1.

Introduo
Parte 1
Invlucro um metal, plstico, vidro ou cermica contendo um ou mais
componentes semicondutores. Esta capsula promove a proteo contra impacto e
corroso, alm de fornecer praticidade utilizao do dispostivo atravs de pinos e
dissipao de calor produzida. O encapsulmaneto a ltima parte da montagem de um
dispostivo eletrnico antes de ser testado e enviado aos consumidores.
Nesta prtica utiliza-se diodos, transistores e FETs. Um dos invlucros mais
comuns de diodos o DO-204. Existem variaes deste invlucro como o DO-201
utilizado para diodos de menores potncia. Para os transistores o TO-220 comumente
utilizado, porm esse invlucro tambm utilizado para circuitos integrados e
retificadores. Alm disso pode-se utilizar invlucros personalizados, neste caso deve-se
notar as caractersticas necessrias para o mesmo na utilizao de um projeto.
Figura 1 : TO-220

Fonte: < http://ency.cl/TO-220 >

Parte 2
As caractersitcas dos diodos foram amplamente discutidas na disciplina de
Eletrnica Analgica, porm ser dado um destaque maior a temperatura nesta prtica.
A temperatura afeta diretamente o diodo uma vez que se aumentada, ocorre a
reduo da tenso de polarizao direta, alm de aumentar a corrente de fuga e a tenso
de avalanche quando polarizado reversamente. importante observar que os diodos de
germnio so mais afetados pelo aumento da temperatura que os de silcio.
Da equao do diodo tem-se que:

.
= . . ln ( + 1) ; =

(1)

Onde TK a temperatura em Kelvin, portanto pode-se observar a influncia

direta da temperatura sobre a tenso sobre o diodo. Esta relao ser melhor explicada e
observada na prtica.

2. Pr-laboratrio

O que um diodo Schottky e quais so suas vantagens e desvantagens?

Ao contrrio dos diodos convencionais, o diodo Schottky possui uma juno metalsemicondutor em vez de uma juno p-n. Essa caracterstica d ao diodo Schottky uma
queda de tenso no sentido direto que muito menor que os outros tipos de diodo, assim
como alta velocidade de chaveamento e baixo tempo de recuperao reversa. Entretanto,
o diodo Schottky no suporta altas temperaturas, nem elevadas tenses reversas. Assim,
estes so adequados para aplicaes que exigem alta velocidade de comutao e em que
a queda de tenso de um diodo tpico significativa em relao s outras tenses.

3. Procedimento Prtico
1. O conjunto de dispositivos presentes na bancada foi analisado e, a partir das inscries
gravadas em seus invlucros, a folha de dados de cada dispositivo foi consultada, de
forma que suas caractersticas principais fossem identificadas. A Tabela 1 mostra cada
dispositivo disponvel na bancada e suas respectivas caractersticas.

Tabela 1: Dispositivos disponveis na bancada e suas respectivas caractersticas.

Referncia do
Dispositivo

Descrio

Tipo de
Invlucro

GP4063

IGBT com Diodo de

Recuperao Suave
Ultrarrpido

TO-247

30CPQ060

Diodo Schottky

TO-247

IRFP460A

MOSFET de Potncia

TO-247

IRFP260N

MOSFET de Potncia

TO-247

15ETH06

Diodo Hiper Rpido

TO-220

IRF740

MOSFET de Potncia

TO-220

IRFZ48V

MOSFET de Potncia

TO-220

BD138

Transistor PNP de
Silcio

TO-126

UF5408

Diodo Ultrarrpido

DO-201

UF5406

Diodo Ultrarrpido

DO-201

1N4148

Diodo de Alta
Velocidade

DO-35

1N4007

Diodo de Propsito
Geral

DO-204

Caractersticas Principais
= 600
= 60
() = 1,6
= 60
= 30
= 0,56
= 500
() = 0,27
= 20
= 200
() = 0,04
= 50
= 600
= 15
= 1,8
= 400
() < 0,55
= 10
= 60
() = 12
= 72
= 60
= 1,5 ()
= 3,0 ()
= 1000
= 3,0
= 1,7
= 600
= 3,0
= 1,7
= 75
= 200
= 1,0
= 1000
= 1,0
= 1,1

1N4004

Diodo de Propsito
Geral

DO-204

= 400
= 1,0
= 1,1

Fonte: Datasheet de cada dispositivo.

2. Para os diodos presentes no conjunto de dispositivos, os terminais foram identificados
utilizando-se um multmetro na funo de teste de diodo. As respectivas quedas de
tenso medidas pelo multmetro foram anotadas e os resultados so mostrados na
Tabela 2.
Tabela 2: Quedas de tenso apresentadas pelos diodos experimentados.
Referncia do Diodo
Queda de Tenso
UF5408
0,517 V
UF5406
0,617 V
1N4148
0,760 V
1N5819
0,240 V
1N4007
0,586 V
1N4004
0,580 V
Fonte: Prprio autor.
3. Utilizando-se uma fonte de tenso estabilizada, fez-se passar por cada diodo
determinado valor de corrente, de forma a computar o valor de tenso direta sobre o
diodo. Os resultados obtidos nesse procedimentos so apresentados na Tabela 3.
Tabela 3: Quedas de tenso apresentadas pelos diodos experimentados.
Referncia do
Diodo

Corrente
Tenso
Direta
Direta
0,4 A
1,0 V
UF5408
0,9 A
1,2 V
0,4 A
0,8 V
UF5406
0,9 A
0,9 V
1N4148
0, 2 A
1,2 V
0,4 A
0,4 V
1N5819
0,9 A
0,6 V
0,4 A
1,1 V
1N4007
0,9 A
1,3 V
0,4 A
1,1 V
1N4004
0,9 A
1,3 V
Fonte: Prprio Autor.

4. De forma semelhante ao procedimento anterior, a fonte de tenso estabilizada foi

utilizada para polarizar diretamente o diodo 1N4007, inicialmente frio, com corrente
de 0,9 A e observou-se o comportamento da tenso direta sobre ele. Inicialmente, a
tenso lida na prpria fonte era de 1,3 V, em cerca de um minuto, a tenso reduziu para
1,2 V. Com o aumento da temperatura do diodo, a tenso direta tende a diminuir ainda
mais, porm lentamente, pois esperou-se mais um minuto e a tenso permaneceu em
1,2 V.

5. Uma caracterstica peculiar observada nos componentes com invlucro dos tipos TO220 e TO-247 que um dos terminais eletricamente conectado parte posterior do
invlucro. Para os dispositivos disponveis na bancada que apresentam um dos citados
tipos de invlucro, um multmetro na funo de continuidade foi utilizado para
identificar qual dos terminais era conectado parte posterior do seu corpo. Os
resultados so mostrados na Tabela 4.
Tabela 4: Terminal conectado ao invlucro do dispositivo para tipos TO-220 e TO-247.
Tipo do
Invlucro

Referncia do
Terminal Conectado
Dispositivo
ao Invlucro
15ETH06
Ctodo
TO-220
IRF740
Dreno
IRFZ48V
Dreno
GP4063
Coletor
30CPQ060
Ctodo Comum
TO-247
IRFP460A
Dreno
IRFP260N
Dreno
Fonte: Datasheet de cada dispositivo.

6. De forma a mensurar o efeito que utilizao de um dissipador tem sobre a temperatura

de um dispositivo, a fonte de tenso estabilizada foi utilizada para fazer circular uma
corrente direta de 2,0 A pelo diodo 15ETH06, cujo encapsulamento do tipo TO-220.
Primeiramente, mediu-se a temperatura na parte posterior do invlucro do diodo sem
estar fixado a um dissipador de calor. Observou-se que a temperatura aumentava
rapidamente e, por volta dos 50 , passava a aumentar mais lentamente. A fonte foi
desconectada e esperou-se o dispositivo voltar temperatura ambiente. Ento, o diodo
foi fixado um dissipador de calor e novamente a fonte foi ligada. A temperatura do
dispositivo foi medida no mesmo ponto que anteriormente. Observou-se que esta
aumentava mais lentamente e por volta dos 35 o aumento era ainda mais lento.

4. Perguntas adicionais
1. Pesquise na internet a folha de dados de cada componente discreto analisado e
descreva as caractersticas bsicas de cada um (i.e., tipo, aplicaes, tenso
mxima de bloqueio, corrente mxima, resistncias trmicas, etc.).
A Tabela 1 j apresenta algumas caractersticas dos dispositivos, que sero
complementadas na Tabela 5 a seguir.
Tabela 5 - Caractersticas complementares dos dispositivos disponveis na bancada.
Referncia do
Dispositivo
GP4063

30CPQ060

IRFP460A

Aplicaes
Alta eficincia em uma vasta
gama de aplicaes
Fontes chaveadas,
conversores, diodo de roda
livre, proteo de baterias
Fontes chaveadas, fontes de
alimentao ininterrupta,
chaveamento de alta
velocidade

Resistncias Trmicas
() = 0,45 /
() = 0,92 /
= 0,24 /
= 80 /
() = 2,20 /
() = 1,10 /
= 0,24 /
= 0,45 /
= 0,24 /
= 40 /
= 0,50 /
= 0,24 /
= 40 /
= 1,3 /
= 0,50 /
= 70 /

IRFP260N

Ampla variedade de aplicaes

15ETH06

Fontes chaveadas, inversores,

diodo de roda livre

IRF740

Chaveamento em alta corrente,

fontes de alimentao
ininterrupta, conversores CCCC

= 1,0 /
= 0.50 /
= 62,5 /

Ampla variedade de aplicaes

= 1,0 /
= 0,50 /
= 62 /

IRFZ48V
BD138
UF5408
UF5406
1N4148
1N4007

Aplicaes em mdia potncia,

como amplificadores de udio
Aplicaes de alta frequncia,
conversores
Aplicaes de alta frequncia,
conversores
Chaveamento de alta
velocidade
Ampla variedade de aplicaes

= 10 /
= 8,5 /
= 20 /
= 8,5 /
= 20 /
= 350 /
= 25 /

1N4004

Ampla variedade de aplicaes

= 50 /
= 25 /
= 50 /

(1) Resistncia trmica juno-invlucro

(2) Resistncia trmica juno-dissipador de calor
(3) Resistncia trmica juno-ambiente
(4) Resistncia trmica juno-terminal

Fonte: Datasheet de cada dispositivo.

2. Compare os dados das folhas de dados com os dados experimentais obtidos nos
procedimentos 2 e 3.
H certa incompatibilidade entre os valores obtidos nas folhas de dados e os valores obtidos
experimentalmente, uma vez que as condies em que essas medies foram tomadas no so as
mesmas que as especificadas na maioria das folhas de dados.

3. Classifique os diodos examinados no laboratrio de acordo com sua tecnologia:

diodo de sinal, diodo standard, diodo ultrarrpido e diodo Schottky.
Baseado nas descries e aplicaes de cada diodo apresentado, estes foram classificados
como mostrado na Tabela 6.

Tabela 6 - Classificao dos diodos examinados.

Referncia do
Diodo
30CPQ060
15ETH06
UF5408
UF5406
1N4148
1N4007
1N4004

Classificao
Diodo Schottky
Diodo Hiper Rpido
Diodo Ultrarrpido
Diodo Ultrarrpido
Diodo de Sinal
Diodo Standard
Diodo Standard

4. Selecione dois diodos de tecnologias diferentes e os compare em termos de perdas

por conduo.
A partir da curva de corrente instantnea direta versus tenso instantnea direta
encontrada nas folhas de dados dos dispositivos 30CPQ060 (diodo Schottky) e 1N4007
(diodo standard), podemos extrair o valor de tenso direta de cada um para a mesma

determinada corrente, 1,0 A por exemplo. Para o 30CPQ060 temos aproximadamente

0,36 V e para o 1N4007 temos aproximadamente 0,90 V. Assim, observa-se que para um
mesmo valor de corrente direta, a tenso direta sobre o 1N4007 maior que no
30CPQ060, portanto, as perdas por conduo no diodo do tipo standard so mais
acentuadas em comparao com as do tipo Schottky, j que a perda por conduo dada
pelo produto da tenso pela corrente diretos no dispositivo.

5. Justifique o comportamento observado no procedimento 4 e comente quais as

consequncias da caracterstica observada para o paralelismo de diodos. Inclua e
comente a equao do diodo que modela tal comportamento.
Quando o diodo ligado, a temperatura na juno aumenta gradativamente medida
que este mantido em operao. O aumento da temperatura da juno ocasiona
modificaes qumicas no semicondutor, como o aumento de eltrons livres, e isso faz
com que as caractersticas eltricas deste tambm sejam alteradas. Como observado no
procedimento 4, a tenso direta sobre o diodo diminuiu com o aumento da temperatura.
A equao do diodo, como citada na introduo, apresentada a seguir:

.
= . . ln ( + 1) ; =

Onde a tenso direta, o fator de idealidade, a tenso trmica, a corrente

direta, a corrente de saturao reversa, a constante de Boltzmann, a temperatura
em Kelvin e a carga do eltron. O aumento da temperatura ocasiona o aumento da
corrente de saturao, assim como da tenso trmica, porm, o aumento de se sobressai,
resultando na diminuio da tenso direta, como observado experimentalmente.
Esse comportamento tem consequncias quando diodos so postos em paralelo, uma
vez que ao longo da operao dos diodos, pode ocorrer que as tenses diretas sobre estes
deixe de ser a mesma, por conta do aumento da temperatura, assim, um dos diodos ser
danificado. Portanto, o paralelismo de diodos no muito aconselhado, a menos que haja
uma maneira de garantir que estes tenham sempre a mesma tenso direta.

5. Concluso
Com as experincias realizadas e com todos os dispositivos analisados, pode-se
observar as principais caractersticas do diodo, transistores e FETs, tantos as estticas
quanto as dinmicas. Assim, ficou mais clara a importncia de uma escolha correta do
tipo usado dependendo de cada aplicao.
Sobre as experincias pode-se ainda ressaltar a introduo do dissipador para
contr o aumento da temperatura, uma vez que fora observado que o aumento da
temperatura tem influncia direta no dispositivo semicondutor.

6. Referncias Bibliogrficas
[1] BOYLESTAD, R.L.; NASHELSKY, L. Dispositivos Eletrnicos e Teoria de
Circuitos. 8 Ed. So Paulo: Prentice Hall, 2004.
[2] Folhas de dados dos dispositivos examinados.
[3] INSTITUTO NEWTON C. BRAGA. O Diodo Shottky. Disponvel em:
<http://www.newtoncbraga.com.br/index.php/como-funciona/719-o-diodo-schottkyart093>. Acesso em: 16 ago. 2014.