e).

- Para poder calcular el capacitor Ci tenemos que calcular la resistencia de Thvenin que este
capacitor mira entre sus terminales

RCi RB || hie rs 2646 50 2696

1
RCi 269.6
10
1
Ci
5.9 F
2 (100)(269.6)
X Ci

Donde RCi es la resistencia vista por el capacitor Ci

Para poder calcular el capacitor CO tenemos que calcular la resistencia de Thvenin que este capacitor
mira entre sus terminales
RCO RC RL 6 K
1
RCO 600
10
1
CO
2.65 F
2 (100)(600)
X Ci

Donde RCO es la resistencia vista por el capacitor CO

Para poder calcular el capacitor CE tenemos que calcular la resistencia de Thvenin vista desde el el
desde la fuente de seal.
Para esto dibujamos el circuito equivalente visto desde el Terminal del emisor, a este circuito en donde
las resistencias de base cambian aparentemente en su valor, se le conoce como circuito de de base
reflejado en el de emisor.

rs'/(hfe+1)

ie

hie/(hfe+1)

Vs

RE
ie

RTH

Donde rs' RB || rs

Entonces:

RCE

RCE RE ||

rs' hie
25.34
h fe 1

XC

1
RCE 2.534
10

CC

1
628F
2 (100)(2.534)

rs || RB hie
h fe 1

|| RE

(50 || 15 K) 3.2 K
|| 1200
126

RCE 25.88 || 1200 25.33 X C

CE

1
62.83F
2 (100)( 25.33)

Donde RCE es la resistencia Thvenin vista por el capacitor CE

Amplificador en emisor comn

El circuito equivalente de

Corriente continua es:

Circuito equivalente de corriente alterna

RB

donde

R L

RB R1 || R2
RL' RC || RL

Si Vs es una seal pequea entonces el transistor opera en forma lineal y para efectos de anlisis el
transistor tiene un circuito lineal equivalente llamado circuito en parmetros h.
Modelo de seal pequea del BJT para la configuracin en Emisor Comn

Modelo del BJT en parmetros h (configuracin en Emisor Comn)

Significado de los parametros h

Vbe hieib hreVce
iC h feib hoeVce

Estos parmetros h reciben su nombre a partir de las siguientes condiciones

A).- Corto circuito en la salida ( Vce = 0 ).

Vbe ( hie )ib

ic ( h fe )ib

por lo que:

hie

Vbe
ib VCEQ

Vce0

i
h fe c
ib VCEQ

Vce0

hie = Impedancia de entrada con la salida en corto.

i = input.
e = emisor comn.
h fe = Ganancia de corriente en sentido directo con la salida en corto.

f = forward - directo
e =emisor comn

B).- Circuito abierto en la entrada ( ib 0 )

Vbe hre (Vce )

ic hoe (Vce )

por lo que:

V
hre be
Vce

hoe
I BQ
ib 0

ic
Vce

I BQ
ib 0

hre = Ganancia de voltaje en sentido inverso con la entrada abierta.

r = reverse
e = emisor comn
hoe = Admitancia de salida con la salida abierta.

o = output
e = emisor comn.

Determinacin de los parmetros h

De las curvas de entrada pueden ser determinados grficamente los parmetros hie y hre

ib

VCE 19V
ib

iB
VBE VBE
hie

ib
ib

VCE 1V

VCE 20V

vBE

VBE 0

vBE
iB

Puede observarse que hie corresponde a la resistencia dinmica del diodo B-E

hie

VT
V
V
T h fe T
I CQ I CQ
I CQ
h fe

VBE

VCE

ib
I BQ

vBE

VBE

Puede observarse que hre corresponde un valor muy pequeo, su valor se encuentra en el rango de
1x10-4 a 3x10-4, y para efectos prcticos puede considerarse cero

hre

vCE VCE

vBE VBE

VBE 0

vBE
vBE

Los parmetros hfe y hoe se obtiene a partir de las curvas de salida y como se indican en las mismas

h fe

i c i c

ib i B

Vce ctte =

ic
i B

ic 0

hoe

ic
ic

VCE
VCE

i B ctte =
i c 0

ic
VCE

Se observa que el valor de hoe es muy pequeo, un valor tpico es de aproximadamente de 100 m
siemens y para fines prcticos puede considerarse como Admitancia 0 = resistencia infinita.
Modelo del Amplificador en Emisor Comn incluyendo el modelo de seal pequea del transistor

Las impedancias de entrada y de salida pueden obtenerse fcilmente mediante observacin del circuito:
Z i R B || hie

Z o Rc

La ganancia de voltaje puede obtenerse a partir de la multiplicacin de los siguientes factores

AV

vL v L vce vbe

vs vce vbe vs

vL
1
vCE
vce h feib Rc RL
vbe hieib
R R
vce
h fe C L
vbe
hie
RB hie
vbe

vs RB hie rs
Av

RB hie
RC RL
VL
h fe
.
VS
hie
RB hie rs

Ai

i L i L ib
.
i S ib i s

 RC
iL

h fe
i S RC RL
ib
RB

i S R B rs
Ai

iL
RC
RB

h fe
i S RC R L
R B rs

VL
i
RL
V rs z i
Ai L
L.
VS
iS
VS R L
rs z i

Ai Av

zi rs
RL

PROBLEMA.- El transistor 2N3904 tiene un h fe de 125 cuando su punto de operacin es

I CQ 1mA y VCEQ 6V . Se pretende polarizar este transistor mediante la tcnica de divisin de
tensin.
a).- Calcular el valor adecuado de cada uno de los resistores para cumplir con esa condicin de
polarizacin y bajo los siguientes datos adicionales; Vcc=12V, RB

1
1
RE y VE
VCC .
10
10

Una vez polarizado el transistor, el circuito se utilizar como amplificador. La seal a amplificar
proviene de una fuente de voltaje con resistencia interna de 50 . la seal amplificada ser
suministrada a una resistencia de carga de 1.2 K .
b).- Calcular la impedancia de entrada y la de salida del amplificador
c).- Calcular la ganancia del voltaje del amplificador.
d).- Calcular la ganancia de corriente del amplificador.
En los incisos b, c y d suponer que la reactancia de los capacitores es despreciable a la frecuencia de la
seal.
e).- Calcular el valor mnimo de capacitancia de cada uno de los capacitores de tal manera que en el
amplificador se tenga un acoplamiento y desacoplamiento ideal para fines prcticos. Fc = 100 Hz
a).-

12V
1.2V
1.2V por lo que RE
1 .2 K
10
1mA
125
RB
(1200) 15 K
10

VE

RC

b).-

hie

VCC VCEQ
I CQ

RE

12V 6V
1.2 K 4.8 K
1mA

VT
25mV
h fe
(125) 3.212 K
I CQ
1mA

Z i RE || hie

(3.212 K)(15 K)
2.546 K
18.212 K

Z o RC 4.8 K

c).-

AV

VL
R || RL RB || hie
125(960) 2646
h fe C

36.65
Vs
hie rs RE || hie
3212 2696

d).-

Ai

iL
RC
RB
4800
15000

(h fe )

(125)
82.36
is RC RL
RB hie 6000
18212