ELECTRNICA FSICA.

GRUPO A
PROBLEMAS

Febrero 2013

APELLIDOS.........................................................................NOMBRE...........................

1.- (2.5 PUNTOS) Una muestra semiconductora de Ge, situada a T = 300 K, presenta
un coeficiente Hall nulo a dicha temperatura
a) Determinar las concentraciones de electrones y huecos presentes en dicha
muestra a sa temperatura.
b) Determinar el tipo y concentracin de impurezas presentes en la muestra,
sabiendo que la energa de activacin de las mismas es 0.3 eV
c) Calcular el tiempo de vida en condiciones de baja inyeccin para el
mecanismo de recombinacin extrnseco, sabiendo que la muestra posee un
centro de recombinacin situado en EC ET = (2/5) EG. Se sabe que, para
esta muestra no = 10-4s; po = 10-6 s
2.- (2.5 PUNTOS) Una unin PN+ de Si, de rea A = 10-3 cm2 y situada a T = 300 K,
tiene las siguientes caractersticas:
O = 0.75 eV

ND =50 NA

Con estos datos, calcular:

a) Capacidad medida a V = -5 V
b) Capacidad medida a V = 0.6 V

n = 10-6 s.

ELECTRNICA FSICA. GRUPO A

CUESTIONES

Febrero 2013

APELLIDOS.........................................................................NOMBRE.......................

1. (1 PUNTO) Contesta verdadero (V) falso (F) a las siguientes afirmaciones:

1. En los semiconductores intrnsecos, la concentracin de portadores libres
depende del valor del gap del semiconductor.
2. En los semiconductores extrnsecos, la concentracin de portadores libres es
independiente de la temperatura en la zona extrnseca y en la exhaustiva.
3. El mecanismo de recombinacin extrnseco conduce a expresiones para el
tiempo de recombinacin que dependen del grado de dopado del semiconductor.
4. La movilidad a la que da lugar el mecanismo de dispersin por vibraciones de la
red no depende de la temperatura a la que se encuentra la muestra.
5. La movilidad a la que da lugar el mecanismo de dispersin por impurezas
ionizadas no depende ni tipo ni del grado de dopado del semiconductor.
6. La posicin del nivel de Fermi en un semiconductor extrnseco depende de la
temperatura igual que en los semiconductores intrnsecos.
7. La posicin del nivel de Fermi en un semiconductor intrnseco evoluciona con la
temperatura dependiendo de los valores de las masas efectivas de los portadores
8. En un semiconductor en situacin de desequilibrio, las concentraciones de
portadores en exceso de las de equilibrio, n y p, responden a campos externos
exactamente igual que lo hacen las concentraciones de equilibrio, no y po.

2.- (1.5 PUNTOS) Suponga un semiconductor del

sistema FCC cuya relacin de dispersin para la
banda de conduccin se representa en la figura. El

tensor masa efectiva evaluada en el punto k 0 es de

la forma:

 0 .7 m 0

m 0
0

0
0 .7 m 0
0

0
0.7 m 0

a) Determine la masa efectiva de los electrones para la densidad de estados.

b) Determine la masa efectiva de los electrones para la conductividad.
3.- (1 PUNTO) Una muestra semiconductora de Si, esta dopada con ND = 105 ni cm-3
impurezas donoras totalmente ionizadas. En dicha muestra, se generan por causas
externas portadores en desequilibrio, con concentraciones n = p = 102 ni cm-3.
Encontrar, cuantitativamente, el desplazamiento de los pseudo niveles de Fermi para
electrones y huecos respecto del nivel de Fermi de equilibrio. Supngase T = 300 K.

4.- (1.5 PUNTOS) De un cierto semiconductor se sabe que la movilidad de los

electrones, a T = 30 K, es de n = 20 cm2/V.s. A esa temperatura el mecanismo de
dispersin dominante es el debido a las colisiones con las impurezas ionizadas. A T =
600 K, el valor de dicha movilidad es n = 70 cm2/V.s. Ahora, el nico mecanismo de
dispersin presente son las colisiones con las vibraciones de la red. Determinar el valor
de n a T = 200 K. Tngase en cuenta que a sta temperatura, ambos mecanismos de
dispersin son significativos.