Ejercicios de refuerzo para el examen # 3.

1. Halle una expresin para la relacin de voltajes

en los 3 circuitos mostrados en la figura 1. Tenga en cuenta el

efecto de modulacin de canal ( 0). Tenga en cuenta que los voltajes Vdd y Vb son voltajes DC, y las seales
de entrada Vin son pequeas seales y varan en el tiempo sinusoidalmente. Adems halle las resistencias de entrada
y de salida vista desde el nodo correspondiente a tierra.

Figura 1.

2. En una prueba de laboratorio se desea saber cmo se comporta la corriente (corrientente de dreno a surtidor del
transistor) mediante varia el voltaje de prueba mostrado en el circuito de la figura 2, a) bosqueje la corriente en
funcin de , si se sabe que la fuente ajustable vara desde 0 hasta . b) Qu observacin importante se
puede concluir?
Nota: Tenga en cuenta que las variaciones de es un barrido en DC.

Figura 2.

3. Bosqueje la corriente Id en funcin de la tensin variable Vtest que aparece en el circuito mostrado en la figura 3, si
existen puntos crticos en la operacin del transistor a medida que vara la fuente Vtest, indquelos.

Figura 3.

4. Halle la corriente de polarizacin del transistor NMOS mostrado en la figura 4, si se sabe que el transistor tiene un
voltaje de encendido Vth= 0.4 [V], una relacin (W/L)=25 y un Kn= 120 A/V2, adems tambin encuentre las
diferencias de potencial Vgs y Vds.

Figura 4.

5. Para el circuito amplificador CMOS mostrado en la figura 5, halle:

a) Ganancia de voltaje.
b) Resistencia de entrada.
c) Resistencia de salida.
Nota: Tenga en cuenta el efecto de modulacin de canal.

Figura 5.

6. Para el transistor PMOS mostrado de la figura 6, se tienen los siguientes parmetros:

= 33 2 , = 0,62 [],

10

= (0,4) , = 0, Adems las fuentes DC de corriente y voltaje tienen valores

I1=120 A y Vdd= 3.3 V respectivamente.

Figura 6.

a) Determine las tensiones Vsg y Vsd para los siguientes valores de R=3K, 8k, 25k, en cada caso indique la regin de
operacin en la que trabaja el transistor.
b) Encuentre el valor de R para que el canal del transistor opere justo cuando se estrangula el canal.

7. Halle una expresin para la ganancia de voltaje = del circuito amplificador CMOS mostrado en la figura 7. Tenga

en cuenta el efecto de modulacin canal.

Figura 7.
8. Se desea disear el amplificador fuente comn como el que se muestra en la figura 8, que tenga como mnimo una
ganancia de voltaje de 5 V/V, una impedancia de entrada de 50k, un consumo de potencia mximo de 5mW, Adems

usted dispone de una fuente Vdd= 1.8 V, y de un transistor con parmetros = 100 2 , = 0,4 , = 500
y de dos condensadores de acople (C1, C2). Tenga en cuenta que al disear este amplificador se busca la relacin del
ancho y longitud del canal del transistor (W/L), el valor de las resistencias, y el punto Q de polarizacin del transistor.
Analice y mencione cual ventaja o desventaja ejercen los capacitores de acople en el circuito.
Sugerencia: Para un buen desempeo del amplificador, el transistor debe estar polarizado en la regin de saturacin.

Figura 8.

9. Determine una expresin para la relacin de voltajes Vout/Vin, considere el efecto de modulacin de canal y que Cac
es un capacitor de acoplamiento.

Figura 9.
10. Para el circuito mostrado en la figura 10, calcule la corriente Id en cada transistor, verifique la regin de operacin de
cada transistor y calcule la potencia total que consume este circuito. Los parmetros de los transistores son:

40
= 100 2 , = 0,6 [],
( ) = ( ),
= ,

5
= 45 2 , = 0,7 [], ( ) = ( ) ,
= ,

0,9

Figura 10.