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1.- INTRODUCCIN
Las computadoras y otros tipos de sistemas requieren el almacenamiento
permanente o semipermanente de un gran nmero de datos binarios. Los sistemas
basados en microprocesadores necesitan de la memoria para almacenar los
programas y datos generados durante el procesamiento y disponer de ellos cuando
sea necesario.
Las modernas tcnicas de circuitos integrados permiten combinar miles e incluso
millones de puertas dentro de un solo encapsulado. Esto ha llevado a la fabricacin
de diseos ms complejos como los dispositivos lgicos programables, memorias y
microprocesadores, que proporcionan dentro de un solo chip circuitos que requieren
gran cantidad de componentes discretos.
Las memorias son dispositivos de almacenamiento de datos binarios de largo o corto
plazo .La memoria es un componente fundamental de las computadoras digitales y
est presente en gran parte de los sistemas digitales. La memoria de acceso
aleatorio (RAM, random access memory) almacena datos temporalmente, la
memoria de slo lectura (ROM, Read only memory) los guarda de manera
permanente. La ROM forma parte del grupo de componentes llamados dispositivos
lgicos programables (PLD, programmable logic devices), que emplean la
informacin almacenada para definir circuitos lgicos.
Dispositivos que son capaces de proveer el medio fsico para almacenar esta
informacin. Y aunque esta es su tarea fundamental (ms del 90 % de las memorias
se dedican a este fin) tambin se pueden utilizar para la implementacin de circuitos
combinacionales y pueden sustituir la mayor parte de la lgica de un sistema.
Los chips LSI pueden programarse para realizar funciones especficas. Un
dispositivo lgico programable (PLD) es un chip LSI que contiene una estructura de
circuito regular, pero que permite al diseador adecuarlo para una aplicacin
especfica. Cuando un PLD tpico deja la fbrica de IC, an no est listo para una
funcin especfica, sino que debe ser programado por el usuario para que realice la
funcin requerida en una aplicacin particular. Los chips con la mayor funcionalidad
por unidad de rea han sido los chips de memoria, que contienen arreglos
rectangulares de celdas de memoria. Uno de los PLD es el chip de memoria de slo
lectura.
En una primera clasificacin, se puede distinguir entre memorias de almacenamiento
masivo, caracterizadas por ser memorias baratas y lentas, y memorias
semiconductoras o memorias de estado slido, ms caras y rpidas. En las primeras,
la prioridad es disponer de una gran capacidad de almacenamiento, como ocurre en
los discos duros, en tanto que en las segundas, la prioridad es disponer de
velocidades de acceso rpidas compatibles con la mayor capacidad de
almacenamiento posible Que son las habitualmente utilizadas como memorias de
almacenamiento de programa y de datos en la mayora de las aplicaciones. Que
ofrece cada tipo de memoria as como las tecnologas de fabricacin, que han
permitido un espectacular avance en las velocidades y escalas de integracin en los
ltimos aos.
Podemos considerar una memoria como un conjunto de M registros de N bits cada
uno de ellos. Estos registros ocupan las posiciones desde el valor 0 hasta M-1. Para
acceder a cada registro es necesaria una lgica de seleccin. En general, para cada
registro se pueden realizar procesos de lectura y de escritura. Para realizar todas
estas operaciones son necesarios los siguientes terminales T
erminales de datos
(de entrada y de salida). En nuestro caso son necesarios N terminales:
T
erminales de direcciones, son necesarios m, de tal forma de 2m=M
T
erminales de control. Son los que permiten especificar si se desa realizar una
operacin de escritura o de lectura, seleccionar el dispositivo.
/CS (Chip select): Es el terminal de seleccin de chip (habitualmente es activo con
nivel bajo.
1 Las primeras son las relacionadas con nuestros conocidos discos de ordenador, y
las ltimas estn abriendo en la actualidad un atractivo abanico de posibilidades:
desde los discos magnetopticos hasta las memorias hologrficas.
R/W (Read/Write): Selecciona el modo de operacin (lectura o escritura) sobre la
memoria. habitualmente con valor bajo es activo el modo de escritura.
OE (Output Enable). Controla el estado de alta impedancia de los terminales de
salida del dispositivo.
2.-MEMORIAS PROGRAMABLES
2.1.- MEMORIA ROM (READ ONLY MEMORY)
Es una memoria de slo lectura que se programan mediante mscaras. Es decir,
el contenido de las celdas de memoria se almacena durante el proceso de
fabricacin para mantenerse despus de forma irrevocable. Desde el instante en
que el fabricante grabo las instrucciones en el Chip, por lo tanto la escritura de
este tipo de memorias ocurre una sola vez y queda grabado su contenido aunque
se le retire la energa.
Se usa para almacenar informacin vital para el funcionamiento del sistema: en
la gestin del proceso de arranque, el chequeo inicial del sistema, carga del
sistema operativo y diversas rutinas de control de dispositivos de entrada/salida
suelen ser las tareas encargadas a los programas grabados en ROM. Estos
programas forman la llamada BIOS (Basic Input Output System). Junto a la BIOS
se encuentra el chip de CMOS donde se almacenan los valores que determinan
la configuracin hardware del sistema, como tipos de unidades, parmetros de
los discos duros, fecha y hora del sistema... esta informacin no se pierde al
apagar la computadora. Estos valores se pueden modificar por medio del
SETUP.
La memoria ROM constituye lo que se ha venido llamando Firmware, es decir, el
software metido fsicamente en hardware. De cara a los fines del usuario es una
memoria que no sirve para la operacin de su programa, slo le aporta mayores
funcionalidades (informacin) del equipo.
Si tenemos idea de cmo se fabrican los circuitos integrados, sabremos de donde
viene el nombre. Estos se fabrican en obleas (placas de silicio) que contienen
varias decenas de chips. Estas obleas se fabrican a partir de procesos
fotoqumicos, donde se impregnan capas de silicio y oxido de silicio, y segn
convenga, se erosionan al exponerlos a la luz. Como no todos los puntos han de
ser erosionados, se sita entre la luz y la oblea una mascara con agujeros, de
manera que donde deba incidir la luz, esta pasar. Con varios procesos similares
pero ms complicados se consigue fabricar los transistores y diodos
micromtricos que componen un chip. El elevado coste del diseo de la mscara
slo hace aconsejable el empleo de los microcontroladores con este tipo de
memoria cuando se precisan cantidades superiores a varios miles de unidades.
Los PCs vienen con una cantidad de ROM, donde se encuentras los programas
de BIOS (Basic Input Output System), que contienen los programas y los datos
necesarios para activar y hacer funcionar el computador y sus perifricos.
La ventaja de tener los programas fundamentales del computador almacenados
en la ROM es que estn all implementados en el interior del computador y no
hay necesidad de cargarlos en la memoria desde el disco de la misma forma en
que se carga el DOS. Debido a que estn siempre residentes, los programas en
ROM son muy a menudo los cimientos sobre los que se construye el resto de los
programas (incluyendo el DOS).
Estas memorias, cuyo nombre procede de las iniciales de Read Only Memory
son solo de lectura. Dentro de un proceso de elaboracin de datos de una
computadora, no es posible grabar ningn dato en las memorias ROM. Son
memorias perfectas para guardar microprogramas, sistemas operativos, tablas de
conversin, generacin de caracteres etc.
Las caractersticas fundamentales de las memorias ROM son:
1. Alta densidad: la estructura de la celda bsica es muy sencilla y permite altas
integraciones.
2. No voltiles: el contenido de la memoria permanece si se quita la
alimentacin.
3. Coste: dado que la programacin se realiza a nivel de mscaras durante el
proceso de fabricacin, resultan baratas en grandes tiradas, de modo que el
coste de fabricacin se reparte en muchas unidades y el coste unitario es baja.
4. Slo lectura: nicamente son programables a nivel de mscara durante su
fabricacin.
Su contenido, una vez fabricada, no se puede modificar.
Hay muchos tipos de ROM:
Una ROM puede estar fabricada tanto en tecnologa bipolar como MOS.
La figura muestra celdas ROM bipolar. La presencia de una unin desde una
lnea de fila a la base de un transistor representa un 1 en esa posicin. En las
uniones
fila/columna en las que no existe conexin de base, las lneas de la columna
permanecern a nivel bajo (0) cuando se direccione la fila.
La figura 5.15 muestra celdas ROM con transistores MOS. Bsicamente son
iguales que las anteriores, excepto que estn fabricadas con MOSFETs.
Programacin de un PROM
ARQUITECTURA DE LA PROM
Estructura bsica de un PLD
Un dispositivo programable por el usuario es aquel que contiene una arquitectura
general pre-definida en la que el usuario puede programar el diseo final del
dispositivo empleando un conjunto de herramientas de desarrollo. Las arquitecturas
generales pueden variar pero normalmente consisten en una o ms matrices de
puertas AND y OR para implementar funciones lgicas. Muchos dispositivos tambin
contienen combinaciones de flip-flops y latches que pueden usarse como elementos
de almacenaje para entrada y salida de un dispositivo. Los dispositivos ms
complejos contienen macroclulas. Las macroclulas permiten al usuario configurar
el tipo de entradas y salidas necesarias en el diseo
d) Programas de sistema
e) Tablas de funcin
2.3.- MEMORIA EPROM
Las EPROM, o Memorias slo de Lectura Reprogramables, se programan
mediante impulsos elctricos y su contenido se borra exponindolas a la luz
ultravioleta (de ah la ventanita que suelen incorporar este tipo de circuitos), de
manera tal que estos rayos atraen los elementos fotosensibles, modificando su
estado.
Una vez grabada una EPROM con la informacin pertinente, por medio de un
dispositivo especial que se explicar luego, la misma es instalada en el sistema
correspondiente donde efectivamente ser utilizada como dispositivo de lectura
solamente. Eventualmente, ante la necesidad de realizar alguna modificacin en
la informacin contenida o bien para ser utilizada en otra aplicacin, la EPROM
es retirada del sistema, borrada mediante la exposicin a luz ultravioleta con una
longitud de onda de 2537 Angstroms (unidad de longitud por la cual 1 A = 10 -10
m), programada con los nuevos datos, y vuelta a instalar para volver a
comportarse como una memoria de lectura solamente. Por esa exposicin para
su borrado es que es encapsulada con una ventana transparente de cuarzo
sobre la pastilla o "die" de la EPROM.
Es atinente aclarar que una EPROM no puede ser borrada parcial o
selectivamente; de ah que por ms pequea que fuese la eventual modificacin
a realizar en su contenido, inevitablemente se deber borrar y reprogramar en su
totalidad.
Los tiempos medios de borrado de una EPROM, por exposicin a la luz
ultravioleta, oscilan entre 10 y 30 minutos.
Con el advenimiento de las nuevas tecnologas para la fabricacin de circuitos
integrados, se pueden emplear mtodos elctricos de borrado. Estas ROM
pueden ser borradas sin necesidad de extraerlas de la tarjeta del circuito.
Adems de EAPROM suelen ser denominadas RMM (Read Mostly
Memories),memorias de casi-siempre lectura, ya que no suelen modificarse casi
nunca, pues los tiempos de escritura son significativamente mayores que los de
lectura.
Las memorias de slo lectura presentan un esquema de direccionamiento similar
al de las memorias RAM. El microprocesador no puede cambiar el contenido de
la memoria ROM.
Entre las aplicaciones generales que involucran a las EPROM debemos destacar
las de manejo de sistemas microcontrolados. Todo sistema microcontrolado y/o
microprocesado (se trate de una computadora personal o de una mquina
expendedora de boletos para el autotransporte...) nos encontraremos con cierta
cantidad de memoria programable por el usuario (la RAM), usualmente en la
forma de dispositivos semiconductores contenidos en un circuito integrado (no
olvidemos que un relay biestable o un flip-flop tambin son medios de
almacenamiento de informacin).
Estos dispositivos semiconductores integrados estn generalmente construidos
en tecnologa MOS (Metal-Oxide Semiconductor, Semiconductor de Oxido
Metlico) o -ms recientemente- CMOS (Complementary Metal-Oxide
Semiconducto o Semiconductor de Oxido Metlico Complementario).
Lamentablemente, estos dispositivos RAM adolecen de un ligero inconveniente,
que es, como ya se ha comentado, su volatibilidad.
Dado que cualquier sistema microprocesado requiere de al menos un mnimo de
memoria no voltil donde almacenar ya sea un sistema operativo, un programa
de aplicacin, un lenguaje intrprete, o una simple rutina de "upload", es
necesario utilizar un dispositivo que preserve su informacin de manera al menos
semi-permanente. Y aqu es donde comienzan a brillar las EPROMs.
una memoria EPROM, mientras que al otro lado proporciona las seales
necesarias para introducir el flujo de datos a la memoria RAM.
Cuando compaas como AMD desarrollaron las memorias EPROM "Flash" con
una tensin de programacin de 5V y un ciclo de vida que permita programar la
memoria hasta 100.000 veces, se abrieron las puertas a un nuevo modelo de
emulador de memorias EPROM. El diseo que se presenta no solo acta como
un emulador con una enorme capacidad de almacenamiento, sino que tambin
funciona como un programador de memorias EPROM "Flash", ahorrndose
comprar un sistema exclusivamente dedicado a programar.
Cuando se termine de trabajar con el emulador durante la fase del diseo, se
dispondr en la memoria EPROM "Flash" del cdigo definitivo, que se sacar del
emulador y se introducir en el circuito que se vaya a utilizar en la aplicacin.
Como los precios de las memorias EPROM "Flash" no son mucho mayores que
los de las memorias EPROM convencionales, la ventaja adicional que se ha
descrito es sin costo.
oscilan entre 157 s y 625 s=byte. Frente a las memorias EPROM, presenta la
ventaja de permitir su borrado y programacin en placa, aunque tienen mayor
coste debido a sus dos transistores por celda.
Estas memorias se presentan, en cuanto a la organizacin y asignacin de
patillas, como la UVPROM cuando estn organizadas en palabras de 8 bits. Se
programan de forma casi idntica pero tienen la posibilidad de ser borradas
elctricamente. Esta caracterstica permite que puedan ser programadas y
borradas en el circuito.
Debido a que la clda elemental de este tipo de memorias es ms complicada
que sus equivalentes en EPROM o PROM (y por ello bastante ms cara), este
tipo de memoria no dispone en el mercado de una variedad tan amplia, y es
habitual tener que acudir a fabricantes especializados en las mismas (ejemplo:
Xicor).
24LC256
BUS DE DIRECCIONES
BUS DE
DATOS
WE
CE
CE
OE
WE
LECTURA
ESCRITURA
Ventajas de la EEPROM:
La programacin y el borrado pueden realizarse sin la necesidad de una fuente de
luz UV y unidad programadora de PROM, adems de poder hacerse en el mismo
circuito gracias a que el mecanismo de transporte de cargas mencionado en el
prrafo anterior requiere corrientes muy bajas.
Las palabras almacenadas en memoria se pueden borrar de forma individual.
Para borra la informacin no se requiere luz ultravioleta.
Las memorias EEPROM no requieren programador.
De manera individual puedes borrar y reprogramar elctricamente grupos de
caracteres o palabras en el arreglo de la memoria.
El tiempo de borrado total se reduce a 10ms en circuito donde su antepasado
inmediato requera media hora bajo luz ultravioleta externa.
El tiempo de programacin depende de un pulso por cada palabra de datos de 10
ms, versus los 50 ms empleados por una ROM programable y borrable.
Se pueden reescribir aproximadamente unas 1000 veces sin que se observen
problemas para almacenar la informacin.
Para reescribir no se necesita hacer un borrado previo.
Aplicaciones de las Memorias EEPROM
Encontramos este tipo de memorias en aquellas aplicaciones en las que el usuario
necesita almacenar de forma permanente algn tipo de informacin; por ejemplo en
los receptores de TV o magnetoscopios para memorizar los ajustes o los canales de
recepcin.
Caracters
ticas
Tcnicas
Referenci
a
28C64A
Tipo
EEPROM
CMOS
Capacidad
(bits)
8192 X 8
Tipo de
salida
5V
Tiempos
de Acceso
120/150/20
0 ns
Encapsula
do
DIL-28 y
PLCC-32
EEPROM 28C64A
En la figura se indica la disposicin de los pines de esta memoria la cual se
encuentra disponible en dos tipos de encapsulados (DIL y PLCC).
Caracter
sticas
Tcnicas
Referenci
a
28F256
Tipo
FLASH
EEPROM
Capacida
d (bits)
32768 X 8
Tipo
de
salida
(5V)
(Vp=12.5V
)
Tiempos
de
Acceso
90/100/12
0/150 ns
Encapsul
ado
DIL-28
seg.
3.-RESUMEN
MEMORIAS PROGRAMABLES
MEMORIA ROM (READ ONLY MEMORY)
Es una memoria de slo lectura que se programan mediante mscaras. Es decir,
el contenido de las celdas de memoria se almacena durante el proceso de
fabricacin para mantenerse despus de forma irrevocable. Desde el instante en
que el fabricante grabo las instrucciones en el Chip, por lo tanto la escritura de
este tipo de memorias ocurre una sola vez y queda grabado su contenido aunque
se le retire la energa.
Se usa para almacenar informacin vital para el funcionamiento del sistema: en
la gestin del proceso de arranque, el chequeo inicial del sistema, carga del
MEMORIA EPROM
Las EPROM, o Memorias slo de Lectura Reprogramables, se programan
mediante impulsos elctricos y su contenido se borra exponindolas a la luz
ultravioleta (de ah la ventanita que suelen incorporar este tipo de circuitos), de
manera tal que estos rayos atraen los elementos fotosensibles, modificando su
estado.
oscilan entre 157 s y 625 s=byte. Frente a las memorias EPROM, presenta la
ventaja de permitir su borrado y programacin en placa, aunque tienen mayor
coste debido a sus dos transistores por celda.
Una ventaja adicional de este tipo de memorias radica en que no necesitan de
una alta tensin de grabado, sirven los 5 voltios de la tensin de alimentacin
habitual.
CE
OE
WE
LECTURA
ESCRITURA
Ventajas de la EEPROM:
Las palabras almacenadas en memoria se pueden borrar de forma individual.
Para borra la informacin no se requiere luz ultravioleta.
Las memorias EEPROM no requieren programador.
De manera individual puedes borrar y reprogramar elctricamente grupos de
caracteres o palabras en el arreglo de la memoria.
Para reescribir no se necesita hacer un borrado previo.
MEMORIA FLASH
La memoria FLASH es similar a la EEPROM, es decir que se puede programar y
borrar elctricamente, son de alta densidad (gran capacidad de almacenamiento de
bits). Alta densidad significa que se puede empaquetar en una pequea superficie del
chip, gran cantidad de celdas, lo que implica que cuanto mayor sea la densidad, ms
bits se pueden almacenar en un chip de tamao determinado. Sin embargo esta
rene algunas de las propiedades de las memorias anteriormente vistas, y se
caracteriza por tener alta capacidad para almacenar informacin y es de fabricacin
sencilla, lo que permite fabricar modelos de capacidad equivalente a las EPROM a
menor costo que las EEPROM.
Aparte de que las memorias EPROM "Flash" tienen una entrada de escritura,
mientras estn funcionando se comportan como las EPROM normales. La nica
diferencia se encuentra en como se cargan y se borran los datos en la memoria.
Mientras que durante el proceso de programacin de las memorias EPROM
convencionales se necesita una tensin bien definida durante cierto intervalo de
tiempo, y para borrar el componente hay que exponerlo a luz ultravioleta, en las
E.Flash ambos procesos estn controlados y se llevan a cabo internamente. Para tal
efecto la memoria recibe una secuencia de comandos predefinida (borrar, programar)
que incluye algunas precauciones especiales (determinadas por el fabricante)
destinadas a evitar que se borre cualquier dato por error.
Durante el proceso de programacin o borrado se puede leer, mediante un comando
de acceso en "lectura", el estado de la memoria EPROM "Flash" en la misma
posicin que el byte de programado o borrado. Mientras se borra un sector se puede
leer cualquier direccin que pertenezca al sector.
APLICACIONES DE LA MEMORIA FLASH
La Memoria Flash es ideal para docenas de aplicaciones porttiles. Tomemos como
ejemplo las cmaras digitales. Insertando una tarjeta de Memoria Flash de alta
capacidad directamente en la cmara, usted puede almacenar cientos de imgenes
de alta resolucin. Cuando este listo para bajarlas, simplemente retire la tarjeta y
PLDs
INTRODUCION
Los Dispositivos Logicos Programables (PLDs) fueron introducidos a mediados de los 70s.
La idea era construir circuitos lgicos combinacionales que fueran programables. Al contrario
de los microcontroladores, que pueden correr un programa y poseen un hardware fijo los
PLDs permiten la modificacin a nivel de hardware. En otras palabras, un PLD es un chip
multi propsito cuyo hardware se puede re configurar para realizar tareas particulares.
El primer PLD fue llamado PAL (Programmable Array Logic). Los PAL solo utilizan
compuertas lgicas (sin Flip-Flops), por lo que solo permiten la implementacin de circuitos
combinacionales. Para superar esta limitacin luego fueron creados los registered PLDs los
cuales incluyen Flip-Flops en cada salida del circuito. Con estos dispositivos es posible
implementar funciones secuenciales simples.
A comienzos de los 80s, se fueron agregando circuitos lgicos adicionales a las salidas de
los PLDs. La nueva celda de salida, llamada Macrocell, contiene (a parte de Flip-Flops)
puertas lgicas y multiplexores. La celda en si es programable, permitiendo varios modos de
operacin. Adicionalmente provee una seal de retorno o feedback desde la salida del
cricuito al arreglo programable, lo que le da una mayor flexibilidad. Esta nueva estructura fue
llamada generic PAL (GAL).
Todos estos chips (PAL, PLA, registered PLD, GAL/PALCE) son conocidos en conjunto
como SPLDs (Simple PLDs). La GAL/PALCE es la nica que aun se fabrica en chips
independientes.
Luego de esto se fabricaron chips con muchas GAL en su interior utilizando una arquitectura
mucho ms sofisticada, mejor tecnologa y muchas otras caractersticas adicionales como
soporte para JTAG. Estas estructuras son conocidas como CPLD (Complex PLD). Los CPLD
son bastante populares por su alta densidad de puertas, alto performance y bajo costo.
Finalmente a mediados de los 80s fueron introducidas las FPGA, las cuales difieren de los
CPLD en su arquitectura, tecnologa y costos. Estos dispositivos fueron creados
principalmente para la implementacin de circuitos de alto rendimiento.
Todos los PLDs son no voltiles. Pueden ser OTP (one time programmable) en cuyo caso
son utilizados fusibles o anti fusibles o pueden ser re programables, con EEPROM o
memoria FLASH. Las FPGAs por otro lado son la mayora voltiles puesto que utilizan
SRAM para almacenar las conexiones en estos casos generalmente se utiliza un ROM
externa para almacenar la configuracin inicial al momento del encendido.
HISTORIA
A mediados de los aos setenta se produce una fuerte evolucin en los procesos de
fabricacin de los circuitos integrados, y junto a las tecnologas bipolares, surge la MOS
(metal oxide semiconductor), principalmente la NMOS, promoviendo el desarrollo de
circuitos digitales hasta la primera mitad de los aos ochenta.
En aquellas pocas, el esfuerzo de diseo se concentraba en los niveles elctricos para
establecer caractersticas e interconexiones entre los componentes bsicos a nivel de
transistor. El proceso de diseo era altamente manual y tan solo se empleaban herramientas
como el PSPICE para simular esquemas elctricos con modelos previamente
personalizados a las distintas tecnologas.
A medida que pasaban los aos, los procesos tecnolgicos se hacan ms y ms complejos.
Los problemas de integracin iban en aumento y los diseos eran cada vez ms difciles de
depurar y de dar mantenimiento. Inicialmente los circuitos integrados de MSI (Morrad Scale
Integration) y LSI (Low Scale Integration) se diseaban mediante la realizacin de prototipos
basados en mdulos muy sencillos. Cada uno de estos mdulos estaba formado por puertas
lgicas ya probadas, este mtodo poco a poco, iba quedndose obsoleto. En ese momento
(finales de los aos setenta) se constata el enorme desfase que existe entre tecnologa y
diseo.
Alrededor de 1981 el Departamento de Defensa de los Estados Unidos desarrolla un
proyecto llamado VHSIC (Very High Speed Integrated Circuit) su objetivo era rentabilizar las
inversiones en hardware haciendo ms sencillo su mantenimiento. Se pretenda con ello
resolver el problema de modificar el hardware diseado en un proyecto para utilizarlo en
otro, lo que no era posible hasta entonces porque no exista una herramienta adecuada que
armonizase y normalizase dicha tarea, era el momento de los HDLs.
El desarrollo de la electrnica digital moderna a finales del siglo pasado y principios de este
trajo consigo que las tcnicas de miniaturizacin de los elementos se fueran desarrollando
cada vez ms obteniendo un alto nivel de integracin en los elementos, trayendo consigo un
gran nmero de ventajas , por citar algunas tenemos:
No necesitan voltajes de alimentacin muy elevados, ni grandes consumos de corriente por
lo que las fuentes de alimentacin son pequeas y de poca potencia
En la metodologa de diseo las dimensiones topolgicas de las estructuras han disminuido,
llevando todo esto a una reduccin de los costos
Debido a la reduccin de sus costos de diseos que llev consigo el constante desarrollo del
software y el hardware trajo aparejado el surgimiento despus de varios aos de los
dispositivos lgicos programables o PLDs dentro de ellos las FPGAs (Field Progammable
Gate Arrays).
VENTAJAS DE LOS PLD
Los PLDs estn desplazando, cada vez ms, a la lgica discreta y a otros tipos de circuitos
ASIC debido a las mltiples ventajas que ofrecen. Algunas de estas son:
Pueden reemplazar a varios componentes discretos, reduciendo con ello el nmero de
circuitos integrados a utilizar. Esto a su vez supone:
Reduccin de espacio.
Reduccin del nmero de conexiones.
Reduccin de la potencia de consumo.
Disminucin del coste.
Aumento de la fiabilidad.
La mayor parte de ellos ofrecen una gran flexibilidad al permitir reprogramar el circuito lgico
a la medida, pudiendo obtener diferentes configuraciones para un mismo dispositivo.
Esta posibilidad que brindan algunos PLDs de ser reprogramados, permite que se elimine el
riesgo de errores a la hora de la grabacin. Se reducen los costos de stock, al poder utilizar
el mismo dispositivo para aplicaciones distintas, sin ms que hacer programaciones
distintas.
Gran facilidad de diseo porque las herramientas disponibles para este fin simplifican
considerablemente el proceso de diseo, haciendo que la implementacin al ms bajo nivel
sea transparente para el usuario. El sistema de desarrollo consiste en un software de diseo
y un programador, donde el software, es en esencia, un ensamblador que transforma el
diseo de alto nivel que hace el usuario (ecuaciones booleanas, tablas de la verdad,
diagramas de estado y esquemticos) a bajo nivel o nivel de programacin del dispositivo.
Adems los software que existen en el mercado disponen de simulador, lo que permite
hacer depuraciones del diseo antes de programar el componente.
Antes de que se inventasen las PLDs, los chips de memoria de solo lectura (ROM) se
utilizaban para crear funciones de lgica combinacional arbitrarias con un nmero
determinado de entradas. Considerando una ROM con m entradas, a las que se
denomina lneas de direccin; y con n salidas, a las que se denomina lneas de datos.
Cuando se utiliza como memoria, la ROM contiene
palabras de n bits. Supongamos que
las entradas no son direccionadas por una direccin de m-bits, sino por m seales lgicas
independientes. Tericamente, hay
funciones booleanasposibles de estas m seales,
pero la estructura de la ROM permite solo producir n de estas funciones en los pines de
salida. Por lo tanto, en este caso, la ROM se vuelve un equivalente de ncircuitos lgicos
separados, cada uno generando una funcin elegida de las m entradas.
La ventaja de utilizar una ROM de esta forma es que cualquier funcin concebible de
las m entradas puede ser colocada por las n salidas, haciendo este el dispositivo lgico
combinacional de mayor propsito general disponible. Tambin
las PROMs (ROMs programables), EPROMs (PROMs de borrado por ultravioleta)
y EEPROMs (PROMs de borrado elctrico) disponibles pueden ser programadas de esta
manera con un programador PROM hardware o software. Sin embargo, existen varias
desventajas:
Slo se utiliza una pequea fraccin de su capacidad en una sola aplicacin: un uso
ineficiente del espacio.
Por si solas no pueden ser utilizadas para circuitos de lgica secuencial, puesto que
no contienen biestables. Para realizar algunos circuitos secuenciales (como mquinas
de estado) se utilizaba un registro TTL externo.
Las EPROMs comunes (como la 2716), se siguen utilizando a veces de esta forma por
gente que tiene como hobby el diseo de circuitos, ya que a menudo tienen algunas sueltas.
A las ROM utilizadas de esta manera se las conoce como la "PAL del pobre".
General Electric era el primer PLD jams desarrollado, antecesora del EPLD de Altera en
una dcada. General Electric obtuvo varias patentes tempranas en PLDs.
En 1974, General Electric firm un acuerdo con Monolithic Memories para desarrollar un
PLD de mscara programable incorporando las innovaciones de General. El dispositivo se
bautiz comoProgrammable Associative Logic Array (PALA, matriz lgica asociativa
programable). El MMI 5760 fue terminado en 1976 y poda implementar circuitos multinivel o
secuenciales de ms de 100 puertas. El dispositivo estaba soportado por el entorno de
desarrollo de General, donde las ecuaciones Booleanas podan ser convertidas a patrones
de mscara para configurar el dispositivo. El integrado nunca se comercializ (hasta ahora
debido a lo antes comentado).
PAL
MMI introdujo un dispositivo revolucionario en 1978, la Programmable Array Logic (Matriz
lgica programable). La arquitectura era ms sencilla que la FPLA de Signetics porque
omita la matrizOR programable. Esto hizo los dispositivos ms rpidos, ms pequeos y
ms baratos. Estaban disponibles en encapsulados de 20 pines y DIP de 300 milsimas de
pulgada, mientras que las FPLAs venan en encapsulados de 28 pines y DIP de 600
milsimas de pulgada. Ciertas publicaciones sobre PALs desmitificaban el proceso de
diseo. El software de diseo PALASM (PAL Assembler, ensamblador PAL) converta las
ecuaciones Booleanas de los ingenieros en el patrn de fusibles requerido para programar
el dispositivo. Los PAL de MMI pronto fueron distribuidos por National Semiconductor, Texas
Instruments y AMD.
Tras el xito de MMI con los PAL de 20 pines, AMD introdujo los 22V10 de 24 pines con
caractersticas adicionales. Tras comprar a MMI (1987), AMD desarroll una operacin
consolidada como Vantis, adquirida por Lattice Semiconductor en 1999.
Una innovacin del PAL fue la matriz lgica genrica (Generic array logic) o GAL. Ambas
fueron desarrolladas por Lattice Semiconductor en 1985. Este dispositivo tiene las mismas
propiedades lgicas que el PAL, pero puede ser borrado y reprogramado. La GAL es muy
til en la fase de prototipado de un diseo, cuando un fallo en la lgica puede ser corregido
por reprogramacin. Las GALs se programan y reprograman utilizando un programador
OPAL, o utilizando la tcnica de programacin circuital en chips secundarios.
Un dispositivo similar llamado PEEL (programmable electrically erasable logic o lgica
programable elctricamente borrable) fue introducido por la International CMOS
FUNCIONAMIENTO DEL GAL
Una GAL permite implementar cualquier expresin en suma de productos con un nmero de
variables definidas. El proceso de programacin consiste en activar o desactivar cada celda
E2CMOS con el objetivo de aplicar la combinacin adecuada de variables a cada compuerta
AND y obtener la suma de productos.
Las celdas E2CMOS activadas conectan las variables deseadas o sus complementos con
las apropiadas entradas de las puertas AND. Las celdas E2CMOS estn desactivadas
cuando una variable o su complemento no se utiliza en un determinado producto. La salida
final de la puerta OR es una suma de productos. Cada fila est conectada a la entrada de
una puerta AND, y cada columna a una variable de entrada o a su complemento. Mediante
la programacin se activa o desactiva cada celda E2CMOS, y se puede aplicar cualquier
combinacin de variables de entrada, o sus complementos, a una puerta AND para generar
cualquier operacin producto que se desee. Una celda activada conecta de forma efectiva
su correspondiente fila y columna, y una celda desactivada desconecta la fila y la columna.
celdas se pueden borrar y reprogramar elctricamente. Una celda E2CMOS tpica puede
mantener el estado en que se ha programado durante 20 aos o ms. Las macroceldas
lgicas de salida (OLMCs) estn formadas por circuitos lgicos que se pueden programar
como lgica combinacional o como lgica secuencial. Las OLMCs proporcionan mucha ms
flexibilidad que la lgica de salida fija de una PAL. </p
CPLDs
Las PALs y GALs estn disponibles slo en tamaos pequeos, equivalentes a unos pocos
cientos de puertas lgicas. Para circuitos lgicos mayores, se pueden utilizar PLDs
complejos oCPLDs. Estos contienen el equivalente a varias PAL enlazadas por
interconexiones programables, todo ello en el mismo circuito integrado. Las CPLDs pueden
reemplazar miles, o incluso cientos de miles de puertas lgicas.
Algunas CPLDs se programan utilizando un programador PAL, pero este mtodo no es
manejable para dispositivos con cientos de pines. Un segundo mtodo de programacin es
soldar el dispositivo en su circuito impreso. Las CPLDs contienen un circuito que descodifica
la entrada de datos y configura la CPLD para realizar su funcin lgica especfica.
Cada fabricante tiene un nombre propietario para este sistema de programacin. Por
ejemplo, Lattice Semiconductor la llama In-system programming (Programacin en el
sistema). Sin embargo, estos sistemas propietarios estn dejando paso al estndar del Joint
Test Action Group (JTAG).
FPGAs
.
Mientras el desarrollo de las PALs se enfocaba hacia las GALs y CPLDs (ver secciones
superiores), apareci una corriente de desarrollo distinta. Esta corriente de desarrollo
desemboc en un dispositivo basado en la tecnologa de matriz de puertas y se le
denomin field-programmable gate array (FPGA). Algunos ejemplos de las primeras FPGAs
son la matriz 82s100 y el secuenciador 82S105 de Signetics, presentados a finales de los
70. El 82S100 era una matriz de trminos AND, y tambin tena funciones de biestable.
Las FPGAs utilizan una rejilla de puertas lgicas, similar a la de una matriz de puertas
ordinarias, pero la programacin en este caso la realiza el cliente, no el fabricante. El
trmino field-programmable (literamente programable en el campo) se refiere a que la matriz
se define fuera de la fbrica, o "en el campo".
Las FPGAs se programan normalmente tras ser soldadas en la placa, en una forma similar a
los CPLDs grandes. En las FPGAs ms grandes, la configuracin es voltil y debe ser
reescrita cada vez que se enciende o se necesita una funcionalidad diferente. La
configuracin se guarda normalmente en una PROM o EEPROM. Las versiones EEPROM
pueden ser programadas mediante tcnicas como el uso de cables JTAG.
Las FPGAs y los CPLDs son buenas opciones para una misma tarea. Algunas veces la
decisin sobre una u otra es ms econmica que tcnica, o puede depender de la
preferencia personal o experiencia del ingeniero.
Otras variantes
Actualmente, existe bastante inters en sistemas reconfigurables. Estos sistemas se basan
en circuitos microprocesadores y contiene algunas funciones prefijadas y otras que pueden
ser alteradas por cdigo en el procesador. Para disear sistemas que se auto-alteren, es
necesario que los ingenieros aprendan nuevos mtodos y que nuevas herramientas de
software se desarrollen.
Las PLDs que se venden actualmente, contienen un microprocesador con una funcin
prefijada (el ncleo) rodeado con dispositivos de lgica programable. Estos dispositivos
permiten a los diseadores concentrarse en aadir nuevas caractersticas a los diseos sin
tener que preocuparse de hacer que funcione el microprocesador.
Almacenamiento de la configuracin en las PLDs
Una PLD es una combinacin de un dispositivo lgico y una memoria. La memoria se utiliza
para almacenar el patrn el que se le ha dado al chip durante la programacin. La mayora
de los mtodos para almacenar datos en un circuito integrado han sido adaptados para el
uso en PLDs. Entre estos se incluyen:
antifusibles de silicio.
SRAMs.
Memoria flash.
Los antifusibles de silicio son elementos de almacenamiento utilizados en las PAL, el primer
tipo de PLD. Estos antifusibles se encargan de formar conexiones mediante la aplicacin de
voltaje en un rea modificada del chip. Se le llama antifusibles porque funcionan de manera
opuesta a los fusiles normales, los cuales permiten la conexin hasta que se rompen por
exceso de corriente elctrica.
Las SRAM, o RAM estticas, son un tipo voltil de memoria, lo que quiere decir que su
contenido se pierde cada vez que se desconectan. Las PLDs basadas en SRAM tenen que
ser programadas cada vez que el circuito se enciende. Generalmente esto lo hace otra parte
del circuito.
Una clula EPROM es un transistor MOS (metal-xido-semiconductor) que puede activarse
atrapando una carga elctrica permanentemente en su puerta, cosa que realiza un
programador PAL. La carga permanece durante algunos aos slo puede ser eliminada
exponiendo al chip a una luz ultravioleta fuerte en un dispositivo llamado borrador EPROM.
Las memorias flash son no voltiles, por lo que retienen sus contenidos incluso cuando se
les corta la alimentacin. Puede ser borradas y reprogramadas tanto como sea necesario, lo
que las hace tiles para las memorias PLD.
A partir de 2005, la mayora de las CPLDs son del tipo EEPROM y no voltiles. Esto se debe
a que son demasiado pequeas para justificar lo poco conveniente que es la programacin
interna de celdas SRAM cada vez que se inician, y lo costoso de las clulas EPROM debido
a su encapsulado cermico con una ventana de cuarzo.
CPLD
Un CPLD (del acrnimo ingls Complex Programmable Logic Device) es un dispositivo
electrnico.
Los CPLD extienden el concepto de un PLD (del acrnimo ingls Programmable Logic
Device) a un mayor nivel de integracin ya que permite implementar sistemas ms eficaces,
ya que utilizan menor espacio, mejoran la fiabilidad del diseo, y reducen costos. Un CPLD
se forma con mltiples bloques lgicos, cada uno similar a un PLD. Los bloques lgicos se
comunican entre s utilizando una matriz programable de interconexiones, lo cual hace ms
eficiente el uso del silicio, conduciendo a una mejor eficiencia a menor costo. A continuacin
se explican brevemente las principales caractersticas de la arquitectura de un CPLD.
MATRIZ DE INTERCONEXIONES PROGRAMABLES
Un bloque LAB es similar a un SPLD y que el tamao de los encapsulados varan entre 44 y
208 pines, cabe mencionar que utilizan una tecnologa de proceso basada en EEPROM. Las
versiones que se pueden programar dentro del sistema para ello se utilizan la interfaz
estndar JTAG.2
Fabricantes de CPLD
Altera
Atmel
Cypress Semiconductor
Lattice Semiconductor
Xilinx
4.- BIBLIOGRAFA
http://www.virtual.unal.edu.co/cursos/ingenieria/2000477/lecciones/100301.htm
http://www.virtual.unal.edu.co/cursos/ingenieria/2000477/lecciones/100501.htm
http://www.monografias.com/trabajos12/mosscur/mosscur.shtml
http://www.zona-warez.com/tutoriales-ingenieria_electrica.html
http://webdiee.cem.itesm.mx/web/servicios/archivo/manuales/micro8051.pdf
http://cactus.fi.uba.ar/crypto/tps/tarje.pdf
http://electronred.iespana.es/electronred/Circuitosintegra.htm