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INTRODUCCIN
El
diseo de un amplificador de voltaje
multietapa con la implementacin de transistores
de unin bipolar (Bjt) consta de parmetros de
ganancia de 100 aproximadamente, una
resistencia de entrada mayor o igual 100K, una
estabilidad a cambios de temperatura adicionando
un resistencia en emisor en las 4 etapas, de donde
la etapas van a ser las siguientes: la primera y
ltima etapa es una configuracin de colector
comn (seguidor de voltaje) y las etapas
intermedias (2 y 3) son configuraciones de emisor
comn (inversor de voltaje), manejando adems
como herramienta fundamental el ORCAD
PSPICE.
Se utiliz adems un margen de error de de 5%
en la salida o seal obtenida por cuestiones de
errores de precisin.
II.
OBJETIVOS
1.
2.
PROCEDIMIENTO
PARA
LA
MPLEMENTACIN DEL DISEO
A. Primer paso:
El objetivo es disear e implementar un
amplificador con las siguientes condiciones y/o
caractersticas
B. Segundo paso:
Despus del anlisis hecho y la informacin
consultada se compraron los transistores que iban
a ser usados y se midi su respectivo (beta) y
como resultado se compraron los siguientes
transistores con su respectivo cada uno:
1. Cuatro (4) 2N2222 con sus respectivos betas:
186, 190, 189 y 186.
C. Tercer paso:
Partiendo de los parmetros exigidos y los betas
de los transistores se realizaron los clculos para
hallar los valores de los elementos faltantes y as
poder disear el amplificador para simularlo con
los valores de resistencias ideales hallados con las
formulas de diseo, luego se hicieron los
respectivos cambios y ajustes para llegar a los
parmetros nombrados en el primer paso.
R1 y la R2 :
D. Cuarto paso
Se procedi a realizar el montaje y a probar que
los clculos realizados eran correctos.
IV.
DISEO
Y
CALCULOS
DE
AMPLIFICADOR MULTIETAPA
UN
V BB
A. Diseo
El diseo implementado para este amplificador
con ganancia de tensin 100; consta de 4 etapas,
la primera y la ltima etapas son de configuracin
de colector comn y la segunda y tercera etapa
son de configuracin de emisor comn, adems,
cada una de estas etapas se polarizan por un
divisor de voltaje en la entrada, ya que esta
configuracin permite que en el punto de
polarizacin (en DC) los valores de ICQ, VCEQ
se mantengan casi inalterables a medida que el
transistor este trabajando.
B. Clculos para el Amplificador Multietapa
Para el diseo del amplificador multietapa se
realizaron los siguientes clculos:
1. Clculos Cuarta (ultima) etapa:
El diseo se inicio con la ltima etapa asumiendo
una resistencia de carga de 200, y una
resistencia en emisor de 100 y con un =186
iniciamos el diseo de un emisor comn.
V BB + RB I B +V BE+ R E I E + V EE =0
V BB =R B I B +V BE + R E I E +V EE
Considerando
I E I CQ
adems
que
RB 0.1 R E ,
El
la siguiente manera:
2V CC R 2
+V EE (1)
R 1+ R 2
V BBV EE
R2
=
(A)
2 V CC
R 1+ R 2
Y la
30
=180 mA
166.67
I CQ
V BB =V BE +1.1 RE I CQ +V EE
V TH =V BB=
Rango de excursion
I CQ =
()
R AC + R DC
I B=I CQ /
R DC =R E=100
I CQ =
que
RTH =R B =
y la
R1 R 2
(2)
R1 + R2
RB
R2
=
(B )
R 1 R 1+ R 2
A vo =
V BBV EE R B
=
2 V CC
R1
R1=
Y para
2V CC R B
=2.72 K 2.7 K (C)
V BB V EE
R2
Zo=
1
=9.13
1+
1
+
RB + r 4 R E
(C) se despejan
expresin:
R2=
( +1) R E
=0.998
r 4 +(+1)R E
y se obtiene la siguiente
2 V CC R B
=5.9 K
2V CCV BB+ V EE
Z i=
1
1
1
+
RB r 4 + ( +1 ) R E
Anlisis en DC:
V BB =5.58V
Z i=1.69 K 1.72 K
2. Clculos tercera etapa:
Av =12 V
RB =1852
R L=1.72 K
I CQreal =179.92 mA
RC =500
r 4 =25.85
=190
'
R L=R L / RC =387.4
Anlisis en AC
( + 1) R L
A v=
=0.997
'
r 4 +( +1) R L
Y para la ganancia neta de la etapa se tiene:
R E 1=
(RL / R C )
=32.28 33
AV
R
C
/
R
(
L )=424.8
R AC =R E 1+
R DC =R E 1+ R E 2 + RC
I CQ =
Rango de excursion
R AC
I CQ =
Para calcular la
12
=28.25 mA
424.8
R E 2 se tiene que de la
R E 2=
2V CC
R AC R E 1RC
I CQ
R E 2=94.16 94.3
Y se calculan los dems datos:
R E=R E 1 + R E 2=127.3
'
A v=
R L
=11.5
r 3 + ( +1 ) R E 1
A vo =
RC
=14.97
r 3+ ( +1 ) R E 1
Z o =RC =500
Para la impedancia de entrada, se emplea la
siguiente expresin:
Z i=
1
1
1
+
RB r 3+ ( +1 ) RE 1
RB 0.1 R E
RB =0.1 ( 186 ) (127.3 )=2418.7 K
V BB =10.34 V
R1=15.57 K 15.56 K
R2=2.86 K
Z i=2.199 K 2.2 K
Av =13.5 V
R L=2. 2 K
Anlisis en DC
V BB =10.34 V
RC =2. 2 K
RB =2416
=189
I CQreal =28.15mA
R'L=R L / RC =1.1 K
r 3=168.75
R E 1=
Anlisis en AC
(RL / R C )
=81.48 82
AV
R
( C / R L )=1182
R AC =R E 1 +
'
R DC =R E 1+ R E 2 +RC
R E 2=
2V CC
R AC R E 1RC
I CQ
A v=
R L
=11.3
r 2 + ( +1 ) R E 1
A vo =
RC
=22.62
r 2+ ( +1 ) R E 1
R E 2=14.266 K 14. 3 K
I CQ =
Rango de excursion
R AC
I CQ =
2
=1.69 mA
1182
R E=R E 1 + R E 2=14382
Z o =RC =2.2 K
Para la impedancia de entrada, se emplea la
siguiente expresin:
Z i=
1
1
1
+
RB r 2+ ( +1 ) RE 1
RB 0.1 R E
Z i=17.22 K 17.2 K
R L=17.2 K
Anlisis en DC
V BB =12.47V
RB =271.92 K
RC =17.2 K
=186
I CQreal =1.68 mA
R AC =R L =RE R L =8.6 K
r 2=2805. 8 5
R DC =R E=17.2 K
Anlisis en AC
I CQ =
'
Rango de excursin
()
R AC + R DC
I CQ =
30
=1.163 mA
25800
Zo=
1
=1.57 K
1+
1
+
RB + r 1 R E
RB 0.1 R E
RB =0.1 ( 186 ) (17200 )=319.92 K
V BB =7.7 V
Z i=
R1=422.8 k 423 k
R2=1.31 M 1.3 M
Anlisis en DC
V BB =7.64 V
RB =319.15 K
Anlisis en AC
( +1) R 'L
A v=
=0.997
r 1 +( +1) R 'L
A vo =
( +1) R E
=0.998
r 1+( +1) R E
1
1
+
RB r 1+ ( +1 ) R E
Z i=290.4 K
I CQreal =1.154 mA
r 1=4028.66
CONCLUSIONES
Los criterios de diseo para generar
estabilidad en el amplificador fueron de gran
importancia pues nos permitieron cumplir
con los parmetros de ganancia de voltaje,
teniendo una configuracin con un buen
rango de excursin simtrica.
Comprobamos que cuando los criterios no
son tenidos en cuenta se crean
configuraciones que se ven muy afectadas
por pequeos cambios en las corrientes,
creando configuraciones que pueden pasar
fcilmente a estados de corte o saturacin al
no poseer un rango adecuado de excursin.
Debido a que el valor de las resistencias se
encuentran
normalizadas,
el
diseo
propuesto inicialmente debi ser modificado
para adaptarse a los valores comerciales de
las mismas, teniendo as una pequea
modificacin del Icq y Vceq previstos.
Al igual que las resistencias, luego de haber
diseado y simulado el circuito, se observ
en OrCad que en la cuarta etapa, el transistor
deba disipar aproximadamente 2 Watts, lo
cual para solucionar este inconveniente, se
opt por cambiar el transistor 2N2222 por un
transistor TIP41 a fin de disipar la potencia
requerida por la etapa.
VI.