FSICA ELECTRNICA

ING. DE SISTEMAS
ALUMNO: HEBERT JHON RAFAEL AGUILAR

UNION P-N

UNION P-N
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redacta en un documento en MS Word explicando lo que muestra cada

applet, dos pginas por cada uno. Utiliza imgenes en tu explicacin.
http://webpersonal.uma.es/~ECASILARI/Docencia/Applets/3.Union_
PN_en_equilibrio_y_polarizada/Applet3.html
http://webpersonal.uma.es/~ECASILARI/Docencia/Applets/4.La_ley
_de_Shockley/Applet4.html
http://webpersonal.uma.es/~ECASILARI/Docencia/Applets/Applet3/
DiodoConmutaApplet.html

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visualizar estas aplicaciones es necesario tener actualizada java
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Diodo de unin PN polarizado

La unin p-n est polarizada directamente cuando a la regin p se le aplica un

potencial mayor que a la regin n. Para ello, tal y como se ve, se debe
conectar el polo positivo de la batera al nodo del diodo (zona p) y el polo
negativo al ctodo (zona n).

En estas condiciones podemos observar los siguientes efectos:

Los huecos de la regin p y los electrones de la regin n son empujados
hacia la unin por el campo elctrico Epol a que da lugar la polarizacin.
Por lo tanto, se reduce la anchura de la zona de transicin.

El campo elctrico de la polarizacin Epol se opone al de la unin Eu. As,

se reduce el campo elctrico de la unin y, consecuentemente, la barrera
de potencial. Recordar que, como vimos en el Tema 4, la barrera de
potencial sin polarizacin es VJ=Vo. Con la polarizacin directa de la unin
p-n se reduce en la forma VJ=Vo-V, siendo V la tensin directa aplicada a
dicha unin.

LA LEY DE SHOCKLEY
El diodo Shockley es un dispositivo de dos terminales que tiene dos estados
estables: OFF o de alta impedancia y ON o baja impedancia. No se debe
confundir con el diodo de barrera Schottky.

Est formado por cuatro capas de semiconductor tipo n y p, dispuestas

alternadamente. Es un tipo de tiristor.
La caracterstica V-I se muestra en la figura. La regin I es la regin de alta
impedancia (OFF) y la III, la regin de baja impedancia. Para pasar del estado
OFF al ON, se aumenta la tensin en el diodo hasta alcanzar Vs, tensin de
conmutacin. La impedancia del diodo desciende bruscamente, haciendo que
la corriente que lo atraviese se incremente y disminuya la tensin, hasta
alcanzar un nuevo equilibrio en la regin III (Punto B). Para volver al estado
OFF, se disminuye la corriente hasta Ih, corriente de mantenimiento. Ahora el
diodo aumenta su impedancia, reduciendo, todava ms la corriente, mientras
aumenta la tensin en sus terminales, cruzando la regin II, hasta que alcanza
el nuevo equilibrio en la regin I (Punto A).

CONMUTACIN DEL DIODO

En este applet se simula la conmutacin de un diodo, pudiendo cambiar

la tensin aplicada en sus bornas de positiva a negativa y viceversa.
Para ello se dispone del esquema de un circuito con dos fuentes de
tensin (una positiva y otra negativa) y un conmutador, un circuito de
polarizacin (que incluye una resistencia) y un diodo de unin.

 Este esquema se situa en la parte superior derecha del applet y se

puede conmutar entre tensiones haciendo "click" con el ratn en la zona
entre las dos fuentes de tensin. Al iniciar la aplicacin aparecer un
mensaje y una flecha que seala la mencionada zona sensible.

El usuario puede modificar todos los parmetros del circuito presionando el botn
del panel superior con el texto "Parmetros ciscuito". Al presionarlo aparecer una
ventana con tres campos editables donde se pueden introducir los valores
numricos deseados para la tensin directa (VF), la tensin inversa (VR) y la
resistencia de polarizacin (R). Tras introducir los
nuevos valores es necesario pulsar el botn
"Aceptar" de la ventana de los parmetros del
circuito para que tengan efecto los cambios.
Debajo del circuito aparecen cuatro grficas que
varan en el tiempo y donde se representan los
parmetros ms importantes que controlan el
comportamiento del diodo.

La primera grfica representa la tensin

seleccionada en el circuito; la segunda la
corriente que circula por el diodo; la tercera la
carga acumulada en las zonas neutras del diodo
(aplicando la aproximacin de diodo asimtrico)
la ltima grfica es la tensin que cae en bornas
del diodo. Esta cuatro grficas se van

actualizando en el tiempo y se irn desplazando hacia la derecha conforme

avance el tiempo.

En la parte superior de la derecha del programa aparecen las ecuaciones que

rigen el comportamiento del diodo en el experimento que se simula. Se muestran
las ecuaciones literales para la carga del diodo, la tensin en bornas del diodo y
para los perfiles de los minoritarios en el nodo y al ctodo. Justo debajo de cada
una de estas ecuaciones se muestran las mismas pero sustitutendo cada variable
por al valor actual que tiene en la simulacin. Algunos de los parmetros son
constantes en el tiempo (hasta que se modifican por parte del usuario), pero otros
se modifican instantneamente conforme evoluciona el tiempo. Tambin, a la
derecha de las grficas, se nuestran los valores intantneos para estas funciones
temporales.