Circuitos Electricos y Electronicos

Unidad
Temas
1
Circuitos elctricos.

Subtemas
1.1 Corriente elctrica.
1.1.1 Corriente directa.
1.1.2 Corriente alterna.
1.2 Elementos de circuitos bsicos.
1.2.1 Pasivos.
1.2.2 Activos.
1.2.3 Fuentes de alimentacin.
1.3 Anlisis de circuitos.
1.3.1 Tcnicas de solucin.
1.3.2 Transformadores.

Electrnica analgica.

2.1 Caractersticas de los

semiconductores.
2.1.1 Silicio.
2.1.2 Germanio.
2.1.3 Materiales tipo p y n.
2.2 Dispositivos semiconductores.
2.2.1 Diodos.
2.2.2 Transistores.
2.2.3 Tiristores.
2.3 Aplicaciones con
semiconductores.
2.3.1 Rectificadores.
2.3.2 Amplificadores.
2.3.3 Conmutadores.
2.3.4 Fuentes de poder.
2.4 Amplificadores operacionales.
2.4.1 Caractersticas.
2.4.2 Configuraciones.

Electrnica digital.

3.1

Sistemas numricos.

3.1.1 Representacin y
conversiones entre
diferentes bases.
3.1.2 Operaciones bsicas

3.1.3 Algoritmos de booth.

3.1.4 Algoritmos de divisin.
3.2

lgebra booleana.

3.2.1 Teoremas y postulados.

3.2.2 Minterminos y
maxiterminos.
3.2.3 Mapas de karnaugh.

3.3

Lgica combinacional.

3.3.1 Compuertas lgicas.

3.3.2 Dise de circuitos.
3.3.3 Familias lgicas.
3.3.4 Aplicacin de compuertas
3.4

lgicas.
Lgica secuencial.

3.4.1 Flips-flops.
3.4.2 Aplicaciones.
3.5

Convertidores.

3.5.1 Conceptos y caractersticas

de los convertidores.
3.5.2 Tipos analgico/digital y
digital/ analgico.

Unidad1. Circuitos elctricos.

1.1.

Corriente elctrica.

El termino corriente elctrica, o simplemente corriente, se emplea para describir la tasa de flujo
de carga que pasa por alguna regin de espacio. La mayor parte de las aplicaciones prcticas
de la electricidad tienen que ver con corrientes elctricas. Por ejemplo, la batera de una luz de
destellos suministra corriente al filamento de la bombilla cuando el interruptor se conecta. Una
gran variedad de aparatos domsticos funcionan con corriente alterna. En estas situaciones
comunes, el flujo de carga fluye por un conductor, por ejemplo, un alambre de cobre. Es posible
tambin que existan corrientes fuera de un conductor. Por ejemplo, una haz de electrones en el
tubo de imagen de una TV constituye una corriente.

Definicin de corriente elctrica

Siempre que se mueven cargas elctricas de igual signo se establece una corriente elctrica.
Para definir la corriente de manera ms precisa, suponga que las cargas se mueven
perpendiculares a una superficie de rea A, como en la figura 27.1. (Esta sera el rea de la
seccin transversal de un alambre, por ejemplo.) La corriente es la tasa a la cual fluye la carga
por esta superficie. Si Q es la cantidad de carga que pasa por esta rea en un intervalo de

tiempo t, la corriente promedio, Ipro, es igual a la carga que

pasa por A por unidad de tiempo:
Fig. 27.1 Cargas en movimiento a travs de un rea A. La tasa de flujo de carga en el tiempo a
travs del rea se define como la corriente I. la direccin de a la cual la carga positiva fluira si
tuviera libertad de hacerlo.

Si la tasa a la cual fluye la carga vara en el tiempo, la corriente tambin vara en el tiempo, y
definimos a la corriente instantnea I como el lmite diferencial de la ecuacin:

La unidad de corriente del Sistema Internacional es el ampere (A).

Esto significa que 1 de corriente es equivalente a 1C de carga que pasa por el rea de la
superficie en 1s.

Fig. 27.2. Una seccin de una conductor uniforme de rea de seccin transversal A. los
portadores de carga se mueven con una velocidad vd y la distancia que recorren en un tiempo
t esta dada por x = vdt. El nmero de portadores de cargas mviles en la seccin de
longitud x est dado por nAvdt , donde n es el nmero de portadores de carga mviles por
unidad de volumen.
Las cargas que pasan por la superficie en la figura 27.1 pueden ser positivas negativas o de
ambos signos. Es una convencin dar a la corriente la misma direccin que la del flujo de carga
positiva. En un conductor como el cobre la corriente se debe al movimiento de electrones
cargados negativamente. Por lo tanto, cuando hablamos de corriente en un conductor ordinario,
como un alambre de cobre, la direccin de la corriente es opuesta a la direccin del flujo de los
electrones. Por otra parte, si se considera un haz de protones cargados positivamente en un
acelerador, la corriente est en la direccin del movimiento de los protones. En algunos casos
gases y electrolitos, por ejemplo la corriente es el resultado del flujo tanto de cargas
positivas como negativas. Es comn referirse a una carga en movimiento (ya sea positiva o
negativa) como un portador de carga mvil. Por ejemplo, los portadores de carga en un metal
son los electrones.
Es til relacionar la corriente con el movimiento de partculas cargadas. Pan ilustrar este punto,
considere la corriente en un conductor de rea de seccin transversal A (figura 27.2). El
volumen de un elemento del conductor de longitud x (la regin sombreada en la figura 27.2)
es A x. Si n representa el nmero de portadores de carga mvil por unidad de volumen,
entonces el nmero de portadores de carga mvil en el elemento de volumen es nA Por lo
tanto, la carga Q en este elemento es
Q= Nmero de cargas x carga por partcula = (nA x)q
Donde q es la carga en cada partcula. Si los portadores de cargas se mueven con una
velocidad vd la distancia que se mueven en un tiempo t es x = vdt. En consecuencia,
podemos escribir q en la forma
Q = (nAvdt)q
Si dividimos ambos lados de la ecuacin por t, vemos que la corriente en el conductor est
dada por

La corriente elctrica

La corriente elctrica es un flujo ordenado de electrones que atraviesa un material. Algunos

materiales como los "conductores" tienen electrones libres que pasan con facilidad de un tomo
a otro.
Estos electrones libres, si se mueven en una misma direccin conforme saltan de un tomo a
tomo, se vuelven en su conjunto, una corriente elctrica.
Para lograr que este movimiento de electrones se de en un sentido o direccin, es necesario
una fuente de energa externa.
Cuando se coloca un material elctricamente neutro entre dos cuerpos cargados con diferente
potencial (tienen diferente carga), los electrones se moveran desde el cuerpo con potencial
ms negativo hacia el cuerpo con potencia ms positivo. Ver la figura

Cuerpo negativo (-)

Cuerpo positivo (+)

---> Flujo de lo electrones va de izquierda a derecha ---->

El flujo de electrones va del potencial negativo al potencial positivo. Sin embargo se toma por
convencin que el sentido de la corriente elctrica va desde el potencial positivo al potencial
negativo.
Esto se puede visualizar como el espacio (hueco) que deja el electrn al moverse de un
potencial negativo a un positivo. Este hueco es positivo (ausencia de un electrn) y circula en
sentido opuesto al electrn.
La corriente elctrica se mide en Amperios (A) y se simboliza como I.

los metales son conductores de la electricidad. Si tenemos dos cuerpos aislados, uno con
carga positiva y otro con negativa, y los ponemos en contacto mediante un hilo
metlico, las cargas elctricas se desplazan y se produce una corriente elctrica.
En los metales, las partculas cargadas que tienen libertad de desplazamiento son los
electrones, unidades de carga elementales de carga negativa al cuerpo cargado
positivamente. No obstante, por convenio, se dice que la corriente elctrica es de sentido
contrario al movimiento de los electrones, es decir, se dirige desde el cuerpo positivo al
negativo. Este convenio se tom antes de que se conociese la existencia de los
electrones, y an perdura.
INTENSIDAD DE LA CORRIENTE

La intensidad de la corriente
elctrica, I, se define como la cantidad de electricidad que pasa por una seccin
transversal del conductor en cada segundo.
Q

Matemticamente: I =
t
La unidad de intensidad en el Sistema Internacional es el Amperio.
DIFERENCIA DE POTENCIAL
La corriente de electrones en un conductor se puede comparar con la corriente de agua
que se produce cuando se pone en contacto dos depsitos que tienen distinto nivel. El
agua fluye desde el depsito ms alto, con mayor energa potencial, al ms bajo, con
una energa potencial menor. De una manera anloga, las cargas elctricas se desplazan
cuando existe una diferencia de potencial entre dos cuerpos cargados o entre dos puntos
de un mismo conductor con distinto potencial. Se considera que el potencial mayor
corresponde al polo positivo.

CORRIENTE ELCTRICA
Cuando se establece una corriente elctrica, siempre se mueven cargas elctricas
de un mismo signo. Para definir la corriente de manera ms precisa, supongamos que las
cargas se mueven perpendiculares a una superficie de rea A, como en la figura 4.1. La
corriente es la tasa a la cual fluye la carga por esta superficie. Si Q es la cantidad de
carga que pasa por esta rea en un intervalo de tiempo t, la corriente promedio, Ipro,
es igual a la carga que pasa por A por unidad de tiempo:
Ipro = Q/t

(4.1)

Si la tasa a la cual fluye la carga varia en l tiempo, la corriente tambin varia en

el tiempo, y definimos a la corriente instantnea I como el limite diferencial de la
ecuacin anterior:
_
I = dQ/dt

(4.2)

La unidad de corriente es el ampere (1A = 1C/1s) en el SI. Las cargas que pasan
por la superficie en la figura 4.1 pueden ser positivas, negativas o de ambos signos. Es
una convencin dar a la corriente la misma direccin que la del flujo de carga positiva.
En un conductor como el cobre la corriente se debe al movimiento de electrones

cargados negativamente. Por lo tanto, cuando hablamos de corriente en un alambre de

cobre, la direccin de la corriente es opuesta a la direccin de flujo de electrones.

Figura 4.1: Cargas en movimiento a travs de un rea. La tasa de flujo de carga en el tiempo a travs del
rea se define como la corriente I. La direccin de la corriente es la direccin la cual la carga positiva
fluira si tuviera libertad de hacerlo.

Es til relacionar la corriente con el movimiento de partculas cargadas. Para

ilustrar este punto, se considera la corriente en un conductor de rea de seccin
transversal A (figura 4.2). El volumen de un elemento del conductor de longitud x. Si
n representa el nmero de portadores de carga mvil por unidad de volumen, entonces
el nmero de portadores de carga mvil en el elemento de volumen es nA x. Por lo
tanto, la carga Q en este elemento es:

Q = Nmero de cargas x carga por partcula = (nA x)q

Donde q es la carga en cada partcula: Si los portadores de carga se mueven a
una velocidad vd, la distancia que se mueven en un tiempo t es x = vdt. En
consecuencia, podemos escribir q en la forma:

Q = (nA vd t)q
Dividiendo ambos lados de la ecuacin por t, se observa que la corriente en el
conductor esta dada por:
I = Q/t = nq vdA

(4.3)

Figura 4.2: Seccin de un conductor uniforme de rea de seccin transversal A. Los portadores de carga
se mueven con una velocidad vd, y la distancia que recorren en un tiempo t esta dada por x = vdt.

La velocidad de los portadores de carga, , es en realidad una velocidad promedio

que se conoce como velocidad de arrastre o como velocidad de deriva. Para entender
su significado, considere un conductor en el cual los portadores de carga son electrones
libres. Si el conductor esta aislado, estos electrones experimentan movimiento aleatorio
similar al de las molculas de gas. Cuando una diferencia de potencial es aplicado a
travs del conductor, se establece un campo elctrico en el conductor y este crea una
fuerza elctrica sobre los electrones, y en consecuencia, una corriente. En realidad, los
electrones no se mueven en lneas rectas a lo largo del conductor. En lugar de esto,
experimentan repetidos choques con los tomos del metal el resultado es un complicado
movimiento en zigzag (figura 4.3). La energa transferida de los electrones a los tomos
del metal durante los choques origina un aumento en la energa vibratoria de los tomos
y un correspondiente incremento en la temperatura del conductor. Pero a pesar de que
los electrones choquen, se mueven lentamente a lo largo del conductor (en una direccin
opuesta a E) a la velocidad de arrastre, vd. El trabajo realizado por el campo sobre los
electrones supera la perdida de energa promedio debida a los choques, y esto
proporciona una corriente estable. El choque de los electrones dentro del conductor se
puede considerar como una friccin interna efectiva (o fuerza de arrastre), parecida a la
que experimentan las molculas de un lquido que fluye a travs de una tubera
obstruida con virutas de acero.

Figura 4.3: Representacin esquematica del movimiento en zigzag de un portador de carga en en

conductor. Los cambios de direccin se deben a choques con tomos en el conductor.

1.1.1. Corriente directa.

Con cd denotamos la corriente directa, que implica un flujo de carga que
fluye siempre en una sola direccin. Una batera produce corriente directa en
un circuito porque sus bornes tienen siempre el mismo signo de carga. Los
electrones se mueven siempre en el circuito en la misma direccin: del borne
negativo que los repele al borne positivo que los atrae. An si la corriente se
mueve en pulsaciones irregulares, en tanto lo haga en una sola direccin es cd.
Corriente Elctrica Continua: El flujo de corriente en un circuito producido siempre en
una direccin. Se le denota como corriente D.C. (Direct current) o C.C. (Corriente
continua).
La Corrientes continua
Es el resultado de el flujo de electrones (carga negativa) por un conductor (alambre de cobre
casi siempre), que va del terminal negativo al terminal positivo de la batera, pasando por el

foco / bombillo.
No es equivocacin, la corriente sale del terminal negativo y termina en el positivo. Lo que
sucede es que es un flujo de electrones que tienen carga negativa.
La cantidad de carga de electrn es muy pequea. Una unidad de carga muy utilizada es el
Coulomb (mucho ms grande que la carga de un electrn).
1 Coulomb = la carga de 6 280 000 000 000 000 000 electrones

en notacin cientfica: 6.28 x 1018 electrones

Para ser consecuentes con nuestro grfico y con la convencin existente, se toma a la corriente
como positiva y sta circula desde el terminal positivo al terminal negativo. Lo que sucede es
que un electrn al avanzar por el conductor va dejando un espacio [hueco] positivo que a su
vez es ocupado por otro electrn que deja otro espacio [hueco] y as sucesivamente,
generando una serie de huecos que viajan en sentido opuesto al viaje de los electrones y que
se puede entender como el sentido de la corriente positiva que se conoce.

La corriente es la cantidad de carga que atraviesa la lmpara en un segundo, entonces

Corriente = Carga en coulombs / tiempo

I=Q/T

Si la carga que pasa por la lmpara es de 1 coulomb en un segundo, la corriente es de 1

amperio
Nota: Coulomb tambin llamado Coulombio
Ejemplo: Si por la lmpara o bombillo pasa una carga de 14 coulombs en un segundo,
entonces la corriente ser:
I = Q / T = 14 coulombs / 1 segundo = 14 amperios
La corriente elctrica se mide en (A) Amperios y para circuitos electrnicos generalmente se
mide en mA (miliAmperios) o (uA) microAmperios. Ver las siguientes conversiones.
1 mA (miliamperio) = 0.001 A (Amperios)
1 uA (microAmperio) = 0,000001 A (Amperios)

CORRIENTE CONTINUA
El flujo de agua entre dos depsitos se mantiene mientras haya niveles distintos, y se
para cuando los niveles sean iguales. Si queremos que la corriente de agua contine,
debemos instalar una bomba que, trasvasando agua desde el recipiente con nivel ms
bajo hasta el recipiente con nivel ms alto, mantenga la diferencia de alturas. As el flujo
de agua realiza un circuito cerrado.

Del mismo modo, para que se mantenga una corriente elctrica, debemos hacer que
permanezca la diferencia de potencial. Esto se consigue por medio de los generadores
de corriente, que juegan un papel anlogo al de la bomba de agua del ejemplo anterior.
Generadores elctricos sencillos y cotidianos son las pilas que se emplean para
linternas, radios, etc., y las bateras de los automviles. Estos generadores tienen un
polo positivo y otro negativo. Cuando se unen ambos mediante un hilo conductor, la
corriente elctrica va de + a -.
Como sabemos, el sentido del desplazamiento de los electrones es contrario al de la
corriente. En el hilo metlico, las cargas negativas van de - a + y, en el interior del
generador, de + a -. Las pilas y las bateras hacen que los electrones se muevan por el
conductor en un solo sentido, de - a +, y producen una corriente continua.

1.1.2. Corriente alterna.

La corriente alterna (ca) se comporta como su nombre lo indica. Los
electrones del circuito se desplazan primero en una direccin y luego en
sentido opuesto, con un movimiento de vaivn en torno a posiciones
relativamente fijas. Esto se consigue alternando la polaridad del voltaje del
generador o de otra fuente.
La popularidad de que goza la ca proviene del hecho de que la energa
elctrica en forma de ca se puede transmitir a grandes distancias por medio de
fciles elevaciones de voltaje que reducen las prdidas de calor en los cables.
La aplicacin principal de la corriente elctrica, ya sea cd o ca, es la
transmisin de energa en forma silenciosa, flexible y conveniente de un lugar
a otro.
Corriente Elctrica Alterna: El flujo de corriente en un circuito que vara peridicamente
de sentido. Se le denota como corriente A.C. (Altern current) o C.A. (Corriente alterna).
La corriente alterna (C.A.)
La diferencia de la corriente alterna con la corriente continua, es que la continua circula slo en
un sentido.
La corriente alterna (como su nombre lo indica) circula por durante un tiempo en un sentido y
despus en sentido opuesto, volvindose a repetir el mismo proceso en forma constante.
Este tipo de corriente es la que nos llega a nuestras casas y la usamos para alimentar la TV, el
equipo de sonido, la lavadora, la refrigeradora, etc.
El siguiente grfico aclara el concepto:

En este caso el grfico muestra el voltaje (que es tambin alterno) y tenemos que la magnitud
de ste vara primero hacia arriba y luego hacia abajo (de la misma forma en que se comporta
la corriente) y nos da una forma de onda llamada: onda senoidal.
El voltaje vara continuamente, y para saber que voltaje tenemos en un momento especfico,
utilizamos la frmula; V = Vp x Seno () donde Vp = V pico (ver grfico) es el valor mximo que
obtiene la onda y es una distancia angular y se mide en grados
Aclarando un poco esta ltima parte y analizando el grfico anterior, se ve que la onda senoidal
es peridica (se repite la misma forma de onda continuamente)
Si se toma un perodo de sta (un ciclo completo), se dice que tiene una distancia angular de
360o.
Y con ayuda de la frmula que ya dimos, e incluyendo (distancia angular para la cual
queremos saber el voltaje) obtenemos el voltaje instantneo de nuestro inters.
Para cada distancia angular diferente el valor del voltaje es diferente, siendo en algunos casos
positivo y en otros negativo (cuando se invierte su polaridad.)
FRECUENCIA:(f) Si se pudiera contar cuantos ciclos de esta seal de voltaje suceden en un
segundo tendramos: la frecuencia de esta seal, con unidad de ciclos / segundo, que es lo
mismo que Hertz o Hertzios.
PERIODO:(T) El tiempo necesario para que un ciclo de la seal anterior se produzca, se llama
perodo (T) y tiene la frmula: T = 1 / f, o sea el perodo (T) es el inverso de la frecuencia. (f)
VOLTAJE PICO-PICO:(Vpp) Analizando el grfico se ve que hay un voltaje mximo y un voltaje
mnimo. La diferencia entre estos dos voltajes es el llamado voltaje pico-pico (Vpp) y es igual al
doble del Voltaje Pico (Vp) (ver grfico)
VOLTAJE RMS.(Vrms): Se puede obtener el voltaje equivalente en corriente continua (Vrms) de
este voltaje alterno con ayuda de la frmula Vrms = 0.707 x Vp. Ver ms
Este valor de voltaje es el que obtenemos cuando utilizamos un voltmetro.
Ahora, algo para pensar........:

Si se prepara un voltmetro para que pueda medir voltajes en corriente alterna (a.c.) y medimos
la salida de un tomacorriente de una de nuestras casas, lo que vamos a obtener es: 110 Voltios
o 220 Voltios aproximadamente, dependiendo del pas donde se mida.
El voltaje que leemos en el voltmetro es un VOLTAJE RMS de 110 o 220 Voltios.!!!
Cul ser el voltaje pico (Vp) de esta seal???
Revisando la frmula del prrafo anterior despejamos Vp. Vp = Vrms / 0.707
- Caso Vrms = 110 V, Vp = 110 / 0.707 = 155.6 Voltios
- Caso Vrms = 220 V, Vp = 220 / 0.707 = 311.17 Voltios

CORRIENTE ALTERNA
Ya debes de conocer lo que es un imn. Es un cuerpo que tiene propiedades magnticas
y atrae objetos de hierro. Tambin sabes que un cuerpo imantado tiene dos polos que se
denominan norte y sur. Cuando enfrentamos dos polos del mismo nombre, se repelen,
mientras que los polos de nombre distinto se atraen.
Pues bien, las propiedades magnticas estn relacionadas con las propiedades elctricas,
hasta el punto de que hay una parte de la Fsica que estudia ambas simultneamente y se
denomina Electromagnetismo. El primer investigador que puso de manifiesto la relacin
de la electricidad con el magnetismo fue el fsico dans Oersted. Su experimento
consisti en colocar una aguja imantada capaz de girar alrededor de un eje
perpendicular, como las que se usan en las brjulas, en una posicin paralela a un hilo
conductor por el que puede pasar una corriente elctrica. Cuando cerramos el interruptor
y pasa la corriente, sta influye en el imn y hace que se site en una posicin
perpendicular a la corriente elctrica. De este experimento podemos deducir que la
corriente elctrica tiene propiedades magnticas.
Cuando acercamos o alejamos un imn suficientemente potente a un circuito que tiene
una pequea bombilla, sta se ilumina. Sin duda, el imn, al moverse, ha generado una
corriente elctrica. La intensidad de la corriente es tanto mayor cuanto ms deprisa se
mueva el imn.
Asimismo, se produce una corriente elctrica si se hace girar un circuito entre los polos
de un imn que permanece fijo. En este caso la intensidad de la corriente tambin
aumenta cuando la velocidad de giro es mayor.
Por los procedimientos descritos se consigue una corriente que se denomina alterna
porque adquiere alternativamente sentidos opuestos. As, en el primer ejemplo, cuando
se acerca el imn al conductor metlico la corriente va en un sentido y, cuando se aleja,
va en sentido contrario. En el segundo ejemplo, cuando el conductor metlico da media
vuelta se produce una corriente de sentido opuesto a la que se produce en la media
vuelta posterior. En consecuencia, en la corriente alterna los electrones no circulan en
un solo sentido, como hacen en la corriente continua, sino que oscilan. Debido a este
peculiar movimiento, en la corriente alterna no existen polos + y -.
La corriente alterna es la que se produce en los alternadores de las centrales elctricas, y
es el tipo de corriente que llega a las industrias y a nuestras casas.

1.2.

Elementos de circuitos bsicos.

1.2.1. Pasivos.

Dentro de estos elementos encontramos las resistencias, las

inductancias, condensadores.
Los componentes pasivos son aquellos que dentro de un circuito no proporcionan ganancia,
pero si consumen energa elctrica.

Entre los componentes pasivos bsicos encontramos a las

resistencias y a los condensadores. Para un uso correcto de
los mismos y para cada aplicacin es interesante conocer las
caractersticas tcnicas que definen su comportamiento.

Existen diversos tipos de estos elementos, tanto desde el punto de vista de

su comportamiento, materiales base para su fabricacin o caractersticas
constructivas y geomtricas.
Por ltimo, es importante conocer el grupo concreto a que pertenece cada
componente, y determinar su valor nominal, que vendr expresado
mediante un cdigo de colores o de marcas.

ELEMENTOS PASIVOS EN CORRIENTE ALTERNA

IMPEDANCIA

I2R

REACTANCIA
INDUCTIVA

XL = L

90

I2XL

REACTANCIA
CAPACITIVA

XC= 1 / (C)

-90

-I2XC

ELEMENTO

RESISTENCIA

SMBOLO

DIAGRAMA

IMPEDANCIA
R-L-C EN
SERIE

arccos
R/Z

UICos

el ngulo de V respecto de I

UIsen

RESISTENCIAS
Desde el punto de vista de vista de la resistividad , podemos encontrar materiales
conductores (no presentan ninguna oposicin al paso de la corriente elctrica), aislantes
(no permiten el flujo de corriente), y resistivos (que presentan cierta resistencia). Dentro
de este ltimo grupo se situan las resistencias.
Las resistencias son componentes elctricos pasivos en los que la tensin instantnea
aplicada es proporcional a la intensidad de corriente que circula por ellos. Su unidad de
medida es el ohmio ().
Se pueden dividir en tres grupos:
Resistencias lineales fijas: su valor de resistencia es constante y est
predeterminado por el fabricante.
Resistencias variables: su valor de resistencia puede variar dentro de unos
lmites.
Resistencias no lineales: su valor de resistencia varia de forma no lineal
dependiendo de distintas magnitudes fisicas (temperatura, luminosidad, etc.).

RESISTENCIAS LINEALES FIJAS

Estos componentes de dos terminales presentan un valor nominal de resistencia
constante (determinado por el fabricante), y un comportamiento lineal.

Caractersticas tcnicas
Estas son las especificaciones tcnicas ms importantes que podemos encontrar en las
hojas de caractersticas que nos suministra el fabricante:
Resistencia nominal (Rn): es el valor hmico que se espera que tenga el componente.
Toleancia: es el margen de valores que rodean a la resistencia nominal y en el que se
encuentra el valor real de la resistencia. Se expresa en tanto por ciento sobre el valor
nominal.
Los valores de resistencia nominal y tolerancia estan normalizados a travs de la norma
UNE 20 531 79 de tal forma que disponemos de una gama de valores y sus
correspondientes tolerancias (series de valores normalizados y tolerancias para
resistencias) a las que tenemos que acogernos a la hora de elegir la resistencia
necesitada.
Potencia nominal (Pn): es la potencia (en vatios) que la resistencia puede disipar sin
deteriorarse a la temperatura nominal de funcionamiento.
Tensin nominal (Vn): es la tensin continua que se corresponde con la resistencia y
potencia nominal.

Intensidad nominal (In): es la intensidad continua que se corresponde con la resistencia

y potencia nominal.
Tensin mxima de funcionamiento (Vmax): es la mxima tensin continua o alterna
eficaz que el dispositivo no puede sobrepasar de forma continua a la temperatura
nominal de funcionamiento.
Temperatura nominal (Tn): es la temperatura ambiente a la que se define la potencia
nominal.
Temperatura mxima de funcionamiento (Tmax): es la mxima temperatura ambiente
en la que el dispositivo puede trabajar sin deteriorarse. La disipacin de una resistencia
disminuye a medida que aumenta la temperatura ambiente en la que est trabajando.

Coeficiente de temperatura (Ct): es la variacin del valor de la resistencia con la

temperatura.
Coeficiente de tensin (Cv): es la variacin relativa del valor de la resistencia respecto
al cambio de tensin que la ha provocado.
Estabilidad, derivas: representa la variacin relativa del valor de la resistencia por
motivos operativos, ambientales, peroidos largos de funcionamiento, o por el propio
funcionamiento.
Ruido: se debe a seal (o seales) que acompaan a la seal de inters y que provoca
pequeas variaciones de tensin.

CLASIFICACIN DE RESISTENCIAS LINEALES

La clasificacin de estas resistencias se puede hacer en base a los materiales utilizados
para su construccin, basicamente mezclas de carbn o grafitos y materiales o
aleaciones metlicas. Tambin se pueden distinguir distintos tipos atendiendo a
caracteristicas constructivas y geomtricas. Una clasificacin sera la siguiente:
DE CARBN:
-Aglomeradas:
-De capa.
METLICAS:
-De capa.

-De pelcula.
-Bobinadas.

RESISTENCIAS DE CARBN
Es el tipo ms utilizado y el material base en su construccin es el carbn o grafito. Son
de pequeo tamao y baja disipacin de potencia. Segn el proceso de fabricacin y su
constitucion interna, podemos distinguir:

RESISTENCIAS AGLOMERADAS
Tambin se conocen con el nombre de "composicin", debido a su constitucin: una
mezcla de carbn, materia aislante, y resina aglomerante. Variando el porcentaje de
estos componentes se obtienen los distintos valores de resistencias.
Entre sus caractersticas se puede destacar:
-Robustez macnica y elctrica (sobrecarga).
-Bajos coeficientes de tensin y temperatura.
-Elevado nivel de ruido.
-Considerables derivas.

RESISTENCIAS DE CAPA DE CARBN

En este tipo de resistencias, la fabricacin est basada en el deposito de la composicin
resistiva sobre un cuerpo tubular formado por materiales vtreos cermicos.
Como caractersticas ms importantes:
-Elevado coeficiente de temperatura.
-Soportan mal las sobrecargas.
-Ruido y coeficiente de tensin prcticamente nulos.
-Mayor precisin y menores derivas que las aglomeradas:

RESISTENCIAS METLICAS
Estas resistencias estn constituidas por metales, oxidos y aleaciones metlicas como
material base. Segn el proceso de fabricacin y aplicacin a la que se destinan
podemos distinguir:

RESISTENCIAS DE CAPA METLICA

Estn constituidas por un soporte que puede ser de pirex, vidrio, cuarzo o porcelana,
sobre el que se depositan capas por reduccin quimica para el caso de xidos metlicos
o por vaprizacin al vaco para metales o aleaciones metlicas. Los xidos ms
utilizados son de estao, antimonio e indio, como metales y aleaciones de oro, platino,
indio y paladio dentro del grupo de metales preciosos.
Estos componentes tienen una gran estabilidad y precisin y un bajo nivel de ruido por
lo que suelen ser utilizadas en aplicaciones exigentes.
Entre sus caracteristicas ms importantes:
-Rangos reducidos de potencia y tensin.
-Estrechas tolerancias y elevada estabilidad.
-Bajo coeficiente de temperatura y altas temperaturas de funcionamiento.
-Reducido nivel de ruido.

RESISTENCIAS DE PELCULA METLICA

La diferencia fundamental con las anteriores est en las tcnicas de fabricacin
utilizadas, mediante las cuales se han conseguido integrar redes de resistencias. Los
materiales base usados en su fabricacin y los cuerpos soporte son los caractersticos de
las resistencias metlicas, a excepcion de los xidos metlicos. Dentro de este tipo
tambin podemos diferenciar dos tipos: de pelcula delgada y de pelcula gruesa,
diferenciandose en las caractersticas constructivas.
Las principales ventajas de estas resistencias radica en su reducido tamao, y sobretodo
en la disponibilidad de redes de resistencias como componente integrado. A pesar de su
reducido margen de potencia, inferior a 1/2 W, las ventajas respecto a las resistencias
discreta se pueden resumir en:
-Coste menor para un mismo nmero de resistencias.
-Reduccin del cableado, peso y espacio en el circuito.
-Tolerancias ms ajustadas.
-Caractersticas generales de las unidades integradas muy similares y valores
nominales prcticamente idnticos.
-Posibilidad de obtencin de valores hmicos distintos en funcin de la
configuracin interna y el nmero de resistencias integradas.
Esta ltima posibilidad est ligada al tipo de encapsulado en que se presenta la red. En
la prctica los ms comunes que se nos presentan son:
-Tipo SIL, disposicin de terminales en una linea, usada tambin para algunos tipos de
conectores.
-Tipo DIL, caracterstica de los encapsulados de circuitos integrados.

RESISTENCIAS BOBINADAS
En este tipo se emplean como soportes ncleos cermicos y vtreos, y como materiales
resistivos metales o aleaciones en forma de hilos o cintas de una determinada
resistividad, que son bobinados sobre los ncleos soporte.
Generalmente se suele hacer una subdivisin de este tipo en bobinadas de potencia y
bobinadas de precisin, segn la aplicacin a la que se destinan.
Como caractersticas genrales se pueden destacar las siguientes:
-Gran disipacin de potencias y elevadas temperaturas de trabajo.
-Elevada precisin, variacin con la temperatura y baja tensin de ruido.
-Considerables efectos inductivos.
-Construccin robusta.
Las resistencias bobinadas se pueden incluir en algunos de los modelos comerciales
siguientes: hilo descubierto, esmaltadas, vitrificadas,y aisladas.

RESISTENCIAS VARIABLES
Estas resistencias pueden variar su valor dentro de unos lmites. Para ello se les ha

aadido un tercer terminal unido a un contacto movil que puede desplazarse sobre el
elemento resistivo proporcionando variaciones en el valor de la resistencia. Este tercer
terminal puede tener un desplazamiento angular (giratorio) o longitudinal (deslizante).
Segun su funcin en el circuito estas resistencias se denominan:
Potencimetros: se aplican en circuitos donde la variacin de resistencia la
efectua el usario desde el exterior (controles de audio, video, etc.).
Trimmers, o resistencias ajustables: se diferencian de las anteriores en que su
ajuste es definitivo en el circuito donde van aplicadas. Su acceso est limitado al
personal tcnico (controles de ganancia, polarizacin, etc.).
Reostatos: son resistencias variables en las que uno de sus terminales extremos
est electricamente anulado. Tanto en un potencimetro como un trimmer, al
dejar unos de sus terminales extremos al aire, su comportamiento ser el de un
reostato, aunque estos estn diseados para soportar grandes corrientes.

Caractersticas tcnicas
Estas son las especificaciones tcnicas ms importantes que podemos encontrar en las
hojas de caractersticas que nos suministra el fabricante:

Recorrido mecnico: es el desplazamiento que limitan los puntos de parada del cursor
(puntos extremos).
Recorrido elctrico: es la parte del desplazamiento que proporcionan cambios en el
valor de la resistencia. Suele coincidir con el recorrido mecnico.
Resistencia nominal (Rn): valor esperado de resistencia variable entre los lmites del
recorrido elctrico.
Resistencia residual de fin de pista (rf): resistencia comprendida entre el lmite
superior del recorrido elctrico del cursor y el contacto B (ver figura).
Resistencia residual de principio de pista (rd): valor de resisiencia comprendida entre
lmite inferior del recorrido elctrico y el contacto A (ver figura).
Resistencia total (Rt): resistencia entre los terminales fijos A o A' y B, sin tener en
cuenta la conexin del cursor e incluyendo la tolerancia. Aunque a efectos practicos se
considera igual al valor nominal (Rt=Rn).

Resistencia de contacto (rc): resistencia que presenta el cursor entre su terminal de

conexin externo y el punto de contacto interno (suele despreciarse, al igual que rd y rf).
Temperatura nominal de funcionamiento (Tn): es la temperatura ambiente a la cual
se define la disipacin nominal.
Temperatura mxima de funcionamiento (Tmax): mxima temperatura ambiente en la
que puede ser utilizada la resistencia.
Potencia nominal (Pn): mxima potencia que puede disipar el dispositivo en servicio
continuo y a la temperatura nominal de funcionamiento.
Tensin mxima de funcionamiento (Vmax): mxima tensin continua ( o alterna
eficaz) que se puede aplicar a la resistencia entre los terminales extremos en servicio
continuo, a la temperatura nominal de funcionamiento.
Resolucin: cantidad mnima de resistencia que se puede obtener entre el cursor y un
extremo al desplazar (o girar) el cursor. Suele expresarse en % en tensin, en
resistencia, o resolucin angular.
Leyes de variacin: es la caracterstica que particulariza la variacin de la resistencia
respecto al desplazamiento del cursor. Las ms comunes son la ley de variacin lineal, y
la logartmica (positiva y negativa):

Linealidad o conformidad: indica el grado de acercamiento a la ley de variacin

terica que caracteriza su comportamiento, y es la mxima variacin de resistencia real
que se puede producir respecto al valor total (nominal) de la resistencia.

RESISTENCIAS VARIABLES
Estas resistencias pueden variar su valor dentro de unos lmites. Para ello se les ha
aadido un tercer terminal unido a un contacto movil que puede desplazarse sobre el
elemento resistivo proporcionando variaciones en el valor de la resistencia. Este tercer
terminal puede tener un desplazamiento angular (giratorio) o longitudinal (deslizante).
Segun su funcin en el circuito estas resistencias se denominan:
Potencimetros: se aplican en circuitos donde la variacin de resistencia la
efectua el usario desde el exterior (controles de audio, video, etc.).

Trimmers, o resistencias ajustables: se diferencian de las anteriores en que su

ajuste es definitivo en el circuito donde van aplicadas. Su acceso est limitado al
personal tcnico (controles de ganancia, polarizacin, etc.).
Reostatos: son resistencias variables en las que uno de sus terminales extremos
est electricamente anulado. Tanto en un potencimetro como un trimmer, al
dejar unos de sus terminales extremos al aire, su comportamiento ser el de un
reostato, aunque estos estn diseados para soportar grandes corrientes.

Caractersticas tcnicas
Estas son las especificaciones tcnicas ms importantes que podemos encontrar en las
hojas de caractersticas que nos suministra el fabricante:

Recorrido mecnico: es el desplazamiento que limitan los puntos de parada del cursor
(puntos extremos).
Recorrido elctrico: es la parte del desplazamiento que proporcionan cambios en el
valor de la resistencia. Suele coincidir con el recorrido mecnico.
Resistencia nominal (Rn): valor esperado de resistencia variable entre los lmites del
recorrido elctrico.
Resistencia residual de fin de pista (rf): resistencia comprendida entre el lmite
superior del recorrido elctrico del cursor y el contacto B (ver figura).
Resistencia residual de principio de pista (rd): valor de resisiencia comprendida entre
lmite inferior del recorrido elctrico y el contacto A (ver figura).
Resistencia total (Rt): resistencia entre los terminales fijos A o A' y B, sin tener en
cuenta la conexin del cursor e incluyendo la tolerancia. Aunque a efectos practicos se
considera igual al valor nominal (Rt=Rn).
Resistencia de contacto (rc): resistencia que presenta el cursor entre su terminal de
conexin externo y el punto de contacto interno (suele despreciarse, al igual que rd y rf).
Temperatura nominal de funcionamiento (Tn): es la temperatura ambiente a la cual
se define la disipacin nominal.

Temperatura mxima de funcionamiento (Tmax): mxima temperatura ambiente en la

que puede ser utilizada la resistencia.
Potencia nominal (Pn): mxima potencia que puede disipar el dispositivo en servicio
continuo y a la temperatura nominal de funcionamiento.
Tensin mxima de funcionamiento (Vmax): mxima tensin continua ( o alterna
eficaz) que se puede aplicar a la resistencia entre los terminales extremos en servicio
continuo, a la temperatura nominal de funcionamiento.
Resolucin: cantidad mnima de resistencia que se puede obtener entre el cursor y un
extremo al desplazar (o girar) el cursor. Suele expresarse en % en tensin, en
resistencia, o resolucin angular.
Leyes de variacin: es la caracterstica que particulariza la variacin de la resistencia
respecto al desplazamiento del cursor. Las ms comunes son la ley de variacin lineal, y
la logartmica (positiva y negativa):

Linealidad o conformidad: indica el grado de acercamiento a la ley de variacin

terica que caracteriza su comportamiento, y es la mxima variacin de resistencia real
que se puede producir respecto al valor total (nominal) de la resistencia.

RESISTENCIAS NO LINEALES
Estas resistencias se caracterizan porque su valor ohmico, que vara de forma no lineal,
es funcin de distintas magnitudes fsicas como puede ser la temperatura, tensin, luz,
campos magnticos,etc.. As estas resistencias estn consideradas como sensores.
Entre las ms comunes podemos destacar las siguientes:
-Termistores o resistencias NTC y PTC. En ellas la resistencia es funcin de la
temperatura.
-Varistores o resistencias VDR. En ellas la resistencia es funcin de la tensin.
-Fotoresistencias o resistencias LDR. En estas ltimas la resistencia es funcin
de la luz.

TERMISTORES
En estas resistencias, cuyo valor ohmico cambia con la temperatura, adems de las
caractersticas tpicas en resistencias lineales fijas como valor nominal, potencia

nominal, tolerancia, etc., que son similares para los termistores, hemos de destacar
otras:
Resistencia nominal: en estos componentes este parmetro se define para una
temperatura ambiente de 25C:
Autocalentamiento: este fenmeno produce cambios en el valor de la resistencia al
pasar una coriiente elctrica a su traves. Hemos de tener en cuenta que tambien se puede
producir por una variacin en la temperatura ambiente.
Factor de disipacin trmica: es la potencia necesaria para elevar su temperatura en
1C. Dentra de los termistores podemos destacar dos grupos: NTC y PTC.

RESISTENCIAS NTC
Esta resistencia se caracteriza por su disminucin del valor resistivo a medida que
aumenta la temperatura, por tanto presenta un coeficiente de temperatura negativo.
Entre sus caracteristicas se pueden destacar: resistencia nominal de 10 ohmios a 2M,
potencias entre 1 microvatio y 35W, coeficiente de temperatura de -1 a -10% por C; y
entre sus aplicaciones: regulacin, compensacin y medidas de temperaturas,
estabilizacin de tensin, alarmas, etc.

RESISTENCIAS PTC
Estas, s diferencia de las anteriores, tiene un coeficiente de temperatura positivo, de
forma que su resistencia aumentar como consecuencia del aumento de la temperatura
(aunque esto slo se da en un margen de temperaturas).

VARISTORES
Estos dispositivos (tambien llamados VDR) experimentan una disminucin en su valor
de resistencia a medida que aumenta la tensin aplicada en sus extremos. A diferencia
de lo que ocure con las NTC y PTC la variacin se produce de una forma instantnea.
Las aplicaciones ms importantes de este componente se encuentran en: proteccin
contra sobretensiones, regulacin de tensin y supresin de transitorios.

FOTORESISTENCIAS
Estas resistencias, tambin conocidas como LDR, se caracteriza por su disminucin de
resistencia a medida que aumenta la luz que incide sobre ellas.
Las principales apicaciones de estos componentes: controles de ilumnacin, control de
circuitos con rels, en alarmas, etc..
CIRCUITOS DE CORRIENTE ALTERNA
La Corriente alterna tiene la gran ventaja de que la energa elctrica puede transportarse a
largas distancias a tensiones muy elevadas y corrientes bajas para reducir la perdida de
energa en forma de calor por efecto Joule. Luego puede transformarse, con perdida mnima
de energa , en tensiones ms bajas y seguras .
Ms del 99 % de la energa elctrica utilizada hoy en da se produce mediante generadores
elctricos en forma de corriente alterna. En Norteamrica la potencia elctrica se suministra

mediante una corriente sinusoidal de 60 Hz, mientras que en prcticamente el resto lo hace
a 50 Hz.
La corriente alterna se genera fcilmente mediante induccin magntica en los generadores
de ca y estn proyectados para producir una fem. alterna.
3.8.1-Fuentes de corriente Alterna
Un circuito de CA se compone de elementos de circuito de un generador que brinda la corriente alterna.
El principio bsico del generador de CA es una consecuencia directa de la ley de induccin de Faraday.
Cuando una bobina se hace girar en un campo magntico a frecuencia angular constante w, un voltaje
sinusoidal (FEM) se induce en la bobina, este voltaje instantneo es:
V= Vmax. Sen wt
Donde Vmax es el voltaje de salida mximo del generador de CA, o la amplitud de voltaje, la frecuencia
angular esta dada por w=2 =2/T, donde es la frecuencia de la fuente y T es el periodo.
Considere un generador de CA conectado a un circuito en serie que contiene elementos R, L, C. Si se da
la amplitud de voltaje y la frecuencia del generador, junto con los valores de R, L y C, encuentre la
amplitud y constante de fase de la corriente. Con el propsito de simplificar nuestro anlisis de circuitos
que contiene dos o ms de elementos, empleamos construcciones grficas conocidas como diagramas
de fasores. La longitud del fasor representa la amplitud (Valor mximo) de la cantidad en tanto que la
proyeccin del fasor sobre el eje vertical representa el valor instantneo de esa cantidad.
3.8.2-Resistores de un circuito de CA
Considere un circuito de CA simple compuesto por un resistor y un generador de C, en cualquier instante
la suma algebraica del potencial que aumente o disminuye alrededor de un lazo cerrado en un circuito
debe ser 0, por lo tanto, V-Vr =0, o V = Vr= Vmax.sen Wt donde Vr es la cada de voltaje instantnea a
travs del resistor, por consiguiente, la corriente instantnea en el resistor es Ir V/R = Vmax /R. sen Wt =
Imax.Sen Wt donde Imax es la corriente mxima:
Imax = Vmax/R,
de acuerdo con esto vemos que la cada de voltaje instantnea a travs del resistor es Vr=imax.r. Sen
Wt.
Debido a que Ir y Vr varan ambas como Sen Wt y alcanzan sus valores mximos al mismo tiempo, como
se muestra en la figura, se dice que estn en fase. Las longitudes de las flechas corresponden a Vmax y
Imax. Las proyecciones de la flecha sobre el eje vertical dar Ir
y Vr. En el caso de un circuito resistivo, los fasores de corriente y voltaje se encuentran a lo largo de una
misma lnea como en la figura, debido a que Ir y Vr estn en fase.
El valor de la Corriente sobre un ciclo es cero, es decir la corriente se mantiene en la direccin positiva
durante el mismo tiempo y en la misma magnitud que se mantiene en la direccin negativa. Sin embargo
la direccin de la corriente no tiene efecto en el comportamiento del resistor , esto puede entenderse
reconociendo que los choques entre los electrones y los tomos fijos del resistor, originan un aumento en
la temperatura del resistor. A pesar de que este aumento de la temperatura en el resistor depende de la
corriente pero a su vez es independiente de ella.
Asociacin de resistencias
Existen dos modos fundamentales de conectar o asociar las resistencias entre s, en serie y en paralelo o
derivacin. En la asociacin en serie las resistencias se conectan una tras otra de modo que por todas
ellas pasa la misma intensidad de corriente. En la asociacin en paralelo la conexin se efecta uniendo
los dos extremos de cada una de ellas a un mismo par de puntos. En este caso la diferencia de potencial
entre los extremos de cualquiera de las resistencias asociadas es la misma, pero, de acuerdo con el
principio de no acumulacin de cargas, la intensidad total que llega al nudo o punto de bifurcacin se
reparte entre ellas.
Se denomina resistencia equivalente de una asociacin de resistencias a aquella resistencia nica por la
que podra sustituirse la asociacin sin alterar la intensidad que circula por el circuito. En el caso de una
asociacin en serie de tres resistencias, la frmula de la resistencia equivalente Re se obtiene como
sigue. De acuerdo con la ley de Ohm aplicada a cada una de ellas, se tiene:

V1 = I R1 ; V2 = I R2 ; V3 = I R3
donde V1, V2 y V3 son las tensiones entre sus extremos respectivos e I la intensidad de corriente que las
atraviesa, igual para todas ellas.
De acuerdo con el principio de conservacin de energa referido a la unidad de carga, la cantidad total de
energa que pierde la unidad de carga al atravesar las tres resistencias ser igual a la suma de las
cantidades que pierde en cada resistencia, es decir:
V = V1 + V2 + V3 = IR1 + IR2 + IR3 = I (R1 + R2 + R3)
Si la ley de Ohm se aplica a la asociacin en su conjunto, se tiene
V = I Re
Comparando ambas ecuaciones resulta:

Ecuacin que puede generalizarse a cualquier nmero de resistencias.

Si la asociacin fuera en paralelo, al llegar al nudo la corriente se reparte entre las diferentes resistencias
y, de acuerdo con el principio de no acumulacin de cargas, se cumplir, en este caso, la relacin
I = I1 + I2 + I3
con
V1 = V2 = V3 = V
Aplicando la ley de Ohm a cada resistencia, resulta ahora:
V = I1 R1 ; V = I2 R2 ; V = I3 R3
Para la asociacin en su conjunto se tendr:
V = I Re
Si se sustituyen los valores de I, I1, I2 e I3 en la ecuacin de las intensidades se obtiene:

es decir:

En este caso es la suma de los inversos la que da lugar, no a la resistencia equivalente,

sino a su inverso. Por tal motivo en este tipo de asociacin el valor de la Re, resulta ser
inferior al de la ms pequea de las resistencias asociadas.

bobina
Smbolo del inductor

La bobina o inductor es un elemento muy interesante. A diferencia del condensador o capacitor,

la bobina por su forma (espiras de alambre arrollados) almacena energa en forma de campo
magntico. Todo cable por el que circula una corriente tiene a su alrededor un campo
magntico generado por la corriente, siendo el sentido de flujo del campo magntico, el que
establece la ley de la mano derecha (ver electromagnetismo). Al estar la bobina hecha de
espiras de cable, el campo magntico circula por el centro de la bobina y cierra su camino por
su parte exterior
Una caracterstica interesante de las bobinas es que se oponen a los cambios bruscos de la
corriente que circula por ellas. Esto significa que a la hora de modificar la corriente que circula
por ellas (ejemplo: ser conectada y desconectada a una fuente de poder de corriente directa),
esta tratar de mantener su condicin anterior.
Las bobinas se miden en Henrios (H.), pudiendo encontrarse bobinas que se miden en
MiliHenrios (mH). El valor que tiene una bobina depende de:
- El nmero de espiras que tenga la bobina (a ms vueltas mayor inductancia, o sea mayor
valor
en
Henrios).
- El dimetro de las espiras (a mayor dimetro, mayor inductancia, o sea mayor valor en
Henrios).
La
longitud
del
cable
de
que
est
hecha
la
bobina.
- El tipo de material de que esta hecho el ncleo, si es que lo tiene.
Qu aplicaciones tiene una bobina?
- Una de la aplicaciones ms comunes de las bobinas y que forma parte de nuestra vida diaria
es la bobina que se encuentra en nuestros autos y forma parte del sistema de ignicin.
- En los sistemas de iluminacin con tubos fluorescentes existe un elemento adicional que
acompaa
al
tubo
y
que
comnmente
se
llama
balastro
- En las fuentes de alimentacin tambin se usan bobinas para filtrar componentes de corriente
alterna y solo obtener corriente continua en la salida

http://www.unicrom.com/Tut_bobina.asp

Inductancias.- Llamaremos inductancia al campo

magntico que crea una corriente elctrica al pasar a
travs de una bobina de hilo conductor enrrollado
alrededor de la misma que conforma un inductor. Un
inductor puede utilizarse para diferenciar seales
cambiantes rpidas o lentas. Al utilizar un inductor con
un condensador, la tensin del inductor alcanza su
valor mximo a una frecuencia dependente de la
capacitancia y de la inductancia.
La inductancia depende de las caractersticas fisicas
del conductor y de la longitud del mismo. Si se enrolla
un conductor, la inductancia aumenta. Con muchas
espiras (vueltas) se tendr ms inductancia que con
pocas.
Si a esto aadimos un ncleo de ferrita, aumentaremos

considerablemente la inductancia.
La energa almacenada en el campo
magntico de un inductor se calcula
segn la siguiente formula:
W = I L/2 ... siendo: W = energa (julios); I
= corriente (amperios; L = inductancia (henrios).
El Clculo de la inductancia: La inductancia de una
bobina con una sola capa bobinada al aire puede ser
calculada aproximadamente con la frmula
simplificada siguiente:
L (microH)=d.n/18d+40 l siendo:L = inductancia
(microhenrios); d = dimetro de la bobina (pulgadas);
l= longitud de la bobina (pulgadas); n = nmero de
espiras o vueltas.

Como ya se ha dicho, la unidad para la inductancia es

el HENRIO.
En una bobina habr un henrio de inductancia cuando
el cambio de 1 amperio/segundo en la corriente
elctrica que fluye a travs de ella provoque una
fuerza electromotriz opuesta de 1 voltio.
Un transformador o dos circuitos magnticamente
acoplados tendrn inductancia mutua equivalente a un
HENRIO cuando un cambio de 1 amperio/segundo en la
corriente del circuto primario induce tensin
equivalente a 1 voltio en el circuito secundario.
http://www.bricopage.com/inductancias.html

Inductancia
De Wikipedia, la enciclopedia libre.
Es la propiedad de un circuito que establece la cantidad de flujo magntico que lo
atraviesa, en funcin de la corriente que circula por l. El coeficiente de autoinduccin,
L, es la medida de esta propiedad y se define:

donde es el flujo magntico e I es la corriente. El valor de este coeficiente viene

determinado exclusivamente por la geometra del circuito y por la permeabilidad
magntica del espacio donde ste se expresa.
Un cambio en la intensidad de la corriente (dI / dt) resultar en un cambio en el campo
magntico y, por lo mismo, un cambio en el flujo que est atravesando el circuito, lo
que dar lugar a la generacin de una fuerza electromotriz autoinducida en l, debido a
la Ley de Faraday, y por tanto a la circulacin de una corriente que se opone a su propio
cambio de corriente (vase la Ley de Lenz).
El valor de la fuerza electromotriz autoinducida (o fuerza contraelectromotriz) viene
dado por:

La Unidad del Sistema Internacional de Medidas de la inductancia es el henrio (H).

La inductancia de un solenoide (un circuito en forma de bobinado mltiple, idealmente
infinito y sea que no presenta resistencia) viene determinada por:

donde es la permeabilidad magntica del ncleo, N es el nmero de espiras, A es el

area de la seccin transversal del bobinado y l es su longitud.
sta, y la inductancia de formas ms complicadas, pueden derivarse de las ecuaciones
de Maxwell.
Obtenido de "http://es.wikipedia.org/wiki/Inductancia"
INDUCTANCIA.
Inductancia (tambin denominada inductancia propia) es la propiedad de un circuito o elemento de un
circuito para retardar el cambio en la corriente que pasa por l. El retardo est acompaado por
absorcin o liberacin de energa y se asocia con el cambio en la magnitud del campo magntico que
rodea los conductores.
En cualquier circuito, todo flujo magntico, alrededor de los conductores que transportan la corriente,
pasa en la misma direccin a travs de la ventana formada por el circuito.
Cuando el interruptor de un circuito elctrico se cierra, el aumento de corriente en el circuito produce un
aumento del flujo. El cambio del flujo genera un voltaje en el circuito que se opone al cambio de
corriente.
Esta accin de oposicin es una manifestacin de la ley de Lenz en la que cualquier voltaje magntico
inducido se generar siempre en una direccin tal, que se opone a la accin que lo causa.
La inductancia se simboliza con la letra L y se mide en henrios (H) y su representacin grfica es por
medio de un hilo enrollado, algo que recuerda que la inductancia se debe a un conductor ligado a un
campo magntico. La fuente del campo magntico es la carga en movimiento, o corriente. Si la corriente
vara con el tiempo, tambin el campo magntico vara con el tiempo. Un campo que vara con el tiempo

induce a un voltaje en cualquier conductor presente en el campo. El parmetro de circuito de la

inductancia relaciona el voltaje inducido con la corriente.
La magnitud del voltaje inducido en cualquier bobina, por un flujo magntico variable es proporcional al
numero de vueltas de la bobina y a la velocidad de variacin del flujo a travs de su ventana. Esta
relacin se conoce como ley de Faraday. Expresada en trminos matemticos:
En donde e= voltaje inducido en la bobina (V)
N= nmero de vueltas conectadas en serie en la bobina
d/dt= velocidad de variacin
El signo menos proviene de la ley de Lenz, e indica que el voltaje se genera en una direccin opuesta al
cambio de flujo que lo causa. Debido a su accin de oposicin, el voltaje inducido magnticamente se
denomina frecuentemente fuerza contra-electromotriz.
Un cambio en la magnitud o direccin de la corriente en cualquier conductor o bobina siempre
establecer un voltaje en una direccin opuesta al cambio. Por tanto la direccin de la tensin inducida
depender de si la corriente est aumentando o disminuyendo.
Asimismo, cualquier cambio de la velocidad del flujo de electrones en un conductor en una bobina
establecer un voltaje que podr retardar, pero no evitar dicho cambio.
2.1-Inductancia concentrada.
La inductancia propia de un circuito se puede incrementar aadiendo en serie una inductancia
concentrada, llamada inductancia o inductor. La inductancia concentrada es una bobina de alambre con
o sin ncleo ferromagntico. Si la inductancia concentrada es mucho mayor que la inductancia propia
producida por los alambres de conexin, que es el caso comn, la inductancia de los alambres de
conexin puede despreciarse.
Cuando se analizan circuitos que contienen inductancias concentradas, debe considerase la resistencia
de la bobina y la cada de voltaje debida a esa resistencia.
La figura a) muestra un inductor. Si se le asigna la direccin de referencia de la corriente en el inductor
en la direccin de la cada de voltaje entre las terminales del inductor se obtienen: a)
Donde V se mide en voltios L en Henryos, I en amperios y T en segundos. Si la corriente sigue la
direccin de aumento de voltaje en el inductor, la ecuacin se escribe con un signo negativo.
Viendo la ecuacin, el voltaje entre las terminales de un inductor es proporcional a la variacin con el
tiempo de la corriente en el inductor. Al llegar a ese punto se pueden hacer dos observaciones. Primero,
si la corriente es constante, el voltaje en el inductor ideal es cero.
De esta manera el inductor se comporta como un cortocircuito para una corriente constante. Segundo, la
corriente no puede cambiar en forma instantnea en un inductor; es decir la corriente no puede variar en
una cantidad finita en un tiempo cero. La ecuacin nos indica que este cambio requerira un voltaje
infinito, y los voltajes infinitos no son posibles.
2.2-Energa almacenada en una bobina.
Para establecer el flujo alrededor de un conductor con corriente, la fuente suministra energa elctrica.
Toda esta energa se almacena en el campo como energa magntica; nada se consume. Cuando la
corriente se disminuye, el flujo que circunda los alrededores se disminuye, haciendo que la energa
liberada se libere.
La energa almacenada en el campo magntico es diferente a las prdidas de energa en los
conductores, las cuales se transforman en energa calorfica. De este modo, cuando se analizan las
relaciones de energa en un inductor, es conveniente hacer un modelo de circuito equivalente, que
muestre la inductancia y la resistencia por separado.
La energa almacenada en el campo magntico de un inductor, en un instante de tiempo, es proporcional
a la inductancia propia del inductor y al cuadrado de la corriente en ese instante. Expresado en trminos
matemticos queda:

En donde Wk= energa acumulada en la inductancia en un tiempo T, (j)

Ik= corriente en el tiempo T, (A)
L= Inductancia (H)

CAPACIDAD
Se define capacidad C de un condensador como la relacin entre la magnitud de la carga Q de uno
cualquiera de los conductores y la diferencia de potencial Vab entre ellos.
La capacitancia es la propiedad de un circuito elctrico, o elemento del circuito, para retardar un cambio
en el voltaje que pasa a travs de l. El retardo es causado por la absorcin o liberacin de energa y
est asociado con un cambio de la carga elctrica.
En la mayora de los casos, los conductores suelen tener cargas de igual magnitud y signo opuestos, de
modo que la carga neta del condensador es nula. Entonces el campo elctrico en la regin comprendida
entre los conductores es proporcional a la magnitud de esta carga y por tanto la diferencia de potencial
Vab entre los conductores es tambin proporcional a la magnitud de carga Q.

De esta definicin se deduce que la mitad de capacidad es el coulomb por volt (1C/V). Una capacidad de
un coulomb por volt se denomina farad (1F) en honor de Michael Faraday. Como el farad es una unidad
de capacidad grande se utilizan unidades de tamao ms adecuado, como el microfarad (1F= 10^-6 F) o
el picofarad (1pF=10^-12F).
Cuando se dice que un condensador tiene una carga Q, significa que la carga del conductor de mayor
potencial es Q y la de menor potencial es -Q.
1.1-El Condensador.
Dos Conductores cualesquiera separados por un aislador se dice que forman un condensador. El
parmetro de circuito de la capacidad se representa con la letra C y se mide en Faradios.
Un Condensador se representa por el smbolo:
Las unidades de medida utilizadas en los condensadores es la descrita en el penltimo prrafo del
apartado anterior.
De la ecuacin de capacidad anterior surgen dos observaciones importantes.
Primero, el voltaje no puede cambiar de forma instantnea en las terminales del condensador. Dicha
ecuacin indica que este cambio producira una corriente infinita, lo que fsicamente es imposible.
Segundo, si el voltaje en las terminales es constante, la corriente en el condensador es cero. Esto se
debe a que no se puede establecer una corriente de conduccin en el material dielctrico del
condensador. La corriente de desplazamiento solo se puede producir con un voltaje que vare con el
tiempo. Por lo tanto un condensador se comporta como un circuito abierto si el voltaje es constante
Los condensadores tienen muchas aplicaciones en circuitos elctricos. Se utilizan para sintonizar los
circuitos de radio, para suavizar la corriente rectificada suministrada por una fuente, para eliminar la
chispa que se produce cuando se abre repentinamente un circuito con inductancia. El sistema de
encendido de los motores de un coche tiene un condensador para eliminar chispazos al abrirse y cerrarse
los platinos.
1.2-Accin de carga.

Si dos conductores separados por un material aislante, como el aire, el papel, el caucho, el plstico o el
vidrio, se conectan a un generador de CC o a una batera, los electrones libres en el material conductor
se orienta en la direccin de la tensin de excitacin.
La batera que acta como una bomba de electrones transfiere algunos de estos electrones libres del
conductor A al conductor B. La transferencia de electrones hace que el conductor B sea cada vez ms
negativo y el conductor A cada vez ms positivo. As se crea una diferencia de potencial entre los
conductores.
Del material que pierde electrones se dice que est cargado positivamente y del que gana electrones se
dice que est cargado negativamente.
Si el proceso de carga continua, con el tiempo el conductor B llegar a estar lo suficientemente cargado
negativamente como para evitar transferencia adicional de electrones. Cuando esto ocurre, el voltaje
medido del conductor A al conductor B es igual y opuesto a la tensin de excitacin.
La rapidez del movimiento de los electrones est limitada por la resistencia de los materiales
conductores. Por lo tanto, el proceso de carga requerir de ms tiempo si se utilizan materiales de
resistencias ms altas.
1.3-Energa almacenada en un condensador,
El proceso de transferencia de carga elctrica de una placa del condensador a la otra, produce una
acumulacin de energa. Esta energa en forma de cargas elctricas desplazadas, permanece
almacenada por algn tiempo despus de que se desconecta la tensin de excitacin. La cantidad de
energa almacenada en el condensador depende de la capacitancia y del voltaje a travs de l, elevado
al cuadrado. Por consiguiente:
En donde Wc= Energa acumulada en el condensador, joules (J)
C= Capacitancia, farads (F)
Vc= Voltaje medido entre placas de polaridad opuesta, volt (V)
La energa almacenada en el condensador no se libera en el instante en que ste se desconecta del
generador. La duracin de la carga depende de factores tales como la resistencias del dielctrico, la
constante dielctrica, la superficie de dispersin la humedad y la radioactividad del ambiente
1.4-Condensador de placas paralelas.
El tipo de condensadores ms frecuentes consiste en principio en dos placas conductoras paralelas y
separadas por una pequea distancia. Todo el campo del condensador est comprendido entre estas dos
placas, y las cargas sobre estas placas estn distribuidas uniformemente sobre sus superficies opuestas.
Esta disposicin se conoce como condensador de placas paralelas.
En los circuitos de radio se utilizan con mucha frecuencia condensadores variables capacidad puede
variar. Estos condensadores suelen tener cierto nmero de placas metlicas paralelas fijas conectadas
entre s que constituyen una placa del condensador, mientras que un segundo juego de placas mviles
(tambin conectadas entre s) forman la otra placa.
Las placas mviles estn montadas en un eje y pueden interlaminarse entre las fijas con mayor o menor
extensin. El rea efectiva del condensador es la de la porcin interlaminada de las placas. Un
condensador variable se representa por el smbolo:
1.5-Condensadores en serie y en paralelo.
En la figura 1 se ha conectado en serie dos condensadores entre los puntos a y b, que se mantienen a
una diferencia de potencial constante Vab. Inicialmente ambos condensadores estn descargados. En
esta conexin, los dos condensadores tienen la misma carga Q. Podra plantearse la cuestin de que la
placa inferior C1 y la superior C2 tuvieran cargas diferentes que las otras placas, pero en ese caso la
carga neta de cada condensador no sera nula y el campo elctrico resultante en el conductor de unin
de los condensadores ocasionara un flujo de corriente que circulara hasta reducir a cero la carga total
de cada uno. Por consiguiente, en una conexin en serie la magnitud de la carga de todas las placas es
la misma.
Figura 1:

En base a la figura 1 tenemos que:

La Capacidad equivalente C de una combinacin en serie se define como la de un solo condensador de
carga Q igual a la de la combinacin, cuando la diferencia de potencial V es igual.
En la figura 2 hay dos condensadores conectados en paralelos entre los puntos a y b. En este caso la
diferencia de potencial Vab=V es la misma para ambos, y las cargas
y
no son necesariamente iguales, son:
La carga total suministrada por la fuente es:
La capacidad equivalente c de una combinacin en paralelo se define como la de un solo condensador
cuya carga total es igual que la de la figura 2 en su primera parte.
Figura 2:
1.6-Efecto de un dielctrico.
La mayor parte de los condensadores tienen entre sus placas un material slido no conductor o
dielctrico. Un tipo normal de condensador son los constituidos por tiras de chapa metlica, que
constituyen las placas, separadas por tiras de papel parafinado o lminas de plstico como el mylar, que
actan de dielectro.
En los condensadores electrolticos el dielectro es una pelcula finsima de un oxido no conductor situada
entre una placa metlica y una disolucin conductora. Debido al pequeo espesor del dielectro,
condensadores electrolticos de dimensiones relativamente pequeas pueden llegar a tener entre 100 y
1000 F.
La capacitancia de un condensador de dimensiones dadas es mayor cuando hay un dielectro entre las
placas que cuando estn separadas por el aire o por el vaco. Este efecto puede demostrarse con la
ayuda de un electrmetro sensible, un dispositivo que puede medir la diferencia de potencial entre dos
conductores sin que pase carga alguna de uno a otro.
Un condensador est cargado con una carga Q y una diferencia de potencial Vo. Cuando se sita entre
las placas una lmina de dielectro como parafina, vidrio o poliestireno, se observa que la diferencia de
potencial disminuye hasta un valor V. Al quitar el dielectro, la diferencia de potencial vuelve a su valor
inicial, lo que demuestra que las cargas iniciales de las placas no han sido afectadas por la insercin del
dielectro.
La capacitancia inicial del condensador Co, era:
Como Q no vara y se observa que V es menor que Vo, se deduce que C es mayor que Co. La relacin
entre C y Co se llama constante dielctrica del material K.
Como C siempre es mayor que Co, las constantes dielctricas de todos los dielectros son mayores que la
unidad.

http://html.rincondelvago.com/capacidad_inductancia_corriente-continua-y-alterna.html

CAPACITANCIA.
DEFINICIONES.

CAPACITOR

CONDENSADOR:

capacitor

es

un

dispositivo

elctrico formado por dos conductores aislados entre si, que al

aplicarles una diferencia de potencial V, se reacomoda su carga
elctrica, uno queda con carga +Q y el otro con una carga de Q, de
esta forma se dice que el capacitor esta cargado con carga Q.

Fig. 1 Un capacitor se compone de dos conductores aislados elctricamente uno del

otro y de sus alrededores. Una vez que el capacitor se carga, los dos conductores
tienen cargas iguales pero opuestas.

CAPACITANCIA. Es la razn de la magnitud de la carga en uno u otro conductor con

la diferencia de potencial resultante entre ambos conductores.
Se define la capacitancia de un capacitor como:
C

=Q/V

La capacitancia C depende tanto de factores geomtricos (rea de las placas y

distancia entre ellas) como de factores intrnsicos del material dielctrico, representados
estos ltimos por la constante de permitividad del material, como lo expresa la siguiente
ecuacin que representa la capacitancia de un par de placas planas y paralelas:
C = e A/ d
Donde A es el rea de las placas, d la distancia que las separa y epsilon es
constante de permitividad para cada material dielctrico particular. Esta constante est
relacionada con la constante de permitividad del vaco (epsilon 0) a travs de la
constante dielctrica del material Ke, como se muestra en la siguiente ecuacin:

= Ke *

Donde la permitividad del vaco (o del aire) es:

= 8.85 x 10 12 [ C 2 / N m 2 ]

Mientras mayor sea la constante dielctrica (Ke), mayor ser la capacitancia.

Los valores de capacitancia siempre son positivos. Adems, ya
que la diferencia de potencial aumenta a medida que la carga
almacenada se incrementa, la proporcin Q/V es constante para un
capacitor dado. En consecuencia, la capacitancia de un dispositivo es
una medida de su capacidad para almacenar carga y energa
potencial elctrica; esta tiene unidades del SI Coulomb por volt, que
es el farad (F), en honor a Michael Faraday.
[Capacitancia] = 1 F = C / V
FARAD. Unidad de la capacitancia (F) es la transferencia de carga de un coulomb en un
conductor cuando se eleva su potencial en un volt.

Si un conductor tiene una capacitancia de un farad, una transferencia de carga de

un coulomb al conductor elevar su potencial en un volt.
El farad es una unidad de capacitancia muy grande. En la
prctica, los dispositivos comunes tienen capacitancias que varan de
microfaradios (F) o picofaradios (pF). La capacitancia depende, de
entre otras cosas, del arreglo geomtrico de los conductores.
Debido al enorme tamao del coulomb como unidad de carga, el farad como
unidad de capacitancia suele ser tambin demasiado grande en aplicaciones prcticas.
En consecuencia, comnmente se usan los siguientes submltiplos.
1 microfarad (F) = 10-6 F
1 picofarad (pF) = 10-12 F
Como un ejemplo, calcularemos la capacitancia de un conductor
esfrico aislado de radio R y carga Q. (El segundo conductor puede
considerarse como una esfera conductora hueca concntrica de radio
infinito.) Puesto que el potencial de la esfera es simplemente K eQ / R
(donde V = 0 en el infinito), su capacitancia es:
C = Q/V = Q /(Ke Q/R) = R /Ke = 4

R
0

Esto demuestra que la capacitancia de una esfera cargada

aislada es proporcional a su radio e independiente tanto de la carga
como de la diferencia de potencial. Por ejemplo, una esfera metlica
aislada de 0.15 m de radio tiene una capacitancia de:

R = 4 (8.85 x 10

C = 4

12

C2/Nm2)(0.15) = 17 pF

RIGIDEZ DIELCTRICA. Es la intensidad del campo elctrico para el cual el

material deja de ser un aislador y se convierte en un conductor.

La rigidez dielctrica de un material vara considerablemente con las

condiciones del ambiente, como presin, humedad, etc. Es difcil obtener valores
exactos.

CLCULO

DE

CAPACITANCIA

EN

DIFERENTES

CONFIGURACIONES.
La capacitancia de un par de conductores con cargas opuestas
se puede calcular

simplemente usamos C = Q/V. Como se podra

esperar, el clculo se efecta con relativa facilidad si la geometra del

capacitor es simple.
Ahora se calculara la capacitancia a tres geometras con las que
estamos familiarizados, es decir, dos placas paralelas, dos cilindros
coaxiales y dos esferas concntricas. En estos ejemplos, suponemos
que los conductores cargados estn separados por el vaco.

EL CAPACITOR DE PLACAS PARALELAS.

En la figura 2 una placa tiene una carga Q la otra, carga Q. La
carga por unidad de rea sobre cualquier placa es = Q/A. Se puede
ignorar los efectos de borde y suponer que el campo elctrico es
uniforme entre las placas y cero en cualquier otra parte, cuando las
placas se encuentren cercanas una de la otra (en comparacin de su
longitud y ancho). A partir de esto, el campo elctrico entre placas
es:

E = /

Donde

= Q/

A
0

es la permitividad del espacio libre. La diferencia de

potencial entre las placas es igual a Ed; por lo tanto:

V = Ed = Q d/

Al sustituir este resultado en la ecuacin que define la

capacitancia encontramos que:

A)

C = Q/V = Q / (Q d/

C=

A/d
0

La ecuacin anterior indica que, la capacitancia de un capacitor de placas

paralelas es proporcional al rea de sus placas e inversamente proporcional a la
separacin de estas.
Como podemos observar, la capacitancia depende nicamente de la geometra
del capacitor

Fig. 2. Capacitor de placas paralelas.

COMBINACINES DE CAPACITORES.
Es muy comn que dos o ms capacitores se combinen en
circuitos de varias maneras, por ejemplo: en paralelos o en serie.
Para una combinacin en paralelo, la capacitancia equivalente
es igual a la suma de las capacitancias individuales, mientras que

para una combinacion en serie, el recproco de la capacitancia es

igual a la suma de los recprocos de las capacitancias individuales.

Figura 3: a) Combinacin en paralelo de dos capacitores. b) Diagrama de circuito

para la combinacin en paralelo. c) La diferencia de potencial es igual para a travs
de cada capacitor, y la capacitancia equivalente es Ceq = C1 + C2.

En la figura 3, se muestran dos capacitores conectados en

paralelo. Las placas de la izquierda de los capacitores se conectan
por un alambre conductor en la terminal positiva de la batera y
estn, por tanto, al mismo potencial que la terminal positiva. De igual
modo, las placas de la derecha estn conectadas a la terminal
negativa de la batera, y por ende, se encuentran al mismo potencial
que la terminal negativa. Cuando los capacitores se conectan primero
en el circuito, los electrones se trasfieren a travs de la batera y las
placas de la izquierda a las placas de la derecha, dejando a las
primeras

cargadas

positivamente

las

segundas

cargadas

negativamente. La fuente de energa para esta transferencia de carga

es la energa qumica interna almacenada en la batera, la cual se
convierte en energa elctrica. El flujo de carga cesa cuando el voltaje

a travs de los capacitores es igual al de la batera. Los capacitores

alcanzan su carga mxima cuando se interrumpe el flujo de carga.
Nombrando Q1 y Q2 a las cargas mximas en los dos capacitores, la
carga total Q almacenada por los dos capacitores es:
Q = Q1 + Q2
Cuando deseamos sustituir estos dos capacitores por uno
equivalente con una capacitancia C eq. Este capacitor equivalente tiene
el mismo efecto externo sobre el circuito que los dos capacitores. Es
decir, debe almacenar Q unidades de carga. En la figura 3b, vemos
que: la diferencia de potencial a travs de cada capacitor en el
circuito paralelo es la misma e igual al voltaje de la batera, V.
En la figura 3c, vemos que el voltaje en el capacitor equivalente
tambin es V. De modo, tenemos
Q 1 = C1 V

Q 2 = C2 V

Para el capacitor equivalente,

Q = Ceq V
La sustitucin de estas relaciones en la ecuacin Q = Q1 + Q2
produce:
Ceq V = C1 V + C2 V
Ceq = C1 + C2
Si nos encontramos en la solucin de algn problema tres o
ms capacitores conectados en paralelo, la capacitancia equivalente
se obtendr como:
Ceq = C1 + C2 + C3 +

As pues, vemos que la capacitancia equivalente de una

combinacin en paralelo de capacitores es mayor que cualquiera de
las capacitancias individuales.
Al tener dos capacitores conectados en serie. Para esta
combinacin de capacitores la magnitud de la carga debe ser siempre
la misma en todas las placas. Para ver por que esto es cierto,
observemos en detalle como se realiza el proceso de transferencia de
carga. Comencemos con capacitores descargados y veamos que
sucede justo despus de que una batera se conecta al circuito. Al
conectar la batera se trasfieren electrones de la placa izquierda de C 1
a la placa derecha de C2 a travs de la batera. A medida de que esta
carga negativa se acumula en la placa derecha de C 2, una cantidad
equivalente de carga negativa es obligada a salir de la placa izquierda
de C2 y deja a esta con un exceso de carga positiva. La carga
negativa que sale de la placa izquierda de C 2 se acumula en la placa
de la derecha de C1, donde otra vez una cantidad equivalente de
carga negativa sale de la placa izquierda. El resultado de todo esto es
que todas las placas derechas ganan una carga de Q mientras que
todas las placas de la izquierda tienen una carga de +Q.
Cuando

se requiere

simplificar

o tener

una capacitancia

equivalente, suponemos que el capacitor equivalente realiza la misma

funcin que la combinacin en serie; por lo que, el capacitor
equivalente debe tener una carga de Q en su placa derecha y de +Q
en su placa izquierda. Aplicando la definicin de capacitancia del
circuito, tenemos:
V = Q / Ceq
Donde V es la diferencia de potencial entre las terminales de la
batera y Ceq es la capacitancia equivalente. Y vemos que:
V = V 1 + V2

Donde V1 y V2, son las diferencias de potencial en los

capacitores C1 y C2. En general, la diferencia de potencial a travs de
cualquier nmero de capacitores en serie es igual a la suma de la
diferencia de potencial a travs de los capacitores individuales.
Puesto que Q = CV puede aplicarse a cada capacitor, la diferencia de
potencial a travs de cada uno es:
V1 = Q/C1

V2 = Q/C2

Al sustituir estas expresiones en V = Q / Ceq, tenemos:

Q / Ceq = Q/C1 + Q/C2
Cancelando Q, obtenemos la relacin:
1/ Ceq = 1/C1 + 1/C2
Si este anlisis se aplica a tres o ms capacitores conectados en
serie, se encuentra que la capacitancia equivalente es:
1/ Ceq = 1/C1 + 1/C2 + 1/C3 +
Esto demuestra que la capacitancia equivalente de una combinacin en serie
siempre es menor que cualquier capacitancia individual en la combinacin.

ENERGA ASOCIADA AL CAMPO ELCTRICO.

Si las placas de un capacitor cargado se conectan entre si por
medio de un conductor, como un alambre, la carga se mueve de una
placa a la otra hasta que las dos se descargan. A menudo, la
descarga

puede

observarse

como

una

chispa.

Al

tocar

accidentalmente las placas opuestas de un capacitor cargado, sus

dedos actan como un conductor, por lo que el capacitor puede
descargarse, y el resultado puede ser un choque elctrico. El grado
del choque que usted recibe depende de la capacitancia y el voltaje
aplicado al capacitor. Este choque seria fatal en los casos que se
presentaran altos voltajes, como en la alimentacin elctrica de un
aparato de televisin.
Considerando un capacitor de placas paralelas inicialmente
descargado; al conectarse a una batera que le suministra una carga
Q, suponemos que el capacitor se carga lentamente de modo que el
problema puede considerarse como un sistema electroesttico. La
diferencia de potencial final en el capacitor es V = Q/C. Debido a que
la diferencia de potencial inicial es cero, la diferencia de potencial
promedio durante el proceso de carga es V/2 = Q/2C. A partir de esto
podramos concluir que el trabajo necesario para cargar el capacitor
es W = QV/2 = Q2/2C. Aunque este resultado es correcto, es ms
adecuada una prueba ms detallada que a continuacin se presenta.
Suponga que q es la carga en el capacitor en cierto instante
durante el proceso de carga. En el mismo instante, la diferencia de
potencial en el capacitor es V = q/C. El trabajo necesario para
transferir un incremento de carga dq de la placa de carga q a la
placa de carga q (la cual esta a mayor potencial) es:
dW = V dq = (q/C )dq

As que, el trabajo total requerido para cargar el capacitor de q = 0

hasta cierta carga final q = Q es:
Q

W=

(q/C) dq = Q2/2C
0

Pero el trabajo hecho al cargar al capacitor puede considerarse

como la energa potencial U almacenada en el. Utilizando Q = C V,
podemos expresar la energa potencial electrosttica almacenada en
un capacitor cargado en las siguientes formas alternativas.
U = Q2/2C = Q V = C V2
Este resultado se aplica a cualquier capacitor, sin que importe
su geometra. La energa almacenada aumenta a medida que la carga
se incrementa y conforme crece la diferencia de potencial para una
capacitancia dada. En la prctica hay un lmite para la energa o carga
mxima que puede almacenarse. Esto se debe a que la descarga
elctrica ocurre al final entre las placas del capacitor a un valor de V
suficientemente grande. Por esta razn, los capacitores suelen
etiquetarse con un voltaje de operacin mximo.
La energa W almacenada en un capacitor que tenga una carga
q y una diferencia de potencial V y de capacidad C es:
W

1
1
1 q2
qV CV 2
2
2
2 C

La energa almacenada en un capacitor puede considerarse

como si se estuviera almacenando en el campo elctrico creado entre
las placas cuando se carga el capacitor. Esta descripcin en razonable
en vista del hecho de que el campo elctrico es proporcional a la
carga en el capacitor. Para un capacitor de placas paralelas, la
diferencia de potencial se relaciona con el campo elctrico por medio

de la relacin V = Ed. As mismo, su capacitancia es C = 0A/d. La

sustitucin de estas expresiones en la ecuacin 3.8 produce:
U = (0A/d) (E2d2) = (0A/d) E2
Puesto que el volumen ocupado por el campo elctrico es Ad, la
energa por unidad de volumen uE = U/Ad, llamada la densidad de
energa, es
uE = 0 E2
Aunque esta ecuacin se obtuvo para un capacitor de placas
paralelas, es en general la expresin vlida. Es decir, la densidad de
energa en cualquier campo elctrico es proporcional al cuadrado del
campo elctrico en el volumen unitario.

EJERCICIO 1
Cul es la carga mxima que puede colocarse en una esfera conductora de 50 cm de
radio?
La intensidad del campo en la superficie de la esfera, en el punto de ruptura del aire es
dada por
E = kQ/r2 = 3MNC
Donde se ha supuesto que la rigidez dielctrica del aire es 3 MN/c. si se resuelve se
obtiene
Q= (3*106NC) r2 / k
Q= (3*106 N/C) (0.2)2/ 9*109 N*m2 C2
Q= 8.33 * 10-5 C = 83.3 C
EJERCICIO 2
Un capacitor tiene una capacitancia de 4F y se conecta a una batera de 60 V Cul es
la carga en el capacitor?
Q = C*V
Q = (4 F) (60 V)

Q = 240 C
EJERCICIO 3
Las placas de un capacitor de placas paralelas tiene una separacin de 3 mm en aire, y el
rea de separacin de cada placa es de 0.2 m2 Cul es la capacitancia?
C = * (A/ d)
C = (8.85*1012 C2N*m2)(0.2 m2)
3 *10-3 m
C = 590 * 10-12 F
C = 590 Pf
EJERCICIO 4
La combinacin en serie de los dos capacitores mostrados en la figura 1 estn
conectados a una diferencia de potencial de 1000 V. Encuentre:
V1

V2

C1
+

+
+

C2

6 pF

3 pF
V = 1000 V
Fig. 1.

a. La capacitancia equivalente Ceq de la combinacin.

1
1
1
1
1
1

C eq
C1 C 2 3 pF 6 pF 2 pF
de donde C 2 pF .

b. La magnitud de las cargas en cada capacitor.

En una combinacin en serie, cada capacitor tiene la misma carga, que es igual a
la carga de la combinacin. Entonces, utilizando el resultado de a), obtenemos:

q1 q 2 q C eqV 2 10 12 F 1000 V 2nC.

c. La diferencia de potencial a travs de cada capacitor.

V1

q1
2 10 9 C

667 V
C1 3 10 12 F

V2

q2
2 10 9 C

333 V
C 2 6 10 12 F

d. La energa almacenada en los capacitares.

Energa en C1 12 q1V1
Energa en C 2 12 q 2V2

1
2

2 10 C 667 V 6.7 10
2 10 C 333 V 3.3 10
9

1
2

J 0.67 J

J 0.33J

Energa de la combinacin 6.7 3.3 10 9 J 10 10 7 J 1J

El ltimo problema tambin se puede obtener directamente de

1
2

qV o de 12 C eqV 2 .

EJERCICIO 5
La combinacin de capacitares en paralelo mostrada en la figura 2 est conectada a una
fuente que suministra una diferencia de potencial de 120 V. Calcular la capacitancia
equivalente Ceq, la carga en cada capacitor y la carga en la combinacin.
C1
-

+
2 pF

C2
+

6 pF

120 V
Fig. 2.

Para una combinacin en paralelo,

C eq C1 C 2 2 pF 6 pF 8 pF

A cada capacitor se le ha aplicado una diferencia de potencial de 120 V. Por

consiguiente:

q1 C1V1 2 10 12 F 120 V 240 pC

q 2 C 2V2 6 10 12 F 120 V 720 pC

La carga de la combinacin es q1 + q2 =960 pC. O, podra escribirse

q C eqV 8 10 12 F 120 V 960 pC

EJERCICIO 5
Cada una de las placas paralelas de un capacitor tiene un rea de 200 cm 2, y
se encuentran separadas por un espacio de aire de 0.4 cm.
a) Calcular su capacitancia.
Para un capacitor de placas paralelas con un espacio de aire:
A
200 10 4 m 2
1 8.85 10 12 F / m
4.4 10 11 F 44 pF
3
d
4 10 m
b) Si el capacitor est conectado a una fuente que suministra una
diferencia de potencial de 500 V, calcular la carga, la energa
almacenada y el valor de E entre las placas.

C K 0

q CV 4.4 10 11 F 500 V 2.2 10 8 C 22 nC

Energia 12 qV
E

1
2

2.2 10

C 500 V 5.5 10 6 C 5.5 J

V
500 V

1.25 10 5 V m 125 K V m
d 4 10 3 m

c) Si un lquido con una K = 2.60 se vaca entre las placas para sustituir al
espacio de aire, qu carga adicional le suministrar al capacitor la
fuente de 500 V?
Ahora el capacitor tendr una capacitancia K = 2.60 ms grande que el valor
anterior. Por consiguiente:

q CV 2.60 4.4 10 11 F 500 V 5.7 10 8 C 57 nC

El capacitor ya tena una carga de 22 nC y entonces 57 22 o bien deben ser

agregados.
CONDENSADORES

Los condensadores son componentes pasivos diseados con el fin de almacenar energa
electrosttica o presentar una capacidad elctrica determinada. Otra forma de definirlo
sera la siguiente: componentes pasivos de dos terminales en los que la intensidad que
los atraviesa (aparentemente) es proporcional a la variacin de tensin existente entre
sus terminales respecto al tiempo. Su unidad de medida en el S.I. es el Faradio aunque

por las limitaciones caractersticas de los mismos se usan distintos submltiplos (micro,
/ nano, n / pico, p ).
Desde el punto de vista constructivo, un condensador est constituido por dos placas
conductoras separadas por un material dielctrico. En su interior se establece un campo
elctrico, sin prdida de energa, como consecuencia de la polarizacin dielctrica (no
confundir material aislante y dielctrico, todos los dielctricos son aislantes, pero no
todos los aislantes son dielctricos; los dielctricos son materiales no conductores en los
que resulta posible su polarizacin). La capacidad de un condensador va a depender del
tamao de sus placas, de la distancia que las separa y del material del que est formado
el dielctrico.
Igual que en las resistencias nos vamos a encontrar con condensadores:
-Condensadores fijos: su valor capacitivo no se puede alterar.
-Condensadores variables: se puede modificar su capacidad dentro de unos
mrgenes determinados.

Caractersticas tcnicas
Capacidad nominal (Cn): es la capacidad que se espera que tenga el condensador.
Estos valores suelen corresponderse con valores normalizados de la serie E-12, aunque
tambin se usan los de las series E-6 y E-24, que son los mismos que se dan para
resistencias ( ver series de valores normalizados para resistencias para las series
citadas).
Tolerancia: es la variacin que puede presentar respecto al valor nominal del
condensador dado por el fabricante. Se expresa en % y puede ser asimtrica (-a +b %).
Coeficiente de temperatura: expresa la variacin del valor del condensador con la
temperatura. Se suele expresar en %/C (tanto por ciento por grado centgrado), o en
ppm/C (partes por milln por grado centgrado).
Tensin mxima de funcionamiento (Vn): tambin llamada tensin nominal, es la
mxima tensin continua o alterna eficaz que se le puede aplicar al condensador de
forma continua y a una temperatura menor a la mxima de funcionamiento, sin que este
sufra algn deteriodo.
Tensin de pico (Vp): mxima tensin que se puede aplicar durante un breve intervalo
de tiempo. Su valor es superior a la tensin mxima de funcionamiento.
Corriente nominal (In): es el valor continuo o eficaz de la corriente mxima admisible
para una frecuencia dada en la que el condensador puede trabajar de forma continua y a
una temperatura inferior a la mxima de funcionamiento.
Corriente de fugas (If): pequea corriente que hace que el condensador se descargue a
lo largo del tiempo.
Factor de perdidas (tg): teoricamente cuando se aplica una tensin alterna a un
condensador se produce un desfase de la corriente respecto a la tensin de 90 de

adelanto, pero en la prctica esto no es as. La diferencia entre estos 90 y el desfase real
se denomina angulo de prdidas.

CONDENSADORES FIJOS
Estos condensadores tienen una capacidad fija determinada por el fabricante y su valor
no se puede modificar. Sus caractersticas dependen principalmente del tipo de
dielctrico utilizado, de tal forma que los nombres de los diversos tipos se corresponden
con los nombres del dielctrico usado.
De esta forma podemos distinguir los siguientes tipos:
-Cermicos.
-Plstico.
-Mica.
-Electrolticos.
-De doble capa elctrica.

Condensadores cermicos
El dielctrico utilizado por estos condensadores es la cermica, siendo el material ms
utilizado el dixido de titanio. Este material confiere al condensador grandes
inestabilidades por lo que en base al material se pueden diferenciar dos grupos:
Grupo I: caracterizados por una alta estabilidad, con un coeficiente de temperatura bien
definido y casi constante.
Grupo II: su coeficiente de temperatura no est prcticamente definido y adems de
presentar caractersticas no lineales, su capacidad vara considerablemente con la
temperatura, la tensin y el tiempo de funcionamiento. Se caracterizan por su elevada
permitividad.
Las altas constantes dielctricas caractersticas de las cermicas permiten amplias
posibilidades de diseo mecnico y elctrico.

Condensadores de plstico
Estos condensadores se caracterizan por las altas resistencias de aislamiento y elevadas
tempeeraturas de funcionamiento.
Segn el proceso de fabricacin podemos diferenciar entre los de tipo k y tipo MK, que

se distinguen por el material de sus armaduras (metal en el primer caso y metal

vaporizado en el segundo).
Segn el dielctrico usado se pueden distinguir estos tipos comerciales:
KS: styroflex, constituidos por lminas de metal y poliestireno como dielctrico.
KP: formados por lminas de metal y dielctrico de polipropileno.
MKP: dielctrico de polipropileno y armaduras de metal vaporizado.
MKY: dielctrco de polipropileno de gran calidad y lminas de metal
vaporizado.
MKT: lminas de metal vaporizado y dielctrico de teraftalato de polietileno
(polister).
MKC: makrofol, metal vaporizado para las armaduras y policarbonato para el
dielctrico.
A nivel orientativo estas pueden ser las caractersticas tpicas de los condensadores de
plstico:
TIPO CAPACIDAD TOLERANCIA TENSION TEMPERATURA
KS

2pF-330nF

+/-0,5% +/-5%

25V-630V

-55C-70C

KP

2pF-100nF

+/-1% +/-5%

63V-630V

-55C-85C

MKP 1,5nF-4700nF

+/-5% +/-20% 0,25KV-40KV

-40C-85C

MKY 100nF-1000nF

+/-1% +/-5%

0,25KV-40KV

-55C-85C

MKT 680pF-0,01mF +/-5% +/-20%

25V-630V

-55C-100C

MKC 1nF-1000nF

25V-630V

-55C-100C

+/-5% +/-20%

Condensadores de mica
El dielctrico utilizado en este tipo de condensadores es la mica o silicato de aluminio y
potasio y se caracterizan por bajas prdidas, ancho rango de frecuencias y alta
estabilidad con la temperatura y el tiempo.

Condensadores electrolticos
En estos condensadores una de las armaduras es de metal mientras que la otra est
constituida por un conductor inico o electrolito. Presentan unos altos valores
capacitivos en relacin al tamao y en la mayora de los casos aparecen polarizados.
Podemos distinguir dos tipos:
-Electrolticos de aluminio: la armadura metlica es de aluminio y el electrolito
de tetraborato armnico.
-Electrolticos de tntalo: el dielctrico est constituido por xido de tntalo y
nos encontramos con mayores valores capacitivos que los anteriores para un
mismo tamao. Por otra parte las tensiones nominales que soportan son menores
que los de aluminio y su coste es algo ms elevado.

Condensadores de doble capa elctrica

Estos condensadores tambin se conocen como supercondensadores o CAEV debido a
la gran capacidad que tienen por unidad de volumen. Se diferencian de los
condensadores convencionales en que no usan dielctrico por lo que son muy delgados.

Las caractersticas elctricas ms significativas desde el punto de su aplicacin como

fuente acumulada de energa son: altos valores capacitivos para reducidos tamaos,
corriente de fugas muy baja, alta resistencia serie, y pequeos valores de tensin.

CONDENSADORES VARIABLES
Estos condensadores presentan una capacidad que podemos variar entre ciertos lmites.
Igual que pasa con las resistencias podemos distinguir entre condensadores variables, su
aplicacin conlleva la variacin con cierta frecuencia (por ejemplo sintonizadores); y
condensadores ajustables o trimmers, que normalmente son ajustados una sola vez
(aplicaciones de reparacin y puesta a punto).
La variacin de la capacidad se lleva a cabo mediante el desplazamiento mecnico entre
las placas enfrentadas. La relacin con que varan su capacidad respecto al ngulo de
rotacin viene determinada por la forma constructiva de las placas enfrentedas,
obedeciendo a distintas leyes de variacin, entre las que destacan la lineal, logartmica y
cuadrtica corregida.

IDENTIFICACIN DE CONDENSADORES
Vamos a disponer de un cdigo de colores, cuya lectura vara segn el tipo de
condensador, y un cdigo de marcas, particularizado en los mismos. Primero
determinaremos el tipo de condensador (fijo o variable) y el tipo concreto dentro de
estos.
Las principales caractersticas que nos vamos a encontrar en los condensadores van a
ser la capacidad nominal, tolerancia, tensin y coeficiente de temperatura, aunque
dependiendo de cada tipo traern unas caractersticas u otras.
En cuanto a las letras para la tolerancia y la correspondencia nmero-color del cdigo
de colores, son lo mismo que para resistencias. Debemos destacar que la fuente ms
fiable a la hora de la identificacin son las caractersticas que nos proporciona el
fabricante.
A continuacin vemos la identificacin de los principales tipos de condensadores:
-Condensadores cermicos tipo placa, grupo 1 y 2.
-Condensadores cermicos tipo disco, grupo1.
-Condensadores cermicos de disco, grupo2.
-Condensadores cermicos tubulares.
-Condensadores de plstico.
-Condensadores electrolticos.
-Condensadores de tntalo.

INDUCTANCIA.
Inductancia (tambin denominada inductancia propia) es la propiedad de un circuito o elemento de un
circuito para retardar el cambio en la corriente que pasa por l. El retardo est acompaado por
absorcin o liberacin de energa y se asocia con el cambio en la magnitud del campo magntico que
rodea los conductores.
En cualquier circuito, todo flujo magntico, alrededor de los conductores que transportan la corriente,
pasa en la misma direccin a travs de la ventana formada por el circuito.
Cuando el interruptor de un circuito elctrico se cierra, el aumento de corriente en el circuito produce un
aumento del flujo. El cambio del flujo genera un voltaje en el circuito que se opone al cambio de
corriente.
Esta accin de oposicin es una manifestacin de la ley de Lenz en la que cualquier voltaje magntico
inducido se generar siempre en una direccin tal, que se opone a la accin que lo causa.
La inductancia se simboliza con la letra L y se mide en henrios (H) y su representacin grfica es por
medio de un hilo enrollado, algo que recuerda que la inductancia se debe a un conductor ligado a un
campo magntico. La fuente del campo magntico es la carga en movimiento, o corriente. Si la corriente
vara con el tiempo, tambin el campo magntico vara con el tiempo. Un campo que vara con el tiempo
induce a un voltaje en cualquier conductor presente en el campo. El parmetro de circuito de la
inductancia relaciona el voltaje inducido con la corriente.
La magnitud del voltaje inducido en cualquier bobina, por un flujo magntico variable es proporcional al
numero de vueltas de la bobina y a la velocidad de variacin del flujo a travs de su ventana. Esta
relacin se conoce como ley de Faraday. Expresada en trminos matemticos:
En donde e= voltaje inducido en la bobina (V)
N= nmero de vueltas conectadas en serie en la bobina
d/dt= velocidad de variacin
El signo menos proviene de la ley de Lenz, e indica que el voltaje se genera en una direccin opuesta al
cambio de flujo que lo causa. Debido a su accin de oposicin, el voltaje inducido magnticamente se
denomina frecuentemente fuerza contra-electromotriz.
Un cambio en la magnitud o direccin de la corriente en cualquier conductor o bobina siempre
establecer un voltaje en una direccin opuesta al cambio. Por tanto la direccin de la tensin inducida
depender de si la corriente est aumentando o disminuyendo.
Asimismo, cualquier cambio de la velocidad del flujo de electrones en un conductor en una bobina
establecer un voltaje que podr retardar, pero no evitar dicho cambio.
Inductancia concentrada.
La inductancia propia de un circuito se puede incrementar aadiendo en serie una inductancia
concentrada, llamada inductancia o inductor. La inductancia concentrada es una bobina de alambre con
o sin ncleo ferromagntico. Si la inductancia concentrada es mucho mayor que la inductancia propia
producida por los alambres de conexin, que es el caso comn, la inductancia de los alambres de
conexin puede despreciarse.
Cuando se analizan circuitos que contienen inductancias concentradas, debe considerase la resistencia
de la bobina y la cada de voltaje debida a esa resistencia.
La figura a) muestra un inductor. Si se le asigna la direccin de referencia de la corriente en el inductor
en la direccin de la cada de voltaje entre las terminales del inductor se obtienen: a)
Donde V se mide en voltios L en Henryos, I en amperios y T en segundos. Si la corriente sigue la
direccin de aumento de voltaje en el inductor, la ecuacin se escribe con un signo negativo.
Viendo la ecuacin, el voltaje entre las terminales de un inductor es proporcional a la variacin con el
tiempo de la corriente en el inductor. Al llegar a ese punto se pueden hacer dos observaciones. Primero,
si la corriente es constante, el voltaje en el inductor ideal es cero.

De esta manera el inductor se comporta como un cortocircuito para una corriente constante. Segundo, la
corriente no puede cambiar en forma instantnea en un inductor; es decir la corriente no puede variar en
una cantidad finita en un tiempo cero. La ecuacin nos indica que este cambio requerira un voltaje
infinito, y los voltajes infinitos no son posibles.
Energa almacenada en una bobina.
Para establecer el flujo alrededor de un conductor con corriente, la fuente suministra energa elctrica.
Toda esta energa se almacena en el campo como energa magntica; nada se consume. Cuando la
corriente se disminuye, el flujo que circunda los alrededores se disminuye, haciendo que la energa
liberada se libere.
La energa almacenada en el campo magntico es diferente a las prdidas de energa en los
conductores, las cuales se transforman en energa calorfica. De este modo, cuando se analizan las
relaciones de energa en un inductor, es conveniente hacer un modelo de circuito equivalente, que
muestre la inductancia y la resistencia por separado.
La energa almacenada en el campo magntico de un inductor, en un instante de tiempo, es proporcional
a la inductancia propia del inductor y al cuadrado de la corriente en ese instante. Expresado en trminos
matemticos queda:
En donde Wk= energa acumulada en la inductancia en un tiempo T, (j)
Ik= corriente en el tiempo T, (A)
L= Inductancia (H)

Inductancias.- Llamaremos inductancia al campo

magntico que crea una corriente elctrica al pasar a

travs de una bobina de hilo conductor enrrollado
alrededor de la misma que conforma un inductor. Un
inductor puede utilizarse para diferenciar seales
cambiantes rpidas o lentas. Al utilizar un inductor con
un condensador, la tensin del inductor alcanza su
valor mximo a una frecuencia dependente de la
capacitancia y de la inductancia.
La inductancia depende de las caractersticas fisicas
del conductor y de la longitud del mismo. Si se enrolla
un conductor, la inductancia aumenta. Con muchas
espiras (vueltas) se tendr ms inductancia que con
pocas.
Si a esto aadimos un ncleo de ferrita, aumentaremos
considerablemente la inductancia.
La energa almacenada en el campo magntico de un
inductor se calcula segn la siguiente formula:
W = I L/2 ... siendo: W = energa (julios); I = corriente
(amperios; L = inductancia (henrios).

El Clculo de la inductancia: La inductancia de una

bobina con una sola capa bobinada al aire puede
ser calculada aproximadamente con la frmula
simplificada siguiente:
L (microH)=d.n/18d+40 l siendo:L = inductancia
(microhenrios); d = dimetro de la bobina (pulgadas);
l= longitud de la bobina (pulgadas); n = nmero de
espiras o vueltas.

Como ya se ha dicho, la unidad para la inductancia es

el HENRIO.
En una bobina habr un henrio de inductancia cuando
el cambio de 1 amperio/segundo en la corriente
elctrica que fluye a travs de ella provoque una
fuerza electromotriz opuesta de 1 voltio.
Un transformador o dos circuitos magnticamente
acoplados tendrn inductancia mutua equivalente a un
HENRIO cuando un cambio de 1 amperio/segundo en la
corriente del circuto primario induce tensin
equivalente a 1 voltio en el circuito secundario.
Cuando la corriente cambia de intensidad se debe considerar un
efecto denominado induccin.
Induccin. Es la propiedad de un circuito que hace que se oponga a
cualquier cambio en la intensidad de la corriente
Al considerar primero el aumento de los valores de la intensidad
que transcurre entre 0 y 90, lgicamente tambin aumentar la
fuerza del campo magntico. Al aumentar la intensidad, las lneas
magnticas alrededor del conductor A se expansionarn y al
hacerlo cortarn al conductor B, que es adyacente al A. Siempre
que hay un movimiento relativo entre un conductor y lneas
magnticas, se induce una Fem en el conductor ; por tanto, habr
una fem inducida en el conductor B.
El efecto de esta fuerza se puede simular cortando el conductor B
y colocando en su lugar una fuente de voltaje. El efecto total ser
el de detener una bobina y dos fuentes de voltaje ; estas son la

fem aplicada y la fem inducida. Segn esto, la fem inducida ser de

direccin opuesta a la aplicada y se reducir el efecto de la fem
aplicada en su intento de empujar a la corriente a trves de la
bobina.
Cuanto ms rpido sea el cambio en la intensidad, mayor ser la
fem inducida y por lo tanto mayor l oposicin al cambio de
intensidad.

Clculo de la inductancia
Considere un circuito aislado formado por un interruptor, una
resistencia y una fem como fuente. Cuando se cierra el interruptor
la corriente no alcanza su valor mximo, E/R, instantneamente.
La ley de la induccin electromagntica (ley de Faraday) impide que
esto ocurra. Lo que sucede es lo siguiente : al incrementarse la
corriente en el tiempo, se genera a travs de la espira un flujo
magntico que se incrementa en el tiempo.
Este aumento en el flujo induce al circuito una fem que se opone al
cambio del flujo magntico a travs de la espira. Por la ley de Lenz,
el campo elctrico inducido en el alambre tiene sentido opuesto al
de la corriente que circula por el circuito, y esta contra fem
produce un incremento gradual en la corriente.
Este efecto se llama autoinduccin, ya que el flujo variable a travs
del circuito se produce por el mismo circuito. La fem producida se
llama fem autoinducida.
Para dar una descripcin cuantitativa de la autoinduccin,
partiremos de la ley de induccin de Faraday, la cual dice que la
fem inducida es igual al negativo de la razn de cambio del flujo
magntico en el tiempo.
Como el flujo magntico es proporcional al campo magntico, que a
su vez es proporcional a la corriente en el circuito, la fem

autoinducida siempre ser proporcional a la razn de cambio de la

corriente en el tiempo. Para una bobina de N espiras muy juntas y
de geometra fija (una bobina toroidal o un selenoide ideal) se
encuentra que

donde L es una constante de proporcionalidad, llamada inductancia

del dispositivo, que depende de las caractersticas geomtricas y
fsicas del circuito. De esta ecuacin, se puede ver que la
inductancia de una bobina de N espiras se puede calcular con la
ecuacin :
donde se supone que el flujo a travs de cada espira es el mismo.
Esta ecuacin se utilizar para calcular la inductancia de algunas
geometras especficas.
Tambin se puede escribir la inductancia como la relacin.

Esta ecuacin se toma como la definicin de la inductancia de

cualquier bobina independientemente de su forma, dimensiones o
caractersticas del material. As como la resistencia es una medida
de la oposicin a la corriente, la inductancia es una medida de
oposicin al cambio de la corriente.
La unidad SI de la inductancia es el henry (H), el cual, se puede ver
que equivale a 1 volt-segundo por ampere :

Como se podr ver, la inductancia de un dispositivo depende

nicamente de su geometra. Sin embargo, el clculo de la
inductancia de cualquier dispositivo puede ser muy difcil para
geometras complejas.
Ejemplo 6.1. Inductancia de un selenoide.

Calcule la inductancia de un selenoide devanado uniformemente con

N espiras y longitud l. Se supone que l es muy grande comparada
con el radio y que el ncleo del selenoide es aire.
Solucin.
En este caso, puede considerarse que el campo dentro del selenoide
es uniforme y se puede calculara con la ecuacin :

donde n es el nmero de vueltas por unidad de longitud, N/l. El

flujo a traves de cada vuelta se obtiene de:
en donde A es el rea de la seccin trasversal del selenoide.
Utilizando esta expresin y la ecuacin

se encuentra :

Esto demuestra que L depende de los factores geomtricos y es

proporcional al cuadrado del nmero de vueltas.
Ejemplo 6.2. Clculo de la inductancia y de la fem.
a). Calcule la inductancia de un selenoide que tiene 300 vueltas si la
longitud del selenoide es de 25cm y el rea de la seccin trasversal
es 4cm = 4 X 104m.
Solucin.
Utilizando la ecuacin

se obtiene

b). Calcule la fem autoinducida en el selenoide descrito en a) si la

corriente que circula por la inductancia decrece a razn de 50 A/s.

Solucin.
Utilizando la ecuacin
se obtiene:

y dado que dI/dt=50A/s,

Energa asociada al campo

magntico
La fem inducida por un inductor impide a la batria establecer
instantneamente una corriente. Por lo tanto, la batera tiene que
realizar un trabajo contra el inductor para generar una corriente.
Parte de la energa suministrada por la batera se convierte en
calor en la resistencia por el efecto Joule, mientras que la energa
restante se almacena en le campo magntico del inductor.
Si se multiplica cada trmino de la ecuacin
por la
corriente I y se ordenan los trminos de la expresin, se tiene:

Esta ecuacin dice que la razn con la cual la batera suminsitra

energa, IE, es igual a la suma del calor perdido en la resistencia
por efecto Joule, I2R, y la razn con la cual se almacena energa en
el inductor, LI (dI/dt). Por lo tanto, la ecuacin anterior es una
expresin de la conservacin de la nerga. Si Um designa la energa
almacenada en el inductor para cualquier tiempo, entonces la razon
dUm/dt con la cual se almacena energa en el inductor se puede
escribir en la forma

Para encontrar la energa almacenada en el inductor, se puede

escribir esta ecuacin como dUm=LI dI e integrar :

donde L es constante y se ha saco la integral.

La ecuacin anterior representa la energa almacenada como
energa magntica en el campo del inductor cuando la corriente es
I. Ntese que la ecuacin es similar en forma a la ecuacin de la
energa almacenada en el campo elctrico de un capacitor, Q/2C.
En cualquier caso, se puede ver que se realiza un trabajo para
establecer un campo. Tambin se puede determinar la energa por
unidad de volumen, o densidad de energa, almacenada en un campo
magntico.

Densidad de energa magntica

Ya que Al es el volumen del selenoide, la energa almacenada por
unidad de volumen en un campo magntico est dada por

Aunque la ecuacin anterior se dedujo para el caso especfico de

un soleniode, sta es valida pora cualquier regin del espacio en
donde exista un campo magntico. Obsrvese que es similar en
forma a la ecuacin de la energa por unidad de volumen almacenada
por un campo elctrico. En ambos casos la densidad de energa es
proporcional al cuadrado de la intensidad del campo.

Inductancia Mutua
Con frecuencia el flujo magntico a travs de un circuito vara con
el tiempo como consecuancia de las corrientes variables que existen
en circuitos cercanos. Esto da origen a una fem inducida mediante

un proceso conocido como induccin mutua, llamada as proque

depende de la interaccin de dos circuitos.
Consideremos dos bobinas devanadas en forma muy estrecha, como
se muestra en la vista de la seccin trasversal de la figura 6.1. La
corriente I1 en la bobina 1, que tiene N1 espiras, genera lneas de
compo magntico, algunas de ellas atravesarn la bobina 2, que tine
N2 espiras.

Fig. 6.1. Una vista de seccin trasversal de dos bobinas

adyacentes. Una corriente en la bobina 1 genera un flujo, parte del
cual atraviesa a la bobina 2.
El flujo correspondiente a travs de la bobina 2 producido por la
bobina 1 se representa por

21.

Se define la inductancia mutua M21

de la bobina 2 con respecto a la bobina 1 como la razn de N 2

la corriente I1

21

La inductancia mutua depende de la geometra de los dos circuitos y

de sus orientaciones relativas entre s. Es claro que al
incrementarse la separcacin entre los circuitos, la inductancia
mutua decrece ya que el flujo que une a los dos circuitos decrece.

Si la corriente I1, vara con el tiempo, se puede ver por la ley de

Faraday y la ecuacin anterior que la fem inducida en la bobina 2
por la bobina 1 est dada por

De igual forma , si la corriente I2 vara con el tiempo, la fem

inducida en la bobina 1 por la bobina 2 est dada por
Estos resultados son semejantes en su forma a la expresin de la
fem autoinducida
. La fem inducida por induccin mutua
en una bobina siempre es proporcional a la razn de cambio de la
corriente en la otra bobina. Si las razones con las cuales las
corrientes camiban con el tiempo son iguales (esto es, si
dI1/dt=dI2/dt), entonces se encuentra que E1=E2. Aunque las
constantes de proporcionalidad M12 y M21 aparenten ser
diferentes, se puede demostrar que son iguales. Entonces haciendo
M12 = M21 = M, las ecuaciones
convierten en :

se

y
La unidad de la inductancia mutua tambin es el henry.

Ejemplo 6.3. Inductancia mutua de dos solenoides.

Un solenoide de longitud l tiene N1 espiras, lleva una corriente I y
tiene un rea A en su seccin trasversal. Una segunda bobina est
devanada alrededor del centro de la primera bobina, como se
muestra en la figura 6.2. Encuentre la inductancia mutua del
sistema.

Fig. 6.2. Una pequea bobina de N2 vueltas enrolladas alrededor

del centro de un solenoide largo de N1 vueltas.
Solucin.
Si el solenoide lleva una corriente I1, el campo magntico en el
centro est dado por

Como el flujo 21 a travs de la bobina 2 debido a la bobina 1 es

BA, la inductancia mutua es :

Por ejemplo, si N1=500 vueltas, A=3X10-3m2, l=0.5m y N2=8

vueltas, se obtiene :

1.2.2. Activos.
1.2.3. Fuentes de alimentacin.
1.3.

Anlisis de circuitos.
Tipos de anlisis de circuitos

Para analizar un circuito se realiza primero el paso desde el circuito fsico (esquema
de movilidad o admitancia en nuestro caso) a un sistema de ecuaciones. Para ello cada

elemento del circuito se representa por un modelo matemtico, y el sistema de

ecuaciones se determina a partir de las ecuaciones del modelo de cada elemento junto
con las restricciones topolgicas impuestas por la interconexin de los componentes.
Estas restricciones se reflejarn en los lemas de Kirchoff de nudos y mallas. En general
se llegar as a un sistema de ecuaciones algebraico-diferenciales del tipo ya estudiado
cuando veamos las analogas electromecnicas.
En general existen cuatro tipos fundamentales de anlisis de circuitos (de estos
bsicos se derivan otros para anlisis de ruido, sensibilidad, de monte carlo, etc.):
1. Anlisis en continua de un circuito lineal
2. Anlisis en alterna, pequea seal, de un circuito lineal (hubiese sido posible
usarlo en ANALOGIA.EXE, aunque se ha optado por el anlisis transitorio).
3. Anlisis en continua de un circuito no lineal.
4. Anlisis transitorio (escogido en ANALOGIA.EXE).

Anlisis en continua de un circuito lineal

Este primer caso es el ms sencillo, ya que los elementos reactivos se ignoran, puesto
que en continua una bobina se comporta como un cortocircuito, y un condensador como
un circuito abierto, por lo que solo necesitaramos un mtodo para formular las
ecuaciones de la red (por ejemplo el anlisis por nudos, que veremos en detalle) y un
algoritmo para resolver el sistema de ecuaciones lineales resultantes (eliminacin por
Gauss, factorizacin LU, etc). Adems muchos elementos de la matriz de admitancias
de la red son nulos, reducindose notablemente el esfuerzo de clculo.

Anlisis en alterna, pequea seal, de un circuito lineal

El anlisis en alterna para pequea seal es ms complejo que el caso en continua, y
es un mtodo que hubiese sido aplicable al anlisis realizado en ANALOGIA.EXE,
puesto que los elementos del circuito han de ser lineales y en nuestro caso siempre lo
son. En el caso de que hubiese elementos no lineales (transistores, diodos, etc.) sera
necesario un paso previo de linealizacin en base a ciertos modelos. Este mtodo es
anlogo al anterior, salvo que el sistema resultante es de naturaleza compleja, y el
proceso (que se repite n veces, siendo n el nmero de muestras en que descomponemos
la seal) de anlisis es:
1) Sustituir en las bobinas el valor de L por LS (Laplace), o sea, L por jwL
(Fourier).

2) Sustituir en los condensadores el valor de C por 1/CS (Laplace), o sea C por

1/jwC (Fourier).
3) Pasar al dominio de la frecuencia las seales que excitan el circuito (las
funciones de los generadores de corriente).
4) Formular las ecuaciones complejas resultantes (Kirchoff) como en el caso
continuo.
5) Resolver el sistema complejo resultante.
6) Pasar el sistema al dominio temporal
Ms tarde veremos una comparativa entre este mtodo y el mtodo de anlisis
transitorio en el que se expondrn las razones del uso de este ltimo mtodo en el
programa frente al anlisis en alterna.

Anlisis en continua de un circuito no lineal

El anlisis en continua de un circuito con elementos no lineales (circuito no generado
nunca por ANALOGIA.EXE) como es el caso de las redes activas se resuelve por un
procedimiento iterativo en una secuencia de circuitos equivalentes lineales. El circuito
equivalente linealizado se obtiene utilizando los trminos de primer grado del desarrollo
en serie de Taylor, alrededor de un punto inicial, de las relaciones no lineales. El sistema
de ecuaciones se plantea y resuelve por los mismos procedimientos que en el caso de
continua. La solucin obtenida es el siguiente punto de funcionamiento, alrededor del
cual se efecta el desarrollo en serie, y se repite el procedimiento iterativamente hasta
que la solucin converge dentro de un margen especificado con el valor de la iteracin
previa.

Anlisis transitorio
El anlisis transitorio ha sido escogido en ANALOGIA.EXE para el anlisis del
circuito. Determina la respuesta en el tiempo a seales de entrada definidas por el
usuario: pulsos, rampas, ondas triangulares, sinusoidales, deltas, etc. Este tipo de
anlisis determina la respuesta del circuito en el dominio del tiempo para un intervalo
especificado de tiempo (0..T). La solucin se determina tomando en el intervalo (0..T)
una sucesin de instantes (0, t1, t2, t3, ... T). Este intervalo determina en gran medida la
exactitud de la solucin, y se define en las opciones de muestreo (frecuencia de
muestreo y nmero de muestras) del men de opciones.
Seguidamente las ecuaciones diferenciales de los modelos de los elementos reactivos
(veremos ms adelante los distintos modelos, optndose por el trapezoidal) se

convierten en ecuaciones algebraicas mediante tcnicas de integracin numrica.

Despus de esta transformacin la solucin en cada instante
se obtiene
iterativamente, como en el caso del anlisis en continua. El mtodo de integracin
elegido produce un error de truncamiento que depende del intervalo
(que coincide con 1/frecuencia de muestreo).

definido

El siguiente diagrama de flujo ilustra el funcionamiento del anlisis transitorio

efectuado por ANALOGIA.EXE:

http://www.arrakis.es/~ppriego/analcir/tipos.htm

1.3.1. Tcnicas de solucin.

1.3.2. Transformadores.
El Transformador
Es un dispositivo que se encarga de "transformar" el voltaje de corriente alterna que tiene a su
entrada en otro diferente que entrega a su salida.
El transformador se compone de un ncleo de hierro sobre el cual se han arrollado varias
espiras (vueltas) de alambre conductor. Este conjunto de vueltas se llaman bobinas y se
denominan: Bobina primaria o "primario" a aquella que recibe el voltaje de entrada y Bobina

secundaria o Secundario" a aquella que entrega el voltaje transformado.

- La Bobina primaria recibe un voltaje alterno que har circular, por ella, una corriente alterna.
- Esta corriente inducir un flujo magntico en el ncleo de hierro
- Como el bobinado secundario est arrollado sobre el mismo ncleo de hierro, el flujo
magntico circular a travs de las espiras de ste.
- Al haber un flujo magntico que atraviesa las espiras del "Secundario", se generar por el
alambre del secundario una voltaje Habra una corriente si hay una carga (el secundario est
conectado a una resistencia por ejemplo)
La razn de la transformacin del voltaje entre el bobinado "Primario" y el "Secundario"
depende del nmero de vueltas que tenga cada uno. Si el nmero de vueltas del secundario es
el triple del primario. En el secundario habr el triple de voltaje.
La frmula:
Nmero de espiras del primario (Np)
Voltaje del primario (Vp)
----------------------------------------------------------- = -----------------------------------------Nmero de espiras del secundario (Ns) Voltaje del secundario (Vs)
Entonces: Vs = Ns x Vp / Np
Un transformador puede ser "elevador o reductor" dependiendo del nmero de espiras de cada
bobinado.
Si se supone que el transformador es ideal. (la potencia que se le entrega es igual a la que se
obtiene de l, se desprecian las perdidas por calor y otras), entonces:
Potencia de entrada (Pi) = Potencia de salida (Ps).
Pi = Ps
Si tenemos los datos de corriente y voltaje de un dispositivo, se puede averiguar su potencia
usando la siguiente frmula.
Potencia (P) = Voltaje (V) x corriente (I)
P = V x I (watts)
Aplicamos este concepto al transformador y...
P(bobinado primario) = P(bobinado secundario) y...
La nica manera de mantener la misma potencia en los dos bobinados es de que cuando el
voltaje se eleve la corriente se disminuya en la misma proporcin y viceversa. Entonces:
Nmero de espiras del primario (Np)
Corriente del secundario (Is)
---------------------------------------------------- = ---------------------------------------Nmero de espiras del secundario (Ns)
Corriente del primario (Ip)
As, para conocer la corriente en el secundario cuando tengo la corriente Ip (corriente en el
primario), Np (espiras en el primario) y Ns (espiras en el secundario) se utiliza siguiente
frmula:
Is = Np x Ip / Ns

Transformadores
Circuitos Acoplados Magnticamente
Anteriormente vimos el fenmeno de autoinduccin, aqu veremos una de las
aplicaciones de este fenmeno que es el transformador.

La autoinduccin esta representada por la ecuacin

(3.4.1)
y a L, el inductor se le llama autoinduccin, donde el voltaje es proporcional a la
variacin de corriente en el tiempo por el parmetro de autoinduccin (3.3.1).

La ecuacin (3.3.1) es el prembulo a lo que se conoce como inductancia mutua. Esto

es que si una corriente circulando por una primera bobina, produce un flujo magntico a
su alrededor y tambin en la segunda bobina que se encuentra cerca; el flujo variable en
el tiempo que rodea a la segunda bobina induce un voltaje en la terminales de la
segunda bobina (circuito abierto), este voltaje es proporcional a la tasa de cambio de la
corriente en el tiempo (
) de =la corriente que circula en la primera bobina. La
figura 3.24.a muestra un modelo simple de dos bobinas L1 y L2, que se encuentran
colocadas lo

Figura 3.24. (a) La corriente i1 en L1 produce un voltaje de circuito abierto v2 en L2, (b)
La corriente i2 en L2 produce un voltaje de circuito abierto v1 en L1.

suficientemente cerca para exista interaccin y donde el flujo producido por una
corriente i1(t), circulando por L1 establezca un voltaje de circuito abierto v2(t) en los
terminales de L2.Sin considerar signos relacionales, el coeficiente de inductancia mutua,
o simplemente inductancia mutua se define por

(3.4.2)
Donde el orden de los subndices de la inductancia mutua M21, indica que en L2 se
induce un voltaje debido al flujo de una corriente en L1. Si el arreglo de bobinas se
invierte (figura 3.24.b), en L1 se producir un voltaje de circuito abierto provocado por
el flujo de corriente en L1, o sea

(3.4.3)
El parmetro de inductancia mutua se mide en henrys y siempre es positivo, sin
embargo el voltaje inducido puede ser negativo.

En un inductor se puede seguir una norma de asignacin de signos de polaridad, la

convencin pasiva de los signos, pero en una inductancia mutua no se puede llevar a
cabo esta convencionalidad, debido a que existen cuatro terminales en el arreglo. La
determinacin de la polaridad se establece en la convencin de puntos. La cual establece
que:

"Una corriente que entra por la terminal punteada de una bobina produce un voltaje de
circuito abierto entre las terminales de la segunda bobina, cuyo sentido es el de la

direccin indicada por una referencia de voltaje positivo en la terminal punteada en esta
segunda bobina"

"Una corriente que entra por la terminal no punteada de una bobina proporciona un
voltaje con la referencia positiva en la terminal no punteada de la segunda bobina."

Combinaciones que se detallan en la figura 3.25 y que de acuerdo a la situacin de

donde entre la corriente dar voltajes positivos en los casos (a) y (d) y voltajes negativos
en los casos (b) y (d).

Figura 3.25. Convencin de los puntos para induccin mutua

Hasta aqu se han considerado inducciones de voltaje mutuo en circuito abierto. Pero en
general, estar circulando una corriente diferente de cero en cada una de las dos
bobinas, y se producir un voltaje mutuo en cada una de ellas debido a la corriente que
circula en la otra. Esto es que a parte del voltaje que se produce por la induccin mutua
se tiene un segundo voltaje debido a la propia bobina, cuyos signos se designaran de
acuerdo con la convencin pasiva de los puntos y de las polaridades de los voltajes
indicados. Esto queda explicado junto con la figura 3.26 de la forma siguiente:

Si una corriente i que entra por una terminal punteada (no-punteada) de una bobina,
induce un voltaje
punteada) en la otra bobina.

con polaridad positiva en la terminal punteada (no-

Y si ambas corrientes entran (o salen) por los terminales punteados de la bobina, los
trminos de inductancia mutua y de autoinduccin de cada par de terminales tienen el
mismo signo, de otra manera, tienen signos opuestos.

Figura 3.26. Combinaciones de inductancia mutua de acuerdo a la convencin de los

puntos

Es decir para (a) y (b) de la figura 3.26.

(3.4.4)
y respectivamente para (b) y (c)

(3.4.5)

(3.4.6)
y finalmente para (c) y (d) respectivamente tenemos que

(3.5.7)

(3.6.8)
Las ecuaciones (3.3.4), (3.3.5), (3.3.6), (3.3.7), y (3.3.8) definen un voltaje producido
por la inductancia mutua en todas las combinaciones posibles.

Transformador
Los transformadores son dispositivos que utilizan el fenmeno del campo magntico
para transferir energa de un circuito a otro. Es un circuito que contienen dos o mas
bobinas que producen un campo magntico que se intersectan mutuamente conduciendo
a la autoinduccin mutua. En la figura 3.27. se presenta un modelo de transformador en
el cual se tienen dos corrientes de malla. A la corriente de malla I1, se le llama primario
y a la corriente I2, se le llama secundario, la primera es donde por lo general esta la
fuente de energa y en la segunda la carga. Los inductores o bobinas designados por L1 y
L2, tambin

Figura 3.27. Transformador

se les denomina primario y secundario.

Como dijimos el transformador consta de dos inductores, o bobinas enrolladas alrededor

de un ncleo, que por lo general es de material magntico (figura 3.28). Si una corriente
existe en el devanado (bobina) del primario, esta origina un campo magntico alrededor
del ncleo, y si existe una segunda bobina (secundario) en el mismo ncleo, el campo
magntico actuara sobre ella induciendo una corriente. Si la corriente el continua (CD),
el campo es constante y no afectara a la segunda bobina, por el contrario si la corriente
varia en relacin al tiempo (corriente alterna, CA) generara un campo variable, este
campo variable ejercer una fuerza sobre las cargas libres del conductor de la bobina del
secundario y producir una corriente que depender de la magnitud del campo y del
nmero de conductores (secundario) que cortan este campo. As de esta manera, una
corriente variable en el primario, origina un flujo de corriente en el secundario del
transformador.

Figura 3.28. Estructura de un transformador

El flujo de corriente que se induce en el secundario un transformador tiene un voltaje

asociado con l. La ley de Faraday establece que "la magnitud del voltaje inducido por
la variacin de un flujo magntico en una bobina de N vueltas esta dada por

(3.4.9)
donde a M se le conoce como inductancia mutua existente entre las bobinas"

Las vueltas que tenga la bobina del primario en relacin con las vueltas que tenga la
bobina del secundario, es de suma importancia ya que establecen una relacin de vueltas

(3.4.10)

En la ecuacin (3.3.10), Np es el nmero de vueltas que tenga la bobina del primario y

Ns es el nmero de devueltas de la bobina del secundario. La relacin de vueltas
determina cuanto crece o disminuye el voltaje de salida de un transformador.

La relacin del voltaje a travs del primario (Vp) al voltaje a travs del secundario (Vs)
es igual a la relacin de vueltas

(3.4.11)

Unidad 2. Electrnica analgica.

2.1 Caractersticas de los semiconductores.
Los semiconductores mas empleados para la fabricacin de circuitos integrados son
Silicio y Germanio, adems requieren que les aada tomos adicionales de Boro,
Indio, Fosforo y Antimonio. Estos tomos se unen entre si formando una red
cristalina, como se muestra en la Figura #1.3.
Figura #1.3. Red Cristalina del Silicio y Germanio

Semiconductores: Estrucura atmica del silicio y del germanio

El tomo, como hemos visto antes, est constituido por un ncleo rodeado de electrones.
El ncleo atrae a los electrones, pues tiene una carga positiva, pero, gracias a la fuerza
centrfuga, el electrn se mueve en una rbita estable.
Basndonos en la teora de Bohr y Sommerfeld sobre la estructura atmica,
analizaremos la distribucin de protones, electrones y neutrones en los tomos del
silicio y del germanio.

2.1.1 Silicio.
El silicio
El material semiconductor ms ampliamente utilizado es el silicio. Un tomo aislado de
silicio tiene 14 protones y 14 electrones. Como puede apreciarse en la figura 2.1, la
primera rbita contiene 2 electrones, y la segunda contiene 8. Los 4 electrones restantes
se hallan en la rbita exterior.
En la figura 2.1, el ncleo y las dos primeras rbitas constituyen la parte interna del
tomo de silicio. Esta parte interna tiene una carga resultante de +4 debido a los 14
protones en el ncleo y los 10 electrones de las dos primeras rbitas. Obsrvese que hay
4 electrones en la rbita exterior o de valencia; por este motivo, el silicio es un
semiconductor.
Cristales de silicio
Cuando los tomos de silicio se combinan para formar un slido, lo hacen formando una
estructura ordenada llamada cristal. Cada tomo de silicio comparte sus electrones de
valencia con los tomos de silicio vecinos, de tal manera que tiene 8 electrones en la
rbita de valencia, como se muestra en la figura 3. Cuando un tomo posee 8 electrones
en su rbita de valencia, como se aprecia aqu, se vuelve qumicamente estable. Los
crculos sobreados representan las partes internas del silicio. Aunque el tomo central
tena originalmente 4 elctrones en su rbita de valencia, ahora tiene 8 electrones en esa
rbita.

El Silicio es un material que posee 14 electrones de los cuales cuatro se localizan en

la ultima capa o banda de valencia. Estas capas o bandas son niveles de energa en
donde se encuentran confinados los electrones, para pasar de una banda a otra los
electrones necesitan emitir o absorber un fotn de luz o energa. Los niveles
superiores requieren de menor energa y los niveles inferiores requieren de mas
trabajo para sacar o introducir un electrn. El la Figura #1.4, se muestra el proceso
de emisin y absorcin de fotones.
Figura #1.4. Absorcin y emisin de
fotones

Las bandas de Energa se conocen como: Banda de Conduccin, Banda Ruptura y

Banda de Valencia, cada uno de estos niveles tiene un potencial mximo de operacin
como se muestra en la Figura #1.5.
Figura #1.5. Bandas de Energa

Los tomos de silicio se unen entre s para formar una estructura ms estable, esas
uniones se conocen como enlaces covalentes; sin embargo como estos tomos se
encuentran en la capa de valencia requieren de muy poca energa para ser sacados al
nivel de conduccin, en donde los electrones tienen un movimiento aleatorio el cual
es principio de la generacin de corriente en los semiconductores. Los materiales
Semiconductores se clasifican de acuerdo a su pureza, tenemos materiales
Intrnsecos y materiales Extrnsecos. Los materiales intrnsecos, son los que no
tienen impurezas o tomos diferentes. Los materiales extrnsecos poseen impurezas
o tomos diferentes a su naturaleza; los materiales intrnsecos por si solos no poseen
suficientes caractersticas elctricas para producir niveles de corriente considerables,
por lo tanto se dopan de otros elementos para aumentas sus ventajas. En la Figura
#1.6 se muestra al silicio en su estado natural y en dopado con un elemento.
Figura #1.6. Atomo de Silicio. Estructura Cristalina. Silicio Dopado

http://cpi.ing.uc.edu.ve/Electronica/capitulo1/default.htm
El silicio es un elemento qumico no metlico situado en el grupo IVa de la tabla
peridica de los elementos formando parte de la familia de los carbonoideos.
Aislado por J.J. Berzelius en 1824, es el elemento ms abundante en la corteza terrestre
despus del Oxgeno. Se presenta en forma amorfa y cristalizada. El primero es un
polvo pardusco, ms activo que la variante cristalina, que se presenta en octaedros de
color azul grisceo y brillo metlico. Es muy duro y poco soluble. Fundamentalmente
presenta el estado de oxidacin.
Sus propiedades son intermedias a las del Carbono y el Germanio. Se utiliza en
aleaciones, en la preparacin de las siliconas, en la industria cermica y en la
fabricacin de transistores y pilas solares.
Caractersticas del Silicio

Smbolo: Si
Nmero atmico: 14
Grupo: 14
Periodo: 3
Masa atmica: 28,0855 uma
Punto de fusin: 1683K (1410C/2571F)
Punto de ebullicin: 2628K (2355C/4271F)
Densidad: 2330 kg/m3

General
Nombre, Smbolo, Nmero

Silicio, Si, 14

Serie qumica

metaloide

Grupo, Perodo, Bloque

14 , 3, p

Densidad, dureza Mohs

2330 kg/m3, 6.5

gris oscuro, tinte azulado

Apariencia

Propiedades atmicas
Peso atmico

28.0855 uma

Radio atmico (calc.)

110 (111)pm

Radio covalente

111 pm

Radio de van der Waals

210 pm

Configuracin electrnica

[Ne]3s2 3p2

e- por nivel energtico

2, 8, 4

Estado de oxidacin (xido)

4 (anftero)

Estructura cristalina

Cbica centrada en el cuerpo

Propiedades fsicas

Estado de la materia

slido (no nmagntico)

Punto de fusin

1687 K (2577 F)

Punto de ebullicin

3173 K (5252 F)

Volumen molar

12.06 10-3 m3/mol

Entalpa de vaporizacin

384.22 kJ/mol

Entalpa de fusin

50.55 kJ/mol

Presin de vapor

4.77 Pa a 1683 K

Velocidad del sonido

__ m/s a __ K

Informacin diversa
Electronegatividad

1.90 (Escala de Pauling)

Capacidad calorfica especfica 700 J/

Conductividad elctrica

2.52 10-4/m ohmnios

Conductividad trmica

148 W/

1 Potencial de ionizacin

786.5 kJ/mol

2 Potencial de ionizacin

1577.1 kJ/mol

3 Potencial de ionizacin

3231.6 kJ/mol

4 Potencial de ionizacin

4355.5 kJ/mol

5 Potencial de ionizacin

16091 kJ/mol

6 Potencial de ionizacin

19805 kJ/mol

7 Potencial de ionizacin

23780 kJ/mol

8 Potencial de ionizacin

29287 kJ/mol

9 Potencial de ionizacin

33878 kJ/mol

10 Potencial de ionizacin

38726 kJ/mol

El silicio es un elemento qumico no metlico situado en el grupo 14 de la tabla

peridica de los elementos formando parte de la familia de los carbonoideos. Es el
segundo elemento ms abundante en la corteza terrestre (27,7% en peso) despus del
oxgeno. Se presenta en forma amorfa y cristalizada; el primero es un polvo parduzco,
ms activo que la variante cristalina, que se presenta en octaedros de color azul
grisceo y brillo metlico.

Caractersticas principales
Sus propiedades son intermedias entre las del carbono y el germanio. En forma
cristalina es un muy duro y poco soluble y presenta un brillo metlico y color grisceo.
Aunque es un elemento relativamente inerte y resiste la accin de la mayora de los
cidos, reacciona con los halgenos y lcalis diluidos. El silicio transmite ms del 95%
de las longitudes de onda de la radiacin infrarroja.

Aplicaciones
Se utiliza en aleaciones, en la preparacin de las siliconas, en la industria cermica y
debido a que es un material semiconductor muy abundante, tiene un inters especial en
la industria electrnica y microelectrnica como material bsico para la creacin de
obleas o chips en los que se pueden implementar transistores, pilas solares, y una gran
variedad de circuitos electrnicos.
El silicio es un elemento vital en numerosas industrias. El dixido de silicio (arena y
arcilla) es un importante constituyente del hormign y los ladrillos y se emplea adems
en la produccin de cemento portland. Por sus propiedades semiconductoras se usa en la
fabricacin de transistores, clulas solares y todo tipo de dispositivos semicondutores;
por esta razn se conoce como Silicon Valley (Valle del Silicio) a la regin de California
en la que concentran numerosas empresas del sector de la electrnica y la informtica.
Otros importantes usos del silicio son:

Como material refractario, se usa en cermicas y esmaltados.

Como elemento de aleacin en fundiciones.
Fabricacin de vidrio y cristal para ventanas y aislantes entre otros usos.
El carburo de silicio es uno de los abrasivos ms importantes.
Se usa en lseres para obtener una luz con una longitud de onda de 456 nm.
La silicona se usa en medicina en implantes de seno y lentes de contacto.

Historia
El silicio (del latn silex, slice) fue identificado por primera vez por Antoine Lavoisier
en 1787, y posteriormente tomado como compuesto por Humphry Davy en 1800. En
1811 Gay-Lussac, y Louis Thenard probablemente, prepar silicio amorfo impuro
calentando potasio con tetrafluoruro de silicio. En 1824 Berzelius prepar silicio amorfo
empleando un mtodo similar al de Gay-Lussac, purificando despus el producto
mediante lavados sucesivos hasta aislar el elemento.

Abundancia y obtencin
El silicio es uno de los componentes principales de los aerolitos, una clase de
meteoroides.
Medido en peso el silicio representa ms de la cuarta parte de la corteza terestre y es el
segundo elemento ms abundante por detrs del oxgeno. El silicio no se encuentra en
estado nativo; arena, cuarzo, amatista, gata, pedernal, palo y jaspe son algunas de los
minerales en los que aparece el xido, mientras que formando silicatos se encuentra,
entre otros, en el granito, feldespato, arcilla, hornblenda y mica.
El silicio comercial se obtiene a partir de slice de alta pureza en horno de arco elctrico
reduciendo el xido con electrodos de carbono a temperatura superior a 1900 C:
SiO2 + C Si + CO2
El silicio lquido se acumula en el fondo del horno de donde se extrae y se enfra. El
silicio producido por este proceso se denomina metalrgico y tiene una pureza superior
al 99%. Para la construccin de dispositivos semiconductores es necesario un silicio de
mayor pureza, silicio ultrapuro, que puede obtenerse por mtodos fsicos o qumicos.
Los mtodos fsicos de purificacin del silicio metalrgico se basan en la mayor
solubilidad de las impurezas en el silicio lquido, de forma que ste se concentra en las
ltimas zonas solidificadas. El primer mtodo, usado de forma limitada pra construir
componentes de radar durante la segunda guerra mundial, consiste en moler el silicio de
forma que las impurezas se acumulen en las superficies de los granos; disolviendo stos
parcialmente con cido se obtena un polvo ms puro. La fusin por zonas, el primer
mtodo usado a escala industrial, consiste en fundir un extremo de la barra de silicio y
trasladar lentamente el foco de calor a lo largo de la barra de modo que el silicio va
solidificando con una pureza mayor al arrastrar la zona fundida gran parte de las
impurezas. El proceso puede repetirse las veces que sea necesario hasta lograr la pureza
deseada bastando entonces cortar el extremo final en el que se han acumulado las
impurezas.
Los mtodos qumicos, usados actualmente, actan sobre un compuesto de silicio que
sea ms fcil de purificar descomponiendolo tras la purificacin para obtener el silicio.
Los compuestos comnmente usados son el triclorosilano (HSiCl3), el tetracloruro de
silicio (SiCl4) y el silano (SiH4).
En el proceso Siemens, las barras de silicio de alta pureza se exponen a 1150C al
triclorosilano, gas que se descompone depositando silicio adicional en la barra segn la
siguiente reaccin:
2 HSiCl3 Si + 2 HCl + SiCl4
El silicio producido por ste y otros mtodos similares se denomina silicio
policristalino y tpicamente tiene una fraccin de impurezas de 0,001 ppm o menor.
El mtodo Dupont consiste en hacer reaccionar tetracloruro de silicio a 950C con
vapores de cinc muy puros:

SiCl4 + 2 Zn Si + 2 ZnCl2
Este mtodo, sin embargo, est plagado de dificultades (el cloruro de cinc, subproducto
de la reaccin, solidifica y obstruye las lneas) por lo que eventualmente se ha
abandonado en favor del proceso Siemens.
Una vez obtenido el silicio ultrapuro es necesario obtener un monocristal, para lo que se
utiliza el proceso Czochralski.

Istopos
El silicio tiene nueve istopos, con nmero msico entre 25 a 33. El istopo mas
abundante es el Si 28 con una abundancia del 92.23%, el Si 29 tiene una abundancia del
4.67% y el Si 30 que tiene una abundancia del 3.1 todos ellos son estables. El Si 32 es
radiactivo que proviene del decaimiento del argn. Su tiempo de semivida es
aproximadamente de unos 276 aos. Padece un decaimiento beta que lo transforma en
P-32 (que tiene un periodo de semivida de 14.28 aos).

Precauciones
La inhalacin del polvo de slice cristalina puede provocar silicosis.

2.1.2 Germanio.
El germanio es un elemento qumico con nmero atmico 32, y smbolo Ge
perteneciente al grupo 14 de la tabla peridica de los elementos.

Caractersticas principales
Es un metaloide slido duro, cristalino, de color blanco grisceo lustroso, deleznable,
que conserva el brillo a temperaturas ordinarias. Presenta la misma estructura cristalina
que el diamante y resiste a los cidos y lcalis.
Forma gran nmero de compuestos organometlicos y es un importante material
semiconductor utilizado en transistores y fotodetectores. A diferencia de la mayora de
semiconductores, el germanio tiene una pequea banda prohibida (band gap) por lo que
responde de forma eficaz a la radiacin infrarroja y puede usarse en amplificadores de
baja intensidad.

Aplicaciones
Las aplicaciones del germanio se ven limitadas por su elevado coste y en muchos casos
se investiga su sustitucin por materiales ms econmicos.

Fibra ptica.
Electrnica: Radares y amplificadores de guitarras elctricas usados por msicos
nostlgicos del sonido de la primera poca del rock and roll; aleaciones SiGe en
circuitos integrados de alta velocidad.

ptica de infrarrojos: Espectroscopios, sistemas de visin nocturna y otros

equipos.
Lentes, con alto ndice de refraccin, de ngulo ancho y para microscopios.
En joyera se usa la aleacin Au con 12% de germanio.
Como elemento endurecedor del aluminio, magnesio y estao.
Quimioterapia.
El tratracloruro de germanio se usa como catalizador en la sntesis de polmeros
(PET).

Historia
La propiedades del germanio (del latn Germania, Alemania) fueron predichas en 1871
por Mendeleyev en funcin de su posicin en la tabla peridica, elemento al que llam
eka-silicio. El alemn Clemens Winkler demostr en 1886 la existencia de este
elemento, descubrimiento que sirvi para confirmar la validez de la tabla peridica
habida cuenta de las similitudes entre las propiedades predichas y las observadas:

Propiedad

Ekasilicio
Germanio
(Predichas, 1871) (Observadas, 1886)
Masa atmica
72
72,59
Densidad (g/cm)
5,5
5,35
Calor especfico (J/kgK)
0,31
0,32
Punto de fusin (C)
alto
960
Frmula del xido
RO2
GeO2
Frmula del cloruro
RCl4
GeCl4
Densidad del xido (g/cm)
4,7
4,70
Punto de ebullicin del cloruro (C)
100
86
Color
gris
gris

Abundancia y obtencin
Los nicos minerales rentables para la extraccin del germanio son la germanita (69%
de Ge) y ranierita (7-8% de Ge); adems est presente en el carbn, la argirodita y otros
minerales. La mayor cantidad, en forma de xido (GeO2), se obtiene como subproducto
de la obtencin del cinc o de procesos de combustin de carbn (en Rusia y China se
encuentra el proceso en desarrollo).
Las reservas demostradas, ligadas a minerales de zonc y plomo rondan Con pureza del
99,99%, para usos electrnicos se obtiene por refino mediante fusin por zonas
resultando cristales de 25 a 35 mm usados en transistores y diodos; con esta tcnica las
impurezas se pueden reducir hasta 0,0001 ppm.

El desarrollo de los transistores de germanio abri la puerta a numerosas aplicaciones

electrnicas que hoy son cotidianas. Entre 1950 y los primeros 70, la electrnica
constituy el grueso de la creciente demanda de germanio hasta que empez a
sustituirse por el silicio por sus superiores propiedades elctricas. Actualmente la gran
parte del consumo se destina a fibra ptica (cerca de la mitad), equipos de visin
nocturna y catlisis en la polimerizacin de plsticos, aunque se investiga su sutitucin
por catalizadores ms econmicos. En el futuro es posible que se extiendan las
aplicaciones electrnicas de las aleaciones silicio-germanio en sustitucin del arseniuro
de galio especialmente en las telecomuniciones sin cable.

Precauciones
Algunos compuestos de germanio (tetrahidruro de germanio) tienen una cierta toxicidad
en los mamferos pero son letales para algunas bacterias.

General
Nombre, smbolo, nmero Germanio, Ge, 32
Serie qumica

Metaloides

Grupo, periodo, bloque

14, 4 , p

Densidad, dureza Mohs

5323 kg/m3, 6
Blanco grisceo

Apariencia

Propiedades atmicas
Peso atmico

72,64 uma

Radio medio

125 pm

Radio atmico calculado

125 pm

Radio covalente

122 pm

Radio de Van der Waals

Sin datos

Configuracin electrnica [Ar]3d10 4s2 4p2

Estados de oxidacin
(xido)

4 (anftero)

Estructura cristalina

Cbica centrada en las

caras

Propiedades fsicas
Estado de la materia

Slido

Punto de fusin

1211,4 K

Punto de ebullicin

3093 K

Entalpa de vaporizacin

330,9 kJ/mol

Entalpa de fusin

36,94 kJ/mol

Presin de vapor

0,0000746 Pa a 1210 K

Velocidad del sonido

5400 m/s a 293,15 K

Informacin diversa
Electronegatividad

2,01 (Pauling)

Calor especfico

320 J/(kgK)

Conductividad elctrica

1,45 m-1-1

Conductividad trmica

59,9 W/(mK)

1 potencial de ionizacin 762 kJ/mol

2 potencial de ionizacin 1537,5 kJ/mol
3 potencial de ionizacin 3302,1 kJ/mol
4 potencial de ionizacin 4411 kJ/mol
5 potencial de ionizacin 9020 kJ/mol
Istopos ms estables
iso.

AN

Vida media MD ED MeV PD

70

Ge es estable con 38 neutrones

72

Ge es estable con 40 neutrones

73

Ge es estable con 41 neutrones

Ge 21,23%
Ge 27,66%
Ge 7,73%

El germanio
El germanio es un ejemplo de semiconductor. En la figura 2 se muestra un tomo de
germanio. En el centro se halla un ncleo con 32 protones. En este caso los electrones se
distribuyen como sigue: 2 electrones en la primera rbita, 8 en la segunda y 18 en la
tercera. Los ltimos 4 electrones se localizan en la rbita exterior o de valencia.

Figura 2. tomo de germanio

Figura 2.1. tomo de silicio

http://tesla.cuao.edu.co/analoga/acadavid/nueva/electronica1/apuntes/semicon/teoria/semicon.htm

2.1.3 Materiales tipo p y n.

Materiales semiconductores tipo N y tipo P.

Configuracin Electrnica de los elementos Semiconductores:

Elemento _electrones

1S

2S 2P

3S 3P 3d

4S 4P 4d 4f

Boro _____ B __ 5

2_1

Carbono __ C __ 6

2_2

Aluminio __ Al __13

2_6

2_1

Silicio ____ Si __ 14

2_6

2_2

Fsforo ___ P __15

2_6

2_3

Galio ____ Ga __31

2_6

2 _ 6 _ 10

2_1

Germanio__Ge __32

2_6

2 _ 6 _ 10

2_2

Arsnico __As __33

2_6

2 _ 6 _ 10

2_3

5S 5P

Indio _____In __ 49

2_6

2 _ 6 _ 10

2 _ 6 _ 10

2_1

Estao ____Sn__ 50

2_6

2 _ 6 _ 10

2 _ 6 _ 10

2_2

Antimonio__Sb_ 51

2_6

2 _ 6 _ 10

2 _ 6 _ 10

2_3

Electrones por

Nivel (2
)

18

32

Enlace covalente: En este tipo de enlace los electrones se comparten, pero no se transfieren. Un enlace
covalente consiste en un par de electrones (de valencia) compartidos por dos tomos.
El mtodo ms sencillo para liberar los electrones de valencia ligados consiste en calentar e cristal. Los
tomos efectan oscilaciones cada vez ms intensas que tienden a romper los enlaces y liberar as los
electrones. Cuanto mayor sea la temperatura de un semiconductor, mejor podr conducir.

Material Intrnseco
Cristal de Silicio

Material Intrnseco Tipo N

Cristal de Silicio "dopado" con tomos de Arsnico. tomos "Donadores"

Las impurezas difundidas con cinco electrones de valencia se denominan tomos donadores.
Los materiales tipo N se crean aadiendo elementos de impureza (tomos) que tengan cinco electrones
de valencia, "Pentavalentes".

Material Extrnseco Tipo P

Cristal de Silicio "Dopado" con tomos o impurezas de Galio. tomos "Aceptores"

Las impurezas difundidas con tres electrones de valencia se denominan tomos aceptores.
Los materiales tipo P se crean aadiendo elementos de impurezas (tomos) que tengan tres electrones
de valencia.
Por las razones antes expuestas, en un material tipo N el electrn se denomina portador mayoritario y el
hueco, portador minoritario.
Cuando el quinto electrn (electrn sobrante) de un tomo donador abandona al tomo padre, el tomo
que permanece adquiere una carga positiva neta: a ste se le conoce como ion donador y se representa
con un circulo encerrando un signo positivo. Por razones similares, el signo negativo aparece en el ion
aceptor.
Tipo N

 Iones Donadores (tomos de impurezas con 5 electrones).

- Portadores Mayoritarios.
+ Portador Minoritarios.
(Huecos generados cuando algunos electrones de tomos de silicio adquieren suficiente energa para
romper el enlace covalente y convertirse en electrones libres y/o portadores Mayoritarios).
Tipo N

Tipo P

 - Iones Aceptores (tomos de impurezas con 3 electrones).

+ Portadores Mayoritarios.
- Portadores minoritarios.
(electrones libres generados cuando estos adquieren suficiente energa para romper el enlace covalente,
el hueco que dejan se convierte en portado mayoritario).

Tipo P

Diodo Semiconductor
El diodo semiconductor se forma uniendo los materiales tipo N y tipo P, los cuales deben estar
construidos a partir del mismo material base, el cual puede ser Ge o Si.
Las dimensiones de los bloques de material tipo N y tipo P, as como las tcnicas y tecnologas que se
utilizan para unirlos no son parte de los objetivos del curso y por esa razn no se abordar el tema, si
alguien desea saber un poco ms de esto, puede consultar el captulo 13, 20 y/o 21 del libro de texto.

Regin de Agotamiento
En el momento en que dos materiales son unidos (uno tipo N y el otro tipo P), los electrones y los huecos
que estn en , o cerca de, la regin de "unin", se combinan y esto da como resultado una carencia de
portadores (tanto como mayoritarios como minoritarios) en la regin cercana a la unin. Esta regin de

iones negativos y positivos descubiertos recibe el nombre de Regin de Agotamiento por la ausencia de
portadores.

Existen tres posibilidades al aplicar un voltaje a travs de las terminales del diodo:
- No hay polarizacin (VD = 0 V).
- Polarizacin directa (VD > 0 V).
- Polarizacin inversa (VD < 0 V).
VD = 0 V. En condiciones sin polarizacin, los portadores minoritarios (huecos) en el material tipo N que
se encuentran dentro de la regin de agotamiento pasarn directamente al material tipo P y viceversa.
En ausencia de un voltaje de polarizacin aplicado, el flujo neto de carga (corriente) en cualquier
direccin es cero para un diodo semiconductor.

La aplicacin de un voltaje positivo "presionar" a los electrones en el material tipo N y a los huecos en
el material tipo P para recombinar con los iones de la frontera y reducir la anchura de la regin de
agotamiento hasta desaparecerla cuando VD 0.7 V para diodos de Silicio.
ID = Imayoritarios - IS

Condicin de Polarizacin Inversa (VD < 0 V). Bajo esta condicin el nmero de iones positivos
descubiertos en la regin de agotamiento del material tipo N aumentar debido al mayor nmero de
electrones libres arrastrados hacia el potencial positivo del voltaje aplicado. El nmero de iones
negativos descubiertos en el material tipo P tambin aumentar debido a los electrones inyectados por
la terminal negativa, las cuales ocuparn los huecos.
El fenmeno explicado anteriormente, en ambos tipos de material N y P, provocar que la regin de
agotamiento se ensanche o crezca hasta establecer una barrera tan grande que los portadores
mayoritarios no podrn superar, esto significa que la corriente ID del diodo ser cero.
Sin embargo, el nmero de portadores minoritarios que estarn entrando a la regin de agotamiento no
cambiar, creando por lo tanto la corriente IS.
La corriente que existe bajo condiciones de polarizacin inversa se denomina corriente de saturacin
inversa, IS.
El trmino "saturacin" proviene del hecho que alcanza su mximo nivel (se satura) en forma rpida y no
cambia significativamente con el incremento en el potencial de polarizacin inversa, hasta que al valor
VZ o VPI, voltaje pico inverso.

El mximo potencial de polarizacin inversa que puede aplicarse antes de entrar en la regin Zener se
denomina Voltaje Pico Inverso o VPI nominal.
Los diodos de silicio tienen generalmente valores nominales de VPI y de corriente ms altos e intervalos
de temperatura ms amplios que los diodos de germanio.

http://html.rincondelvago.com/diodos-y-transistores.html

Materiales Tipo n y Materiales Tipo p

Un material semiconductor tipo n se produce introduciendo impurezas con valencia de 5
electrones, tales como el antimonio o el fsforo dentro de la estructura del cristal. En
equilibrio trmico los electrones del tomo de impureza comparten enlaces con los
electrones del silicio, quedando un electrn libre, se requiere solo una pequea cantidad
de energa para liberar estos electrones donadores los cuales una vez liberados de sus
tomos se comportan en forma similar a los electrones libres de un metal. La
concentracin de estas cargas se denota con las letras Nd.
Figura #1.8. Material tipo n

La presencia de electrones donadores altera el equilibrio en el material. Segn la Ley de

Accin de Masas " El producto de las concentraciones de huecos y electrones debe ser
constante", la concentracin en el material dopado ser:
n = Nd + p
Esta expresin indica que los electrones en el semiconductor esta relacionada con la
concentracin del material donador y los huecos que surgen por la energa trmica. Un
material semiconductor tipo p se produce introduciendo impurezas aceptadoras de
valencia 3 como el Boro o el Indio, por cada tomo de impureza hay un electrn de
silicio sin compaero; es decir tiene un nivel de baja energa, lo cual lo predispone a
capturar cualquier electrn que pase; cuando la red cristalina adquiere energa trmica
algunos electrones vecinos son capturados (aceptado) por un tomo de impureza, esto
crea un ion negativo inmvil en la red cristalina y deja solo un electrn en el enlace
covalente. La concentracin de las impurezas se denota con Na y la concentracin del
material se calcula como:
p = Na + n
Figura #1.9. Material tipo p

SEMICONDUCTOR TIPO N
Si en una red cristalina de silicio (tomos de silicio enlazados entre s) ....

Enlace covalente de tomos de germanio, obsrvese que cada tomo comparte cada uno de sus electrones con otros
cuatro tomos

.... sustituimos uno de sus tomos (que como sabemos tiene 4 electrones en su
capa exterior) por un tomo de otro elemento que contenga cinco electrones en su

capa exterior, resulta que cuatro de esos electrones sirven para enlazarse con el
resto de los tomos de la red y el quinto queda libre.

Semiconductor dopado tipo N

A esta red de silicio "dopado" con esta clase de impurezas se le denomina

"Silicio tipo N"
En esta situacin hay mayor nmero de electrones que de huecos. Por ello a
estos ltimos se les denomina "portadores minoritarios" y "portadores mayoritarios"
a los electrones
Las Impurezas tipo N ms utilizadas en el proceso de dopado son el arsnico, el
antimonio y el fsforo
Est claro que si a un semiconductor dopado se le aplica tensin en sus bornas,
las posibilidades de que aparezca una corriente en el circuito son mayores a las del
caso de la aplicacin de la misma tensin sobre un semiconductor intrnseco o puro.
SEMICONDUCTOR TIPO P
Si en una red cristalina de silicio (tomos de silicio enlazados entre s) ....

Enlace covalente de tomos de germanio, obsrvese que cada tomo comparte cada uno de sus electrones con otros
cuatro tomos

.... sustituimos uno de sus tomos (que como sabemos tiene 4 electrones en su
capa exterior) por un tomo de otro elemento que contenga tres electrones en su
capa exterior, resulta que estos tres electrones llenarn los huecos que dejaron los
electrones del tomo de silicio, pero como son cuatro, quedar un hueco por
ocupar. Osea que ahora la sustitucin de un tomo por otros provoca la apricin de
huecos en el cristal de silicio. Por tanto ahora los "portadores mayoritarios" sern
los huecos y los electrones los portadores minoritarios.
A esta red de silicio dopada con esta clase de impurezas se le denomina "silicio tipo
P"

Semiconductor dopado tipo P

http://www.ifent.org/lecciones/semiconductor/default.htm

2.2 Dispositivos semiconductores.

2.2.1 Diodos.
EL DIODO
El nacimiento del diodo surgi a partir de la necesidad de transformacin de corrientes
alternas en continua.
La corriente en un diodo presenta un sentido de circulacin de cargas positivas que van
desde el nodo al ctodo, no permitiendo la circulacin de la corriente en el sentido
opuesto, lo cual nos permite la conversin de corriente alterna a continua,
procedimiento conocido como rectificacin. Esto ocurre porque por el diodo solamente
podr circular corriente cuando el nodo sea ms positivo que el ctodo.
Estn compuestos por dos regiones de material semiconductor que se llama unin P-N.
Entre las dos partes de la unin P-N, y en la zona de contacto entre ambas, se produce
una regin denominada de transicin, donde se genera una pequea diferencia de
potencial quedando la zona N a mayor tensin que la P. Cuando se le aplica una tensin
al diodo con el terminal positivo conectado a la zona P y el negativo a la N se producir
una circulacin de corriente entre ambas debido a que una pequea parte de esta tensin
nivelar la diferencia de potencial entre zonas, quedando stas niveladas en tensin, y el
resto de la tensin aplicada producir una circulacin de electrones de la zona N a la P.

Si esa tensin externa se aplica con los bornes intercambiados, es decir el terminal
positivo de la fuente conectado a la zona N y el negativo a la regin P, no habr
circulacin de corriente por el diodo, debido a que por efecto de la tensin aplicada se
aumentar la diferencia de potencial existente entre las zonas P y N, impidiendo as la
circulacin de corriente a travs del mismo.
Entre las diversas clases de diodos que se encuentran en el mercado, podemos citar las
siguientes: diodos rectificadores (en montaje individual o puente rectificador), diodos de
seal, diodos de conmutacin, diodos de alta frecuencia, diodos estabilizadores de
tensin, diodos especiales.
EL DIODO SIN POLARIZACION:
Es posible producir un cristal como el de la figura (a) que tiene la mitad del tipo p y la
otra mitad del tipo n. La unin es donde se encuentran las regiones tipo p y tipo n. Un
cristal pn como este se le conoce comnmente con el nombre de diodo.

CAPA DE AGOTAMIENTO:
Cuando un bloque de silicio tipo N se une a un bloque de silicio tipo P, forman una
unin o juntura llamada diodo de unin PN o juntura PN, como se muestra en la figura
(b).
En este proceso se forma una barrera elctrica en la unin de los materiales, que evita
que los electrones del material tipo N se pasen al material tipo P, a este proceso se le
llama capa de agotamiento.

POTENCIAL DE BARRERA:
Despus de cierto punto, la capa de agotamiento acta como una barrera para la
posterior difusin de electrones libres a travs de la unin.
La diferencia de potencial a travs de la capa de agotamiento se llama potencial de
barrera.
Este potencial de barrera, a una temperatura de 25C, es igual a 0.7V para diodos de
silicio (los diodos de germanio tienen un potencial de barrera de 0.3V).

POLARIZACION DIRECTA:
La figura (a) muestra una fuente de cc aplicada a un diodo. El terminal positivo de la
fuente esta conectado al material tipo p, y el terminal negativo al material tipo n. Esta
conexin se llama polarizacin directa. Como recordatorio, debe notarse que el sigo (+)
se conecta al lado p y el signo (-) al lado n.

POLARIZACION INVERSA:
Si se invierte la polaridad de la fuente de alimentacin de cc, se le aplica polarizacin
inversa al diodo, como se indica en la figura (a). Ahora el signo (+) se conecta al lado n
y el signo (-) al lado p. Cul es el efecto de la polarizacin inversa? "el efecto de la
polarizacin inversa es que la capa de agotamiento se ensancha. Cuanto mayor sea la
polarizacin inversa, ms ancha es la capa de agotamiento; esta detiene su crecimiento
cuando su diferencia de potencial es igual al voltaje de la fuente.

TIPOS DE DIODOS:

RANGO DE VOLTAJE Y CORRIENTE:

Los diodos se clasifican en trminos de la corriente y el voltaje que pueden manejar.
Esta clasificacin se resume en forma de una referencia compuesta por letras y nmeros.
Estas referencias se usan en todos los semiconductores y el prefijo 1N significa que ese
componente es un diodo.
Como ejemplo un diodo 1N4001 puede manejar IF = 1 A y VFT = 600v0.
Sin embargo, los valores dados representan la mxima corriente y el mximo voltaje
inverso que pueden ser aplicados.
Se recomienda usar diodos con una capacidad mayor por lo menos en un 25% a los
valores de corriente y voltaje de trabajo del circuito.

Clases de Diodos
-Diodo de barrera SCHOTTKY:

Tambin es conocido como diodo de barrera superficial o de portadores de alta energa.

Su rea de aplicacin se limitaba primero a intervalos de frecuencia sumamente altas
debido a su rpido tiempo de respuesta y muy baja figura de ruido.
Otras reas de aplicacin del dispositivo incluyen los sistemas de radar, la lgica TTL
Schottky para computadoras, los mezcladores y detectores en los equipos de
comunicaciones, instrumentacin y en los convertidores analgico digitales.
Su construccin es muy diferente de la unin p-n convencional por el hecho de que se
crea una unin semiconductora de metal (ver figura). El semiconductor es por lo general
silicio de tipo n (aunque en ocasiones se utiliza silicio tipo p)

Inicio
-Diodo VARACTOR:
Los diodos varactores (llamados tambin varicap "diodo con capacitancia-voltaje
variable" o sintonizadores) son semiconductores dependientes del voltaje, capacitores
variables. Su modo de operacin depende de la capacitancia que existe en la unin p-n
cuando el elemento esta polarizado inversamente. Su simbologa es la siguiente:

-Diodo SHOCKLEY:
Es un diodo pnpn de cuatro capas con solo dos terminales externas como se muestra en
la figura con su smbolo grafico. Las caractersticas del dispositivo son exactamente
iguales a las encontradas para el SCR con IG = 0. Como indica la caracterstica, el
dispositivo esta en el estado de corte (representacin en circuito abierto) hasta que se
alcanza el voltaje de ruptura, en cuyo instante la condicin de avalancha se desarrollara
y el dispositivo se encender.

Inicio
-Diodo TUNEL:
El diodo tnel se fabrica dopando el material semiconductor que formara la unin tipo
p-n en un nivel de cien a miles de veces mayor que un diodo semiconductor tpico. Esto
producir una regin de agotamiento bastante reducida del orden de magnitud de 10-6
cm o por lo comn alrededor de 1/100 del ancho de esta regin para un diodo
semiconductor comn. Es en esta delgada regin de agotamiento donde muchos
portadores pueden "pasar a travs de un tnel", en ves de intentar superarla a
potenciales de polarizacin directa bajos que explican el pico en la curva.
Esta reducida regin de agotamiento produce portadores que "atraviesan perforando" a
velocidades que superan en mucho a las que se producen en los diodos convencionales.
El diodo tnel puede, por lo tanto, utilizarse en aplicaciones de alta velocidad como en
las computadoras, donde se requieren tiempos de conmutacin del orden de
nanosegundos o picosegundos.

Simbologa
Diodo rectificador

Diodo rectificador

Diodo rectificador

Diodo zener

Diodo zener

Diodo zener

Diodo zener

Diodo zener *

Diodo varicap *

Diodo varicap

Diodo varicap

Diodo Gunn Impatt

Diodo supresor
de tensin *

Diodo supresor
de tensin

Diodo de corriente
constante

Diodo de recuperacin
instantnea, Snap

Diodo tnel *

Diodo tnel

Diodo rectificador
tnel

Diodo Schottky

Diodo Pin *

Diodo Pin

Fotodiodo

Diodo LED

Fotodiodo
bidireccional NPN

Fotodiodo de dos
segmentos ctodo
comn PNP

Fotodiodo de dos
segmentos ctodo
comn PNP

Diodo sensible a la
temperatura

Puente rectificador

Puente rectificador *

Aplicaciones
Compuertas OR y AND, Recortadores, Sujetadores
COMPUERTA OR:

Tabla de verdad:

Analizando paso a paso

1.- si A=0 y B=0
llevamos ambas entradas A y B a 0v (tierra)
Que ocurre con D1 y D2?
La terminal positiva de cada uno de los diodos esta conectada a tierra por lo tanto estn
polarizados inversamente.
Recordemos que:
Polarizacin directa

Polarizacin inversa

Por lo tanto al estar D1 y D2 inversamente que sucede?

Recordemos que:
Polarizacin directa: "El diodo conduce"

Para una segunda aproximacin

VD silicio = 0.7v
VD germanio = 0.3v

Diodo ideal: el diodo acta como un suiche

Para una tercera aproximacin

VD silicio = 0.7v
VD germanio = 0.3v
En esta aproximacin tenemos en cuenta la
resistencia del diodo

Para una tercera aproximacin

VD silicio = 0.7v
VD germanio = 0.3v
En esta aproximacin tenemos en cuenta la
resistencia del diodo

Cmo se halla Rd?

Existen varios mtodos:

R DC o esttica: VD / ID
En un punto de la curva caracterstica
R AC o dinmica: VD / ID
Si por ejemplo se desea hallar la R AC para una corriente de 15ma que se
hace?
Se ubica este punto de 15ma en la curva caracterstica y a este punto se le
traza una recta tangente obteniendo as un V y un I sea dos valores de
voltaje y 2 valores para la corriente para hallar
RAC = V / I
R promedio: RAV
Esta resistencia se halla entre los rangos mximos y mnimos del diodo por
ejemplo: si el rango de trabajo de un diodo es Vmin = 0.6v y Vmax = 0.8v
simplemente se marca en la curva caracterstica a que niveles de corriente
corresponde cada uno de ellos, entonces se obtendr Imin y Imax, entonces
R promedio = V / I = Vmax Vmin / Imax Imin
R dinmica = 26mv / ID esta es otra forma de cmo se puede hallar la
resistencia para una corriente dada.
Continuando con el anlisis de la compuerta OR, decamos que: D1 y D2 se
polarizan inversamente como ya explicamos D1 y D2 actan como suiches
abiertos

Que voltaje se tiene a la salida, si no hay ninguna fuente que lo este

alimentando,
voltaje a la salida = 0v.
Entonces para
A= 0

B=0
S=0
2.- Analizando la segunda posibilidad
A = 0, quiere decir la entrada A conectada a tierra
B = 0, quiere decir la entrada B conectada a un nivel alto de voltaje

Para este ejemplo estamos considerando el nivel alto de voltaje = 5v

Que ocurre con D1 y D2?
D1: Esta conectado a tierra como vimos en el anlisis anterior, esta polarizado
inversamente, entonces D1 acta como suiche abierto.
D2: La terminal positiva esta conectada al terminal positivo de la fuente sea
que esta polarizado directamente, el diodo acta como un suiche cerrado para
una primera aproximacin, para una segunda aproximacin V D silicio = 0.7v y
VD germanio = 0.3v, para una tercera aproximacin se tiene en cuenta la
resistencia del diodo y el voltaje en el diodo seria igual al voltaje umbral
Si=0.7v, Ge=0.3v mas la cada de voltaje en la resistencia V D = VU + VRD
Para este ejemplo estamos utilizando una segunda aproximacin
VD silicio = 0.7v
sea que el circuito queda de la siguiente forma:

El voltaje a la salida es igual VS = 5v 0.7 = 4.3v

VS = 4.3v corresponde a un nivel alto de voltaje
Entonces para
A=0
B=1
S=1
3.-analizando la tercera posibilidad
A=1, A conectado a un nivel alto de voltaje
B=0, B conectado a tierra

D1: conduce porque esta polarizado directamente

D2: no conduce, esta polarizado inversamente

Vs = 5 0.7v = 4.3v corresponde a un nivel alto

Entonces para:
A=1

B=0
S=1
4.-Analizando la cuarta posibilidad
A=1, A conectado a un nivel alto
B=1, B conectado a un nivel alto

D1: conduce esta polarizado directamente

D2: conduce esta polarizado directamente
Vs = 5 0.7 = 4.3v nivel alto de voltaje
Entonces para:
A=1
B=1
S=1
Inicio
COMPUERTA AND:
Tabla de verdad

Analizando paso a paso:

- Primera posibilidad
Para A=0, A conectado a tierra
B=0, B conectado a tierra

D1: El terminal negativo esta conectado a tierra, esta polarizado directamente

"conduce"
D2: Igual que D1
- Segunda posibilidad

Para A=0, A conectada a tierra.

B=1, B conectada a un nivel alto de voltaje

D1: Polarizado directamente, el diodo conduce.

D2: Polarizado inversamente, porque el terminal positivo de la fuente de 7v
esta conectado al terminal negativo del diodo, por lo tanto el diodo no conduce,
se comporta como un circuito abierto.
- Tercera posibilidad
Para A=1, A conectada a un nivel alto.
B=0, B conectada a un nivel bajo.

D1: Polarizado inversamente, no conduce, se comporta como un circuito

abierto.
D2: Polarizado directamente, conduce.
- Cuarta posibilidad
Para A=1, A conectada a un nivel alto.
B=1, B conectada a un nivel alto.

Al estar D1 y D2 abiertos, aslan totalmente la fuente de 7v y quedara:

Vs = 7v, nivel alto.

RECORTADORES:
Recortador en serie positivo:
Circuito 1

El voltaje de entrada Vin es una seal alterna, para nuestro ejemplo es una
onda senoidal, pero tambin se pueden utilizar otro tipo de seales alternas
como son ondas triangulares y cuadradas.
Como se comporta un diodo con una entrada alterna?
Su comportamiento no cambia, sus condiciones de polarizacin directa e
inversa son las mismas.
Polarizacin directa

Polarizacion inversa

El circuito 1 es un recortador serie positivo porque recorta la parte positiva del

voltaje de entrada.
D1 silicio = Vo = 0.7v

Recortador en serie negativo:

Recorta la seal en la parte negativa 4.3v

Condicin para que el diodo conduzca?

A la entrada debe haber un voltaje positivo.
Vin>0 : voltaje positivo
Vin= (0,10v)
Para segunda aproximacin VD = 0.7v

Vin 0.7 = Vo
Vo = 10 0.7 = 9.3v
Conclusin :
Para Vin>0 diodo conduce Vo = 9.3v
Para Vin<0 diodo no conduce Vo = 0v (recorta la seal)
SUJETADORES:
Esta aplicacin es til cuando se desea sujetar o mantener una seal a un
diferente nivel de DC.
Existen 2 tipos de montajes

Consideraciones para el anlisis de sujecin:

1.-Siempre se inicia el anlisis de las redes de sujecin considerando aquella
parte de la seal de entrada que polariza directamente el diodo.
2.-Durante el periodo en que el diodo conduce puede suponerse que el
capacitor se cargara en forma instantnea hasta un nivel de voltaje
determinado por el voltaje de entrada, el voltaje del diodo y si se coloca una
fuente DC
3.-Se supone que durante el periodo que el diodo no conduce (cuando esta
abierto) el capacitor mantendr toda su carga y consecuentemente su voltaje.
Esto se logra haciendo que el tiempo de descarga del capacitor 5 = 5 * RL sea
mayor que el tiempo que el diodo esta abierto.

4.-En todo el anlisis debe tenerse cuidado respecto a la localizacin y

polaridad de referencia para Vo para asegurar que se obtienen los niveles
apropiados de dicha cantidad.
5.-Compruebe siempre que la excursin total de salida debe corresponder con
la seal de entrada.

Fuentes
Sirven para convertir seal AC en DC, alimentar una carga por tiempo indefinido
Diagrama de bloques general:

Transformador de entrada:

N1 / N2 = V1 / V2 = I2 / I1
N1= # de vueltas del primario
N2= # de vueltas del secundario
El tamao del transformador depende de la potencia.
Se usan trafos pequeos (menos de 150w)
PUENTE RECTIFICADOR

Ciclo positivo (+) Ciclo negativo (-)

D1= se abre D1= conduce
D2= conduce D2= se abre
D3= se abre D3= conduce

D4= conduce D4= se abre

DIODO ZENER

El diodo zener para que trabaje como regulador de voltaje tiene que cumplir las
siguientes condiciones:
- Debe estar polarizado inversamente y Vin > Vz
Vin = (1.4 1.8) * Vz
- Si Vin < Vz entonces el diodo zener se abre
- Si el diodo zener se polariza directamente trabaja como un diodo rectificador
Montaje completo de la fuente con zener

Montaje fuente dual con LM317, LM337

2.2.2 Transistores.
TRANSISTORES
El transistor es un elemento semiconductor que tiene la propiedad de poder gobernar a
voluntad la intensidad de corriente que circula entre dos de sus tres terminales (emisor y
colector), mediante la circulacin de una pequea corriente aplicada en el tercer
terminal (emisor).
Este efecto se conoce con el nombre de amplificacin de corriente, y nos permite
aplicarle en el emisor una corriente muy pequea con cualquier forma de variacin en el
tiempo, y obtener la misma corriente, con la misma variacin en el tiempo, pero de
mayor amplitud.
Se utilizan fundamentalmente en circuitos que realizan funciones de amplificacin,
control, proceso de datos, etc.
El funcionamiento interno se puede describir a partir de lo ya explicado para los diodos,
con la diferencia de que este ltimo posee dos uniones semiconductoras, esto es: el
transistor posee dos zonas semiconductoras, que pueden ser N o P, y entre ambas una
muy delgada del tipo P o N respectivamente.
Este conjunto formar dos uniones: una N-P, entre el emisor y la base, y la otra P-N
entre la base y el colector (si las dos zonas exteriores son del tipo N y la interior tipo P,
es decir un transistor NPN. Si las regiones exteriores son del tipo P y la interior del tipo
N el transistor ser del tipo PNP).
Si le aplicamos una tensin externa a la unin N-P, de forma que quede polarizada en
directa, se producir una circulacin de corriente entre ambas regiones. Aplicando una
segunda tensin externa a la otra unin, de modo que sta quede en inversa (el terminal
positivo de la fuente conectado al colector y el negativo a la base), la corriente generada

en la otra unin, ser atrada por la diferencia de potencial positiva aplicada al colector,
generando que prcticamente toda la corriente proveniente del emisor llegue al colector,
salvo una pequea cantidad de corriente que saldr por la base. Y es justamente esta
pequesima corriente de base la que nos permite gobernar la corriente circulante desde
el emisor al colector.
El sentido de circulacin de la corriente adoptado hasta ahora es el de circulacin de los
electrones, y como la convencin utilizada toma el sentido opuesto entonces en un
transistor del tipo NPN la corriente ser entrante por el colector y la base, y saliente por
el emisor.
Debido a que la corriente de emisor ser siempre un mltiplo de la de base obtendremos
los resultados deseados de amplificacin. Supongamos que dicha corriente de colector
(Ic) es 100 veces la corriente de emisor (Ie), entonces si Ib = 5 mA; Ie = 500 mA. Si
ahora Ib = 2 mA; Ie = 200 mA. Donde se puede apreciar que una pequea variacin en
la corriente de base (3 mA), produce una gran variacin en la de emisor (300 mA).
Dicho factor de amplificacin es denominado generalmente con la letra griega b (Beta).
Ya hemos hecho notar que existen transistores del tipo NPN y PNP segn sean los
dopados de las tres regiones, pero entre ambos tipos no existe ninguna diferencia en
cuanto a lo funcional, salvo que todos los sentidos de circulacin de las corrientes son
opuestos en uno y otro, por lo tanto, para polarizar un transistor PNP, de igual manera
que uno NPN, se debern utilizar tensiones opuestas en uno y otro.
Los transistores tienen una caracterstica muy interesante que es la capacidad que tienen
stos de entregar una intensidad de corriente constante a una resistencia,
independientemente del valor de sta, es decir que las variaciones de corriente obtenidas
por la accin de la base, producirn en la resistencia una variacin de la tensin, la cual
ser, segn la ley de Ohm: V = I x R. Entonces V depender del valor de la corriente de
base y de la resistencia en el colector, siendo V mayor cuando mayor es R, estando
fijado el lmite por el valor de la tensin externa aplicada al circuito.
Este efecto resulta en una "amplificacin de tensin", que es una de las caractersticas
mas importante de los transistores y el motivo por el cual son de uso casi imprescindible
en los montajes electrnicos. Esta amplificacin de tensin se calcula como la relacin
entre el voltaje en la resistencia de carga y la tensin aplicada entre las junturas baseemisor.
Los transistores, segn sea la tecnologa de fabricacin, se clasifican en grandes grupos
con diferentes caractersticas: Bipolares, Fet, Mosfes, Uni unin. Hasta el momento nos
hemos referido al primer grupo de ellos.
El estudio y anlisis de los transistores se realiza mediante el empleo de las "curvas
caractersticas" del mismo, con las cuales se puede caracterizar completamente el
comportamiento o funcionamiento elctrico del transistor, siendo sta expresada en
relaciones grficas de las corrientes Ib, Ic e Ie, en funcin de las tensiones externas y
para las distintas configuraciones: Emisor Comn (EC), Base Comn (BC) y Colector
Comn (CC).

Las curvas describen el comportamiento de los transistores, pero como estos no se

comportan todos de igual manera, las curvas varan segn el tipo de transistor, y, si bien
difieren de un tipo a otro, son muy semejantes en la forma. Adems no se refieren a uno
en concreto, sino que son un promedio de un gran nmero de unidades. Estas grficas
son proporcionadas por el fabricante, y como el montaje ms comn es la de emisor
comn, y adems stos nos suministran las curvas basadas en este tipo de configuracin,
nos centraremos en el anlisis de las curvas referidas a este tipo de montaje.
Tambin es importante conocer los valores mx, mn y tpico de las caractersticas ms
importantes, para poder emplear, en los clculos, el valor que resultare ms desfavorable
a fin de asegurarnos que el funcionamiento de cualquier unidad de la muestra estar
dentro de lo estipulado.
Las curvas caractersticas mas importantes son las caracterstica de entrada y la de
salida. En las de entrada, se expresan las grficas de la relacin entre la corriente de
base (Ib) y la tensin base-emisor (Vbe) para la tensin colector-emisor (Vce)
constante. A partir de ellas podemos calcular la corriente que circula por la base cuando
se aplica una tensin externa entre sta y el emisor.
Como el transistor en montaje en emisor comn tiene comportamiento similar al de un
diodo polarizado en directa, las curvas son de igual forma, es decir, que existe una
determinada tensin umbral por debajo de la cual la corriente es prcticamente nula (Vd
= 0,3 V para transistores de Germanio y 0,6 V para los de Silicio).
Tambin de las caractersticas de entrada podemos deducir la resistencia de entrada del
transistor, que es la variacin de la tensin base-emisor (Vbe) con respecto a la corriente
de base (Ib).
En las curvas de salida se grafica la corriente de colector Ic en funcin de la tensin
colector-emisor Vce cuando mantenemos constante Ib. Generalmente se dibuja una
familia de curvas para distintas Ib. En esta grfica se observa que por encima de un
valor de tensin colector emisor Vce1 la corriente se mantiene prcticamente constante,
independientemente del valor de Vce. Por debajo de este valor sucede todo lo contrario,
Ib vara rpidamente con pequeas variaciones de Vce. Este valor de Vce1 es
aproximadamente 0,5 V. A esta zona de funcionamiento donde Ic es cuasi constante, se
denomina regin activa y es en la que se desea que funcione el transistor cuando se lo
usa en amplificadores. En este caso Ic solamente depende de Ib.
De la misma manera que en las caractersticas de entrada podemos deducir la resistencia
de entrada, en las caractersticas de salida podemos deducir la resistencia de salida de la
forma: Variacin de la tensin Vce con respecto a Ic. Otro factor que podemos deducir
es la ganancia de corriente del transistor (b).
De las curvas se deduce, al ser casi horizontal, que la resistencia de salida ser muy
elevada.
Tambin se definen, y es muy importante tenerlos en cuenta, algunos valore mximos
que no hay que sobrepasar:
Tensin mxima colector-emisor cuando Ib = 0. Vceo

Tensin mxima emisor-base Veb

Corriente mxima de colector Ic
Potencia mxima disipada PD o Ttot
Otra familia de transistores muy importante es la de los de efecto de campo, de los
cuales es parte el FET. Los mismos realizan la funcin de control de la corriente
mediante una tensin aplicada en uno de sus terminales.
Estn construidos con una zona semiconductora tipo P o N que une los dos terminales
(Fuente y Drenador), a esta regin se la llama canal y sobre sta existe otra con signo
opuesto que se conecta a la puerta, entre ambas se forma una unin PN o NP, segn sea
su topologa. Este conjunto est montado sobre un semiconductor con igual signo al de
la puerta. Cuando se aplica una tensin entre Drenador y Fuente, habr circulacin de
corriente por el canal.
El control de dicha corriente se har con una tensin variable que es aplicada a la
puerta, ya que, al aplicar dicha tensin, las uniones P-N se polarizan en forma inversa,
haciendo que el canal se haga ms delgado y, por consiguiente, aumente la resistencia
de ste, generando as una variacin de la corriente circulante por l.
Como esta corriente de Puerta ser extremadamente dbil debido a que se trata de una
unin polarizada en inversa, ser posible variar la corriente que circula por el transistor
sin que sea necesario absorber corriente de l.
Tambin la familia de transistores MOS o MOSFET (Metal, Oxido, Semiconductor) es
parte de los transistores de efecto de campo.
Este tipo de transistor es fabricado partiendo de un semiconductor tipo P en el que se
difunden dos regiones tipo N que forman la fuente y el Drenador, y, encima de la
superficie de estos, se aplica una capa de dixido de silicio (SiO2), que tiene la
propiedad de ser muy aislante, sobre la que est situada la Puerta. Entre Fuente y
Drenador tambin existir un canal similar al del tipo FET, cuya resistencia y anchura
ser controlada con la tensin de puerta.
En las curvas caractersticas de los transistores de efecto de campo se representa la
corriente de Drenador (ID) en funcin de la tensin aplicada entre Drenador y Fuente
(VDS). Como en el caso de la transferencia de los transistores bipolares, se traza una
curva para cada uno de los valores de VGS deseados. Tambin en estas curvas se
observan dos zonas; desde el origen la corriente crece con la tensin, pero alcanzado
cierto valor Vp, se hace constante y se forma a partir de all la segunda zona, a estas dos
zonas se las llama regin lineal a la primera y regin de saturacin a la ltima.

Teoria
Unin de aleacin:
La tcnica de la unin de aleacin es tambin una extensin del mtodo de aleacin de
la manufactura de diodos semiconductores, pero en un transistor se depositan dos

puntos de la misma impureza sobre cada lado de una oblea semiconductora que tiene la
impureza opuesta como se muestra en la figura 13.7. La estructura completa se calienta
despus hasta que ocurre la fusin y cada punto se une en aleacin a la oblea de la base,
lo que produce las uniones tipo p-n que se indican en la figura 13.7.
El punto del colector y la unin resultante son mas grandes para soportar la corriente
mayor y la disipacin de potencia en la unin del colector y la base.

Crecimiento de la unin:
La tcnica de Czochralski se emplea para formar las dos uniones p-n de un transistor de
crecimiento de la unin. El proceso, como se muestra en la figura 13.8, requiere que el
control de impurezas y la relacin de retiro sean tales que se asegure el ancho apropiado
de la base y los niveles de dopado de los materiales tipo n y p. Los transistores de este
tipo en general estn limitados a un valor nominal menor que w.

Difusin:
El mtodo que se emplea con mayor frecuencia en la fabricacin de transistores es la
tcnica de difusin. El proceso bsico se presento en el anlisis de la fabricacin del
diodo semiconductor. La tcnica de difusin se emplea en la produccin de transistores
en meseta y planares, cada uno de los cuales puede ser del tipo de difusin o epitaxial.
En la siguiente figura 13.9 podemos ver el proceso de difusin de un transistor.

TRANSISTOR SIN POLARIZACION

En un transistor hay tres regiones de impurificacin: el emisor, la base y el colector.
Entre la base y el emisor hay una unin pn; a esta parte del transistor se le llama diodo
emisor o diodo del emisor. Hay otra unin pn entre la base y el colector; esta parte del
transistor se llama diodo colector.
TRANSISTOR POLARIZADO
En operacin normal, el diodo emisor tiene polarizado directa y el diodo colector tiene
polarizacin inversa. En estas condiciones, el emisor enva electrones libres a la base.
La mayor parte de estos electrones libres pasan por la base hacia el colector.

CORRIENTES EN UN TRANSISTOR
La razn de la corriente del colector a la corriente de la base se llama ganancia de
corriente y se le denota por cd o bien por hfe. En transistores de baja potencia, el valor
de ganancia de corriente oscila entre 100 y 300.
La corriente del emisor es la ms grande de las tres corrientes, la corriente del colector
es casi igual de grande que la del emisor y la corriente de la base es mucho mas
pequea.

TRANSISTORES - BJT
BJT: transistor de juntura bipolar

Tiene 3 terminales

1.- Base
2.- Emisor
3.- Colector
Hay 2 tipos de transistores:
1.- NPN

2.- PNP

ANALISIS DE PEQUEA SEAL DEL BJT

Emisor comn:
Principales caractersticas:
1.- Invierte la seal de entrada 180
2.- Impedancia de salida Z0 Rc
3.- Impedancia de entrada segn la configuracin que esta entre media alta
4.- Es la configuracin ms utilizada.
Entrada: Base Emisor
Polarizacin por divisor de voltaje

Modelo:

Salida: Colector Emisor

Imp. de entrada:

Imp. de salida:

Zi = R1//R2// re

Zo = Rc

R1 // R2 = R
Zi = R // re
Ganancia de voltaje:

Ganancia de corriente: aprox. Zi re

Av = Vo / Vi

Ai = Io / Ii = ib / Ii

Vo = -Io (Rc // RL)

ib = Vi / re Vi = Zi*Ii Vi = re * Ii

Vo = - ib (Rc // RL)

Io / Ii = Vi / Ii re = ( re)Ii / Ii * re =
Ai =

Vo = - (Vi / re) (Rc // RL)

Vo / Vi = (Rc//RL) / re
Av = (Rc // RL) / re

Ai = Io / Ii
Ai = -Av (Zi / Rc)

AMPLIFICADOR CON TRANSISTOR DE UNA ETAPA

Av= -10 Ft= 10khz Mpp= Mxima excursin de salida
= 150

Rl= 10K
Rg= Imp. De salida del generador

Anlisis:
- Av= -10 diseo de baja ganancia, no se conecta condensador a Re
- Se desea que tenga mxima excursin de salida
Mpp= VCEQ = ICQ.rc condicin para que halla Mpp
- Escojo Vceq e Icq Vceq = 10v
Icq = 8mA
Como
Vceq= Icq.rc rc = impedancia de salida
rc = 10v/8mA = 1.25K sin carga rc = Rc
rc = 1.25K con carga rc = Rc//Rl
rc = Rc//Rl = Rc.10K / Rc+10k = 1.25K
10K Rc = 12.5K + 1.25K Rc
Rc = 1.42K
Av = -10 = -Rc/RE
RE = Rc/10 = 1.42K /10 = 142
RE = 142 VE = RE * ICQ = 142 * 8mA = 1.13v
Ecuacin de salida:
Vcc = VCEQ + ICQ Rc + VE
Vcc = 10v + 8mA*1.42K + 1.13
Vcc = 22.49v
IC = IB
IB = ICQ / = 8mA / 150 = 0.05mA
IB = 0.05mA

Ecuacin de entrada:
Vcc = RBIB + VBE + ( +1)IBRE
RB = Vcc VBE ( +1)IBRE / IB
RB = 22.49 0.7 (151)*0.05mA*142 / 0.05mA
RB = 414k
MODELO AC

Ci = 1 / 2 FcZi
Ci = 1 / 2 (1khz)(21050) = 10nf
Co = 1 / 2 (1khz)(1.42k+10k) 10nf
Zin = RB // ( (re + RE) + Rg) ( RE) + Rg = 21050
Zo = Rc // RL = 1.25K

Vin para que no halla distorsin?

Av = Vo / Vi Vi = Vo / Av Vi = 10v / 10v Vi = 1v
Inicio
CONFIGURACIN EMISOR SEGUIDOR
Caractersticas:
- Av = 1
- No desfasa la seal.
- Sirve para acoplar impedancias.
-Como su nombre lo dice la seal se toma del emisor.

Anlisis en DC : los condensadores se abren

Ecuacin de entrada:

Vcc = RBIB + VBE + ( +1)IBRE

IB = 15 0.7 / 330K + (101)1K
IB = 3mA
Ecuacin de salida:
VCE = Vcc ICQRE = 15v 3v =12v
MODELO EN AC

Zi = (RB // (re + RE) + Rg

Zo (re // RE) re
Av Vo / Vi Vo = REVi / RE + re
Av = Vo / Vi = RE / RE + re = 1
Inicio
ETAPAS EN CASCADA

MODELO EN DC
Vc1 = VB2
Etapa 1:
IB = 12 0.7 / 330k + (101)330 = 31 A
Ic1 = IB1 = 3.1mA
VCE = Vcc Ic1 (Rc1 + RE1) = 12 3.1mA (3k + 330 )
VCE = 1.67 VC1 = Vcc Ic1 Rc = 2.7v
Etapa 2:
VC1 = VB2 =2.7v
VE2 = VB2 VBE2 = 2v
IE2 = VE2 / RE2 = 2v / 1k = 2mA
VCE2 = Vcc IC2 (Rc2 + RE1) = 12 2mA(3k )
VCE2 = 6v
MODELO EN AC

Av1 = (-Rc1 // Zi2 ) / RE1 Zo1 = Rc1 // Zi2 Av2 -Rc2 / re2
Avt = -Av1 * -Av2
re1 = 26mV / IE1 = 26mV / 3.1mA = 8.3
re2 = 26mV / IE2 = 26mV / 2mA = 13
Zi1 = RB1 // ( (re + RE1)) = 330k // 100/8.3+330 ) = 30.65k
Zi1 = 30.65k

Zo1 = RC1 // Zi2 = 3k // 915 = 701

Zi2 = R1 // R2 // re2 = 15k // 3.9k //1300 = 915
Av1 = (-Rc1 // Zi2 ) / RE1 = 701 / 330 = -2.12
Av1 = -2.12
Zo2 = Rc2 = 2K
Av2 -Rc2 / re2 = 2k / 13 = -153.8
AVT = Av1 * AV2 = -2.12 * -153.8 = 326.1 sin desfase
Inicio
ACOPLE POR CONDENSADOR

Etapa 1:
Ic1 = 3.1mA
VCEQ = 1.67v
Etapa 2:
VB2 = (12*3.9k ) / (3.9k + 15k ) = 2.47v
VE = 2.47v 0.7 = 1.77v
IE2 = VE2 / RE2 = 1.77v / 1k = 1.77mA
VCE2 = 12 1.77(3k ) = 6.69v
MODELO EN AC

Es el mismo al acoplarlo directamente.

Lo nico que cambia es:
Re2 = 26mV / 1.77mA = 14.6
Zi2 = 15k // 3.9k // 1460 = 991
Zo1 = Rc1 // Zi2 = 3k // 991 = 744
Av1 = (-Rc1 // Zi2 ) / RE1 = -744 / 330 = -2.25
Av2 = -Rc2 / re2 = 2k / 14.6 = -136.9
AVT =n (-2.25) (-136.9) = 308.02
Inicio
CONEXION CASCODE
Una conexin cascode tiene un transistor en serie con otro, proporciona una alta
impedancia de entrada y tiene una Buena operacin en alta frecuencia.

Anlisis en DC:
- Los condensadores se abren
- La fuente alterna se pone en corto-circuito

VA = VBASE Q2 = VR2 + VR3

VB = VBASE Q1 = VR3
Vcc VR1 VR2 VR3 = 0
Divisor de voltaje
VR3 = R3 * Vcc / R1 + R2 + R3 = 4.9v
VR2 = R2 * Vcc / R1 + R2 + R3 = 5.8v
VR3 + VR2 = 10.8v = VBQ2
= 4.9v = VBQ1
Para hallar IE ?
Ecuacin transistor Q2
VB VBE = VE
4.9 0.7 = VE = 4.2v
VE = IE * RE
IE = VE / RE = 4.2 / 1.1k = 3.8mA
IE ICQ1 ICQ2
ANLISIS EN AC

- Los condensadores se ponen en corto.

- El Vcc se pone en corto.

Las resistencias 1.1k y 6.8K desaparecen ya que sus dos terminales van a tierra.
La base de Q2 va a tierra

MODELO AC

Zi = 56k // 4.7k // re1

re1 = 26mV / Ic1 = re2 = 26mV / Ic2 como : Ic1 = Ic2
re1 = re2 = 6.8
Zi // re = 1.3K
Av1 = Vo / Vi = -Io * Zo / Ii * Zi = - ib * Zo / ib * re
Av1 = Zo1 / re1
Av1 = re2 / re1 = -1
Av1 = -1
Av2 = Vo / Vi = Io * Zo / Ii * Zi = IE * Zo2 / IE * Zi2 1
Av2 = Zo2 / Zi2 = Rc / re = 1.8k / 6.8
Av2 = 265
AVT = Av1 * Av2 = -265
Inicio
CONEXION DARLIGTON

La principal caracterstica de la conexin darligton es que el transistor compuesto acta

como una sola unidad con una ganancia de corriente que es el producto de las ganancias
de corriente de cada transistor.
D=1*2

TRANSISTORES - JFET
"Transistor Efecto de Campo"

Su nombre se refiere a que se establece un campo elctrico por medio de las cargas
presentes que controlaran la trayectoria de conduccin del circuito de salida.
Existen 2 tipos: canal n y canal p
Canal n: canal p:

Un jfet se asemeja a dos diodos:

1 diodo Gate - Source
1 diodo Gate Drain

BJT

FET

Base

Gate

Emisor

Source

Colector

Drain

Caractersticas del JFET:

-La Zi es alta (M ).
-La Av es menor a la del BJT.
-Son dispositivos controlados por voltaje VGS.
-Es menos sensible a cambios en la tensin de entrada.
-produce menos cambios en Is
Zonas de trabajo

BJT

FET

Activa

Estrangulamiento

Corte

Corte

Saturacin

Zona ohmica

Ruptura

Ruptura

Curva Caracterstica

Vp = tensin de estrangulamiento o contraccin, separa la zona ohmica de la zona de

estrangulamiento.
El JFET en la zona ohmica acta como una resistencia RDS = Vp / IDSS y en la zona de
estrangulamiento acta como una fuente de corriente.

Parmetros de Entrada:
VGS = voltaje Gate Source: es el que controla el JFET
IG = corriente de Gate 0A
RG = Resistencia de Gate M

Parmetros de Salida:
VDS = voltaje Drain Source (en el BJT = VCE)
ID Is = corriente Drain (en BJT = Ic IE )
Nota: VGS = -Vp : voltaje de apagado = -Vp

Cuando VGS 0 se puede utilizar:

Vp voltaje de estrangulamiento proporcional.
Vp = frontera entre la z. Ohmica y z. De estrangulamiento.
Vp = ID*RDS
RDS = Vp / IDSS
Si VDS > Vp Fuente de corriente (z. De estrangulamiento)
Si VDS <Vp RDS (z. Ohmica)

Modelo JFET (Fte I) Modelo JFET (z. ohmica)

Ejemplo:

1.-

IDSS = 8mA Vp = 4v para VGS = 0 RD = 2K

Ec. de Entrada:
VGS = VG VS VS = 0

VGS = -VFTE + RG IG IG = 0
VGS = -VFTE

Ec. Shockley:
ID = IDSS (1 VGS / VGSOFF)2
Vp = - VGSOFF = 4v
VGS = 0
ID = IDSS (1 0 / 4)2
ID = 8mA
VDS = VDD ID(RD) = 10 8mA (2k ) = -6v
Como VDS = -6v valor ilogico
VDS < Vp -6 < 4 JFET trabaja en la zona ohmica
RDS = Vp / IDSS = 4v / 8mA = 500

Modelo:

ID = IDSS = 8mA
VDS = VRDS por divisin de tensin
VDS = 10*500 / 2500 = 2v
2.- VGS = -3v y RD = 1k
ID = IDSS (1 3v/4v)2 = 0.5mA
VDS = VDD - IDRD = 10- (0.5mA)(1k ) = 9.5v

RDS = Vp / IDSS = 4v / 8mA = 500

Vp = ID * RDS = 0.5mA * 500 = 0.25v
VDS > Vp = 9.5v > 0.25v JFET fuente de corriente

El JFET acta como amplificador cuando trabaja como fuente de corriente.

Parmetros importantes:
Una caracterstica principal de la operacin JFET en AC es que un voltaje de AC
aplicado entre la puerta y la fuente controlan la corriente entre drenaje fuente, esta
accin es la que se describe en la transductancia (gm) = I / V
gm: transductancia
gm = corriente-drenaje-fuente / voltaje compuerta-fuente
gm = gmo (1 VGSO / VGSOFF)
gmo = 2IDSS / Vp
gmo = es el valor de la transconductancia en el punto de polarizacin VGS = 0 y
representa un valor fijo de ganancia mxima del dispositivo JFET.
Como el modelo del JFET Fte I (se desea que quede en trminos de gm)
gm = I / V I = gm V

Impedancia de salida:
rd = VDS / ID Vgs=constante
El fabricante proporciona Yos = admitancia de salida ( s)
rd = resistencia tpica del JFET entre drenaje fuente
gm o Yfs = admitancia de transferencia directa

Impedancia de entrada

Zi = idealmente principal caracterstica

Zi 109
Problema de divisor de tensin:

IDSS = 10mA Vp = 6v Yos = 50 s

Ec. de entrada:
VG = (VDD * R2) / (R1 + R2)
= (20v*47k ) / (80k + 47k ) = 7.4v
VG = VGS + VS
VGS = VG - VS = 7.4v ID(1k )
VGS = 7.4v ID(1k )

Resolviendo por la curva universal figura # 2

Halle:
m = Vp / IDSS*RS
m = 6 / 10mA*1k = 0.6
M = m * (VG / Vp)
M = 0.6 * (7.4 / 6v) = 0.74

Para graficar:
1.- Ubique el punto M = 0.74 en el eje respectivo.
2.- Ubique m = 0.6 partiendo como origen de M = 0.74 En nuestro caso el corte en el
eje m= 4.
3.- Trazamos una recta entre M = 0.74 y m = 4
El punto Q en el eje x = VGS / Vp = -0.12
eje y = ID / IDSS = 0.78
VGS = -0.12 * 6 = -0.74v
ID = 0.78 / 10mA = 7.8mA
MODELO AC

Zi = 80k // 47k = 29.6k

Zo = RD = 3k
gm = gm0 (1 (VGSQ / VGSOFF))
gm = 2IDSS / Vp (VGSQ / VGSOFF))
gm = 2*10mA / 6 (1 (0.74 / 6)) = 2.92ms
Av = -gm*Vgs*RD / Vgs(1 + gmRS) = -gmRD / (1 + gmRS)
Av = - (2.92ms * 3k ) / (1 + 2.92ms*1k ) = -2.23
Cuanto varia Av ? si colocamos Cs
Av = -gm * RD = -2.92 * 3k = -8.76

TRANSISTORES - MOSFET
Los mosfet se dividen en tipo decremental y tipo incremental. Los trminos decremental
e incremental definen sus modos bsicos de operacin, mientras que la palabra
MOSFET significa transistor de efecto de campo de metal oxido semiconductor.
Puesto que existen diferencias en las caractersticas y operacin de cada tipo de mosfet,
estos son tratados en secciones separadas.
- Decremental o de empobrecimiento

-Incremental o de enriquecimiento

Mosfet de tipo decremental: existen canal n y canal p.

Caractersticas:
- Para un mosfet decremental, canal n Una pastilla de material tipo p se forma en una
base de Si y se denomina sustrato (ss)
- Las terminales de drain y source se conectan a travs de contactos metlicos a las
regiones con dopado tipo n, unidas tambin por un canal tipo n.
- Gate se conecta a la superficie de contacto metalico, pero permanece aislada del canal
n, por una capa delgada de SiO2 (Dixido de Silicio).
- No hay conexin elctrica directa entre la Gate y el canal para un mosfet.
- La capa de SiO2 es la que cuenta para Zin.

Smbolo:
Canal n

Canal p

Operacin bsica:
Funciona similar a un JFET (canal n o canal p).
La ecuacin que describe comportamiento:
ID = IDSS (1 VGS / VGSOFF)2
Si Vgs = 0 ID = IDSS saturado (s. cerrado)
Si Vgs = VgsOFF ID = 0A corte (s abierto)

Diferencia con el JFET:

Para el JFET Vgs = # negativo (canal n)
Para el mosfet decremental Vgs = # negativo o un # positivo (canal n)
Ejercicio:
Mosfet decremental

IDSS = 12mA VGSOFF = -6v YOS = 25 s

En DC
Ecuacin de entrada:
VGS = VG - VS
VG = 15v * 47M / 47M + 240M = 2.45
VGS = 2.45v ID 1.3k se trabaja con la grafica # 2 (1)
m = Vp / IDSS RS = 0.38
M = m * VG / Vp = 0.38 * 2.45v / 6v = 0.15

En la grafica:
VGS / Vp = -0.44 VGS = -(0.44)*6 = -2.64
ID / IDSS = 0.3 ID = (0.3)*12mA = 3.6mA
Reemplazo el valor de ID en (1)
VGS = 2.45v (3.6mA) * (1.3k ) = -2.23v

VGSQ = -2.23v IDQ = 3.6mA

Ecuacin de salida:
VDS = 15v 3.6mA (2.3k )
VDS = 3.12v
Vp = ID * RDS = 3.6mA * (6v / 12mA) = 1.8v
VDS > Vp amplifica
Modelo AC

rd = 1 / Yos = 1 / 25 s = 40k
Zi = 240M // 47M = 39.3M
Zo = 2k // 40k = 1.99k
Av = -gm (Rd // rd) = gm = gm (1 (VGS / VGSOFF) = (2 * IDSS) / Vp (1- (-2.23/-6)) =
2.51ms
Av = -(2.51ms) * (1.9k ) -7
Av -7
Mosfet incremental

VGS(th) = 5v ID (encendico) = 3mA VGS (encendido) = 10v Yos = 20 s

Ec. de entrada
VGS = VG - VS
VG = (40v*18M ) / (18M +22M )
VGS = 18v ID 0.82k
Se debe trazar una curva para encontrar la solucion VGSQ y IDQ ID = k (VGS VT)2
Se toman los siguientes puntos: para la recta de carga
Cuando ID = 0A en (1) VGS = 18v
Cuando VGS = 0v en (1) ID = 18v / 0.82k = 21.95mA

Solucion: VGS = 12.5v ID = 6.7mA

Para la curva: ID = k (VGS VT)2
K = (ID(enc)) / (VGS(enc) VGS(th))2 = 3mA / (10 5 )2
K = 0.12*10-3 A/V2

ID = 0.12*10-3 A/V2 (VGS 5)2 Si VGS = 10v ID = 3mA

Si VGS = 15v ID = 12mA

Recta de carga:
VGS = 18v
ID = 21.95mA
VGSQ = 12.5v reemplazo en 1
ID = (18v 12.5v) / 0.82k 6.7mA

Ec. de salida:
VDS = 40 6.7mA (3k + 0.82k ) = 14.06v
VDS saturacion = VGS VT = 12.5v 5v = 7.5
Si VDS > VDS saturacion amplifica

Modelo AC

rd = 1 / Yos = 1 / 20 s = 50k
Zi = 22M // 18M = 9.9M
Zo = 3k // 50k = 2.83k
Av = -gm (Rd // rd)

gm = 2k (VGSQ VT ) = 2 * 0.12*10-3 A/V2 (12.5 5)

gm = 1.8ms
Av = (-1.8ms) (2.83k ) -5.09
Av = -5.09

TRANSISTORES - Otros
TIRISTORES
Tiristor: Es un dispositivo semiconductor que utiliza realimentacin interna para
producir un nuevo tipo de conmutacin.
A diferencia del transistor bipolar y de los FET, los pueden funcionar ya sea como
amplificadores lineales o como conmutadores, los tiristores solo funcionan de esta
ultima manera.
La principal aplicacin de este nuevo dispositivo es el control de cantidades grande de
corriente de carga para motores, calentadores, sistemas de alumbrado y otros
dispositivos semejantes.
Aplicacin: control de grandes corrientes de carga para motores, calentadores, sistemas
de iluminacin etc.

Realimentacin positiva si la IB2 se incrementa, IC2 aumenta lo que obliga a IB1 a

aumentar y a su vez IC1 aumenta, este aumento continua hasta que ambos transistores se
saturan, actuando como un interruptor cerrado.
Si IB2 disminuye hace que IC2 IB1 y IC1 disminuyan hasta que los transistores se cortan,
actuando como interruptores abiertos.
Como cerrarlo: con un circuito de disparo (un pico de tensin)
Como abrirlo: mediante un disparo de polarizacin inversa o mediante el bloqueo por
disminucin de I.
SCR
"Rectificador controlado de silicio"

Posee un tercer terminal que es el control, por ser construido de silicio tiene una elevada
capacidad de potencia y temperatura. Se caracteriza porque en la regin de conduccin
tiene una resistencia dinmica de valor casi despreciable 0.01 a 0.1 mientras que su
resistencia inversa es de 100k o mas. Su smbolo se muestra a continuacin:

Aplicaciones del SCR:

Los SCR se han diseado para controlar altas potencias hasta de 10Mw con corrientes
de 2000A a 1800v y su intervalo de frecuencia de trabajo se acerca a los 50Khz.
Se aplican en:
-Controles de elevadores.
-Circuitos de retraso de tiempo.
-Fuentes de alimentacin reguladas.
-Interruptores estticos.
-Inversores.
-Cargadores de bateras.
Tambin tiene aplicaciones de alta frecuencia como calentamiento por induccin y
limpieza ultrasnica.
SCS
"Interruptor controlado de silicio"
Al igual que el SCR es un dispositivo PN de cuatro capas, las cuales se dan por la
adicin de una compuerta de nodo.
Sus caractersticas son similares a las del SCR.
Su circuito equivalente con transistores es el siguiente:

El efecto de la corriente de compuerta de nodo es que entre mayor sea su valor menor
ser el voltaje nodo ctodo para disparar el dispositivo.
La conexin nodo compuerta hace que el SCS conduzca o se corte puesto que cuando
se le aplica un pulso negativo a este terminal el dispositivo conduce.
Ventajas con respecto al SCR:
-Tiene un tiempo menor de apagado, el cual va desde 1 a 10 s.
-Mayor control y sensibilidad de disparo.
-Una situacin de encendido ms predecible.
Desventajas:
Valores nominales, bajos de potencia, corriente y voltaje que van desde 100 a 300mA y
desde 100 a 500mw.
Aplicaciones:
Los SCS se aplican en:
-Circuitos de computadora (contadores, registros y circuitos temporizados)
-Generadores de pulsos.
-sensores de voltaje.
-Osciladores.
GTO
"Interruptor controlado por compuerta"
Tiene tres terminales como el SCR y su circuito equivalente de transistores como sus
caractersticas son similares a las de este.

Una caracterstica muy importante es que puede conducir o cortarse con un pulso
apropiado en la compuerta ctodo, con ello puede aumentar la corriente de compuerta
necesaria para el disparo.
Una caracterstica del GTO es su conmutacin mejorada, pues el tiempo de disparo es
aproximadamente 1 s, que es la misma de apagado, lo que hace importante en
aplicaciones de alta velocidad.
Aplicaciones:
Algunas de las reas de aplicacin del GTO incluyen los contadores, los generadores de
pulsos, multivibradores y reguladores de voltaje.
Se pueden realizar generadores diente de sierra empleando un GTO y un diodo zener.

LASCR
"SCR activado por luz"
Es un SCR cuyo estado es controlado por luz que incide sobre una capa de
semiconductor de silicio del dispositivo.
Su smbolo es el siguiente

Como se puede aprecia el LASCR tambin posee una terminal de compuerta que
permite el disparo del dispositivo usando los mtodos usados con el SCR para ello.
Sus valores nominales mximos de corriente y potencia son aproximadamente 3 A y
0.1w.
Aplicaciones:
-Controles pticos luminosos.
-Relevadores.
-Control de fase.
-Control de motores.

-Computadores.
Tambin se pueden aplicar en circuitos lgicos optoelectricos (compuertas AND y OR)
para energizar cargas etc.

DIAC
Es una combinacin inversa en paralelo de dos terminales de capas semiconductoras
que permiten el disparo en cualquier direccin.
Su smbolo es el siguiente:

Apartir de esta figura podemos concluir que no existe un ctodo, sino dos nodos (o
electrodos) y si el nodo 1 es positivo con respecto al nodo 2 las capas aplicables son
p2n2p2n3, si por el contrario el nodo 2 es positivo con respecto al nodo 1 las capas
sern p2n2p1n1.
Una de las aplicaciones mas sobresalientes del DIAC es en los detectores de
aproximado, interruptores de contacto.

TRIAC
Es una aplicacin del DIAC con una terminal de compuerta que controla las
condiciones de disparo del dispositivo en cualquier direccin, es decir IG controla la
accin del dispositivo como en el SCR.
Una de sus aplicaciones principales es en el control de potencia a una carga por medio
de la conmutacin.
Existen en la actualidad TRIAC que pueden manejar cargas superiores a 10kw

TRANSISTOR MONOUNION (UJT)

Dispositivo de tres terminales construido de la siguiente manera:

Una barra de silicio tipo n impura, posee dos contactos de base unidos a ambos
extremos de una superficie y una barra de aluminio en la superficie opuesta.
La unin PN del dispositivo se forma entre la barra de aluminio y la de silicio tipo N.
Se le llama monounion por la sola unin PN.
Aplicaciones:
El UJT se emplea en la construccin de osciladores, circuitos de disparo, generadores
diente de sierra, control de fase, circuitos temporizados.
Simbologia

2.2.3 Tiristores.
El Tiristor (SCR) (Silicon Controled Rectifier)
El SCR y la corriente continua:
Rectificador controlado de silicio, estos elementos semiconductores son muy utilizados para
controlar la cantidad de potencia que se entrega a una carga, donde:
- A = nodo
- C = ctodo, tambin representado por la letra K
- G = compuerta o gate
Tomar en cuenta el grfico siguiente: ver que es un circuito de corriente continua

Normalmente el SCR se comporta como un circuito abierto hasta que activa su compuerta
(GATE) con una pequea corriente (se cierra el interruptor S) y as este conduce y se comporta
como un diodo en polarizacin directa
Si no existe corriente en la compuerta el tristor no conduce.
Lo que sucede despus de ser activado el SCR, se queda conduciendo y se mantiene as. Si
se desea que el tristor deje de conducir, el voltaje +V debe ser reducido a 0 Voltios.
Si se disminuye lentamente el voltaje (tensin), el tristor seguir conduciendo hasta que por el
pase una cantidad de corriente menor a la llamada "corriente de mantenimiento o de retencin",
lo que causar que el SCR deje de conducir aunque la tensin VG (voltaje de la compuerta
con respecto a tierra no sea cero.
Como se puede ver el SCR , tiene dos estados:
1- Estado de conduccin, en donde la resistencia entre nodo y ctodo es muy baja
2- Estado de corte, donde la resistencia es muy elevada
El SCR y la corriente Alterna
Se usa principalmente para controlar la potencia que se entrega a una carga. (en el caso de la
figura es un bombillo o foco
La fuente de voltaje puede ser de 110V c.a., 120V c.a., 240V c.a. , etc.
El circuito RC produce un corrimiento de la fase entre la tensin de entrada y la tensin en el
condensador que es la que suministra la corriente a la compuerta del SCR. Puede verse que el
voltaje en el condensador (en azul) est atrasado con respecto al voltaje de alimentacin (en
rojo) causando que el tiristor conduzca un poco despus de que el tiristor tenga la alimentacin
necesaria para conducir.

Durante el ciclo negativo el tiristor se abre dejando de conducir. Si se modifica el valor de la

resistencia, por ejemplo si utilizamos un potencimetro, se modifica el desfase que hay entre
las dos tensiones antes mencionadas ocasionando que el SCR se active en diferentes
momentos antes de que se desactive por le ciclo negativo de la seal. y deje de conducir.

TIRISTORES
Los tiristores son un grupo de dispositivos semiconductores diseados especialmente para trabajar
en regmenes de altas corrientes y/o altos voltajes, sus aplicaciones principales son en el campo
de la electrnica de potencia.
La mayora de tiristores tienen dos estados corte y conduccin y en el caso de conduccin la
corriente no est determinada por el dispositivo sino por el circuito de carga.
Dentro del grupo de tiristores tenemos los siguientes dispositivos

o
o
o
o
o

SCR: Rectificador controlado de silicio

TRIAC
GTO: SCR con compuerta de apagado
SUS: Interruptor unilateral de silicio
DIAC

Otros dispositivos usados para grandes corrientes son

o
o

IGBT: Transistor bipolar de compuerta esislada

Mosfet de potencia.

El transistor de una unin (UJT) es un dispositivo que se usa para el disparo de tiristores.
Los Tiristores ms usados son el SCR y el TRIAC

SCR PRINCIPIO DE FUNCIONAMIENTO

SCR
Es un dispositivo de tres terminales que se comporta como un disco rectificador,

conduce en directo y no conduce en inverso, pero adicionalmente para entrar en conduccin debe
inyectarse en el compuerta una corriente mayor que una corriente de compuerta mnima (IGmin)
que es diferente para cada referencia de SCR, la aplicacin de la corriente de compuerta cuando el
SCR est en directo para que entre en conduccin se llama el disparo del SCR.
Una vez que el SCR ha entrado en conduccin, se mantiene as todo el tiempo que el circuito
externo mantenga una corriente a travs del SCR mayor que una corriente mnima de
sostenimiento.
Cuando la corriente del SCR se hace menor que la corriente de sostenimiento ste deja de
conducir, a este proceso se llama conmutacin apagado.
Conmutacin natural: cuando el circuito de carga por los voltajes aplicados hace que la corriente
sea menor que la de sostenimiento.
Conmutacin forzada: Cuando se coloca un circuito adicional que induzca la conmutacin, hay tres
formas tpicas:
a.
b.
c.

Colocar un interruptor normalmente abierto en paralelo, al

cerrarlo la corriente se va por el interruptor y la corriente del SCR se vuelve cero
apagndose.
Colocar un interruptor normalmente cerrado en serie, al abrirlo la
corriente se hace cero y apaga el SCR.
Un circuito que inyecte una corriente de ctodo hacia nodo de
forma que la suma de las corrientes inyectada y de carga se haga menor que la corriente
de sostenimiento.

Cuando el voltaje de nodo a ctodo vara en el tiempo (dv/dt) muy rpido el SCR puede entrar en
conduccin sin corriente de compuerta, sta es una situacin indeseada y se debe de evitar pues
produce estados de conduccin no deseados.

Las caractersticas principales de un SCR son:

ITmax : Mxima corriente que puede conducir (pico, RMS o promedio)
VDmax : Mximo voltaje entre nodo o ctodo (inverso o directo en no conduccin).
IGTmin :Corriente de compuerta mnima para producir el dispatro.
VGTmax :Voltaje compuerta ctodo mximo
Ihold min : Corriente de sostenimiento mnima.
VFON :Voltaje nodo ctodo cuando est en conduccin
dv/dt

max

: Mxima variacin de voltaje admisible sin disparo

CIRCUITOS DE DISPARO
APLICACIONES DE SCR
Existen muchas aplicaciones de SCR de las cuales se indican aqu unas pocas.

DISPARO DE UNA ALARMA

El reed switch se cierra en presencia de un campo magntico, ejemplo un imn, a travs de R

pasa la corriente de compuerta, el SCR entra en conduccin y el rel se cierra activando la sirena,
aunque el campo magntico se retire y el reed switch se abra el SCR ya que est en conduccin y
se mantendr as hasta que se abra el circuito usado el pulsador normalmente cerrado (NC).
En la parte de SCR se escoge de forma que soporte la corriente que requiere la bobina del rel, la
resistencia se escoge de forma que por ella pase una corriente mayor que IGTmin.

mx

V / IGTmin

CIRCUITOS DE APLICACIN
CONVERTIDOR DC - DC
Se usa para obtener un voltaje DC a partir de otro voltaje DC mayor por el mtodo de aserrado
(Chopper), se aconseja para cargas inductivas, en caso de carga resistiva se debe usar una
bobina en serie que acte como filtro.

Descripcin de funcionamiento: Desde un circuito electrnico se enva un pulso a la entrada del

transformador T1, se genera un pulso en el secundario y genera la corriente de compuerta
necesaria para que entre en conduccin D1, el voltaje VX se hace aproximadamente igual a V1 y
ese es el voltaje aplicado a 11 y a la carga, al tiempo se realiza un proceso de carga del
condensador C a travs de R1, el

condensador se carga al voltaje VX, transcurrido un tiempo t1 se en va un impulso VD2 al

transformador T2 y este genera la corriente de compuerta para que entre en conduccin D 2,
haciendo que el condensador se descargue haciendo pasar una corriente de derecha a izquierda
por D1, esta corriente se anula con la corriente que va hacia la carga y D 1 se apaga. Por efecto
de la autoinduccin en las bobinas L1 y L2 entra en conduccin el diodo D3 protegiendo al SCR D1
de la "patada inductiva".
Despus de un tiempo t1 se reinicia el proceso, mientras el diodo D1 esta apagado el voltaje VX

es aproximadamente cero, el valor medio de V X es:

VXM = (t1/T )V1; Variando t1 y manteniendo T constante VXM puede variar de cero a V1.
__

PUENTES RECTIFICADORES CONTROLADOS

PUENTES RECTIFICADORES CONTROLADOS
Son puentes rectificadores de onda completa (monofsicos o polifsicos) donde la mitad de los
diodos se reemplazan por SCR. Aplicando unos milisegundos se retardo (tiempo de disparo) entre
el instante en que la seal alterna pasa por cero para disparar el SCR.

A mayor tiempo de disparo ser menor el voltaje medio en la carga, para 60 Hz con un tiempo de
disparo de 4.16 ms el voltaje habr bajado a la mitad y con td= 8.33 ms el voltaje habr llegado a
cero.
Puente rectificado trifsico controlado y formas de onda.

2.3 Aplicaciones con semiconductores.

2.3.1 Rectificadores.
Un rectificador es un dispositivo formado por componentes elctricos y
electrnicos con la finalidad de proporcionar una energa elctrica continua a
partir de una alterna. El cambio de las caractersticas de la energa elctrica se
hace a partir de componentes semiconductores que estn conectados
conjuntamente en un arreglo que permite seguir cambiando tales
caractersticas con la ayuda de otros componentes como los capacitores, los
transistores o los diodos zener. Su utilidad reside en el hecho de que la
mayora de los circuitos electrnicos actuales necesitan ser alimentados con
una corriente elctrica continua y con una tensin mucho menor a la existente
en las lneas de corriente alterna. Se les puede encontrar en una inmensidad
de aparatos electrodomsticos, de laboratorio, porttiles, etc. A todo el conjunto
de componentes y dispositivos que conforman el rectificador se le da el nombre
de fuente de alimentacin.
Los componentes del rectificador tienen la siguiente funcin:

Transformador: Provee de la energa elctrica necesaria para poder

tener un voltaje e intensidad de salida determinada. El voltaje a su salida
es mayor que el obtenido a la salida de todo el arreglo, esto sucede por
pedidas en los diodos, transduccin de la energa elctrica a calorfica,
etc., ha de tomarse en cuenta tambin que comnmente el voltaje que
se seala a la salida del transformador es un voltaje pico, de electricidad
se sabe que existe un voltaje efectivo y a partir de este se toma en
cuenta la cada de voltaje de los diodos y de otros componentes con
motivo de obtener el voltaje de salida determinado. Entre otras
funciones, el transformador separa el circuito de alimentacin de
corriente alterna de todo el arreglo del rectificador y dems circuitos
conectados, esto como resultado del eslabn electromagntico
existente.

Diodo(s): Deja(n) pasar solamente una parte de la onda de corriente

alterna. A partir de esta separacin se puede proseguir a
verdaderamente rectificar y filtrar la onda a travs del capacitor.

Capacitor: Cuando el diodo ha dejado pasar una corriente elctrica, esta

llega hasta las terminales del capacitor, lo carga, y este se descarga en
un intervalo de tiempo dependiente de la resistencia existente en el
circuito y de la capacitancia del capacitor. Si el capacitor no se ha
descargado totalmente hasta que nuevamente llegue corriente a sus
terminales, este se cargar nuevamente a partir de un determinado valor
que puede ser ms o menos el mismo a travs del tiempo, esto se
comprende mejor analizando la siguiente figura:
descarga

v
t

Regulador: Cuando el capacitor ha filtrado la corriente elctrica, se

encuentra que esta no es totalmente constante como se quisiera. Por lo
tanto, el papel del regulador ser estabilizar esa corriente y proporcionar
una con una valor ms o menos constante a travs del tiempo. La
estabilizacin sea hace a coste de que el regulador genere ms calor si
el voltaje es mayor al requerido.

Rectificador de media onda

En este tipo de rectificador slo se utiliza el semiciclo positivo de la onda de
corriente alterna. Describe el siguiente arreglo:
Fase

Neutro

Como ya se explico anteriormente, cuando la corriente pasa por el diodo

slo pasar el semiciclo positivo, el capacitor se cargar, pero existir un
intervalo de tiempo considerable entre ciclo y ciclo. Si las condiciones de
resistencia y capacitancia no son las adecuadas para obtener un buen
filtraje, entonces se encontrar que existe una salida muy rizada o con
muchas protuberancias semejantes a los dientes de una sierra.

Aunque el regulador tiene el papel de estabilizador, este no podra ser

suficiente para rectificar an mas la onda si es que presenta an valores
alternos considerables.

Generalmente estos rectificadores se caracterizan por la ausencia del

regulador, si no existe este, considrese slo lo dicho en un principio.

Rectificador de onda completa

Este tipo utiliza cuatro diodos en una configuracin bien determinada (puente
de diodos) en la cual pasa el semiciclo positivo por dos de ellos y luego el
negativo por los otros dos, al final se obtiene lo siguiente:

Fase

Neutro

En este caso los dos semiciclos de la corriente son aprovechados,

sucede lo siguiente:
C.A. Fase 1

D1
D3

D2
+ Puente de diodos
D4
C.A. Neutro

Imagnese una alimentacin elctrica constante sobre el puente de

diodos, pero inciese este anlisis suponiendo que llega primero el
semiciclo positivo de la onda. Cuando esto sucede, slo el diodo dos
permite la conduccin, el uno no porque el ctodo se vuelve positivo con
respecto a su nodo.
La corriente tiene paso y fluye a travs de la resistencia y permite que el
capacitor se carge. Luego pasa a travs del diodo tres por tener su
ctodo negativo con respecto a su nodo.
Pasado el semiciclo positivo se encuentra el negativo, la corriente fluir
esta vez por el diodo uno ya que su ctodo se vuelve negativo con
respecto a su nodo.
La corriente tiene paso y fluye a travs de la resistencia y permite que el
capacitor se carge nuevamente. Luego pasa a travs del diodo cuatro
por tener el ctodo negativo con respecto al nodo.
Por lo tanto se obtendr lo siguiente en la terminal sealada como (+):
v
t

La ventaja del rectificador de onda completa con respecto al de media

onda es el aprovechamiento de toda esta. Adems de una mayor
constancia en la alimentacin de corriente sobre el capacitor y con ello
una mejor rectificacin, en donde el capacitor se descargar pero ser
alimentado ms rpidamente.
El regulador tendr a su entrada un voltaje con menos variaciones y su
estabilizacin ser mucho mejor que si tuviera muchas como es el caso
del rectificador de media onda. A su salida el voltaje es constante con
variaciones despreciables.

Clculo del rectificador (fuente de alimentacin) y consideraciones para el

diseo
Todo dispositivo electrnico que va a ser utilizado en una aplicacin que
requiere exactitud debe tener por lo menos un anlisis matemtico de sus
caractersticas y propiedades. Es necesario para saber su comportamiento y
las capacidades que este posee mientras se encuentra trabajando o cuando se
le relacione con otros circuitos. Los rectificadores son los dispositivos que ms
se utilizan en combinacin con otros circuitos, cada uno es diferente y se tiene
que tener una adaptacin a sus necesidades de alimentacin de energa

elctrica. Unos requieren ms voltaje, menos corriente, etc., por ello las
consideraciones para la elaboracin de una fuente seran las siguientes:

Transformador: Ha de considerarse el voltaje y la frecuencia de la

acometida del proveedor de energa elctrica. El voltaje comn oscila
entre los 110V y los 127V, un cambio en este voltaje no parece que
afectar mucho al de la salida del transformador, pero si los
componentes no soportan tales cambios, el transformador debe ser
ajustado para tener un voltaje de salida menor al que marcan los
componentes como mximo permisibles. La frmula para calcular el
voltaje e intensidad de salida con respecto a la entrada relaciona el
nmero de espiras en el devanado secundario y el primario, como sigue:

(N1 / N2) = (V1 / V2) = (I2 / I1), de donde N es el nmero de espiras en el

primario y en el secundario respectivamente, V es el voltaje e I la intensidad.
A veces no es necesario contar las vueltas porque el transformador ya viene
marcado con los voltajes pertinentes. El voltaje de salida debe ser considerado
por que a partir de este se restarn perdidas para obtener un voltaje a la salida
pero de toda la fuente.

Diodos: La mayora de los diodos rectificadores restan 0.6V al voltaje

que se conecta a una de sus terminales. Otros factores que han de
considerarse son: el voltaje que soportan cuando son polarizados
inversamente, la corriente de fuga existente, la corriente que pueden
conducir, etc. Si un diodo es excedido en sus capacidades seguramente
dejar de funcionar muy violentamente, ya sea quemndose o haciendo
un pequeo pop. La corriente de fuga es algo considerable por que
puede afectar la onda de salida hacindola tener valores de voltaje
negativo, lo que puede afectar a cmo se d todo el proceso, pero la
mayora de los diodos rectificadores tienen valores de fuga tan
pequeos que son despreciables.

Capacitor: El uso de capacitores electrolticos involucra una polarizacin

determinada de estos, adems de un voltaje mximo soportado. Si este
es excedido, seguramente el capacitor dejar de funcionar y explotar
muy abruptamente. Un factor importante en la eleccin de capacitores
es su capacitancia, ya que de esta (y de la resistencia) depende en qu
tiempo se cargar y se descargar el capacitor, entre mayor sea esta y
la resistencia el tiempo ser mayor pero se puede afectar la intensidad y
el voltaje existente en el circuito.

Resistencia: Esta depende a la del circuito a conectar y la propia de la

fuente. Puede ser variable y controlable a la vez, pero un factor
importante es que se mantenga en un valor lo suficientemente posible
como para que la descarga del capacitor sea en un mayor tiempo pero
no se sacrifique el voltaje y la intensidad a conste de esto.

Regulador: La intensidad que se puede demandar al circuito y la

potencia que se necesite est directamente relacionada a las

caractersticas del regulador. Este tambin tiene corriente mxima a

soportar y un voltaje por igual, si sus valores son excedidos el regulador
se quemar. Cuando se adquiere un regulador se debe especificar el
voltaje de entrada con el que trabajar, el necesario en su salida, la
potencia soportada y la intensidad mxima a su salida.
RECTIFICAR
Rectificar es convertir una corriente bidireccional (alterna) en una
unidireccional. Un rectificador entregar a la carga una tensin unidireccional
pero no continua, con lo cual, contendr armnicos. Lo mismo sucede con las
corrientes. Las magnitudes de salida se compondrn de una parte continua
positiva y una serie de armnicos.
RECTIFICADORES NO CONTROLADOS
Los rectificadores no controlados estn formados exclusivamente por diodos.
La relacin entre la tensin de C.A. y C.C. es constante.
Al no haber semiconductores controlados no hay circuito de mando, por lo que
la simplicidad y fiabilidad de estos equipos son muy grandes. No hay
problemas de bloqueo. En rgimen estacionario los diodos van entrando y
saliendo de conduccin de una forma natural obligados por la fuente de
alimentacin.
RECTIFICACIN EN CONMUTACIN PARALELA SIMPLE
Para rectificar un conjunto de q tensiones alternas e1,e2,...eq lo ms simple es
utilizar un conjunto de q diodos, que pueden estar conectados con los ctodos
comunes o bien con los nodos comunes.

En la configuracin con los ctodos comunes la tensin de salida toma en cada

instante el valor de la mayor tensin de entrada. Supongamos, por ejemplo,
que en un determinado momento es e1>ek, con k=2,3...q. Imaginemos que
fuera D2 el que condujera. Sera u=e2 y la tensin en D1 seria Ud1=e1-u=el
-e2 >O, lo cual es imposible por la incapacidad de los diodos de soportar
tensin directa. Necesariamente ha de conducir D1, porque entonces u=e1 y el
resto de los diodos estn polarizados inversamente puesto que ek-u=ek-e1 <
O.

Conduciendo Dl se verifica que i=id1. En el instante en que otra tensin supera

a el se pone a conducir el diodo correspondiente y D1 se bloquea.

En la configuracin con los nodos comunes la tensin de salida toma en cada

instante el valor de la menor tensin de entrada.
La nica diferencia entre ambas configuraciones es que dan de salida con
polaridad distinta.
En la prctica es pieza fundamental del rectificador el transformador de
entrada, cuyas misiones ms importantes son:

Aislar galvnicamente la salida de C.C. del generador de alterna.

Acomodar el valor de la tensin de salida al valor exigido, gracias a una

adecuada relacin de transformacin.

Mediante una configuracin conveniente contribuir a disminuir el rizado a

la salida.

RECTIFICADOR EN CONMUTACIN PARALELA DOBLE PDq.

El montaje de onda completa necesita doble nmero de diodos que el anterior,
la mitad de los cuales estn con los ctodos comunes y la otra mitad con los
nodos comunes.

En cada instante, la tensin de salida es igual a la diferencia entre la tensin

ms positiva y la ms negativa de e1,e2...eq. En efecto, segn lo visto antes, la
tensin uAN toma el valor de la mayor de las tensiones el ,e2,...eq.
Y la tensin uBN toma el valor de la menor de esas mismas tensiones. Como:
u=uAN-uBN
el valor de la tensin de salida es igual a la diferencia entre la mayor y la menor
de las tensiones del secundario. En esta configuracin la intensidad en cada
devanado secundario es bidireccional.

ESTUDIO TERICO DEL RECTIFICADOR P3

Dibujamos el transformador con los diodos y la carga de forma simplificada y
anotamos las corrientes y cadas de tensin que soporta cada elemento.

Para ver la cada de tensin en el diodo D1, observamos que si el D1 est

conduciendo la cada de tensin que soporta es cero, mientras que si conduce
D2 la cada de tensin que soporta es (V1-V2). Si conduce D3 la cada de
tensin que soporta es (V1-V3).
Adems comprobamos que cuando un diodo est conduciendo los dems
estn bloqueados:
VD2=V2-V<0
VD3=V3-V1<0

Potencia aparente del secundario del transformador en funcion de la potencia util:

Factor de utilizacion o potencia del secundario:

Las grficas de tensin en la carga, cada de tensin en los diodos, intensidad

en la carga y corriente por el diodo son las siguientes:

2.3.2 Amplificadores.
Amplificador, dispositivo para aumentar la amplitud, o potencia, de una seal
elctrica. Se utiliza para ampliar la seal elctrica dbil captada por la antena
de un receptor de radio, la emisin dbil de una clula fotoelctrica, la corriente
atenuada de un circuito telefnico de larga distancia, la seal elctrica que
representa al sonido en un sistema de megafona y para muchas otras
aplicaciones. Un dispositivo de amplificacin de uso muy comn es el
transistor. Otras formas de dispositivos amplificadores son los distintos tipos de
tubos de vaco termoinicos como el triodo, el pentodo, el klistrn y el
magnetrn.
Las pequeas variaciones en la tensin de entrada generan variaciones
correspondientes, pero mucho mayores, en la tensin de salida. El coeficiente
de estos cambios de tensin se denomina factor de amplificacin. Cuando el
factor de amplificacin supera una determinada cantidad en un tubo
termoinico, la seal de salida deja de coincidir con la seal de entrada y
queda distorsionado. Esta situacin se mitiga haciendo funcionar el
amplificador por debajo del factor de amplificacin mximo. Cuando se requiere
mayor amplificacin de la que es posible en una misma fase de amplificacin
(es decir, en un transistor o en un tubo de vaco y sus circuitos asociados) se
utiliza un amplificador multigradual o secuencial. La salida de una fase es
utilizada como entrada por la siguiente. La amplificacin de los circuitos
fotoelctricos puede incrementarse utilizando fototubos altamente sensibles,
denominados fotomultiplicadores.
Los transistores han sustituido en gran medida los tubos de electrones en los
dispositivos ms comunes. Estos elementos semiconductores de estado slido
ofrecen un alto factor de amplificacin, funcionan sin distorsin en una amplia
banda de frecuencias y pueden ser extremadamente pequeos. Utilizando
tcnicas de circuito integrado es posible colocar miles de amplificadores de
transistor en pequesimas placas de silicio.
La respuesta a los impulsos de un amplificador determina su capacidad de
reproducir un pulso de entrada de onda cuadrada (un tipo de seal elctrica
regular) de forma rpida y precisa; las entradas de ondas cuadradas son
dirigidas hacia un amplificador para su recuento o cronometraje. La respuesta a
los impulsos es importante en los circuitos informticos digitales, la modulacin
por impulsos codificados y los instrumentos de radar y nucleares, es decir,
dondequiera que se procesen pulsos de onda cuadrada de alta frecuencia. Por
ejemplo, en un radimetro, la frecuencia con que las partculas de radiacin
golpean contra un elemento sensible, como el diodo de unin de un
semiconductor, es una medida de la intensidad o de la concentracin de
partculas. La emisin de diodo resultante puede ser una serie de impulsos que
a continuacin son amplificados y dirigidos hacia un transductor para poder ser
vistos.
Los amplificadores con caractersticas de bajo nivel de ruido son esenciales
para los satlites de comunicaciones. Las seales electromagnticas de
microondas (de frecuencia extremadamente alta) son amplificadas por
dispositivos mser (amplificacin de microondas por emisin estimulada de

radiacin). En lugar de amplificar corriente elctrica el mser amplifica

directamente las seales electromagnticas.
Los amplificadores suelen clasificarse por el tipo de elementos elctricos del
circuito. Los amplificadores de acoplamiento por inductancia estn conectados
sobre todo por bobinas y transformadores; los de acoplamiento por
capacitancia mediante condensadores, y los de acoplamiento por impedancia
mediante restatos. Los amplificadores de acoplamiento directo estn
conectados sin ese tipo de componentes elctricos, y se utilizan para alternar
corrientes de muy baja frecuencia, como las que se producen en muchos
ordenadores analgicos. Las dems modalidades se emplean para bandas de
frecuencias amplias. Los amplificadores de audiofrecuencias funcionan entre 0
y 100.000 ciclos por segundo (hercio), o 100 kilohercios (kHz). Los
amplificadores de banda intermedia sirven para las frecuencias entre 400 kHz y
5 millones de Hz, y as sucesivamente.

Amplificacin, distorsin y ruido

En una situacin ideal, una seal amplificada tendr la misma forma que la seal original, pero una
potencia mayor. La distorsin se produce cuando la seal amplificada deja de tener la misma amplitud
que la seal original. El ruido se produce cuando las seales adicionales se superponen a la seal
amplificada durante las transmisiones; por ejemplo, durante una tormenta elctrica.

Amplificador triodo
Un circuito amplificador triodo consta adems de un triodo, de un restato de carga, bateras y una
fuente de tensin variable. El triodo es un tubo de cristal al vaco que contiene un ctodo C, un nodo A y
una rejilla de control G. La batera A calienta el filamento que hay en el ctodo, de manera que los
electrones pueden moverse libremente. La batera B mantiene una diferencia de potencial entre el
ctodo y el nodo, y suministra la energa que los electrones ganan al fluir desde el ctodo hacia el
nodo. Este flujo se puede controlar aplicando una tensin negativa a la rejilla con la batera C. Cuanto
mayor sea la tensin negativa de la rejilla, menos electrones fluirn desde el ctodo hacia el nodo.
Pequeos cambios en la tensin de la rejilla provenientes de una seal de radio o de sonido (fuente S)
pueden producir grandes variaciones en el flujo de corriente desde el ctodo al nodo, y dentro del resto
del circuito.

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AMPLIFICADORES CON BJT
Se puede explicar la accin bsica de amplificacin del transistor sobre un nivel
superficial utilizando la red de la figura 2.23. La polaridad de corriente directa
no aparece en la figura debido a que nuestro inters se limita a la respuesta en
corriente alterna. Para la configuracin de base comn, la resistencia de
corriente alterna de entrada determinada por las caractersticas de la figura
2.22 es muy pequea y casi siempre vara entre 10 y 100 . La resistencia de
salida, segn se determin en las curvas de la figura 2.18 es muy alta (mientras
ms horizontales sean las curvas, mayor ser la resistencia) y suele variar
entre 50 k
y 1 M . La diferencia en cuanto a resistencia se debe a la unin
con polarizacin directa en la entrada (base-emisor) y a la unin con
polarizacin inversa en la salida (base-colector). Utilizando un valor comn de
20
para la resistencia de entrada, se encuentra que

Figura 2.22. Caractersticas del punto de entrada o manejo para un

amplificador a transistor de silicio de base comn.
Ii = Vi / Ri = 200mV / 20
IL = Ii +10 mA
VL = ILR
= (10 mA)(5 k
= 50 V

= 10 mA

Figura 2.23. Accin bsica de amplificador de voltaje de la configuracin base

comn.
AV = VL / Vi = 50 V / 200 mV = 250
Los valores tpicos de la amplificacin de voltaje para la configuracin de base
comn varan entre 50 y 300. La amplificacin de corriente (IC / IE) es siempre
menor que 1 para la configuracin de la base comn.
La accin bsica de amplificacin se produjo mediante la transferencia de una
corriente i desde un circuito de aja resistencia a uno de alta.

Transferencia + Resistor ==> Transitor

http://www.cucweb.uqroo.mx/usuarios/computo/rglz/electronica/tem4_6_.htm

Figura 2: amplificador de transistor npn

La tensin de una fuente se aplica a la base del transistor. Los pequeos cambios en esta tensin
aplicada a travs de R1 (entrada) dan como resultado grandes cambios en la tensin a travs del
restato indicado como R2 (salida). Una posible aplicacin de este circuito podra ser la amplificacin de
sonidos. En este caso, la entrada sera un micrfono y el restato R 2 sera un altavoz. Los amplificadores
de alta fidelidad tienen muchos ms transistores, tanto para aumentar la potencia de salida como para
reducir la distorsin que se produce en circuitos sencillos como el que se ve en la ilustracin.

2.3.3 Conmutadores.
BJT COMO CONMUTADOR
Aplicar los transistores no se limita nicamente a la amplificacin de seales. A
travs de un diseo adecuado pueden utilizarse como un interruptor para
computadora y para aplicaciones de control. Puede emplearse como un
inversor en los circuitos lgicos de las computadoras.
Observe la figura 2.24 donde el voltaje de salida Vc es opuesto al que se aplic
sobre la base o a la terminal de entrada. Tambin obsrvese la ausencia de
una fuente de dc conectada al circuito de la base. La nica fuente de dc est
conectada al colector o lado de la salida, y para las aplicaciones de
computadoras normalmente es igual a la magnitud del nivel "alto" de la seal
aplicada, en este caso 5 V.

Figura 2.24. Transistor inversor.

El diseo ideal para el proceso de inversin requiere que el punto de operacin
conmute de corte a la saturacin, pero a lo largo de la recta de carga descrita
en la figura 2.52. para estos propsitos se asumir que Ic = Iceo = 0 mA
cuando IB = 0 A (una excelente aproximacin de acuerdo con las mejoras de
las tcnicas de fabricacin).
Cuando Vi = 5 V, el transistor se encontrar "encendido" y el diseo debe
asegurar que la red est saturada totalmente por un nivel de IB mayor asociado
con la curva IB, que aparece cerca del nivel de saturacin. El nivel de
saturacin para la corriente del colector y para el circuito est definido por:
ICsat = Vcc/ Rc
http://www.cucweb.uqroo.mx/usuarios/computo/rglz/electronica/tem4_6_.htm

2.3.4 Fuentes de poder.

2.4 Amplificadores operacionales.
2.4.1
Caractersticas.
Las caractersticas ms importantes del amplificador operacional pueden
resumirse en:
Ganancia de tensin en cc. elevada entre 103 a 106, esta es la relacin
entre una variacin en la tensin de salida y la variacin correspondiente en
la entrada diferencial de tensin, como esta ganancia es tan elevada, solo se
necesita un pequeo diferencial de voltaje entre sus terminales de entrada
para obtener el mximo valor en su terminal de salida. Ej. Si la ganancia de

voltaje es de 104 y el voltaje de saturacin, sea voltaje mximo de salida

es de 10 voltios, el voltaje diferencial que se necesita entre sus terminales
de entrada es de 10/104 = 0.001, como este valor diferencial de voltaje es
tan pequeo se puede decir idealmente que sus terminales de entrada
estn en corto circuito, denominado tambin corto virtual.
Impedancia de entrada elevada, de 10 Ka 1000 M, esta impedancia
de entrada tan alta hace que la corriente de entrada al amplificador
operacional sea prcticamente nula (Ient = 0), por lo tanto para el anlisis
de circuitos se considera como un circuito abierto.

Bajo consumo de potencia.

Resistencia de salida. Esta se encuentra aproximadamente entre 50y
200. La resistencia de salida efectiva de un amplificador operacional se
reduce cuando se conectan los componentes externos de realimentacin,
por lo que se considera que la resistencia de salida total se considera 0.
Entradas de modo comn. El amplificador operacional es bsicamente un
amplificador diferencial, de modo que idealmente podra amplificar slo la
diferencia entre los voltajes que aparecen en la entrada, as que cualquier
voltaje que aparezca simultneamente en sus dos entradas sera
completamente eliminada y de ninguna manera afectara la seal de salida,
pero sin embargo una pequea parte de la seal en modo comn aparecer
en la salida. Ej. La entrada no inversora tiene una entrada de 5 V dc, y la
entrada inversora tiene una seal de entrada de 5 V dc + 0.5 mV p-p ac.
Idealmente el amplificador operacional slo amplificara la diferencia de

0.5 mV ac. e ignorara la seal de modo comn de 5 V dc. que es la seal

que aparece en ambos terminales de entrada. La salida tendr una
componente que es solamente del orden de una milsima o menos de la
seal en modo comn que aparece en sus entradas. El factor exacto de
atenuacin de la seal en modo comn se denomina ganancia de modo
comn, y es la relacin entre:

Una especificacin ms utilizada para ver la capacidad de un amplificador

operacional para ignorar una seal de modo comn es la razn de rechazo
en modo comn, abreviada CMRR. Y es la relacin entre:

Ej: Un amplificador operacional con una ganancia diferencial de 50.000, y

una ganancia de modo comn de 0.001, la razn de rechazo en modo
comn es de:

Esto quiere decir que el amplificador operacional amplifica una seal

diferencial 50 millones de veces lo que amplifica una seal en modo
comn. Entre mas alto sea el CRM, mejor es el amplificador operacional.
Desbalance (offset): El desbalance es el problema que hace que el valor
de voltaje de salida no sea cero cuando el voltaje de entrada es cero. En
trminos grficos, la curva de transferencia no pasa por el origen. Esto se
puede observar en la siguiente figura.

De colector abierto: Esto implica que al amplificador operacional

internamente tiene un transistor bipolar el cual le permite el manejo de una
gran diversidad de cargas.

Introduccin, caractersticas.
Un amplificador se pudiera considerar como una caja negra (figura 1), en la cual se
tiene un determinado circuito electrnico capaz de actuar sobre la seal de entrada y
entregar una salida modificada en amplitud, con la misma forma. Aunque tambin
podra presentarse una salida con la misma magnitud que la entrada.

Figura 1. Amplificador (caja negra)

Generalmente los amplificadores son circuitos (discretos o integrados) utilizados para
realizar una tarea de amplificacin sobre una seal de entrada. Este tipo de
amplificadores se les llama operacionales, por que en un principio fueron creados para

construir computadoras analgicas donde realizaban operaciones matemticas (suma,

resta, integracin, derivacin, etc.).
Los amplificadores operacionales (abreviado
AO), son dispositivos electrnicos dispuestos
en circuitos integrados (CI). Los AO son
amplificadores multietapa (figura 2), con
entrada diferencial, es este tipo de entrada la
que le da sus caractersticas principales. El
aspecto de un amplificador se observa en la
figura 3.

Figura 2. Entrada diferencial de un AO

CARACTERISTICAS IDEALES DE UN AO.

A partir de aqu nos basaremos en las caractersticas fsicas y elctricas del AO ms

popular, el 741. En la figura 4 se ve un diagrama de lo que se considera un AO ideal,
aqu se tiene que un amplificador tiene:

Resistencia de entrada infinita.

Resistencia de salida nula.
Ganancia de tensin infinita.
Respuesta de frecuencia infinita.
Insensibilidad a la temperatura.

Sin embargo en forma fsica esto no se cumple y lo veremos mas adelante. En la figura
5 se observa el diagrama de patillas de un AO 741, (contando las patillas desde la marca
en sentido antihorario), vemos las entradas del AO marcada como IN y +IN, que son
las entradas inversora y no inversora, respectivamente. Algo que es importante

mencionar es que el AO debe alimentarse a partir de una fuente simtrica, el rango de

alimentacin lo determina la hoja de caractersticas de cada fabricante.

Figura 5. Esquema de patillas de un AO (741)

A continuacin se describen las caractersticas ms importantes que tiene un AO, los

valores dados sern en referencia a un AO comercial, el 741, aunque el numero de AO,
sea el mismo, estos valores (reales) pueden variar de fabricante en fabricante, por esto
es aconsejable que siempre se acuda a las hojas tcnicas que el fabricante proporciona
de cada uno de sus productos.

Ganancia de un AO. El AO, tiene dos ganancias, la ganancia de lazo abierto, AO, y la
ganancia de lazo cerrado, Av. La definicin de ganancia de lazo abierto la define la
siguiente ecuacin:

(1)
donde Eo, es el voltaje de salida, Ei, el voltaje de entrada y Ao, la ganancia de lazo
abierto. Esta ganancia es intrnseca en cada operacional y es del orden de 200 x 103. La
ganancia de lazo cerrado se expondr ms adelante.

Figura 6. Caractersticas de entrada y salida de un AO.

Tensin de offset de salida.

Debido a que los amplificadores estn integrados por transistores a la entrada, estos no
son perfectamente iguales y por lo tanto tienen corrientes de polarizacin (Ib) diferentes
ocasionando un voltaje en su entrada, aunque sus entradas, ambas estn a tierra (cero
volts), y debido a la alta ganancia del AO, este voltaje (1 mV tpico), se amplifica y
refleja en la salida, o sea, ocasionando una tensin de desvo (Voff). Los AO tienen unas
entradas para minimizar este voltaje de devio (OFFSET NULL).

Impedancias de entrada (Zi) y de salida (ZO).

Aunque idealmente un operacional tiene una impedancia de entrada (Zi) y una

impedancia de salida (Zo) de infinita y cero respectivamente, el AO presenta en forma
fsica una impedancia de entrada del orden de 2M y de una impedancia de salida de
unos 75 M (figura 6)

Ancho de banda (BW).

Figura 7. Ancho de banda

El ancho de banda es la gama de frecuencias en las cuales el amplificador es sensible y
puede responder a las seales de entrada (figura 7). El ancho de banda de un AO en lazo
abierto es hasta cierto punto insignificante, de unos 10Hz, sin embargo debido a la
retroalimentacin negativa de las configuraciones que pueden adoptar los AO, el ancho
de banda se ve mejorado en gran manera.

Velocidad de respuesta (Slew Rate, SR)

La rapidez con que un sistema, en este caso un AO, sigue fielmente una seal senoidal
aplicada a su entrada y con determinada frecuencia se le conoce como velocidad de
respuesta, que es la razn de la taza de cambio del voltaje de salida con relacin al
tiempo, es decir

(2)
El valor de SR en un AO 741 es de 0.5V/uS. Dependiendo de el valor de SR que se
tenga ser la frecuencia con que opere un amplificador si distorsionar la seal a su
salida.

Rango de voltaje de entrada

El rango de voltaje de entrada en un AO es de 80% del voltaje de alimentacin, Vcc.

Saturacin

Cuando un AO presenta deformacin de la seal en de salida en su cresta (plana), se

dice que el amplificador esta saturado (figura 8), y esto se da cuando el voltaje de salida
a rebasado el 90% del valor del voltaje de alimentacin.

Figura 8. Saturacin de un AO

Alimentacin

Alimentacin con fuente simtrica de 15 V, para excursiones de seales positivas y

negativas.

2.4.2

Configuraciones.

Amplificadores con retroalimentacin.

Los AO, pueden configurarse en dos modos: con retroalimentacin, o sin
retroalimentacin, sin retroalimentacin, la ganancia del AO, es la determinada por el
fabricante, y si esquema se muestra en la figura 1. Este tipo de configuracin se ocupa
mucho en el diseo de comparadores.

Figura 1. AO en lazo abierto.

La retroalimentacin positiva, es una forma de conectar el AO en lazo cerrado (figura

2), aqu la seal de entrada es aplicada en la entrada no inversora del AO. Este tipo de
circuitos son inestables por el tipo de retroalimentacin (positiva), y su aplicacin se ve
ms bien en el diseo de osciladores.

Figura 2. AO en lazo cerrado con retroalimentacin positiva

Otra manera de conectar un AO, es con retroalimentacin negativa (figura 3), esta forma
de conexin es la ms importante y utilizada en el diseo de circuitos electrnicos con
AO, ntese que la seal es conectada al AO por la entrada inversora. En este captulo se
vern solo circuitos con este tipo de retroalimentacin.

Figura 3. AO en lazo cerrado con retroalimentacin negativa

La ganancia de un sistema en lazo cerrado y con retroalimentacin negativa como el de

la figura 4esta dada por la ecuacin:

(1)

Figura 4. Diagrama a bloques de un sistema de lazo cerrado con retroalimentacin

negativa
donde

Vi = seal de entrada.
Vo =seal de salida.
Avo = ganancia en lazo abierto del AO (dada por el fabricante).
B = factor de retroalimentacin negativa.
Vd = seal diferencial.
Vf = seal de retroalimentacin de la entrada.

Analizando la ecuacin (1), vemos que si l ganancia de lazo abierto tiende a infinito, la
ganancia de lazo cerrado Avf es

(2)
esta ultima expresin demuestra que la ganancia de lazo cerrado puede ser controlada
por el factor de retroalimentacin B, donde este factor puede ser constituido desde una
sola resistencia hasta un circuito algo ms complejo.

Amplificador inversor.
Esta configuracin de amplificador se le da este nombre porque la seal se desfasa 180
con respecto de la seal de entrada y se representa en la figura 5. Donde la ganancia de
voltaje Avf es

(3)
el signo negativo indica el desfasamiento de la seal de entrada. La impedancia de
entrada del circuito hay que considerarla a la hora de disear cualquier circuito con AO
en este tipo d configuracin ya que esta impedancia de entrada es aproximadamente la
resistencia Ri, es decir
(4)
y el factor de retroalimentacin B, esta dado por

(5)

Figura 5. Amplificador Inversor.

Amplificador No inversor.
En el caso de conectar la seal de entrada Vi, en la entrada no inversora (+) del AO, la
seal de salida tiene la misma fase que la de la entrada, y a esta configuracin se le
conoce por esto como amplificador no inversor.

Figura 6. Amplificador no inversor.

El amplificador no inversor mostrado en la figura 6, tiene una ganancia de voltaje

definida por la ecuacin

(6)
Y la impedancia de entrada y salida del amplificador son respectivamente
(7)

(8)
donde Ro es la impedancia caracterstica del AO, y que es dada por el fabricante. Y el
factor de retroalimentacin B, es el indicado en la ecuacin (5)

Seguidor de voltaje.

El seguidor de voltaje o buffer, es un caso especial de aplicacin de un AO, como

muestra la figura 7, aqu se hace que la resistencia de entrada Ri = (es decir un
circuito abierto) y la resistencia de retroalimentacin Rf = 0 (un corto circuito), y por lo
tanto la ganancia de voltaje queda determinada por

(9)
y esto quiere decir que cualquier seal de entrada tendr un factor de amplificacin
igual a la unidad.

Figura 7. Seguidor de tensin.

El seguidor de tensin tiene una impedancia de entrada muy alta y una impedancia de
salida muy baja. Esto redita en que su aplicacin en diversos circuitos no ocasiona
efecto de carga.
El seguidor de tensin es aplicado en diversas aplicaciones como son:
Aislamiento de etapas
Refuerzo de corriente
Adaptacin de impedancia, etc.
Para fines prcticos se recomienda que en algunos casos el seguidor de tensin tenga
una resistencia en la entrada para limitar la corriente de carga (figura 8), y para que la
ganancia siga siendo la unidad la resistencia Rf es del mismo valor que la de Ri, as
seguir comportndose como seguidor de tensin. Es aconsejable que las resistencias
sean exactamente del mismo valor para conseguir lo anterior

Figura 8. Seguidor de tensin con limitacin de corriente a la entrada.

Compensacin en frecuencia.

Un AO tiene un ancho de banda (BW) determinado y finito en lazo abierto de

aproximadamente 10Hz y de 1MHz (para el 741) en lazo cerrado. La ganancia que
presenta un AO en aumento de su ancho de banda, es de atenuacin a un ritmo de
20dB/decada. La pregunta seria a qu se debe esto?.
En la figura 1 se aprecia un diagrama de Bode de respuesta frecuencial de un AO. En el
se ve el aumento del ancho de banda a cambio de sacrificar la ganancia. En lazo abierto
(lnea azul) aunque su ancho de banda es muy limitada alcanza su mxima ganancia,
Avo. Y conforme se controla esta ganancia, por efecto de la retroalimentacin negativa,
(lazo cerrado), el aumento del ancho de banda se ve favorecido.

Figura 1. Diagrama de Bode de respuesta a la frecuencia de un AO

La respuesta mostrada de un AO en cuanto a la limitacin del su ancho de banda

obedece a que internamente el AO posee una red de atraso formado por un capacitor de
30pF, para el 741; este circuito de atraso es un compensador en frecuencia para la

estabilidad del AO, algunos AO tienen la posibilidad de manipular este compensador en

forma externa con la instalacin de una red (capacitor resistor), y as conseguir un ajuste
del ancho de banda en lazo abierto que sea necesario.

Amplificador suma, diferencia.

Amplificador sumador inversor
Los AO, como su propio nombre lo indica, pueden realizar operaciones de tipo
aritmtico. Aqu el primer caso, un circuito sumador.
En la figura 1 tenemos un circuito sumador implementado con un AO en configuracin
inversor.

Figura 1. Amplificador sumador inversor.

Donde el voltaje a la salida es

(1)
y Re, la resistencia equivalente es para balancear las corrientes de polarizacin (IB) del
AO, la cual es la suma de todas las Resistencias involucradas en paralelo.

S en el caso de que R1=R2=R3=Rf, el voltaje de salida ser

(2)

Y si en el caso de que R1=R2=R3=3Rf se tendr que

(3)
A la operacin realizada en este ultimo caso se conoce como media aritmtica de las
seales aplicadas.

Amplificador sumador no inversor

Si a un sumador inversor se le cambia la configuracin a no inversor, se tendr un
circuito como el de la figura 2, un amplificador sumador no inversor.

Figura 2. Amplificador sumador no inversor.

En este circuito el voltaje de salida no se invierte la tensin de salida con respecto a la
entrada y su valor de salida la determina la siguiente ecuacin

(4)
donde G es la conductancia respectiva de cada resistencia implicada. El primer miembro
de la igualdad el la ganancia del AO de lazo cerrado y el segundo es la suma
propiamente de las seales implicadas.

Un caso particular de este circuito se tendra si R1=R2=R3 y Rf=0, siendo el voltaje de

salida

(5)
que seria la media aritmtica de las seales de entrada.

Amplificador diferencial (sustractor)

El amplificador sustractor o diferencial se presenta en la figura 3. La operacin que
realiza el AO en este circuito es restar la seal de la entrada inversora de la seal de la
entrada no inversora, una simple operacin de resta aritmtica.

Figura 3. Amplificador diferencial

El voltaje de salida esta determinado por la ecuacin siguiente:

(6)
donde se aprecia que la diferencia (o resta) de los voltajes de entrada se multiplican por
un factor de ganancia determinada por R2/R1. Esto quiere decir que una vez efectuada

la operacin de resta, se puede amplificar este resultado una razn determinada por los
valores de R1 y R2.
Una consideracin importante en este circuito es que las resistencias deben ser iguales
con bajas tolerancias par evitar un error en la salida. Adems se recomienda que si los
voltajes son iguales se considere el ruido que podra presentarse porque esto influye
mucho en la salida, ms si las seales de entrada son de muy bajo valor.

Diferenciador, integrador.
Amplificador diferenciador
El circuito diferenciador que muestra la figura 1, esta diseado con un AO y cuenta con
un capacitor C en la entrada inversora.

Figura 1. Diferenciador
Este circuito realiza la derivada de la funcin de la seal que entra. Su voltaje de salida
Vo es

(1)
obsrvese que aun sigue siendo una configuracin inversora, por tal motivo su salida
esta invertida respecto a la entrada.
La ganancia de voltaje depende fuertemente de la frecuencia, en este caso la ganancia
de voltaje, Vo, es directamente proporcional a la magnitud de la frecuencia de la seal
de entrada, esto es

(2)
donde f, es la frecuencia de la seal.

Si aplicamos al diferenciador de la figura 1, una seal triangular con determinada

frecuencia, obtenemos a la salida una seal de onda cuadrada, como se ve en la figura 2.
Aqu los valores de magnitud de la seal de salida son:

(3)
La ecuacin anterior da el valor del voltaje pico de la salida, que es el valor picopico
entre un medio del periodo por RC.

El diferenciador de la figura 1, por su dependencia de la frecuencia en cuanto a la

ganancia, es muy sensible a cambios de esta (frecuencia), por los tanto llega a tener
inestabilidad de ganancia (nofija), sensibilidad a ruidos, se satura muy rpido.

Figura 2. Seales de entrada y salida de un diferenciador

Diferenciador prctico

A continuacion se ver un diferenciador que adquiere mas estabilidad con respecto a la

frecuencia al colocar una resistencia Ri, en la entrada del amplificador, en serie con el
capacitor C (Figura3).

Figura 3. Diferenciador prctico

Aqu la ganancia de voltaje es:

(4)
De esta ecuacin se observa que la ganancia se estabiliza en Rf/Ri (modulo) cuando la
frecuencia crece indefinidamente. Este diferenciador se comporta como un inversor a
altas frecuencias. En la practica no se utilizan frecuencias sin limite, y aqu la frecuencia
de trabajo del amplificador donde se comporta como diferenciador (por debajo de esta)
se denomina frecuencia limite, fL, y se determina a partir de la frecuencia de corte de la
red de retardo del diferenciador (a la entrada) y es

(5)
Por arriba de esta frecuencia el diferenciador se comporta como un inversor.

Si f es la frecuencia de la seal aplicada, se resume que

si f < fL el circuito acta como diferenciador
si f < fL el circuito acta como amplificador inversor de ganancia finita Rf/Ri.
En el diseo prctico de un diferenciador para obtener la mayor precisin se debe de
considerar lo siguiente

RiC T/10
Rf 10Ri

Amplificador Integrador
El amplificador integrador es un circuito de suma importancia y es muy utilizado en la
elaboracin de circuitos electrnicos, esta configuracin, no presenta los inconvenientes
del diferenciador. En la figura 4 se presenta el esquema de un amplificador integrador
bsico.

Figura 4. Amplificador integrador bsico

En este amplificador el voltaje de salida esta definido por

(6)
Si existiera una condicin inicial, es decir que el capacitor presentara una carga inicial,
este voltaje se tendra que sumar al resultado de la ecuacin anterior. En la figura 5 se
muestra un arreglo para permitir descargar el capacitor antes de efectuar una operacin
de integracin.

Figura 5. Integrador con interruptor para descargar el capacitor

El resultado de la integracin sobre una seal lo muestra la figura 6, donde la onda
cuadrada, esta presente en la entrada del integrador, y su salida es una onda triangular.
Los valores de voltaje pico estn dados por:

(7)
y la ganancia del circuito es

(8)
Observe que la ganancia es inversamente proporcional a la frecuencia, esto da como
resultado que el circuito nos sea tan sensible a los ruidos de alta frecuencia. De la
ecuacin anterior (8), se ve que a medida que la frecuencia tiende a cero, la ganancia
crece desmesuradamente. Para esto a continuacin se presentara un circuito prctico
para solventar este inconveniente.

Figura 6. Seales de entrada y salida de un integrador

Amplificador integrador prctico.

Debido a los cambios de ganancia que presenta un integrador con los cambios de
frecuencia, sobre todo a muy baja frecuencia se presenta un integrador prctico en la
figura 7.

Figura 7. Amplificador integrador prctico

La ganancia de voltaje de este circuito ser

(9)
Cuando la frecuencia sea nula, es decir CD, la ganancia se estabilizara a un valor dado
por Rf/Ri. Y se prev que para frecuencia altas trabaje como integrador y a bajas
frecuencias como inversor con una ganancia de - Rf/Ri. Se define la frecuencia don el
amplificador se comporta como integrador y por debajo de esta como inversor como fL,
y es dada por

(10)
Si f es la frecuencia de la seal aplicada, se resume que
si f < fL el circuito acta como amplificador inversor de ganancia finita Rf/Ri.
si f < fL el circuito acta como diferenciador
En el diseo prctico de un diferenciador para obtener la mayor precisin se debe de
considerar lo siguiente

RiC 10T
Rf 10Ri

AMPLIFICADORES OPERACIONALES CON REALIMENTACIN

NEGATIVA
Cuando se utilizan amplificadores operacionales en esta configuracin, lo
que se desea es realizar amplificar la ganancia de la seal de entrada de una
forma controlada.
Existen varias configuraciones de los amplificadores con realimentacin
negativa.
EL AMPLIFICADOR INVERSOR
Se dice que es inversor debido a que la polaridad de salida es opuesta a la
polaridad de entrada, en pocas palabras si la seal de entrada es en DC la
salida ser tambin una seal amplificada en DC pero de polaridad
contraria.

Como la impedancia de entrada del amplificador es muy alta, la corriente I1

no entra a este y es como se observa en la figura anterior. Adems por su
alta ganancia de voltaje se puede considerar en corto virtual los dos
terminales de amplificador, por lo tanto VL estar a tierra.
Del pin negativo, la corriente I1 es:

EL AMPLIFICADOR
NO INVERSOR
Es no inversor debido a que la polaridad de salida tiene igual polaridad de
entrada.

Como la impedancia de entrada del amplificador es muy alta, la corriente I1

no entra a este y es como se observa en la figura anterior. Adems por su
alta ganancia de voltaje se puede considerar en corto virtual los dos
terminales de amplificador, por lo tanto VL estar V1.
Del pin negativo, la corriente I1 es:

AMPLIFICADOR RESTADOR

Del pin positivo

Como la impedancia de entrada es muy alta, la corriente I1 es como se
observa en la figura, y el voltaje VL se calcula simplemente realizando un
divisor de voltaje.

Del pin negativo:

Reemplazando (1) en (2) queda:

AMPLIFICADORES DE INSTRUMENTACIN
La estructura del amplificador operacional es la siguiente.

La ultima etapa del amplificador de instrumentacin (AMPOP 3) es un

amplificador diferencial o como restador, o sea que la ganancia de esta
parte es la siguiente:

Ahora solo falta calcular los voltajes correspondientes a V1 y V2. Para V1:
Como se puede observar, el pin negativo del AMPOP 1 est Vb, y nos queda
la siguiente configuracin para el AMPOP 2.

Para V2: En este caso el pin negativo del AMPOP 2 se encuentra

referenciado a Va, lo cual produce la siguiente configuracin para el
AMPOP 1.

De la ecuacin del restador sabemos que:

por lo tanto,

Se asume generalmente que R2 = R1 entonces

CONVERSOR VOLTAJE CORRIENTE

Es necesario en instrumentacin industrial entregar una corriente que es
proporcional a un cierto voltaje, aun cuando la resistencia de carga pueda
variar.

La configuracin mas sencilla para desarrollar un fuente de corriente

constante es un amplificador operacional en configuracin no inversora,
como se observa en la figura. En este caso el voltaje de entrada V1 es el
voltaje que se aplica a la resistencia R, por lo tanto la corriente de carga de
IL es:

Observe que el voltaje de salida depende de la resistencia de carga, y como

este no puede sobrepasar del voltaje de saturacin, este limita la mxima
resistencia de carga que el circuito puede soportar.
Por ejemplo, si el voltaje de saturacin Vout = 12 voltios, R = 250, y V1
cambia en un rango de 1 a 5 voltios, el rango de valores de RL segn la
ecuacin anterior es:

Por lo tanto para que el circuito funcione adecuadamente, la resistencia mxima de

carga RL debe ser menor a 350.
Nota: La resistencia de carga no queda referenciada a la tierra del sistema.
CONVERSOR VOLTAJE CORRIENTE REFERENCIADO A TIERRA

Del pin negativo:

Del pin positivo

Si reemplazamos (1) en (2) se obtiene

Si se desea implementar una fuente de corriente de 4 20ma, se logra haciendo que la

diferencia de voltaje (V1-V2) est en un rango de 1 5v y las resistencias R de 250.

Observe que la ecuacin anterior depende nicamente de las fuentes y de las

resistencias fijas del circuito, por lo tanto idealmente se podra aumentar
la resistencia de carga hasta al infinito, pero en realidad existe una
restriccin, y es que el voltaje de salida (Vout) no puede superar el voltaje
de saturacin del amplificador operacional, por lo tanto partiendo de la
ecuacin del voltaje de salida podemos encontrar los valores lmites de
la resistencia de carga RL que puede manejar el circuito.

Por ejemplo, si el voltaje de saturacin Vout = 12 voltios, R = 250, V2 = 1 voltio y V1

cambia en un rango de 0 a 4 voltios, el rango de valores de RL segn la ecuacin anterior
es:

Por lo tanto para que el circuito funcione adecuadamente, la resistencia mxima de

carga RL debe ser menor a 275.

Configuraciones del Amplificador operacional.

a. Lazo Abierto.
A= 10^6, est dada por el fabricante.
Se usa principalmente en la implementacin de comparadores.

b. Lazo cerrado con realimentacin positiva.

A = 1 + R2/r1. Se usa en la implementacin de osciladores.

c. Lazo cerrado con realimentacin negativa.

A = -R2/R1. Se usa para hacer inversiones de una seal.

Unidad 3. Electrnica digital.

3.6 Sistemas numricos.
Los sistemas de numeracin son conjuntos de dgitos usados para
representar cantidades, as se tienen los sistemas de numeracin decimal,
binario, octal, hexadecimal, romano, etc. Los cuatro primeros se
caracterizan por tener una base (nmero de dgitos diferentes: diez, dos,
ocho, dieciseis respectivamente) mientras que el sistema romano no posee
base y resulta ms complicado su manejo tanto con nmeros, as como en
las operaciones bsicas.
Los sistemas de numeracin que poseen una base tienen la caracterstica de
cumplir con la notacin posicional, es decir, la posicin de cada nmero le
da un valor o peso, as el primer dgito de derecha a izquierda despus del
punto decimal, tiene un valor igual a b veces el valor del dgito, y as el
dgito tiene en la posicin n un valor igual a: (bn) * A
donde:
b = valor de la base del sistema

n = nmero del dgito o posicin del mismo

A = dgito.
Por ejemplo:
digitos: 1 2 4 9 5 3 . 3 2 4
posicion 5 4 3 2 1 0 . -1 -2 -3
El sistema numrico decimal
El sistema de numeracin decimal es el ms usado, tiene como base el
nmero 10, o sea que posee 10 dgitos (o simbolos) diferentes (0, 1, 2, 3,
4, 5, 6, 7, 8, 9). El sistema de numeracin decimal fu desarrollado por los
hindes, posteriormente lo introducen los rabes en Europa, donde recibe el
nombre de sistema de numeracin decimal o arbigo. Si se aplica la
notacin posicional al sistema de numeracin decimal entonces el dgito
nmero n tiene el valor: (10n)* A
Sistema Binario
El sistema de numeracin ms simple que usa la notacin posicional es el
sistema de numeracin binario. Este sistema, como su nombre lo indica,
usa solamente dos dgitos (0,1).
Por su simplicidad y por poseer nicamente dos dgitos diferentes, el
sistema de numeracin binario se usa en computacin para el manejo de
datos e informacin. Normalmente al dgito cero se le asocia con cero
voltios, apagado, desenergizado, inhibido (de la computadora) y el dgito 1
se asocia con +5, +12 volts, encendido, energizado (de la computadora)
con el cual se forma la lgica positiva. Si la asociacin es inversa, o sea el
nmero cero se asocia con +5 volts o encendido y al nmero 1 se asocia
con cero volts o apagado, entonces se genera la lgica negativa.
A la representacin de un dgito binario se le llama bit (de la contraccin
binary digit) y al conjunto de 8 bits se le llama byte, as por ejemplo: 110
contiene 3 bits, 1001 contiene 4 y 1 contiene 1 bit. Como el sistema binario
usa la notacin posicional entonces el valor de cada dgito depende de la
posicin que tiene en el nmero, as por ejemplo el nmero 110101b es:
1*(20) + 0*(21) + 1*(22) + 0*(23) + 1*(24) + 1*(25) = 1 + 4 + 16 + 32 = 53d
La computadora est diseada sobre la base de numeracin binaria (base
2). Por eso este caso particular merece mencin aparte. Siguiendo las
reglas generales para cualquier base expuestas antes, tendremos que:
Existen dos dgitos (0 o 1) en cada posicin del nmero.
Numerando de derecha a izquierda los dgitos de un nmero, empezando
por cero, el valor decimal de la posicin es 2n.
Por ejemplo,11012 (en base 2) quiere decir:

1*(23) + 1*(22) + 0*(21) + 1*(20) = 8 + 4 + 0 + 1 = 1310

Sistema Octal
El sistema de numeracin octal es tambin muy usado en la computacin por tener una base que
es potencia exacta de 2 o de la numeracin binaria. Esta caracterstica hace que la conversin a
binario o viceversa sea bastante simple. El sistema octal usa 8 dgitos (0,1,2,3,4,5,6,7) y tienen
el mismo valor que en el sistema de numeracin decimal. Como el sistema de numeracin octal
usa la notacin posicional entonces para el nmero 3452.32q tenemos:
2*(80) + 5*(81) + 4*(82) + 3*(83) + 3*(8-1) + 2*(8-2) = 2 + 40 + 4*64 +
64 + 3*512 + 3*0.125 + 2*0.015625 = 2 + 40 + 256 + 1536 + 0.375 +
0.03125 = 1834 + 40625dentonces, 3452.32q = 1834.40625d
El subindice q indica nmero octal, se usa la letra q para evitar confusin
entre la letra o y el nmero 0.
Sistema Hexadecimal
Un gran problema con el sistema binario es la verbosidad. Para representar
el valor 20210 se requieren ocho dgitos binarios, la versin decimal slo
requiere de tres dgitos y por lo tanto los nmeros se representan en forma
mucho ms compacta con respecto al sistema numrico binario.
Desafortunadamente las computadoras trabajan en sistema binario y
aunque es posible hacer la conversin entre decimal y binario, ya vimos que
no es precisamente una tarea cmoda. El sistema de numeracin
hexadecimal, o sea de base 16, resuelve este problema (es comn abreviar
hexadecimal como hex aunque hex significa base seis y no base dieciseis).
El sistema hexadecimal es compacto y nos proporciona un mecanismo
sencillo de conversin hacia el formato binario, debido a sto, la mayora del
equipo de cmputo actual utiliza el sistema numrico hexadecimal. Como la
base del sistema hexadecimal es 16, cada dgito a la izquierda del punto
hexadecimal representa tantas veces un valor sucesivo potencia de 16, por
ejemplo, el nmero 123416 es igual a:
1*163 + 2*162 + 3*161 + 4*160
lo que da como resultado:
4096 + 512 + 48 + 4 = 466010
Cada dgito hexadecimal puede representar uno de dieciseis valores entre 0
y 1510. Como slo tenemos diez dgitos decimales, necesitamos inventar
seis dgitos adicionales para representar los valores entre 1010 y 1510. En
lugar de crear nuevos simbolos para estos dgitos, utilizamos las letras A a
la F. La conversin entre hexadecimal y binario es sencilla, considere la
siguiente tabla:
Binario
0000

Hexadecimal
0

0001
0010
0011
0100
0101
0110
0111
1000
1001
1010
1011
1100
1101
1110
1111

1
2
3
4
5
6
7
8
9
A
B
C
D
E
F

Esta tabla contiene toda la informacin necesaria para convertir de binario a

hexadecimal y visceversa. Para convertir un nmero hexadecimal en
binario, simplemente sustituya los correspondientes cuatro bits para cada
dgito hexadecimal, por ejemplo, para convertir 0ABCDh en un valor binario:
0 A B C D (Hexadecimal)
0000 1010 1011 1100 1101 (Binario)
Por comodidad, todos los valores numricos los empezaremos con un dgito
decimal; los valores hexadecimales terminan con la letra h y los valores
binarios terminan con la letra b. La conversin de formato binario a
hexadecimal es casi igual de fcil, en primer lugar necesitamos asegurar
que la cantidad de dgitos en el valor binario es mltiplo de 4, en caso
contrario agregaremos ceros a la izquierda del valor, por ejemplo el nmero
binario 1011001010, la primera etapa es agregarle dos ceros a la izquierda
para que contenga doce ceros: 001011001010. La siguiente etapa es
separar el valor binario en grupos de cuatro bits, as: 0010 1100 1010.
Finalmente buscamos en la tabla de arriba los correspondientes valores
hexadecimales dando como resultado, 2CA, y siguiendo la convencin
establecida: 02CAh.

3.6.1Representacin y conversiones entre

diferentes bases.
Decimal a binario, Octal, Hexadecimal
Cuando deseamos efectuar la conversin de decimal a binario o ha cualquier otro sistema con
base r es ms conveniente si el nmero se separa en parte entera y en una parte fraccionaria, y la
conversin de cada parte se efecta por separado :
Ejemplo :
Convertir el numero (41)10 a binario
41

LSB

20 0
21
22
23
24

10
5
2
1

0
1
0
1

MSB

(41)10 = (101001)2
Para convertir cualquier entero decimal ha cualquier sistema de base r la divisin se hace
entre r en lugar de 2.
Ejemplo :
Convertir el numero (153)10 a base 8
153
154
155

1 LSB
19
3
2
2 MSB

(153)10=(231)8
Para convertir una fraccin decimal a binario, el sistema que se sigue es similar al que
utilizamos para los enteros, sin embargo, se usa la multiplicacin en lugar de la divisin, y los
enteros se acumulan en lugar de los residuos.
Ejemplo :
convertir (0.6875)10 a base 2
Entero

Fraccin

Coeficiente

0.6875

*2 1 0.3750 (a-1)

= 1

0.3750

*2 0 0.75

(a-2)

= 0

0.75

*2 1 0.5

(a-3)

= 1

0.5

*2 1 0.0

(a-4)

= 1

(0.6875)10=(0.1011)2
Cuando deseamos convertir una fraccin decimal en nmero expresado en base r, el
procedimiento es similar, la multiplicacin se hace con r en lugar de 2 y los coeficientes se
encuentran con los enteros.
Ejemplo :
convertir (0.513)10 a base 8
Entero
0.513
0.104

*
*

Fraccin
8
4
8
0

0.104
0.832

Coeficiente
a-1
=
a-2
=

4
0

0.832
0.656
0.248
0.984

*
*
*
* 8 7 0.872 a-6

8
8
8
= 7

6
5
1

0.656
0.248
0.984

a-3
a-4
a-5

=
=
=

6
5
1

Cuando deseamos hacer la conversin de un nmero decimal de una parte entera y una parte
fraccionaria la conversin se hace por separado y posteriormente se combinan las dos
respuestas.
Ejemplo :
(41.6875)10 -> (101001.1011)2

Binario a Decimal, Octal, Hexadecimal.

Un nmero binario x puede convertirse en decimal efectuando la suma de las potencias cuyo
valor es uno.
Ejemplo :
(1010.011)2 = 1*23+0*22+1*21+0*20+0*2-1+1*2-2+1*2-3
= 8+0+2+0+0+0.25+0.125
= 10.375
Las conversiones entre cdigo binario, octal y hexadecimal es muy importante en las
comparaciones digitales, ya que cada dgito octal corresponde a tres dgitos binarios y a cada
dgito hexadecimal corresponde cuatro dgitos binarios.
(10110001101011.111100000110)2 -> (26153.7406)8
Cuando deseamos convertir un nmero binario a hexadecimal, el proceso es similar excepto
que el nmero binario se divide en grupos de 4.
(10110001101011.11110010)2 -> (2C6B.F2)16
Los nmeros binarios son difciles de manejar ya que se requiere dos o cuatro veces mas dgitos
que su equivalente decimal.
Ejemplo :
(111111111111)2 -> (4095)10
Una forma de reducir esta deficiencia es emplear la relacin entre el sistema de nmeros
binarios con el sistema octal o hexadecimal.
El nmero binario (111111111111)2 tiene 12 dgitos y los podemos expresar en octal (7777) 8
(cuatro dgitos) o en hexadecimal como (FFF) 16 (tres dgitos), la representacin octal o
hexadecimal es mas deseable ya que se representa en forma mas compacta, como un tercio o un
cuarto del nmero de dgitos requeridos por el nmero binario equivalente.

3.6.2Operaciones bsicas
OPERACIONES:
SUMA BINARIA

RESTA BINARIA

1001......(9)

1011 .......(11)

1001......(9)

1000 ...(8)

+011......(3)

+ 111 ......(7)

- 101......(5)

- 111...(7)

1100 .....(12)

10010......(18)

0100......(4)

MULTIPLICACIN BINARIA.
0100......(4)

0011......(3)---------------Multiplicando

*0010....(2)

*0010....(2)---------------Multiplicador

1000......(8)

0110.....(6)---------------Resultado
1001......(9)...............Multiplicando
*1011....(11) ............Multiplicador
1001
1001

productos parciales

0000
1001
1100011..............(99)..........Resultado
DIVISIN BINARIA:
9/3 =3
1001 / 11 = 0011
Nota: es recomendable hacer la divisin en decimal y luego pasarlo a binario

SUMA HEXADECIMAL.
Se hace de manera directa:
58 + 24 = 7C

0001...(1)

58 + 4B = A3

Complementos.
Este tipo de operacin se utilizan en las computadoras digitales para
simplificar la operacin de sustraccin y para manipulaciones lgicas.
Existen 2 tipos de complementos :
a) El complemento de r.
b) El complemento de r-1.
a)El complemento de r.
El complemento de r de un nmero positivo N en base r con una parte
entera de n dgitos, ser definido como el complemento de r a n y se define
como rn-N;
Obtener el complemento de 10 de (52520)10
105-52520=47480
Obtener el complemento de 10 de (0.3267)10
100-0.3267=0.6733
Obtener el complemento de 10 de (25.639)10
102-25.639=74.361
Ejemplo : Obtener el complemento de 2 de (101100)2
26-(101100)2 = (100000)2-(101100)2=(0.1010)2
Por lo tanto tendremos que el complemento de 10 de un nmero
decimal se puede formar dejando todos los ceros significativos sin cambios se
resta el primer dgito del cero menos significativo de 10 y, entonces se restan
todos los pocos dgitos menos significativos menores de 9.
El complemento de 2 puede formarse dejando todos los ceros menos
significativos y el primer dgito diferente de 0 sin cambio, entonces se
reemplazan los 1 por 0 y los 0 por 1 en los otros dgitos mas significativos.
b)Complemento de r-1.

Para un nmero positivo N en base r con una parte entera de n dgitos y

una parte fraccionaria de n dgitos y una parte fraccionaria de m dgitos, el
complemento de r-1 de m se define como rn-r-m-N.
Ejemplos :
Obtener el complemento de 9 de (52520)10
105-100-52520=47479
Obtener el complemento de 9 de (0.3267)10
100-10-4-0.3267=0.6732
Obtener el complemento de 9 de (25.639)10
102-10-3-25.639=74.36
Obtener el complemento de 1 de (101100)2
26-20-101100=10011
Obtener el complemento de 1 de (0.0110)2
20-2-4-0.0110=
Por lo tanto deducimos que :
El complemento de 9 de un nmero decimal se forma simplemente al
restar cada dgito de 9. Y el complemento de 1 de un nmero binario es mas
simple, ya que solo consiste en cambiar los 1 por 0 y los 0 por 1. Puesto que el
complemento de r-1 es fcil de obtener, algunas veces es conveniente usarlo
cuando se desea el complemento de r.
Sustraccin con complemento de r.
La sustraccin de 2 nmeros positivos (M-N), ambos en base r, puede
hacerse como sigue :
1.- Agrguese el minuendo m al complemento de r del sustraendo n.
2.- Verifique el resultado que se obtuvo en el paso 1 para el caso que exista un
acarreo final.
a) Si existe un acarreo final, descrtese.
b) Si no existe un acarreo final, tmese el complemento de r de nmero que
se obtuvo en el paso 1 y colquese un signo negativo en frente.
Ejemplo :

Utilizando el complemento 10 reste 72532-03250

complemento 10 de 03250=96750
72532-96750=69282
como no existe acarreo final se utiliza el paso b).
complemento 10 de 69282=27468
03250-27468=30718
complemento 10 de 30718=69282
resultado -69282
Utilizando el complemento 2 realice M-N con los nmeros binarios dados.
M=1010100
N=1000100
complemento de N = 0111100
0111100
1010100
----------1 0010000
1011
1110
-----0101
1011
0001
-----1100
Resultado = -0011
Sustraccin con complemento (r-1).
El procedimiento para esta operacin es exactamente el mismo que
para el complemento a r excepto por una variacin llamada acarreo final. Para
la resta de M-N en base r puede calcularse tomando en cuenta los siguientes
puntos :
1.- Agrguese el minuendo M al complemento de (r-1) del sustraendo N.
2.- Verifique el resultado que se obtuvo en el paso 1 para un acarreo final.

a) Si ocurre un acarreo final agrguese uno al dgito menos significativo

(acarreo final
desplazado).
b) Si no ocurre un acarreo final tmese el complemento de (r-1) del nmero
obtenido en le paso 1 y colquese al frente un signo negativo.
Ejemplo :
Realice el complemento de r-1 de M-N, M=72532 y N=03250
complemento 9 de N = 96749
72532
96749
-------1 69281
como existe un acarreo final se realiza el paso a)
69281+1=69282
Realice el complemento de r-1 de M-N, N=03250 y M=72532
complemento 9 de N = 72532
03250
27467
--------30717
como no existe acarreo final se realiza el paso b)
complemento 9 de 30717=69282
Resultado -69282
Ejemplo :
Obtener M-N para los siguiente valores, M=1010100 y N=1000100
complemento 1 de 1000100 = 0111011
1010100
0111011
----------1 0001111

como existe un acarreo final se realiza el paso a)

0001111
1
---------0010000
REPRESENTACION DE NUMEROS NEGATIVOS
Para representar los nmeros con signo dentro de un sistema digital; por lo
regular se utiliza la magnitud del nmero y su signo. Esto se lleva a cabo agragando otro
bit, al nmero denominado bit del signo. En general un cero en el bit del signo
representa un nmero positivo y un uno un negativo.
Esto se puede observar en la siguiente figura:

Para los nmeros negativos existen tres formas para representar la magnitud:

MAGNITUD VERDADERA
COMPLEMENTO A 1

COMPLEMENTO A 2

Solamente se va a tratar a los dos ltimos puntos .

COMPLEMENTO A 1
El complemento a 1 se obtiene cambiando cada cero del nmero por "1" y cada uno en
"0".
Ejemplo:
El complemento a 1 del nmero binario 1 0 1 1 0 1 es :

010010
Al representar nmeros negativos en forma de complemento a 1, el bit del signo se
convierte en 1 y la magnitud se transforma de forma binaria verdadera en su
complemento 1.
Ejemplo:
-57 = 1 1 1 1 0 0 1....................original
1 0 0 0 1 1 0.....................complemento a 1
El primer nmero indica el bit del signo.
COMPLEMENTO A 2.
El complemento a 2 se forma tomando el complemento a 1 del nmero y sumando "1" a
la posicin del LSB.
Ejemplo:
Convertir 1 1 1 0 0 1(57 decimal) en su forma de complemento a 2:
111001
0 0 0 1 1 0..............complemento a 1
+1................suma "1" al LSB
000111
-57 se escribe : 1 0 0 0 1 1 1 en su representacin de complemento a 2

SUMA Y RESTA EN COMPLEMENTO A 2

Los mtodos de complemento a 1 y complemento a 2 son parecidos solo que el ms
utilizado es el de complemento a 2 debido a su gran utilidad.
SUMA EN COMPLEMENTO A DOS
Para la suma de complemento a 2 existen 5 tipos de suma en la cualhay que observar,
que el bit del signo de cada nmero se utiliza de igual manera que la magnitud.Existen
diferentes tipos de suma:

2 NUMEROS POSITIVOS.
Este tipo de suma se hace de manera directa:
+9...........01001

+4...........00101
13...........01101

...... el primer dgito es el bit del signo

NUMERO POSITIVO Y NUMERO NEGATIVO MENOR

Como ejemplo se hara la adicin de +9 -4 (-4 est en complemento a 2)
+9---------0 1001 (consumando)
-4---------1 1100 (sumando)

5-------- 1 0 0101 (resultado)

despreciable as que el

aparece otro 1(azul) que es un acarreo pero

resultado es : 00101

NUMERO POSITIVO Y NUMERO NEGATIVO MAYOR

Como ejemplo se hace la suma de -9+4:
-9-----------10111
+4----------00100
-5................11011

DOS NUMEROS NEGATIVOS

-9---------10111
-4---------11100
-13-------110011

El primer "1" es el del acarreo, pero se desprecia, el segundo "1" es del signo del
bit. Por lo que el resultado queda de la siguiente manera: 1 0 0 1 1
RESTA EN COMPLEMENTO A DOS
la resta depende de la suma del complemento a dos y no difiere de los casos vistos
anteriormente . Para restar un nmero binario (el sustraendo) de otro nmero binario
(minuendo), se siguen los siguientes pasos:
I.

Se toma el complemento 2 del sustraendo, incluyendo el bit del signo. si el

sustraendo es positivo se transforma en negativo en forma de complemento a
dos. Si el sustraendo es negativo hace lo contrario, en ambos casoso solo se
cambia el signo del sustraendo.

II.
III.

El siguiente paso es sumar el resultado del paso anterior al minuendo. Este

resultado de la resta es la diferencia.El bit del signo de esta diferencia determina
si es + -.
Hay que tomar en cuenta que los dos nmeros tienen el mismo nmero de bits.

Ejemplo:
restar 9-4
minuendo(+9)----------01001
sustraendo(+4)---------00100
Se cambia el sustraendo a complemento a 2: 11100, esto es igual a:-4
(+9).....01001
(-4)......11100
(+5)....100101

el "1" que aparece se desprecia y el resultado es : 00101

3.6.3Algoritmos de booth.
Algoritmo de Booth
El algoritmo de Booth est basado en una representacin digital denominada
Signed Digit (SD). Para nmeros en base 2, la representacin SD de un
dgito tiene 3 posibles valores (0, 1 y -1), por lo que existe una
redundancia (los nmeros se pueden representar de varias formas). Por
ejemplo, el valor -9 (10111), se puede representar de las siguientes
formas con SD de 5 bits:
De todas estas representaciones, existe una con el menor nmero de valores
distintos de 0 (forma cannica).
El algoritmo de Booth es una aproximacin ms elegante para multiplicar nmeros
signados. Comienza haciendo la observacin de que con la posibilidad de sumar y restar
hay mltiples formas de calcular un producto. Suponer que queremos multiplicar:

Booth observo que una ALU que pudiera sumar o restar poda obtener el mismo
resultado de ms de una manera. Por ejemplo, como podemos sustituir una cadena de

"unos" del multiplicador por una resta inicial cuando veamos primero un uno y ms
tarde sumamos el bit despus del ltimo uno. Por ejemplo:

La clave de la idea de Booth, esta en sus grupos de clasificacin de bits al comienzo, en

medio o al final de una ejecucin de unos. Por supuesto, una cadena de ceros evita ya
aritmtica, as que podemos dejar estos slos.
El algoritmo en s tiene dos pasos:
1- Dependiendo de los bits actuales y anteriores hacer :
00
01
10
11

Ninguna operacin aritmtica.

Suma el multiplicando a la mitad izquierda del producto.
Resta el multiplicando de la mitad izquierda del producto.
Ninguna operacin aritmtica.

2- Desplaza el producto a la derecha.

Si se adapta este algoritmo al circuito de sumas y restas sucesivas, hay que introducir la
correccin A*2n cuando Bn-1=1, es decir, para multiplicandos negativos. Por tanto,
eliminando el ultimo paso del algoritmo de sumas y restas, se obtiene un algoritmo
adecuado para trabajar en complemento a dos.
Adaptacin al circuito de la figura 2:
Inicializar: A<-0 , el contador de fases I<-N, el multiplicardor B<-Multiplicador, y
el multiplicando MQ<-Multiplicando
Comparar el bit MQ0 con el MQ-1.
Si es principio de cadena de "unos", restar A<-A-B
Si es final de cadena de "unos" (esto es, es el primer 0 despus de uno o varios 1),
sumar A<-A+B
Decrementar: I<-I-1
Desplazar aritmticamente a la derecha el conjunto concatenado A||MQ0||MQ-1.
Observar el contador I.
Si es menor que 0, volver al segundo paso.
Si es igual a 0, terminar.

3.6.4Algoritmos de divisin.
3.7 lgebra booleana.
3.7.1Teoremas y postulados.
Para utilizar el anlisis de los circuitos lgicos y tambien para expresar su operacin
matemtica se utilizan diferentes teoremas booleanos que nos permiten simplificar las
expresiones y los circuitos lgicos.
Existe un primer grupo de teoremas ( compuesta por 8 teoremas), de una sola variable
en donde x puede ser un "0" "1".Estos teoremas no necesitan de mucha explicacin
debido a su simplicidad para entenderlos; tales teoremas son:
1. x * 0 = 0
2. x * 1 = x
3. x * x = x
4. x * x' = 0
5. x + 0 = x
6. x + 1 = 1
7. x + x = x
8. x + x' = 1

A continuacin se presentan otros teoremas en los cuales implican ya no solo una

variable sino mltiples:
9. x * y= y * x
10. x+y = y +x
11. x + (y+z) = (x+y) +z
12. x(yz) = (xy)z = xyz
13. [x(y+z) = xy + xz]..........[(w+x)(y+z) = wy + xy + wz + xz ]
14. x + xy = x
15. x + x'y = x + y
Los teoremas 9 y 10 son leyes conmutativas, osea que el orden con que se opere una
compuerta OR AND no afecta el resultado.
Los teoremas 11 y 12 son las leyes asociativas, quiere decir que se puede agrupar
variables en una OR AND como se quiera.
Las dos reglas del teorema 13 son el de las leyes distributivas.
Teoremas de Demorgan.
Los teoremas de morgan son de gran utilidad para la simplificacin de funciones en
las cuales se invierte un producto suma de variables:
16. ( x + y) = x' * y'
17. (x* y) = x' + y'
El teorema 16 dice que al invertir la suma OR de dos variables, esta inversin es la
misma de la de cada variable en forma individual pero con la operacin AND.
En el teorema 17 al invertir el producto de dos variable, es lo mismo que invertir cada
variable operadas con OR.

Definicin de lgebra de Boole. Postulados.

Se define como lgebra de Boole a un sistema matemtico con un conjunto de
elementos B y dos operaciones binarias cerradas () y (+) siempre y cuando se cumplan
los siguientes postulados:
P1.- las operaciones tienen la propiedad conmutativa.
a+b = b+a
ab = ba
P2.- las operaciones son distributivas entre s
a(b+c) = ab + ac
a+(bc) = (a+b)(a+c)
P3.- las operaciones tienen elementos identidad diferentes dentro de B. Estos
elementos son definidos como 0 para (+) y 1 para ().

a+0 = a
a1 = a
P4.- para cada elemento, a, del conjunto B, existe otro elemento denominado
complemento, a tambin del conjunto B, tal que se cumple:
a+a = 1
aa = 0
Como podemos ver, en cualquier lgebra booleana se cumple el principio de dualidad:
Cualquierteoremaoidentidadalgebraicadeducibledelos
postuladosanteriorespuedetransformarseenunsegundo
teoremaoidentidadvlidasinmasqueintercambiarlas
operacionesbinariasyloselementosidentidad.
Como en cualquier lgebra, podemos disponer de constantes y de variables. As, una
constantesedefinecomocualquierelementodelconjuntoB.
Mientrasqueunavariableesunsmboloquerepresentaun
elementoarbitrariodellgebra,yaseaunaconstanteouna
frmulaalgebraicacompleta.

Teoremas del lgebra de Boole.

En cualquier lgebra de Boole se pueden demostrar los siguientes teoremas:
Teorema 2.1.- El elemento a del 4 postulado (denominado complemento o negacin de
a) est unvocamente determinado, es decir, es nico.
Demostracin.- Supongamos que existen dos complementos de a: a1 y a2.
a2 = a21 = a2(a+ a1) = a2a + a2a1 = aa1 + a2a1 = (a + a2)a1 = a1
Teorema 2.2.- (o Teorema de elementos nulos) Para cada cualquier elemento a, se
verifica
a+1 = 1 y a0 = 0
Demostracin.a+1 = 1(a+1) = (a+a)(a+1) = a + a1 = a + a = 1
a0 = a0+0 = a0 + aa = a(a+0) = aa = 0
Teorema 2.3.- Cada uno de los elementos identidad es el complemento del otro, es
decir, 1 = 0
y 0 = 1
Demostracin.- Si fuese cierto, deberan cumplir el cuarto postulado del lgebra:
1 = 0 + 0
0 = 0 0
Por ser nico l complemento: 0 = 1
1 = 1 + 1
0 = 1 1
Por ser nico el complemento: 1 = 0
Teorema 2.4.- (o Teorema de idempotencia) Para cada elemento a, se verifica:
a+a=a
aa=a
Demostracin.-

a + a = a + a 1 = a + a (a + a) = a + a a + a a = a (1 + a) = a 1 = a
a a = a a + 0 = a a + a a = a(a + a) = a1 = a
Teorema 2.5.- (o Teorema de involucin) Para cada elemento de a, se verifica que el
complemento del complemento de a es a, es decir, (a) = a
Demostracin.a + (a) = 1 = a + a = a + a a = (a)
a (a) = 0 = a a = a a a = (a)
Teorema 2.6.- (o Teorema de absorcin) Para cada par de elementos, a y b, se verifica:
a+ab=a
a (a + b) = a
Demostracin.a + a b = a 1 + a b = a (1 + b) = a 1 = a
a(a + b) = (a + 0) (a + b) = a + 0 b = a
Teorema 2.7.- Para cada par de elementos, a y b, se verifica:
a + a b = a + b
a (a + b) = a b
Demostracin.a + a b = (a + a)(a + b) = 1(a + b) = a + b
a (a + b) = a a + a b = a b
Teorema 2.8.- (o Leyes de DeMorgan) Para cada par de elementos, a y b, se verifica
(a + b) = a b
(a b) = a + b
Demostracin.- Se comprobar si se satisface el cuarto postulado
a + b + (a + b) = a + b + a b = a + a b + b + b a =
= a + b + b + a = a + a + b + b = 1 + 1 = 1
(a + b) (a b) = a a b + b b a = b 0 + 0 a = 0 + 0 = 0
a b + (a b) = a b + a + b = a b + a + a b + b =
= a + a + b + b = 1 + 1 = 1
a b (a + b) = a a b + a b b = 0 b + a 0 = 0 + 0 = 0
Teorema 2.9.- (o Leyes de DeMorgan generalizadas) Para cualquier conjunto de
elementos se verifica:
(X0 + X1 + + Xn) = X0 X1 Xn
(X0 X1 Xn) = X0 + X1 + + Xn
Teorema 2.10.- (o Teorema de asociatividad) Cada uno de los operadores binarios (+) y
() cumple la propiedad asociativa, es decir, para cada tres elementos, a, b y c, se
verifica
(a + b) + c = a + (b + c)
(a b) c = a (b c)

3.7.2Miniterminos y maxiterminos.
MAXITERMINOS Y MINITERMINOS.

Uno de los mtodos para simplificar funciones son en forma de minitrminos y

maxitrminos.
Por lo regular los minitrminos son relacionados con compuertas AND en forma de
productos, y los mxiterminos en forma de suma (OR) .A continuacin se muestra una
tabla de minitrminos y mxitrminos para tres variables:
MINITERMINOS

MAXITERMINOS

TERMINO

DESIGNACION

TERMINO

DESIGNACION

000

X'Y'Z'

m0

X+Y+Z

M0

001

X'Y'Z

m1

X'+Y'+Z

M1

010

X'YZ'

m2

X'+Y+Z'

M2

011

X'YZ

m3

X'+Y+Z

M3

100

XY'Z'

m4

X+Y'+Z'

M4

101

XY'Z

m5

X+Y'+Z

M5

110

XYZ'

m6

X+Y+Z'

M6

111

XYZ

m7

X+Y+Z

M7

xyz

En el caso de los minitrminos siempre que haya una funcin lgica en base a una
tabla caractersticas siempre va aproducir " 1" lgico. En forma inversa los maxit
rminos en una funcin siempre va a ser "0" ; por ejemplo de la siguiente tabla:
xyz

FUNCION F1

FUNCION F2

000

001

010

011

100

101

110

111

Si tomamos F1 utlizando minitrminos solo ocupamos los "1":

f1 = x'y'z + xy'z' +xyz = m1+m4+m7
f1(xyz)= sum(1,4,7)
se hace lo mismo con f2:
f2= x'yz +xy'z +xyz' +xyz= m3+m5+m6+m7

f2(xyz) = sum(3,5,6,7).
Ahora volvemos a tomar f1 utlizando maxitrminos, solo ocupamos "0":
f1 = (x+y+z)(x+y'+z)(x+y'+z')(x'+y+z')(x'+y'+z)= M0*M2*M3*M5*M6
fi(xyz) = (0,2,3,5,6)
Se hace lo mismo con f2:
f2= (x+y+z)(x+y+z')(x+y'+z)(x'+y+z)= M0*M1*M2*M4
f2(xyz) = (0,1,2,4)

Suma de miniterminos.
Como sabemos cualquier funcin booleana puede expresarse como una
suma de miniterminos. La suma de estos elementos que son los que definen
una funcin booleana son aquellos que dan los 1s de la funcin en una tabla
de verdad.
Algunas veces es conveniente expresar la funcin booleana en la forma de
suma de miniterminos. Si no puede hacerse en esta forma entonces puede
realizarse primero por la expansin de la expresin en una suma de los
trminos AND.
Despus cada trmino se inspecciona para ver si contiene todas las
variables, si se han perdido una o ms variables, se aplica el operador AND
con una expresin x+x en donde x es una de las variables perdidas.
Ejemplo: Expresar la funcin F = A+BC en una suma de miniterminos.
F= A+BC
F(A,B,C)
A= A(B+B) = AB+AB
= AB(C+C) + AB(C+C)
= ABC + ABC + ABC +ABC
BC = BC (A+A)
= ABC + ABC
F = ABC+ABC+ABC+ABC+ABC+ABC
F = ABC+ABC +ABC+ABC+ABC
F = m1+ m4+m5+ m6+ m7
F(A,B,C)=SUM(1,4,5,6,7)

La SUMatoria representa al operador OR que opera en los trminos y nmeros

siguientes son los minitrminos de la funcin.
Las letras entre parntesis que siguen a F forman una lista de las variables en
el orden tomado cuando el minitrmino se convierte en un trmino AND.
Producto de los maxitrminos.
Para expresar una funcin booleana como un producto de
maxitrminos, primero debe llevarse a una forma de trminos OR. Esto es
posible al uso de la ley distributiva; esto es si x+yz = (x+y) (x+z); para
cualquier variable perdida x en cada trmino se opera a OR con xx.
Ejemplo:
F = (x+y) (x+z) (y+z)
(x+y) = x+y+zz
= (x+y+z) (x+y+z)
(x+z) = x+z+yy
= (x+y+z) (x+y+z)
(y+z) = y+z+xx
= (x+y+z) (x+y+z)
F = (x+y+z) (x+y+z) (x+y+z) (x+y+z) (x+y+z) (x+y+z)
F = (x+y+z) (x+y+z) (x+y+z) (x+y+z)
F = (x+y+z) (x+y+z) (x+y+z) (x+y+z)
M0
M2
M4
M5
F(x,y,z) = PI(0,2,4,5)
El operador PI denota la operacin AND de maxitrminos; y los nmeros son
los maxitrminos de la funcin.

3.7.3Mapas de karnaugh.
MAPAS DE KARNAUGH.
Una de las maneras ms efectivas para la simplificacin de funciones es el mtodo de
mapeo. En la siguiente figura aparece un mapa de dos variables; por lo tanto existen 4
minitrminos, por lo mismo el mapa tiene 4 cuadros(m0,m1,m2,m3)fig.a.
En la figura b se muestra las relaciones entre los cuadros y las dos variables, los 0 y 1
de cada renglon indican las variables de x y y :

Como ejemplo se muestra una funcin xy(fig.c) que es igual a m3 ,y se coloca un "1" en
m3, de igual forma la funcin x+y es igual a x'y+xy'+xy 0 m1+m2+m3 (fig.d)
De la misma manera se ocupan mapas para tres variables:

Los minitrminos se distribuyen en la tabla como si fuera un cdigo reflegado, de la

misma manera en la figura b se acomodan los 0 y los 1 de las variables X,Y.
se utiliza como ejemplo la siguiente funcin para simplificar:
F = xz + x'yz' +xy'z' + xy'z
F = m3+m2+m4+m5

Primero se marca 1 en cada cuadro correspondiente, como se muestra a

continuacin:

La funcin esta representada en los recuadros marcados con 1.

posteriormente se divide el rea en cuadros adyacentes.
el rectngulo superior derecho da como resultado X'Y y el inferior izquierdo XY'
sea:
F = x'y + xy'

Asi mismo para un mapa de cuatro variables se sigue la misma tcnica de los cuadros
adyacentes, tambien hay mapa para 5 y 6 variables solo que estas son ms difciles de
entender.
Mapas de Karnaugh
Un mapa de Karnaugh es una representacin grfica de una funcin lgica a partir de una tabla de
verdad. El nmero de celdas del mapa es igual al nmero de combinaciones que se pueden
obtener con las variables de entrada. Los mapas se pueden utilizar para 2, 3, 4 y 5 variables.

Mapa de Karnaugh empleando Suma de Productos (SDP)

La simplificacin de expresiones lgicas mediante el mapa de Karnaugh utiliza un mtodo grfico
basado en la Suma de Productos.
Mapa de Karnaugh de tres variables
El mapa de Karnaugh se construye a partir de la tabla de verdad de la funcin lgica. El mapa por
medio de una matriz de 8 celdas, representa los ocho mintrminos posibles que se pueden
obtener con tres variables, en un arreglo de una matriz de 2x4. Por tanto, la primera fila contiene
el primer valor posible ("0") y la segunda fila el valor ("1").
Las variables 2 y 3 se agrupan por columna y se distribuyen en las cuatro columnas de acuerdo a
las combinaciones posibles para obtener los mintrminos requeridos. Sus valores son 00, 01, 10 y
11. Por ejemplo, la celda m2 corresponde al mintrmino 2, ubicado en la fila 0 y la columna 10. La
unin de estos dos nmeros da el nmero 010, cuyo equivalente es el trmino ABC el decimal
2. La tabla 2.4.1. muestra el mapa de Karnaugh para 3 variables.
Lnea

Mintrmino

Mintrmino mx

Funcin de Salida

ABC

m0

F(0,0,0)

ABC

m1

F(0,0,1)

ABC

m2

F(0,1,0)

ABC

m3

F(0,1,1)

ABC

m4

F(1,0,0)

ABC

m5

F(1,0,1)

ABC

m6

F(1,1,0)

ABC

m7

F(1,1,1)

(a)

(b)

(c)

Tabla 2.4.1. Mapa de tres variables

La caracterstica de ordenamiento de un mapa de Karnaugh radica en el cambio de un solo bit en
los trminos de las celdas adyacentes de filas y columnas. En la tabla 2.4.1. las entradas BC se
colocan secuencialmente, cambiando cada vez una sola variable, por eso resulta el orden: 00, 01,
11 y 10. En la interactividad 2.4.1., la pulsacin de cada cuadro activa el mintrmino
correspondiente.

Interactividad 2.4.1. Mapa de tres variables

Por ejemplo, la variable C est negada en m4 y m5 no lo est, mientras que A y B no cambia. Las
celdas de los bordes superior e inferior e izquierdo y derecho tambin cumplen esta condicin al
agruparlas unas a otras. En el teorema 12 de la leccin 1, se demuestra que la suma de los
trminos mnimos en celdas adyacentes pueden ser simplificadas en un trmino AND de dos
literales. Por consiguiente, aplicando el teorema para los trminos m4 y m5 del mapa se tiene:
m4 + m5 = ABC + ABC = AB(C+C) = AB
Los trminos m4 y m6 se pueden asociar de la misma forma:
m4 + m6 = ABC + ABC = AC(B+B) = AC
Ejemplo
Simplificar la funcin F1= (m3, m4, m5, m6, m7).
F1 = (m3, m4, m5, m6, m7) = ABC + ABC+ ABC + ABC+ ABC
Aplicando el teorema 6 de la leccin 1 para el trmino ABC.
F1 = (m3, m4, m5, m6, m7) = (m4, m5, m6, m7) +(m3, m7) = [ABC+ ABC + ABC+
ABC] + [ABC + ABC].

El primer trmino en la sumatoria es el grupo 1 y el segundo trmino corrresponde al grupo 2. En

un mapa de karnaugh, los mintrminos de cada grupo se relacionaran a travs de lazos
independientes.
Desarrollando la expresin,
F1 = [AB(C+C) + AB(C+ C)] + [BC(A+A)]= AB(1) + AB(1) + BC(1) = A(B+B) + BC
= A + BC.
El mapa se construye colocando un 1 en las celdas correspondientes a los mintrminos presentes
en la funcin de salida. Por ejemplo, para el trmino F(1,1,0)= ABC = 1 se situara un 1 en la
celda 110. Para los mintrminos no presentes en la funcin se pone un 0. Por ejemplo el trmino
F(0,0,1)= AB'C = 0, ser una celda con valor 0 en la celda 001.
Despus de situar los unos en el mapa, se procede con la agrupacin de 1s, la determinacin del
trmino producto correspondiente a cada grupo y la suma de los trminos producto obtenidos. La
determinacin del trmino producto se realiza de acuerdo los siguientes criterios:
1.Una celda representa un mintrmino, dando como resultado un trmino de cuatro literales.
2. Dos celdas agrupadas pueden representar la asociacin de dos mintrminos, dando como
resultado un trmino de dos literales.
3.Cuatro celdas agrupadas pueden representar la asociacin de cuatro mintrminos, dando como
resultado un trmino de un literal.
4. Ocho celdas agrupadas representan un valor de funcin igual a 1.
Ejemplo
Sea la funcin del ejemplo anterior, simplificarla por medio del mtodo del mapa.
La tabla de verdad del ejemplo anterior es la siguiente,
Lnea

Salida F

Tabla 2.4.2. Tabla de verdad de la funcin F1.

El mapa de Karnaugh se configura de acuerdo a los mintrminos iguales a 1 y las celdas se
agrupan tal como en la figura 2.4.1.

Figura 2.4.1. Mapa de Karnaugh de la funcin F1.

El primer grupo se forma con los mintrminos m4, m5, m6 y m7 y el segundo grupo con los
mintrminos m3 y m7.
Del primer grupo resulta el trmino A ya que para las cuatro columnas de la tabla existen
transiciones entre las variables B y C. El segundo grupo da como resultado el trmino BC por el
cambio existente en la variable A.
En total, la funcin queda reducida a la expresin:
F1 = A + BC
Mapa de Karnaugh de cuatro variables
La construccin de un mapa de Karnaugh de 4 variables es similar al de 3 variables. La diferencia
radica en el nmero de variables de entrada. El mapa por medio de una matriz de 16 celdas,
representa los 16 mintrminos posibles (24) que se pueden obtener con cuatro variables de
entrada, en un arreglo de 4 x 4. La disposicin de celdas en el mapa se muestra en la tabla 2.4.3.
Lnea

Mintrmino

Mintrmino mx

Funcin de Salida

ABCD

m0

F(0,0,0,0)

ABCD

m1

F(0,0,0,1)

ABCD

m2

F(0,0,1,0)

ABCD

m3

F(0,0,1,1)

ABCD

m4

F(0,1,0,0)

ABCD

m5

F(0,1,0,1)

ABCD

m6

F(0,1,1,0)

ABCD

m7

F(0,1,1,1)

ABCD

m8

F(1,0,0,0)

ABCD

m9

F(1,0,0,1)

10

ABCD

m10

F(1,0,1,0)

11

ABCD

m11

F(1,0,1,1)

12

ABCD

m12

F(1,1,0,0)

13

ABCD

m13

F(1,1,0,1)

14

ABCD

m14

F(1,1,1,0)

15

ABCD

m15

F(1,1,1,1)

(a)

(b)

(c)

Tabla 2.4.3. Mapa de cuatro variables

Por ejemplo, la celda m9 corresponde al mintrmino 9, ubicado en la fila 10 y la columna 01. La
unin de estos dos nmeros da el nmero 1001, cuyo equivalente es el trmino ABCD - el
decimal 9.
La minimizacin por medio de un mapa de 4 variables se puede efectuar con las celdas adyacentes
entre s y las celdas de los bordes que se pueden concatenar para reducir la expresin. Por
ejemplo, m13 y m15 son celdas adyacentes as como m0, m8, m2 y m10.
El mapa se construye colocando un 1 en las celdas correspondientes a los mintrminos presentes
en la funcin de salida. Por ejemplo, para el trmino F(1,1,0,0)= ABCD = 1 se situara un 1 en
la celda 1100. Para los mintrminos no presentes en la funcin se pone un 0. Por ejemplo el
trmino F(1,1,1,1)= ABCD = 0, ser una celda con valor 0 en la celda 1111.
Igual que en el mapa de 3 variables, se procede con la agrupacin de 1s, la determinacin del
trmino producto correspondiente a cada grupo y la suma de los trminos producto obtenidos.
Las reglas para reducir trminos en un mapa de Karnaugh de 4 variables son las siguientes:
1.Una celda representa un mintrmino, dando como resultado un trmino de cuatro literales.
2. Dos celdas agrupadas pueden representar la asociacin de dos mintrminos, dando como
resultado un trmino de tres literales.
3.Cuatro celdas agrupadas pueden representar la asociacin de cuatro mintrminos, dando como
resultado un trmino de dos literales.
4.Ocho celdas agrupadas pueden representar la asociacin de ocho mintrminos, dando como
resultado un trmino de un literal.
5. Diecisis celdas agrupadas pueden representan un valor de funcin igual a 1.
Ejemplo
Simplquese la funcin de Boole F2= (m1, m3, m8, m10, m12, m14)

Figura 2.4.2. Mapa de Karnaugh de la funcin F2.

El primer grupo se forma con los mintrminos m1 y m3 y el segundo grupo se forma con los
mintrminos m8, m10 y m12, m14.
Del primer grupo resulta el trmino ABD ya que en la columna 1 no se presentan cambios para
las variables A y B y se presenta transicin en la variable C en las columnas 2 y 3. El segundo
grupo da como resultado el trmino AD. La razn radica en la simplificacin de la variable B en la
tercera y cuarta fila y en la variable C en la primera y cuarta columna.

Sumando los mintrminos obtenidos se tiene la ecuacin simplificada:

F2 = ABD + AD

Mapas de Karnaugh empleando Producto de Sumas (PDS)

La simplificacin de expresiones lgicas mediante el mapa de Karnaugh tambin es posible
mediante el mtodo de producto de sumas. En este mtodo, cada celda representa un
maxtrmino.
La construccin del mapa es similar a la suma de productos. La diferencia radica en que cada
celda representa un maxtrmino. Por ejemplo, la celda m2 corresponde al maxtrmino 2, ubicado
en la fila 0 y la columna 10. La unin de estos dos nmeros da el nmero 010, cuyo equivalente es
el trmino A+B+C. La figura 2.4.3. muestra el mapa de Karnaugh para 3 variables.

Figura 2.4.3. Mapa de tres variables.

La representacin de la funcin lgica se hace simplemente copiando los ceros de la tabla de
verdad en las celdas del mapa. Este mtodo es ms apropiado cuando en la columna de resultados
de la tabla de verdad predominan los ceros.
Ejemplo
Utilizar el mapa de Karnaugh para minimizar el producto de sumas,
F3 = (A+B+C)(A+B+C)(A+B+C)(A+B+C)
Los maxtrminos se trasladan a cada una de las celdas del mapa de Karnaugh y las celdas se
agrupan tal como en la figura 2.4.4.

Figura 2.4.4. Mapa de Karnaugh de la funcin F3

El trmino suma para cada grupo se muestra en la figura y la suma de productos resultante es:
F3 = C
Ejemplo
Utilizar el mapa de Karnaugh para minimizar el producto de sumas,

F4 =
(A+B+C+D)(A+B+C)(A+B+C+D)(A+B+C+D)(A+B+C+D)(A+B+C+D)(A+B+C+D)(A
+B'+C+D)
El segundo trmino tiene que ampliarse a (A+B+C+D)(A+B+C+D). La funcin completa se pasa
al mapa de karnaugh mostrado en la figura 2.4.5.

Figura 2.4.5. Mapa de Karnaugh de la funcin F4

El trmino suma para cada grupo se muestra en la figura 2.4.5. y el producto de sumas resultante
es:
F4 = (A+C+D)(B'+D')(A'+D')

Condiciones de No Importa
Hasta el momento se ha asumido que la funcin es igual a 0 en los casos donde la funcin no es
igual a 1. En algunas aplicaciones esta suposicin no es siempre verdadera ya que existen
combinaciones de entrada que no presentan. En un mapa de Karnaugh estas combinaciones de
entrada sirven de herramienta para simplificar la funcin y su representacin se hace por medio de
una X en la celda del mapa. Segn la agrupacin que convenga se asume un valor de 1 0 para la
X con el fin de obtener la expresin ms simple.
Ejemplo
Simplificar la funcin de Boole F5 =(m0, m4, m7, m9) con condiciones de importa, NI = (m1, m5,
m11, m14).
Los mintrminos se marcan con un 1, las condiciones de no importa con una X y las celdas
restantes con 0.
El mapa de Karnaugh de la funcin F5 se muestra en la figura 2.4.6.

Figura 2.4.6. Mapa de Karnaugh de la funcin F5

En suma de productos obtenemos,
F5 = ACD + A'BC + ABCD + AB'D

3.8 Lgica combinacional.

3.8.1Compuertas lgicas.
A CONTINUACIN SE MUESTRAN 6 DE LAS COMPUERTAS BASICAS MS
IMPORTANTESDENTRO DEL DISEO :

La primer compuerta es una AND

La segunda compuerta es una OR

El tercer es un inversor

El siguiente es una NAND

El quinto es una NOR

la ltima es una XOR

La compuerta "Y"
Es una de las compuertas mas simples dentro de la Electrnica Digital. Su representacin es la
que se muestra en las figuras. Como se puede ver tiene dos entradas A y B, aunque puede
tener muchas ms (A,B,C, etc.) y slo tiene una salida X.

compuerta AND de 2 entradas

compuerta AND de 3 entradas

La compuerta AND de 2 entradas tiene la siguiente tabla de verdad

A
B
X
0
0
0
0
1
0
1
0
0
1
1
1
Se puede ver claramente que la salida X solamente es "1" (1 lgico, nivel alto) cuando tanto la
entrada A como la entrada B estn en "1".En otras palabras "La salida X es igual a 1 cuando la
entrada A y la entrada B son 1
Esta situacin se representa en el lgebra booleana como: X = A * B o X = AB. Una
compuerta AND de 3 entradas se puede implementar con interruptores de la siguiente manera:

Lmpara

Apagada

Apagada

Apagada

Apagada

Apagada

Apagada

Apagada

Encendida

A = Abierto C = Cerrado
Una compuerta AND puede tener muchas entradas. Una AND de mltiples entradas puede ser
creada conectando compuertas simples en serie. Si si se necesita una AND de 3 entradas y no
hay disponible, es fcil crearla con dos compuertas AND en serie o cascada como se muestra
en la siguiente figura:

Tabla de verdad

A
B
C
X
0
0
0
0
0
0
1
0
0
1
0
0
0
1
1
0
1
0
0
0
1
0
1
0
1
1
0
0
1
1
1
1
De igual manera, se puede implementar circuitos AND de 4 o ms entradas
La compuerta NO Y
Una compuerta NAND (NO Y) se puede implementar con la concatenacin de una compuerta
AND con una compuerta NOT, como se muestra en la siguiente figura.

Equivalente con compuertas AND y NOT

Smbolo de compuerta NAND

Al igual que en el caso de la compuerta AND, sta se puede encontrar en versiones de 2, 3 o

ms entradas.
La tabla de verdad de este tipo de compuerta es la siguiente:

A
0
0
1
1

B
0
1
0
1

X
1
1
1
0

Tabla de verdad de una compuerta NAND de 2 entradas

A
0
0
0
0
1
1
1
1

B
0
0
1
1
0
0
1
1

C
0
1
0
1
0
1
0
1

X
1
1
1
1
1
1
1
0

Tabla de verdad de una compuerta NAND de 3 entradas

Como se puede ver la salida X slo ser "0" cuando todas las entradas sean "1".
Nota: Un caso interesante de este tipo de compuerta, al igual que la compuerta NOR o "NO O",

es que en la primera y ltima lnea de la tabla de verdad, la salida X es tiene un valor opuesto
al valor de las entradas
En otras palabras: Con una compuerta NAND se puede obtener el comportamiento de una
compuerta NOT o "NO"
Aunque la compuerta NAND parece ser la combinacin de 2 compuertas (1 AND y 1 NOT),
sta (la compuerta NAND) es mas comn al realizar diseos, que las compuertas AND. En la
realidad este tipo de compuertas no se construyen como si combinramos los dos tipos de
compuertas antes mencionadas, si no que tienen un diseo independiente

Compuerta NOT creada con una compuerta NAND

Tabla de verdad

I
0
1

X
0
1

La compuerta "No O"

Una compuerta NOR (No O) se puede implementar con la concatenacin de una compuerta
OR con una compuerta NOT, como se muestra en la siguiente figura

Smbolo de compuerta NOR

Equivalente con compuertas OR y NOT

Al igual que en el caso de la compuerta OR, sta se puede encontrar en versiones de 2, 3 o

ms entradas. Las tablas de verdad de estos tipos de compuertas son las siguientes:
Tabla de verdad de una compuerta
NOR de 2 entrada

Tabla de verdad de una compuerta

NOR de 3 entradas

Como se puede ver la salida X slo ser "1" cuando todas las entradas sean "0".
Compuerta NOT creada con compuerta NOR
Un caso interesante de este tipo de compuerta, al igual que la compuerta NAND, es que
cuando stas (las entradas A y B o A, B y C) se unen para formar una sola entrada, la salida
(X) es exactamente lo opuesto a la entrada, en la primera y la ltima lnea de la tabla de
verdad.
En otras palabras: Con una compuerta NOR podemos implementar el comportamiento de una
compuerta NOT
Compuerta NOT creada con una compuerta NOR

Tabla de verdad

La compuerta "O"
Es una de las compuertas mas simples dentro de la Electrnica Digital.. Su representacin y
tabla de verdad se muestran a continuacin:

Tabla de verdad
A

Y se representa con la siguiente funcin booleana: X = A + B

X=B+A

Esta misma compuerta se puede implementar con interruptores como se muestra en la

siguiente figura, en donde se puede ver que: cerrando el interruptor A "O" el interruptor B se
encender la luz

"1" = cerrado , "0" = abierto, "1" = luz encendida

En las siguientes figuras se muestran la representacin de la compuerta "OR" de tres entradas
con su tabla de verdad y la implementacin con interruptores
Representacin de una compuerta OR de 3 entradas con su tabla de verdad

Compuerta "OR" de 3 entradas implementada con interruptores

Se puede ver claramente que la luz se encender cuando cualquiera: A o B o C este cerrada
La compuerta NOT
Dentro de la electrnica digital, no se podran lograr muchas cosas si no existiera la compuerta
NOT (compuerta NO), tambin llamada compuerta inversora, que al igual que las compuertas
AND y OR tiene una importancia fundamental.
La compuerta NOT se representa con el siguiente smbolo, y su tabla de verdad es:

La salida de una compuerta "NOT" tiene el valor inverso al de su entrada. En el caso del grfico
anterior la salida X = A. Esto significa que si a la entrada tenemos un "1" lgico, a la salida har
un "0" lgico y si a la entrada tenemos un "0" a la salida habr un "1"
Nota: Ver que el apstrofe en la siguiente expresin significa "negado": X = A
La compuertas NOT se pueden conectar en cascada, logrando despus de dos compuertas, la
entrada original. Ver la siguiente fig.

TERMINOLOGIA DIGITAL DE CIRCUITOS INTEGRADOS

Aunque en la actualidad diversos fabricantes tienen sus propias terminlologias para
los CI digitales la mayoria de estas terminologa esta estandarizada.
PARAMETROS DE CORRIENTE Y VOLTAJE.
VIH (min)--Voltaje de entrada de nivel alto:Es el voltaje que se necesita para un 1
lgico de entrada; otro nivel por debajo de este no es reconocido como 1 lgico
VIL (max)--Voltaje de entrada de nivel bajo:Es el voltaje necesario para un 0 lgico
en la entrada.
VOH (min)--Voltaje de salida de nivel alto:Es el nivel de voltaje de salida de un estado
1 lgico; se especifica por lo general el valor mnimo de VOH .
VOL (max)--Voltaje de salida de nivel bajo: Es el nivel de voltaje de salida de un
estado 0 lgico; se especifica por lo general el valor mnimo de VOL .
IIH --Corriente de entrada de nivel alto:Es la corriente que hay en la entrada, cuando
se aplica un nivel alto de voltaje en la misma.
IIL --Corriente de entrada de nivel bajo:Es la corriente que hay en la entrada, cuando
se aplica un nivel bajo de voltaje en la misma.
IOH --Corriente de salida de nivel alto:Corriente que fluye a partir de una salida en el
estado 1 lgico en condiciones de carga especfica.
IOL --Corriente de salida de nivel bajo:Corriente que fluye a partir de una salida en el
estado 0 lgico en condiciones de carga especfica.

FACTOR DE CARGA DE SALIDA (Fan-out). El factor de carga de salida es el

nmero mximo de entradas logicas estandar que una salida puede manejar
confiablemente.
RETARDOS EN LA PROPAGACION.Existen dos tiempos de retardos de
propagacin:
tPLH :tiempo de retardo al pasar del estado lgico 0 al lgico1 (de BAJO a ALTO)
tPHL :tiempo de retardo al pasar del estado lgico 1 al lgico0 (de ALTO a BAJO)
REQUERIMIENTOS DE POTENCIA.La mayora de los CI necesitan de cierta
potencia elctrica para operar.La cantidad de potencia que necesita se especifica en
trminos de corriente de la fuente ICC y de la potencia real ICC * VCC .
INMUNIDAD AL RUIDO.Los campos electricos y magneticos pueden afectar las
conexiones en el encapsulado; estas seales no deseadas se llaman ruido.La inmunidad
al ruido es la capacidad del circuito para tolerar voltajes ruidosos en las entradas.A una
medida cuantitativa de inmunidad al ruido se le denomina margen de ruido:
El margen de ruido de estado alto VNH se define :
VNH = VOH (min) - VIH (min).
El margen de ruido de estado bajo VNL se define :
VNL = VIL (max) - VOL (max)
COMPLEJIDAD DE LOS CI.
En la siguiente tabla se especifican los 5 niveles bsicos de complejidad:
COMPLEJIDAD

NUMERO DE COMPUERTAS

Integracin a escala pequea (SSI)

Menos de 12

Integracin a escala mediana (MSI)

de 12 a 99

Integracin a escala grande (LSI)

de 100 a 9999

Integracin a escala muy grande(VLSI)

de 10000 a 99999

Integracin a escala ultra grande(ULSI)

100000 ms

3.8.2Diseo de circuitos.
DISEO DE CIRCUITOS LOGICOS COMBINACIONALES

La tabla de verdad para un circuito nos sirve para conocer el nivel de salida y todas
los combinaciones posibles de entrada . Y en base a la misma tabla se determina su
expresin booleana.
Por ejemplo la siguiente figura:

Se muestra un circuito con dos entradas y una salida x. En la tabla la salida x es "1",
solo si A = 0 y B=1.
Para saber que ciscuito lgico se debe utilizar, hay que checar las condiciones de la
tabla en el caso de la figura lo mas comveniente es usar una compuerta AND; con
entradas A'B, de tal forma que x = A'B.
Tomemos otro ejemplo como el que se muestra en lafigura:

Como se puede observar la salida x=1 es solo en dos casos:

Cuando A=0 y B=1 y cuando A=1y B=0. Para ambos casos, se utilizan compuertas
AND ya que esta produce la salida deseada con estas combinaciones y la salida de estas
2 compuertas llegan a una OR que nos dara la funcin resultante, que sera :
x = A'B + AB'
Que son las condiciones de salida que nos marca la tabla.
De esta manera se pueden disear un sin nmeros de circuitos basandose en dos puntos
primordiales del diseo :

LA TABLA DE VERDAD
EL CIRCUITO LOGICO

EJEMPLO:
Disee un circuito lgico que tenga tres entradas A,B y C y cuya salida sea alta solo
cuando la mayora de las entradas sean altas.:

Primero se elabora la tabla de verdad de acuerdo al enunciado del ejemplo en

donde x= 1, si 2 mas entradas son "1"; por lo tanto la funcin de salida es:
x = A'BC + AB'C +ABC' + ABC

Haciendo la simplificacin por mapas de K. :

x = BC +AC +AB
Esta expresin nos da como resultado el circuito lgico de la figura del ejemplo.

CIRCUITOS COMBINACIONALES MSI

DECODIFICADORES:
Un decodificador vendra siendo un circuito combinacinal el cual la informacin
binaria la convierte en lneas de salida, siempre y cuando la entrada binaria sea de n
lneas de entrada hasta un mximo de 2 n lneas de salida.En la siguiente figura se
muestra un diagrama a bloques de un decodificador general con N entradas y M salidas.

Como ejemplo de decodificador se presenta el siguiente circuito que es un decodificador

de 3-8 lneas:

Como se ve las tres entradas se decodifican en 8 salidas, entonces cada salida vendra
siendo los minitrminos de las variables de entrada.Los inversores son los
complementos de las entradas, mientras que las compuertas AND generan los
minitrminos. una aplicacin del circuito sera en un convertidor de binario en octal;
para complementar el circuito se tiene su tabla de entrada y salida:
ENTRADAS

SALIDAS

XYZ

D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7

000

001

010

011

100

101

110

111

CODIFICADORES:
Un codificador es aquella funcin digital la produce una accin inversa a la del
decodificador, osea que tiene mas lneas de entrada y menos de salida.
MULTIPLEXORES.
La accin del multiplexor es la de generar mayor margen de informacin sobre un
nmero ms pequeo de canales. El multiplexor digital es un circuito combinacional
que selecciona informacin binaria de muchas lneas de entrada, dirigida a una sola
salida
En la siguiente figura se muestra un multiplexor de 4- a- 1 lnea donde cada entrada
entra a una AND, las lneas de seleccin son S1 y S0

En la tabla de funciones siguiente se muestra las lineas de entrada y salida para cada
posible combinacin.
S1 S0

I0

I1

I2

I3

IMPLEMENTACION DE CIRCUITOS
Sigueindo con el punto anterior(punto4.3), tenemos la implementacin de dos de los
circuitos ms usados en la lgica combinacional.
SUMADOR
Uno de los circuitos combinacionales ms usados es el de la adicin de "bits".
MEDIO SUMADOR:
Un circuito bsico y simple para explicar la funcin del sumador es la del medio
sumador que consiste en la adicin de 2 bits. Como se muestra en la tabla siguiente:
x y

C S

00

0 0

01

0 1

10

0 1

11

1 0

S e puede observar que se asigna a las 2 variables de entrada X y Y y a las 2

variables de salida C (acarreo) y S(salida)
El acarreo en la salida es "1" si las entradas son "1", en caso contrario es "0". La salida
S es el bit menos significativo de la suma.
Las funciones resultantes en forma de suma de productos son :
S = x'y + xy'
C = xy
Y la representacin de esta funcin en un diagrama lgico es :

SUMADOR COMPLETO:
El sumador completo consiste en un circuito combinacional que es la suma de tres bits
de entrada, consta de 3 variables de entrada y dos variables ( C y S) de salida:
xyz

000

001

010

011

100

101

110

111

Como se observa en la tabla x,y y z representan las diversas combinaciones de las

variables.
La salida S es igual a 1 solo cuando una entrada es 1. La salida C lleva una cuanta de los
"1", si 2 3 entradas son "1".
Al final se obtienen 2 funciones de salida en minitrminos :
S = x'y'z +x'yz' +xy'z' + xyz
C = xy +xz +yz
yel diagrama lgico es el siguiente:

RESTADORES:
En forma similar al sumador la sustraccin de numeros binarios se puede realizar en dos
formas:
MEDIO RESTADOR Y RESTADOR COMPLETO.
MEDIO RESTADOR:
Parecido al medio sumador de 2 bits, el medio restador posee 2 variables de entrada y 2
de salida:
x y

B D

00

0 0

01

1 1

10

0 1

11

0 0

La salida de B es 0 si x es mayor igual que y. La salida de D es resultado de la

operacin aritmtica 2B + x -y.Las funciones lgicas resultantes son:

D = x'y + xy'
B = x'y
El circuito de diseo es el siguiente:

RESTADOR COMPLETO:
Este circuito lleva a cabo una sustraccin entre 3 bits. Contiene 3 entradas y 2 salidas.
las 3 entradas x,y y z son el minuendo, sustraendo y la toma preva. Las 2 salidas D y B
son la diferencia y la salida:
xyz

000

001

010

011

100

101

110

111

Las funciones de salida son :

D = x'y'z + x'yz' +xy'z' + xyz
B = x'y +x'z +yz
El circuito para este restador completo es el siguiente:

El circuito es parecido al sumador completo.

3.8.3Familias lgicas.

FAMILIA LOGICA TTL

En la actualidad , la familia lgica transistor-transistor(TTL) todava tiene uso en
diversas aplicaciones.Su circuito lgico bsico es la compuerta NAND :

En la salida del circuito, los transistores Q3 y Q4 estan en una configuracin tipo

ttem. En funciones normales Q3 Q4 conducir segn su estado lgico.
CARACTERISTICAS DE LA SERIE TTL ESTANDAR:
En la actualidad diversas compaias se dedican a establecer diversas caracteristicas
de los CI digitales dependiendo de la compaia, pero en general se estandarizan.
Hojas de especificaciones de los fabricantes:
Para ilustrar las caractersticas de la serie TTL standar se usar la hoja de
especificaciones del CI 7400
TYPES SN5400,SN7400
QUADRUPLE 2-INPUT POSITIVE -NAND GATES

Recommended operating conditions

SN5400
MIN NOM
MAX
VCC Suply Voltage

4.5

SN7400
UNIT

MIN NOM
MAX
5.5 4.75

5.25

VIH High-level input voltage

VIL Low-level input voltage

0.8

IOH High-level output current

-0.4

IOL Low-level output current

16

TA Operating free-air temperature

-55
125

V
0.8

V
mA

-0.4

16

mA

70

Electrical characteristics over recommended operating free-air

temperature range( unless otherwise noted)

SN5400
PARAMETER

VIK
VOH
VOL

SN7400

TEST CONDITIONS

VCC =MIN II =12mA

VCC =MIN VIL =0.8V IOH =0.4m A

VCC =MIN VIH =2V IOL =16mA

II

VCC =MAX VI = 5.5V

IIH

VCC =MAX VI = 2.4

IIL

VCC =MAX VI =0.4

IOS

VCC = MAX

ICCH

VCC = MAX VI = 0V

ICCL

VCC =MAX VI= 4.5V

UNIT
MIN TYP
MAX

MIN TYP
MAX

-1.5

-1.5

2.4

3.4

2.4

0.2
0.4

40

40

-1.6

-1.6

-20
-55

-18
-55
4

V
V
mA
uA
mA
mA

4
8

12
22

3.4
0.2

0.4

12
22

mA
mA

HOJA DE ESPACIFICACIONES PARA CI 7400 ( CORTESIA DE

TEXAS INSTRUMENTS)
RANGOS DE VOLTAJE DE ALIMENTACION Y TEMPERATURA:
En las series 54 y 74 la fuente de alimentacin ( Vcc ) es de 5V , la serie 74 funciona
adecuadamente en un rango de 4.75 a 5.25V, en la serie 54 estos valores son desde 4.5 a
5.5 V. La serie 74 esta diseada para trabajar bajo temperaturas que van desde 0o a 70o
C, la serie 54 desde -55o hasta 125o C; por lo que la serie 54 es mas caro debido a su alta
tolerancia de temperatura.

NIVELES DE VOLTAJE
En la siguiente tabla se muestra los niveles de entrada y salida de voltaje de la serie
74 standar
NIVEL MINIMO TIPICO MAXIMO
VOL

--

0.1

0.4

VOL

2.4

3.4

--

VIL

--

--

0.8

VIH

2.0

--

--

El margen de ruido CD en estado bajo es de:

VNL = VIL (MAX) - VOL (MAX) = 0.8v-0.4V = 400mV
El margen de ruido CD en estado alto es :
VNH = VOH (MIN) - VIH (MIN) = 2.4V -2.0V = 400mV
DISIPACION DE POTENCIA .
Una compuerta NAND TTL disipa una potencia promedio de 10 mW, osea que ICCH sea
igual a 4mA y que ICCI sea de 12 mA, entonces ICC (prom) = 8mA y una PD (prom) =
8mA * 5V = 40mW
RETARDOS DE PROPAGACION.
Las series TTL standar tiene retardos de propagacin caractersticos de tPLH = 11ns y
tPHL = 7ns, y tiene un retardo de propagacin promedio de : tpd = 9 ns.
La serie TTL standart tiene un factor de carga tipico de 10, osea que se puede
conectar a 10 entradas TTL, nuevamente.

FAMILIA LOGICA ECL

La lgica TTL utiliza transitores en modo de saturacin, y asi dependiendo del
tiempo de almacenamiento va a ser su velocidad de transicin. Existe otra familia lgica
bipolar la cual evita la saturacin del transitor, y as aumentar su velocidad de
transicin. A esta familia se le conoce como lgica acoplada al emisor (ECL).
La ECL trabaja mediante la transicin de corriente con lo cual una corriente parcial
fija menor que IC(sat) es cambiada de un colector a otro del transisitor. debido a este
fenmeno tambien se le conoce cmo lgica de modo de corriente (CML).
CARACTERISTICAS DEL ECL.
Las caractersticas mas importenes de la familia lgica ECL son:

1.- Los transistores nunca se saturan, as que la velocidad de transicin es muy alta. El
tiempo de retraso comn en la propagacin es de 2 ns
2.-Los niveles lgicos son nominalmente -0.8V y -1.70V para el 1 y 0 lgicos.
3.-Los mrgenes de ruido de ECL en el peor de los casos es de 250 mV, esto hace al
ECL no muy seguro en procesos industriales
4.- Un bloque lgico ECL produce una salida y su complemento, y as elimina los
inversores.
5.- El factor de carga es de 25, la disipacin de potencia es de 25 mW
En la siguiente tabla aparece una comparacin de la ECL con otras familias TTL:
FAMILIA LOGICA

tpd(ns)

PD(mW)

MARGEN DE
RUIDO

INTENSIDAD(MHZ)

7400

10

400mV

25

74L00

33

400mV

74H00

23

400mV

40

74S00

23

300(VNL)

80

74LS00

9.5

300(VNL

30

ECL

25

250mV

120

FAMILIA LOGICA MOS

La tecnologa MOS ( semiconductor de xido metlico) se debe bsicamente a su
estructura bsica MOS de un electrodo metlico montado en un aislador de xido sobre
una base semiconductora. Los transistores usados son transisitores MOSFET.
Las ventajas del MOSFET es que es simple, debajo costo y ademas son pequeos y
de poco consumo de energa. Tambien los circuitos integrados MOS tienen mas
elementos de circuito en un solo integrado que los bipolares normales.
CARACTERISTICAS :
Velocidad de operacin.
La velocidad de propagacin depende de su alta impedancia de entrada Rout = 10 12
ohms, y asu capacitancia de comperta alta que es de C LOAD = 2 a 5 picofarad.
Margen de ruido.
Los margenes de ruido van de 1.5 V cuando opera desde VDD = 5V, y aumentar
proporcionalmente sea mayor el valos de VDD.

Factor de carga ( Fan-out).

Para frecuencias mayores de 100 KHz su capacitancia de entrada afecta el tiempo de
transicin, pero por lo general usa un factor de carga de 50, que es aceptable.
Consumo de energa.
Consumen pequea potencia debido a su alta impedancia de entrada, dependiendo de su
dos estados de operacin:
1.- VIN = 0V:RON(Q1) = 100 KOHM;ROFF(Q2)=10 10OHMS.ID corriente de la fuente
VDD
=0.05nA, Y PD = 5v*0.05nA = 0.25 nW
2.- VIN = 5V:RON(Q1) = 100 KOHM;ROFF(Q2)=1KHMS.LA ID = 5v/101k=50uA, Y PD = 5 *
50Ua = 0.25 mW.

FAMILIA LOGICA CMOS.

La familia lgica MOS complementaria (CMOS) utiliza los mosfet de canal p y n, la
CMOS es ms rpida y consume menos enrga que la otras familias lgicas al usar este
tipo de transistores, aunque es muy complejo su proceso de fabricacin, sin embrago la
CMOS ha crecido dentro del rea del MSI. El proceso de fabricacin es ms simple que
el del TTL.
CARACTERISTICAS BASICAS.
Voltaje de suministro de energa.
Algunos circuitos CMOS por ejemplo la serie 4000A el volteje VDD = 3-15Vy otros
dispositivos de la serie 4000B operan con valores de 3-18V.
Niveles de voltaje.
Los requisitos de voltaje de entrada de los dos estados lgicos de un CMOS se
especifican como un porcentaje del voltaje de suministro VDD como se muestra en la
siguiente tabla:
VOLTAJE

MINIMO

MAXIMO

VDD

3V

18V

VOH

VDD

--

VIH

70% VDD

--

VOL

--

0V

VIL

--

30% VDD

Margenes de ruido.
Segun la tabla anterior los margenes de ruido se calculan de la siguiente manera:

VNH = VOH(min) - VIH(min)

VNH = VDD - 70% VDD
VNH = 30% VDD

VNL = VIL(MAX)- VOL(MAX)

VNL= 30% VDD -0
VNL = 30%VDD

Disipacin de energa.
Cuando un circuito CMOS se encuentra en estado esttico, su disipacin de energa es
baja. aunque en condiciones normales de operacin es muy bueno.
Velocidad de transicin.
La velocidad de transicin es relativamente rpida debido a su muy baja imppedancia de
salida en cada estado.
Entradas que no se usan.
Las entradas CMOS nunca deben dejarse desconectadas. Todas las entradas CMOS
tienen que estar conectadas a un nivel fijo de voltaje, o bin a otra entrada.
Susceptibilidad a cargas estticas.
La alta impedancia en la entrada las hace especialmente propensas a una acumulacin
de cargasa estticas y as producir voltajes altos que daen el aislamiento electrosttico
entre la compuerta y el canal del MOSFET.
Dentro de otras caractersticas que presenta la serie CMOS se encuentran los tiempos de
transicin de entrada y el factor de carga (fan-out)
INTERFACES CMOS/TTL
Dentro de las interfaces de CMOS a TTL se utiliza el trmino de sincronizacin,
sincronizacin es aquel circuito que toma la seal de salida de un circuito impulsor de
tal manera de hacerlo compatible con los requisitos de carga.
Dentro de esta gama de interfaces se encuentra una de la cual es muy importante se
trata de CMOS conduciendo a TTL; en el cual la entrada CMOS es mul alta,
referiendose al trmino de impulsor este no se cargara, esto es a grandes rasgos parte de
las interfaces existe otra que es la de CMOS de alto voltaje impulsado por TTL

Familias TTL y CMOS

La compuerta TTL fue una mejora introducida a la compuerta DTL. Los parmetros ms
importantes de las compuertas TTL son el retardo de propagacin (ns), la disipacin de potencia
(mW), y el producto velocidad -potencia (pJ). El producto velocidad-potencia indica un retardo
en la propagacin con una disipacin de potencia determinada.

Caractersticas Generales de los Circuitos Digitales

Las caractersticas de un circuito digital se usan con el fin de comparar las compuertas de las
distintas familias lgicas. Estas se listan a continuacin:

o
o
o

Fan Out (Cargabilidad de salida): Es el mximo nmero de

cargas que pueden ser gobernadas en la salida de la compuerta sin alterar su operacin
normal.
Fan In (Cargabilidad de entrada): Es el mximo nmero de
entradas que puede tener una compuerta.
Tensin de Umbral: Una curva de transferencia de una puerta
lgica inversora se muestra en la figura 9.1.1. En la figura se distinguen dos tensiones
de umbral; la primera para el estado lgico cero (Vu, 0) y la segunda para el estado
lgico uno (Vu, 1). Los puntos de pendiente -1 representan estas tensiones de umbral . Por
lo tanto, la tensin de umbral es la tensin en la que la compuerta comienza a cambiar
de estado lgico.
Margen de ruido: Es el lmite de tensin de ruido admisible a la
entrada del elemento lgico, sin registrar cambios en el estado de la salida. Existen dos
mrgenes de un ruido, uno para el estado lgico uno y otro para el estado lgico cero.

Figura 9.1.1. Curva de transferencia de un circuito lgico inversor

Vsal, 0 mx = Mxima tensin en la salida de una compuerta cuando su estado lgico es cero y con
cargabilidad de salida mxima.
Vsal, 1 mn = Mnima tensin a la salida de una compuerta cuando su estado lgico es uno y con
cargabilidad mxima posible.
Vu, 0 = Tensin de umbral del estado lgico de entrada cero.
Vu, 1 = Tensin de umbral del estado lgico de entrada uno.
En circuitos digitales es comn conectar dos puertas de las mismas caractersticas, una
enseguida de otra, tal como indica la figura 9.1.2. Por consiguiente, la tensin mxima de
entrada en estado cero VE,0 mx, es equivalente a la mxima tensin de salida en estado cero Vs,0
mx. De igual forma, la tensin mnima de entrada en estado uno VE,1 mn es igual a la tensin
mnima de salida en estado uno Vs,1 mn.

Figura 9.1.2. Compuertas Lgicas Interconectadas.

Los margenes de ruido se definen de la forma siguiente:
Margen de ruido en estado cero a la entrada: Es la diferencia entre Vu, 0 y VE,0 mx.
M0 = Vu, 0 - VE,0 mx = Vu, 0 - Vs,0 mx
Margen de ruido en estado uno a la entrada: Es la diferencia entre VE,1 mn y Vu, 1.
M1 = VE,1 mn - Vu, 1 = Vs,1 mn - Vu, 1

o
o

Tiempo de programacin medio (tpd): Es el tiempo de retardo

promedio en la transicin de una seal de la entrada a la salida en los casos que esta
pasa del estado 1 a 0 y viceversa.
Potencia disipada: Es la potencia consumida por la compuerta.
La disipacin de potencia en funcin de la frecuencia de una compuerta TTL es
constante dentro del rango de operacin. En cambio, la compuerta CMOS depende de al
frecuencia (ver figura 9.1.3).

Figura 9.1.3. Curva de potencia en funcin de la frecuencia

Producto potencia dispada-tiempo de propagacin: Es el

producto de los dos tipos de caractersticas mencionadas.

La velocidad de la compuerta es inversamente proporcional al retardo de propagacin.

Familia TTL (Lgica de Transistor - Transistor)

Esta fue la primera familia de xito comercial, se utiliz entre 1965 y 1985. Los circuitos TTL
utilizan transistores bipolares y algunas resistencias de polarizacin. La tensin nominal de
alimentacin de los circuitos TTL son 5 V DC.
Niveles Lgicos TTL

En el estudio de los circuitos lgicos, existen cuatro especificaciones lgicos diferentes: VIL, VIH,
VOL y VOH.
En los circuitos TTL, VIL es la tensin de entrada vlida para el rango 0 a 0.8 V que representa
un nivel lgico 0 (BAJO). El rango de tensin VIH representa la tensiones vlidas de un 1 lgico
entre 2 y 5 V. El rango de valores 0.8 a 2 V determinan un funcionamiento no predecible, por la
tanto estos valores no son permitidos. El rango de tensiones de salida VOL, VOH se muestra en la
figura 9.1.4.

Figura 9.1.4. Nivel lgico de entrada de un circuito TTL

Circuitos Lgicos CMOS (Metal xido Semiconductor Complementario)

La tecnologa CMOS es la ms utilizada actualmente para la construccin de
circuitos integrados digitales, como las compuertas, hasta los circuitos como las
memorias y los microprocesadores. La tensin nominal de alimentacin de los
circuitos CMOS son +5 V y +3,3 V.
Niveles Lgicos CMOS
En la figura 9.1.5. se muestran las tensiones VIL, VIH, VOL, VOH vlidas para los dispositivos CMOS
de nivel +5 VDC.

Figura 9.1.5. Nivel Lgico de Entrada de un circuito CMOS +5 V

__
Configuracin de Salidas en las Familias TTL y CMOS
El funcionamiento interno de estos dispositivos se rige por dos estados bien diferenciados a los
cuales se les asigna los valores lgicos uno o cero. La convencin es asignar el valor lgico uno
al interruptor y el valor lgico cero al interruptor abierto. En lugar de interruptores se usan
transistores bipolares o unipolares.

Configuraciones de Salida en las Compuertas TTL

Las compuertas TTL tienes tres tipos de configuraciones de salida:
1.
2.
3.

Salida de Colector Abierto.

Salida de Poste Totmico.
Salida de Tres Estados.

Compuerta con Salida de Colector Abierto

La compuerta bsica TTL fue una modificacin DTL. La figura de la compuerta citada se muestra
en la figura 9.2.1.

Figura 9.2.1. Compuerta NAND TTL de colector abierto

La resistencia externa RL debe conectarse para que la salida hale hacia el nivel alto, cuando el
transistor Q3 est en corte.
Si cualquiera de los niveles lgicos de entrada es cero, la juntura base-emisor en Q1 se polariza
directamente. Por consiguiente, la tensin en la base Q1 es igual a:
0.2 V(Tensin de entrada) + 0.7(VbeQ1) = VbQ1 = 0.9 V
El transistor Q3 comienza a conducir cuando la suma de las cadas de tensin de VbcQ1, VbeQ2 y
VbeQ3 sean superiores a 1.8 V. Como la tensin en VbQ1 es 0.9.V, el transistor Q3 queda en
estado de corte. Por lo tanto, s se conecta una resistencia al colector, la tensin de salida ser
un 1 lgico.
Si todos los niveles lgicos de entrada son 1, los transistores Q2 y Q3 se saturan debido a que la
tensin en la base de Q1 es superior a la suma de las cadas de tensin VbcQ1, VbeQ2 y VbeQ3.
Entonces el estado de salida es igual a cero lgico (0).

Compuerta con Salida de Tipo Totmico (Totem Pole)

Las compuertas se caracterizan por tener una impedancia de salida determinada. Esta
impedancia se compone de una resistencia ms una capacitancia. La capacitancia se carga
exponencialmente de bajo a alto segn la constante de tiempo RC, cuando el transistor de salida
pasa de bajo a alto. La diferencia entre una compuerta de colector abierto y una de tipo
totmico radica en el transistor Q4 y el diodo D1.

Figura 9.2.2. Compuerta TTL de salida tipo totmico

La salida es baja cuando Q2 y Q3 se encuentran en saturacin como en la compuerta de colector
abierto. La ecuacin siguiente expresa el valor de la tensin en el colector de Q2:
0.7(VbeQ3) + 0.2 V(VceQ2) = VcQ2 = 0.9 V
Como F = VceQ3 = 0.2 V, el transistor Q4 est en corte por:
0.6 V(VbeQ4) + 0.6 V(VD1) < 0.11 V(VcQ2 VbQ4)
ya que VcQ2 = VbQ4 . Por lo tanto Q4 est en corte. El diodo se coloca para provocar una cada en
el lazo y asegurar el corte de Q4 con Q3 saturado.
En una transicin de estado lgico 1 en la salida por causa de cambio en la entrada a 0, los
transistores Q2 y Q3 se cortan. En este caso, la salida se mantiene un instante de tiempo baja
debido a que el voltaje en el condensador no puede cambiar instantneamente. En el momento
que Q2 entra en corte, Q4 conduce por el voltaje conectado a su base a travs de la resistencia
de 1.6 KW. El transistor Q4 se satura momentneamente por la corriente exigida por el
condensador, incrementndose el voltaje de acuerdo a una constante de tiempo RC. El proceso
anterior es rpido por la baja resistencia equivalente entre 130 KW, la resistencia de saturacin
del transistor y la resistencia del diodo. Por consiguiente, la transicin de un valor lgico bajo a
uno alto es ms rpida. En la medida de acumulacin de carga a la salida, el voltaje de salida la
corriente por el transistor Q4 disminuye, por lo que ste pasa a la regin activa. Entonces, el
voltaje de salida es:
F = 5 - 0.6 V(VbeQ4) - 0.6 V(VD1) = 3.6 V
Compuerta con Salida de Tres Estados (Triestado)
Las compuertas de tres estados por su construccin se clasifican en TTL y CMOS.

La compuerta de tres estados se presenta en las compuertas de tipo totmico que permiten la
conexin alambrada de las salidas para formar un bus comn.
Las compuertas de tres estados tienen los siguientes estados de salida:
4.
5.
6.

Un estado de bajo nivel (0).

Un estado de alto nivel (1).
un estado de alta impedancia o estado flotante (Z).

En la figura 9.2.3. se muestran los smbolos de las compuertas.

Figura 9.2.3. Compuertas de tres estados

La compuerta de tres estados funciona normalmente con la entrada B1 en alto. La compuerta
inversora de tres estados se activa en su funcionamiento con la entrada B2 en bajo. Cuando la
entrada C es baja, la salida es un circuito abierto con con una impedancia alta, independiente
del valor lgico en la entrada A1 (Ver figura Figura 9.2.3.a). En el estado Z no existe posibilidad
de circulacin de corriente en ningn sentido. En la tabla 9.2.1. se indican los valores de salida
para estas dos compuertas.
A1 B1 C1 A2 B2

C2

Tabla 9.2.1. Compuertas TTL de tres estados

Compuerta de Tres Estados TTL
El circuito en estado Z se basa en bloquear los dos transistores de la salida Totem- Pole a la vez
cuando se active la entrada de control. La figura 9.2.4. muestra el inversor TTL 3-State. La
entrada B2 en alto, hace que el transistor T5 se corte; por lo tanto la corriente base colector de
T5 satura los transistores T6 y T7. El diodo D6 conduce y esto produce que los transistores de
salida del circuito se corten, debido al potencial bajo en el emisor de T1 y el colector de T2. La
conduccin de T1, bloquea a T2 y T4 no recibe corriente en la base, por lo que entra a estado de
corte. De otro lado, el colector del transistor T2 queda a un potencial muy prximo a masa,
llevando a T3 a corte.

Figura 9.2.4. Circuito Inversor de tres estados TTL

Compuerta de Tres Estados CMOS
En el circuito CMOS de la figura 9.2.5., el estado de la salida es igual a la entrada slo si la
entrada B1 est en nivel alto (1). Cuando la entrada B1 est en nivel bajo (0), la salida se
encuentra en nivel de impedancia alta (Z) y es independiente del nivel de entrada A1. En el
funcionamiento del circuito interno de la figura 9.2.5., en el estado de entrada B1=0 conduce el
transistor QP1 (canal P) y la activacin de este elemento hace conducir a QN3 (canal N); por lo
tanto el drenador QN3 queda a un potencial de 0 V y esto sita al transistor QN5 en estado de
corte. El potencial de 0 V en la puerta del transistor QP3 hace conducir a ste, colocando al
transistor QP5 en estado de corte. En este estado de la entrada de control, los transistores de salida QP5 y
QN5 estn en corte y el terminal de salida queda en estado de alta impedancia o tercer estado.
Cuando la entrada B1 est en nivel bajo (1), el estado de salida es igual de la entrada, tal como
se deduce del funcionamiento del circuito. Si la compuerta tiene estado de entrada A1=1,
conduce el transistor QP5 y QN5 entra en corte, lo cual hace la salida C1 igual a 1. Cuando A1=0,
conduce el transistor QN5 y QP5 entra en corte, lo cual hace la salida C1 igual a 0.

Figura 9.2.5. Circuito de tres estados CMOS

__
Las compuertas se encuentran disponibles segn la tecnologa de fabricacin.

Familia CMOS
Inversor
Un dispositivo CMOS consiste en distintos dispositivos MOS interconectados para formar
funciones lgicas. Los circuitos CMOS combinan transistores PMOS y NMOS. El conocimiento
sobre el funcionamiento de los transistores MOS es importante para la comprensin de la
leccin. La convencin de los transistores MOS de canal p y canal n es la siguiente:

Figura 9.3.1. Smbolos para transistores MOS

La operacin del transistor MOS se basa en los siguientes preceptos bsicos:
1.
2.
3.

El transistor MOS de canal p conduce cuando el voltaje de

puerta a fuente es negativo.
El transistor MOS de canal n conduce cuando el voltaje de
puerta a fuente es positivo.
Cualquiera de los dos dispositivos entra a corte cuando el
voltaje de puerta a fuente es cero.

El circuito mostrado en la figura 9.3.2. representa un inversor CMOS y est formado por un
transistor de canal tipo P(QP1) y otro de canal tipo N(QN1). Cuando la entrada A1 est en nivel
bajo (0), QP1 y QN1 estn a potencial cero. La entrada est a 0 V con respecto a la fuente de QN1
y a -VSS con respecto a la fuente de QP1. Como resultado el transistor QP1 se activa y el transistor

QN1 se pone en estado de corte. El resultado es un camino de baja impedancia de VSS a la salida
F y uno de alta impedancia de tierra a la salida.
Cuando la entrada A1 est en nivel alto (1), QP1 y QN1 estn a potencial VSS. Como resultado el
transistor QP1 se pone en estado de corte y el transistor QN1 se activa. El resultado es un camino
de baja impedancia de tierra a la salida y uno de alta impedancia de VSS a la salida F. La tabla
9.3.1. ilustra los estados en el circuito lgico.
A1

Q1

Q2

ON

OFF 1

OFF

ON

Tabla 9.3.1. Tabla de Estados del Inversor CMOS

Figura 9.3.2. Circuito lgico de un inversor CMOS

Compuerta NAND
En una compuerta NAND CMOS, las entradas en nivel alto, hacen que los transistores QP1 y QP2
entren en corte y ambos transistores QN1 y QN2 en conduccin (Ver Tabla 9.3.2). La salida pasa a
bajo (0) a travs de QN1 y QN2.
Cuando ambas entradas estn en bajo, QP1 y QP2 entran a conduccin y QN1 y QN2 entran a corte.
La salida pasa a alto a travs de QP1 y QP2.
En las parejas de transistores ya sean de canal n de canal p, si cualquier entrada es baja, uno
de los transistores entra a corte y otro a conduccin. La salida pasa a alto (1) acoplandose a
travs del transistor en conduccin a VSS. El circuito mostrado en la figura 9.3.3. representa una
compuerta NAND CMOS.
A1

B1

QP1

QP2

QN1

QN2

ON

ON

OFF

OFF 1

ON

OFF

OFF

ON

OFF

ON

ON

OFF 1

OFF

OFF

ON

ON

Tabla 9.3.2. Tabla de estados de la compuerta NAND CMOS

Figura 9.3.3. Circuito lgico de la compuerta NAND CMOS

Las entradas no usadas de una compuerta CMOS no se pueden dejar abiertas, porque la salida
resulta ambigua. Cuando sobra alguna entrada de una compuerta CMOS se debe conectar a otra
entrada o a uno de los dos terminales de alimentacin. Esto tambin es vlido para circuitos
secuenciales y dems circuitos CMOS. Ejemplo: Contadores, Flip-Flops, etc.
Compuerta NOR
En una compuerta NOR CMOS, las entradas en nivel alto, hacen que los transistores QP1 y QP2
entren en corte y ambos transistores QN1 y QN2 en conduccin (Ver Tabla 9.3.3). La salida pasa a
bajo (0) a travs de QN1 y QN2.
Cuando ambas entradas estn en bajo, QP1 y QP2 entran a conduccin y QN1 y QN2 entran a corte.
La salida pasa a alto (1)a travs de QP1 y QP2.
En las parejas de transistores ya sean de canal n de canal p, si cualquier entrada es baja, uno
de los transistores entra a corte y otro a conduccin. La salida pasa a bajo (0) acoplandose a
travs del transistor en conduccin a tierra. El circuito mostrado en la figura 9.3.4. representa
una compuerta NOR CMOS.
A1

B1

QP1

QP2

QN1

QN2

ON

ON

OFF

OFF 1

ON

OFF

OFF

ON

OFF

ON

ON

OFF 0

OFF

OFF

ON

ON

Tabla 9.3.3. Tabla de estados de la compuerta NOR CMOS

Figura 9.3.4. Circuito lgico de la compuerta NOR CMOS

Familia TTL
INVERSOR
La descripcin de los elementos del inversor lgico de la figura 9.3.5. se muestra en la tabla
9.3.4. Cuando la entrada E es alta (1), la unin base-emisor de Q1 se polariza inversamente y la
unin base colector se polariza directamente. La circulacin de corriente por esta juntura
provoca la saturacin del transistor Q2. El transistor Q2 excita a Q3, acercndose el potencial de
colector de ste a tierra. La tensin de colector de Q3, bloquea el transistor Q4.
Cuando la entrada est en nivel bajo (0), la unin base-emisor de Q1 se polariza directamente y
la unin base colector se polariza inversamente. La circulacin de corriente por esta juntura
tiene el sentido hacia tierra. Q2 entra en estado de corte por la ausencia de circulacin de
corriente en su base. Por lo tanto, el colector del transistor Q2 est en nivel alto y hace entrar en
conduccin a Q4. La saturacin de Q4 permite un nivel lgico 1 en la salida. El potencial de tierra
en el emisor de Q2 impide la conduccin de Q3.
Dispositivo

Descripcin

Q1

Transistor de acoplamiento

D1

Diodo de fijacin de nivel de entrada

Q2

Transistor divisor de fase

Q3 y Q4

Transistores Totem Pole

Tabla 9.3.4. Tabla descriptiva de los elementos del inversor

Figura 9.3.5. Circuito lgico de un inversor lgico TTL

NAND
La compuertas NAND se detall en la leccin de configuraciones de salida TTL.
Comparacin entre las Distintas Familias Lgicas
Las caractersticas vistas en la leccin 1 se utilizan usualmente para comparar las distintas familas
lgicas. Las caractersticas estticas y las dinmicas sirven de buen comparacin entre las familias
lgicas. La compuerta NAND sirve de comparacin entre cada familia.

Caractersticas Estticas
Entre las caractersticas estticas escogidas se encuentran:

o
o
o
o
o

Funcin de transferencia.
Caractersticas de entrada.
Caractersticas de salida.
Cargabilidad de salida (Fan-Out).
Disipacin de potencia.

Funcin de Transferencia
La funcin de transferencia de tecnologa CMOS se aproxima ms a la ideal en comparacin con la
tecnologia TTL. Entre las razones ms importantes se encuentran los estados bajo (0) y alto (1)
sin carga, el umbral de conmutacin y el margen de transicin nulo.
Caractersticas de Entrada
Los estados en los niveles de tensin de entrada y salida se explicaron en la leccin 1. En la
familia TTL los niveles lgicos bajos son ms importantes que los niveles altos. De las grficos
9.1.4. y 9.1.5. se puede concluir la preferencia de un valor VILmx lo ms elevado posible y un valor
VIHmn lo ms reducido posible.
Caractersticas de Salida
Las entradas de las compuertas CMOS nunca deben dejarse flotantes. La estructura de entrada de
un elemento TTL contiene una resistencia que proporciona un camino a Vss. La estructura de los
dispositivos CMOS no contiene la resistencia y tiene una impedancia de entrada extremadamente
alta. Por la anterior, un ruido pequeo hace que la entrada sea baja alta. En el caso de un ruido

entre el nivel lgico 0 y 1, los dos transistores de entrada pueden estar en conduccin y puede
circular una corriente excesiva. En ocasiones la corriente afecta la fuente de tensin y crea una
oscilacin de alta frecuencia en la salida del dispositivo. Segn especificacin del fabricante es
necesario conectar la entrada de estos dispositivos a Vss, tierra u otra fuente. Las figuras 9.1.4. y
9.1.5. establecen la diferencia de salida entre las familias TTL y CMOS.
Cargabilidad de Salida (Fan-Out)
La cargabilidad se puede establecer de acuerdo a nmero mximo de cargas que se pueden
conectar a la salida de una compuerta, para una tensin de salida a nivel bajo de 0.3 V (VOL= 0.3
V). La referencia 4000B tiene un fan - out menor en comparacin a la familia TTL estndar.
Disipacin de Potencia
Por razones econmicas predominan los dispositivos de baja disipacin de potencia. La diferencia
de potencia CMOS es un milln de veces menor a la familia TTL.

Caractersticas Dinmicas
La caracterstica dinmica de una familia lgica es el comportamiento del dispositivo ante la
conmutacin. Las caractersticas dinmicas ms importantes son:

o
o

Retardo de propagacin y frecuencia mxima de funcionamiento.

Disipacin de potencia en conmutacin. (familia CMOS).

Retardo de propagacin y frecuencia mxima de funcionamiento

El diseo de un sistema digital de un regimen de trabajo a alta velocidad debe incluir un tiempo de
retardo de propagacin de compuertas bajo. Lgicamente, un menor retardo de propagacin se
traduce en una mayor frecuencia mxima de funcionamiento. El tiempo de propagacin medio (tPD)
se mide en nS y la mxima de frecuencia de funcionamiento en MHz. En la tabla 9.4.1. se
muestran los tiempos de la familias lgicas TTL y CMOS.
Disipacin de Potencia en Conmutacin
En la familia CMOS, la disipacin de potencia se da prcticamente en rgimen de conmutacin. La
mayor disipacin de potencia en regimen esttico ocurre en la familia TTL.
La tabla 9.4.1. muestra algunas caractersticas de las compuertas TTL y CMOS.
Caractersticas

TTL
F

Retardo de Propagacin de puerta, tp (ns)

Frecuencia mxima de reloj (MHz)
Excitacin de salida IOL(mA)

CMOS 3,3 V

LS ALS LV LVC ALVC HC AC

3,3 10

145 33 45
20

CMOS 5 V

4,3

90 100

150

12 24

24

AHC
3,7

50 160 170
4

24

Tabla 9.4.1. Caractersticas de Compuertas TTL y CMOS

Compuerta de Transmisin CMOS

La compuerta de transmisin es un dispositivo utilizado como interruptor controlado

por tensin. Generalmente se emplean transistores para cumplir la funcin de
interrupcin y existen compuertas en tecnologa NMOS, PMOS y CMOS.
Compuerta de transmisin NMOS

La compuerta NMOS corresponde a un transistor MOS de canal N conectado en la

configuracin que se muestra en la figura 9.5.1. En la figura se observa que la fuente se
encuentra conectada a tierra. Este transistor puede conducir corriente en cualquiera de
sus dos direcciones (Vsal/Vent o viceversa) cuando la tensin en la compuerta (VG)
supere la tensin de umbral para encenderlo, es decir, aplicando un 1 lgico.

Figura 9.5.1. Compuerta de Transmisin NMOS

Compuerta de transmisin PMOS
El transistor MOS de canal P conectado en la configuracin de la figura 9.5.2 funciona
como compuerta de transmisin. Su funcionamiento es similar a la compuerta de
transmisin NMOS, excepto que la lgica que maneja para entrar en conduccin es
inversa, es decir que la tensin en la compuerta (VG) debe ser negativa para encender el
transistor, en este caso la seal aplicada corresponde a un 0 lgico.

Figura 9.5.2. Compuerta de Transmisin PMOS

Compuerta de transmisin CMOS
Esta compuerta agrupa algunas caractersticas de las compuertas de transmisin NMOS
y PMOS. En la figura 9.5.3 (a) se ilustra el circuito de esta compuerta, observe que esta
compuerta contiene un transistor NMOS, un PMOS y un Inversor.

Figura 9.5.3. Compuerta de transmisin CMOS

El inversor es empleado para tener una sola seal de control para encender o apagar los
transistores. Cuando VC se encuentra en bajo (0 lgico) el transistor NMOS se apaga al
igual que el transistor PMOS, anlogamente, si la tensin VC cambia alto (1 lgico), los
transistores se encenderan. Existe otra representacin de esta compuerta de transmisin,
la cual se ilustra en la figura 9.5.3 (b). Note que la compuerta no tiene incluido el
inversor y que las seales de control son C y C'. Otra opcin de representacin se
muestra en la figura 9.5.3 (c).
FAMILIAS LGICAS BSICAS
A partir de ahora, entraremos en lo que realmente es la electrnica digital. Para ello,
comenzaremos por descubrir cmo estn diseadas, electrnicamente, las puertas
lgicas, as como describiremos las primeras familias lgicas que dieron lugar a las
distintas puertas.
Antes de abordar lo que es el diseo de las puertas lgicas, hay que dejar claros algunos
conceptos que aparecern a partir de ahora.
Desde un punto de vista electrnico, en un sistema de continua o nivel lgico, un bit se
caracteriza por uno de los dos niveles de tensin, es decir, las variables vendrn en la
forma de una tensin que puede ser alta o baja. As, se definen dos niveles de tensin, a
uno le corresponder el 1 lgico y al otro el 0 lgico. Por lo tanto, tendremos dos clases
de lgicas:
Si la tensin ms positiva es el nivel 1, y la otra es el nivel 0, se dice que el sistema
emplea lgica positiva.
Si, por el contrario, se designa al nivel 1 el estado de tensin ms negativo y el ms
positivo al 0 lgico, entonces diremos que estamos ante una lgica negativa.

Puerta lgica OR diseada con ambas lgicas, positiva y negativa

La puerta AND en lgica negativa utiliza el mismo circuito de la puerta OR en

lgica positiva
Cabe destacar que los valores absolutos de las dos tensiones no tienen significado en
estas definiciones. Por ejemplo, el estado 0 no representa necesariamente el nivel de
tensin 0.
Los niveles digitales no se especifican con precisin sino que cada estado se define con
un margen de tensiones dentro de cada nivel. Esto se debe a varias razones:
1.Los parmetros de un dispositivo fsico, como puede ser un transistor, no son
idnticos de un elemento a otro, an perteneciendo a la misma familia; adems, varan
con la temperatura.
2.Puede haber rizado o picos de tensin en la fuente de alimentacin o en las tomas de
tierra, as como otras fuentes de seal perturbadoras que representan lo que se denomina
ruido del circuito.
Para entender cmo puede hacer variar a una puerta un cambio de lgica, estudiaremos
el caso de una puerta AND. Llamaremos L al nivel bajo de tensin y H al nivel alto.
En lgica positiva nos dara:
AB S SAB
LLL000
LHL010
HLL100
HHH111
Si ahora lo pasamos a lgica negativa resultar:
AB SAB S
LLL111

LHL101
HLL011
HHH000
Si nos fijamos en ambas tablas de verdad, observaremos que en lgica positiva la puerta
que se define es una AND; mientras que, por el contrario, en la segunda tabla la funcin
definida es una OR. Por consiguiente, a la hora de disear nuestra puertas lgicas,
hemos de tener en cuenta si vamos a actuar con lgica positiva o negativa.
La familia lgica de diodos
Esta lgica es la ms sencilla de todas y est basada en la conduccin o no de los
diodos. Se construyen empleando bsicamente diodos. Observemos una puerta OR en
lgica negativa. Las resistencias que aparecen delante de los diodos son las que
incorpora el propio generador de tensin.
Consideremos, primero, el caso en que la tensin presente en las entradas A, B y C,
tenga un valor igual a la tensin del nivel 0; entonces, la diferencia de potencial en cada
uno de los diodos ser 0. Como para que cada diodo conduzca es preciso que est
polarizado en sentido directo con un valor superior a su tensin umbral, ninguno de los
diodos conducir. Por lo tanto, la tensin que hay en la salida es la tensin del nivel 0,
es decir, habr un 0 lgico en su salida.
Si ahora la entrada A pasa al estado 1, lo cual para la lgica negativa significa el
potencial menos positivo que en el estado 0, entonces D1 conducir y, por lo tanto, la
tensin que habr en la salida ser la misma que hay en la entrada A ms la tensin
umbral del diodo. De manera que en la salida tendremos un 1 lgico.
Si considerramos el caso de una puerta AND en lgica negativa nos daramos cuenta
de que tiene el mismo funcionamiento que una puerta OR en lgica positiva. De hecho,
si comparamos ambas figuras, veremos que el circuito de una AND en lgica negativa y
una OR en lgica positiva es el mismo.
La desventaja de esta familia lgica es que, si se empalman varias puertas de diodos
seguidas, hay un desplazamiento de los niveles lgicos a causa de las cadas de tensin
producidas en los diodos que conducen. Otro de los inconvenientes que tiene es que no
se puede construir la puerta NOT.
La lgica DCTL y RTL
La lgica de transistores directamente acoplados o DCTL (Direct Coupled Transistor
Logic) se basa en las condiciones de corte y saturacin de un transistor. A cada una de
las puertas se le hace corresponder un transistor que permitir o no el paso de corriente
hacia la salida segn el nivel en que se encuentre su entrada correspondiente.

La lgida DCTL se basa en la propiedad de los transistores de corte y saturacin

Para mostrar cmo funciona dicha lgica pondremos un ejemplo. Consideremos
primeramente que todas las entradas se hallan a nivel 0 y que estamos en lgica
positiva.
Puesto que la tensin colector-emisor de un transistor de silicio saturado es de 0,2 V, y
su tensin umbral es de 0,5 V, el transistor Q1 conducir muy poco. En consecuencia, la
corriente en Q1 es casi cero y la salida tiende a alcanzar la tensin de alimentacin +V,
quedando la salida fijada en una tensin basede 0,8 V para el silicio.
Por consiguiente, con todas las entradas en el estado 0, la salida est a nivel alto.
Si consideramos que la entrada A est a nivel 1, el transistor Q1 estar en saturacin, y
la salida ser la tensin colector-emisor de un transistor saturado, si es de silicio 0,2 V.
Luego, la salida estar a nivel bajo.
Los inconvenientes en esta familia lgica son:
Las corrientes inversas de saturacin de todos los transistores de entrada se suman a la
resistencia R del circuito del colector comn y, a determinadas temperaturas, la cada de
tensin puede ser tan baja que los transistores no saturen.
Las diferentes caractersticas en los transistores pueden llegar a pertubar el buen
funcionamiento de la puerta.
Para solucionar este problema se crearon las puertas RTL, que consisten en el mismo
tipo de circuito pero aadiendo unas resistencias en las bases de los transistores de las
entradas. El funcionamiento es anlogo a las DCTL.

Puerta RTL

3.8.4Aplicacin de compuertas lgicas.

3.9 Lgica secuencial.
Los circuitos digitales que hasta ahora se han considerado, han sido
combinacionales, esto es, las salidas en cualquier momento dependen por
completo de las entradas presentes en ese tiempo. Aunque cualquier sistema
digital es suceptible de tener circuitos combinacionales, la mayoria de los
sistemas que se encuentran en la practica tambien incluyen elementos de
memoria, los cuales requieren que el sistema se describa en terminos de
Logica Secuencial.
Un diagrama a bloques de un circuito secuencial consta de un circuito
combinacional al que se conectan elementos de memoria para formar una
trayectoria de retroalimentacion. Los elementos de memoria son dispositivos
capaces de almacenar dentro de ellos informacion binaria.La informacion
binaria almacenada en los elementos de memoria en cualquier dado se define
como el estado del circuito secuencial.
El circuito secuencial recibe informacion binaria de entradas externas. Estas
entradas, junto con el estado
presente de los elementos de memoria, determinan el valor binario en las
terminales de salida. Tambien determinan las condiciones para cambiar el
estado en los elementos de memoria.
Hay dos tipos principales de circuitos secuenciales. Su clasificacion
depende del temporizado de sus seales. Un circuito secuencial sincrono es un
sistema cuyo comportamiento puede definirse por el conocimiento de sus
seales en instantes discretos de tiempo. El comportamiento de un circuito
secuencial asincrono depende del orden en el cual cambian sus seales de
entrada y puede afectarse en cualquier instante de tiempo.Los elementos de

memoria que por lo comun se utilizan en los circuitos secuenciales asincronos

son dispositivos de retardo de tiempo.La capacidad de memoria de un
dispositivo de retardo de tiempo se debe al hecho de que toma un tiempo
finito para que la seal se propague a travez del dispositivo.
Un sistema logico secuencial asincrono, por definicion, debe emplear
seales que afecten los elementos de memoria solo en instantes discretos de
tiempo. Una forma de lograr este objetivo es usar pulsos de duracion limitada
a travez del sistema, de modo que una amplitud de pulso represente la logica 1
y otra amplitud (o la ausencia de pulso) represente la logica 0.
Los sistemas logicos secuenciales sincronos utilizan amplitudes fijas, como
niveles de voltaje para seales binarias. La sincronizacion se logra a travez de
un dispositivo sincronizador llamado reloj maestro generador, el cual genera
un tren periodico de pulsos de reloj.Los pulsos de reloj se distribuyen a travez
del sistema de tal forma que los elementos de memoria estan afectados solo
por la llegada del pulso de sincronizacion.
Los elementos de memoria que se utilizan en los circuitos secuenciales de
reloj se llaman flip-flops estos circuitos son celdas binarias capaces de
almacenar un bit de informacon. Un circuito flip-flop tiene dos salidas, una
para el valor normal y otra para el valor complementario del bit almacenado
en el. la informacion binaria puede entrar a un flip-flop es una gran varidead
de formas, hecho que da lugar a diferentes tipos de flip-flops.
ELEMENTOS BIESTABLES
Dentro de los circuitos lgicos que se han estado analizando por lo regular son circuitos
en el cual la salida depende de lo que en ese momenrto se tenga a la entrada sea que no
tienen la capacidad de guardar un cambio hecho en diferente lapso del tiempo.
En la siguiente figura se muestra un sistema digital en el cual se relacionan compuertas
lgicas con dispositivos de memoria, dentro del cual se analizar los elementos de
memoria bsicos en cual quier circuito que son los biestables ( flip-flops).

En la siguiente figura se presenta un circuito bsico de un flip-flop con compuertas

NAND:

Su tabla de verdad es la siguiente:

S R Q Q'
1

1( despues que S=1,R=0)

0(despues que S=0,R=1)

3.9.1Flips-flops.
Un circuito flip-flop puede mantener un estado binario en forma indefinida
(en cuanto se suministre potencia al circuito) hasta que recibe la direccion de
una seal de entrada para cambiar de estado.La diferencia principal entre los
diversos tipos de flip-flops esta en el numero de entradas que poseen y en la
manera en la cual las entradas afectan el estado binario.
Circuito Basico Flip-Flop
Como ya se menciono anteriormente, estos circuitos pueden construirse con
compuertas NAND o dos compuertas NOR. Cada circuito forma un flip-flop
basico, La conexion y el acoplamiento cruzado mediante la salida de una
compuerta a la entrada de otra constituye una trayectoria de retroalimentacion.
Por esta razon los circuitos se clasifican como secuenciales asincronos. Cada
flip-flop tiene dos salidas Q y Q', y dos entradas, SET para ajustar y RESET
para restaurar. A este tipo de flip-flop se les llama RS directamente acoplado
o seguro.
Un flip-flop tiene dos estados utilies, cuando Q=1 y Q'=0, esta en el estado
ajuste (o estado 1). Cuando Q=0 y Q'=1, esta en el estado despejado (o estado
0). Las salidas Q y Q' son complementarias la una de la otra y se refieren
como las salidas normal y complementaria, respectivamente. El estado binario
del flip-flop se toma para que sea el valor de la salida normal.
Bajo operacion normal, ambas entradas permanecen en 0 a menos que tenga
que cambiarse el estado de flip-flop. La aplicacion de un 1 momentaneo a la
entrada de ajuste provoca que el flip-flop pase al estado ajuste. La entrada
ajuste debe volver a 0 antes de que un 1 se aplique a la entrada restaurar. Un 1
momentaneo aplicado a la entrada de restaurar causa que el flip-flop vaya al
estado despejado. caundo ambas entradas son inicialmente 0, un 1 aplicado a
la entrada de puesto mientras el flip-flop esta en el estado despejado deja las
salidas sin cambio. cuando se aplica un 1 a ambas entradas de ajuste y
restaurar, ambas salidas pasan a 0, este estado del flip-flop es indefinido y por
lo tanto se evita. si ambas entradas ahora van a 0, el estado del flip-flop es
indeterminado y depende de cual entrada permanezca en 1 mas tiempo de la
transicion a 0.

FLIP-FLOP D

El flip-flop D es una modificacion del RS con reloj. Las compuertas NAND

1 y 2 forman un flip-flop basico y las compuertas 3 y 4 se modifican para
formar un flip-flop RS son reloj. La entrada D va en forma directa a la entrada
S y su complemento, a traves de la compuerta 5, se aplica a la entrada R. En
tanto que el pulso de reloj en la entrada este en 0, las compuertas 3 y 4 tienen
un 1 en sus salidas, sin importar el valor de las otras entradas. Esto se apega al
requisito de que las entradas del flip-flop basico NAND permanezcan
inicialmente en el nivel 1. La salida D muestrea durante la ocurrencia de un
pulso de reloj. Si es 1, la salida de la compuerta 3 pasa a 0, cambiando el flipflop al estado de ajuste (a menos de que ya este puesto), si es 0, la salida de la
compuerta 4 va a 0, cambiando el flip-flop al estado despejado.
El flip-flop tipo D recibe esta denominacion debido a su capacidad de
tranferir "datos" en el flip-flop. En forma basica es un flip-flop RS con un
inversor en la salida R, El inversor agregado reduce el numero de entradas de
2 a 1. La entrada CP con frecuencia recibe la designacion variable G (gate)
para indicar que esta entrada habilita el seguro con conpuertas para hacer
posible la entrada de informacion al circuito.

FLIP-FLOP JK
Un flip-flop JK es un refinamiento del RS ya que el estado indeterminado
del RS se define en el JK.Las entradas J y K se comportan como las entradas
S y R para ajustar y despejar el flip-flop. Cuando se aplican seales de entrada
en forma simultanea a J como a k, el flip-flop cambia a su estado
complementario, esto es si Q=1, cambia a Q=0 y viceversa.
En un fli-flop JK temporizado, la salida Q opera AND con las entradas K y
CP, de modo que el flip-flop se despeja durante un pulso de reloj solo si Q era
previamente 1. En forma similar, la salida Q' opera AND con las entradas J y
CP de modo que el flip-flop se ajusta con un pulso de reloj solo si Q'era
previamente 1.
Observese que debido a la conexion de retroalimentacion en el flip-flop JK,
una seal CP permanece en 1 (en tanto J=K=1) una vez que las salidas se han
complementado provocara transiciones repetidas y continuas de las salidas.
Para evitar esta operacion indeseable, los pulsos de reloj deben tener una
duracion mas corta que el retardo de propagacion a traves del flip-flop.

FLIP-FLOP T
El flip-flop tipo T es una version de una sola entrada del flip-flop JK, el
flip-flop T se obtiene mediante un tipo JK si ambas entradas se ligan. La
denominacion T proviene de la capacidad del flip-flop para conmutar (toggle),
o cambiar de estado. Sin importar el estado presente del flip-flop, asume el

estado complementario cuando ocurre el pulso de reloj mientras la entrada T

es logica 1.

DISPARO DEL FLIP-FLOP

El estado de un flip-flop se cambia por una modificacion momentanea en la
seal de entrada. este cambio momentaneo se le denomina gatillo y la
transicion que provoca se dice que dispara el flip-flop. Los flip-flops
asincronos, como los circuitos basicos, requieren una entrada de gatillo
definida por un cambio de nivel de seal. este nivel debe de volver a su valor
inicial (0 en NOR y 1 en NAND) antes de que aplique un segundo gatillo. Los
flip-flops temporizados se disparan por pulsos.Un pulso comienza desde un
valor inicial de 0, pasa en forma momentanea a 1 y despues de un corto
tiempo, regresa a su valor 0 inicial. El intervalo de tiempo desde la aplicacion
del pulso hasta que ocurre la transicion de la salida es un factor critico que
requiere mas investigacion.
Un pulso de reloj puede ser positivo o bien negativo. Una fuente positiva de
reloj permanece 0 durante el intervalo entre pulsos y pasa a 1 al ocurrir un
pulso. El pulso pasa a traves de dos transiciones de seal: desde 0 a 1 y el
regreso de 1 a 0, La transicion positiva se define como borde positivo y la
transicion negatica como el borde negativo, esta definicion tambien se aplica a
los pulsos negativos.
Flip-Flop maestro-esclavo
Este arreglo, se construye mediante dos flip-flops separados. un circuito
sirve como un maestro y el otro como un esclavo. Este circuito consta ademas
de lo ya mencionado con un inversor. Cuando el pulso de reloj CP es 0, la
salida del inversor es 1. Ya que la entrada de reloj del esclavo es , el flip-flop
esta habilitado si la salida Q es igual a Y, en tanto que Q'es igual a Y'. El flipflop maestro se habilita porque CP=0. Cuando el pulso llega a 1, entonces la
informacion en las entradas externas R y S se transmiten al flip-flop maestro,
sin embargo, el flip-flop esclavo esta aislado mientras el pulso este en su nivel
1, ya que la saluida del inversor es 0. Cuando el pulso regresa a 0, el flip-flop
maestro esta aisalado, lo cual evita que lo afecten las entradas externas. el flipflop esclavo pasa entonces al mismo estado que el flip-flop maestro.
El comportamiento del flip-flop maestro-esclavo que acaba de describirse
dicta que loscambios de estado en todos los flip-flops coincidan con la
transicion de borde negativo del pulso. No obstante, algunos flip-flops
maestro-esclavo IC cambian los estados de salida en la transicion de borde
positivos de los pulsos de reloj. Esto sucede en flip-flops que tienen un
inversor adicional en la CP terminal y la entrada del maestro, tales se disparan

con pulsos negativos de modo que el borde negativo del pulso afecte al
maestro y el borde positivo afecte al esclavo y las terminales de salida.
Flip-Flop Disparo por Borde
Otro tipo de flip-flop que sincroniza los cambios de estado durante la
transiciopn de pulsos de reloj es el disparado por borde en este tipo de flipflop, las transiciones de salida ocurren e un nivel especifico del pulso de reloj.
Cuando el nivel del pulso de entrada excede el nivel umbral, las entradas estan
bloquedas y, de este modo, el flip-flop no responde a los cambios adicionales
enlas entradas hasta que el pulso de reloj regresa a 0 y ocurre otro pulso.
Algunos flip-flops disparados por borde provocan una transicion en el borde
positivo del pulso y otros causan una transicion en el borde negativo del pulso.

2CARACTERISTICAS DE CONSTRUCCION Y
OPERACION DE LOS FL
FLIP FLOP SR
Basandose en el principio del F-F bsico el F-F SR como el que se muestra en la figura
es un flip-flop bsico NOR y dos compuertas AND

A continuacin se muestra su tabla caracterstica:

Q S R

Q(t+1)

0 0 0

0 0 1

0 1 0

0 1 1

INDETERMINADO

1 0 0

1 0 1

1 1 0

1 1 1

INDETERMINADO

Si el pulso de reloj es "0" las salidas de las and es "0", aunque R y S tengan algun
valor. Si el pulso de reloj es 1 entonces las entradas S y R originan salidas de las and. Y
as alcanzar al F-F bsico.
Existe un estado de ajuste:
S=1,R=0y CP = 1
Si S=1 y R=1, al pasar un pulso de reloj, ambas salidas = 0.
Al eliminarse el pulso el F-F se vuelve indeterminado.
Ahora se presenta el smbolo grfico de este tipo de F-F:

FLIP-FLOP TIPO D.
El F-F tipo D que se muestra en la siguiente figura es una modificacin del SR. Las
compuertas Nand 1 y 2 forman un F-F bsico y las compuertas 3y4 lo modifican :

La entrada D es la R y la salida de la Nand 5 es el complemento D (entrada S).

Si el pulso de reloj = 0 las compuertas 3 y 4 tienen "1" en sus salidas.

La salida d transfiere datos a cada cambio del pulso de reloj osea: si es 1 la salida de la
compuerta 3 = 0 y el F-F pasa al estado de ajuste. si es "0" la salida de la compuerta 4 =
0 y el F-f pasa al estado despejado.
A continuacin se muestra el smbolo grfico y su tabla caracterstica:

FLIP FLOP TIPO JK.

El F-F JK tiene la misma base que el SR, ya que las entradas JK se comportan
parecidas a las entradas S y R.
El F-F est en estado despejado si Q es previamente 1, de igual forma la salida Q' se
ajusta en pulso de reloj; si Q' es previamente 1.
A continuacin se presenta el F-F JK:

FLIP FLOP TIPO T.

El flip-flop T es una versin similar al J-K ya que ambas entradas se ligan este tipo de
flip flop recibe este nombre debido a su accin de conmutar, cambiar de estado, a
continuacin se presenta un F-F T:

Otro punto importante para el anlisis y diseos de circuitos con F_F son sus tablas de
excitacin para cada tipo de flip-flop en cada tabla existen dos columnas Q(t) y Q(t+1).
Q(T)

Q(T+1)

Q(T)

Q(T+1)

Q(T+1)

Q(T)

Q(T+1)

Q(T)

3.9.2Aplicaciones.

APLICACION DE LOS FLIP-FLOPS.

Dentro del mundo del diseo lgico se ocupan los F-F, ya que estos dispositivos son
muy versatiles para diferentes aplicaciones, existen una diversiddad de aplicaciones de
las cuales mencionaremos las siguientes:
DETECCION DE UNA SECUENCIA DE ENTRADA.
En ocasiones se necesita que una salida sea activada por una secuencia en las
entradas, y esta no se puede realizar con compuertas bsicas; para este caso se necesitan
los biestables para ejecutar esta accin. En la siguiente figura se muestra un F-F con
cronmetro que se emplea para responder a ciertas secuencias en la entrada:

ALMACENAMIENTO Y TRANSFERENCIA DE LA INFORMACION.

Otras de las aplicaciones de los f-f es la de utilizarlos para almacenar informacin en
grupos (registros), osea la transferencia de datos de un F-F a otro en forma sncrona. En
la siguiente figura se muestra la operacin de transferencia sincrnica de diversos tipos
de F-F:

REGISTROS DE CAMBIO.
La funcin bsica de los registros de cambio es la de transferir el contenido de un
registro a un segundo registro, un bit a la vez.
Estas son algunas de las principales aplicaciones en las cuales se utilizan los biestables,
aunque todava existen un mar de aplicaciones.

CONTADORES
En diversas aplicaciones se combinan los F-F y las compuertas lgicas para de esta
manera producir ciertos contadores registros. Dentro del grupo de contadores se
encuentran los contadores asncronos y los contadores sincronos.

CONTADORES ASINCRONOS.
Dentro de la gama de contadores asncronos tenemos el del ejemplo de la siguiente
figura:

Y su operacin es ms menos la siguiente:

La pulsacin del cronmetro es mediante el F-F A, y a cad cambio de pulsacin

cambiar de estado alto a nivel bajo, la salida de a sirve como entrada del B
entonces los niveles de estado lgico varian progresivamente va pasando de uno
a otro Flip-Floppara entender mejor se presenta su tabla de estados y sus formas
de onda de las pulsaciones:
DCBA

NUMERO DE OSCILACIONES

0 0 0 0

0 0 0 1

0 0 1 0

0 0 1 1

0 1 0 0

0 1 0 1

0 1 1 0

0 1 1 1

1 0 0 0

1 0 0 0

1 0 1 0

10

1 0 1 1

11

1 1 0 1

12

1 1 1 0
1 1 1 0

13
14

1 1 1 1

15

En el diagrama de las formas de onda se puede observar que la salida del flip flop es el
doble del de la salida anterior osea que se van multiplicando mas bien dicho es el
doble.
CONTADORES SINCRONICOS
A diferencia de los asincrnicos los contadores sincronos estos se caracterizan en
que las pulsaciones de reloj a todas las entradas de reloj de todos los flipflops. A
continuacin se presenta un diagrama lgico de un contador sincronico de 3-bit este
diagrama es un ejemplo fcil y bsico:

REGISTROS.
La calsificacin de los registros radica bsicamente en la forma en que se ingresan datos
al registro para su almacenamiento, as como la manera de sacar dichos registros como
salida.
Dentro de la clasificacin de los registros se enlistan los ms importantes:

ENTRADA Y SALIDA PARALELO

ENTRADA Y SALIDA SERIE

ENTRADA EN PARALELO Y SALIDA SERIE

ENTRADA EN SERIE Y SALIDA EN PARALELO

ENTRADA Y SALIDA EN PARALELO.

En este tipo de registros hay 2 clasificaciones:
EL 74174
En la siguiente figura se muestra el diagrama de un 74174, es un registro de 6 bits cuyas
entradas en paralelo son : D5 - D0 y sus salidas: Q5 - Q0 en el registro TSP de la entrada
de cronmetro se cargan los datos de la entrada, para posicionar en forma asncrona los
F-F se utiliza MR.

EL 74178.
Es un registro de cambio de 4 bits que tiene una entrada de datos en paralelo(P0-P3), y
las salidas ( Q0-Q3). Tambien posee una entrada de datos en serie Ds y dos activadas PE
y SE. A continuacin se presenta su circuito lgico.

ENTRADA Y SALIDA SERIE.

4731B
Dentro de los registros de entrad y salida serie tenemos al 4731B que es un registro de
cambios cudruple CMOS de 4 bits. Consta de 4 registros de cambios de 64 bits iguales
en un solo integrado. En la siguiente figura se muestra el diagrama; en el cual
nosmuestra una entrada serie Ds utilizado en el cronmetro. En la figura se muestra una
salida Q63 que es la que esta habilitada como salida:

ENTRADA EN PARALELO Y SALIDA SERIE.

74165
Este tipo de registro es de 8 bits. este tipo de dispositivo tiene ambas entradas de datos
serie Ds entrada de datos en paralelo . Por lo regular este tipo de registro utiliza F-F Sr
con cronmetro con respuesta de TSN de cornmetro. Cada F-f que se usa en este
registro consta de preset y CL para la entrada de datos en paralelo.
ENTRADA SERIE Y SALIDA EN PARALELO
74164.
Este tipo de registro de cambios es para 8 bits con salidas de sus F-f muy rpida. Consta
de una combinacin de una compuerta AND en la entrada para de esta manera no
producir una sola entrada serie.
A continuacin se presenta su smbolo lgico, en el cual Q0...Q7 son las salidas de los FF, y A y B son las entradas de la compuerta AND ( serie):

EXHIBICION DE CONTADORES Y
REGISTROS.
En el punto anterior se exhibi circuitos de los diferentes tipos de registros
existentes a continuacin par complementar se muestra otros tipos de aplicaciones.
APLICACIONES DE LOS CONTADORES.

CONTADOR DE FRECUENCIAS.
Existen muchas aplicaciones para este tipo de circuitos aqu se mencionan de manera
general dos tipos que son:

CONTADOR DE FRECUENCIAS

CRONOMETRO DIGITAL.

Un contador de frecuencias es un circuito que sirve para medir y monitorear una seal
de pulsacin.
Uno de los circuitos bsicos para la elaboracion de un contador de frecuencia se muestra
en la siguiente figura de manera simplificada

Cabe sealar que el circuito de pulsacin se puede elaborar de diferentes maneras y

utilizando diversos dispositivos electrnicos.
CRONOMETRO DIGITAL.
Otras de las aplicaciones ms conocidas de los contadores radica en los cronmetros
digitales.
El cronmetro digital es aquel que funciona como reloj de tiempo exhibe el tiempo del
da en horas, minutos y segundos. Para cosntruirlo se necesita una frecuencia bsica de
reloj ; para cronmetros digitales de batera la frecuencia necesaria se obtiene del cuarzo
(cristal del cuarzo).
Para cronmetros digitales operados con corriente la frecuencia que se usa es de 60 Hz.

MULTIPLICACION Y DIVISION CON LOGICA SECUENCIAL.

Dentro del nmero de aplicaciones de la lgica secuencial , tomandose en cuenta

como ejemplo para la divisin con lgica secuencial tomemos como circuito de partida
el del contador binario del siguiente circuito, el cual tambien opera como divisor de
frecuencias.

El contador tiene 23 = 8 diferentes estados por lo msimo a este contador se le conoce

como contador MOD-8(divisin), el nmero MOD se refiere bsicamente al nmero de
estados que transcurren en el conteo.
Si se aade otro FF el conteo se haria desde 0000 a 1111, osea 24 = 16 estados y se
llamara MOD-16.El nmero MOD nos seala la divisin de frecuencia de respuesta del
ltimo FF.

3.10
Convertidores.
3.10.1
Conceptos y caractersticas de los
convertidores.
Caractersticas bsicas de un convertidor A/D
A continuacin describiremos las caractersticas esenciales que hemos de tener en cuenta
para realizar nuestras medidas de un modo decente. No mencionaremos todas, sino las ms
bsicas, dejando un estudio en profundidad de los convertidores para otro documento.Las
caractersticas que no debemos olvidar son stas:

Impedancia de entrada
Rango de entrada
Nmero de bits
Resolucin
Tensin de fondo de escala
Tiempo de conversin
Error de conversin

Hay una serie de caractersticas que son comunes a otros tipos de circuitos que no
detallaremos, aunque siempre hay que tener en cuenta, como la impedancia de entrada, fanout, etc.Nmero de bits: Es el nmero de bits que tiene la palabra de salida del convertidor,
y por tanto es el nmero de pasos que admite el convertidor. As un convertidor de 8 bits
slo podr dar a la salida 28=256 valores posibles.Resolucin:Es el mnimo valor que puede
distinguir el convertidor en su entrada analgica, o dicho de otro modo, la mnima variacin,
Vi, en el voltaje de entrada que se necesita para cambiar en un bit la salida digital. En
resumen, tenemos que:

donde n es el nmero de bits del convertidor, y Vfe la tensin de fondo de escala, es decir,
aquella para la que la salida digital es mxima. La tensin de fondo de escala depende del
tipo de convertidor, pero normalmente se fija a nuestro gusto, en forma de una tensin de
referencia externa, (aunque en algunos casos, como el del convertidor ADC 0804 la tensin
de fondo de escala es el doble de la tensin de referencia).Por ejemplo, un convertidor de 8
bits con una tensin de fondo de escala de 2V tendr una resolucin de:

En cambio, para el mismo convertidor, si cambiamos la tensin de referencia, y por tanto la

de fondo de escala, la resolucin ser de:

Tiempo de conversin:
Es el tiempo que tarda en realizar una medida el convertidor en concreto, y depender de la
tecnologa de medida empleada. Evidentemente nos da una cota mxima de la frecuencia de
la seal a medir.
Este tiempo se mide como el transcurrido desde que el convertidor recibe una seal de inicio
de conversin (normalmente llamada SOC, Start of Conversin) hasta que en la salida
aparece un dato vlido. Para que tengamos constancia de un dato vlido tenemos dos
caminos:

Esperar el tiempo de conversin mximo que aparece

en la hoja de caractersticas.
Esperar a que el convertidor nos enve una seal de
fin de conversin.

Si no respetamos el tiempo de conversin, en la salida tendremos un valor, que dependiendo

de la constitucin del convertidor ser:
Un valor aleatorio, como consecuencia de la
conversin en curso
El resultado de la ltima conversin
5. Errores en los convertidores analgico/digital.
Un convertidor no es un circuito perfecto, sino que que presenta una serie de errores que
debemos tener en cuenta. Algunos de los que ms importancia tienen son los siguientes:
Error de offset:El error de offset es la diferencia entre el punto nominal de offset (cero) y el
punto real de offset. Concretamente, para un convertidor A/D este punto es el punto central
de todos aquellos valores de la entrada que nos proporcionan un cero en la salida digital del
convertidor. Este error afecta a todos los cdigos de salida por igual, y puede ser
compensado por un proceso de ajuste.

Error de cuantificacin:
Es el error debido a la divisin en escalones de la seal de entrada, de modo que para una
serie de valores de entrada, la salida digital ser siempre la misma. Este valor se
corresponde con el escalonado de la funcin de transferencia real, frente a la ideal. Podemos
verlo en esta figura:Como vemos, cada valor digital tiene un error de cuantificacin de +-
LSB (Bit menos significativo). Por tanto, cada cdigo digital representa un valor que puede
estar dentro del LSB a partir del punto medio entre valores digitales continuos.
Error de linealidad (linealidad integral):
Este error es la manifestacin de la desviacin entre la curva de salida terica y la real, de
modo que para iguales incrementos en la entrada, la salida indica distintos incrementos.
Error de apertura:
Es el error debido a la variacin de la seal de entrada mientras se est realizando la
conversin. Este error es uno de los ms importantes cuando se estn muestreando seales
alternas de una frecuencia algo elevada, (como por ejemplo el muestreo de voz) pero tiene
poca importancia cuando medimos seales cuasi-continuas, como temperatura, presin, o
nivel de lquidos. Para minimizar este tipo de error se usan los circuitos de muestreo y
retencin.
Este error es importante, ya que si no lo tenemos en cuenta raramente podemos digitalizar
adecuadamente seales alternas.
Si consideramos un error que no afecte a la precisin total de la conversin, ( por lo que
habr de ser menor que LSB) la frecuencia mxima de muestreo deber ser:

En esta frmula Ta es el tiempo de apertura del circuito de muestreo y retencin, o bien el

tiempo total de conversin si el anterior no existe, y n el n de bits del convertidor.
El circuito de muestreo y retencin puede estar a veces integrado dentro de la misma
cpsula del convertidor, lo que nos puede simplificar el diseo enormemente.

3.10.2
Tipos analgico/digital y digital/
analgico.

CONVERSION DE DIGITAL A ANALOGICO

Bsicamente, la conversin D/A es el proceso de tomar un valor representativo en
cdigo digital, y convertirlo en un voltaje corriente que sea proporcional al valor
digital. Este voltaje corriente es una cantidad analgica, ya que puede tomar diferentes
valores de cierto intervalo en la siguiente figura se presenta un diagrama a bloques de
un convertidor D/A de 4 bits as como su tabla:

Un circuito bsico de un convertidor D/A es el que se muestra en la siguiente figura.

Las entradas A,B,C y D , son entradas binarias de 0 a 5 volts. El operacional funciona
cmo sumatorio de los voltajes de entrada. En el circuito RF = 1K y las resisitencias de
entrada varan de 1 a 8 K ohms. La entrada D tiene RIN = 1K . La entrada C tiene RIN =
2K,se atenua en un 0.5 ohms con respecto a la otra. En forma anloga, la entrada B ser
atenuada en 0.25 y la entrada A en 0.125, la salida del amplificador esta dada por:
VOUT = -(VD +0.5VC + 0.25VB + 0.125VA)
La salida del amplificador es un voltaje analgico y representa una suma con valor
asignado de las entradas digitales:

A continuacin se muestra su tabla de salida:

DCBA

VOUT (VOLTS)

0000

0001

-0.625

0010

-1.250

0011

-1.875

0100

-2.500

0101

-3.125

0110

-3.750

0111

-4.375

1000

-5.000

1001

-5.625

1010

-6.250

1011

-6.875

1100

-7.500

1101

-8.125

1110

-8.750

1111

-9.375

ESPECIFICACIONES DEL DAC.

Resolucin.La resolucin porcentual de un DAC depende nicamente del nmero de
bits, por lo regular los fabricantes especifican la resolucin en nmero de bits
Precisin. Hay dos formas de expresar la precisin, en error de escala completa y error
de linealidad.
El error de escala completa es la mxima desviacin de la salida del DAC de su valor
estimado.
El error de linealidad es la desviacin mxima en el tamao de etapa del de escala
completa.
Ambos errores se dan en forma porcentual.
Tiempo de respuesta. Es el tiempo que se necesita para que la salida pase de cero a
escala completa cuando la entrada binaria cambia de todos los ceros a todos los unos.
APLICACIONES DEL DAC.
CONTROL.
La salida digital de una computadora puede convertirse en una seal de control
analgica para ajustar la velocidad de un motor, la temperatura de un horno para
controlar alguna variable fsica.
ANALISIS AUTOMTICO.

Las computadores se programan para generar seales analgicas(DAC) que se utilizan

para anlizar circuitos analgicos.Esta salida analgica del circuito de prueba se
convertir a un valor digital con un ADC y alimentar a la computadora para ser
almacenada y analizada.
CONTROL DE AMPLITUD DIGITAL.
Un DAC multiplicativo se utiliza para ajustar digitalmente la amplitud de una seal
analgica.Una aplicacin de este fenmeno es en el control de volumen digital de un
estereo otro aparato digital.
Tambien se utilizan en diferentes convertidores A/D que uitlizan DAC ya que son parte
de sus circuitos.

CONVERSION DE ANALOGICO A DIGITAL.

Un convertidor A/D toma un voltaje de entrada analgico y despues de cierto tiempo
se produce un cfigo der salida digital que representa la entrada analgica. El proceso
de conversin A/D es por lo regular ms complejo y largo que el proceso D/A y por lo
mismo se han credao mucho mtodos.
Existen varios tipos de ADC que utilizan un convertidor D/A como parte de sus
circuitos en la figura siguiente es un diagrama a bloques de un ADC.

La operacin bsica de los convertidores A/D de este tipo es el siguiente:

1.- El comando start pasa a alto, dando inicio la operacin
2.- A una razn determinada por el cronmetro la unidad de control modifica
continuamente el nmero binario que est almacenado en el registro.
3.- El nmero binario del registro es convertido en un voltaje analgico, VA'; por el
convertidor D/A.
4.- El comparador compara VA' con la entrada analgica VA.En tanto que VA'< VA, la
salida del comparador permanece en alta. Cuando VA', excede de VA por lo menos en
una cantidad = Vt(voltaje umbral), la salida del comparador pasa a baja y suspende el
proceso de modificacin del nmero del registro. En este punto, VA' es un valor muy
aproximado de VA y el nmero digital del registro que es el equivalente digital de VA'
es asimismo el equivalente digital de VA en los lmites de la resolucin y exactitud del
sistema.

CIRCUITOS BASICOS
Convertidor A/D con rampa digital.
En la siguiente figura se muestra un diagrama completo de un convertidor con rampa:

El funcionamiento del circuito es de la siguiente manera:

Se aplica un pulso start positivo, el cual devuelve el contador a cero. Al mismo

tiempo deshabilita la comperta and.
Con el contador en cero, VA'=0, la salida del comparador es alta.

Cuando start esta en nivel bajo, la compuerta and se activa y as los pulsos pasan
por el contador.

Conforme el contador avanza, la salida VA' del D/A crece en voltajes iguales a
su resolucin.

Llega un momento en que VA' excede a VA en una cantidad igual mayor a

VT.En esta etapa la salida del comparador es en baja, deteniendo al contador
hasta que se tenga un pulso que represente digitalmente el valor de VA.

ADC de aproximaciones sucesivas.

Este es un tipo mas usado del ADC.Tiene circuitos ms complejos que el ADC de
rampa, pero un tiempo de conversin ms corto. La disposicin bsica se muestra en la
siguiente figura:

El funcionamiento es de la siguiente manera:

1. La lgica de control fija el MSB del registro alto y los demas bits bajos. Esto
produce un valor de VA' en la salida del DAC igual al valor del MSB. Si VA' es
ahora mayor que VA, la salida del comparador es en nivel de baja, esto hace que
la lgica de control regrese al MSB a nivel bajo; en caso contrario se conserva
en nivel alto.
2. La lgica de control fija el siguiente bit del registro en 1.Produciendo as un
nuevo valor de VA'. si este valor es mayor que VA, el comparador pasa a bajo y
as indicar a la lgica de control al bit 0. En caso contrario se mantiene en 1.

3. Este proceso se continua para cada uno de los bits de registro. Este proceso de
ensayo y error requiere de un ciclo de cronmetro por bit.

El Convertidor Analgico - Digital

ADC
En el mundo real las seales analgicas varan constantemente, pueden variar lentamente
como la temperatura o muy rpidamente como una seal de audio. Lo que sucede con las
seales analgicas es que son muy difciles de manipular, guardar y despus recuperar con
exactitud.
Si esta informacin analgica se convierte a informacin digital, se podra manipular sin
problema. La informacin manipulada puede volver a tomar su valor analgico si se desea con
un DAC (convertidor Digital a Analgico)
Hay que definir que tan exacta ser la conversin entre la seal analgica y la digital, para lo
cual se define la resolucin que tendr.
Primero se define el nmero mximo de bits de salida (la salida digital). Este dato permite
determinar el nmero mximo de combinaciones en la salida digital. Este nmero mximo est
dado por: 2n donde n es el nmero de bits.
Tambin la resolucin se entiende como el voltaje necesario (seal analgica) para lograr que
en la salida (seal digital) haya un cambio del bit menos significativo.(LSB)
Para hallar la resolucin se utiliza la siguiente frmula: Resolucin = ViFS / [ 2 n - 1]
Donde:
- n = nmero de bits del ADC
- ViFS = es el voltaje que hay que poner a la entrada del convertidor para obtener una
conversin mxima (todas las salidas son "1")
Ejemplo # 1:
Si se tiene un convertidos analgico / digital de 4 bits y el rango de voltaje de entrada es de 0 a
15 voltios

Con n = 4 y ViFS = 15 Voltios

La resolucin ser =
ViFS / [2n -1] = 15 / [24 - 1] = 15 / 15 = 1 voltio / variacin en el bit menos significativo
Esto significa que un cambio de 1 voltio en la entrada, causar un cambio del bit menos
significativo (LSB) a la salida. En este caso este bit es D0. Ver la siguiente tabla.
De esta manera se construye una tabla de que muestra la conversin para este ADC:
Entrada
analgica
Voltios
0

Salida digital de 4 bits

D3
0

D2
0

D1
0

D0
0

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15

0
0
0
0
0
0
0
1
1
1
1
1
1
1
1

0
0
0
1
1
1
1
0
0
0
0
1
1
1
1

0
1
1
0
0
1
1
0
0
1
1
0
0
1
1

1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1

Ejemplo # 2:
Un ADC de 8 bits genera solo "1" (las 8 salidas en 1), cuando en la entrada hay un voltaje de
2.55 voltios (entrada analgica mxima).
La resolucin es =
ViFS / [2n -1] = 2.55 / [28 - 1] = 10 miliVoltios / variacin en el bit menos significativo
Se puede ver que mientras ms bits tenga el convertidor ms exacta ser la conversin
Si se tiene una seal de valor mximo de 15 voltios y aplicamos esta seal analgica por
diferentes convertidores analgico digital se puede tener una idea de la variacin de la
resolucin con el aumento del nmero de bits del convertidor
# de bits del ADC

Resolucin

4 bits

15 voltios / 15 = 1Voltio

8 bits

15 voltios / 255 = 58.8 miliVoltios

16 bits

15 voltios / 65536 = 0.23 milivoltios

32 bits

15 voltios / 4294967296 = 0.0000035 milivoltios

Esto significa que a mayor nmero de bits del ADC, un cambio ms pequeo en la magnitud
analgica causar un cambio en el bit menos significativo (LSB) de la salida, aumentando as la
resolucin
El Convertidor Digital - Analgico
Concepto bsico del DAC (Digital to Analog Converter)
En el mundo real las seales analgicas varan constantemente, pueden variar lentamente
como la temperatura o muy rpidamente como una seal de audio. Lo que sucede con las
seales analgicas es que son muy difciles de manipular, guardar y despus recuperar con
exactitud.
Si esta informacin analgica se convierte a informacin digital, se podra manipular sin
problema. La informacin manipulada puede volver a tomar su valor analgico si se desea con
un DAC (convertidor Digital a Analgico)
Un DAC contiene normalmente una red resistiva divisora de tensin, que tiene una tensin de
referencia estable y fija como entrada.

Hay que definir que tan exacta ser la conversin entre la seal analgica y la digital, para lo
cual se define la resolucin que tendr.
En la siguiente figura se representa un convertidor Digital - Analgico de 4 bits. cada entrad
digital puede ser slo un "0" o un "1". D0 es el bit menos significativo (LSB) y D3 es el ms
significativo (MSB). El voltaje de salida analgica tendr uno de 16 posibles valores dados por
una de las 16 combinaciones de la entrada digital.

La resolucin se define de dos maneras:

Primero se define el nmero mximo de bits de salida (la salida digital). Este dato permite
determinar el nmero mximo de combinaciones en la salida digital. Este nmero mximo est
dado por: 2n donde n es el nmero de bits.
Tambin la resolucin se entiende como el voltaje necesario (seal analgica) para lograr que
en la salida (seal digital) haya un cambio del bit menos significativo.(LSB)
Para hallar la resolucin se utiliza la siguiente frmula: Resolucin = VoFS / [ 2n - 1]
Donde:
- n = nmero de bits del ADC
- VoFS = es el voltaje que hay que poner a la entrada del convertidor para obtener una
conversin mxima (todas las salidas son "1")
Ejemplo:
Se tiene un convertidos digital - analgico de 8 bits y el rango de voltaje de salida de 0 a 5
voltios.
Con n = 8, hay una resolucin de 2N = 256 o lo que es o mismo: El voltaje de salida puede
tener 256 valores distintos (contando el "0")
Tambin: resolucin = VoFS / [ 2n - 1] = 5 / 28-1 = 5 / 255 = 19.6 mV / variacin en el bit
menos significativo
Con n = 4 bits, se consiguen 2n = 16 posibles combinaciones de entradas digitales
La salida analgica correspondiente a cada una de las 16 combinaciones depender del voltaje
de referencia que estemos usando, que a su vez depender del voltaje mximo que es posible
tener a la salida analgica.
Si V mximo es 10 Voltios, entonces el Vref. (voltaje de referencia) ser 10 / 16 = 0.625 Voltios.
Si el voltaje mximo es 7 voltios, Vref = 7 / 16 = 0.4375 Voltios.
Se puede ver estos voltajes de referencia sern diferentes (menores) si se utiliza un DAC de 8
o mas bits. Con el de 8 bits se tienen 256 combinaciones en vez de 16. ESto significa que el
voltaje mximo posible se divide en mas partes, logrndose una mayor exactitud.

Si el Vref = 0.5 Voltios

D3

D2

D1

D0

Salida
analgica
Voltios

0
0
0
0
0
0
0
0
1
1
1
1
1
1
1
1

0
0
0
0
1
1
1
1
0
0
0
0
1
1
1
1

0
0
1
1
0
0
1
1
0
0
1
1
0
0
1
1

0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1

0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
6.5
7.0
7.5

Entrada digital

Se puede ver que mientras ms bits tenga el convertidor ms exacta ser la conversin
Si se tiene diferentes tipos de DAC y todos ellos pueden tener una salida mxima de 15 voltios,
se puede ver que la resolucin y exactitud de la salida analgica es mayor cuando ms bits
tenga. Ver siguiente cuadro
# de bits del DAC

Resolucin

4 bits

15 voltios / 15 = 1Voltio

8 bits

15 voltios / 255 = 58.8 miliVoltios

16 bits

15 voltios / 65536 = 0.23 milivoltios

32 bits

15 voltios / 4294967296 = 0.0000035 milivoltios

FISICA GENERAL
Octava edicin
Frederick J. Bueche
Ed. McGraw Hill
FISICA GENERAL
Francis W. Sears y Mark W. Zemansky
Ed. Aguilar

 TUTORIAL DE ELECTRICIDAD Y MAGNETISMO DEL INSTITUTO

TECNOLGICO DE MINATITLN.
http://www.itam.mx/~dai/dsisdig/Cursos/LabFisica/P05_Capacitancia%20y
%20constante%20dielectrica.PDF
http://faraday.fis.puc.cl/labdoc/2fis1531.pdf
http://www.monografias.com/trabajos11/coele/coele.shtml
http://www.angelfire.com/empire/seigfrid/Corrientedirectayalterna.html
http://members.tripod.com/JaimeVp/Electricidad/glosario.HTM
http://www.unicrom.com/Tut_corriente_electrica.asp
http://www.unicrom.com/Tut_ADC.asp
http://www.unicrom.com/Tut_DAC.asp
http://www.unicrom.com/Tut_corrientecontinua.asp
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http://tesla.cuao.edu.co/Analoga/acadavid/subpaginas/symbolodiodos.htm
http://tesla.cuao.edu.co/Analoga/acadavid/diodo.htm
http://tesla.cuao.edu.co/Analoga/acadavid/subpaginas/Transistores.htm
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http://tesla.cuao.edu.co/Analoga/acadavid/subpaginas/tranjfet.htm
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http://www.virtual.unal.edu.co/cursos/ingenieria/2001771/cap06/06_01_01.html
http://www.virtual.unal.edu.co/cursos/ingenieria/2001771/cap06/06_02_01.html
http://www.virtual.unal.edu.co/cursos/ingenieria/2001771/cap06/06_03_01.html
http://www.virtual.unal.edu.co/cursos/ingenieria/2001771/cap06/06_04_01.html
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http://det.bp.ehu.es/potencia/pag1bis.htm
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http://jair.lab.fi.uva.es/~servalv/webestructura/Algoritmo_Booth.html
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http://www.unicrom.com/Tut_compuerta_not.asp
http://html.rincondelvago.com/capacidad_inductancia_corriente-continua-y-alterna.html
http://www.ciencia.net/VerArticulo/?idTitulo=Silicio

http://www.bricopage.com/inductancias.html
http://es.wikipedia.org/wiki/Germanio