertures du verre concident avec ceux du silicium,
nous devons donc effectuer une soudure avec alignement.
IV.4. Simulation du processus technologique de fabrication du multicapteur sous le
logiciel Silvaco
IV.4.1. Aperu du logiciel SILVACO
Dans ce travail de thse, nous avons notre disposition loutil de simulation SILVACO, qui
permet la simulation de processus technologique tape par tape, La simulation du processus
technologique est ralise avec les outils ATHENA .
ATHENA est un simulateur de process 2D permettant [60] ;
(i)

de prdire la structure physique qui rsulte des tapes du procd,

(ii)

de traiter la simulation du process comme tant une srie dvnements successifs.

Il permet de prvoir la structure que lon obtiendra en fonction des diffrents paramtres de
fabrication. Il travaille en 1 ou 2 dimensions ; la dimension y est la profondeur de la plaque de
silicium et on peut ajouter une dimension x reprsentant un axe longitudinal de la structure
tudie. Les premires tapes sont gnralement simules en une dimension afin de diminuer
le temps de simulation. En revanche, ds la premire lithographie, la structure devient
bidimensionnelle. Lutilisateur entre la gomtrie des diffrentes tapes de fabrication, soit
manuellement en saisissant des jeux de coordonnes, soit partir dune coupe ralise dans le
jeu de masques qui sert la fabrication du dispositif. Le simulateur ne fonctionnant pas en 3

78

Chapitre IV

Simulation du process technologique du multi capteur

dimensions, on doit se contenter de coupes, on ne peut simuler le processus correspondant au


dispositif complet.
Les diffrents paramtres qui entrent en jeu dans ces tapes technologiques sont [64]:

Paramtres dimplantation : type dion implant, dose implante, nergie


dimplantation, angle dincidence du faisceau.

Paramtres de diffusion : temprature du four, dure de la diffusion, nature du gaz


introduit dans le four (oxygne ou vapeur deau pour raliser une oxydation, azote
dans le cas dune simple diffusion ou activation des impurets), pression,

Dpt de matriau : type de matriau dpos (oxyde, nitrure, silicium polycristallin,


mtal, rsine photosensible), paisseur du dpt.

Paramtres de gravure : type de matriau grav, paisseur maximale enleve, gravure


humide ou sche,

La prcision des rsultats obtenus avec les simulations est fonction du nombre et de la
distribution des nuds dans la maille. En contre partie, le temps de calcul des solutions est
dautant plus important que le maillage possde de nuds. Le maillage doit donc tre fait de
faon avoir une distribution de nuds plus abondante dans les rgions de fortes variations
de profils de dopages et moins importante dans les rgions o le dopage est uniforme.
Athna ralise alors la simulation du processus de fabrication. Il gnre une structure
comportant la gomtrie des empilements des diffrents matriaux ainsi que les
concentrations en impurets rsultant des oprations de dopage. Il permet aussi dextraire
certains paramtres de la structure fabrique (paisseur dune couche, concentration en
impuret dune zone, )
IV.4.2. Gnration dun maillage de la structure
Le bloc dinstructions en bas introduit le maillage utiliser dans la simulation. Les lignes
commenant par la commande (line x) donnent le maillage dans la direction verticale alors
que pour la direction horizontale, les lignes commencent par la commande (line y). La
variable loc (ou location) spcifie la position du nud considrer et la variable spac (ou
spacing) spcifie le pas du maillage la position du nud en question. On va dtailler le
maillage dans la partie qui va suivre et le programme de simulation est donn en ANNEXE A.

79

Chapitre IV

Simulation du process technologique du multi capteur

#Dfinition verticale du maillage variable loc=-1

spac=0.2

line x loc=-0.2 spac=0.05


line x loc=0

spac=0.05

line x loc=1

spac=0.2

#Dfinition horizontale du maillage


line y loc=0

spac=0.005

line y loc=0.1 spac=0.01


line y loc=0.4 spac=0,05
IV.4.2.1. Maillage de la structure simule
La prcision des rsultats obtenus avec les simulations est fonction du nombre et de la
distribution des nuds dans la maille. En contre partie, le temps de calcul des solutions est
dautant plus important que le maillage possde de nuds. Le maillage doit donc tre fait de
faon avoir une distribution de nuds plus abondante dans les rgions ou on va faire des
gravures [66]. Ceci permet datteindre un compromis entre le temps de calcul et la prcision
de la simulation. Un outil de maillage, Meshbuild, incorpor dans le logiciel DevEdit permet,
aprs initialisation de quelques paramtres, de raliser de manire automatique un maillage
variable sadaptant la structure et au dopage du dispositif.
Pour que le maillage soit optimum, il faut que le nombre de nuds soit augment le maximum
possible. Dans notre cas le maillage adopt pour simuler le multicapteur est celui de la figure
IV.4. On y remarque une forte concentration de nuds l o on a fait des gravures et un
relchement dans les zones uniformes. Afin dobtenir un rsultat correct, il convient de faire
tourner le simulateur avec un maillage correct.

80

Chapitre IV

Simulation du process technologique du multi capteur

Figure IV.4 : Maillage de la structure simule

IV.4.3. Dfinition du substrat


Llment de dpart est le support sur lequel sera ralis le dispositif. Le support est un
substrat de silicium (Si), les proprits technologiques de ce dernier (orientation, dopage,
paisseur, rsistivitsont mentionns dans une base de donnes (figure IV.5).

Figure IV.5 : Dfinition du substrat sous Athna

81

Chapitre IV

Simulation du process technologique du multi capteur

IV.4.4. Dpt dun matriau


Pour simuler ce dpt, nous utilisons la fentre ATHENA Deposit de Deckbuild. Nous
spcifions la nature du matriau (Material) dposer ainsi que son paisseur (Thickness
(m)). Voir figure IV.6.

Figure IV.6 : Dpt dun matriau sous Athna


IV.5. Simulation des tapes technologique
La premire tape est la dfinition du substrat de dpart, un substrat de silicium dorientation
(100), dop au bore avec une concentration de 1015 atom/cm3. On voit que le profil du bore est
constant sur toute la surface du substrat.

Figure IV.7 : Substrat de silicium dop au bore

82

Chapitre IV

Simulation du process technologique du multi capteur

IV.5.1. Oxydation thermique


Pendant llaboration technologique, une seule tape a t ncessaire loxydation thermique
des deux faces de la plaque de silicium. Dans Athna deux tapes sont ncessaires (une par
face).
Afin de modliser la diffusion et la sgrgation du dopant pendant loxydation thermique
Ssuprem3 a t utilise. Le code de la simulation avec Ssuprem3 est prsent dans
lANNEXE.
IV.5.2. Croissance doxyde thermique sur la face avant
Loxydation thermique est un phnomne de diffusion, qui ncessite un temps de calcul
relativement important. Il faut en effet calculer lvolution de lpaisseur doxyde ainsi que le
dplacement de linterface. Le profil de dopage est galement modifi par ce traitement
thermique : il y a diffusion des impurets et sgrgation linterface. Dans notre cas, cest-
dire pour un dopage du substrat au bore, ce phnomne de sgrgation se traduit par une
consommation dimpurets dans le silicium linterface. On obtient, comme prdit par
ATHENA, un profil uniforme du dopage ce qui est important pour les performances de nos
ralisations. Cette uniformisation des dopants est lie la diffusivit accrue dans le SiO2 ce que

lon observe sur la figure IV.8.


On simule loxydation thermique en donnant comme paramtres dentre au simulateur les
dures et les tempratures doxydation. Il faut dcomposer cette simulation en 3 tapes :

Une lvation de temprature du four en prsence dazote selon une rampe linaire en
fonction du temps.

Un palli en atmosphre oxydante humide.

Une dcroissance linaire en prsence dazote galement.

83

Chapitre IV

Simulation du process technologique du multi capteur

Figure IV.8 : Coupe 1D de la structure aprs oxydation thermique


Le simulateur ne donne jamais une vue exacte de la ralit. En ce qui concerne loxydation
thermique, la croissance de loxyde dpend de nombreux paramtres pris en compte ou non
dans le modle utilis. Certains de ces paramtres dpendent du traitement de surface des
plaquettes (nettoyage), de lquipement utilis ainsi que de lenvironnement. Ces paramtres
ntant pas accessible, la solution retenue pour obtenir des simulations prcises est de
comparer les rsultats simuls aux mesures effectues sur les plaques de silicium.
IV.5.2. Dpt doxyde sur la face arrire
Pour gagner du temps, nous avons remplac loxydation thermique par un dpt pour la face
arrire. Lpaisseur de ce dpt est choisie gale lpaisseur obtenue sur la face avant. En
effet, la concentration de dopant nest pas un paramtre important pour cette face. On obtient
la structure de la figure IV.9.

Figure IV.9 : Coupe 1D de la structure aprs retournement et dpt doxyde


84

Chapitre IV

Simulation du process technologique du multi capteur

Lopration qui va suivre correspond au dpt du nitrure du silicium Si3N4 sur les deux faces
par LPCVD. Cette technique consiste raliser un dpt chimique en phase vapeur basse
pression. La libration de la membrane seffectue la fin du procd. La figure IV.10
prsente le dpt de Si3N4 sur la face avant.

Figure IV.10 : Une coupe 1D du dpt de nitrure de silicium sur la face avant

Ltape suivante est le dpt de platine. Il consiste dans un premier temps dposer et
structurer par photolithographie une couche sacrificielle en utilisant une rsine photosensible.
Une couche de platine est dpose pour raliser la rsistance mtallique pour le capteur de
temprature, les jauges pizoresistives pour le capteur de pression et llectrode infrieure du
capteur dhumidit. Athna ralise en une seule tape le dpt de rsine et son
dveloppement, partir de la premire lithographie la structure devient bidimensionnelle.
La figure IV.11 reprsente une coupe 2D de la structure aprs la premire lithographie et
IV.12 la gravure du platine vu ltape 12.

Figure IV.11 : Une coupe 2D du dpt et gravure de la rsine


85

Chapitre IV

Simulation du process technologique du multi capteur

Figure IV.12 : Une coupe 2D du dpt et gravure du platine, de gauche droite, un capteur de
temprature, une jauge pizorsistive et llectrode infrieur du capteur dhumidit

Ltape suivante est le dpt dune couche de polymide, matriau dilectrique sensible
lhumidit. Il va piger les molcules deau et sa composition va tre change, ensuite
llectrode suprieure du capteur dhumidit va tre dpose par la technique du lift off.

Figure IV.13 : Une coupe 2D du dpt et gravure du polymide et de


llectrode inferieur du capteur dhumidit
86

Chapitre IV

Simulation du process technologique du multi capteur

A ce stade les tapes en face avant sont finalises, on peut donc procder au traitement de la
face arrire du substrat. La libration de la membrane seffectue en deux tapes. La premire
tape consiste en une gravure de la couche SiO2/Si3N4 par attaque plasma comme le montre la
figure IV.14.

Figure IV.14 : Une coupe 2D ouverture de fentres dans le film dilectrique de la


face arrire
La deuxime tape consiste tremper le multicapteur dans une solution de KOH hydroxyde
de potassium. Cette gravure nattaque pas le silicium, les masques de matriaux utiliss pour
dfinir la gravure anisotrope du silicium sont le dioxyde de silicium et le nitrure de silicium,
cette tape consiste graver le substrat, face arrire pour librer la membrane. La figure IV.15
prsente cette structure.

87

Chapitre IV

Simulation du process technologique du multi capteur

Figure IV.15 : Une coupe 2D dune tape de libration de la membrane

IV.6. Conclusion
Dans ce chapitre nous avons dcrit lensemble du procd de fabrication dun multicapteur
de pression, dhumidit et de temprature, qui peut contenir des oxydations, des dpts, des
gravures et des librations. Nous avons simul la structure sous le logiciel SILVACO (2D) du
process technologique pour la ralisation du multicapteur en fournissant les paramtres
technologiques ncessaires pour sa ralisation. Nous avons donn un aperu sur la fabrication
du micro capteur, prdit la structure physique qui rsulte des tapes du procd et trait la
simulation du process comme tant une srie dvnements successifs.
Les premires tapes sont simules en une dimension afin de diminuer le temps de simulation.
En revanche, ds la premire lithographie, la structure devient bidimensionnelle.

88

Conclusion gnrale

Conclusion gnrale
Lvolution de la nouvelle gnration de multicapteur de haute performances, bases sur les
techniques standard de la microlectronique complter par le micro usinage de silicium, se
focalise une intgration hybride du capteur et ceci pour augmenter les performances et
rduire le cout. Dans ce cadre vient lobjectif de cette thse qui a pour but de concevoir un
multi capteur de pression, humidit et temprature. Le dit capteur sera ensuite destin la
collecte dinformations sur le climat pour dresser des bulletins mtorologiques.
Nous avons commenc par dresser un tat de lart des diffrentes technologies de fabrication
des microsystmes, nous avons ensuite effectu une tude bibliographique de ces trois types
de capteurs ainsi que leur mode de fonctionnement. Cette tude bibliographique nous a permis
de nous familiariser avec divers technologies employes ce jour (techniques et matriaux) ;
technologies qui ont favoris la ralisation dune grande varit de systmes dont les
performances sont lies lapplication vise : stabilit mcanique et thermiques
Le choix de ces capteurs est fait partir dune tude bibliographique, la majeure partie des
nouvelles cellules sensibles disponibles sur le march pour la dtection de la pression est
base sur le principe de dtection de type piezorsistif vu la compatibilit de cette structure
avec la technologie silicium. Pour la dtection de la temprature, la technologie de type
rsistance est la plus communment utilise du fait de sa facilit de fabrication et de
lvolution linaire de ces rsistances avec la temprature, en particulier le platine est un
matriau populaire pour la ralisation dun capteur de temprature. La plupart des capteurs
dhumidit existants sont de types capacitifs cause de la simplicit de fabrication de ces
dispositifs, ils sont bass sur la variation de la capacit dune couche dilectrique (polymide)
expose un changement du taux dhumidit. Les autres systmes sont gnralement plus
performants en sensibilit et temps de rponse mais plus lourds mettre en uvre et donc
plus coteux.
Nous avons tudi la structure multicapteur et exposer le dveloppement dune technologie
dlaboration de membrane SiO2/Si3N4 sur silicium micro-usin, nous avons ensuite tudi
leffet de lhumidit sur les polymres en prsentant quelques notions sur lhumidit relative
ainsi que sa diffusion dans un polymre, cette tude nous permis de nous familiariser avec
les

procds de base de la fabrication des films minces dans la technologie de la

microlectronique, qui peut contenir des dpts, des gravures et des librations.

89

Conclusion gnrale
Notre tude a port sur la conception dune structure multicapteur, nous nous sommes
appuys sur le savoir faire acquis (procds technologiques prcdents), ensuite nous avons
simul les diffrentes tapes technologiques ncessaires pour la ralisation du multicapteur
laide du logiciel Athna de SILVACO. Cette partie a t effectue au centre de
dveloppement des technologies avances (CDTA). Afin de simplifier la fabrication, nous
avons employ seulement une tape de mtallisation, ceci signifie le mme mtal pour les
trois capteurs et la mme paisseur. Le choix de la nature dune couche mince de mtal
utiliser dans un microsystme dpend essentiellement de lapplication vise. La mise au point
dune filire technologique de fabrication demande de dfinir des oprations technologiques
successives indpendantes et compatibles entre elles. Cette simulation, nous a donn un
aperu sur la fabrication du multicapteur ainsi que la technologie microlectronique, prdit la
structure physique qui rsulte des tapes du procd et trait la simulation du process comme
tant une srie dvnements successifs.
Les perspectives pour ce travail de recherche sont assez nombreuses, tant donn que le thme
des microsystmes se compose dun sujet multidisciplinaire assez vaste. A cela sajoute que
notre capteur est une structure qui combine trois type de capteurs et ncessite dtre modlise
et amliore et voir sil y en a dautre alternatives, pour arriver la conception de ce
multicapteur. Il faut aussi optimiser la gomtrie du corps dpreuve, afin de trouver des
zones de dformations maximales et viter de trop fortes concentrations de contraintes, une
autre perspective et lintgration du circuit de conditionnement des capteurs ainsi que lunit
de traitement et de transmission dans la mme puce.

90

Rfrences bibliographiques

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95

ANNEXES

Annexe . Ssuprem3 code


#
# Start simulator
#
go athena

# Titre: Multi capteur


#Auteur: Annane Samia
# Last update: 27-10-2010
#(Etape 0)____ Maillage de la structure _____
#_______ Maillage selon X _________________
line x loc=0
line x loc=0.5
line x loc=0.6
line x loc=1
line x loc=1.1

spac=0.25
spac=0.1
spac=0.05
spac=0.05
spac=0.1

line x loc=1.95
line x loc=2.05
line x loc=4.5

spac=0.05
spac=0.1
spac=0.25

line x loc=8.4
line x loc=8.7
line x loc=9.22
line x loc=9.5

spac=0.25
spac=0.005
spac=0.005
spac=0.25

line x loc=21.6
line x loc=21.9
line x loc=22
line x loc=22.35

spac=0.25
spac=0.0025
spac=0.0025
spac=0.25

line x loc=$Longueur spac=0.01


#_______ Maillage selon Y _________________
line y loc=0
line y loc=0.8

spac=0.08
spac=0.08

line y loc=1.8

spac=0.8

line y loc=4.45
line y loc=4.65
line y loc=4.85

spac=0.8
spac=0.15
spac=0.15

line y loc=5

spac=0.02

96

Annexe . Ssuprem3 code


line y loc=$Largeur

spac=0.02

#(Etape 1)____ Definition du substrat


init silicon c.boron=1.e15 orientation=100 two.d
#(Etape 2)____ Oxydation thermique du Silicium (0.5 microns)
#init infile=$chemin/etape_1.str
deposit oxide thick=0.5 division=10
#diffus time=26
#diffus time=113.5
#diffus time=26

temp=950
temp=960
temp=950

dryo2
weto2
dryo2

#extract name="Oxyde_1" thickness oxide

x.val=10.0 datafile="thickness"

#(Etape 3)____ Inversion de la structure par rapport l'axe X


structure flip.y
structure outfile=$chemin/etape_3.str
#(Etape 4)____ Oxydation thermique du Silicium (0.5 microns)
deposit oxide thick=0.5 division=5
#diffus time=26
#diffus time=113.5
#diffus time=26

temp=950
temp=960
temp=950

dryo2
weto2
dryo2

extract name="Oxyde_2" thickness oxide

x.val=10.0 datafile="thickness"

#(Etape 5)____ Depot de Si3N4 (0.2 Microns)


deposit nitride thick=0.2 division=5
structure outfile=$chemin/etape_5.str
#(Etape 6)____ Depot de Platine
deposit platinum thick=$epaisseur_platine division=5
#(Etape 7)____ Etape de photolithographie (Dpt et dveloppement de la rsine)
deposit photoresist thick=0.5 division=5
extract name="max" min.bound
extract name="min" max.bound

material="photoresist"
material="Photoresist"

etch
etch
etch
etch

photoresist

start
cont
cont
done

x=0
x=0
x=1.5
x=1.5

y=$max
y=$min
y=$min
y=$max

etch

photoresist

start

x=5

y=$max

97

x.val=5
x.val=5

Annexe . Ssuprem3 code


etch
etch
etch

cont
cont
done

x=5
x=9
x=9

y=$min
y=$min
y=$max

etch
etch
etch
etch

photoresist

start
cont
cont
done

x=16.5
x=16.5
x=22
x=22

y=$max
y=$min
y=$min
y=$max

etch
etch
etch
etch

photoresist

start
cont
cont
done

x=31
x=31
x=$Longueur
x=$Longueur

y=$max
y=$min
y=$min
y=$max

structure outfile=$chemin/etape_7.str

#(Etape 8)____ Gravure de Platine ____


extract name="max" min.bound
material="Platinum" x.val=5
extract name="min" max.bound material="Platinum" x.val=5
etch
etch
etch
etch

Platinum

start
cont
cont
done

x=0
x=0
x=1.5
x=1.5

y=$max
y=$min
y=$min
y=$max

etch
etch
etch
etch

platinum

start
cont
cont
done

x=5
x=5
x=9
x=9

y=$max
y=$min
y=$min
y=$max

etch platinum
etch
etch
etch
structure flip.y

start
cont
cont
done

x=31
x=31
x=$Longueur
x=$Longueur

y=$max
y=$min
y=$min
y=$max

#(Etape 10)____ Depot de Si3N4 par LPCVD


deposit nitride thick=0.2 division=10
#(Etape 11)____ Inversion de la structure par rapport l'axe X
structure flip.y
#(Etape 12)____ Gravure de la resine
strip
#(Etape 13)____ Depot du Polyamide
deposit material=Polyimide thick=$epaisseur_Polyimide division=4

98

Annexe . Ssuprem3 code


#(Etape 14)____ Depot de Platine
deposit platinum thick=$epaisseur_platine division=4
#(Etape 15)____ Etape de photolithographie (Dpt et dveloppement de la rsine)
deposit photoresist thick=0.5 division=5
extract name="min" max.bound
extract name="max" min.bound
etch photoresist left p1.x=22

material="photoresist"
material="photoresist"

x.val=22.5
x.val=22.5

#(Etape 16)____ Gravure de Platine


extract name="min" max.bound material="platinum" x.val=22.5
extract name="max" min.bound
material="platinum" x.val=22.5
#(Etape 17)____ Gravure du Polyamide
etch material=Polyimide left p1.x=22
etch material=Polyimide right p1.x=31
#(Etape 18)____ Enlvement de la resine
Strip
#(Etape 19)____ Etape de photolithographie (Dpt et dveloppement de la rsine)
deposit photoresist thick=0.5 division=4
extract name="min" max.bound material="photoresist"
x.val=0.8
extract name="max" min.bound
material="photoresist"
x.val=1.8
#(Etape 20)____ Gravure du nitrure
extract name="min" max.bound material="NITRIDE" x.val=0.8
extract name="max" min.bound
material="NITRIDE" x.val=1.8
#(Etape 21)____ Gravure de l'oxyde
extract name="min" max.bound material="OXIDE"
extract name="max" min.bound
material="OXIDE"

x.val=0.8
x.val=1.8

#(Etape 22)____ Gravure de la rsine


Strip
#(Etape 23)____ Dpot d'aluminium
deposit aluminum thick=$epaisseur_aluminum division=5
#(Etape 24)____ Etape de Photolithographie (Dpt et dveloppement de la rsine)
deposit photoresist thick=0.5 division=4
etch material=photoresist left p1.x=1
etch material=photoresist right p1.x=9.5
extract name="min" max.bound material="photoresist"
extract name="max" min.bound
material="photoresist"
#(Etape 25)____ Gravure de l'Aluminium
etch material=ALUMINUM
left p1.x=1

99

x.val=7
x.val=4

Annexe . Ssuprem3 code


etch material=ALUMINUM
extract name="min" max.bound
extract name="max" min.bound

right p1.x=9.5
material="ALUMINUM"
material="ALUMINUM"

x.val=7
x.val=4

#(Etape 26)____ Gravure de la rsine


Strip
#(Etape 27)____ Inversion de la structure par rapport l'axe X
structure flip.y
#(Etape 28)____ Gravure du nitrure
extract name="min" max.bound material="nitride"
extract name="max" min.bound
material="nitride"

x.val=22.5
x.val=22.5

#(Etape 29)____ Gravure de l'oxide


extract name="min" max.bound material="oxide"
extract name="max" min.bound
material="oxide"

x.val=22.5
x.val=22.5

#(Etape 30)____ Gravure du silicium


extract name="min" max.bound material="silicon"
extract name="max" min.bound
material="silicon"

x.val=12
x.val=12

#(Etape 31)____ Inversion de la structure par rapport l'axe X


structure flip.y
#
# Plot all structure files
#
# Quit the simulator :-)
#
quit

100

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