Universidade Federal do Rio Grande do Sul

Escola de Engenharia
Departamento de Engenharia Eltrica

ENG04447
Eletrnica Fundamental I-A

Relatrio do Laboratrio n 7
Transistor de Juno Bipolar

Grupo:

Carlos Miguel Prescendo Tonin 219833

Thiago Lehr Companhoni - 216627
Turma G

1 INTRODUO
Este laboratrio tem como fim analisar o funcionamento dos transistores de juno
bipolar do tipo NPN e PNP, cujas aplicaes vm desde chaves at como amplificadores.

Fig. 1- Curvas e Modos do Transistor.

O transistor um dos mais importantes componentes eletrnicos. Alm de suas

diversas funes, possui um baixo custo de produo e amplamente fabricado. Seu
funcionamento varia de acordo com a tenso aplicada entre a base e o emissor: abaixo de,
aproximadamente, 0.6V o transistor encontra-se na regio de corte; acima desse valor, pode-se
encontrar tanto na regio ativa como de saturao, conforme figura 1. Quando a regio de
corte, o transistor opera como uma chave aberta. J no modo de saturao, o ganho b (valor
predefinido) varia, ou seja, uma situao no linear. Finalmente, na regio linear, o transistor
opera com ganho praticamente constante.

O transistor possui dois tipos: NPN e PNP. A diferena bsica entre eles o sentido
das correntes que atuam nele, abaixo mostrados na figura 2.

Figura 2 Transistor NPN e PNP.

Neste experimento ser analisado o estado de funcionamento de um transistor

variando duas resistncias e calcular em um circuito o valor dos pontos quiescentes tericos,
para comparar com os valores medidos experimentalmente.

2 EXPERIMENTO
Neste experimento, foram utilizados:
1 TJB NPN (BC548);
1 TJB PNP (BC558);
Resistores de 270, 470, 1k, 1.8k, 2.2k, 2.7k, 6.8k, 10k e 100k;
Datasheets dos transistores;
Osciloscpio e Multmetro;
Protoboard;
Jumpers.

2.1 Regies de Operao do TJB NPN

2.1.1 Montagem do Circuito
Na primeira parte do laboratrio, foi-se pedido para montar o circuito abaixo,
utilizando o transistor NPN BC584 e alimentado com uma fonte de 12V. Neste primeiro caso,
os resistores R2 e R4 ficaram fixados em, respectivamente, 2.7k e 1.2k, enquanto os
resistores R1 e R3 variavam de acordo com a tabela a qual ser mostrada mais tarde.

Figura 3 Circuito 1.

2.1.2 Clculo dos Valores Quiescentes

Nesta parte, solicitou-se o clculo do ponto quiescente do transistor para cada situao,
identificando se o componente encontrava-se em operao ativa, corte ou saturao. Utilizouse do modelo linear, no qual consiste que a tenso base-emissor seja de 0.6V e um ganho b de
200.

2.1.3 Medidas dos Valores Quiescentes

Com o circuito montado na protoboard e devidamente alimentado com 12V, foram
feitas as medidas dos pontos quiescentes do transistor, a fim de estimar os ganhos b para cada
situao e concluir em qual regio de operao encontrava-se. Os valores foram tabelados na
seo 3, junto com os valores tericos.

2.2 Polarizao do TJB NPN E PNP

2.2.1 Clculos Tericos
Na segunda parte do experimento, calculou-se o ponto quiescente Q (ICQ, VCEQ) dos
transistores NPN e PNP, considerando o modelo terico, onde VBEQ(NPN) = VEBQ(PNP) = 0.6V e b
tpico (200). Este clculo se necessrio para fins de comparao com os valores medidos
posteriormente.

2.2.2 Montagem do Circuito

Montou-se o circuito pedido, onde Q1 = BC548 (PNP) e Q2 = BC558 (NPN),
alimentando-o com 12V novamente. Segue o esquemtico abaixo:

Figura 4 Circuito 2, Q1 = PNP e Q2 = NPN

.

2.2.3 Comparao dos Valores

Aps os clculos tericos e as mensuraes necessrias, foi-se estipulado os erros
percentuais para cada ponto quiescente dos transistores do circuito.

3 RESULTADOS
3.1.1 Clculos tericos do Ponto Quiescente do Transistor:

fazer
3.1.2 Medidas dos Valores Quiescentes do Transistor:
Aps o clculo terico, calculou-se o ganho a partir de

IC
. A partir disso,
IB

montaram-se duas tabelas: com os valores calculados e os medidos experimentalmente, a fim

de facilitar a comparao.

Terico
R1

R3

VCEQ(V)

IBQ(mA)

ICQ(mA)

Regio

6.8k

2.2k

4.16

11.51

2.3

ATIVA

100k

2.2k

12

CORTE

1.8k

2.2k

3.53

SAT.

6.8k

100

8.99

11.51

2.3

ATIVA

6.8k

10k

1.07

SAT.

Tabela 1 valores tericos.

Prtico

1
2

IEQ(A
)

estimado

2.3m

2.25
m

283.95
1

R1

R3

VBEQ(m
V)

VCEQ(V
)

IBQ(A)

ICQ(A)

6.8k

2.2k

646

4.12

8.1m

100k

2.2k

318

11.9

3
4
5

1.8k

2.2k

708

19.4m

0.83m

3.2m

4m

3.8554
2

6.8k

100

643

8.99

8.1m

2.3m

2.3m

283.95
1

6.8k

10k

673

14.2m

0.36m

1.07m

1.4m

2.9722
2

Tabela 2 Valores Medidos.

3.2.1 Clculo dos Pontos Quiescentes dos Transistores:

fazer

3.2.2 Medidas dos Pontos Quiescentes dos Transistores:

Aps os clculos tericos, mediram-se os pontos quiescentes de ambos os transistores,
e montaram-se duas tabelas comparativas, uma para os valores tericos e outra para os valores
prticos.
Terico
ICQ1 (mA) NPN

1.92

ICQ2 (mA) PNP

10.9

VCEQ1 (V) NPN

6.63

VCEQ2 (V) PNP

4.45

Tabela 3 Pontos Quiescentes Tericos.

Medido
ICQ1 (mA) NPN

1.88

ICQ2 (mA) PNP

10.88

VCEQ1 (V) NPN

6.62

VCEQ2 (V) PNP

4.52

Tabela 4 Pontos Quiescentes Medidos.

3.2.3 Comparao Teoria x Prtica:

Feito as medies e clculos tericos, possvel comparar os valores e estimar o erro
de cada ponto quiescente, para verificar-se a validao do experimento dois. Segue tabela de
comparao:

Terico

Medido

Erro (%)

ICQ1 (mA) NPN

1.92

1.88

2.0833

ICQ2 (mA) PNP

10.9

10.88

0.3663

VCEQ1 (V) NPN

6.63

6.62

0.15083

VCEQ2 (V) PNP

4.45

4.52

1.57303

Tabela 5 Erros entre medio x teoria.

4 DISCUSSO E CONCLUSES
Na parte um do experimento,

REFERNCIAS BIBLIOGRFICAS
[1] SEDRA, A.S.;SMITH, K.C. Microeletronics Circuits. So Paulo, Person Prentice
Hall, 2007, So Paulo, Brasil. 5ed.