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CURSO 06/07
ELAI-EUITI
TEMA 1 - INTRODUCCIN
Problema 1
Un lser de inyeccin tiene una regin activa GaAs con un salto de energa de 1.43 eV, si la
velocidad de la luz en el material es v=108 m/s, calcule:
1. La longitud de onda de las emisiones pticas del dispositivo y su ancho de frecuencia en
Hertz cuando el ancho espectral es 0.1 nm.
2. El mdulo del vector de ondas
h = 6,624 10-34 J.seg ; c = 3 108 m/s
Problema 2
Una fuente de luz puntual emite una potencia de 10W de forma istropa a una longitud de onda
de =500nm. Calcule
1. La intensidad radiante y la intensidad luminosa
2. La irradiancia y la iluminancia a una distancia de 1 Km de la fuente
3. La energa de un fotn a esa longitud y a la velocidad de la luz c = 3 108 m/s
4. El nmero de fotones por unidad de tiempo que atraviesa una superficie de 1mm2
colocada a 1Km de la fuente
h = 6,624 10-34 J.seg ; c = 3 108 m/s
Problema 3
Calcular el ngulo crtica para obtener una reflexin interna total entre In1-xGaxAsyP1-y y
GaAs trabajando en la tercera ventana a una longitud de onda =1550nm
Datos:
GaAs : r=1 y r=13,1
In1-x Gax Asy P1-y siendo x= 0,4084 e y=2,2x
Para determinar el valor del ndice de refraccin se puede utilizar la frmula de NahoruyPollack: n(y)= 3,4+0,256y-0,095y2
Cuestin
Explicar cuales son las principales diferencias entre un material de gap directo y uno de gap
indirecto. Poner un ejemplo de cada uno de estos materiales
OPTOELECTRNICA
ELAI-EUITI
CURSO 06/07
OPTOELECTRNICA
CURSO 06/07
ELAI-EUITI
Problema 1
Un lser de inyeccin tiene una regin activa GaAs con un salto de energa de 1.43 eV, si la
velocidad de la luz en el material es v=108 m/s, calcule:
3. La longitud de onda de las emisiones pticas del dispositivo y su ancho de frecuencia en
Hertz cuando el ancho espectral es 0.1 nm.
4. El mdulo del vector de ondas
h = 6,624 10-34 J.seg ; c = 3 108 m/s
Solucin
1.
h v 6,624 10 -34 x 10 8
=
= 0,289 (m)
E
1,43x1,6 10 -19
Si =1nm
c
3 10 8
= 2 =
0,1 10 -9 = 39,9 19 -9 Hz
-6 2
(0,867 10 )
2.
h=
2
2
=
= 21,7 10 6 m -1
0,868 10 -6
Problema 2
Una fuente de luz puntual emite una potencia de 10W de forma istropa a una longitud de onda
de =500nm. Calcule
5. La intensidad radiante y la intensidad luminosa
6. La irradiancia y la iluminancia a una distancia de 1 Km de la fuente
7. La energa de un fotn a esa longitud y a la velocidad de la luz c = 3 108 m/s
8. El nmero de fotones por unidad de superficie que atraviesa una superficie de 1mm2
colocada a 1Km de la fuente
h = 6,624 10-34 J.seg ; c = 3 108 m/s
Solucin
1. Fuente de luz puntual emitiendo de forma istropa = 4 (sr)
lum = 220,609 x10 = 2206,09lm
OPTOELECTRNICA
CURSO 06/07
ELAI-EUITI
I rad =
rad 10
=
= 0,795 J / sg
2. Irradiancia : E =
I rad
d
I lum =
lum 2206,09
=
= 175,8 cd
0,795
= 79,5 10 -8 W/m 2
1000 2
I lum
d
175,8
= 175,8 10 -6 lux
1000 2
h c 6,624 10 -34 x 3 10 8
=
3,9 10 19 J
Ef =
-9
500 10
n=
recibido
recibido = E A = 79,5 10 -8 x10 6 = 79,5 10 -14 W = 79,5 10 -14 J / sg
A
79,5 10 -14
= 2 10 6 fotones/sg
-19
3,9 10
Problema 3
Calcular el ngulo crtica para obtener una reflexin interna total entre In1-xGaxAsyP1-y y GaAs
trabajando en la tercera ventana a una longitud de onda =1550nm
Datos:
GaAs : r=1 y r=13,1
In1-x Gax Asy P1-y siendo x= 0,4084 e y=2,2x
Para determinar el valor del ndice de refraccin se puede utilizar la frmula de NahoruyPollack: n(y)= 3,4+0,256y-0,095y2
Solucin
1. n GaAs = r r = 13,1 = 3,61
y= 0,89848
n2
n2
n2
3,55533
sen =
c = arc sen = arc sen
= 80,016
3,61
n1
2 n1
n1