Universidad Nacional de Colombia. Chaparro Arce. El transistor BJT como amplificador de pequea seal.

Diciembre de 2014

El transistor de Unin Bipolar BJT como

amplificador de pequea seal
Daniel Felipe Chaparro Arce, Cod 2262208

Abstract The results obtained in the lab No. 10 of analog

electronics, directed at implementation of bipolar junction
transistors BJT power amplifiers are evaluated. Various design
configurations in which it is possible to obtain amplification
with transistors of this type that will be useful for the
development of the final project will be developed.

Resumen A continuacin se evaluarn los resultados

obtenidos en la prctica de laboratorio N 10 de
electrnica anloga, dirigida a la implementacin de los
transistores de unin bipolar BJT en amplificadores de
potencia. Se desarrollar el diseo de diversas
configuraciones en las que es posible obtener
amplificacin con transistores de este tipo que sern de
utilidad para el desarrollo del proyecto final.
Palabras clave Colector comn, emisor comn,
diseo, punto ptimo de trabajo, fase.

I. OBJETIVOS
Aplicar la teora de transistores de unin bipolar (BJT)
para seales de pequea seal y para acoplar
impedancias entre etapas de circuitos electrnicos.
1. Disear
e
implementar
circuitos
amplificadores de pequea seal con
transistores BJT, polarizados en configuracin
de emisor y colector comn.
2. Amplificar seales alternas de baja amplitud.
3. Validar experimentalmente el funcionamiento
del transistor BJT como acoplador de
impedancias entre etapas de circuitos
electrnicos, en configuracin de colector
comn.
II. INTRODUCCIN
Aunque se ha mencionado que en su funcionamiento
los transistores Mosfet son superiores a los de unin
bipolar BJT, cabe resaltar el hecho de que el transistor
BJT es capaz de amplificar tensin y corriente en
cantidades superiores a la del Mosfet.

La configuracin particular de cada uno de los

amplificadores relaciona su funcin primordial y la
manera en que amplifica potencia ya sea en forma de
tensin o en forma de corriente.
III. MATERIALES
1.
2.
3.
4.
5.
6.
7.
8.

1 Osciloscopio de dos canales.

1 Generador de funciones
1 Multmetros Fluke.
Resistencias de [W]
1 Fuente Dual.
3 Sondas.
Conectores Caimn-Caimn, Banana-Caimn.
Transistores BJT NPN referencia LM3086.

IV. MARCO TERICO

Luego de conocer en detalle el funcionamiento de los
transistores de unin bipolar, es necesario echar un
vistazo a los principales factores que influyen en su
comportamiento como amplificador. Al igual que en
los transistores de efecto de campo, existe un valor de
transconductancia relacionado para la interpretacin
del circuito equivalente de un amplificador con BJT, de
esta manera se puede decir que la transconductancia m
est dada por:

[2]
Como se puede observar, ste valor es directamente
proporcional a la corriente de polarizacin del colector,
por lo que para su interpretacin es necesario reconocer
este valor. En la figura 1 se puede apreciar una
interpretacin grfica para gm, en la que se muestra que
es equivalente a la pendiente de la funcin Ic Vs VBE
del circuito.

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Con esto, es posible determinar los diversos circuitos

equivalentes de las configuraciones descritas en la gua
de laboratorio y los que sean propuestos a travs del
trabajo individual y grupal.
V. PROCEDIMIENTO

1. Amplificador de pequea seal

configuracin de emisor comn.

Figura 1: Interpretacin grfica de la transconductancia del BJT [1].

Como se puede apreciar en la grfica de la figura 1, la

grfica es muy similar a la de un diodo comn. Este
fenmeno se debe a la interaccin entra las uniones de
los semiconductores dentro del transistor, dicho de otro
modo es correcto afirmar que.
= 0,7
[2]
Otro factor importante en la interpretacin del circuito
es el conocimiento acerca de la resistencia presente en
pequea seal entre la base y el emisor del circuito, a
esta resistencia se le denomina R y viene dada por.
R =

en

Para comenzar el laboratorio, se procedi a realizar el

montaje del circuito propuesto en la figura 3; teniendo
en cuenta una ganancia Av=5 con respecto a la salida
del generador, RL=10K, Ic=10mA y una seal de
entrada de 200mV a 500Hz. Debido a que la seal
proveniente del generador no cumple la condicin de
pequea seal se procedi a realizar un divisor de
tensin con la resistencia de 40K tal y como se puede
observar en la simulacin de la figura 4.
Los valores del montaje se realizaron con los datos
sugeridos en la gua y gracias al circuito equivalente,
donde la tensin de salida es:
= ( || )
Con sta frmula se puede vislumbrar que la tensin de
salida est en contrafase con la de entrada, verificado
en las figuras 5 y 6. A partir de esto, se dieron valores
a algunas resistencias, lo que facilit el clculo de los
dems valores que se pueden vislumbrar en la
simulacin de la figura 4.

[2]
De esta manera, se puede deducir, con los
conocimientos adquiridos con los transistores de efecto
de campo, que para representar el transistor dentro de
un circuito equivalente es necesaria una fuente
dependiente de corriente representada por gmVBE, por
lo que el circuito equivalente del transistor sera el
descrito en la figura 2 [1].

Figura 3: Circuito emisor comn [4].

Figura 2: Circuito equivalente de un transistor BJT [1].

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XSC1

10V
R3
6K8

XFG1

R1
120

R6
40k

Q2

100F

100F
Punta2

2N2222A C1
Punta3

R4
10k

R2
510

_
B

A
+

C2

Punta1

C3

Ext Trig
+

V: 8.86 V
V(p-p): 232 mV
V(rms): 8.85 V
V(dc): 8.85 V
I: 9.53 mA
I(p-p): 1.94 mA
I(rms): 9.57 mA
I(cd): 9.55 mA
Frec.: 500 Hz

VCC

1000F

V: 1.95 mV
V(p-p): 232 mV
V(rms): 82.1 mV
V(dc): -371 uV
I: 195 nA
I(p-p): 23.2 uA
I(rms): 8.21 uA
I(cd): -37.1 nA
Frec.: 500 Hz

R5
10k

V: 4.91 V
V(p-p): 631 uV
V(rms): 4.91 V
V(dc): 4.91 V
I: 9.63 mA
I(p-p): 1.24 uA
I(rms): 9.63 mA
I(cd): 9.63 mA
Frec.: 498 Hz

Figura 4: Simulacin circuito emisor comn [4].

Durante el diseo del amplificador, se us el valor de

beta (B) obtenido en la prctica anterior,
correspondiente a B=112. Al realizarlo y normalizarlo
se perdi ganancia; la esperada era de 50 con respecto
a la salida del divisor de tensin paro como se puede
constatar en la simulacin de la figura *, la ganancia
fue de 2.3 con respecto a la seal de entrada y de 32,2
con respecto al divisor de tensin. An as, por
cuestiones de conexin en la prctica se obtuvo una
ganancia de 16.2 con respecto al divisor de tensin,
como se puede apreciar en la figura 4.
Por otro lado, se procedi a verificar la ganancia de
corriente con los valores de tensin e impedancia de
entrada y salida, por lo que segn la simulacin:
=

460/(10||220)
=
200/(40 + (68||10))
= 0.42

Por otro lado, en la prctica se tuvo que:

324/(10||120)
=
200/(40 + (68||10))
= 0.54

Figura 5: Datos obtenidos en simulacin.

Figura 6: Datos obtenidos en laboratorio

Luego de obtener la grfica respectiva se procedi a

modificar la frecuencia de la seal de entrada en 10
veces de cada medicin visualizando la curva de
transferencia, al realizar este procedimiento se
obtuvieron las funciones de las figuras 7,8,9,10 y 11.
Como se puede observar, las pendientes de las grficas
son muy similares lo que indica que la ganancia del
circuito no se ve afectada por los cambios de
frecuencia; aun as, como se puede visualizar en la
figura *, la accin de los condensadores no puede filtrar
correctamente la seal porque sta es tiene una
frecuencia muy alta, por lo que las seales de entrada y
salida no se encuentran ni en fase, ni en contrafase.

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Figura 7: Curva de transferencia al variar la frecuencia

Figura 10: Curva de transferencia al variar la frecuencia

Figura 8: Curva de transferencia al variar la frecuencia

Figura 11: Curva de transferencia al variar la frecuencia

Para finalizar la caracterizacin de la configuracin

emisor comn se reemplaz la resistencia del colector
(120) por un potencimetro de 1K y se procedi a
variar la resistencia. Al realizar este procedimiento, se
pueden observar los resultados de las figuras 12, 13 y
14, donde se evidencia que al aumentar el valor de la
resistencia, aumenta la impedancia de salida; lo que
provoca el aumento en la tensin de salida y por ende,
la ganancia del circuito. Esto ocurrir hasta que la
resistencia sea muy grande y provoque que el transistor
salga de la zona activa y entre a la zona de saturacin.

Figura 9: Curva de transferencia al variar la frecuencia

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simulacin de la figura 16, se bas en una ganancia de

0,7, una resistencia de carga de 220 con una
impedancia de entrada equivalente al doble de la de
salida del emisor comn (20K) y con una seal de
entrada de 200mVp a una frecuencia de 500Hz y
teniendo en cuenta el punto ptimo de polarizacin.

Figura 12: Grfica al variar potencimetro

Figura 15: Circuito Colector comn [4].

XSC1
VCC
10V
R3
22k

XFG1
C3

R1
1k

Ext Trig
+
_

C2
+

Q2

A
_

100F

Figura 13: Grfica al variar potencimetro

100F
2N2222AC1
R4
100k

470F
R2
220

R5
220

Figura 16: Simulacin circuito Colector comn.

Los clculos se realizaron suponiendo valores de

resistencias para R1 y RE segn el anlisis de ganancia
donde:
1
+

=
1
1
1
+ + +

Figura 14: Grfica al variar potencimetro

2. Amplificador BJT en configuracin colector

comn.
Para comenzar esta parte del laboratorio se procedi a
realizar el montaje propuesto de la figura 15. El diseo
del circuito, cuyos valores se encuentran en la

De all se puede deducir que la ganancia de tensin

mxima del circuito es de 1, por lo que el circuito
debera tener una ganancia en cuanto a corriente se
refiere.
Al igual que en el emisor comn, al normalizar los
valores de las resistencias se vio afectada la ganancia
del circuito; como se puede apreciar en la simulacin
5

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de la figura 17 es de 0.74 y en el experimental, en la

figura 18 es de aproximadamente 0.68. Segn la
formula especificada anteriormente de la ganancia del
circuito, se puede vislumbrar que la seal de salida
estar en fase con la de entrada, siempre y cuando los
condensadores tengan la impedancia suficiente para
filtrar la seal respectiva.

Como se puede observar en los datos obtenidos, a

diferencia del emisor comn que obtiene grandes
ganancias de tensin y perdidas en corriente, el colector
comn ofrece una gran ganancia en cuanto a corriente
se refiere. En otras palabras, se puede decir que sus
funcionamientos son inversos.
3. Amplificador
BJT
en
configuracin
multietapa (amplificadores en cascada)
Para finalizar el laboratorio se procedi a realizar
el montaje propuesto por la gua, donde se
empalman los circuitos de emisor y colector comn
en cascada segn lo muestran las figuras 18 y 19.

Figura 16: Funcin obtenida en simulador.

Figura 18: Circuito en cascada [4].

VCC
R3
6K8

XFG1

10V
R1
120
C6

R6

C3

40k

100F

Q2

R5
1k

Ext Trig
+

C4

_
B

A
+

Q1

1000F
R2
510

R8
22k

100F

100F

2N2222A C1

R4
10k

XSC1

VCC
10V

2N2222AC2
R9
100k

470F
R7
220

R10
220

Figura 19: Simulacin circuito Colector comn [4].

Figura 17: Funcin obtenida en Laboratorio

Para obtener la ganancia de corriente Ai, se procedi a

realizar la siguiente operacin, teniendo en cuenta los
resultados simulados con los experimentales
respectivamente:
=

148/220
=
= 67.273
200/20

136/220
=
= 61.812
200/20

Luego de unir los dos circuitos en cascada, se

obtuvieron los resultados de las figuras 20 y 21 donde
muestran las funciones en simulador y en la prctica.

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Como se puede vislumbrar, los datos experimentales

son muy similares a los tericos, teniendo as un buen
amplificador de potencia.
VI. PREGUNTAS SUGERIDAS
1. Qu parmetros de arranque tuvo que asumir
para iniciar el diseo de amplificadores?
Como ya se ha mencionado en el informe, en
el caso del emisor comn se debieron asumir
los valores de Rc Y R1 teniendo en cuenta los
parmetros descritos para la gua. Por otro
lado, para el circuito del colector comn se
debieron asumir los valores de RE Y R1, todo
esto teniendo el beta encontrado en la prctica
anterior.

Figura 20: Grfica obtenida en laboratorio.

2. Describa cada una de las configuraciones

amplificacin, en trminos nfasis en sus
ventajas, desventajas y posibles aplicaciones.
Como ya se ha mencionado, en el circuito del
emisor comn se observa que una seal de
entrada es amplificada en forma de tensin y
en la de colector comn en forma de corriente.
La potencia amplificada por ambos circuitos
hace que las desventajas de uno sean las
ventajas del otro, por lo que un amplificador
de potencia ptimo sera la unin de los dos.
Esto podra aplicarse en la amplificacin de
ondas de sonido en un parlante o en la
amplificacin de seales inalmbricas.

Figura 21: Grfica obtenida en simulador.

Las respectivas ganancias de tensin y corrientes

simuladas y experimentadas se tienen representadas
respectivamente por:

= 32.2 0.74 = 23.82

.
Simulado

= 16.2 0.68 = 11.02

Prctico

= 0.42 67.23 = 28.236

Simulado

= 0.54 61.82 = 33.38

Prctico

3. Qu funcin cumplen los condensadores y sus

respectivos valores en las diferentes
configuraciones de amplificacin?
Los condensadores tienen como funcin filtrar
la seal; en ambas configuraciones el valor del
condensador conectado a la carga es el de
mayor valor porque de ste depende que la
seal de salida se encuentre en fase o en
contrafase con la de entrada dependiendo el
circuito.

4. Las impedancias de entrada/salida de los

amplificadores pueden modificar la ganancia
del circuito cascada?, Cmo?
7

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Si, como se vislumbr al poner el

potencimetro en el circuito del emisor comn,
la ganancia de tensin aumentaba conforme el
valor de la resistencia hasta que entraba en
zona de saturacin. Dado esto si cambia la
impedancia de salida, la ganancia tambin
cambiar.

5. Cmo puede esta prctica ayudar al desarrollo

de su proyecto de fin de semestre?
Analizando los resultados de la prctica de
laboratorio se pudo inferir que esta
configuracin en cascada podra ser bastante
til para la amplificacin del pulso cardiaco.
Es necesaria una amplificacin de tensin para
vislumbrar en el osciloscopio la seal de las
pulsaciones y una de corriente para la
conexin del parlante.

VII. CONCLUSIONES

1. La ganancia que generan los transistores de

unin bipolar BJT son representativamente
mucho mayores a las del Mosfet, lo que podra
ayudar en gran medida a la implementacin en
circuitos como el relacionado al proyecto final.
2. La implementacin en cascada de los dos
circuitos propuestos para esta gua
proporcionan al determinado circuito una
ganancia de potencia muy grande, debida a que
cada uno de los circuitos se especializa en la
ganancia ya sea de tensin o de corriente.
3. Queda evidenciado que al usar frecuencias con
grandes amplitudes, el transistor no funcionar
correctamente y entrar en zona de saturacin.

6. Qu puede concluir al hacer la variacin de la

resistencia del colector en el montaje de la
figura 1?, en trminos de variacin de ganancia
e impedancias.
Como ya se ha hablado anteriormente, el
cambio de la resistencia en el colector del
circuito de emisor comn modifica la ganancia
en cuanto a tensin se refiere hasta que el
transistor entre en zona de saturacin o zona
de corte dependiendo en la magnitud de la
resistencia del componente.
7. A qu atribuye el hecho de que las ganancias no
hayan sido exactas?
Es posible que las ganancias no hayan sido exactas
debido a la normalizacin en los valores de las
resistencias usadas durante el laboratorio.

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VIII. BIBLIOGRAFA
[1] A. Sedra and K. Smith, Microelectronic Circuits
Revised Edition, 5rd ed. New York, US: Oxford
University Press, Inc. 2007.

[2]
Muhammad
H.
Rashid.
Circuitos
Microelectrnicos, anlisis y diseo. 2th Ed. raduccin,
Navarro Salas. US: Universidad de Florida,
International Thomson Editores. 2000.
[3] Chaparro A. Daniel F. Notas de clase Electrnica
Anloga I. Profesor Pablo Rodrguez. Universidad
Nacional de Colombia. Bogot, Colombia. 2014 III.
[4] Tarquino Jonnathan Steve. El transistor BJT como
amplificador de pequea seal. Bogot, Colombia:
Universidad Nacional de Colombia, Electrnica
anloga 1. 2014 II.