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Experiencia :

Tema
:
Objetivos :

N 1
Polarizacin y zonas de operacin del BJT.

Comprobar el principio de funcionamiento de los


transistores.
Demostrar que Ic depende de Ib en la zona activa
del transistor.
Observar el comportamiento del transistor en las
zonas de corte y saturacin.
Medir el punto Q de operacin del transistor.
Comprobar la importancia de Re para la estabilidad
del transistor.
Concluir , elaborando informe experimental.

1.- Instrumentos , componentes y materiales :


1.- Tester.
2.- Fuentes DC.
1.- Transistor 2N2222.
1.- Diodo LED rojo.
1.- Protoboard.
1.- Resistencia de 100 .
1.- Resistencia de 470
1.- Resistencia de 1 K.
2.- Resistencia de 10 K.
1.- Resistencia de 150 K.
1.- Alicates de punta y cortante.
Terminales y alambres de conexin.

2.- Circuito Experimental :

Circuito experimental N 1

Circuito experimental N 2

Circuito Experimental N 3
3.- Procedimiento Experimental :
a) Realice el montaje del circuito experimental N 1 , en el protoboard.
b) Ajuste la tensin VBB (entre 0 Volt y 10 Volt ) y con el multitester mida los
voltajes entre colector y emisor ( VCE ) ; el voltaje en la resistencia Rb ; el
voltaje en la resistencia Rc ; la corriente en el colector I C (observe la
intensidad luminosa del diodo Led). Tabule las mediciones en la siguiente
tabla :
VBB

VRC

VRB

VCE

IC

[Volt]

[volt]

[Volt]

[mA]

0 Volt
1 Volt
2 Volt
3 Volt
4 Volt
5 Volt

c) Con los valores de la tabla anterior . Determine el estado o zona en que


est trabajando el transistor (activa, saturacin o corte). Justifique.
d) Con los valores de la zona activa de la tabla N 1, Determine el valor de la
relacin Ic / Ib, A qu parmetro del transistor corresponde dicho valor?.
Cmo es esta relacin en cada caso?
e) Explique la variacin de valores de la tabla N1 con el slo hecho de
calentar el transistor con el cautn
d) Ajuste la tensin VBB , de manera de tener el voltaje en la resistencia Rc un
valor de 1 volt. Varie Vcc a un valor de 12 volt y anote el nuevo valor del
voltaje en la resistencia Rc.
e) Acerque el cautn caliente al transistor por un perodo de tiempo de 3
segundos y con el multitester mida los voltajes entre colector y emisor V CE ;
el voltaje en la resistencia Rc y observe la intensidad luminosa del diodo
led. Anote las mediciones logradas.
f) Realice el montaje del circuito experimental N 2 , en el protoboard.
g) Ajuste el voltaje VBB (entre 0 Volt y 12 volt). Con el multitester mida los
voltajes entre colector y emisor VCE ; el voltaje en la resistencia Rb ; el
voltaje en la resistencia Rc ; el voltaje en la resistencia Re ; la corriente en
el colector IC (observe la intensidad luminosa del diodo led) . Tabule los
datos medidos en la siguiente tabla.
VBB

VRC

VRB

VRE

VCE

IC

[Volt]

[Volt]

[Volt]

[Volt]

[mA]

0 Volt
1 Volt
2 Volt
3 Volt
4 Volt
5 Volt
h) Repita los pasos c) y d) para el circuito experimental N 2.,Anote los valores
medidos.
i) Explique la razn de las diferencias tan pequeas de valores en la tabla N
2 al calentar el transistor con el cautn.
j) Realice en el protoboard , el montaje del circuito N 3,
k) Mida los valores de IB , VRC , VRE , VBE y VCE.

l) Con los valores medidos , calcule el punto de operacin Q del transistor :


VBE , VCE , IB .Con los valores medidos , indicar la zona de trabajo del
transistor. Considere : Ic = VRc/ Rc e Ie = Vre / Re.
m) Compare los valores tericos utilizando el HFE dado por el manual para el
circuito experimental N 3 y comprelo con los valores obtenidos con el
multitester.
4.-. Cuestionario :
a)
b)
c)
d)
e)
f)
g)
h)
i)
j)

Cmo se puede verificar el tipo de transistor utilizando un multitester ?


Cmo se puede verificar el estado del transistor utilizando un multitester?
Cmo se pueden reconocer los terminales de un transistor ?
Cmo se puede calcular la corriente de base de un transistor si es
conocida la corriente de colector ?
De qu depende la corriente de colector ?
Cules son las zonas de trabajo del transistor ?
Cmo se debe polarizar un transistor ?
El parmetro HFE vara con la temperatura ?
Qu entiende por estabilidad trmica en el transistor ?
Cmo se puede mejorar la estabilidad trmica del transistor ?

5.- Exigencias del informe :


Desarrolle ntegramente el PROTOCOLO DE INFORMES DE LABORATORIO.