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INFORME FINAL
1.-Presente las mediciones efectuadas, en el circuito original y en una
hoja completa con todas las indicaciones
Rs = 3.3K
Rs = 1k
Id(mA)
Id(mA)
Idds
Idds
0.636
Vpo
1.7
Vpo
-2.1
Rs=5.6k
= 5.6k
-1.7
Rs = 3.3k
Id(mA)
Rd
Id(mA)
Idds
Idds
5.98
Vpo
-0.8
2.05
Vpo
-1.6
Is= 1.7 mA
Se sabe:
Is = IDSS (1-(Vgs/Vp))2
Entonces:
(1)
(2)
De donde
= -2.72
(v)
IS (mA)
12.08
Rs =5.6K
Rs =3.3K y Rd = 5.6k
5.98
Rs =1K
2.05
Rs =3.3K
1.7
0.63
-2.72
-2.1
-1.7
- 1.6
-0.8
VGS (v)
Rs = 1k
ID=
Pto Q : ID=1.7
Id(mA)
Id(mA)
1.7
0.751
0.90
0.636
10
1.6
1
Rs=5.6k
5.6k
-8.88
ID= 0.641-VDS*0.0641
Pto Q :
Rs = 3.3k
Rd =
La ecuacin a reemplazar se
vuelve :
Id(mA)
5.98
2.05
1.01
0.641
-83.2
10
10.29
10
ID (mA)
Zona de Saturacin
Vgs = 0
IDSS=12.08
Vgs = -0.8
Zona Ohmica
Vgs = -1.6
Vgs = -1.7
Vgs = -2.1
Zona de Corte
1.61
Rs =3.3K
Vp = 2.7
8.88
10.225
83.2
Rs =5.6K
VDS (V)
A partir de la ecuacin (4) se deduce que, para una tensin VGS fija,
el comportamiento del JFET es puramente resistivo, siempre y cuando
se mantenga el nivel de VDS pequeo. Este modo de operacin
corresponde a la zona lineal. La resistencia es mnima para VGS = 0 y
aumenta a medida que VGS se hace ms negativa, hasta llegar a un
punto en que se hara infinita para:
siendo ahora
|Vt2 IdIdss|
gm=
Resulta: gm = 1.85
Por lo tanto Vo/Vi = .14.205
En este resultado se ve qve que la amplificacion es negativa lo que
significa que se hace en sentido inverso o opuesto respecto a la seal
de entrada.