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DE SO PAULO
So Paulo
2007
Trabalho
de
Concluso
de
Curso
So Paulo
2007
Trabalho
de
Concluso
de
Curso
Orientador:
Prof Dr. Luis da Silva Zambom
Co-orientador:
Tecg Alexandre Marques Camponucci
So Paulo
2007
DEDICATRIA
AGRADECIMENTOS
Aos meus pais, Marta e Aluizo, pelo apoio constante durante todo o meu
perodo de estudos.
Ao prof Dr. Luis da Silva Zambom, coordenador do curso de Materiais,
Processo e Componentes Eletrnicos MPCE/FATEC, pela disponibilidade e
dedicada ateno durante o perodo da dissertao.
Ao Tecg Alexandre Marque Camponucci, pelos ensinamentos e conselhos
durante o processo pesquisa da dissertao.
prof Me. Silvia Wapke Graf, pelo incentivo constante e apoio.
Ao prof Dr. Nilton Itiro Morimoto, pela oportunidade e condies oferecidas
realizao do trabalho.
Aos meus colegas de trabalho do Laboratrio de Sistemas Integrveis da
Escola Politcnica da Universidade de So Paulo LSI-EPUSP, pela ateno e
colaborao.
Aos demais familiares, por sempre terem acreditado em mim.
Aos meus amigos, por estarem ao meu lado nos momentos difceis e por
sempre me motivarem a alcanar meus objetivos.
RESUMO
O processo litogrfico uma das etapas mais importantes no processo de fabricao
dispositivos em microeletrnica, por ser uma das etapas mais executadas durante
esse processo. Por conta disso, uma viso geral do processo mostrada
inicialmente nesse trabalho. A etapa tem como objetivo, transferir geometrias de um
meio para a superfcie do substrato. A transferncia feita utilizando uma mscara,
que contm as geometrias que se deseja transferir. Sobre o substrato, uma camada
de material fotossensvel depositada e aps ser sensibilizada pela incidncia de
radiao emitida por um equipamento fotoalinhador, deve ser removida, e assim
permitindo a continuidade do processo de fabricao. Neste trabalho, ser mostrada
a manuteno do equipamento fotoalinhador AL4-2, localizado na Sala Limpa do
Laboratrio de Sistemas Integrveis da Escola Politcnica da Universidade de So
Paulo que se encontrava fora de uso. Por no possuir qualquer documentao
tcnica, inicialmente foi feita uma investigao dos problemas que o equipamento
apresentava junto a antigos usurios. Em paralelo a essa pesquisa, um
levantamento da infra-estrutura necessria para o funcionamento ideal do
equipamento foi feito, assim como um novo manual de utilizao teve de ser
elaborado. O material fotossensvel utilizado foi o TSMR-V90 e com isso alguns
testes foram propostos para atestar o funcionamento do sistema e liber-lo para uso
do laboratrio. Com o sistema operando, foram obtidas linhas superiores a 5m
utilizando os parmetros recomendados pelo fabricante do resiste. Como esses
valores estavam muito acima do esperado, novos parmetros foram utilizados at se
alcanar medidas entre 2 e 3 m, que demonstraram o bom funcionamento do
sistema e com isso permitindo a sua utilizao no laboratrio.
LISTA DE FIGURAS
Figura 1 - Tipos de litografia ...................................................................................... 14
Figura 2 - Espectro de radiaes .............................................................................. 16
Figura 3 - Evoluo de tecnologia ............................................................................. 17
Figura 4 - Esquema de um sistema de litografia por feixe de eltrons ...................... 18
Figura 5 - a. Sistema exposio com alinhamento; b. Expositora por raio-X ............ 19
Figura 6 - Tipos de resiste quanto ao resultado aps revelao ............................... 21
Figura 7 - Resultados aps revelao ....................................................................... 23
Figura 8 - Resultados obtidos.................................................................................... 23
Figura 9 - a) Mscara de corpo claro; b) mscara de corpo escuro .......................... 25
Figura 10 - Evoluo do processo litogrfico ............................................................. 26
Figura 11 - Tcnicas litogrficas................................................................................ 27
Figura 12 - Alinhamento entre mscara e substrato.................................................. 30
Figura 13 - Esquema bsico de uma fotoalinhadora ................................................. 31
Figura 14 - Etapas do processo litogrfico ................................................................ 32
Figura 15 Esquemtico de um spinner .................................................................. 33
Figura 16 Equipamento fotoalinhador .................................................................... 36
Figura 17 Identificao das partes ......................................................................... 37
Figura 18 - Mask Holder ............................................................................................ 41
Figura 19 - Esquema das vlvulas solenides .......................................................... 43
Figura 20 - Fonte ....................................................................................................... 45
Figura 21 - Regio de testes de intensidade ............................................................. 46
Figura 22 - Pontos de medio ................................................................................. 49
Figura 23 - Gradiente de exposies ........................................................................ 50
Figura 24 - Tempo de revelao: 20 s....................................................................... 54
Figura 25 - Tempo de revelao: 13 s....................................................................... 55
Figura 26 - Tempo de revelao: 16 s....................................................................... 56
Figura 27 - Resultado de corroso de silcio policristalino ......................................... 59
LISTA DE TABELAS
Tabela 1 Vantagens e desvantagens ..................................................................... 28
Tabela 2 - Condies para a utilizao da alinhadora ............................................... 38
Tabela 3 - Medida de degrau mdio aps revelao ................................................ 49
Tabela 4 - Medida de degrau mdio aps hard bake ................................................ 49
Tabela 5 - Primeiro teste de exposio. .................................................................... 51
Tabela 6 - Segundo teste de exposio .................................................................... 51
Tabela 7 - Terceiro teste de exposio ..................................................................... 52
Tabela 8 - Perfis de litografia..................................................................................... 53
Tabela 9 - Perfis de litografia..................................................................................... 53
Tabela 10 - Degraus aps corroso do silcio ........................................................... 57
Tabela 11 - Degraus aps corroso do silcio ........................................................... 57
Tabela 12 - Degraus aps corroso do fotorresiste .................................................. 57
Tabela 13 - Degraus aps corroso do fotorresiste .................................................. 57
Tabela 14 - Seletividade em relao ao tempo de exposio ................................... 58
Tabela 15 - Seletividade em relao ao tempo de exposio ................................... 58
SMARIO
1
Introduo......................................................................................................... 11
1.1
1.2
2.2
2.3
2.3.1
Litografia ptica.................................................................................... 15
2.3.2
2.3.3
2.3.4
2.4
2.5
Revelao ................................................................................................... 22
2.6
2.7
Resoluo ................................................................................................... 25
2.8
2.9
Alinhamento ................................................................................................ 29
3.2
3.2.1
3.2.2
3.2.3
3.3
Pr cura ...................................................................................................... 34
3.4
Exposio ................................................................................................... 35
3.5
Revelao ................................................................................................... 35
3.6
Cura ............................................................................................................ 35
3.7
Corroso ..................................................................................................... 35
3.8
4.1
Descrio .................................................................................................... 36
4.2
Infra-estrutura ............................................................................................. 38
4.3
Funcionamento resumido............................................................................ 39
4.4
4.4.1
4.5
Metodologia ......................................................................................... 41
Manuteno ................................................................................................ 42
Concluso ......................................................................................................... 61
Referncias ....................................................................................................... 62
Anexos ..................................................................................................................... 65
A. Diagrama da linha de ar comprimido ................................................................. 65
B. Manual detalhado .............................................................................................. 66
C. Diagrama esquemtico da placa me ............................................................... 76
D. Placa secundria n1 ........................................................................................ 77
E. Placa secundria n2......................................................................................... 77
F. Placa secundria n3 ......................................................................................... 78
G. Placa secundria n4 ........................................................................................ 78
H. Placa secundria n5 ........................................................................................ 79
I. Placa secundaria n6 .......................................................................................... 79
J. Placa secundria n7 ......................................................................................... 80
1 Introduo
A cada dia percebemos que os equipamentos utilizam a eletrnica para tornlos mais confiveis e fornecer resultados mais rpidos. Com o avano da tecnologia,
esses circuitos esto tomando formas menores e devido ao processo produtivo, os
tornam bem mais acessveis.
Hoje em dia muito difcil viver sem a eletrnica e o seu processo de
diminuio de tamanho e convergncia de tecnologias. Tudo est tendendo para
aparelhos que executam muitas funes, com velocidades de troca de informaes
maiores e com dimenses fsicas menores.
Tudo isso s pode ser feito com a miniaturizao dos componentes
eletrnicos utilizados nesses circuitos e tambm pelo volume de produo. Como
sabido, na indstria de componentes eletrnicos, so utilizadas muitas etapas de
processo para se fabricar um circuito integrado. Conforme esses circuitos vo
diminuindo, o processo se torna mais complexo. Como a produo basicamente
feita por mquinas, o custo inicial de uma nova tecnologia alto, devido ao tempo e
ao valor necessrios para se desenvolver essa nova tecnologia, no entanto quanto
mais se produz, menor vai se tornar o custo dessa produo.
Um dos desafios para a indstria de microeletrnica como produzir mais em
menos tempo, componentes mais rpidos, que consumam menos energia e com
dimenses menores.
11
12
2 Fundamentos tericos
2.1 Origem da litografia
Litografia (do grego , de -lithos [pedra] e -grafin
[grafia, escrita]) um tipo de gravura. Essa tcnica de gravura envolve a criao de
marcas (ou desenhos) sobre uma matriz (pedra calcria) com um lpis gorduroso[1].
Essa tcnica foi inicialmente estudada e executada por Simon Schmidt[2],
professor bvaro que viveu no final do sculo XVIII. A tcnica utilizava pedras como
matrizes para cpias de imagens de plantas, mapas, etc. Na mesma poca, Alois
Senefelder[1] foi considerado o criador do processo litogrfico, uma vez que ele foi a
pessoa que padronizou o processo como um todo. Aps essa padronizao, a
tcnica propagou-se pelo continente europeu.
Portanto, a ao de transferncia de padres considerada uma forma de
impresso e por isso uma das inovaes tecnolgicas mais importantes
desenvolvidas na histria humana.
pelo polmero sensvel radiao. O material que utilizado como base para as
formas que se deseja transferir para o substrato chamado de fotorresiste. Esse
material um polmero que recebendo determinado tipo de radiao tem sua
estrutura qumica modificada, ou sensibilizada, para posterior remoo com uma
soluo bsica ou solvente orgnico mais conhecido como revelador. Os
fotorresistes so conhecidos tambm como resistes e so classificados de acordo
com o resultado obtido aps a revelao.
A litografia muito importante para a indstria de microeletrnica, por ser
realizada diversas vezes no processo de produo. Essa etapa considerada um
limitante no processo, pois uma vez executada de forma inadequada, implicar no
funcionamento inadequado dos componentes produzidos e at mesmo a perda de
todo um lote de produo.
menores, novos sistemas pticos e resistes fazem com que a litografia consiga
transferir padres com medidas cada vez menores
H casos de litografia que necessitam de processos mais especficos, isso fez
com que o processo litogrfico necessitasse de novos tipos de tecnologia para suprir
essas necessidades e estender a capacidade de transferir padres alm dos limites
do processo fotolitogrfico.
As tecnologias mais conhecidas e que tm sido utilizadas e pesquisadas so:
litografia ptica (OL), litografia por feixe de eltrons (ELB), litografia por raio-X e
litografia por feixe de ons[4].
Cada uma dessas tecnologias ser explicada a seguir.
15
Desde seu incio, essa tcnica tinha data para ser descontinuada e
substituda por algo diferente. Mas como a tecnologia dos sistemas pticos, dos
materiais fotossensveis e dos tipos de radiao utilizadas, faz com que atualmente
continue sendo utilizada, conseguindo atingir resolues de at 45nm[6].
A Figura 3 nos mostra como evoluiu a tecnologia no tempo e como o espectro
de radiao utilizada.
16
17
18
Litografia por raios-X tem um custo alto, porque boa parte desse custo est no
equipamento que gera o raio X, normalmente um synchrotron. Dependendo do
equipamento, o custo por hora de trabalho, pode chegar a centenas de dlares e o
investimento inicial para aquisio de equipamentos na ordem de milhes de
dlares.
Atualmente esse processo tem como desafio se firmar como processo
industrial, j que experimentalmente tem-se conseguido bons resultados com
demonstraes de resolues menores que 100 nm[11].
19
21
2.5 Revelao
Aps o substrato completar as etapas de alinhamento e de exposio
radiao, formando reas sensibilizadas e no sensibilizadas, esse substrato dever
passar pela revelao. H dois processos de revelao, o mido que o processo
mais difundido e o processo seco, que ainda se mantm no estagio de estudos[4].
Esse processo pode ser executado de duas formas, uma por imerso e outra
por spray. A revelao por imerso o mtodo que as lminas so imersas num
banho contendo soluo reveladora, por um perodo de tempo, a uma determinada
temperatura e sofrendo agitao constante. O processo por spray o mtodo onde
a soluo de revelador pulverizada por sobre as lminas[4].
A revelao outra etapa crtica na litografia, pois um processo difcil de ser
controlado e medido. Durante esse processo deseja-se: manter a espessura original
do filme no exposto, o tempo de revelao deve ser curto e quando revelado, o
filme no pode sofrer distores e por fim as dimenses especficas dos padres
devem ser transferidas e reproduzidas com exatido[9].
O sucesso da revelao depende do tipo de resiste utilizado, j que cada tipo
tem suas particularidades estruturais e tambm depender dos mecanismos de
exposio.
Solues orgnicas so usadas como solvente para efetuar revelao dos
fotorresistes negativos, e tem como principal solvente o xileno, porm quase
qualquer solvente orgnico pode ser usado[4].
A maioria dos resistes positivos so revelados em solues alcalinas
moderadas. Os reveladores que so comumente usados so hidrxido de potssio
ou sdio (KOH ou NaOH), hidrxido de tetrametilamnia (TMAH), cetonas ou
acetatos[4].
Outro fator muito importante na revelao o tempo de exposio. Se o
tempo de exposio no for muito bem controlado, distores das estruturas que se
desejou transferir podem ocorrer. A Figura 7 expe claramente essa idia,
mostrando resultados aps diferentes tempos de exposio. O tipo de resiste
utilizado o negativo.
22
23
2.7 Resoluo
Quando o termo resoluo (R) usado, isso quer dizer sobre a habilidade do
processo ptico de distinguir objetos com espaamento bem prximo. Em
microeletrnica, especificamente refere-se resoluo mnima do processo
litogrfico, que a medida mnima de uma linha ou geometria que todo o sistema
pode produzir, englobando o tipo de resiste utilizado, o comprimento de onda da
radiao incidida e do conjunto ptico que o equipamento possui.
Para se compreender melhor o que limite de resoluo utiliza-se a equao
1, conhecida como equao de Rayleigh:
R k1 *
NA
(1)
26
Sistema
Contato
Proximidade
Projeo
Vantagens
Alta resoluo
Baixo custo
Alta produtividade
Baixa contaminao
Alta resoluo
Baixa contaminao
Alta produtividade
Desvantagens
Alta contaminao
Defeitos
Baixa resoluo
Custo
28
2.9 Alinhamento
Outro ponto importante que deve ser abordado o correto posicionamento
das mscaras entre um processo e outro. Esse processo de posicionar uma
mscara sobre a lmina chamado de alinhamento.
Todos os alinhamentos devem seguir o mximo de preciso possvel, caso
contrrio trar problemas no dispositivo que ser produzido. Como o alinhamento
feito por uma mquina, algumas medidas devem ser tomadas para que o
alinhamento no interfira na produo dos circuitos integrados.
Normalmente quando feito o alinhamento segue-se um gabarito, que uma
copia dos padres desenvolvidos sobre a mscara, assim mostrando as formas que
devero ser projetadas sobre as lminas. Para auxiliar o alinhamento, estruturas
especficas tambm so impressas. Essas estruturas so chamadas de estruturas
de alinhamento, normalmente posicionadas nas extremidades das mscaras. As
estruturas de alinhamento auxiliam o operador do equipamento fotoalinhador no
momento de alinhar as lminas sob as mscaras.
Na Figura 12, temos um exemplo de como deve ser feito um alinhamento
entre substrato e mscara.
29
que
emite
radiao
ultravioleta.
Outros
equipamentos
com
31
33
LSI-EPUSP,
material
promotor
de
aderncia
utilizado
hexametildissilazana(HMDS).
Aps a deposio do HMDS sobre a lmina de silcio, ela ser rotacionada
para promover um filme bem homogneo sobre toda a superfcie e induzir a
permanncia de uma camada bem fina sobre essa superfcie.
3.3 Pr-cura
Esta etapa tem como objetivo remover o mximo de solvente contido na
soluo do resiste e preparar esse mesmo filme para a etapa de alinhamento e
exposio.
A retirada de solvente visa tambm o endurecimento do filme resistivo e
melhorar as ligaes de interface silcio resiste, esse processo feito colocando as
lminas sobre uma chapa quente por um tempo determinado. O tempo de
permanncia do substrato sobre a chapa indicado pelo fabricante do resiste.
34
3.4 Exposio
Terminado o processo de deposio do filme fotossensvel, a lmina deve ser
colocada no equipamento fotoalinhador. Uma mscara ser colocada sobre a lmina
e assim receber a radiao, que nesse caso a radiao ultravioleta.
3.5 Revelao
Para o filme de resiste ser revelado, as lminas devem ser imersas na
soluo definida pelo tipo de resiste por um determinado tempo. O tempo de
revelao varia quanto ao tempo de exposio, tipo de resistes e soluo de
revelador utilizada.
No caso desse trabalho, a soluo utilizada como revelador uma soluo de
hidrxido de potssio, KOH, diluda em gua com concentrao de 17 g/l.
3.6 Cura
Tem o propsito de remover solvente residual, melhorar a aderncia e
aumentar a resistncia do resiste ao processo de corroso.
Nessa etapa, a lmina deve ser colocada novamente sobre a chapa quente,
respeitando as condies de tempo e de temperatura recomendadas pelo fabricante
do fotorresiste.
3.7 Corroso
Essa etapa tem como objetivo efetuar a remoo do filme que no foi
protegido pelo fotorresiste.
35
4.1 Descrio
A fotoalinhadora AL4-2 da empresa Electronic Visions Co. um equipamento
que executa a etapa de alinhamento e exposio das lminas de silcio aps
receberem um filme de material fotossensvel. Este equipamento semi-automtico,
pois a etapa de colocao de lmina sobre o chuck e o alinhamento dessa lmina
com a mscara so feitos manualmente. A Figura 17 mostra cada parte do
equipamento.
36
8- Lentes objetivas
2- Boto POWER ON
9- CHUCK
SEPARATION, RESET
4- Ajuste da presso do HARD
CONTACT
5- DISPLAY do equipamento
6- Teclado da AL4-2
7- Controle das lentes objetivas
Esse sistema utilizado no processo de litografia ptica dentro do LSIEPUSP, e emite radiao ultravioleta, com = 340 nm, produzida atravs de uma
lmpada do tipo incandescente com atmosfera de vapor de mercrio em alta
presso[23] para sensibilizar o fotorresiste depositado sobre a lmina previamente.
Atualmente utiliza-se a lmpada HBO 350W da empresa OSRAM[23].
O sistema foi adquirido entre os anos de 1997 e 1998 com o objetivo de
melhorar o processo litogrfico dentro do LSI, uma vez que o este laboratrio possui
37
4.2 Infra-estrutura
O
equipamento
necessita
de
condies
especficas
para
seu
220 V/ 50 Hz
Potncia requerida
Ar comprimido
Nitrognio
Vcuo
38
40
4.4.1 Metodologia
A falta de documentao relativa aos procedimentos de testes e manuteno
conduziu elaborao de uma metodologia especfica para identificao e correo
dos problemas existentes no equipamento.
Uma pesquisa com todos os antigos usurios forneceu informaes
importantes como tempo de exposio, freqncia de utilizao e ajustes dos
diversos parmetros de configurao. De acordo com esses dados, foi iniciado um
estudo com o objetivo de alcanar os problemas propostos.
Esta anlise proporcionou o desenvolvimento de um esquema estrutural do
sistema, incluindo esquemas pneumticos, eletrnicos e de infra-estrutura.
Estes esquemas, somados com um roteiro bsico de funcionamento do
equipamento, permitiram a identificao e troca de componentes defeituosos de
forma preventiva. Seguindo esta metodologia, diversos componentes pneumticos e
eletrnicos foram substitudos. Estes esto detalhados no item 4.5 deste trabalho.
41
todos
os
problemas
identificados,
diversos
processos
de
4.5 Manuteno
Segundo a metodologia descrita no item 4.4.1 foi realizado um mapeamento
do sistema eletrnico composto por uma placa principal, tratada neste trabalho como
placa me, e sete placas secundrias.
Foram identificados na placa me todos os conectores de entrada e sada de
informaes, tais como sinais de vdeo, sensores, atuadores, entre outros.
Cada placa secundria foi caracterizada, buscando-se identificar seu
funcionamento bsico, funo e disposio fsica, bem como suas conexes.
Foi realizado um estudo detalhado da placa 42DC1, que a placa cuja funo
controlar o motor que movimenta o mask holder descrito no item 4.4. Aps a
identificao dos principais circuitos integrados (CIs) dessa placa, foram
pesquisados seus respectivos data-sheets, proporcionando uma compreenso
detalhada do circuito.
Foi gerado um diagrama eltrico com cerca de 60 a 70% das ligaes dessa
placa. Durante a anlise, foram identificados e trocados os transistores de potncia
BD437 e BD438 que estavam queimados. Um possvel causa dessa queima foi a
sobre carga do sistema, mas como esse problema no foi identificado quando
ocorreu, fica difcil analisar a causa real dessa queima.
Um procedimento especificando a seqncia lgica e durao de cada etapa
do equipamento foi desenvolvida a partir das entrevistas com antigos usurios do
equipamento. Durante o preparo deste material, foi observado um vazamento de
gua no regulador de ar comprimido localizado no painel frontal da alinhadora. Este
42
lmpada
de
mercrio
(denominado
de
castelo)
apresentava
43
valor nominal dessa presso de 930 mbar (697 Torr), mas alguns processos
podero necessitar de valores diferentes.
O ajuste adequado desse valor evita que a mscara no se solte do mask
holder com uma presso baixa, ou danifique o filme fotossensvel com uma presso
alta, que tambm poder danificar a prpria mscara.
A etapa de exposio compreende a incidncia de radiao UV produzida por
uma lmpada do tipo incandescente com atmosfera de vapor de mercrio em alta
presso[23]. Esta alimentada por uma fonte que possui controles de intensidade
de iluminao e potncia aplicada. A Figura 20 mostra uma foto da fonte da
lmpada.
Figura 20 - Fonte
45
46
47
5 Testes da fotoalinhadora
Nesse tpico sero mostrados alguns resultados conseguidos com a
utilizao do equipamento aps a manuteno.
As lminas utilizadas possuem as seguintes caractersticas:
Resistividade:
1-10 /cm
Dimetro:
3 (7,62 cm)
Orientao:
<100>
Tipo de Dopante:
P/Boro
Espessura:
Resoluo de 0,5 m
Pr cura: 90 C / 90 s
Cura: 110 C / 90 s
Com o incio dos testes, os parmetros recomendados pelo fabricante do
resiste tiveram que ser modificados devido aos valores de resoluo obtidos
superavam os 5 m, com isso resultando num processo incorreto.
O equipamento fotoalinhador tem a capacidade de gerar padres na ordem
de 2m.
Inicialmente, foi proposto obter a espessura de degrau obtido pelo processo
litogrfico, para isso utilizou-se duas lminas. Com isso foram medidos valores de
degrau aps a revelao das regies no sensibilizadas e novas medidas foram
executadas aps a cura. Nesse teste foram utilizadas duas lminas.
Os parmetros desse processo so os seguintes:
Resiste TSMR-V90, 2 mL
48
Pr cura:
Temperatura: 105 C
Tempo: 90 segundos
Rotao:
Exposio: 10 segundos
Tempos de revelao
3500 RPM
Lmina 1:
20seg
Lmina 2:
15seg
Lmina 1
Lmina 2
1,27
1,28
Lmina 1
Lmina 2
1,21
1,22
Resiste TSMR-V90, 2 mL
Pr cura:
Temperatura: 105 C
Tempo: 90 segundos
Rotao:
Exposio: 3, 6, 9 e 12 segundos
3500 RPM
Regio
Lmina 1 (m)
Lmina 2 (m)
0,14
0,12
0,52
0,62
0,66
0,60
1,30
1,25
Regio
Lmina 3 (m)
Lmina 4 (m)
0,24
0,26
0,79
0,83
1,20
1,16
Para finalizar os testes com lminas inteiras, foi proposto analisar o processo
litogrfico sobre filme de alumnio. As lminas utilizadas foram denominadas 5 e 6.
Regio
Lmina 5 () (m)
Lmina 6 () (m)
0,09
0,05
0,40
0,33
0,89
0,68
1,07
1,05
Resiste TSMR-V90, 2 mL
Pr cura:
Temperatura: 105 C
Tempo: 90 segundos
Rotao:
Exposio: 3, 6, 9 e 12 segundos
3500 RPM
Grupo 1
Tempo (s)
10
12
14
Mdia (m)
1,27
1,30
1,31
1,22
Grupo 2
Tempo (s)
10
12
14
Mdia (m)
0,63
0,72
0,54
0,90
53
54
55
56
silcio
fotorresiste
V (25sccm)
V (50sccm)
P (100mTorr)
P (100mTorr)
Potncia (25W)
Potncia (50W)
Tempo (2min)
Tempo (2min)
Grupo 1
Tempo (s)
10
12
14
Mdia (m)
1,74
1,77
1,79
1,62
Grupo 2
Tempo (s)
10
12
14
Mdia (m)
1,17
1,11
0,89
1,23
Grupo 1
Tempo(s)
10
12
14
Mdia (m)
1,07
1,14
1,09
1,00
Grupo 2
Tempo (s)
10
12
14
Mdia (m)
0,42
0,41
0,36
0,68
57
Onde:
H 1( H 2 H 3 )
(3)
t
Grupo 1
Tempo de exposio (s)
10
12
14
Seletividade (m/min)
0,94
1,00
0,96
0,90
Grupo 2
Tempo de exposio(s)
10
12
14
Seletividade (m/min)
0,25
0,37
0,28
0,62
Como ltimo teste, foi decidido utilizar um processo de litografia cedido pelo
aluno de doutorado Marciel Guerino, do Instituto Tecnolgico da Aeronutica (ITA)
de exposio est funcionando de acordo com as expectativas feitas antes de se
iniciar o processo de manuteno. Os parmetros desse processo foram:
Etapas da fotolitografia de silcio policristalino, estando o mesmo depositado
sobre xido de silcio, o qual foi crescido a partir de uma lmina de silcio.
a) secagem com lcool Isoproplico por 20 s a 3500 rpm;
b) aplicao de promotor de aderncia hexametildissilazana (HMDS) por 20 s a
3500 rpm;
c) aplicao de 1,5 mL de fotorresiste por 20 s a 3500 rpm;
d) cura de 90 s na temperatura de 105 C;
e) exposio luz ultravioleta por 12 s;
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- 25 sccm de SF6
- Presso de 100 mTorr
- Potncia de 50 W
- Tempo de corroso = 7 minutos
observar a qualidade do processo que teve o valor mnimo de largura de linha 50m.
Abaixo so mostrados os resultados aps a corroso.
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6 Concluso
Como o objetivo principal desse trabalho foi executar a manuteno do
equipamento fotoalinhador que se encontrava danificado, pode-se afirmar que esse
objetivo foi atingido com sucesso, devido aos testes executados posteriormente a
essa manuteno mostrarem resultados satisfatrios.
No incio do trabalho, houve alguns problemas quanto documentao do
equipamento, pois essa no existia assim, em paralelo a manuteno do sistema,
alguns esquemas foram feitos, com o intuito de se montar uma documentao para
futuras manutenes, se necessrio.
Para analisar o funcionamento do equipamento, o fotorresiste TSMR-V90 foi
utilizado e caracterizado, assim produzindo padres da ordem de 2 m. Os tempos
de exposio e de revelao foram de 10 e 13 segundos respectivamente.
A medida de 2 m foi alcanada tambm alterando as temperaturas e os
tempos de pr cura e cura, uma vez que os valores recomendados pelo fabricante
do fotorresiste no produziram resultados satisfatrios, valores de resoluo acima
de 5 m. As temperaturas recomendadas pelo fabricante so de 90C com tempo de
90 segundos para a pr-cura, e de 110 C com tempo de 90 segundos para a cura.
Os tempos e temperaturas que melhor se adequaram ao processo foram: pr-cura
90 segundos a 105 C e cura 300 segundos a 130C
Durante a manuteno, um manual de utilizao do equipamento foi
desenvolvido, para que futuros usurios possam usar o sistema, assim evitando
qualquer problema decorrente da utilizao inadequada.
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7 Referncias
[1] http://www.babylon.com/definition/Lithography/Portuguese
Retirado 24/06/2007
[2] http://www.glatt.com.br/tec_lito.asp
Retirado em 21/06/2007
[3]http://www.ece.nus.sg/stfpage/eleaao/EE6504/2007_EE6504_Nanofabrication_1_
double.pdf
Retirado em 10/07/2007
[4] Madou, Marc J., Fundamentals of Microfabrication, The Science of
Miniaturization, second edition
[5]http://liqcryst.chemie.uni-hamburg.de/lcionline/training/train_01/topics/2DSPT3.htm
Retirado em 10/07/2007
[6]http://www.smalltimes.com/Articles/Article_Display.cfm?Section=ARTCL&PUBLIC
ATION_ID=109&ARTICLE_ID=260007&C=Feats
Retirado em 15/08/2007
[7] http://www.labelectron.org.br/artigos/eventech_012.pdf
Retirado em 15/11/2007
[8] http://www_raith/nanolithography/nano_faqs2.html
Retirado em 14/09/2007
[9] Wolf, Stanley and Tauber, Richard N.
Silicon Processing for The VLSI ERA Vol.1
[10] J.G Chase and B. W. Smith, Overview of Modern Lithography Techniques and a
MENS-Based Approach to High Thoughput Rate Electron Beam Lithography,
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63
[22]http://www.ccs.unicamp.br/cursos/fee107/rca.html
Retirado em 20/07/2007
[23] http://www.msscientific.de/mercury_lamps.htm
Retirado em 30/08/2007
[24] http://www.edwardsvacuum.com/brasil/
Retirado em 03/09/2007
[25] http://www.festo.com/StartPage/Default.aspx
Retirado em 10/05/2007
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Anexos
A. Diagrama da linha de ar comprimido
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B. Manual detalhado
VISO GERAL DO EQUIPAMENTO
23- CHUCK
SEPARATION, RESET
18- Ajuste da presso do HARD
CONTACT
19- DISPLAY do equipamento
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CHECK IN
As etapas a seguir devem ser conferidas antes da utilizao do sistema. Caso haja
algum problema em alguma etapa, entrar em contato com os responsveis pelo
laboratrio.
Ao entrar no laboratrio conferir:
1. Vlvula de vcuo fechada;
2. Bomba de vcuo desligada;
3. Vlvula de nitrognio fechada;
4. Vlvula de ar comprimido fechada;
5. Reservatrio do manmetro de ar comprimido;
6. Chave geral (MAIN SWITCH) do equipamento desligada;
7. Fonte desligada;
INICIALIZAO DA ALINHADORA:
1. Ligar a bomba de vcuo (A);
A bomba est posicionada prxima da janela da sala limpa, ao lado da alinhadora
antiga.
2. Abrir a vlvula de vcuo (B);
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5. FONTE;
Displays da Fonte
Nessa fonte existem dois displays, um para mostrar a potncia e intensidade (direita)
da lmpada e outro para mostrar a corrente e a tenso da lmpada (esquerda. Antes
de qualquer exposio, a lmpada deve ter sua corrente e tenso estabilizadas por
10 minutos. Ao se ligar a lmpada, a tenso de trabalho mxima de 60 V e a
corrente mxima de 5,9 A. Quando a tenso e a corrente estiverem estabilizadas,
seus valores devem ser respectivamente de 55 V e entre 3,5 a 4 A.
No display de potncia da lmpada e intensidade, a potncia deve se estabilizar em
250 W e a intensidade em aproximadamente 25 mW/cm.
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Nesse momento, o conjunto chuck stage (conjunto que contm chuck de colocao
de lminas e micrmetros para ajustes de alinhamento da lmina) deve estar
posicionado a frente da mscara e no abaixo.
9. A lmina colocada;
10. Liga-se o vcuo da lmina, pressionando V CHUCK;
Confira se a lmina se encontra presa ao chuck por vcuo, fazendo uma pequena
presso com o auxilio de uma pina. Ao se certificar da fixao da lmina, o conjunto
chuck stage deve ser empurrado at ser situado abaixo da mscara.
11. A base do chuck pressionada;
Ao exercer uma presso na base do chuck stage, note um som de alvio de vlvula.
Se esse som no for notado, pressione novamente at ouvi-lo.
12. WEDGE ERROR aparece no display;
13. W-ERRO pressionado;
Essa etapa faz com que qualquer inclinao entre mscara e lmina seja eliminada.
Caso a mscara se soltar do maskholder, pressione RESET (tecla vermelha), mude
a presso no manmetro Contact Force. A presso mnima de 0,95bar, mas se
necessrio aumente ou diminua essa presso. Repita esse processo at a mscara
no se soltar na etapa WEDGE ERROR.
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Antes de expor sua lmina a radiao UV, deve-se configurar o tempo dessa
exposio. Os passos so os seguintes:
1. Pressione a tecla MENU (confira se um led amarelo se acende);
2. Selecione <PROC> e pressione ENTER;
3. Selecione <EXPO> e pressione ENTER;
4. Selecione <EXP> e pressione ENTER;
5. A opo <TIME> aparecer no display, pressione ENTER;
6. TIME = .... surge no display, para alterar digite o tempo necessrio e
pressione ENTER;
7. Para sair do menu, pressione MENU novamente (confira se o led amarelo se
apaga);
Obs. 1.: Os tempos selecionados so em segundos, variando de 001 at 999
segundos.
Obs. 2.: Se algum erro for cometido na seqncia descrita acima, pressione MENU 2
vezes, a primeira para sair do modo de configuraes e a segunda para retornar a
esse modo.
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DESLIGANDO O EQUIPAMENTO
Aps a utilizao do equipamento, alguns cuidados devem ser tomados. Primeiro
deve ser desligar a alinhadora somente no boto POWER ON. Isso importante,
pois como o resfriamento desse equipamento feito por nitrognio, e desligando o
Main Switch, esse fluxo se encerrar. A fonte deve ser desligada e ligada aps o
uso, para que a lmpada continue recebendo o fluxo de nitrognio. O tempo mnimo
que a lmpada precisa para ser resfriada e religada e de 20 minutos. Se esse tempo
no for respeitado, a lmpada no ligar novamente.
CHECK OUT
Conferir:
1. Fechamento da vlvula de vcuo;
2. Desligamento da bomba de vcuo;
3. Fechamento da vlvula de nitrognio;
4. Fechamento da vlvula de ar comprimido;
5. Desligamento da fonte;
6. Desligamento do equipamento;
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D. Placa secundria n1
E. Placa secundria n2
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F. Placa secundria n3
G. Placa secundria n4
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H. Placa secundria n5
I. Placa secundaria n6
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J. Placa secundria n7
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