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La estructura del chip de los diodos LED, al contrario de lo que ocurre con los
diodos comunes, no emplea cristales de silicio (Si) como elemento semiconductor,
sino una combinacin de otros tipos de materiales, igualmente semiconductores,
pero que poseen la propiedad de emitir fotones de luz de diferentes colores
cuando lo recorre una corriente elctrica.
Un diodo LED emisor de luz roja, por ejemplo, emplea un chip compuesto por
arseniuro de galio y aluminio (GaAlAs), mientras que para emitir luz azul utiliza un
chip de nitruro de galio (GaN). Todas las combinaciones empleadas en la
fabricacin del chip de un diodo LED, poseen tambin dos polaridades o regiones
diferentes: una negativa N correspondiente al ctodo y otra positiva P
correspondiente al nodo, al igual que ocurre con los diodos comunes de silicio
(Si).
Cuando aplicamos a los extremos del LED una tensin o voltaje que permita
polarizarlo directamente, los electrones provenientes de la fuente de suministro de
corriente directa (C.D.) comienzan a fluir a travs del diodo. Bajo esas
condiciones, cada vez que un electrn en exceso con carga negativa () presente
en la regin N adquiere la suficiente energa como para poder vencer la
resistencia que le ofrece la barrera de potencial, la atraviesa y se combina con un
hueco positivo en exceso en la regin P. En el mismo instante que ocurre esa
combinacin, la energa en exceso que adquiri dicho electrn para poder
atravesar la barrera de potencial, se transforma en energa electromagntica, que
libera, en ese preciso momento, en forma de fotn de luz.