UNIVERSIDAD NACIONAL DE LOJA

AREA DE ENERGIA, INDUSTRIA Y RECURSOS

NATURALES NO RENOVABLES
INGENIERIA EN ELECTRONICA Y
TELECOMUNICACIONES
7 MODULO
MO

PROYECTO DE INGENIERIA
TEMA: CONSTRUCCION DE UN DETECTOR DE
METALES
MEDIANTE EL METODO DE
FRECUENCIAS BATIDAS

Autores: franklin Gualan.

GABRIEL JIMENEZ

Pgina

2014-2015

INDICE GENERAL

PAG 1

1. PROBLEMTICA.
2. ANTECEDENTES.
3. SITUACIN PROBLEMTICA.
4. PROBLEMA DE INVESTIGACIN.
5. JUSTIFICACION.
6. VIABILIDAD.
PAG 4
7. OBJETIVOS.
7.1 OBJETIVO GENERAL.
7.2 OBJETIVOS ESPECIFICOS.
8. MARCO TEORICO.
8.1. METODO DE DETECCCION DE METALES BASADO
EN FRECUENCIAS BATIDAS.
8.2. METODO DE DETECCION DE METALES BASADO EN
IB (INDUCCION BALANCEADA).
8.3. FRECUENCIA BATIDA.
8.4. MATERIALES FERROMAGNETICOS.
8.3. OSCILADORES.
8.3.1. OSCILADORES SINUSOIDALES.
8.4 CRITERIOS PARA LA ELECCION DE COMPONENTES.
PARA CIRCUITOS RF.
8.4.1 CAPACITORES.
8.4.1.1 TIPOS DE CAPACITORES.
8.4.1.1.1 Capacitores con papel dielctrico.
8.4.1.1.2 Capacitores de mylar.
8.4.1.1.3 Capacitores cermicos.
8.4.1.1.4 Capacitores de mica.
8.5. INDUCTORES.
8.5.1. INDUCTANCIA.
8.5.2 INDUCTORES CON NUCLEOS DE AIRE.
8.5.3 INDUCTORES VARIABLES.
9. METODOLOGIA.
9.1. DISEO DE LOS CIRCUITOS OSCILADORES.
9.2. OBTENCION DE FRECUENCIAS DE SUMA O RESTA.
9.3. OBTENCION DE LA INFORMACION CONTENIDA EN
LA SEAL MODULADA.
9.4. OBTENCION DE LA SEAL PWM A PARTIR DE LA SEAL
OBTENIDA MEDIANTE EL FILTRADO.
9.5. ETAPA DE ADAPTACION AL BUZZER.

PAG 3
PAG 3
PAG 3
PAG 4
PAG 4

PAG 4
PAG 4
PAG 4
PAG 5
PAG 5
PAG 6
PAG 7
PAG 7
PAG 8
PAG 8
PAG 9

PAG 29

Pgina

PAG 25

PAG 9
PAG 11
PAG 11
PAG 12
PAG 12
PAG 12
PAG 13
PAG 13
PAG 14
PAG 15
PAG 16
PAG 15
PAG 19
PAG 20

14. ANEXOS

PAG 36

PAG 30
PAG 32
PAG 33
PAG 34
PAG 35

Pgina

9.6. CIRCUITO FINAL

10. MATERIALES Y PRESUPUESTO
11. DISCUSION DE RESULTADOS
12. CONCLUSIONES Y RECOMENDACIONES.
13. BIBLIOGRAFIA.

1. PROBLEMTICA.
No cabe duda que los diferentes procesos industriales de la tecnologa
moderna tienen implcito el uso de diversos metales ya sea en estado puro o
en aleaciones, segn la aplicacin que se desee desarrollar. Por esto resulta
de importancia el diseo e implementacin de sistemas dedicados a
determinar la clase de metal con el que se est trabajando.
La deteccin de metales tambin tiene una gran variedad de aplicacin en los
campos de seguridad y en la minera, aunque se trate de procesos
diferentes, el principio a aplicar es el mismo, el cual el aprovechamiento de
las propiedades ferromagnticas de los diversos metales.

Pgina

3. SITUACIN PROBLEMTICA:
En la actualidad existen varios mtodos para la deteccin de metales, debido
principalmente que todos los metales no presentan propiedades idnticas en
condiciones similares. Por ejemplo: un mtodo usado para la deteccin de
hierro o sus aleaciones no podra ser eficaz a un 100% debido a la naturaleza
ferromagntica de los materiales en cuestin. De all que el desarrollo de
mtodos para la deteccin de un determinado tipo de metales conlleve a
aunar conocimientos de campos como la qumica y fsica, dado que se debe

2. ANTECEDENTES
El campo de la deteccin de metales ha venido incrementando, dado las
diversas aplicaciones que se pueden conseguir , una es la deteccin de
metales por parte de los denominados buscadores de tesoros, aplicaciones
desarrolladas para la deteccin de minas , y la prevencin de acceso de
objetos metlicos en lugares donde se requieren niveles mnimos de
seguridad.
El campo de la deteccin de metales con medios electrnicos no
cuenta con una historia conocida anterior a los principios del siglo 20, ya que
anterior a esto no se desarrollaban los conceptos bsicos acerca de la
electrnica necesaria para lograrlo.
Una vez desarrollados los estudios acerca de los campos electromagnticos y
logrados los primeros circuitos integrados (transistores), se puede decir que
se pudo idear los primeros mecanismos para la deteccin de metales
basados en el procesamiento de seales de radio

tener conocimientos tanto de la composicin y de la estructura de las

diversas presentaciones en las que se puede encontrar los metales de inters
4. PROBLEMA DE INVESTIGACIN
El tpico principal para la implementacin de un circuito destinado a la
deteccin de metales es definir las caractersticas fsicas de los metales que
se desea detectar, ya que de aquello se podr derivar un principio fsico que
determinara las propiedades que deber tener el circuito.
5. JUSTIFICACION
Los mtodos aprendidos en los campos de comunicaciones analgicas y
teora electromagntica pueden ser aplicados a la deteccin de una gran
variedad de metales, tambin constituye un buen complemento en cuanto a
la investigacin del modelado y clculo de componentes para circuitos RF.
6. VIABILIDAD
Para el diseo de circuitos destinados a la deteccin de metales, se requiere
de conocimientos bsicos de las propiedades de los metales y sus
aleaciones, adems del fcil dimensionamiento de componentes pasivos de
circuitos y un adecuado enfoque desde el campo del procesamiento de
seales (dominio de la frecuencia), vuelven al diseo e implementacin de un
circuito destinado a la deteccin de metales un tema viable desde varias
perspectivas.
7. OBJETIVOS

Pgina

7.1 Objetivo General

Aunar conceptos de relativos a las propiedades de los metales con el diseo
de circuitos RF para la implementacin de un detector de metales
7.2 Objetivos especficos
Adquirir los conocimientos bsicos para el dimensionamiento de
elementos pasivos en circuitos RF.
Conocer nuevas herramientas de software que faciliten la tarea de
diseo de filtros analgicos y circuitos RF.

8. MARCO TEORICO
Existen varios mtodos para la deteccin de metales, sin embargo debido a
los objetivos planteados en el presente trabajo levan a considerar
nicamente los mtodos que tienen relacin con la modulacin y
demodulacin de seales.
Los mtodos relacionados con la modulacin y demodulacin son, el mtodo
de BFO (oscilador de frecuencia batida) y el mtodo de induccin balanceada
IB.
8.1. METODO DE DETECCCION DE METALES BASADO EN FRECUENCIAS
BATIDAS.

DETECTOR DE METALES POR BF

oscilador de busqueda

F1

F1-F2

+
F1 - F2

F1
BFO

PWM

.
.

F2

F2
oscilador de referencia

Pgina

Este mtodo de deteccin de metales se basa en la implementacin de dos

osciladores uno denominado de bsqueda el cual varia su frecuencia en
presencia de metales, el valor de esta variacin de frecuencia debe estar en
un rango de frecuencias audibles, y otro oscilador de referencia que oscilara
a una frecuencia estable, el mtodo de deteccin se basa en la obtencin de
la frecuencia batida de diferencia la cual se reflejara en la frecuencia de una
seal PWM cuadrada que har sonar a un dispositivo piezoelctrico (Buzzer)

FIG.1. DIAGRAMA DE BLOQUES DE UN DETECTOR DE METALES POR EL

METODO DE BFO

8.2. METODO DE DETECCION DE METALES BASADO EN IB (INDUCCION

BALANCEADA).
La principal diferencia con el mtodo de deteccin basado en BFO radica en
el uso de dos bobinas, a la primera se le inyecta una seal modulada en
amplitud, normalmente una portadora entre 130 y 150 KHz, modulada con
una seal en el rango de las frecuencias audibles.
El principio es aprovechar el acople de las dos bobinas en presencia de
metales, por lo que para la deteccin es necesario implementar circuitos
demoduladores de AM.
El mtodo de induccin balanceada es mucho ms sensible para la deteccin
de metales. Sin embargo, la principal desventaja radica en el adecuado
dimensionamiento de las bobinas (transmisora/receptora).

METODO DE INDUCCION BALANCEADA

.
.

DETECTOR DE ENVOLVENTE

AMPLIFICACION

REGION DE ACOPLE
.

CONTROL DE SENSIBILIDAD

MODULADOR DSB-SC

SEAL MODULADORA

SEAL PORTADORA

Pgina

Debido a que para la implementacin de circuitos portables, se debe tomar

en cuenta las dimensiones de los componentes RF (especialmente bobinas y
condensadores), as tambin las caractersticas de potencia requerida de la
fuente de alimentacin, estas entre las ms importantes. Razn por la cual la
opcin ,as idnea es la implementacin de un circuito detector de metales
basado en BFO.

FIG2. DIGRAMA DE BLOQUES DE UN DETECTRO DE METALES POR EL

METODO DE INDUCCION BALANCEADA

Para la implementacin de un dispositivo para la deteccin de metales,

basado en un oscilador BFO tomamos en cuenta los conceptos bsicos de las
bobinas con ncleos de aire y con ncleos de hierro, ya que obviamente este
es el principio fsico del que nos valdremos para detectar la presencia de
ciertos tipos de metales.
Una bobina cambia el valor de su inductancia al contener un ncleo de
hierro, en estas circunstancias lo idneo es traducir estos cambios en
variaciones de seales elctricas con las cuales podamos trabajar, la forma
de lograr esto es mediante la implementacin de un oscilador cuya
frecuencia podamos variar con la variacin de una inductancia, y de otro
oscilador con una frecuencia de referencia con la que podamos medir esos
cambios.
8.3. FRECUENCIA BATIDA
El concepto de frecuencia batida hace referencia a una de las dos frecuencias
adicionales que se producen cuando dos frecuencias distintas son
combinadas, una frecuencia batida es la suma de las dos frecuencias
adicionales y otra es la diferencia entre estas.
Un oscilador de frecuencia batida generalmente abreviado como BFO, es un
oscilador que produce una seal, la cual se combina con otra seal para
obtener frecuencias iguales a la suma o diferencia de las frecuencias
combinadas.

Pgina

El hierro y sus aleaciones constituyen materiales imprescindibles en muchas

tcnicas de la ciencia, pues se lo puede encontrar en un sinfn de mquinas y
dispositivos electromagnticos (transformadores rels, altavoces), donde son
ampliamente aprovechadas sus propiedades magnticas. Inequvocamente
todo material que presente una alta induccin magntica, al aplicarle un
campo magntico determinado o que posibilite constreir el flujo a caminos
convenientes bien definidos sern de un valor inestimable para el desarrollo
de algunas aplicaciones, estas propiedades, como ya se mencion se
encuentran en ciertas formas del hierro y sus aleaciones con cobalto, nquel,
aluminio y otros metales, Precisamente a estas formas del hierro y a sus
aleaciones se les da el nombre de materiales ferromagnticos, debido a su

8.4. MATERIALES FERROMAGNETICOS

fcil imanacin, al emplear estos materiales para ncleos de aparatos se hace

posible la obtencin de inducciones magnticas de cientos e incluso miles de
veces mayores que las que se obtendran con una bobina de sin ncleo
ferromagntico.
8.3. OSCILADORES.
Los osciladores en trmino generales son circuitos que muestran en su salida
una seal peridica, se requiere de realimentacin positiva en la cual, una
porcin de la seal de salida es devuelta a la entrada con el fin de mantener
salida, la misma que puede ser sinusoidal o no sinusoidal.
Los circuitos osciladores pueden ser clasificados en varias clase dependiendo
de los componentes de realimentacin, dispositivos amplificadores y a las
topologas de circuito usadas.
8.3.1. OSCILADORES SINUSOIDALES.
Existen varia configuraciones que pueden proveer una salida senoidal. Por
ejemplo si consideramos el sistema que se ilustra en la figura 3

Xi

Xo

+
Ao (s)

B(s)

FIG.3. ESQUEMA BASICO DE UN SISTEMA OSCILANTE

La ganancia la podemos expresar mediante () =

()
1()()

Para que este sistema entre en oscilacin es necesario que la ganancia en

lazo abierto ()() se aproxime a la unidad, por tanto se tiene:

Pgina

() ()() = 1

Caso en el que la ganancia de lazo cerrado tiende al infinito, produciendo un

voltaje de salida finito en ausencia de seal de entrada. Si expresamos esto
en el dominio de la frecuencia tenemos
(0 ) (0 )(0 ) = 1
De lo cual se puede interpretar que a 0 la fase de la ganancia de lazo
(0 ), debe ser cero y la magnitud de la ganancia de lazo |(0 )| debe ser
la unidad. Este enunciado se conoce como el criterio de Barkhausen. Cabe
indicar que para obtener una oscilacin a una frecuencia determinada, el
criterio de Barkhausen solo deber ser satisfecho para esa esa frecuencia
(0 ).
8.4 CRITERIOS PARA LA ELECCION DE COMPONENTES PARA CIRCUITOS RF.
Los capacitores e inductores son componentes ampliamente usados en
circuitos RF sintonizados, tanto el capacitor como el inductor son dispositivos
para almacenar energa. Mientras que el inductor amacena energa en forma
de campo magntico, el capacitor lo hace en forma de campo elctrico (o
electrosttico).
8.4.1 CAPACITORES.
Bsicamente un capacitor est formado por un par de placas metlicas
separadas por un material aislante llamado dielctrico.

Pgina

La capacitancia del capacitor es una medida de la habilidad para almacenar

corriente, o ms propiedades de la carga elctrica, la principal unidad de
capacitancia es el faradio. Un faradio es la capacitancia necesaria para

FIG.4. SIMBOLO Y ESTRUCTURA DE UN CAPACITOR

almacenar un coulomb de carga elctrica (6.28*1018 electrones), en un voltio

de potencial elctrico. Matemticamente se define:

Un faradio es un valor demasiado elevado para aplicaciones para diseo de

circuitos electrnicos RF, por lo cual resulta adecuado el uso de unidades de
capacitancia del orden de los mili (), micro (), nano () o pico ().
La capacitancia de un capacitor es directamente proporcional al rea de las
placas ( ), e inversamente proporcional al grosor () del dielctrico (o
la separacin entre las placas), donde la constante de proporcionalidad es la
constante dielctrica () del dielctrico.

FIG.5. PLACAS Y DIELECTRICO DE UN CAPACITOR

Pgina

Estos son los valores de K para los aislantes ms comunes:

Vaco
1.0000
Aire seco
1.0006
Papel de parafina 3.5
Vidrio
5 a 10

10

La constante dielctrica es una propiedad del material aislante, y es una

medida de la habilidad para soportar el flujo elctrico, este es un concepto
anlogo al de los materiales magnticos. El punto de referencia para las
constantes dielctricas es el vaco perfecto, en el cual por definicin tenemos
un valor de K=1.0

 Mica
3a6
Caucho
2.5 a 35
Madera seca
2.5 a 8
Agua pura destilada 81
Resumiendo todo lo anterior, el valor de a capacitancia est dado por la
formula
0.0224( 1)
=

Pgina

8.4.1.1 TIPOS DE CAPACITORES.

Existen varios tipos de capacitores en los circuitos electrnicos ms comunes
y estos se clasifican por el tipo de dielctrico con 0el que fueron construidos:
papel, mylar, cermica, mica, polister, entre los ms importantes.
8.4.1.1.1 Capacitores con papel dielctrico.
Se los encuentra en forma cilndrica o de sndwich, en valores de entre
300pF a 4uF y tensiones de 100 a 600 WVDC, es usado para aislamiento,
acople, y bloqueo de fuentes DC, su principal desventaja es que los rollos de
cinta metlica presentan inductancias aisladas significativas, razn por la cual
no puede ser usado para altas frecuencias como las VHF.

11

Donde
C= capacitancia en pico faradios.
K= constante dielctrica.
A= rea de una de las placas (L*W), asumiendo que dos de las placas son
idnticas, las unidades son las pulgadas cuadradas.
N= nmero de placas idnticas.
T = grosor del dielctrico.
Dado que los capacitores trabajan soportando un campo elctrico entre dos
placas metlicas, cuando el potencial elctrico es sobrepasado, algunos
electrones libres en el material dielctrico (realmente pocos), comienzan a
fluir, provocando un cortocircuito entre las dos placas metlicas, y por ende
la destruccin del capacitor.
Todo capacitor tiene una medida de la tensin mxima que soporta, por
ende, para propsitos prcticos este es una tensin DC llamada voltaje de
trabajo (WVDC DC Working voltage), dentro de circuitos electrnicos los
valores ms comunes son de 8 WVDC hasta 1000WVDC, aunque existen
valores de varios miles de WVDC.

8.4.1.1.2 Capacitores de mylar.

Este tipo de capacitores son necesarios para las modernas aplicaciones de
precisin, para su construccin usan una fina hoja de un material sinttico
llamado mylar como dielctrico, estos capacitores se los puede construir con
tolerancias bastante bajas, su rango WVDC es bastante amplio.
8.4.1.1.3 Capacitores cermicos.
Existen varios tipos de capacitores cermicos, se los puede encontrar en
valores de unos pocos pico faradios hasta valores de 0.5uF, admiten
tensiones de trabajo desde 63 WVDC a valores ms elevados de 30000
WVDC, son ampliamente usados en circuitos VHF y UHF.
8.4.1.1.4 Capacitores de mica.
Este tipo de capacitor consiste en placas metlicas separadas por una mica,
el rango de valores para los capacitores de mica esta entre los 50pF a 0.02uF
para rangos de voltaje de 400 a 1000 WVDC. Adems, poseen un bajo
coeficiente de temperatura, pero los capacitores cermicos son mucho
mejores que los capacitores de mica, son usados para circuitos de
sintonizacin de frecuencias elevadas.

Pgina

12

8.5. INDUCTORES.
Los inductores son una parte importante de la circuitera electrnica, ya que
se los puede encontrar en, sintonizadores de radio, filtros y adaptacin de
impedancias.
Existe una gran variedad de inductores y formas de representarlos, como
bobinas de ncleo de aire, inductores con tomas intermedias de las que se
pueden extraer fracciones de la inductancia total (bastante usados en
receptores y transmisores de radio para la seleccin de diversas bandas),
inductores variables por toma con contacto deslizante, o ncleo magntico
deslizante al interior de la bobina, inductores con hierros granulados o
ncleos frricos (o no frricos) con los cuales se puede aumentar o disminuir
la inductancia de una bobina con el mismo nmero de vueltas pero con
ncleo de aire.

Pgina

8.5.1. INDUCTANCIA.
La inductancia es la propiedad de los circuitos elctricos relacionada con la
oposicin a los cambios en el flujo de corriente, para la comprensin del
concepto de inductancia se deben entender dos factores fsicos:
1) Cuando un conductor est dentro de un campo magntico variable,
una fuerza electromotriz (FEM o voltaje), aparece entre los extremos
del conductor.
2) Cuando se mueve una corriente elctrica en un conductor, un campo
magntico aparece alrededor del conductor.
De acuerdo con la ley de Lenz, la FEM inducida en un circuito es una
direccin que se opone la causa que la produjo. Desde estas circunstancias
podemos observar los siguientes efectos:
1) Una corriente inducida por cambios en un campo magntico siempre
fluye en una direccin que produce un campo magntico que se opone
al cambio original.
2) Cuando la corriente que fluye por un inductor cambia, el campo
magntico cambia de tal forma que induce corrientes adicionales que
se oponen al cambio de corriente.
3) La FEM generada por un cambio en la corriente tiene una polaridad
que se opone al potencial que origino ese cambio.
La unidad de inductancia (L) es el henrio (H). Un henrio es la inductancia
necesaria para crear una FEM de un voltio cuando la corriente en el inductor
cambia a una tasa de 1 amperio por segundo.

13

FIG.6. SIMBOLOS DE LOS DIVERSOS TIPOS DE INDUCTORES

Un henrio es una unidad apropiada para inductores grandes (como las

usadas en los filtros de fuentes de alimentacin DC), pero es un valor elevado
para circuitos RF, por lo cual se usa submltiplos de esta como, mili henrio
(mH), micro henrio (uH).
= (

8.5.2 INDUCTORES CON NUCLEOS DE AIRE.

La inductancia de una bobina en la que el largo es mayor que su dimetro
est dada por la ecuacin.
2 2
=
9 + 10

Pgina

Dnde:
= es al inductancia en micro henrios (uH).
= radio de la bobina en pulgadas.
= longitud de la bobina en pulgadas.
N= nmero de espiras de la bobina.
Para la construccin de bobinas con ncleo de aire lo ms prctico es
determinar el nmero de espiras necesarias de un inductor con radio (),

14

FIG.7. FORMA Y DIMENSIONES PARA EL CLCULO DE UN INDUCTOR CON

NUCLEO DE AIRE

longitud (), e inductancia , para lo cual resulta despejar la frmula para

obtener la siguiente ecuacin:
=

(9 + 10)

8.5.3 INDUCTORES VARIABLES.

En los inductores de ncleo de aire existe una gran dificultad a a la hora de
variar la inductancia en cualquier instante, por lo que para hacerlo habra
que cambiar el nmero de espiras del inductor, o mediante el switcheado de
un inductor con mltiples tomas intermedias, claramente estas opciones son
poco prcticas. La solucin a la cuestin de ajustar la inductancia de una
bobina vino de la mano de la produccin masiva de radios, y en la actualidad
aun es mtodo muy usado, este mtodo consiste en la insercin de un
ncleo de ferrita en el interior de la bobina, la permeabilidad del ncleo
aumenta o disminuya la inductancia de la bobina en relacin a la porcin del
ncleo que se encuentra en el interior de la bobina.

Pgina

15

FIG.8. PARTES DE UNA BOBINA CON NUCLEO MOVIBLE

9. METODOLOGIA
9.1. DISEO DE LOS CIRCUITOS OSCILADORES.
Para el diseo de los circuitos osciladores lo primero es la eleccin de la
topologa adecuada para cumplir con los requisitos de realimentacin
positiva y el criterio de Barkhausen. La topologa propuesta es la de Colpitts,
debido a que es relativamente ms estable en altas frecuencias que las
dems topologas, ya que el dispositivo activo se puede acoplar fcilmente a
la frecuencia caracterstica del circuito de realimentacin.

FIG.9. ESTRUCTURA BASICA DE UN OSCILADOR COLPITTS

Como consideracin previa Ro toma en cuenta la resistencia de salida del
amplificador y las perdidas en el circuito LC.
La tensin de salida se la puede obtener mediante la aplicacin de un divisor
de tensin:

FIG.10. ETAPA DE SALIDA DEL OSCILADOR

=

= 1 1 =

16

,
+

Pgina

Para simplificar el clculo de la tensin de entrada, se asume que 3 ,

caso en el que 3 3 .

FIG.11. ETAPA DE ENTRADA DEL AMPLIFICADOR

=

2
1
1
=
=

2 +
1

2
1+
2

= 2

2 =

1
1 2 2

Remplazando en la primera ecuacin tenemos:

= 1 2
A partir del resultado se puede prever que para mantener oscilaciones a
cualquier frecuencia se necesita 1 2 = 1
Calculamos
1
1
1 2 2
= (
) ( +
)=
1
2
(2 + 2 2 1 2 )

Pgina

1 2 2
1
1 2 = (
)(
)
2
2
(2 + 2 1 2 ) + 1 2 1 2 2
1
= (
)
(2 + 2 2 1 2 ) + 1 2 2
Para cumplir con 1 2 = 1 se requiere que la parte imaginaria se haga
cero:
(2 + 2 2 1 2 ) = 0

17

1 2 2
1 =
=
+ (2 + 2 2 1 2 ) + 1 2 2

Lo cual se cumple si 0 (amplificador con una baja resistencia de salida),

o:
1 + 2 = 2 1 2
=

1 + 2
1 2

Una vez calculados los requerimientos en frecuencia, debemos seleccionar el

dispositivo activo que realizara la amplificacin, dadas las consideraciones
para el clculo, 3 y 0, es evidente que una acertada eleccin
sera un FET, o un circuito en base a un amplificador en base a un
amplificador operacional, sin embargo la limitante de restringir el diseo a
una fuente de alimentacin de 9V (para garantizar la portabilidad), nos lleva
a elegir un BJT en configuracin emisor comn,

Pgina

Finalmente se puede calcular la inductancia requerida si tenemos los datos

f=115K, C1 = C2 =100nF
2 + 2
200
=
=
= 39
1 2 2 100 100 (2 115)2
La construccin de la variable deber, cumplir la condicin de frecuencia de
la bobina del oscilador de bsqueda de tal manera que a la hora de restar las
frecuencias las frecuencias de suma o resta (segn como se vari la bobina
variable), estn en rango de frecuencia audibles.
En la prctica para la construccin de una bobina con una inductancia
especifica la mejor opcin es la de probar con un medidor de inductancia
hasta llegar al valor calculado. Una vez construida la bobina se determina
que el valor real para la frecuencia deseada es 41uH. Y las dimensiones que
mejores resultados fueron la de 11 espiras con un dimetro de 6 pulgadas, ya

18

FIG.12. CIRCUITO CONSIDERANDO EL MODELO DEL TRANSISTOR

que gracias a ello se pudo obtener variaciones de inductancia de 2, lo

cual da un rango de frecuencias de

2
2

6
(39 10 )(100 109 )

=
=
= 114
2
2
2
2

6 )(100 109 )
(43

10

=
=
= 108
2
2

9.2. OBTENCION DE FRECUENCIAS DE SUMA O RESTA.

Pgina

Como se observa en la figura anterior es posible obtener la diferencia entre

las frecuencias solo con restar las seales del oscilador de referencia y el
oscilador de bsqueda.
Si = () = 1 sin( ) y
= () = 1 sin( )
Ambos osciladores tienen seales seno con la misma amplitud
() () = 1 [sin( ) sin( )]
Usando la identidad trigonomtrica:
+

sin sin = 2 cos (

) sin (
)
2
2

19

FIG.13. ESQUEMA EN EL QUE SE IDEALIZA LA OBTENCION DE FRECUENCIAS

DE SUMA Y RESTA

 +

) sin (
)]
2
2
Claramente podemos ver que obtenemos una seal con modulacin DSB-SC
donde:

() () = 21 [cos (

es ligeramente menor que , por ende

+
2

corresponde a la

frecuencia de una seal portadora con frecuencia muy prxima a la

frecuencia del oscilador de referencia , y

corresponde a la

Pgina

Por tanto tendremos frecuencias de 0 a 3500Hz, las mismas que estn dentro
del rango de frecuencias audibles
9.3. OBTENCION DE LA INFORMACION CONTENIDA EN LA SEAL
MODULADA.
Una vez obtenida la seal modulada en amplitud, con una moduladora que
contiene la informacin de la diferencia en frecuencia de los osciladores de
bsqueda y referencia, el siguiente paso lgico es la implementacin de un
mtodo para obtener la informacin de esta seal.
Segn mediciones preliminares a los osciladores ya implementados se
encuentra que la tensin mxima de la seal modulada es de 900mV, lo cual
implicara la necesidad de una etapa de amplificacin para poder detectar la
envolvente por mtodos convencionales, y aqu viene el primer obstculo a
solucionar, ya que la implementacin de una etapa de amplificacin en altas
frecuencias no involucra nicamente en si la etapa de amplificacin, pues se
necesita adicionar una etapa de adaptacin de impedancias, y ms
requerimiento de potencia de la batera.

20

frecuencia de una seal modulante que es igual a la mitad de la diferencia

entre la frecuencia de referencia y de bsqueda.
Del grafico mostrado en FIG.13 se puede inferir que las dos resistencias R1 y
R2 deben ser iguales ya que se debe tomar la seal de entre las unin de las
dos ya que es la nica manera de obtener la diferencia de las dos
frecuencias, por tanto la amplitud de la seal modulada es 1 adicional a un
nivel dc aadido por la topologa creada.
En cuanto a la frecuencia de los resultados obtenidos de los osciladores
tenemos:
115 114
=
=
= 500
2
2
115 108
=
=
= 3500
2
2

Una de las soluciones propuestas y a probar, es la implementacin de una

etapa de modulacin por anchura de pulsos, que idealmente su
funcionamiento se detalla en la siguiente grfica.

FIG.14. SEAL OBTENIDA MEDIANTE EL SWITCHEO DE UN TRANSISTOR CON

LA SEAL MODULADA

Pgina

21

Observando grafico anterior se puede constatar la modulacin por anchura

de pulsos que resulta de usar la seal DSB-SC como seal de control en el
switcheado de un transistor. Ahora si a esto le aadimos una etapa de
filtrado o un capacitor (para construir una seal mediante la carga y descarga
del mismo).
Debido a la elevada cantidad de componentes armnicas que posee la seal
obtenida, determinar una capacitancia de filtrado por un mtodo analtico
resulta bastante complicado, sin embargo se puede recurrir a un anlisis
grafico usando la recta de descarga de un circuito RC en funcin de las
frecuencias con las que vamos a trabajar.
( ) 8
125
( ) 500
2

Pgina

Antes de proseguir con el anlisis resulta conveniente visualizar la forma en

la que trabajaremos con la seal que obtendramos con la descarga y carga
del capacitor, en el diagrama esquemtico planteado se puede ver que el
siguiente paso es la obtencin de una seal PWM, mismo que se basa en la
seal obtenida con la carga y descarga del capacitor. Esto implica el uso de
transistores polarizados en corte y en saturacin.
Con este fin lo ms idneo sera buscar un comportamiento lineal tanto para
la carga como para la descarga del capacitor, conservando niveles de carga
adecuados para trabajar con la circuitera posterior, este comportamiento
lineal lo podemos observar para el intervalo valores de 0.4 0.6 en la
grfica 15, donde adems podemos ver que los niveles de carga se
mantienen en rangos aceptables.
Si asignamos a 1 de la grfica 16 el valor de 10 a fin de limitar la
corriente suministrada por la fuente dc, entonces podemos asumir:
0.6 >
0.6 > 125
=
125
>
> 20
0.6 10
0.4 <
0.4 < 2
2
>
< 500
0.2 10

22

FIG.15. GRAFICA DE LOS TIEMPOS DE CARGA Y DESCARGA DE UN CIRCUITO

RC

Por tanto la eleccin de una capacitancia de 220nF resulta una buena

eleccin la misma que se confirmara mediante simulacin.

FIG.16. SEALES OBTENIDAS MEDIANTE LA CARGA Y DESCARGA DEL

CAPACITOR.

Pgina

23

Hasta el momento hemos obtenidos resultados enmarcados dentro de la

lgica del anlisis se circuitos, pero es hora de determinar el tipo de
transistor que se debera implementar en funcin de los de las caractersticas
consideradas hasta ahora.
Recordando que para el clculo de la frecuencia de los circuitos osciladores
se asumi que el dispositivo amplificado debera cumplir:
3 0
Mediante simulacin se determina que el transistor 2N3904 cumple con
estas caractersticas. Dado que 3 = 13.84 para C= 100nF, como se puede
observar en la figura 17, la impedancia que el transistor muestra a altas
frecuencias es 182.34, adems de una baja resistencia de colector (1)

FIG.17. DETERMINACION DE LAS CARACTERISTICAS DEL TRANSISTOR

SELECCIONADO

Pgina

En la figura 18, se puede ver el circuito armado y simulado de las etapas

calculadas anteriormente.

24

FIG.18. CIRCUITOS DE LOS OSCILADORES Y EL BFO DE DIFERENCIA

9.4. OBTENCION DE LA SEAL PWM A PARTIR DE LA SEAL OBTENIDA

MEDIANTE EL FILTRADO.
Para la obtencin de una seal PWM a partir de una onda peridica
debemos enfocarnos en el concepto de transistores trabajando en corte y
saturacin.
Las condiciones para que un transistor este en corte son:
< 0.5 < 0.5
En tanto que las condiciones para que un transistor este en la regin de
saturacin son:
> 0 ; > 0.2
Una eleccin adecuada resulta la implementacin de un circuito de
polarizacin de base fija como el que se muestra en la figura 19.

FIG.19. CIRCUITO DE POLARIZACION DE BASE FIJA

9 9 0.7 8.3
8.3
=
=
=

9 9 0.2 8.8
8.8
=
=
=
=

Ahora si consideramos como entrada el punto A del circuito de la figura 20,

resulta evidente el uso de un capacitor de acople para aislar ambas etapas,
pero un anlisis detallado revela lo siguiente:

25

8.8
<

8.3

Pgina

FIG.20. UBICACIN DEL CAPACITOR DE ACOPLO

FIG.21. UBICACIN DE UN CAPACITOR A TIERRA

Al realizar un acople directo con un nico capacitor, estamos limitando la
tensin del capacitor de 200nF en serie con el de acoplo al valor de
= 0.7, lo cual puede causar un mal funcionamiento de la etapa
diseada anteriormente, una soluciones el uso de un capacitor conectado a
tierra, cuyo valor sea igual al capacitor de acoplo a fin de que sirva como un
divisor de tensin, esto se puede observar en la figura 21, este proceso no de
be afectar a la capacitancia de 220nF:
La capacitancia total vista desde el punto A es:
= 220 + (

1
1
1
+
1 2

) ; 1 = 2

1
2
Dado que la capacitancia del punto A ( ), es la capacitancia calculada con la
grfica de carga y descarga de un circuito RC, el valor de 1 debe garantizar
dos cosas:

26

= 220 +

Pgina

Pgina

FIG.22. OBTENCION DE UNA SEAL MEDIANTE EL SWITCHEADO CON LA

SEAL DEL BFO DE DIFERENCIA.

27

1. Que el valor de no sea muy superior a 220nF.

2. Un valor de reactancia no tan elevado ya que este condicionara el
valor de la resistencia .
En vista de lo expuesto una eleccin razonable de 1 seria 10nF ya que
cumple con los dos requerimientos anteriores.
Considerando en valor de la reactancia del capacitor puesto a tierra:
1
=
= 2 ; = 8
2
Por tanto para preservar que el valor de sea el que determine el valor de
la tensin de , y por ende de se requiere que 2.
Entonces si asignamos a = 2.2. Entonces:
8.3(2.2 106 )
>
> 20.75
8.8
= 39
Ahora la tensin est controlada por la tensin del capacitor 2 que es la
que har pasar de saturacin a corte el transistor del circuito de la figura 22.

Aunque se empieza a dibujar una seal PWM se requiere de una forma an

ms definida para poder mandarlo a un dispositivo piezoelctrico (Buzzer),
por tanto siguiendo los mismos criterios se implementa una nueva etapa con
un transistor inicialmente puesto en saturacin, del anlisis anterior se
puede proponer la siguiente estructura.

FIG.23. SEGUNDA ETAPA DE SWITCHEADO

FIG.24 SALIDA DE LA SEGUNDA ETAPA DE SWITCHEADO

Pgina

28

1 8.8
8.3(39)
<
1 = 39 2 >
2 = 1
2 8.3
8.8
Y eligiendo 1 = 2 = 10 tenemos a la salida

9.5. ETAPA DE ADAPTACION AL BUZZER.

Como resultado podemos ver que ahora ya tenemos la forma de una seal
PWM, que podr ser alimentada a un buzzer para producir un sonido que
variara de acuerdo a la frecuencia.
En el circuito mostrado en la figura jj el valor de la resistencia debe ser tal
que limite la corriente a un mximo de 15mA, por tanto se elige una
resistencia de 2,2K

FIG.25. ETAPA DE ADAPTACION DEL BUZZER

Pgina

29

La unin de todas las etapas tratadas hasta aqu da como resultado un

circuito capaz de detectar metales ferromagnticos. Adems podremos saber
de la presencia de este tipo de materiales mediante el sonido que emitir el
buzzer el mismo que es proporcional a la frecuencia batida de diferencia.

L1 40,8uH

L2 40uH

C3 100nF

R8 39kOhm

OBTENCION DE SEALES
CUADRADAS PERIODICAS

C8 10nF

R10 2,2kOhm

T6 2N3904

SP1 1M

ETAPA DE ADAPTACION DEL

BUZZER PARA PRODUCIR
UNA SEAL AUDIBLE

FIG.26. CIRCUITO COMPLETO DEL DETECTRO DE METALES POR BFO

CIRCUITO DETECTOR DE METALES

T2 2N3904

C5 100nF

OBTENCION DE
FRECUENCIA
BATIDA DE
DIFERENCIA

R6 2,2MOhm
C6 10nF

MODULACION POR
ANCHO DE PULSOS

C11 10nF

R9 1kOhm
C9 10nF

R5 10kOhm
T3 2N3904

R2 10kOhm

OSCILADOR DE REFERENCIA

C4 100nF

R7 39kOhm
T4 2N3904
C7 10nF

T1 2N3904

OSCILADOR DE BUSQUEDA

R4 10kOhm

OBTENCION DE FRECUENCIAS
BATIDAS

R3 10kOhm

30
V1 9V

C10 220uF

C12 220uF

ETAPA DE ALIMENTACION

C2 100nF

R1 10kOhm
C1 100nF

+
-

+
-

Pgina

9.6. CIRCUITO FINAL

T5 2N3904

El circuito mostrado en la figura 26 una vez armado en protoboard y

verificado su funcionamiento y ajustando algunos parmetros para su ptimo
funcionamiento se pasa a su diseo PCB, el programa usado es el mismo que
se us para la simulacin, este software es TINA V9, donde el diseo PCB
tiene las siguientes caractersticas

Pgina

31

FIG.27. SIMULACION 3D DE LA PLACA PCB ARMADA EN TINA PCB DESIGNER

10. MATERIALES Y PRESUPUESTO

COMPONENTE

RESISTENCIAS

CAPACITORES

TRANSISTORES
BUZZER
ADAPTADOR
BATERIA 9V
NUCLEO PARA
BOBINA
VARIABLE
SWITCH
ALAMBRE
ESMALTADO
PLACA PARA
CIRCUITO
IMPRESO
CLORURO
FERRICO

VALOR

CANTIDAD

PRECIO/U

TOTAL

2.2M
10K
39K
2.2K
1K
220uF 16V
electroltico
100nF
Mylard
10nF
Mylard
2N3904
---------------------

1
5
2
1
1
2

0.10$
0.10$
0.10$
0.10$
0.10$
0.45$

0.10$
0.50$
0.20$
0.10$
0.10$
0.90$

0.30$

1.5$

0.25$

1.25$

6
1
1

0.25$
0.6$
0.20$

1.5$
0.6$
0.20$

--------------

1$

1$

32 AWG
---------------

30m
1

0.05$/m
1.25$

0.6$
1.25$

--------------

0.5$

0.5$

-------------

TOTAL

10.3$

Pgina

32

Tabla.1. lista de materiales para la implementacin del circuito detector de metales

11. DISCUSION DE RESULTADOS

Una vez armada la placa en una estructura que facilite su operacin y
proteccin los componentes se pudieron tabular los siguientes resultados en
la deteccin de varios objetos metlicos de distinta naturaleza.
OBJETO
MONEDA 1 cc
MONEDA 5 cc
MONEDA 10 cc
MONEDA 50 cc
MONEDA 1 $
TRANSFORMADOR RF
TELEFONO CELULAR
CALCULADORA
TABLET
ENVOLTURAS
METALICAS

DETECCION
SI
SI
SI
SI
SI
SI
SI
SI
SI
SI

DISTANCIA MINIMA
2 cm
2 cm
<1 cm
2.5 cm
4 cm
4 cm
8 cm
9 cm
15 cm
15 cm

Pgina

Con las mediciones realizadas, y con la certeza de los conceptos involucrados

en la deteccin de metales por parte del circuito, se puede justificar la
deteccin de las monedas entendiendo que se tratan de aleaciones donde se
involucran materiales altamente ferromagnticos, en cuanto a la mayor
distancia a la que son detectados los objetos electrnicos se debe tener en
cuenta la naturaleza capacitiva los circuitos internos a los que debemos
aadir los propios campos generados por la fuentes de alimentacin que
poseen en su interior.
Todo lo anterior es posible debido a que la bobina del oscilador de bsqueda
cambia relativamente su inductancia en funcin dela naturaleza de los
objetos metlicos que se encuentran en la periferia de la bobina de
bsqueda.
La forma en que se realiza la alerta de la presencia de objetos metlicos
presenta variaciones audibles en funcin de la distancia el tamao y
composicin del objeto metlico.

33

Tabla.2. Mediciones realizadas con la deteccin de varios objetos metlicos

El detector si es calibrado de manera adecuada tambin puede usarse para la

deteccin del alejamiento de un elemento metlico. En suma el
funcionamiento puede ser claramente explicado mediante una adecuada
aplicacin de los conceptos aprendidos acerca de teora electromagntica,
anlisis en frecuencia de sistemas y seales orientados a las comunicaciones.
12. CONCLUSIONES Y RECOMENDACIONES.

Pgina

34

Los conceptos concernientes a las comunicaciones analgicas, pueden

tener una gran variedad de aplicaciones que no tienen que ver
especficamente con las comunicaciones, pero para una adecuada
aplicacin de conceptos se de tener en cuenta los diversos
fundamentos fsicos que eso conlleva.
Una adecuada eleccin de los circuitos y componentes de
radiofrecuencia es necesaria para cumplir con los requerimientos en
frecuencia del sistema resultante.
Para modelar componentes activos como transistores se debe aplicar
modelos adecuados acorde al rango de frecuencias con los que
estamos trabajando, considerando adems las componentes
armnicas de las seales.
Las diversas herramientas de software son de mucha utilidad a la hora
del diseo circuitos y modelamiento de componentes activos de RF.
Para la medicin de los valores tanto en tiempo y en frecuencia se
requiere de equipos adecuados a fin de poder contrastar resultados
calculados u obtenido mediante simulaciones con los circuitos reales.
Para el diseo e implementacin de circuitos de radiofrecuencia es
necesario el conocimiento de las restricciones y normativas que
implica el uso del espectro radioelctrico para el rango de frecuencias
involucradas.

13. BIBLIOGRAFIA.

Pgina

35

HAMBLEY Allan, 2009, ELECTRONICA, VERSION LIBRE, Cap 4, pp 242258.

HORENSTEIN
Mark,1997,
CIRCUITOS
Y
DISPOSITIVOS
MICROELECTRONICOS, Prentice-Hall, primera edicin, Cap 13, pp
846-854.
TOOLEY Mike, 2006, Electronic Circuits Fundamentals and
Applications, Newnes, Tercera edicin , Cap 13,pp 227-244.
GRAF Rudolf, 1999, Modern dictionary of electronics, Newnes,
Tercera edicin, p 66.
REINHOLD-PAVEL, 2000, RF Circuit Desing Theory and Applications
,Prentice Hall, Primera edicin, Cap 10, pp 539-566.
CARR-Joseph, 2002, RF Components and circuits, Newnes, Primera
edicin,Caps 8-9, 209-260.
DEVENDRA Misra, 2004, Radio-Frequency and Microwave
Communications Circuits , Wiley-Interscience, Cap 12, pp 479-499.

14. ANEXOS

Pgina

36

PLACAS PCB DISEADAS.

PROTOTIPO

Pgina

37