UNIVERSIDADE FEDERAL DO CEAR - UFC

DEPARTAMENTO DE ENGENHARIA ELTRICA - DEE

CURSO DE CIRCUITOS ELTRICOS EM C.A. TH108
LABORATRIO DE CIRCUITOS ELTRICOS II

POTNCIA MONOFSICA
OBJETIVOS
- Determinar a potncia complexa de cargas tipicamente indutivas e capacitivas
- Determinar o fator de potncia de cargas monofsicas
EQUIPAMENTOS UTILIZADOS
Variac 0-240 VCA.
Banco de Resistores Mod. 111A432
Valor Nominal 125 10%
Tenso de Alimentao 80 V
Banco de Indutores Mod. 111A434
Valor Nominal 1,47 H 10%
Tenso de Alimentao 220 V
Banco de Capacitores Mod. 111A433
Valor Nominal 9,22 F 10%
Tenso de Alimentao 220 V
Voltmetro C.A. 0-250 V
Ampermetro C.A.
Wattmetro
CONCEITO TERICO
Seja uma tenso senoidal (t) aplicada a um circuito eltrico com corrente resultante i(t),
definidas como:
v t Vm cos t v
(1)
i t I m cos t i

(2)

, i so ngulos de fase da tenso e corrente, respectivamente, sendo v i a

defasagem angular entre tenso e corrente.
A potncia mdia ou ativa entregue ao circuito
P 0,5Vm I m cos
Em valores eficazes,
P VEF I EF cos S cos

(3)

(4)
Em circuitos cc, a potncia real simplesmente obtida pelo produto da tenso pela corrente.
No entanto, em ca o produto da tenso pela corrente, em seus valores eficazes, recebe o
nome de potncia aparente VEF I EF , pois aparentemente a potncia convertida em

trabalho til por uma carga em ca. Portanto, em um circuito ca, a relao entre a potncia
real, mdia ou ativa P e a potncia aparente |S| chamada de fator de potncia, FP.
P
FP
(5)
VEF I EF
Na anlise senoidal, o fator de potncia simplesmente cos, sendo o ngulo de
defasagem entre tenso e corrente ou, simplesmente, o ngulo da impedncia da carga. Em
sendo o circuito senoidal, a relao entre potncia ativa e aparente denominada de fator
de potncia de deslocamento, FPD. Quando a carga tipicamente indutiva, o FPD dito
em atraso; quando a carga tipicamente capacitiva, o FPD dito em avano.
Uma nomenclatura complexa pode ser utilizada, com base na frmula de Euler, para definir
um conceito mais abrangente de potncia. Considerando os fasores de tenso e corrente
como sendo:
(6)
V VEF e jv
(7)
I I EF e ji
O produto do fasor de tenso pelo conjugado do fasor de corrente chamado de potncia
complexa S.
j
S VI VEF I EF e v i VEF I EF e j
(8)
VEF I EF cos jVEF I EF sen

P jQ
A potncia ativa P ento definida como:
P Re VI Re VEF I EF e j VEF I EF cos VEF I EF FPD

(9)

O mdulo de potncia complexa S a potncia aparente, cuja unidade VA. A componente

real de S a potncia ativa P, medida em W, e o mdulo da componente imaginria a
potncia reativa Q, em var. Se o sinal da componente imaginria de S positivo, a carga
tipicamente indutiva; se for negativo, a carga tipicamente capacitiva.
A potncia complexa entregue a vrias cargas interligadas a soma das potncias
complexas entregues a cada uma das cargas, individualmente, no importa a forma como
as cargas esto interligadas.
Potncia em Funo da Impedncia da Carga
Considerando um fasor de tenso V VEF v alimentando uma impedncia Z Z Z , o
fasor corrente expresso por:
I VEF Z v z
(10)
E a potncia complexa S ser:

S VI VEF v VEF Z v z
V

2
EF

Z z S z

(11)

O mdulo da potncia complexa monofsica (potncia aparente) a relao entre os

mdulos do fasor de tenso e da impedncia, e o argumento de S o argumento da prpria
impedncia Z.

Profa Ruth P.S. Leo

Email: rleao@dee.ufc.br

No caso de um resistor, Z = R e z = 0o, logo:

2
SR VEF
R
Em elementos indutivos puros, o mdulo de Z a prpria reatncia XL, logo:
2
S L VEF
X L 90 jQL

(12)
(13)

sendo QL a potncia reativa em um indutor puro.

De forma semelhante, em um capacitor,
2
SC VEF
X C 90 jQC

(14)

sendo QC a potncia reativa em um capacitor puro.

PROCEDIMENTO
1. Montar o circuito da Figura 1. De acordo com a condio da carga mostrada na Tabela 1,
medir corrente e potncia ativa, determinar a potncia aparente, o fator de potncia de
deslocamento FPD, a potncia reativa Q e a potncia complexa S.
Figura 1. Cargas em paralelo para ensaio em laboratrio.

A1

A2

V2

V1

W
80V

Condio de
Carga (*)
Simplesmente 3R
Simplesmente 6L
Simplesmente 6C
3R//6L
3R//6C
3R//6L//6C
Ressonncia

Banco
Resistivo

V (V)

Banco
Indutivo

Tabela 1 Determinao da Potncia Complexa S.

I (A)
S (VA)
P (W)
FPD
Q (var)

Banco
Capacitivo

Potncia
Complexa

80

(*) 3R=3 resistores em paralelo; 6L= 6 indutores em paralelo; 6C=6 capacitores em paralelo. Smbolo //: paralelo

a) Comentar os valores de potncia ativa P para as condies de carga 6L e 6C.

b) Comparar e analisar as diferenas entre as componentes imaginrias da potncia
complexa S para a condio de carga em paralelo (3R//6L//6C) e as condies
individuais 3R, 6L e 6C.

Profa Ruth P.S. Leo

Email: rleao@dee.ufc.br

c) Com a ajuda da curva de ressonncia mostrada na Figura 2, ajustar os valores de L

e C na opo 3R//xL//yC (x e y representam nmero de dispositivos associados)
para que o fator de potncia FPD seja igual a um. Comparar os resultados obtidos
para a condio de ressonncia e para a condio 3R.
OBSERVAO. A caracterstica puramente resistiva atingida na condio de
ressonncia do circuito. Nesta situao, as reatncias indutiva e capacitiva se anulam e a
frequncia de ressonncia f0 determinada pela expresso 1/(2LC). Considerando que a
frequncia da tenso de alimentao mantida constante (60 Hz), a indutncia L do circuito
RLC paralelo pode ser determinada para cada valor de C especificado.
Figura 2. Caracterstica do circuito RLC paralelo em funo de L e C.

REFERNCIAS
HAYT, Jr., W.H., KEMMERLY, J.E. Anlise de Circuitos em Engenharia.
McGraw-Hill do Brasil, So Paulo, 1973.
EDMINISTER, J.A. Circuitos Eltricos. So Paulo: Editora McGraw-Hill, 2a Ed. So
Paulo, 1991.

Profa Ruth P.S. Leo

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